CN114016003B - 一种化学气相沉积装置的反应腔室及化学气相沉积装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种化学气相沉积装置的反应腔室及化学气相沉积装置，反应腔室包括腔室本体；晶片托盘，位于腔室本体内，其上表面用于放置待处理的晶片；托盘支撑轴，位于晶片托盘的下方，托盘支撑轴的顶端与晶片托盘连接；多个环形加热元件，位于晶片托盘的下方，且环形加热元件环绕在托盘支撑轴的外周；反射盘，位于环形加热元件的下方，反射盘的与托盘支撑轴相对应的位置处具有过孔，托盘支撑轴穿过过孔；均温部件，位于晶片托盘及反射盘之间，包括隔板及筒形侧壁，隔板位于晶片托盘及环形加热元件之间，隔板的中心位置处具有通孔，托盘支撑轴穿过通孔，筒形侧壁自隔板向下延伸，筒形侧壁将位于隔板下方的环形加热元件限制在筒形侧壁的内部。

Description

一种化学气相沉积装置的反应腔室及化学气相沉积装置

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种化学气相沉积装置的反应腔室及化学气相沉积装置。

背景技术

半导体器件制作过程中的一些工艺，需将晶片承载在晶片托盘上完成。例如化学气相沉积CVD(Chemical Vapor Deposition)以其生长易控制、可生长纯度很高的材料、外延层大面积均匀性良好等优点，逐渐用于制造高亮度LED芯片及电力电子器件。在化学气相沉积腔室内，为使得原料气体分解，从而沉积在晶圆托盘上的晶圆表面，该腔室内还具有加热元件。

现有的化学气相沉积***为了保证晶片工艺结果的稳定性，托盘需要高速旋转以匀化气流场，同时托盘的各部位需要被均匀的加热，通常托盘不同位置的温度差要求小于1℃。为实现托盘的高速旋转，通常托盘采用中心点支撑的方式，这样托盘中心点下方无法布置加热元件，而托盘支撑轴一般都是金属材质，会吸收托盘中心点的温度，导致托盘中心温度低于其他部位温度，所以托盘中心点上方位置的晶片的工艺结果异于其他位置，故需要提高托盘中心点的温度。

现有的提高托盘中心点温度的方法是把离托盘支撑轴最近的若干内圈加热元件设置为两层或多层，该方法的确快速对支撑轴进行加热，即提升支撑轴的温度，继而通过支撑轴的热传导提升托盘中心温度；但在此结构下，虽然位于托盘中心点处的温度得到改善，但位于内圈加热元件上方位置的托盘温度总是高于托盘中心，已发现在托盘中心半径40mm的圆内，温差已大于20℃，如图1所示。因温差是在仅40mm半径的圆内形成，故很难通过调整加热元件位置、功率配比的方法来减小温度差，从而难以保证晶片托盘的各位置的温度保持均匀。因此，如何降低晶片托盘中心点与其周边区域的温度之差，及确保晶片托盘上各区域的温度保持均匀是亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种化学气相沉积装置的反应腔室及化学气相沉积装置，以解决现有技术存在晶片托盘中心点与其周边区域温差较大的问题。

根据本发明的一个方面，提供了一种化学气相沉积装置的反应腔室，所述反应腔室包括：

腔室本体；

晶片托盘，位于所述腔室本体内，其上表面用于放置待处理的晶片；

托盘支撑轴，位于所述晶片托盘的下方，所述托盘支撑轴的顶端与所述晶片托盘连接，所述托盘支撑轴用于带动所述晶片托盘在所述腔室本体内旋转运动；

多个环形加热元件，位于所述晶片托盘的下方，且所述环形加热元件环绕在所述托盘支撑轴的外周；

反射盘，位于所述环形加热元件的下方，所述反射盘的与所述托盘支撑轴相对应的位置处具有过孔，所述托盘支撑轴穿过所述过孔，所述反射盘用于将所述环形加热元件产生的热量反射至所述晶片托盘及托盘支撑轴上；

