CN114078696A - 处理基板的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种处理基板的方法，基板在一侧上具有带有多个器件的器件区域。该方法包括提供第一保护膜；提供第二保护膜；将第一保护膜附接至基板的一侧，使得第一保护膜的前表面的至少中心区域与基板的一侧直接接触；以及将第二保护膜附接至基板的与一侧相反的侧。在将第二保护膜附接至基板的与一侧相反的侧之后，将激光束从基板的与一侧相反的侧施用至基板。基板由对激光束透明的材料制成。第二保护膜由对激光束透明的材料制成。在多个位置中将激光束施用至基板以便在基板中形成多个改性区域。

Description

处理基板的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年8月10日提交德国专利商标局的、申请号为10 2020 210104.3的德国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及一种处理基板(例如，诸如半导体晶圆的晶圆)的方法，该基板在一侧上具有带有多个器件的器件区域。
背景技术
在器件制造工艺(例如，半导体设备制造工艺)中，将具有带有多个器件(通常通过多条分割线分割)的器件区域的基板(例如，晶圆)被分割成单独的裸片(die)。器件制造工艺通常包括例如沿着分割线切割基板的切割步骤，以获得单独的裸片。此外，还可以在与基板前侧相反的基板后侧上进行其他处理步骤(诸如，磨削和/或抛光和/或蚀刻)，在该基板前侧上形成有器件区域。
基板可以例如沿着分割线从基板前侧或基板后侧来切割。特别地，基板可以通过机械切割来切割，例如通过刀片切片(dicing)或锯切、通过等离子切割或通过激光切割。激光切割可以例如通过烧蚀激光切割(ablation laser cutting)和/或通过隐形激光切割(stealth laser cutting)来执行，即通过激光束的施用在基板内形成改性区域，和/或通过激光束的施用在基板中形成多个孔区域。
当从基板前侧执行传统的机械切割或激光切割(特别是隐形激光切割)时，可能会出现切割处理中产生的碎片损坏或污染形成在器件区域中的器件的问题。如果基板包括在基板前侧的易碎结构和/或敏感结构(例如，在器件区域中)和/或金属结构(例如，在分割线内)，则该问题尤其明显。
特别地，通常存在的问题是待用于隐形激光切割的激光束不能穿过形成在分割线上的这种金属结构，使得从基板前侧的隐形切片处理难以实现。因此，激光束必须从基板后侧施用至基板，这将在下面详述。
为了保护形成在器件区域中的器件免于由这种碎片的损坏和污染，可以在处理之前可以将保护膜或保护片材施用至基板前侧，并且可以从基板后侧执行机械切割或激光切割，特别是隐形激光切割。特别地，当以这种方式从基板后侧处理基板时，基板通常放置在支承件上(例如，卡盘台)，利用基板前侧接触支承件。向基板前侧施用的保护膜或保护片材保护器件免受由于与支承件接触的损坏，例如机械损坏。然而，在这种情况下，存在的问题是基板上的器件结构可能由形成在保护膜或保护片材上的粘合剂层的粘合力而损坏，或者可能在膜或片材从基板上剥离时被器件上的粘合剂残留物污染。这尤其适用于如果在基板前侧上存在易碎结构和/或敏感结构，例如诸如微机电***(MEMS)的敏感器件。例如，当保护膜或保护片材从基板剥离时，MEMS薄膜可能被损坏，例如破裂。
为了降低粘合剂层对形成在器件区域中的器件的损坏和污染的风险，已经提出仅向保护膜或保护片材的外周部分施用粘合剂层。然而，在这种情况下，由于保护膜或保护片材可能无法在由膜或片材的外周部分包围的、膜或片材的中心部分中为基板提供足够的支承，因此在处理期间可能难以可靠地保持基板。在基板前侧上具有易碎结构和/或敏感结构的情况下，这种问题更加严重。例如，如果基板前侧包括例如具有薄膜或腔体的MEMS，则在将保护膜或保护片材附接至基板期间和/或之后，由于存在损坏这些易碎结构的风险，不能将压力和/或热量施用至保护膜或保护片材。
此外，当通过隐形激光切割来切割基板时，可能出现基板翘曲的问题。具体地，当通过激光束的施用在基板内形成改性区域时，基板体积可能在这些区域中增加，导致应力的产生，从而导致基板的弯曲或翘曲。这尤其适用于如果在基板中形成大量改性区域，例如，当隐形激光切割具有在基板前侧上形成的多个小尺寸设备的基板时。在使用的保护膜或保护片材具有仅向其外周部分施用的粘合剂层的情况下，基板可能不能被该膜或片材充分地支承以抑制该基板翘曲。基板翘曲可能会影响在基板内形成的改性区域的精度，从而不利于将基板分割成单独裸片。例如，在基板分割处理中，一些裸片可能没有适当地彼此分离和/或被损坏。在裸片尺寸较小的情况下，这种问题尤其明显。
因此，仍然需要一种处理具有器件区域的基板的、可靠且有效的方法，该方法允许使基板的污染和损坏的任何风险最小化。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种处理具有器件区域的基板的、可靠且有效的方法，该方法允许使基板的污染和损坏的任何风险最小化。该目的是通过具有本发明的一个方面的技术特征的技术特征的基板处理方法来实现的。本发明的优选实施方案来自本发明的另一方面。
本发明提供一种处理基板的方法，所述基板在一侧上具有带有多个器件的器件区域。该方法包括：提供第一保护膜或保护片材；提供第二保护膜或保护片材；将第一保护膜或保护片材附接至基板的一侧，使得第一保护膜或保护片材的前表面的至少中心区域与基板的一侧直接接触；以及将第二保护膜或保护片材附接至基板的与一侧相反的侧。在将第二保护膜或保护片材附接至基板的与一侧相反的侧之后，将激光束从基板的与一侧相反的侧施用至基板。基板由对激光束透明的材料制成。第二保护膜或保护片材由对激光束透明的材料制成。在多个位置中将激光束施用至基板以便在基板中形成多个改性区域。
将用于覆盖形成在器件区域中的器件的第一保护膜附接至基板的一侧(即，附接至基板前侧)，使得第一保护膜的前表面的至少中心区域与基板的一侧直接接触。因此，在第一保护膜的前表面的至少中心区域与基板的一侧之间不存在材料(特别是不存在粘合剂)。
因此，可以显着降低或者甚至消除例如由于粘合剂层的粘合力或者在基板上的粘合剂残留物造成的可能污染或损坏基板的风险。
将第二保护膜附接至基板的与一侧相反的侧(即，附接至基板后侧)。第二保护膜由对激光束透明的材料制成。因此，激光束具有允许激光束透射通过第二保护膜的波长。因此，在将第二保护膜附接至基板后侧之后，通过将激光束从基板后侧穿过第二保护膜施用至基板，可以在基板中形成多个改性区域。在将激光束施用至基板期间，基板可以由附接至基板上的第二保护膜可靠地支承。因此，可以抑制或者甚至完全避免在处理期间基板的任何翘曲，允许可以形成在基板内的改性区域的精度显着提高。例如，改性区域可以一致地形成在基板内的相同深度处，即沿着基板厚度方向的相同位置处。基板的厚度方向从基板前侧朝向基板后侧延伸。因此，基板可以以特别有效的方式进行处理。特别地，在基板内改性区域的精确形成允许将基板可靠地分割成单独的裸片，对于小裸片尺寸的情况也适用。
因此，本发明的方法能够可靠且有效地处理具有器件区域的基板，使基板(特别是形成在器件区域中的器件)的污染和损坏的任何风险最小化。
基板可以例如由半导体、玻璃、蓝宝石(Al2O3)、陶瓷(诸如氧化铝陶瓷)、石英、氧化锆、PZT(锆钛酸铅)、聚碳酸酯、金属(例如铜、铁、不锈钢、铝等)或金属化材料、铁氧体、光学晶体材料、树脂等制成。
特别地，基板可以例如由碳化硅(SiC)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化铟(InAs)、磷化铟(InP)、氮化硅(SiN)、钽酸锂(LT)、铌酸锂(LN)、氮化铝(AlN)、氧化硅(SiO2)等制成。
基板可以是单晶基板、玻璃基板、复合基板(诸如复合半导体基板)或多晶基板(诸如陶瓷基板)。
基板可以是晶圆，特别是半导体晶圆。例如，基板可以是碳化硅(SiC)晶圆、硅(Si)晶圆、砷化镓(GaAs)晶圆、氮化镓(GaN)晶圆、磷化镓(GaP)晶圆、砷化铟(InAs)晶圆、磷化铟(InP)晶圆、氮化硅(SiN)晶圆、钽酸锂(LT)晶圆、铌酸锂(LN)晶圆、氮化铝(AlN)晶圆、氧化硅(SiO2))晶圆等。
基板可由单一材料或不同材料的组合(例如，上述材料中的两种或更多种)制成。例如，基板可以是Si和玻璃结合的基板(例如，Si和玻璃结合的晶圆)，其中将由Si制成的基板元件结合至由玻璃制成的基板元件。
基板可以具有任何类型的形状。在其俯视图中，基板可以具有例如圆形形状、卵形形状(oval shape)、椭圆形形状或多边形形状(诸如，矩形形状或正方形形状)。
