CN114008801A - 显示模块及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种制造显示模块的方法，包括：在基板上形成驱动电路层，驱动电路层包括多个驱动电路以及与多个驱动电路电连接的多个电极焊盘；在驱动电路层上形成粘合层；将多个发光二极管(LED)中的每一个转移到粘合层的与多个电极焊盘中的相应电极焊盘相对应的相应区域上；以及在位于多个LED之间的粘合层上形成黑矩阵层。

Description

显示模块及其制造方法
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示模块及其制造方法，尤其涉及一种用于微型LED的显示模块及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)是在施加电压时发光的半导体元件，并且被广泛使用，不仅作为一般的照明设备而且作为用于显示图像的显示设备的光源。
近来，正在开发以像素或子像素为单位使用微型LED(μ-LED或微型发光二极管)作为光源的显示设备(或显示面板、显示模块等)。这里，微型LED可以指宽度、长度和高度分别在1和100微米(μm)之间的尺寸的半导体发光元件。
这里，微型LED显示面板比需要单独背光单元的液晶显示(LCD)面板提供更好的对比度、响应时间和能源效率。另外，由于微型LED显示面板采用无机物，与有机LED(OLED)相比，具有屏幕烧屏现象更少、寿命更长、发光效率更高、亮度更高等优点。
一般而言，在制造使用微型LED作为光源的显示模块的方法中，微型LED通过转移工艺转移到基板上，并且微型LED的电极焊盘与基板的电极焊盘通过诸如焊接和热固等连接工艺电连接。然后，通过印刷(例如：喷墨/丝网印刷等)或曝光/显影在非发光区域中形成黑矩阵(BM)层。这里，BM是吸收光并具有黑色的物质，并且它可以用于通过减少外部光的反射光来提高显示器的对比度。
然而，在这种一般的BM形成方法的情况下，由于各种因素，例如基板本身的尺寸容差、微型LED的尺寸或连接位置的容差、微型LED之间的距离、在印刷或曝光/显影的情况下基板与BM之间的对准容差、在组合图案化的BM组件与基板的情况下BM本身的尺寸容差、在BM形成过程中产生的容差(例如对准容差)等，可能形成在微型LED周围未形成BM的BM开口区域。BM开口区域具有的问题是，由于它暴露基板的一部分(例如，基板的电极焊盘)，降低了对比度，并降低了黑色的整体表现力。此外，存在的问题是，在对准不合适的情况下，在微型LED上可能形成BM，并且在微型LED上形成的这种BM覆盖了微型LED的发光表面，这导致发光效率降低。
发明内容
技术方案
根据一个或多个实施例，提供了一种制造包括多个像素的显示模块的方法。所述方法包括：在基板上形成驱动电路层，驱动电路层包括多个驱动电路以及与多个驱动电路电连接的多个电极焊盘；在驱动电路层上形成粘合层；将多个发光二极管(LED)中的每一个转移到粘合层的与多个电极焊盘中的相应电极焊盘相对应的相应区域上；以及在位于多个LED之间的粘合层上形成黑矩阵层。所述附着包括：将附着于膜的黑矩阵形成层附着到多个LED上并附着到粘合层的形成于多个LED之间的部分上；以及将黑矩阵形成层的附着在多个LED上的第一部分连同膜一起去除，使得黑矩阵形成层的第二部分保留在多个LED之间作为黑矩阵层。多个像素中的每一个包括多个子像素，并且多个电极焊盘中的每一个包括用于接合与多个子像素中的子像素相对应的第一LED的第一区域和用于基于第一LED有缺陷而接合与该子像素相对应的第二LED的第二区域。
根据实施例，所述附着包括：通过热压工艺将黑矩阵形成层附着到粘合层的形成于多个LED之间的部分上并附着到多个LED上。
根据实施例，粘合层包括包含导电材料的各向异性导电膜(ACF)，并且所述附着还包括：通过导电材料将多个LED中的每一个电连接到多个电极焊盘。
根据实施例，粘合层包括包含焊剂的非导电膜，所述附着还包括：熔化凸块，凸块被施加在多个LED中的每一个的电极上或被施加在多个电极焊盘上；以及在凸块处于熔化形式时通过凸块将多个LED中的每一个电连接到多个电极焊盘，并且焊剂被配置为去除当凸块熔化时产生的氧化膜。
根据实施例，粘合层与黑矩阵形成层之间的粘合力比膜与黑矩阵形成层之间的粘合力强。
根据实施例，所述去除包括：在从黑矩阵形成层去除膜之后，将胶带附着到黑矩阵形成层上，并且将黑矩阵形成层的附着在多个LED上的剩余部分连同胶带一起从多个LED去除，使得黑矩阵形成层的第二部分保留在多个LED之间作为黑矩阵层，其中胶带与黑矩阵形成层之间的粘合力比黑矩阵形成层与粘合层之间的粘合力弱。
根据实施例，第二LED被配置为发出与第一LED相同颜色的光。
根据实施例，多个电极焊盘中的每一个的尺寸大于第一LED的尺寸，并且第一区域和第二区域电连接。
根据实施例，多个LED中的每一个是倒装芯片结构的微型LED，其中电极形成在倒装芯片结构的下部。
根据一个或多个实施例，提供了一种显示模块。显示模块包括：基板；驱动电路层，形成在基板上，驱动电路层包括多个驱动电路以及与多个驱动电路电连接的多个电极焊盘；粘合层，形成在驱动电路层上；多个发光二极管(LED)，多个LED中的每一个形成在粘合层的与多个电极焊盘中的相应电极焊盘相对应的相应区域上；以及黑矩阵层，形成在位于多个LED之间的粘合层上，其中显示模块被配置为包括多个像素，多个像素包括多个子像素，并且多个电极焊盘中的每一个包括用于接合与多个子像素中的子像素相对应的第一LED的第一区域和用于基于第一LED有缺陷而接合与该子像素相对应的第二LED的第二区域。