均温部件，位于所述晶片托盘及反射盘之间，所述均温部件包括隔板及筒形侧壁，所述隔板位于所述晶片托盘及环形加热元件之间，所述隔板的中心位置处具有通孔，所述托盘支撑轴穿过所述通孔，所述筒形侧壁自所述隔板向下延伸，所述筒形侧壁将位于所述隔板下方的环形加热元件限制在所述筒形侧壁的内部，以使位于所述筒形侧壁内部的环形加热元件的热量被均匀的传递至所述托盘支撑轴上。

在本发明的一些实施例中，所述均温部件的材料为钼。

在本发明的一些实施例中，所述均温部件的内表面为未抛光表面。

在本发明的一些实施例中，所述筒形侧壁的远离所述隔板的一端具有自所述筒形侧壁的端部朝向所述反射盘延伸的凸块，所述反射盘上的与所述凸块相对应的位置处具有槽孔，所述凸块位于所述槽孔内。

在本发明的一些实施例中，所述凸块的形状为倒三角形，所述凸块的数量为多个，且多个所述凸块在所述筒形侧壁的端部周向均匀分布。

在本发明的一些实施例中，位于所述筒形侧壁的内部的环形加热元件的数量为多个，且多个所述环形加热元件沿所述托盘支撑轴的径向方向水平排布。

在本发明的一些实施例中，位于所述筒形侧壁的内部的环形加热元件的数量为多个，且多个所述环形加热元件沿所述托盘支撑轴的轴向方向竖直排布。

在本发明的一些实施例中，位于所述筒形侧壁的内部的环形加热元件的数量为多个，且多个所述环形加热元件呈多排多列排布。

在本发明的一些实施例中，所述晶片托盘的底部中心位置处具有凹槽，所述托盘支撑轴的端部与所述凹槽过盈连接。

根据本发明的另一方面，还公开了一种化学气相沉积装置，所述化学气相沉积装置包括如上任一实施例所述的化学气相沉积装置的反应腔室。

本发明所公开的化学气相沉积装置的反应腔室具有均温部件，且均温部件的隔板设置在环形加热元件及晶片托盘之间，避免位于隔板下方的环形加热元件将热量直接辐射至位于其上方的晶片托盘上，且该环形加热元件还被限制在隔板下方的筒形侧壁内，使得筒形侧壁内部的环形加热元件的热量尽可能多的直接传递至托盘支撑轴上；另由于托盘支撑轴与晶片托盘连接，因而托盘支撑轴上的热量多数被传递至晶片托盘的与托盘支撑轴连接的位置处。而当托盘支撑轴与晶片托盘的连接位置处处于晶片托盘的中心位置时，则减小了晶片托盘中心位置与中心位置***区域的温差，进而确保了晶片托盘上各位置的温度均匀性。

本发明的附加优点、目的，以及特征将在下面的描述中将部分地加以阐述，且将对于本领域普通技术人员在研究下文后部分地变得明显，或者可以根据本发明的实践而获知。本发明的目的和其它优点可以通过在书面说明及其权利要求书以及附图中具体指出的结构实现到并获得。

本领域技术人员将会理解的是，能够用本发明实现的目的和优点不限于以上具体所述，并且根据以下详细说明将更清楚地理解本发明能够实现的上述和其他目的。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明的限定。附图中的部件不是成比例绘制的，而只是为了示出本发明的原理。为了便于示出和描述本发明的一些部分，附图中对应部分可能被放大，即，相对于依据本发明实际制造的示例性***中的其它部件可能变得更大。在附图中：

图1为现有技术的晶片托盘的温度曲线图。

图2为本发明一实施例的反应腔室的结构示意图。

图3为本发明另一实施例的反应腔室的结构示意图。

图4为本发明一实施例的均温部件的结构示意图。

图5为采用钼材料且内表面未抛光均温部件的晶片托盘的温度曲线图。

图6为采用钼材料且内表面已抛光均温部件的晶片托盘的温度曲线图。

图7为采用氮化硼材料均温部件的晶片托盘的温度曲线图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合附图对本发明实施例做进一步详细说明。在此，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，但并不作为对本发明的限定。