基板一侧的器件区域中的器件可以是例如半导体器件、功率器件、光学器件、医疗器件、电子组件、MEMS器件或它们的组合。该器件可以包括或例如是晶体管(诸如，MOSFET或绝缘栅双极型晶体管(IGBT))或二极管(例如，肖特基势垒二极管)。
基板还可以在其一侧具有没有器件、并且围绕器件区域形成的外周边缘区域。
第一保护膜可以由单一材料制成，特别是由单一的均质材料制成。第一保护膜可以是固体材料片材。例如，第一保护膜可以是箔或片材。
第一保护膜可以由塑料材料(例如，聚合物)制成。特别优选地，第一保护膜由聚烯烃制成。例如，第一保护膜可以由聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)或聚丁烯(PB)制成。
聚烯烃膜具有特别有利于在本发明的基板处理方法中使用的材料特性，尤其是，如果对第一保护膜施用包括或由加热第一保护膜构成的外部刺激的情况下，如下面将详细描述的。聚烯烃薄膜在加热状态下(例如，当加热至温度范围为60℃至150℃时)是易弯的、可伸缩的和柔软的。此外，聚烯烃薄膜在冷却时硬化且***，从而在冷却状态下变得更加刚性且坚固。因此，可以确保在基板的后续处理期间对基板的特别可靠地保护。
第一保护膜可以具有在5至500μm、优选为5至200μm、更优选8至100μm、甚至更优选10至80μm、并且再甚至更优选为12至50μm的范围内的厚度。特别优选地，第一保护膜具有在80至150μm的范围内的厚度。
第一保护膜可以具有任何类型的形状。在其俯视图中，第一保护膜可以具有例如圆形形状、卵形形状、椭圆形形状或多边形形状(诸如，矩形形状或正方形形状)。
第一保护膜可以具有与基板基本相同的形状或具有与基板相同的形状。
第一保护膜可以具有比基板的外径更大的外径。以这种方式，可以方便基板的处理、操作和/或运输。特别地，第一保护膜的外周部分可以附接至环形框架，如下面将详述的。
第一保护膜可以具有比基板的外径更小的外径。
第一保护膜可以具有与基板的外径基本相同的外径。
第一保护膜可以具有与形成在基板的一侧上的器件区域的外径基本相同的外径。
第二保护膜可以由单一的材料制成，特别是由单一的均质材料制成。第二保护膜可以是固体材料片材。例如，第二保护膜可以是箔或片材。
第二保护膜可以由塑料材料(例如，聚合物)制成。特别优选地，第二保护膜由聚烯烃制成。例如，第二保护膜可以由聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)或聚丁烯(PB)制成。
如果对第二保护膜施用包括或由加热第二保护膜构成的外部刺激，则使用由聚烯烃制成的第二保护膜是特别有利的，如下面将详细描述的。
第二保护膜可以具有在5至500μm、优选5至200μm、更优选8至100μm、甚至更优选10至80μm、并且再甚至更优选12至50μm的范围内的厚度。特别优选地，第二保护膜具有在80至150μm的范围内的厚度。
第二保护膜可以具有任何类型的形状。在其俯视图中，第二保护膜可以具有例如圆形形状、卵形形状、椭圆形形状或多边形形状(诸如，矩形形状或正方形形状)。
第二保护膜可以具有与基板基本相同的形状或具有与基板相同的形状。第二保护膜可以具有与第一保护膜基本相同的形状或与第一保护膜相同的形状。
第二保护膜可以具有比基板的外径更大的外径。以这种方式，可以方便基板的处理、操作和/或运输。特别地，第二保护膜的外周部分可以附接至环形框架，如下面将详细描述的。
第二保护膜可以具有比基板的外径更小的外径。
第二保护膜可以具有与基板的外径基本相同的外径。
第二保护膜可以具有与形成在基板的一侧上的器件区域的外径基本相同的外径。
第二保护膜可以具有与第一保护膜的外径基本相同的外径。
从基板后侧施用至基板的激光束可以是脉冲激光束。脉冲激光束可以具有例如在1fs至2000ns范围内的脉冲宽度。
基板由对激光束(例如，脉冲激光束)透明的材料制成。因此，施用通过具有允许激光束穿过基板透射的波长的激光束，在基板中形成多个改性区域。例如，如果基板是Si基板(例如，Si晶圆)，则激光束可以具有1.0μm或更长的波长。
在激光束的焦点位于在从基板的与一侧相反的侧、朝向基板的一侧的方向上、距基板的与一侧相反的侧一定距离的情况下，可以在多个位置处将激光束(例如，脉冲激光束)施用至基板，以便在基板中形成多个改性区域。替代地，在激光束的焦点位于在与从基板的与一侧相反的侧、朝向基板的一侧的方向相反的方向上、距基板的与一侧相反的侧一定距离处的情况下，可以在多个位置处将激光束施用至基板，以便在基板中形成多个改性区域。在激光束的焦点位于基板的与一侧相反的侧的情况下，可以在多个位置处将激光束施用至基板，以便在基板中形成多个改性区域。在激光束的焦点位于基板的主体(bulk)内的情况下，可以在多个位置处将激光束施用至基板，以便在基板中形成多个改性区域。
改性区域是已经通过激光束的施用而改性的基板区域。改性区域可以是基板区域，在该基板区域中基板材料的结构已经被改性。改性区域可以是基板区域，在该基板区域中基板已经被损坏。
通过形成这些改性区域，在形成改性区域的基板区域中基板的强度降低。因此，沿着已经形成有多个改性区域的基板区域分割基板是非常方便的。在这样的基板分割处理中，获得了在基板的器件区域中提供的单独器件以作为芯片或裸片。
改性区域可以包括非晶区域和/或在其中形成裂纹的区域。改性区域可以是非晶区域和/或在其中形成裂纹的区域。在特别优选的实施方案中，改性区域包括或是非晶区域。
每个改性区域可以包括在基板材料内部的空间(例如，腔体)，该空间被非晶区域和/或在其中形成裂纹的区域围绕。
每个改性区域可以由基板材料内部的空间(例如，腔体)围绕该空间的非晶区域和/或在其中形成裂纹的区域构成。
如果改性区域包括或者是在其中形成裂纹的区域(即，已经形成裂纹)，则裂纹可以是微裂纹。裂纹可以具有在μm范围内的尺寸，例如长度和/或宽度。例如，裂纹可以具有5μm至100μm范围内的宽度和/或100μm至1000μm范围内的长度。
在本发明的方法中，将第一保护膜附接至基板的一侧可以包括将第一保护膜施用至基板的一侧，使得第一保护膜的前表面的至少中心区域与基板的一侧直接接触。因此，在第一保护膜的前表面的至少中心区域与基板的一侧之间不存在材料(特别是不存在粘合剂)。此外，将第一保护膜附接至基板的一侧可以包括在将第一保护膜施用至基板的一侧期间和/或之后，对第一保护膜施用外部刺激，使得第一保护膜被附接至基板的一侧。因此，通过外部刺激的施用，在第一保护膜与基板之间产生将第一保护膜保持在其在基板上的位置的附接力。因此，不需要额外的粘合剂材料来将第一保护膜附接至基板的一侧。
特别地，通过对第一保护膜施用外部刺激，可以在第一保护膜与基板之间形成形状配合(例如，正配合)和/或材料结合(例如，粘合剂结合)。术语“材料结合”和“粘合剂结合”限定了在第一保护膜与基板之间由于作用在这两个组件之间的原子和/或分子力而附接或连接。
术语“粘合剂结合”是指作用以使第一保护膜附接或粘附至基板的这些原子力和/或分子力的存在，并不意味着在第一保护膜与基板之间存在额外的粘合剂。而是，如上面已经详细描述的，第一保护膜的前表面的至少中心区域与基板的一侧直接接触。
基板前侧表面可以是大致平坦的、平滑的表面。替代地，基板前侧可以存在沿着基板的厚度方向的、从平面基板表面突出的突出物或凸起和/或从平面基板表面向内延伸的凹陷(诸如，沟槽(trench)、凹槽(groove)、切口(cut)等)。第一保护膜可以附接至基板的一侧，以便至少部分地遵循基板一侧的轮廓或形貌(例如，存在于这种基板侧上的突出物或凸起、和/或凹陷的轮廓)。
第一保护膜可以是可扩张的。
当将第一保护膜施用至基板的一侧时，该第一保护膜可以被扩张。具体地，当将第一保护膜施用至基板的一侧时，该第一保护膜可以被扩张、以使其至少部分地遵循基板一侧的轮廓或形貌(例如，存在于这种基板侧上的突出物或凸起、和/或凹陷的轮廓)。
例如，第一保护膜可扩张至其原始尺寸的两倍以上，优选其原始尺寸的三倍以上，更优选其原始尺寸的四倍以上。以这种方式，特别是对于扩张到其原始尺寸的三倍或四倍以上的情况，可以特别可靠地确保第一保护膜遵循基板一侧的轮廓或形貌。
如果第一保护膜是可扩张的，则第一保护膜可以用于将器件彼此分离，如下文将详细描述的。
对第一保护膜施用外部刺激可以包括以下或由以下构成：对第一保护膜施用压力、和/或加热第一保护膜、和/或冷却第一保护膜、和/或对第一保护膜施用真空、和/或用辐射(诸如，光)照射第一保护膜(例如，通过使用激光束照射第一保护膜)。例如，辐射可以包括或者是UV辐射。
外部刺激可以包括或可以是化合物、和/或电子或等离子体辐射、和/或机械处理(诸如，压力、摩擦或超声波应用)、和/或静电。