根据实施例，黑矩阵层通过以下方式形成在位于多个LED之间的粘合层上：通过热压工艺将附着于膜的黑矩阵形成层附着到粘合层的形成于多个LED之间的部分上，并附着到多个LED上；以及将黑矩阵形成层的附着在多个LED上的第一部分连同膜一起从多个LED去除，使得黑矩阵形成层的第二部分保留在多个LED之间作为黑矩阵层。
根据实施例，多个LED通过热压工艺电连接到多个电极焊盘。
根据实施例，粘合层包括包含导电材料的各向异性导电膜(ACF)，并且多个LED经由热压工艺通过导电材料电连接到多个电极焊盘。
根据实施例，粘合层包括包含焊剂的非导电膜，凸块被施加在多个LED中的每一个的电极上或被施加在多个电极焊盘上，凸块通过热压工艺熔化，多个LED在凸块处于熔化形式时通过凸块电连接到多个电极焊盘，并且焊剂被配置为去除当凸块熔化时产生的氧化膜。
根据实施例，粘合层与黑矩阵形成层之间的粘合力比膜与黑矩阵形成层之间的粘合力强。
根据实施例，第二LED被配置为发出与第一LED相同颜色的光。
根据实施例，多个电极焊盘中的每一个的尺寸大于第一LED的尺寸，并且第一区域和第二区域电连接。
根据实施例，多个LED中的每一个是倒装芯片结构的微型LED，其中电极形成在倒装芯片结构的下部。
附图说明
图1为用于图示根据本公开的实施例的显示模块的示意图；
图2A为用于图示根据本公开的实施例的显示模块的示意图；
图2B为用于图示根据本公开的实施例的图2A的显示模块的截面图；
图2C为用于图示根据本公开的实施例的LED的截面图；
图3A为用于图示根据本公开的实施例的显示模块的连接的截面图；
图3B为用于图示根据本公开的实施例的显示模块的连接的截面图；
图4A为用于图示根据本公开的实施例的用于补偿缺陷像素的显示模块的示意图；
图4B为用于图示根据本公开的实施例的用于补偿缺陷像素的显示模块的示意图；
图5A为用于图示根据本公开的实施例的用于补偿缺陷像素的显示模块的截面图；
图5B为用于图示根据本公开的实施例的用于补偿缺陷像素的显示模块的截面图；
图6为用于图示根据本公开的实施例的制造显示面板的方法的流程图；
图7A为用于图示根据本公开的实施例的驱动电路层的示意图；
图7B为用于图示根据本公开的实施例的驱动电路层的截面图；
图7C为用于图示根据本公开的实施例的驱动电路层的截面图；
图8A为用于图示根据本公开的实施例的形成粘合层的方法的示意图；
图8B为用于图示根据本公开的实施例的形成粘合层的方法的截面图；
图8C为用于图示根据本公开的实施例的形成粘合层的方法的截面图；
图8D为用于图示根据本公开的实施例的形成粘合层的方法的截面图；
图9A为用于图示根据本公开的实施例的转移LED的方法的示意图；
图9B为用于图示根据本公开的实施例的转移LED的方法的截面图；
图9C为用于图示根据本公开的实施例的转移LED的方法的截面图；
图9D为用于图示根据本公开的实施例的转移LED的方法的截面图；
图10A为用于图示根据本公开的实施例的附着膜的方法的截面图；
图10B为用于图示根据本公开的实施例的附着膜的方法的截面图；
图10C为用于图示根据本公开的实施例的附着膜的方法的截面图；
图11A为用于图示根据本公开的实施例的形成黑矩阵层的方法的截面图；
图11B为用于图示根据本公开的实施例的形成黑矩阵层的方法的截面图；
图12A为用于图示根据本公开的实施例所制造的显示模块的示意图；
图12B为用于图示根据本公开的实施例所制造的显示模块的截面图；
图12C为用于图示根据本公开的实施例所制造的显示模块的截面图；
图13A为用于图示根据本公开的实施例的形成黑矩阵层的方法的截面图；
图13B为用于图示根据本公开的实施例的形成黑矩阵层的方法的截面图；以及
图13C为用于图示根据本公开的实施例的形成黑矩阵层的方法的截面图。
具体实施方式
根据本公开的实施例的一方面，提供了一种增强黑色表现力的显示模块，并提供了一种显示模块的制造方法。
在描述本公开的各方面时，如果确定相关已知功能或组件的详细说明可能不必要地混淆本公开的主旨，则将省略详细说明。此外，以下实施例可以以各种不同的形式进行修改，并且本公开的技术思想的范围不限于以下实施例。而是，提供这些实施例是为了使本公开更加充分和完整，并将本公开的技术思想充分传达给本领域技术人员。
此外，本公开的实施例并非用于将本公开中描述的技术限制为特定实施例，而是应当将其解释为包括本公开的实施例的各种修改、等同和/或替代。此外，关于附图的详细描述，相似的组件可以由相似的附图标记表示。
此外，本公开中使用的表述“第一”、“第二”等可用于描述各种元件，而不管任何顺序和/或重要性程度。而且，这样的表述仅用于将一个元件与另一元件区分开来，并不旨在限制这些元件。
此外，在本公开中，表述“A或B”、“A和/或B中的至少一个”或“A和/或B中的一个或多个”等可以包括所列项目的所有可能组合。例如，“A或B”、“A和B中的至少一个”或“A或B中的至少一个”可以指以下所有情况：(1)包括至少一个A，(2)包括至少一个B，或(3)包括至少一个A和至少一个B。
此外，在本公开中，单数表达包括复数表达，只要它们在上下文中没有明显不同的含义即可。此外，在本公开中，诸如“包括”、“包含”等术语应理解为表示存在说明书中描述的这些特征、数量、步骤、操作、元件、组件或其组合，但不应理解为预先排除一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或添加的可能性。