在此，需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本发明关系不大的其他细节。

应该强调，术语“包括/包含/具有”在本文使用时指特征、要素、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、要素、步骤或组件的存在或附加。

在此，还需要说明的是，本说明书内容中所出现的“上部”、“下部”等方位名词是相对于附图所示的位置方向；如果没有特殊说明，术语“连接”在本文不仅可以指直接连接，也可以表示存在中间物的间接连接。直接连接为两个零部件之间不借助中间部件进行连接，间接连接为两个零部件之间借助其他零部件进行连接。

目前，为了解决晶片托盘与托盘支撑轴连接位置温度较低的问题，一般是在靠近晶片托盘与托盘支撑轴连接处设置多个加热元件，多个加热元件的热量通过托盘支撑轴传递至晶片托盘；而一般晶片托盘与托盘支撑轴的连接处位于晶片托盘中心，因而晶片托盘中心位置处的温度能够通过多个加热元件实现局部温度升高；但发明人发现内圈加热元件的热辐射是多方向的且不可控的，因而位于晶片托盘中心位置处的加热元件在横向加热托盘支撑轴的同时，也会垂直向上辐射热量直接加热托盘。该现象就导致晶片托盘中心点***区域与中心位置区域具有较大的温度差，从图1中也能看出，以中心点为原点，则在半径40mm的圆环上的温度与中心点的温度差别最大，温差达到25℃；该现象若不解决，则影响所加工的晶片的质量；因而寻求一种可采用加热元件对托盘支撑轴加热，且避免加热元件直接对托盘加热的结构或方法是必须的。

在下文中，将参考本发明的附图对本发明方案进行具体说明，其中各附图中相同的附图标记代表相同或相似的部件。

图2为本发明一实施例的反应腔室的结构示意图，如图2所示，该化学气相沉积装置的反应腔室包括腔室本体100、晶片托盘110、托盘支撑轴120、多个环形加热元件130、反射盘140以及均温部件150。

腔室本体100具体的可为圆柱体结构，其内部具有中空腔体，而晶片托盘110、托盘支撑轴120、多个环形加热元件130、反射盘140以及均温部件150均位于腔室本体100的中空腔体内。该腔室本体100的中空腔体外径尺寸可稍大于晶片托盘110的外径尺寸，以使晶片托盘110可在中空腔体内稳定旋转。另，腔室本体100整体也可呈圆柱体结构之外的其他形状，且腔室本体100的内部中空腔体的具体尺寸可根据其内部的各部件的实际尺寸进行设定。晶片托盘110具体的位于腔室本体100内，即设置在腔室本体100的中空腔体内，晶片托盘110用于支撑及承载晶片，且在晶片托盘110的旋转状态下，防止晶片从晶片托盘110上跌落；具体的，晶片托盘110的上表面用于放置待处理的晶片，其上可设置多个晶片放置槽；晶片托盘110为圆形托盘。托盘支撑轴120具体的位于晶片托盘110的下方，其顶端与晶片托盘110连接，且托盘支撑轴120用于带动所述晶片托盘110在所述腔室本体100内旋转运动。示例性的，托盘支撑轴120的顶端与晶片托盘110的下表面可通过粘接、焊接等不可拆卸的连接方式进行连接；除此之外，为了便于实现托盘支撑轴120与晶片托盘110之间的拆装，托盘支撑轴120的顶端与晶片托盘110之间还可通过螺钉、插接等可拆卸连接方式进行连接。