在一些实施例中，对第一保护膜施用外部刺激包括或由对第一保护膜施用压力构成，例如通过使用压力施用装置(诸如，辊、印模(stamp)、膜等)。替代地，可以将第一保护膜附接至基板的一侧而无需对第一保护膜施用压力(例如，通过仅将第一保护膜放置在基板的一侧上)。可以将第一保护膜附接至基板的一侧而无需对第一保护膜施用热量。可以将第一保护膜附接至基板的一侧而无需对第一保护膜施用真空。可以将第一保护膜附接至基板的一侧而无需对第一保护膜施用压力、而无需对第一保护膜施用热量、而无需对第一保护膜施用真空。如果在基板前侧上存在非常易碎和/或敏感的结构(例如，非常敏感的器件(诸如，微机电***(MEMS)))，则后一种方法是特别有利的。
例如，对第一保护膜施用外部刺激可以包括或由对第一保护膜施用压力和对第一保护膜施用真空构成。可以在真空腔室中对第一保护膜施用真空。替代地，可以将第一保护膜附接至基板的一侧而无需对第一保护膜施用真空。
在一些实施方案中，对第一保护膜施用外部刺激包括或由加热第一保护膜构成。例如，对第一保护膜施用外部刺激可以包括或由加热第一保护膜和对第一保护膜施用真空构成。在这种情况下，可以在加热第一保护膜期间、和/或之前、和/或之后对第一保护膜施用真空。
如果对第一保护膜施用外部刺激包括或由加热第一保护膜构成，则该方法还可以包括在加热处理之后允许第一保护膜冷却。特别地，可以允许第一保护膜冷却至其初始温度(即，冷却至加热处理之前第一保护膜的温度)。例如，在将激光束施用至基板之前，可以允许第一保护膜冷却至第一保护膜的初始温度。
第一保护膜与基板之间的附接力是通过加热处理产生的。在加热处理本身和/或在允许第一保护膜冷却的后续处理中可以引起第一保护膜至基板的附接。
例如，第一保护膜可以通过加热处理软化，以便适形于基板一侧上的基板表面(例如，吸附基板形貌)。例如，在冷却至第一保护膜的初始温度时，第一保护膜可以再硬化，以便例如形成与基板的形状配合和/或材料结合。
第一保护膜可以耐热高达180℃或更高的温度，优选高达220℃或更高的温度，更优选高达250℃或更高的温度，甚至更优选高达300℃或更高的温度。
可以将第一保护膜加热到30℃至250℃，优选50℃至200℃，更优选60℃至150℃，甚至更优选70℃至110℃的范围内的温度。特别优选地，将第一保护膜加热到大约80℃的温度。
将第一保护膜施用至基板的一侧期间和/或之后，第一保护膜可以在30秒至10分钟，优选1分钟至8分钟，更优选1分钟至6分钟，甚至更优选1分钟至4分钟，再更优选1分钟至3分钟的范围内的持续时间被加热。
如果对第一保护膜施用外部刺激包括或由加热第一保护膜构成，则可以直接地和/或间接地加热第一保护膜。
第一保护膜可以通过例如使用热施用装置(诸如，受热辊、受热印模等)、或热辐射装置直接对其施用热量来加热。通过使用组合的热量和压力施用装置(例如，受热辊或受热印模)，可以在加热第一保护膜的同时对第一保护膜施用压力。可以将第一保护膜和基板放置在容器或腔室(例如，真空室)中，并且容器或腔室的内部容积可以被加热，以便加热第一保护膜。容器或腔室可以设置有热辐射装置。
在将第一保护膜施用至基板的一侧之前、和/或期间、和/或之后，可以例如通过加热基板来间接加热第一保护膜。例如，可以通过将基板放置在支承件或载体(诸如，卡盘台)上并加热支承件或载体来加热基板。
例如，可以将支承件或载体(诸如，卡盘台)加热到30℃至250℃，优选50℃至200℃，更优选60℃至150℃，甚至更优选70℃至110℃的范围内的温度。特别优选地，将支承件或载体加热到大约80℃的温度。
这些方法也可以被组合，例如通过使用热施用装置(诸如，受热辊等)或者热辐射装置以用于直接加热第一保护膜，并且也通过基板间接加热第一保护膜。
如果对第一保护膜施用外部刺激包括或由加热第一保护膜构成，则优选第一保护膜在其加热状态时是易弯的、弹性的、柔性的、可伸缩的、柔软的和/或可压缩的。以这种方式，可以特别可靠地确保第一保护膜适形于基板一侧的基板表面(例如，吸附基板形貌)。如果在基板前侧上存在突出物或凸起和/或凹陷(例如，沟槽、凹槽、切口等)，则这是特别有利的。
优选地，第一保护膜在冷却时至少在一定程度上硬化或***，以便在冷却状态下变得更加坚硬和/或坚固。以这种方式，可以确保在后续处理(例如，将激光束施用至基板)期间对基板特别可靠的保护。
至少一条分割线可以形成在基板的一侧上。多条分割线可以形成在基板的一侧上。一条或多条分割线将形成在器件区域中的器件划分开。
至少一条分割线的宽度可以在30μm至200μm，优选30μm至150μm，更优选30μm至100μm的范围内。
可以将激光束在沿着至少一条分割线的多个位置处施用至基板、以便沿着至少一条分割线、在基板中形成多个改性区域。通过以这种方式形成改性区域，降低了沿着至少一条分割线的基板强度，因此很大的方便了沿着至少一条分割线的基板的分割。
本发明的方法还可以包括将第一保护膜附接至第二保护膜、以便将基板封装或容纳(encase)在第一保护膜与第二保护膜之间。在将第一保护膜附接至基板期间和/或之后、和/或在将第二保护膜附接至基板期间和/或之后，可以将第一保护膜附接至第二保护膜。基板可以密封在第一保护膜与第二保护膜之间。可以在第一保护膜的外周部分处、和/或在第二保护膜的外周部分处将第一保护膜附接至第二保护膜。
通过将第一保护膜和第二保护膜彼此附接、以便将基板封装在第一保护膜和第二保护膜之间，可以特别可靠地保护基板免受(例如，碎片等)损坏和污染。此外，可以进一步降低甚至完全消除处理期间基板的任何翘曲的风险。
在将第二保护膜附接至基板期间和/或之后，可以将第一保护膜附接至基板。在将第一保护膜附接至基板期间和/或之后，可以将第二保护膜附接至基板。
第一保护膜可以附接至基板的一侧，使得在第一保护膜的前表面与基板的一侧接触的整个区域中、第一保护膜的前表面与基板的一侧直接接触。因此，在第一保护膜的前表面与基板的一侧之间不存在材料(特别是不存在粘合剂)。
以这种方法，可以消除例如由于粘合剂层的粘合力或基板上的粘合剂残留物造成的可能污染或损坏基板的风险。
替代地，第一保护膜可以设置有粘合剂层，其中粘合剂层仅设置在第一保护膜的前表面的外周区域中，外周区域围绕第一保护膜的前表面的中心区域，并且将第一保护膜附接至基板的一侧、使得粘合剂层仅与基板一侧的外周部分(例如，基板的外周边缘区域)接触。
以这种方式，可以进一步改善第一保护膜对基板的附接。由于粘合剂层仅设置在第一保护膜的前表面的外周区域中，与在第一保护膜的整个前表面上设置粘合剂层的情况相比，第一保护膜和基板通过粘合剂层彼此附接的区域显着减小。因此，可以更容易地将第一保护膜与基板分离并且显着降低损坏基板(特别是对形成在器件区域中的器件)的风险。
粘合剂层的粘合剂为可以通过外部刺激(例如，热、UV辐射、电场和/或化学试剂)可固化的。以这种方式，在处理之后可以特别容易地将第一保护膜从基板移除。可以对粘合剂施用外部刺激施以便降低粘合剂的粘合力，因此允许第一保护膜容易的移除。
例如，粘合剂层可以具有大致环形形状、敞开的矩形形状或敞开的方形形状，即，分别为在粘合剂层的中心具有开口的矩形或方形形状。
可以将第二保护膜附接至基板的与一侧相反的侧，使得在第二保护膜(特别是第二保护膜的前表面)的整个区域中与基板的与一侧相反的侧接触，以将第二保护膜附接至基板。以这种方式，基板可以由第二保护膜特别可靠地且牢固地保持，因此允许在处理期间基板的任何翘曲的风险被最小化。通过将第二保护膜附接至环形框架并且例如夹紧环形框架，可以进一步增强对这种基板翘曲的抑制，使得压力通过第二保护膜施用至基板后侧，如将在下面详细描述的。
通过以这种方式将第二保护膜附接至基板的与一侧相反的侧，例如在将基板分割成芯片或裸片之前、和/或期间、和/或之后，还可以特别可靠地避免从基板获得的芯片或裸片从第一保护膜上可能的无意脱落。例如，当在基板中形成改性区域时(即，在实际的基板分割处理之前)，这些芯片或裸片中的一部分可能已经与基板的其余部分分离。这样的芯片或裸片可以由第二保护膜尤其可靠地保持。
在将第二保护膜施用至基板的与一侧相反的侧期间和/或之后，可以将第二保护膜以上述方式附接至基板的与一侧相反的侧，例如通过例如在第二保护膜(特别是第二保护膜的前表面)与基板的与一侧相反的侧接触的整个区域中设置粘合剂层，和/或通过对第二保护膜施用外部刺激。这将在下文中更详细地解释。
第二保护膜可以设置有粘合剂层，其中粘合剂层设置在第二保护膜(特别是第二保护膜的前表面)与基板的与一侧相反的侧接触的整个区域。以这种方式，第二保护膜可以借助于这种连续的粘合剂层以特别可靠的方式被附接至基板的与一侧相反的侧。此外，基本上不存在在基板一侧的器件区域中的器件可能被附接至基板相反侧的第二保护膜的粘合剂层损坏或污染的风险。粘合剂层的粘合剂可以具有与第一保护膜的粘合剂层的粘合剂相同的特性。第二保护膜的连续粘合剂层的粘合剂(如果存在)由对待施用至基板的激光束透明的材料制成。