此外，本公开中关于一个元件(例如：第一元件)“(可操作地或通信地)与另一个元件(例如：第二元件)耦合/耦合到”或“连接到”另一个元件(例如：第二元件)的描述应当被解释为包括该一个元件直接耦合到该另一个元件的情况，以及该一个元件通过又一个元件(例如：第三元件)耦合到该另一个元件的情况。相反，关于一个元件(例如：第一元件)“直接耦合”或“直接连接”到另一元件(例如：第二元件)的描述可以被解释为意味着该一个元件和该另一个元件之间不存在又一个元件(例如：第三元件)。
此外，在本公开中使用的表述“被配置为”可以与如下其他表述互换使用，例如“适合于”、“具有能力”、“被设计为”、“适应于”、“被制造为”和“能够”，视情况而定。同时，术语“被配置为”并不一定意味着设备在硬件方面“被专门设计为”。相反，在某些情况下，表述“被配置为...的设备”可能意味着该设备“能够”与另一设备或组件一起执行操作。例如，短语“被配置为执行A、B和C的处理器”可以指用于执行对应操作的专用处理器(例如：嵌入式处理器)或可以通过执行存储在存储器设备中的一个或多个软件程序来执行对应操作的通用处理器(例如：CPU或应用处理器)。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的各种非限制性示例实施例。
图1为用于图示根据本公开的实施例的显示模块的示意图。
参照图1，显示模块1可以包括多个像素(例如，第一像素100-1和第二像素100-2)。
显示模块1可以通过多个像素(例如，第一像素100-1和第二像素100-2)来显示图像。这里，第一像素100-1是构成图像的最小单位，并且可以指具有独立颜色或亮度的点。这里，第一像素100-1可以包括多个子像素(例如，诸如红色、绿色、蓝色等子像素)的组合或由多个子像素的组合组成。
多个像素(例如，第一像素100-1和第二像素100-2)可以布置为以彼此之间的预定间隔彼此分开。此外，多个像素(例如，第一像素100-1和第二像素100-2)可以以矩阵的形式布置。这里，矩阵形式可以指具有彼此相同数量的行和列的形式(例如，在M＝N的情况下，3×3排列、5×5排列等，并且这里，M和N是自然数)或具有彼此不同数量的行和列的形式(例如，在M≠N的情况下，3×2排列、5×4排列等，这里，M和N是自然数)。
同时，多个像素(例如，第一像素100-1和第二像素100-2)可以具有彼此相同的结构和功能。因此，除非有特殊情况，否则对于第一像素100-1的说明可以以相同方式应用于多个像素中的其他像素(例如，第二像素100-2)。
同时，作为与上述不同的示例，显示模块1是多个显示模块中的一个，并且可以与另一个显示模块连接并显示图像。为此，多个显示模块可以以上述矩阵形式布置。
在下文中，将参照附图更详细地描述根据本公开的实施例的显示模块。
图2A为用于图示根据本公开的实施例的显示模块的示意图，并且图2B为相对于图2A中A1-A2线的截面图。
参照图2A和图2B，显示模块1可以包括基板10、驱动电路层20、粘合层30、多个发光二极管(LED)50(例如，红色LED 50R、绿色LED 50G、蓝色LED 50B)和黑矩阵层60。
基板10可以以厚度小于宽度和长度的板的形式实现。例如，基板10可以具有各种厚度，例如从几十微米到几十毫米。
此外，基板10可以执行支撑和保护形成在基板10上的各种电子元件例如驱动电路层20、多个LED 50等的功能，并且可以被实现为具有透明特性或刚性或柔性特性的材料。例如，基板10可以被实现为各种材料，例如玻璃、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚氯乙烯(PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。
驱动电路层20可以形成在基板10上。此外，驱动电路层20可以包括多个驱动电路21和多个电极焊盘22(例如，电极焊盘22R、电极焊盘22G、电极焊盘22B)。
驱动电路21可以向LED 50发送驱动信号，使LED 50发光。具体地，驱动电路21可以控制开关元件(未示出)的开启/关断状态，并在开关元件开启时向LED 50发送驱动信号，从而控制LED 50发光。这里，开关元件可以被实现为例如薄膜晶体管(TFT，未示出)。包括在驱动电路21中的各种电路可以以诸如印刷电路板(PCB)等的形式来实现。
这里，TFT(或背板)不限于特定结构或类型。即，TFT可以被实现为低温多晶硅(LTPS)TFT、氧化物TFT、多晶硅TFT、非晶硅(a-硅)TFT、有机TFT、石墨烯TFT等。此外，TFT可以被实现为各种类型，例如在Si晶片CMOS工艺中形成的P型(或N型)MOSFET等。
为此，驱动电路21可以通过电极焊盘22与LED 50电连接。这里，电极焊盘22与驱动电路21电连接，并且可以被实现为具有高导电性的各种材料，例如Cu、Au、Ag、氧化铟锡(ITO)等。此外，电极焊盘22根据极性被分为阳极和阴极，并且阳极和阴极可以彼此电分离(或绝缘)。
多个电极焊盘22(例如，电极焊盘22R、电极焊盘22G、电极焊盘22B)中的每一个可以包括用于接合与多个子像素中的一个子像素(例如：红色、绿色和蓝色子像素之一)相对应的第一LED的第一区域111、121、131之一和用于在第一LED有缺陷的情况下接合与该子像素相对应的第二LED的第二区域112、122、132。
粘合层30可以形成在驱动电路层20上。粘合层30可以将转移到驱动电路层20上的多个LED 50附着在驱动电路层20上。为此，粘合层30可以被实现为具有粘合性的各种材料。