另外，若想实现托盘支撑轴120的旋转运动，该托盘支撑轴120可通过电机驱动，示例性的，旋转电机固定在腔室本体100的外部，此时腔室本体100的底部侧壁上开设有通孔。在具体安装时，托盘支撑轴120的一端可穿过腔室本体100的底壁上的通孔，并延伸至腔室本体100的中空腔体内，直至托盘支撑轴120的顶端与晶片托盘110抵接。而为了确保托盘支撑轴120的稳定旋转，此时托盘支撑轴120与通孔之间还安装有轴承，以通过轴承实现旋转支撑轴的旋转支撑。进一步的托盘支撑轴120的底端具体的可与位于腔室本体100外部的电机的输出轴固定连接，从而使电机通过旋转支撑轴带动晶片托盘110旋转运动；在此情况下，电机设置在腔室本体100的外部，此时托盘支撑轴120的底端可位于腔室本体100的外部；除此之外，位于腔室本体100外部的电机的输出轴也可类似的从腔室本体100底壁上的通孔伸至腔室本体100的中空腔体内，但相同的是，此时电机的输出轴与腔室本体100底壁上的通孔之间也设置轴承。

环形加热元件130位于晶片托盘110的下方，其用于对晶片托盘110进行加热。环形加热元件130具体的环绕在托盘支撑轴120的外侧，其可以为多圈金属加热丝或金属加热片。示例性的，晶片托盘110为圆形托盘，此时多圈金属加热丝位于同一水平面内，即以晶片托盘110的轴线作为各圈环形加热丝的环绕轴线。此时位于最内圈的环形加热丝所环绕的圈的直径最小，而位于最外圈的环形加热丝所环绕的圈的直径最大。另外，相邻两圈环形加热丝之间可间隔有一定距离，其距离大小可根据晶片托盘110的尺寸或晶片托盘110的温度需求进行设定。应当理解的是，当晶片托盘110为圆形托盘时，此时各圈环形加热丝围成圆圈状；另外，若托盘支撑轴120处于晶片托盘110的中心位置，则最内圈环形加热元件130还应环绕在托盘支撑轴120的外周，且最内圈的环形加热元件130还可将一部分的热量传递至托盘支撑轴120上；而为了进一步的提高晶片托盘110的与托盘支撑轴120连接位置处的温度，则可在托盘支撑轴120的周向外侧设置多层环形加热元件130。

反射盘140具体的位于环形加热元件130的下方，且反射盘140的与托盘支撑轴120相对应的位置处可设有过孔，以使该托盘支撑轴120穿过该过孔。反射盘140设置在环形加热元件130的下方，用于防止环形加热元件130产生的热量向下传输，从而将环形加热元件130产生的热量最大程度的反射至晶片托盘110及托盘支撑轴120上。反射盘140具体的可为圆形盘，其直径大于最外圈环形加热元件130的圈径尺寸；为了实现反射盘140的相对固定，即防止反射盘140随托盘支撑轴120旋转，则可在托盘支撑轴120与反射盘140的过孔之间安装轴承，也可以将反射盘140上的过孔孔径尺寸设置为大于托盘支撑轴120的轴径尺寸，而进一步的将反射盘140与腔体本体进行固定即可。为了防止反射盘140向下传输热量，则反射盘140具体的可选用隔热材料；并且，反射盘140可设定为与晶片托盘110同等尺寸。

均温部件150具体的位于晶片托盘110及反射盘140之间，其对减小晶片托盘110中心点与其周边区域的温度差起着关键性作用。均温部件150包括隔板151及筒形侧壁152，隔板151位于晶片托盘110及环形加热元件130之间，用于限制其下方的环形加热元件130的热量辐射方向，以使其下方的环形加热元件130产生的热量向下方传输；隔板151整体可呈圆形板，其直径尺寸可稍大于最内圈环形加热元件130所围成的圆圈的直径尺寸。隔板151的中心具有通孔，该通孔作为托盘支撑轴120的过孔，在实际安装状态下，托盘支撑轴120穿过该通孔。筒形侧壁152自隔板151垂直向下延伸，且该筒形侧壁152将位于隔板151下方的环形加热元件130限制在筒形侧壁152的内部，筒形侧壁152进一步的限制位于隔板151下方的环形加热元件130的热量辐射方向，从而使位于筒形侧壁152内部的环形加热元件130的热量被均匀的传递至托盘支撑轴120上。应当理解的是，当隔板151的形状为圆环形时，此时筒形侧壁152具体的可为圆柱形筒形侧壁152。