替代地，可以将第二保护膜附接至基板的与一侧相反的侧，使得第二保护膜的前表面的至少中心区域与基板的与一侧相反的侧直接接触。因此，在第二保护膜的前表面的至少中心区域与基板的与一侧相反的侧之间不存在材料(特别是不存在粘合剂)。
因此，可以进一步降低或甚至完全消除例如由于粘合剂层的粘合力或基板上的粘合剂残留物造成的可能污染或损坏基板的风险。此外，将第二保护膜附接至基板后侧，使得第二保护膜的前表面的至少中心区域与该后侧直接接触，以允许将待施用至基板的激光束以特别有效和准确的方式在基板中形成多个改性区域。
可以将第二保护膜附接至基板的与一侧相反的侧，使得在第二保护膜的前表面与基板的与一侧相反的侧接触的整个区域中，第二保护膜的前表面与基板的与一侧相反的侧直接接触。因此，在第二保护膜的前表面与基板的与一侧相反的侧之间不存在材料(特别是不存在粘合剂)。
以这种方式，可以消除例如由于粘合剂层的粘合力或基板上的粘合剂残留物造成的可能污染或损坏基板的风险。此外，可以进一步提高可能被施用至基板以在基板中形成多个改性区域的激光束的效率和精度。
替代地，第二保护膜可以设置有粘合剂层，其中粘合剂层仅设置在第二保护膜的前表面的外周区域，外周区域围绕第二保护膜的前表面的中心区域，并且将第二保护膜施用至基板的与一侧相反的侧，使得粘合剂层仅与基板的与一侧相反的侧的外周部分接触。基板的与一侧相反的侧的外周部分可以与形成在基板的一侧上的外周边缘区域相对应。粘合剂层的粘合剂可以具有与第一保护膜的粘合剂层的粘合剂相同的特性。
以这种方式，可以进一步改善第二保护膜对基板的附接。由于粘合剂层仅设置在第二保护膜的前表面的外周区域中，与在第二保护膜的整个前表面上设置粘合层的情况相比，第二保护膜与基板通过粘合剂层彼此附接的区域显着减小。因此，可以更容易地将第二保护膜与基板分离并且显着降低损坏基板(特别是对形成在基板后侧上的突出物或凸起(如果存在))的风险。
将第二保护膜附接至基板的与一侧相反的侧可以包括将第二保护膜施用至基板的与一侧相反的侧，使得第二保护膜的前表面的至少中心区域与基板的与一侧相反的侧直接接触。因此，在第二保护膜的前表面的至少中心区域与基板的与一侧相反的侧之间不存在材料(特别是不存在粘合剂)。此外，将第二保护膜附接至基板的与一侧相反的侧可以包括在将第二保护膜施用至基板的与一侧相反的侧期间和/或之后、对第二保护膜施用外部刺激，使得第二保护膜被附接至基板的与一侧相反的侧。因此，通过外部刺激的施用，在第二保护膜与基板之间产生将第二保护膜保持在其在基板上的位置的附着力。因此，不需要额外的粘合剂材料来将第二保护膜附接至基板的与一侧相反的侧。
特别地，通过对第二保护膜施用外部刺激，可以在第二保护膜与基板之间形成形状配合(例如，正配合)和/或材料结合(例如，,粘合剂结合)。
外部刺激和对第二保护膜施用外部刺激的方式可以与上面针对第一保护膜描述的相同。
第二保护膜的粘合剂层(例如，连续的粘合剂层或仅设置在第二保护膜的前表面的外周区域中的粘合剂层)的粘合剂，可以为通过外部刺激(例如，热、UV辐射、电场和/或化学试剂)可固化的。以这种方式，在处理之后可以特别容易地将第二保护膜从基板移除。可以对粘合剂施用外部刺激以便降低粘合剂的粘合力，因此允许第二保护膜容易的移除。尤其是，可以以特别容易地方式从第二保护膜拾取通过分割基板而获得的芯片或裸片。
基板后侧表面可以是大致平坦的、平滑的表面。替代地，基板后侧可以存在沿着基板的厚度方向的、从平面基板表面突出的突出物或凸起和/或从平面基板表面向内延伸的凹陷(诸如，沟槽、凹槽、切口等)。第二保护膜可以附接至基板的与一侧相反的侧，以便至少部分地遵循基板的与一侧相反的侧的轮廓或形貌(例如，存在于这种基板侧上的突出物或凸起、和/或凹陷的轮廓)。
第二保护膜可以耐热高达180℃或更高的温度，优选高达220℃或更高的温度，更优选高达250℃或更高的温度，甚至更优选高达300℃或更高的温度。
如果对第二保护膜施用外部刺激包括或由加热第二保护膜构成，则优选第二保护膜在其加热状态时是易弯的、弹性的、柔性的、可伸缩的、柔软的和/或可压缩的。以这种方式，可以特别可靠地确保第二保护膜适形于基板的与一侧相对的侧面上的基板表面(例如，吸附基板形貌)。如果在基板后侧上存在突出物或凸起和/或凹陷(例如，沟槽、凹槽、切口等)，则这是特别有利的。
缓冲层可以附接至第一保护膜的与其前表面相反的后表面。可以在缓冲层的前表面处将缓冲层附接至第一保护膜。
如果在基板的一侧上存在突出物或凸起和/或凹陷(例如，沟槽、凹槽、切口等)，则该方法是特别有利的。在这种情况下，突出物或凸起和/或凹陷限定了基板前侧的表面结构或形貌，使得该侧不平坦。
如果将缓冲层附接至第一保护膜的后表面，则可以将基板表面结构或形貌(例如，突出物或凸起)嵌入至缓冲层中。因此，可以消除由突出物或凸起和/或凹陷的存在而引起的表面不平坦对后续基板处理(特别是将激光束施用到基板和/或减小基板厚度(例如，通过磨削))的任何负面影响。缓冲层可以显着地有助于在处理期间实现特别一致的和均匀的压力分布。例如，通过在缓冲层中嵌入突出物或凸起，在基板处理期间可靠地保护突出物或凸起免受任何损坏。
缓冲层的材料没有特别限制。特别地，缓冲层可以由允许基板表面结构或形貌(例如，突出物或凸起)嵌入其中的任何类型的材料形成。例如，缓冲层可以由树脂、粘合剂、凝胶等形成。
缓冲层可以为通过外部刺激(例如，UV辐射、热、电场和/或化学试剂)可固化的。在这种情况下，缓冲层在被施加外部刺激时至少在一定程度地硬化。例如，缓冲层可以由可固化树脂、可固化粘合剂、可固化凝胶等形成。
缓冲层可以配置为在其固化之后呈现出一定程度的可压缩性、弹性和/或柔性(即，在固化之后是可压缩的、弹性的和/或柔性的)。例如，缓冲层可以使得其通过固化而进入橡胶状的状态。替代地，缓冲层可以配置为在固化后达到刚性、坚硬的状态。
在本发明的方法中用作缓冲层的可UV固化树脂的优选示例是DISCO公司的ResiFlat和DENKA的TEMPLOC。
该方法还可以包括例如在将激光束施用到基板和/或减小基板厚度(例如，通过磨削)之前，对缓冲层施用外部刺激以便固化缓冲层。以这种方式，改善了在激光束施用期间对基板的保护，并且进一步增强了可以在基板中形成多个改性区域的效率和精度。
缓冲层可以耐热高达180℃或更高的温度，优选高达220℃或更高的温度，更优选高达250℃或更高的温度，甚至更优选高达300℃或更高的温度。
缓冲层可以具有10至300μm、优选20至250μm且更优选50至200μm的范围内的厚度。
在将第一保护膜施用或附接至基板的一侧之前，可以将缓冲层附接至第一保护膜的后表面。
在这种情况下，首先可以层压第一保护膜和缓冲层，形成包括缓冲层和附接至缓冲层的第一保护膜的保护片材。以这种方式形成的保护片材随后可以施用至基板的一侧，例如，使得基材表面结构或形貌(例如，突出物或凸起)由第一保护膜覆盖并且嵌入至第一保护膜和缓冲层中。可以施用保护片材、以使得与缓冲层前表面相反的缓冲层后表面大致平行于基板的与一侧相反的侧。当将保护片材施加至基板的一侧时，将第一保护膜的前表面施加至基板的一侧。
以这种方式，可以以特别简单和有效的方式进行基板处理方法。例如，可以预先制备保护片材，储存以备后续使用，并且当需要时用于基板处理。因此，保护片材可以大量制造，使得保护片材的生产在时间和成本方面特别有效。
在将第一保护膜施用或附接至基板的一侧之后，可以将缓冲层附接至第一保护膜的后表面。
在这种情况下，首先将第一保护膜施用至基板的一侧，随后将施用有第一保护膜的基板的一侧附接至缓冲层前表面，例如，使得基板表面结构或形貌(例如，突出物或凸起)被嵌入至第一保护膜及缓冲层中，并且缓冲层的后表面大致平行于基板的与一侧相反的侧。这种方法允许将第一保护膜以特别高的精度(特别是相对于基板表面结构或形貌)附接至基板的一侧。
在将第一保护膜附接至基板的一侧之前、和/或期间、和/或之后，可以将缓冲层附接至第一保护膜的后表面。
可以将基片附接至缓冲层后表面(即，附接至与缓冲层前表面相反的缓冲层表面)。将缓冲层前表面附接至第一保护膜。
基片的材料没有特别限制。基片可以由柔软或易弯的材料制成，例如聚合物材料，例如聚氯乙烯(PVC)、乙烯醋酸乙烯酯(EVA)或聚烯烃。
替代地，基片可由刚性或硬质材料制成，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、和/或硅、和/或玻璃、和/或不锈钢(SUS)。
例如，如果基片由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃制成并且缓冲层为通过外部刺激可固化的，则缓冲层可以利用可以透射穿过聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃的辐射(例如，紫外线辐射)来固化。如果基片由硅或不锈钢(SUS)制成，则提供了成本效益的基片。