根据本公开的实施例的粘合层30包括各向异性导电膜(ACF)31(作为示例参照图3A、图5A、图9B)，并且ACF 31可以包括导电材料32。在这种情况下，多个LED 50可以经由热压工艺通过导电材料32电连接到多个电极焊盘22。
根据本公开的实施例的粘合层30包括非导电膜35(作为示例参照图3B、图5B、图8D、图9D、图11B)并且非导电膜35可以包括焊剂(未示出)。在这种情况下，施加在多个LED50中的每一个的电极上的凸块或施加在多个电极焊盘22上的凸块通过热压工艺熔化，并且多个LED 50可以通过熔化的凸块电连接到多个电极焊盘22。这里，当凸块熔化时产生的氧化膜可以通过焊剂去除。
多个LED 50可以通过热压工艺电连接到多个电极焊盘22。
具体地，在粘合层30通过热压工艺固化之前，粘合层30可以具有流动性(或可流动性)。在粘合层30通过热压工艺固化之后，粘合层30的流动性可以降低并且粘合层30的粘合性可以提高。
举例来说，当粘合层30通过热压工艺沿基板10的方向对转移到驱动电路层20上的多个LED 50加压时，由于粘合层30的流动性，多个LED 50将位于下部的粘合层30推向周围部分，并且因此，可以构成如下形式：其中多个LED 50中的一些LED被掩埋而多个LED 50中的其他LED基于粘合层30的纵向突出。这里，多个LED 50可以被加压以通过多个电极焊盘22与多个驱动电路21电连接。之后，当粘合层30固化时，多个LED 50可以固定在驱动电路21上，同时通过多个电极焊盘22与多个驱动电路21电连接。稍后将参照图3A和图3B对此进行更详细的说明。
多个LED 50中的每一个可以发出特定颜色的光。这里，多个LED 50中的每一个可以是其宽度、长度和高度的尺寸大于或等于1微米(μm)且小于或等于100微米的微型LED。
具体地，多个LED 50中的每一个可以发出光的三基色(例如，红色、绿色和蓝色)中的一种颜色的光，并形成子像素。这里，多个子像素可以指构成像素100的从属单元。
例如，红色LED 50R可以发出红色光并形成红色子像素，绿色LED50G可以发出绿色光并形成绿色子像素，蓝色LED 50B可以发出蓝色光并形成蓝色子像素。在这种情况下，通过组合从红色LED 50R、绿色LED50G和蓝色LED 50B发出的光，可以构成表现特定颜色和亮度的一个像素100。
为此，多个LED 50可以形成在粘合层30的对应于多个电极焊盘22的区域上。
具体地，多个LED 50可以形成在与多个电极焊盘22电连接的区域中。例如，多个LED 50可以形成在其中多个LED 50和驱动电路层20的多个电极焊盘22彼此直接接触或通过导电材料间接接触的区域中。
这里，其中多个LED 50与驱动电路层20的多个电极焊盘22电连接的区域可以是存在于多个电极焊盘22上的第一区域111、121、131或第二区域112、122、132。
参照图2C，每个LED 50可以包括第一半导体层51、第二半导体层53、发光层52和电极55。
第一半导体层51和第二半导体层53中的一个可以构成为n型半导体，且另一个可以构成为p型半导体。具体地，第一半导体层51和第二半导体层53可以构成为具有与光谱内的特定波长相对应的带隙能量(eV)的n型或p型的各种半导体。例如，第一半导体层51和第二半导体层53可以包括诸如GaAs、GaInN、AlInGaP、AlInGaN、GaP、GaN、SiC、蓝宝石(Al2O3)等的化合物中的至少一层，并且根据化合物和组成比，可以从有源层发射具有红色、绿色和蓝色波长的光，并且可以实现红色、绿色和蓝色的子像素。
发光层(或有源层)52可以指当第一半导体层51和第二半导体层53接合时在第一半导体层51和第二半导体层53之间形成的层。此外，发光层52可以包括具有单量子阱结构或多量子阱(MQW)结构的至少一个势垒层。
每个LED 50的电极55可以包括与驱动电路21之一的电极焊盘22之一的阳极和阴极中的每一个电连接的第一电极56和第二电极57。这里，根据第一半导体层51和第二半导体层53的类型(n型或p型)，第一电极56和第二电极57可以是n型电极和p型电极之一。
同时，多个LED 50中的每一个可以是其中电极55形成在下部的倒装芯片结构的微型LED。这里，倒装芯片结构可以指如图2C中这样的结构：其中第一电极56和第二电极57形成在LED 50之一的下表面上。也就是说，倒装芯片结构的微型LED的电极55可以形成在微型LED的下表面上，以便与驱动电路21之一的电极焊盘22之一相对。
然而，这仅仅是一个示例，并且显示模块可以被实现为修改为各种结构，例如其中第一电极56和第二电极57之一形成在LED 50之一的上表面和下表面中的每一个上的垂直结构、其中第一电极56和第二电极57都形成在LED 50的上表面上的结构等。
再次参照图2A和图2B，黑矩阵层60可以形成在多个LED 50之间形成的粘合层30上。
黑矩阵层60可以形成在粘合层30的除了接合多个LED 50的区域之外的其余区域中。即，黑矩阵层60可以覆盖粘合层30上的多个LED50未接合到的区域。这里，黑矩阵层60具有吸收光并呈现黑色的特性，并且其可以实施为各种材料，例如聚合物、金属氧化物等。此外，黑矩阵层60可以包括具有高电阻特性的材料。
随着通过热压工艺将附着于膜80(参见图10A)的黑矩阵层70(例如，黑矩阵形成层)(参见图10A)附着在形成于多个LED 50之间的粘合层30的区域(或称为“间隙区域”)上，并且将附着在多个LED 50上的黑矩阵层71、72(例如，黑矩阵形成层)(参见图11A和图12B)连同膜80一起去除，可以在多个LED 50之间的粘合层30上形成黑矩阵层60。这里，粘合层30与黑矩阵层60之间的粘合力可以比膜80与黑矩阵层60之间的粘合力强。稍后将参照图10A至图12C对此进行详细说明。