该反应腔室内的均温部件150将内圈的环形加热部件隔离在筒形侧壁152的内侧，使筒形侧壁152内部的环形加热元件130将热量更多的传递至托盘支撑轴120，从而提升了托盘支撑轴120的温度；另一方面隔板151将环形加热元件130和晶片托盘110隔离，使得筒形侧壁152内的环形加热元件130的热量不会直接垂直辐射到其上方的晶片托盘110，使得晶片托盘110中心外周的其他区域的温度不会高于其中心温度太多，从而使得晶片托盘110中心点与其周边区域的温差减小。该结构可以使晶片托盘110温度均匀性得到较大改善，且在晶片托盘110以及托盘支撑轴120的结构不做改变的前提下，晶片托盘110在托盘支撑轴120的驱动下仍能稳定的高速旋转。

在本发明一实施例中，均温部件150的材料为钼，钼材料具有膨胀系数小、反射效率高的特点。在本发明中，均温部件150的材料选用钼，是为了进一步提高所调控的晶片托盘110的温度均匀性，而在其他一些实施例中，均温部件150的材料也可以选用其他类型的隔热材料。图5和图6为均温部件150为钼材料时的晶片托盘110上的温度分布图；不同的是，在图5中所示的温度曲线图对应的均温部件150是其在选用钼材料前提下，均温部件150的内表面为未抛光表面，即钼材料的均温部件150的内表面未进行抛光处理；而图6中所示的温度曲线图对应的均温部件150是其在选用钼材料前提下，均温部件150的内表进行抛光处理；从图5以及图6中可以看出，虽然该两种实施方式相比于图1中所示的现有技术中未采用均温部件150的晶片托盘110的中心点温度均得到降低，但对于晶片托盘110上的各点的具体温度数值还是存在很大区别。

从图5中可以看出，采用未抛光内表面的钼材质均温部件150，晶片托盘110上中心点位置与中心点位置之外的其他区域的温差均较小，且晶片托盘110从其中心至最外侧的温度呈逐渐减小状态，减小的趋势较小，温度曲线大致呈平直状态；明显的，采用未抛光内表面的钼材质均温部件时，晶片托盘上不存在与晶片托盘中心点的温度差值较大的制高点。因此可知，在特定情况下，均温部件150的材质选用钼材质，且均温部件150的内表面不做抛光处理，对于减小晶片托盘110中心点与其周围区域之间的温差，以及提高晶片托盘110的温度均匀性是一种较优选择。

而从图6中可以看出，采用已抛光内表面的钼材质均温部件150时，温度曲线波动较大，此时晶片托盘中心点温度与中心点之外的其他区域的温差较大，且晶片托盘中心点的温度低于晶片托盘的中心点***区域的温度。因而其相对于现有技术的反应腔室虽然在一定程度下改善了晶片托盘上各区域的温度，但相对于未进行抛光处理的钼材质均温部件来说其均温性能虽然显著降低，因而达不到未抛光内表面的钼材质均温部件所能达到的效果。

在另一实施例中，均温部件150的材质为氮化硼，图7为采用氮化硼材质的均温部件150时晶片托盘110的温度曲线图，从图7中可以看出，此时晶片托盘110的距中心点大约40nm位置处的温度处于最高点，且晶片托盘中心点与温度最高点的温差较大，晶片托盘并没有达到较好的均温效果。该实施例中的晶片托盘110上的温度均匀性与采用已抛光钼材质的晶片托盘110上的温度均匀性大致相同，均是相对于现有技术中的未采用均温部件150的反应腔室一定程度上改善了晶片托盘110上各区域的温度均匀性，但其效果达不到内表面未进行抛光的钼材质的均温部件150对晶片托盘110的均温效果。