此外，基片可以由上面列出的材料的组合形成。
基片可以耐热高达180℃或更高的温度，优选高达220℃或更高的温度，更优选高达250℃或更高的温度，甚至更优选高达300℃或更高的温度。
基片可以具有30至1500μm、优选40至1200μm且更优选50至1000μm的范围内的厚度。
在将第一保护膜施用至基板的一侧之前或之后，可以将缓冲层和基片附接至第一保护膜的后表面。特别是，首先可以层压第一保护膜、缓冲层和基片，形成包括基片、缓冲层和附接至缓冲层的第一保护膜的保护片材。以这种方式形成的保护片材可以随后施用至基板前侧。
基片前表面可以与缓冲层后表面接触，并且与基片前表面相对的基片后表面可以大致平行于基板的与一侧相反的侧。因此，当处理基板时，合适的反压力可以被施用至基片的后表面，例如，通过将该后表面放置在支承件或载体(例如，卡盘台)上。
在这种情况下，由于基片的、平的后表面大致平行于基板的后表面，在处理期间施用至基板上的压力更均匀和一致地分布在基板上，因此使基板破损的任何风险最小化。此外，基片的、平坦的、均匀的后表面和基板后侧的大致平行对准允许以特别高的精准度施用激光束而在基板中形成多个改性区域，因此实现了具有明确限定的形状和尺寸的、高质量裸片或芯片的生产。
该方法可以进一步包括特别是在将第二保护膜施用或附接至基板之前磨削、和/或抛光(例如，干法抛光)、和/或蚀刻(例如，等离子蚀刻)基板的与一侧相反的侧。可以磨削基板的与一侧相反的侧以调整基板厚度。
第二保护膜可以是可扩张的。
当将第二保护膜施用至基板的与一侧相反的侧时，该第二保护膜可以被扩张。特别地，当将第二保护膜施用至基板的与一侧相反的侧时，该第二保护膜可以被扩张，以使其至少部分地遵循基板的与一侧相反的侧的轮廓或形貌(例如，存在于这种基板侧上的突出物或凸起、和/或凹陷的轮廓)。
例如，第二保护膜可扩张至其原始尺寸的两倍以上，优选其原始尺寸的三倍以上，更优选其原始尺寸的四倍以上。以这种方式，特别是对于扩张到其原始尺寸的三倍或四倍以上的情况，可以特别可靠地确保第二保护膜遵循基板的与一侧相对的侧面的轮廓或形貌。
如果第二保护膜是可扩张的，则第二保护膜可以用于将器件彼此分离。特别地，该方法可以进一步包括，在将激光束从基板的与一侧相反的侧施用至基板之后，径向扩张第二保护膜以便使器件彼此分离。在从基板前侧移除第一保护膜之后，第二保护膜可以径向扩张。通过径向扩张第二保护膜，可以沿着基板中已经形成的多个改性区域的一个或多个区域(例如，沿着至少一条分割线)分割(例如，破碎)基板，从而获得单独的芯片或裸片。通过径向扩张第二保护膜，对基板施用外力，因此在由于存在改性区域而使其强度已经被降低处分割基板。在以这种方式分割基板之后，例如通过使用拾取设备可以从第二保护膜直接拾取所得的芯片或裸片。
替代地，如果第一保护膜是可扩张的，则第一保护膜可以用于将器件彼此分离。在这种情况下，该方法可以进一步包括，在将激光束施用至基板之后，径向扩张第一保护膜以便使器件彼此分离。在从基板后侧移除第二保护膜之后，第一保护膜可以径向扩张。因此，通过径向扩张第一保护膜，可以沿着基板中已经形成的多个改性区域的一个或多个区域(例如，沿着至少一条分割线)分割(例如，破碎)基板，从而获得单独的芯片或裸片。例如，如上面已经详细描述的，如果第一保护膜已经通过对第一保护膜施用热和/或压力而附接至基板的一侧，则后一种方法可以以特别有利的方式采用。在以这种方式分割基板之后，例如通过使用拾取设备可以从第一保护膜直接拾取所得的芯片或裸片。
作为径向扩张第一保护膜或第二保护膜的替代方式，例如在移除第二保护膜之后，可以将单独的扩张带(expansion tape)附接至基板后侧。随后，可以通过使扩张带径向扩张将器件彼此分离。
如果将第一保护膜或第二保护膜用于将器件彼此分离，则无需将基板重新安装至不同的膜或带(例如，单独的扩张带)以分割基板。因此，基板可以以特别有效的方式被分割。此外，可以进一步降低例如由于芯片或裸片无意中从它们的支承件上脱落而对基板和/或所得的芯片或裸片造成的任何损坏的风险。
本发明的方法可以进一步包括将第一保护膜和/或第二保护膜附接至环形框架。例如，可以将第一保护膜附接至第一环形框架并且可以将第二保护膜附接至第二环形框架(即，附接至另一环形框架)。替代地，可以将第一保护膜和第二保护膜附接至相同的环形框架(即，附接至单个环形框架)。
特别地，可以将第一保护膜的外周部分附接至环形框架。可以将第一保护膜的外周部分附接至环形框架，使得第一保护膜封闭环形框架的中心开口(即，环形框架的内径内侧的区域)。以这种方式，附接至第一保护膜(特别是附接至第一保护膜的中心部分)的基板由环形框架通过第一保护膜保持。因此，形成了包括基板、第一保护膜和环形框架的基板单元，便于基板的处理、操作和/或运输。
可以在将第一保护膜施用或附接至基板之前、期间或之后，执行将第一保护膜的外周部分附接至环形框架的步骤。
可以在将激光束施用至基板之前或之后，执行将第一保护膜的外周部分附接至环形框架的步骤。
可以将第二保护膜的外周部分附接至环形框架。可以将第二保护膜的外周部分附接至环形框架，使得第二保护膜封闭环形框架的中心开口(即，环形框架的内径内侧的区域)。以这种方式，附接至第二保护膜(特别是附接至第二保护膜的中心部分)的基板由环形框架通过第二保护膜保持。因此，形成了包括基板、第二保护膜和环形框架的基板单元，便于基板的处理、操作和/或运输。
可以在将第二保护膜施用或附接至基板之前、期间或之后，执行将第二保护膜的外周部分附接至环形框架的步骤。
可以在将激光束施用至基板之前或之后，执行将第二保护膜的外周部分附接至环形框架的步骤。
附接至第一保护膜和/或第二保护膜的环形框架可以进一步方便分割基板的处理。例如，如果第二保护膜是可扩张的并且附接至环形框架，则第二保护膜是能够被扩张的(例如，通过以常规方式使环形框架和扩张鼓(expansion drum)相对于彼此移动)，从而将器件彼此分离。如果第一保护膜是可扩张的并且附接至环形框架，则第一保护膜是能够被扩张的(例如，通过以常规方式使环形框架和扩张鼓相对于彼此移动)，从而将器件彼此分离。
本发明的方法可以进一步包括从基板的一侧移除第一保护膜。在将激光束施用至基板之后，可以将第一保护膜从基板的一侧移除。可以在径向扩张第二保护膜之前从基板的一侧移除第一保护膜以便将器件彼此分离。
该方法可以进一步包括从基板的一侧移除第一保护膜、缓冲层(如果存在)和基片(如果存在)。在将激光束施用至基板之后，可以将第一保护膜、缓冲层和基片从基板的一侧移除。可以在径向扩张第二保护膜之前从基板的一侧移除第一保护膜、缓冲层和基片以便将器件彼此分离。
基片、缓冲层和第一保护膜可以单独地从基板移除(即，相继地移除)。例如，首先可以移除基片，然后移除缓冲层，随后移除第一保护膜。替代地，可以将基片、缓冲层和第一保护膜一起从基板上移除。此外，基片可以与缓冲层一起移除，或者缓冲层可以与第一保护膜一起移除。
本发明的方法可以进一步包括从基板的与一侧相反的侧移除第二保护膜。在将激光束施用至基板之后，可以将第二保护膜从基板的与一侧相反的侧移除。在径向扩张第一保护膜之前，可以将第二保护膜从基板的与一侧相反的侧移除以便将器件彼此分离。
附图说明
在下文中，参考附图说明本发明的非限制性示例，附图中：
图1是示出了通过本发明的方法处理的、作为基板的晶圆的横截面图；
图2是示出了根据本发明方法的第一实施方案将第二保护膜附接至晶圆的步骤的结果的横截面图；
图3是示出了根据本发明方法的第一实施方案将第一保护膜附接至晶圆的步骤的结果的横截面图；
图4是图示了根据本发明方法的第一实施方案将激光束施用至晶圆的步骤的横截面图；
图5是图示了根据本发明方法的第一实施方案的修改将激光束施用至晶圆的步骤的横截面图；
图6是图示了根据本发明方法的第一实施方案径向扩张第二保护膜以便使晶圆的器件彼此分离的步骤的横截面图；
图7是示出了根据本发明方法的第二实施方案将第一保护膜附接至晶圆的步骤的结果的横截面图；
图8是示出了根据本发明方法的第二实施方案的修改将第一保护膜附接至晶圆的步骤的结果的横截面图；
图9是图示了根据本发明方法的第二实施方案将激光束施用至晶圆的步骤的横截面图；
图10是示出了根据本发明方法的第三实施方案将第一保护膜附接至晶圆的步骤的结果的横截面图；
图11是示出了根据本发明方法的第三实施方案磨削晶圆的步骤的结果的横截面图；
图12是示出了根据本发明方法的第三实施方案将第二保护膜附接至晶圆的步骤以及图示了将激光束施用至晶圆的步骤的结果的横截面图；
图13是示出了根据本发明方法的第三实施方案的修改将第二保护膜附接至晶圆的步骤以及图示了将激光束施用至晶圆的步骤的结果的横截面图；