上述根据本公开的各个实施例的显示模块1可以克服由形成黑矩阵的一般方法产生的大部分问题。
具体地，根据本公开的实施例的显示模块1不使用诸如墨水的液体的印刷和曝光/显影工艺。因此，无需管理容差，例如印刷和曝光/显影工艺所需的对准容差、基板材料的容差、LED的连接位置的容差、印刷工艺中的容差、曝光/显影工艺中的容差、黑矩阵材料的容差等，并且可以简化工艺。
此外，由于不使用液体，因此不在多个LED 50上形成黑矩阵层60，由此，可以防止从多个LED 50发出的光被黑矩阵层60遮盖的缺陷。
此外，由于黑矩阵层60是通过在驱动电路层20的整个区域中形成粘合层30，将多个LED 50附着在粘合层30上，并利用粘合层30的暴露部分的粘合力而形成的，所以可以最小化其中在多个LED 50之间没有形成黑矩阵的BM开口区域的产生。即，通过在除了安装LED50的区域之外的所有区域中没有容差地形成黑矩阵层60，可以最大化其中形成黑矩阵层60的区域，并因此，可以最大化显示器的黑色表现力，并且显示器的对比度可以提高。
进一步地，在根据本公开的实施例的显示模块及其制造方法中，LED和驱动电路的电极焊盘在BM形成的同时电连接，并因此，具有简化工艺和降低成本的效果。
图3A和图3B为用于图示根据本公开的实施例的显示模块的连接方法的截面图。
根据本公开的实施例的显示模块1中包括的多个驱动电路21和多个LED 50可以通过各种方法彼此电连接(或接合)。
作为示例，参照图3A，粘合层30可以包括各向异性导电膜(ACF)31，并且ACF 31可以包括导电材料32。
这里，ACF 31可以指其中导电材料32被布置为分散的粘合膜。例如，ACF 31可以被实现为：普通ACF，其中ACF 31内部的导电材料32是随机分布的；或者对准ACF，其中ACF 31内部的导电材料32以特定间隔规则地布置。粘合膜可以被实现为具有粘合性的各种树脂。
这里，导电材料32可以以具有导电性的导电粒子或导电球的形式实现。此外，导电材料32可以以各种方式实现，例如其上涂覆有导电粒子的塑料等形式。例如，导电材料32可以被实现为具有导电性的各种材料，例如Au、Cu、Ni等。同时，导电材料32的形式可以通过加热或加压而改变。
同时，ACF 31的尺寸和厚度、导电材料32的尺寸和布置等可以被实现为根据LED50的尺寸和布置等进行各种修改。
在这种情况下，多个LED 50可以经由热压工艺通过导电材料32电连接到多个电极焊盘22。例如，形成在红色LED 50R下部的电极55R可以通过导电材料32与驱动电路21之一的电极焊盘22R电连接。此外，对于绿色LED 50G和蓝色LED 50B，可以以相同的方式应用对红色LED 50R的说明。参照图3A，每个电极焊盘22可以包括第一电极焊盘22-1和第二电极焊盘22-2。
作为与上述不同的示例，参照图3B，粘合层30可以包括非导电膜35，并且非导电膜35可以包括焊剂。这里，非导电膜35可以被实现为热固性膜，当焊接凸块40时，该热固性膜能够通过底部填充方法接合。
在这种情况下，施加在多个LED 50中的每一个的电极上的凸块或施加在多个电极焊盘22上的凸块通过热压工艺熔化，并且多个LED 50可以在凸块40处于熔化形式时通过凸块40电连接到多个电极焊盘22。
例如，形成在红色LED 50R下部的电极55R可以通过凸块40与驱动电路21之一的电极焊盘22R电连接。此外，对于绿色LED 50G和蓝色LED 50B，可以以相同的方式应用对红色LED 50R的说明。
这里，焊剂可以去除当凸块40熔化时产生的氧化膜。具体地，在凸块40熔化(或焊接)的情况下，焊剂可以去除凸块40表面上的污染物或氧化膜。为此，焊剂的主要成分可以是例如松脂，并且焊剂可以包括如下材料或由如下材料组成：包含少量卤素活化剂(例如氯、氟、溴等)的材料。
同时，凸块40可以通过丝网印刷等方式施加在LED 50的每个电极55或驱动电路21的电极焊盘22上，使得凸块40位于LED 50的每个电极55和驱动电路21的电极焊盘22之间。之后，随着温度通过热压工艺而升高到高于或等于凸块熔点的温度，凸块熔化，并且当温度稍后下降时，凝固的凸块接合在LED 50的每个电极55与驱动电路21的电极焊盘22之间，并且LED 50和驱动电路21可以彼此电连接。
为此，凸块40可以被实现为导电粉末等，并且可以被实现为例如诸如接合的Au-In、接合的Au-Sn、接合的Cu柱/SnAg凸块、接合的Ni柱/SnAg凸块等的各种材料。
同时，根据本公开的实施例的显示模块1可以具有用于在出现缺陷像素的情况下补偿缺陷像素的电极结构。在下文中，将参照图4A至图5B进行说明。图5A和图5B是图4A所示的显示模块的B1-B2线的截面图。图5A示出了其中根据本公开的实施例的粘合层30是ACF31并通过导电材料32连接的情况，并且图5B示出了其中根据本公开的实施例的粘合层30是非导电膜35并通过凸块40连接的情况。
参照图4A至图5B，多个电极焊盘22(例如，包括电极焊盘22R-1和电极焊盘22R-2)中的每一个可以包括用于接合与多个子像素中的一个子像素(红色、绿色和蓝色子像素之一)相对应的第一LED的第一区域111-1、111-2、121-1、121-2、131-1、131-2之一和用于在第一LED有缺陷的情况下接合与该子像素相对应的第二LED的第二区域112-1、112-2、122-1、122-2、132-1、132-2之一。