通过上述实施例可以发现，均温部件150的材料对晶片托盘110上的各点的温度影响较大，较优的，均温部件150可选用钼材质，且钼材质的均温部件150的内表面呈未抛光状态；不难理解的，在一些对于晶片托盘110上的温度均匀性要求不太高的场合，均温部件150也可以根据实际应用环境需要采用其他种材料。

进一步的，为了便于均温部件150与反射板的固定连接，均温部件150的筒形侧壁152的底端还可设有自其端部朝向反射盘140延伸的凸块153，参考图4，筒形侧壁152的底端即为筒形侧壁152的远离隔板151的一端。此时相应的，反射盘140上的与凸块153相对应的位置处还开设有凹槽，在均温部件150与反射盘140的连接状态下，均温部件150的筒形侧壁152上的凸块位于反射盘140上的凹槽内。均温部件150与反射盘140之间通过上述结构进行连接，便于对均温部件150进行定位，而在另一些实施例中，均温部件150与反射板之间也可采用其他类型的连接方式进行固定。并且，在反射板与腔室本体100相对固定的前提下，若均温部件150固定在反射板上，则均温部件150相对于腔室本体100即也为相对固定的状态。

示例性的，位于筒形侧壁152底端的凸块153的形状为倒三角形凸块153，此时反射板上的槽孔的形状可为矩形槽孔。倒三角形凸块153的数量可可为多个，则多个倒三角形凸块153沿筒形侧壁152的底部端壁周向均匀分布。示例性的，倒三角形凸块153的具体数量可为三个、四个或更多个，且凸块153除了为倒三角形形状之外，还可为方形凸块153、弧形凸块153等。

在本发明一实施例中，位于筒形侧壁152的内部的环形加热元件130的数量为多个，且多个环形加热元件130沿托盘支撑轴120的径向方向水平排布。其中，沿托盘支撑轴120的径向方向水平排布也可理解为多个环形加热元件130在同一水平面内排布成一层或一排，则此时多个环形加热元件130的圈径尺寸不同。示例性的，位于筒形侧壁152内部的环形加热元件130的数量具体的可为两个，此时位于内侧的环形加热元件的圈径小于位于外侧的环形加热元件的圈径尺寸。

而在另一实施例中，环形加热元件130的数量也可为多个，但该多个环形加热元件130沿托盘支撑轴120的轴向方向呈竖直排布。其中，沿托盘支撑轴120的轴向方向呈竖直排布也可理解成多个环形加热元件130在筒形侧壁152内排布成一列或多层，此时多个环形加热元件130的圈径尺寸相同。示例性的，位于筒形侧壁152内部的环形加热元件130的数量具体的可为两个，且该两个环形加热元件130在筒形侧壁152的内部排布成两层；该实施例中，设置多层环形加热元件130，使得托盘支撑轴120上的热量可以快速升高，进而将热快快速传递至晶片托盘110上。

图3为本发明另一实施例的反应腔室的结构示意图，该反应腔室内的均温部件150所限制的环形加热元件130的数量为多个，且多个环形加热元件130在筒形侧壁152内排列成多排且多列的形式。如图3所示，环形加热元件130的数量具体的可为六个，该六个环形加热元件130在筒形侧壁152内为三层(或三排)两列，位于最内部的三个环形加热元件130，其圈径尺寸一致；而位于外侧的三个环形加热元件130的圈径尺寸一致。不难理解，筒形侧壁152内部的环形加热元件130的数量不需限定，只是当环形加热元件130具有多层时，均温部件150的筒形侧壁152的高度大于多层环形加热元件130的总高度即可，即筒形侧壁152将多层的环形加热元件130均限制在均温部件150内部。在本发明中，均温部件150将所有的环形加热元件130分为两部分，即筒形侧壁152内部的环形加热元件130和筒形侧壁152外部的环形加热元件，使得位于筒形侧壁152内部的环形加热元件130的热量可较多的向托盘支撑轴120传递，且避免垂直向上直接敷设至晶片托盘110上，从而降低了晶片托盘110与托盘支撑轴120连接位置处及其周围区域之间的温差，从而使晶片托盘110上的温度确保均匀。