图14是图示了根据本发明方法的第三实施方案径向扩张第二保护膜以便使晶圆的器件彼此分离的步骤的横截面图；
图15是图示了根据本发明方法的第三实施方案的修改径向扩张第一保护膜以便使晶圆的器件彼此分离的步骤的横截面图；
图16是示出了根据本发明方法的第三实施方案的修改切割附接至晶圆的第一保护膜的步骤的结果的横截面图；以及
图17是示出了根据本发明方法的第三实施方案的修改磨削晶圆的步骤的结果、示出了将第二保护膜附接至晶圆的步骤的结果、以及图示了将激光束施用至晶圆的步骤的横截面图。
具体实施方式
现将参照附图描述本发明的优选实施方案。优选实施方案涉及处理基板的方法。
在本实施方案中，本发明的方法是在作为待处理的基板的晶圆W上执行的。晶圆W可以是半导体晶圆(例如，Si晶圆)。特别地，晶圆W可以是单晶Si晶圆。然而，可以使用不同类型的基板，特别是不同基板材料的基板，如上面已经详细描述的。
例如，晶圆W在磨削之前可以具有在μm范围内的厚度，优选在625至925μm的范围内的厚度。在本实施方案中，晶圆W在从其上俯视时呈现出大致圆形形状。然而，晶圆W的形状没有特别限制。在其他实施方案中，晶圆W可以具有例如卵形形状、椭圆形形状或多边形形状(诸如，矩形形状或方形形状)。
晶圆W具有一侧(即，前侧2)以及与该一侧相反的侧(即，后侧4)(参见图1)。在晶圆W的前侧2上形成具有多个器件8的器件区域6。器件8可以是例如半导体器件、功率器件、光学器件、医疗器件、电子组件、MEMS器件或它们的组合。器件8可以例如包括或是晶体管(诸如，MOSFET或绝缘栅双极型晶体管(IGBT))或二极管(例如，肖特基势垒二极管)。
在本实施方案中，器件区域6具有大致圆形形状并且与晶圆W的外圆周同心地布置。器件区域6被环形的外周边缘区域10围绕(参见图1)。在这种外周边缘区域10中没有形成器件。外周边缘区域10、与器件区域6和晶圆W的外圆周同心地布置。外周边缘区域10可以在mm范围内、并且优选地在1mm至3mm的范围内径向延伸。
多条分割线12形成在晶圆W的前侧2上。分割线12以网格状布置以便将前侧2划分为多个矩形区域。在这些区域的每个中设置器件8。分割线12可具有30至200μm、优选30至150μm且更优选30至100μm的范围内的宽度。
下面，将参照图1至图6描述根据本发明第一实施方案的处理晶圆W的方法。
在本实施方案的方法中，首先将第二保护膜14附接至晶圆W的后侧4。此附接步骤的结果在图2中示出。例如，第二保护膜14可以由聚烯烃(诸如，聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)或聚丁烯(PB))制成。第二保护膜14可以具有5至500μm、优选5至200μm、更优选8至100μm、甚至更优选10至80μm并且再甚至更优选12至50μm范围内的厚度。
第二保护膜14具有大致圆形形状和比晶圆W的外径更大的外径。将第二保护膜14的外周部分16附接至环形框架18(参见图2)。在将第二保护膜14附接至晶圆W之前、或期间、或之后，可以将第二保护膜14附接至环形框架18。可以例如借助于粘合剂(未显示)将第二保护膜14附接至环形框架18。晶圆W和环形框架18被附接至第二保护膜14的同一表面(即，附接至第二保护膜14的前表面20)。
通过采用上面详细描述的方法之一，例如通过使用连续的粘合剂层(未示出)、通过使用仅设置在第二保护膜14的前表面20的外周区域中的粘合剂层(未示出)或不使用粘合剂，可以将第二保护膜14附接至晶圆W的后侧4。在后两种情况下，将第二保护膜14附接至晶圆W的后侧4可以包括在将第二保护膜14施用至后侧4期间和/或之后，对第二保护膜14施加外部刺激(例如，热、和/或压力、和/或真空)，如上所述。
在将第二保护膜14附接至晶圆W的后侧4之后，将第一保护膜22附接至晶圆W。此附接步骤的结果如图3所示。将第一保护膜22附接至晶圆W的前侧2、使得第一保护膜22的前表面24的中心区域与前侧2直接接触。因此，在第一保护膜22的前表面24的中心区域与前侧2之间不存在材料(特别是不存在粘合剂)。
例如，第一保护膜22可以由聚烯烃(诸如，聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)或聚丁烯(PB))制成。第一保护膜22可以具有5至500μm、优选5至200μm、更优选8至100μm、甚至更优选10至80μm并且再甚至更优选12至50μm范围内的厚度。
第一保护膜22具有大致圆形形状以及与晶圆W的外径大致相同的外径。第一保护膜22覆盖形成在器件区域6中的器件8。
第一保护膜22设置有粘合剂层26(参见图3)。粘合剂层26仅设置在第一保护膜22的前表面24的外周区域中，外周区域围绕前表面24的中心区域。粘合剂层26具有大致环形形状。将第一保护膜22附接至晶圆W的前侧2，使得粘合剂层26仅与晶圆W的前侧2的外周部分接触(即，与外周边缘区域10接触)(参见图1)。粘合剂层26的粘合剂可以为通过外部刺激(例如，热、UV辐射、电场和/或化学试剂)可固化的。
此外，在将第一保护膜22施用至晶圆W的前侧2期间和/或之后，可以对第一保护膜22施用外部刺激，使得第一保护膜22的、也在不存在粘合剂的前表面24中心区域中被附接至前侧2。通过外部刺激的施用，在前表面24的中心区域产生第一保护膜22与晶圆W之间的附着力。外部刺激的类型和对第一保护膜22施用外部刺激的方式可以如上所述。例如，外部刺激可以包括或可以是热、和/或压力、和/或真空。
在其他实施方案中，第一保护膜22的前表面24上可以不设置粘合剂层，使得第一保护膜22的整个前表面24与晶圆W的前侧2直接接触。在这种情况下，可以通过对第一保护膜22施用外部刺激来将第一保护膜22附接至前侧2，如上面已经详细描述的。
在其他实施方案中，可以将缓冲层(未示出)附接至第一保护膜22的、与其前表面24相反的后表面28，如上面已经详细描述的。可以将基片(未示出)附接至缓冲层的后表面，如上面也已经详细描述的。
在将第一保护膜22和第二保护膜14附接至晶圆W之后，将晶圆W放置在卡盘台30上，使得第一保护膜22的后表面28与卡盘台30的上表面接触。因此，在其上附接有第二保护膜14的晶圆W的后表面4朝向上方。随后，将激光束LB从晶圆W的后侧4施用至晶圆W，如图4所示。第二保护膜14由对激光束LB透明的材料制成。因此，激光束LB透射穿过第二保护膜14。
在本实施方案中，激光束LB为脉冲激光束，例如具有1fs至2000ns范围内的脉冲宽度。晶圆W由对激光束LB透明的材料(例如，Si)制成。在沿着分割线12的多个位置中将激光束LB施用至晶圆W，以便沿着分割线12在晶圆W中形成多个改性区域(未示出)。在激光束LB的焦点位于晶圆W的主体内的情况下，在这样的多个位置处将激光束LB施用至晶圆W。改性区域可以包括或可以是非晶区域和/或在其中形成裂纹的区域。优选地，改性区域包括或是非晶区域。
在将激光束LB施用至晶圆W期间，晶圆W由附接在其上的第二保护膜14可靠地保持(参见图4)。因此，可以抑制或甚至完全避免在这种处理期间晶圆W的任何翘曲，可以允许形成在晶圆W内的改性区域的精度显着提高。特别地，改性区域可以一致地形成在晶圆W内的相同深度处(即，形成在沿着晶圆W厚度方向的相同位置处)。
图5是图示了根据本发明方法的第一实施方案的修改将激光束LB施用至晶圆W的步骤的横截面图。在这种修改方法中，环形框架18相对于晶圆W和卡盘台30在竖直向下的方向上位移，如图5中的两个箭头所示。例如，为了这种目的，环形框架18可以被向下夹紧。因此，如图5所示，第二保护膜14的外周部分16相应地位移，并且通过第二保护膜14对晶圆W的后侧4施用压力。以这种方式，在将激光束LB施用至晶圆W期间、晶圆W的任何翘曲风险可以被最小化。
例如，根据晶圆W的材料和/或厚度以及处理参数(例如，待形成在晶圆W中的改性区域的数量或面密度)，环形框架18可以相对于晶圆W和卡盘台30在竖直向下的方向上位移至不同程度。以这种方式，可以适当地控制由第二保护膜14对晶圆W的后侧4施用的压力。环形框架18可以相对于晶圆W和卡盘台30位移至使得第二保护膜14的前表面20(可选地，具有设置在其上的粘合剂层)与卡盘台30的上表面接触的程度，如图5所示。这种方法提供了晶圆W可以完全封装在第二保护膜14与卡盘台30之间的额外的优点，允许特别可靠地保护晶圆W免受损坏和污染。
在晶圆W中已经形成了改性区域之后，从晶圆W的前侧2移除第一保护膜22。如果粘合剂层26的粘合剂为通过外部刺激可固化的，则可以通过对粘合剂施用外部刺激以降低粘合剂的粘合力以促进移除过程。