同时，第一区域111-1、111-2、121-1、121-2、131-1、131-2用于以像素为单位划分显示模块，并且除特殊情况外，第一区域111-1、111-2、121-1、121-2、131-1、131-2具有彼此相同的结构和功能。同样，除特殊情况外，第二区域112-1、112-2、122-1、122-2、132-1、132-2也可以具有彼此相同的结构和功能。
这里，第二LED可以是发出与第一LED相同颜色的光的LED。例如，第一LED和第二LED可以是发出与子像素相对应的相同颜色(例如，红色、绿色和蓝色之一)的光的LED。
参照图4A、图5A及图5B，显示模块1可以包括基板10、驱动电路层20(作为示例参照图2B)、粘合层30(作为示例参照图2B)、接合到粘合层30上第一像素100-1的第一区域111-1、121-1、131-1的多个第一LED(例如红色LED 50R-1、绿色LED 50G-1、蓝色LED 50B-1)、接合到粘合层30上第二像素100-2的第一区域111-2、121-2、131-2的多个第一LED(例如红色LED 50R-2、绿色LED 50G-2、蓝色LED 50B-2)以及黑矩阵层60。
接合到第一像素100-1的第一区域111-1、121-1、131-1的多个第一LED(例如，红色LED 50R-1、绿色LED 50G-1、蓝色LED 50B-1)可以对应于构成第一像素100-1的多个子像素(红色、绿色和蓝色的子像素)。而且，接合到第二像素100-2的第一区域111-2、121-2、131-2的多个第一LED(例如，红色LED 50R-2、绿色LED 50G-2、蓝色LED 50B-2)可以对应于构成第二像素100-2的多个子像素(红色、绿色和蓝色的子像素)。
同时，黑矩阵层60可以形成在粘合层30上除了形成多个第一LED(例如，红色LED50R-1、绿色LED 50G-1、蓝色LED 50B-1、红色LED 50R-2、绿色LED 50G-2、蓝色LED 50B-2)的区域之外的其余区域中。
同时，图5A和图5B等中所示的黑矩阵层60的厚度(或高度)仅是示例，不限于此，并且可以被实现为各种变型，例如黑矩阵层60的上部根据多个LED 50的厚度(或高度)变得平坦而没有高度差的情况或者黑矩阵层60具有与LED 50的厚度相同的厚度的情况。
同时，多个电极焊盘22(例如，分别对应于第一红色LED的电极焊盘22R-1和电极焊盘22R-2)中的每一个的尺寸分别大于第一LED(例如，红色LED 50R-1、绿色LED 50G-1、蓝色LED 50B-1、红色LED 50R-2、绿色LED 50G-2、蓝色LED 50B-2)的尺寸。即，第一区域(例如，第一区域111-1、111-2、121-1、121-2、131-1、131-2)和第二区域(例如，第二区域112-1、112-2、122-1、122-2、132-1、132-2)中的每一个可以具有用于安装第一LED或第二LED的尺寸的尺寸。
此外，多个电极焊盘22中的每一个的第一区域(例如，第一区域111-1、111-2、121-1、121-2、131-1、131-2)和第二区域(例如，第二区域112-1、112-2、122-1、122-2、132-1、132-2)可以彼此电连接。即，每个电极焊盘22可以形成为在一个方向(例如，宽度方向等)上是长的。
同时，参照图4B，将通过假设在图4A所示的多个第一LED中，接合到第一像素100-1的第一区域121-1的绿色LED 50G-1和接合到第二像素100-2的第一区域111-2的红色LED50R-2有缺陷的情况来进行说明。
这里，可以通过在显示模块1中包括接合到第一像素100-1的第二区域122-1的绿色LED 50G-3和接合到第二像素100-2的第二区域112-2的红色LED 50R-3来代替有缺陷的第一像素100-1的绿色LED 50G-1和第二像素100-2的红色LED 50R-2。这里，可以通过激光方法等去除有缺陷的第一像素100-1的绿色LED 50G-1和第二像素100-2的红色LED 50R-2。
在这种情况下，黑矩阵层60也可以形成在粘合层30上除了形成多个第一LED(例如，红色LED 50R-1、绿色LED 50G-1、蓝色LED 50B-1、红色LED 50R-2、绿色LED 50G-2、蓝色LED 50B-2)的区域之外的其余区域中。
图6为用于图示根据本公开的实施例的制造显示面板的方法的流程图。
参照图6，根据本公开的包括多个像素(例如，包括第一像素100-1和第二像素100-2)的显示模块1的制造方法可以包括以下步骤：在基板10上形成包括多个驱动电路21以及与多个驱动电路21中的每一个电连接的多个电极焊盘22的驱动电路层20(S610)；在驱动电路层20上形成粘合层30(S620)；将多个LED 50中的每一个转移到粘合层30的与多个电极焊盘22对应的区域上(S630)；将附着于膜80的黑矩阵层70附着在形成于多个LED 50之间的粘合层30和多个LED 50上(S640)；以及将附着在多个LED 50上的黑矩阵层71、72连同膜80一起去除，从而在形成于多个LED 50之间的粘合层30上形成黑矩阵层60(S650)。
这里，多个像素(例如，包括第一像素100-1和第二像素100-2)中的每一个可以包括多个子像素，并且多个电极焊盘22中的每一个可以包括用于接合与多个子像素中的子像素相对应的第一LED的第一区域111、121、131之一和用于在第一LED有缺陷的情况下接合与该子像素相对应的第二LED的第二区域112、122、132之一。