另外，本发明还公开了一种化学气相沉积装置，该化学气相沉积装置包括如上任一实施例的化学气相沉积装置的反应腔室。

本发明中，针对一个实施方式描述和/或例示的特征，可以在一个或更多个其它实施方式中以相同方式或以类似方式使用，和/或与其他实施方式的特征相结合或代替其他实施方式的特征。

上述所列实施例，显示和描述了本发明的基本原理与主要特征，但本发明不受上述实施例的限制，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下对本发明做出的修改、等同变化及修饰，均应落在本发明技术方案保护的范围内。

Claims (8)

1.一种化学气相沉积装置的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室包括：

腔室本体；

晶片托盘，位于所述腔室本体内，其上表面用于放置待处理的晶片；

托盘支撑轴，位于所述晶片托盘的下方，所述托盘支撑轴的顶端与所述晶片托盘连接，所述托盘支撑轴用于带动所述晶片托盘在所述腔室本体内旋转运动；

多个环形加热元件，位于所述晶片托盘的下方用于对晶片托盘加热，且所述环形加热元件环绕在所述托盘支撑轴的外周；

反射盘，位于所述环形加热元件的下方，所述反射盘的与所述托盘支撑轴相对应的位置处具有过孔，所述托盘支撑轴穿过所述过孔，所述反射盘用于将所述环形加热元件产生的热量反射至所述晶片托盘及托盘支撑轴上；

均温部件，位于所述晶片托盘及反射盘之间，所述均温部件包括隔板及筒形侧壁，所述隔板位于所述晶片托盘及环形加热元件之间，所述隔板的中心位置处具有通孔，所述托盘支撑轴穿过所述通孔，所述筒形侧壁自所述隔板向下延伸，所述筒形侧壁将位于所述隔板下方的环形加热元件限制在所述筒形侧壁的内部，以使位于所述筒形侧壁内部的环形加热元件的热量被均匀的传递至所述托盘支撑轴上；其中，所述均温部件用于将内圈的环形加热部件隔离在所述筒形侧壁的内侧；

所述均温部件的材料为钼，且所述均温部件的内表面为未抛光表面。

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置的反应腔室，其特征在于，所述筒形侧壁的远离所述隔板的一端具有自所述筒形侧壁的端部朝向所述反射盘延伸的凸块，所述反射盘上的与所述凸块相对应的位置处具有槽孔，所述凸块位于所述槽孔内。

3.根据权利要求2所述的化学气相沉积装置的反应腔室，其特征在于，所述凸块的形状为倒三角形，所述凸块的数量为多个，且多个所述凸块在所述筒形侧壁的端部周向均匀分布。

4.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置的反应腔室，其特征在于，位于所述筒形侧壁的内部的环形加热元件的数量为多个，且多个所述环形加热元件沿所述托盘支撑轴的径向方向水平排布。

5.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置的反应腔室，其特征在于，位于所述筒形侧壁的内部的环形加热元件的数量为多个，且多个所述环形加热元件沿所述托盘支撑轴的轴向方向竖直排布。

6.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置的反应腔室，其特征在于，位于所述筒形侧壁的内部的环形加热元件的数量为多个，且多个所述环形加热元件呈多排多列排布。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的化学气相沉积装置的反应腔室，其特征在于，所述晶片托盘的底部中心位置处具有凹槽，所述托盘支撑轴的端部与所述凹槽过盈连接。

8.一种化学气相沉积装置，其特征在于，所述化学气相沉积装置包括如权利要求1至7中任意一项所述的化学气相沉积装置的反应腔室。