在从晶圆W移除第一保护膜22之后，晶圆W被分割成单独的裸片32(参见图6)。特别地，例如，通过以传统方式使环形框架18和扩张鼓(未示出)相对于彼此移动，径向扩张第二保护膜14(为可扩张膜)，如图6中的两个箭头所示。通过径向扩张第二保护膜14，对晶圆W施用外力，因此沿着由于改性区域的存在而使晶圆强度已经降低的分割线12来分割晶圆W。以这种方式，获得了完全分离的裸片32。在以这种方式分割晶圆W之后，例如通过使用传统的拾取设备(未示出)可以从第二保护膜14直接拾取所得的裸片32。
下面，将参照图7至图9描述根据本发明第二实施方案的处理晶圆W的方法。
第二实施方案的方法与第一实施方案的方法的不同在于第一保护膜22的配置和布置。在第二实施方案的描述中，与第一实施方案相似或基本相同的元件用相同的附图标记表示，并且省略其重复的详细描述。
在第二实施方案的方法中，以与第一实施方案的方法相同的方式将第二保护膜14附接至晶圆W上(参见图2)。随后，将第一保护膜22附接至晶圆W上。此附接步骤的结果在图7中示出。将第一保护膜22附接至晶圆W的前侧2，使得第一保护膜22的前表面24的中心区域与前侧2直接接触。第二实施方案的方法中使用的第一保护膜22的材料和厚度可以与第一实施方案的方法中使用的第一保护膜22的材料和厚度相同。
第一保护膜22具有大致圆形形状以及比晶圆W的外径更大的外径。第一保护膜22覆盖形成在器件区域6中的器件8。
第一保护膜22设置有粘合剂层26(参见图7)。粘合剂层26仅设置在第一保护膜22的前表面24的外周区域中，外周区域围绕前表面24的中心区域。粘合剂层26具有大致环形形状。将第一保护膜22附接至晶圆W的前侧2，使得粘合剂层26仅与晶圆W的前侧2的外周部分接触(即，与外周边缘区域10接触)(参见图1)。粘合剂层26的粘合剂为可以通过外部刺激(例如，热、UV辐射、电场和/或化学试剂)可固化的。
此外，借助于粘合剂层26将第一保护膜22粘合剂层附接至第二保护膜14、以便将晶圆W封装在第一保护膜22与第二保护膜14之间。因此，粘合剂层26形成围绕晶圆W的外圆周的密封。因此，可以特别可靠地保护晶圆W免受损坏和污染。
在其他实施方案中，至少在第一保护膜22的前表面24与第二保护膜14接触的区域中，在第一保护膜22的前表面24上可以不设置粘合剂层。在这种情况下，可以借助于设置在第二保护膜14的前表面20上的粘合剂层(未示出)将第一保护膜22粘合剂层附接至第二保护膜14。
此外，借助于粘合剂层26将第一保护膜22附接至环形框架18(即，附接至与第二保护膜14相同的环形框架18)。因此，形成了包括晶圆W、第一保护膜22、第二保护膜14和环形框架18的、特别稳定和可靠的晶圆单元。替代地，可以将第一保护膜22附接至不同的环形框架(未示出)。
在将第一保护膜22附接至晶圆W期间或之后，可以将第一保护膜22附接至第二保护膜14和环形框架18。
以与上面详细描述的第一实施方案的方法相同的方式，在将第一保护膜22施用至晶圆W的前侧2期间和/或之后，可以对第一保护膜22施用外部刺激，使得第一保护膜22的、在不存在粘合剂的前表面24的中心区域中也被附接至前侧2。
在其他实施方案中，可以将第一保护膜22附接至晶圆W的前侧2，使得第一保护膜22的前表面24与前侧2接触的整个区域中、前表面24与前侧2直接接触。在这种情况下，可以通过对第一保护膜22施用外部刺激使第一保护膜22能够附接至前侧2，如上面已经详细描述的。
在其他实施方案中，可以将缓冲层(未示出)附接至第一保护膜22的、与其前表面24相反的后表面28，如上面已经详细描述的。可以将基片(未示出)附接至缓冲层的后表面，如上面也已经详细描述的。
图8是示出了根据本发明方法的第二实施方案的修改将第一保护膜22附接至晶圆W的步骤的结果的横截面图。在这种修改方法中，第一保护膜22具有不延伸至环形框架18的、减小的外径。然而，还在这种修改的实施方案中，借助于粘合剂层26将第一保护膜22粘合剂层附接至第二保护膜14、以便将晶圆W封装在第一保护膜22与第二保护膜14之间。
在将第一保护膜22和第二保护膜14附接至晶圆W之后，将晶圆W放置在卡盘台30上、使得第一保护膜22的后表面28与卡盘台30的上表面接触。随后，以与第一实施方案的方法相同的方式将激光束LB从晶圆W的后侧4施用至晶圆W，如图9中图示的。在沿着分割线12的多个位置将激光束LB施用至晶圆W、以便沿着分割线12在晶圆W中形成多个改性区域(未示出)。
如在第一实施方案的方法中，在环形框架18已经相对于晶圆W和卡盘台30在竖直向下方向上位移的状态下(例如，通过向下夹紧环形框架18)，可以将激光束LB施加至晶圆W。
在晶圆W中已经形成改性区域之后，将第一保护膜22从晶圆W的前侧2移除。随后，以与第一实施方案的方法相同的方式将晶圆W分割成单独的裸片32(即，通过径向扩张第二保护膜14)(参见图6)。例如通过使用传统拾取设备(未示出)可以从第二保护膜14直接拾取所得的裸片32。
下面，将参照图10至图17描述根据本发明第三实施方案的处理晶圆W的方法。
第三实施方案的方法与第一实施方案和第二实施方案的方法的不同在于将第一保护膜22和第二保护膜14附接至晶圆W的顺序。在第三实施方案的描述中，与第一实施方案和第二实施方案相似或基本相同的元件用相同的附图标记表示，并且省略其重复的详细描述。
在第三实施方案的方法中，首先将第一保护膜22附接至晶圆W的前侧2。此附接步骤的结果如图10所示。第三实施方案的方法中使用的第一保护膜22的材料和厚度可以与第一实施方案和第二实施方案的方法中使用的第一保护膜22的材料和厚度相同。将第一保护膜22附接至晶圆W的前侧2、使得第一保护膜22的前表面24的中心区域与前侧2直接接触。第一保护膜22覆盖形成在器件区域6中的器件8。
第一保护膜22具有大致圆形形状以及比晶圆W的外径更大的外径。将第一保护膜22的外周部分34附接至环形框架18(参见图10)。可以在将第一保护膜22附接至晶圆W之前或期间或之后、将第一保护膜22附接至环形框架18。可以借助于粘合剂26将第一保护膜22附接至环形框架18。将晶圆W和环形框架18附接至第一保护膜22的同一表面(即，附接至第一保护膜22的前表面24)。
第一保护膜22的粘合剂层26仅设置在第一保护膜22的前表面24的外周区域中，外周区域围绕前表面24的中心区域。粘合剂层26具有大致环形形状。将第一保护膜22附接至晶圆W的前侧2、使得粘合剂层26仅与晶圆W的前侧2的外周部分接触(即，与外周边缘区域10接触)(参见图1)。粘合剂层26的粘合剂可以为通过外部刺激(例如，热、UV辐射、电场和/或化学试剂)可固化的。
此外，在将第一保护膜22施用至晶圆W的前侧2期间和/或之后，可以对第一保护膜22施用外部刺激，使得第一保护膜22的、在不存在粘合剂的前表面24的中心区域中也被附接至前侧2。外部刺激的类型和向第一保护膜22施用外部刺激的方式可以如上所述。例如，外部刺激可以包括或可以是热、和/或压力、和/或真空。
在其他实施方案中，可以将第一保护膜22附接至晶圆W的前侧2，使得第一保护膜22的前表面24与前侧2接触的整个区域中、前表面24与前侧2直接接触。在这种情况下，可以通过对第一保护膜22施用外部刺激使第一保护膜22能够附接至前侧2，如上面已经详细描述的。
在其他实施方案中，可以将缓冲层(未示出)附接至第一保护膜22的、与其前表面24相反的后表面28，如上面已经详细描述的。基片(未示出)可以附接至缓冲层的后表面，如上面也已经详细描述的。
随后，作为可选步骤，例如通过使用传统磨削装置(未示出)来磨削晶圆W的后侧4以调整晶圆厚度。这种磨削步骤的结果如图11所示。在磨削步骤之后，可选地，晶圆后侧4可以进行抛光(例如，干法抛光)和/或蚀刻(例如，等离子体蚀刻)。
然后，将第二保护膜14附接至磨削的、并且可选地抛光的和/或蚀刻的晶圆W的后侧4。此附接步骤的结果如图12所示。第三实施方案的方法中使用的第二保护膜14的材料和厚度可以与第一实施方案和第二实施方案的方法中使用的第二保护膜14的材料和厚度相同。
第二保护膜14具有大致圆形形状以及比晶圆W的外径更大的外径。将第二保护膜14以与第一实施方案的方法相同的方式附接至晶圆W的后侧4。此外，例如借助于粘合剂(未示出)将第二保护膜14的外周部分16附接至环形框架18。因此，将第二保护膜14以与第一保护膜22一样附接至相同的环形框架18。替代地，可以将第二保护膜14附接至不同的环形框架(未示出)。
借助于粘合剂层26将第一保护膜22和第二保护膜14粘合剂层彼此附接，以便将晶圆W封装在第一保护膜22与第二保护膜14之间(参见图12)。因此，粘合剂层26形成围绕晶圆W外周的密封。
在其他实施方案中，至少在第一保护膜22的前表面24与第二保护膜14接触的区域中，可以不在第一保护膜22的前表面24上设置粘合剂层。在这种情况下，借助于设置在第二保护膜14的前表面20上的粘合剂层(未示出)可以将第一保护膜22粘合剂层附接至第二保护膜14。