下面将结合附图对根据本公开的显示模块的制造方法的每个步骤进行描述。
图7A至图7C为用于图示根据本公开的实施例的驱动电路层的示意图。这里，图7B和图7C是图7A中的C1-C2线的截面图。
参照图7A至图7C，首先，在操作S610，可以在基板10上形成驱动电路层20。这里，驱动电路层20可以包括多个驱动电路21和与多个驱动电路21中的每一个电连接的多个电极焊盘22。
多个驱动电路21构成为用于传输驱动信号以使多个LED 50发光的电路，并且可以通过诸如钻孔、电镀、曝光、蚀刻、层压等各种工艺形成。多个驱动电路21可以根据电路的设计被实现为各种形式的电路。
多个电极焊盘22与多个驱动电路21电连接，并且可以被实现为具有高导电性的各种材料，例如Cu、Au、Ag、氧化铟锡(ITO)等。
为此，多个电极焊盘22可以通过电镀工艺、沉积工艺、溅射工艺等形成。此外，多个电极焊盘22可以形成在用于接合(或转移)多个LED 50的位置中。
而且，多个电极焊盘22中的每一个可以包括用于接合与多个子像素中的一个子像素相对应的第一LED的第一区域111-1、111-2、121-1、121-2、131-1、131-2之一和用于在第一LED有缺陷的情况下(作为示例参照图7A和图8A)接合与该子像素相对应的第二LED的第二区域112-1、112-2、122-1、122-2、132-1、132-2之一。这里，第二LED可以是发出与第一LED相同颜色的光的LED。
这里，多个电极焊盘22中的每一个的尺寸大于第一LED的尺寸。即，第一区域111、121、131和第二区域112、122、132中的每一个可以具有用于安装第一LED或第二LED的尺寸的尺寸。
此外，多个电极焊盘22中的每一个的第一区域111、121、131中的第一区域和第二区域112、122、132中的第二区域可以彼此电连接。即，每个电极焊盘22可以形成为在一个方向(例如：宽度方向等)上是长的。
同时，根据本公开的一个实施例，如图7B所示，多个电极焊盘22可以形成为在驱动电路层20的上表面上突出，或者根据本公开的另一实施例，如图7C所示，多个电极焊盘22可以形成为不在驱动电路层20的上表面上突出(即，平坦的，而与驱动电路层20的上表面没有高度差)。
图8A至图8D为用于图示根据本公开的实施例的形成粘合层的方法的示意图。这里，图8B示出了其中根据本公开的实施例的粘合层30是ACF 31的情况，并且图8C和图8D示出了其中根据本公开的实施例的粘合层30是非导电膜35的情况。这里，图8B至图8D是根据实施例的图8A中的D1-D2线的截面图。
参照图8A至图8D，在操作S610之后，在操作S620可以在驱动电路层20上形成粘合层30。
例如，粘合层30可以形成为层压在驱动电路层20上的粘合膜(未示出)。这里，粘合膜可以是图8B所示的ACF 31或图8C和图8D所示的非导电膜35。
这里，层压可以指通过在作为对象的物体的表面上覆盖膜来形成层的方法。具体地，层压可以采用使位于驱动电路层20上的粘合膜与驱动电路层20一起通过辊并且将粘合膜附着在驱动电路层20上的辊式层压法、通过真空方式在驱动电路层20上附着粘合膜的真空层压法等。然而，这些只是示例，并且层压不限于此，而可以通过各种方式实现，例如辊、真空、加热或冷却或其组合。
同时，在驱动电路层20上附着粘合膜后，若粘合膜与驱动电路层20之间存在气泡，则可以通过使用高压釜方法去除气泡。例如，可以通过在保持温度恒定的同时施加压力的恒温加压过程或在升高温度的同时施加压力的加热加压过程等去除气泡。
参照图8B，示出了根据本公开的实施例的粘合层30是ACF 31的情况。
参照图8B，如上形成在驱动电路层20上的ACF 31可以包括导电材料32。这里，导电材料32可以随机地布置或以规则间隔布置，并且一些导电材料32可以布置在电极焊盘22上。
参照图8C和图8D，示出了根据本公开的实施例的粘合层30是非导电膜35的情况。
参照图8C和图8D，非导电膜35可以包括焊剂。这里，焊剂可以去除当凸块40熔化时产生的氧化膜。
为此，凸块40可以施加在多个LED 50(例如，图9C和图10B中所示的红色LED 50R、绿色LED 50G、蓝色LED 50B)中的每一个的电极上，或者施加在多个电极焊盘22上(参见图8D、图9D、图10C)。在这种情况下，可以如图8C所示在驱动电路层20上形成粘合层30之后(在操作S620之后)施加凸块40，或者也可以如图8D所示在驱动电路层20上形成粘合层30之前(在操作S620之前)施加凸块40。
图9A至图9D为用于图示根据本公开的实施例的转移LED的方法的示意图。这里，图9B示出了其中根据本公开的实施例的粘合层30是ACF 31的情况，并且图9C和图9D示出了其中根据本公开的实施例的粘合层30是非导电膜35的情况。这里，图9B至图9D是根据实施例的图9A中的E1-E2线的截面图。
参照图9A至图9D，在操作S620之后，在操作S630，可以将多个LED 50(例如，红色LED 50R、绿色LED 50G、蓝色LED 50B)中的每一个转移到粘合层30的与多个电极焊盘22相对应的区域。这里，多个LED 50中的每一个可以是其中电极55(例如，红色LED 50R的电极55R)形成在下部的倒装芯片结构的微型LED。
具体地，多个LED 50可以被转移到粘合层30的与多个电极焊盘22相对应的区域，使得它们通过操作S640与多个电极焊盘22电连接。
例如，多个LED 50可以形成在其中多个LED 50的电极焊盘和驱动电路21的多个电极焊盘22彼此直接接触或通过导电材料间接接触的区域中。这里，导电材料可以是导电材料32或凸块40。