在将第二保护膜14附接至晶圆W期间或之后，可以将第二保护膜14附接至第一保护膜22和环形框架18。
图13是示出了根据本发明方法的第三实施方案的修改将第二保护膜14附接至晶圆W的步骤的结果的横截面图。在这种修改方法中，第二保护膜14具有不延伸至环形框架18的、减小的外径。然而，还在这种修改的实施方案中，借助于粘合剂层26将第一保护膜22和第二保护膜14粘合剂层彼此附接、以便将晶圆W封装在第一保护膜22与第二保护膜14之间。
在将第一保护膜22和第二保护膜14附接至晶圆W之后，以与第一实施方案的方法相同的方式将激光束LB从晶圆W的后侧4施用至晶圆W，如图12和图13所示。在沿着分割线12的多个位置中将激光束LB施用至晶圆W，以便在晶圆W中、沿着分割线12形成多个改性区域(未示出)。
在晶圆W中已经形成改性区域之后，将第一保护膜22从晶圆W的前侧2移除。随后，以与第一实施方案的方法相同的方式将晶圆W分割成单独的裸片32(即，通过径向扩张第二保护膜14)，如图14中的两个箭头所示。例如通过使用传统拾取设备(未示出)可以从第二保护膜14直接拾取所得的裸片32。
图15是图示了本发明方法的第三实施方案的修改的横截面图。在这种修改的方法中，在晶圆W中形成改性区域之后，第一保护膜22保留在晶圆W上并且将第二保护膜14从晶圆W移除。随后，通过以传统方式使环形框架18和扩张鼓(未示出)相对于彼此移动，径向扩张为第一保护膜22(可扩张膜)，如图15中的两个箭头所示。通过径向扩张第一保护膜22，对晶圆W施用外力，因此沿着由于改性区域的存在而使晶圆强度已经降低的分割线12来分割晶圆W。以这种方式，获得了完全分离的裸片32。在以这种方式分割晶圆W之后，例如通过使用传统拾取设备(未示出)可以从第一保护膜22直接拾取所得的裸片32。
例如，如果第一保护膜22已经通过对第一保护膜22施用外部刺激(诸如，热、和/或压力、和/或真空)而附接至晶圆W的前侧2，如上面已经详细描述的，则可以以特别有利的方式采用图15中图示的修改方法。此外，例如，如果第二保护膜14具有如图13所示的配置(即，具有不延伸到环形框架18的、减小的外径)，则可以使用这种方法。
本发明的方法的第三实施方案的进一步可能的修改在图16和图17中图示。具体地，在将第一保护膜22附接至晶圆W之后(参见图10)，可以切割第一保护膜22、使得第一保护膜22的所得外径与晶圆W的外径大致相同(参见图16)。随后，可选地，例如通过使用传统磨削装置(未示出)可以磨削晶圆W的后侧4以调整晶圆厚度。在磨削步骤之后，可选地，晶圆后侧4可以进行抛光(例如，干法抛光)和/或蚀刻(例如，等离子体蚀刻)。
然后，将第二保护膜14附接至磨削的、并且可选地抛光的和/或蚀刻的晶圆W的后侧4。此附接步骤(可以以与上述相同的方式进行)的结果如图17所示。正如这个后续附图中所示的，在将第二保护膜14附接至晶圆W之后，在沿着分割线12的多个位置中将激光束LB从晶圆W的后侧4施用至晶圆W，以便沿着分割线12在晶圆W中形成多个改性区域(未示出)。
在晶圆W中已经形成改性区域之后，将第一保护膜22从晶圆W的前侧2移除。随后，通过径向扩张第二保护膜14将晶圆W分割成单独的裸片32。例如，通过使用传统拾取设备(未示出)可以从第二保护膜14直接拾取所得的裸片32。将激光束LB施用至晶圆W、从晶圆W移除第一保护膜22以及将晶圆W分割为单独的裸片32的步骤能够以与上面详细描述的第三实施方案的方法相同的方式执行。

Claims (13)

1.一种处理基板(W)的方法，所述基板在一侧(2)上具有带有多个器件(8)的器件区域(6)，其中，所述方法包括：
提供第一保护膜(22)；
提供第二保护膜(14)；
将所述第一保护膜(22)附接至所述基板(W)的所述一侧(2)，使得所述第一保护膜(22)的前表面(24)的至少中心区域与所述基板(W)的所述一侧(2)直接接触；
将所述第二保护膜(14)附接至所述基板(W)的与所述一侧(2)相反的侧(4)；以及
在将所述第二保护膜(14)附接至所述基板(W)的与所述一侧(2)相反的所述侧(4)之后，将激光束(LB)从所述基板(W)的与所述一侧(2)相反的所述侧(4)施用至所述基板(W)，其中
所述基板(W)由对所述激光束(LB)透明的材料制成，
所述第二保护膜(14)由对所述激光束(LB)透明的材料制成，以及
在多个位置中将所述激光束(LB)施用至所述基板(W)、以便在所述基板(W)中形成多个改性区域。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一保护膜(22)附接至所述基板(W)的所述一侧(2)包括：
将所述第一保护膜(22)施用至所述基板(W)的所述一侧(2)，使得所述第一保护膜(22)的所述前表面(24)的至少所述中心区域与所述基板(W)的所述一侧(2)直接接触；以及
在将所述第一保护膜(22)施用至基板(W)的所述一侧(2)期间和/或之后，对所述第一保护膜(22)施用外部刺激、使得所述第一保护膜(22)被附接至所述基板(W)的所述一侧(2)。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，对所述第一保护膜(22)施用所述外部刺激包括对所述第一保护膜(22)施用压力、和/或加热所述第一保护膜(22)、和/或冷却所述第一保护膜(22)、和/或对所述第一保护膜(22)施用真空、和/或用光照射所述第一保护膜(22)。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中
在所述基板(W)的所述一侧(2)上形成至少一条分割线(12)，以及
在沿着所述至少一条分割线(12)的多个位置中将所述激光束(LB)施用至所述基板(W)，以便沿着所述至少一条分割线(12)、在所述基板(W)中形成多个改性区域。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，所述方法还包括：
将所述第一保护膜(22)附接至所述第二保护膜(14)、以便将所述基板(W)封装在所述第一保护膜(22)与所述第二保护膜(14)之间。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，将所述第二保护膜(14)附接至所述基板(W)的与所述一侧(2)相反的所述侧(4)，使得所述第二保护膜(14)的前表面(20)的至少中心区域与所述基板(W)的与所述一侧(2)相反的所述侧(4)直接接触。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中
所述第一保护膜(22)设置有粘合剂层(26)，
所述粘合剂层(26)仅设置在所述第一保护膜(22)的所述前表面(24)的外周区域，所述外周区域围绕所述第一保护膜(22)的所述前表面(24)的所述中心区域，以及
将所述第一保护膜(22)附接至所述基板(W)的一侧(2)，使得所述粘合剂层(26)仅与所述基板(W)的所述一侧(2)的外周部分接触。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，将缓冲层附接至所述第一保护膜(22)的、与所述第一保护膜的所述前表面(24)相反的后表面(28)。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，将基片附接至所述缓冲层的后表面。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中
所述第二保护膜(14)是可扩张的，以及
所述方法还包括，在从所述基板(W)的与所述一侧(2)相反的所述侧(4)将所述激光束(LB)施用至所述基板(W)之后，径向扩张所述第二保护膜(14)、以便将所述器件(8)彼此分离。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，
所述第一保护膜(22)是可扩张的，以及
所述方法还包括，在从所述基板(W)的与所述一侧(2)相反的所述侧(4)将所述激光束(LB)施用至所述基板(W)之后，径向扩张所述第一保护膜(22)、以便将所述器件(8)彼此分离。
12.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，所述方法还包括：
将所述第一保护膜(22)和/或所述第二保护膜(14)附接至环形框架(18)上。
13.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，所述方法还包括：
从所述基板(W)的所述一侧(2)移除所述第一保护膜(22)。
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