这里，其中多个LED 50和驱动电路21的多个电极焊盘22电连接的区域可以是存在于多个电极焊盘22上的多个像素(例如，包括第一像素100-1和第二像素100-2)中的每一个的第一区域111、121、131中的第一区域或多个像素(例如，包括第一像素100-1和第二个像素100-2)中的每一个的第二区域112、122、132中的第二区域。
图10A至图10C为用于图示根据本公开的实施例的附着膜的方法的示意图。图11A和图11B为用于图示根据本公开的实施例的形成黑矩阵层的方法的示意图。这里，图10A和图11A示出了其中根据本公开的实施例的粘合层30是ACF 31的情况，并且图10B、图10C和图11B示出了其中根据本公开的实施例的粘合层30是非导电膜35的情况。
参照图10A至图10C，在操作S630之后，在操作S640，可以将附着于膜80的黑矩阵层70附着在形成于多个LED 50(例如，红色LED 50R、绿色LED 50G、蓝色LED 50B)之间的粘合层30的区域(或称为“间隙区域”)和多个LED 50上。
这里，通过热压工艺，黑矩阵层60可以附着在形成于多个LED 50R、50G、50B之间的粘合层30和多个LED 50R、50G、50B上。
此处，热压工艺可以指将黑矩阵层70定位在形成于多个LED 50之间的粘合层30和多个LED 50上，并在基板10的方向上对附着在黑矩阵层70上的膜80施加压力和热量的方法，如图10A至图10C所示。
为此，膜80可以是具有耐热性的离型膜，并且其可以被实现为例如包括诸如聚四氟乙烯、聚酰亚胺、聚烯烃等聚合物中的至少一种在内的膜。
之后，当通过热压工艺施加热量和压力时，可以制成图11A至图11B所示的形式。
在下文中，将参照图11A说明其中粘合层30包括ACF 31的情况。这里，ACF 31可以包括导电材料32，并且导电材料32可以以诸如其上涂覆有导电粒子的塑料等的形式来实现。
在这种情况下，通过热压工艺，黑矩阵层71(先前称为黑矩阵层70)可以附着在形成于多个LED 50(例如，红色LED 50R、绿色LED 50G、蓝色LED 50B)之间的粘合层30和多个LED 50上，并且多个LED 50中的每一个可以通过导电材料32电连接到多个电极焊盘22。
这里，多个LED 50和多个电极焊盘22可以分别接触存在于它们之间的导电材料32，因此，多个LED 50可以通过导电材料32与多个电极焊盘22电连接。
此外，ACF 31可以通过热压工艺固化，并且其粘合力可以提高。
在下文中，将参照图11B说明其中粘合层30包括非导电膜35的情况。这里，非导电膜35可以包括焊剂，并且焊剂可以去除当凸块40熔化时产生的氧化膜。
在这种情况下，通过热压工艺，黑矩阵层71(先前称为黑矩阵层70)可以附着在形成于多个LED 50之间的粘合层30和多个LED 50上，并且施加在多个LED 50中的每一个的电极上的凸块40或施加在多个电极焊盘22上的凸块40可以熔化，并且多个LED 50中的每一个可以在凸块40处于熔化形式时通过凸块40电连接到多个电极焊盘22。
这里，当凸块40熔化时，可以在表面上产生氧化膜。在这种情况下，凸块40的氧化膜(或表面的氧化膜)可能产生这样的问题：构成凸块40的焊料的润湿性降低，并且在凸块40和电极之间产生间隙并且接合强度降低。
在这种情况下，当凸块40熔化时产生的氧化膜可以通过焊剂去除。此外，焊剂可以去除氧化膜，或者以物理化学方式防止氧化膜的产生。
图12A至图12C为用于图示根据本公开的实施例所制造的显示模块的示意图。这里，图12B示出了其中根据本公开的实施例的粘合层30是ACF 31的情况，并且图12C示出了其中根据本公开的实施例的粘合层30是非导电膜35的情况。这里，图12B至图12C是根据实施例的图12A中的F1-F2线的截面图。
参照图12A至图12C，在操作S640之后，在操作S650，可以将附着在多个LED 50(例如，红色LED 50R、绿色LED 50G、蓝色LED 50B)上的黑矩阵层72(例如，黑矩阵层71的一部分)与膜80一起去除，并且可以在形成于多个LED 50之间的粘合层30上形成黑矩阵层60(例如，黑矩阵层71的剩余部分)。
此处，粘合层30与附着在粘合层30上的黑矩阵层60之间的粘合力可以比膜80与附着于膜80的黑矩阵层72之间的粘合力强。因此，当膜80被去除时，附着在粘合层30上的黑矩阵层60可以保留。
此外，多个LED 50与附着在多个LED 50上的黑矩阵层72之间的粘合力可以比膜80与黑矩阵层72之间的粘合力弱。因此，当膜80被去除时，附着在多个LED 50上的黑矩阵层72可以与膜80一起被去除。
根据上述本公开的实施例，因为黑矩阵层60是通过在驱动电路层20的整个区域中形成粘合层30，将多个LED 50附着在粘合层30上，并使用粘合层30的暴露部分的粘合力而形成的，所以可以最小化其中在多个LED 50之间不形成黑矩阵的BM开口区域的产生。即，通过在除安装LED的区域之外的所有区域中无容差地形成黑矩阵层60，可以最大化其中形成黑矩阵层60的区域，并因此，显示器的黑色表现力可以最大化，并且显示器的对比度可以提高。
此外，在根据本公开的实施例的显示模块及其制造方法中，LED和驱动电路的电极焊盘在BM形成的同时电连接，并因此，具有简化工艺和降低成本的效果。
图13A至图13C为用于图示根据本公开的实施例的形成黑矩阵层的方法的示意图。参照图13A，当在操作S650去除附着在多个LED 50(例如，红色LED 50R、绿色LED 50G、蓝色LED 50B)上的黑矩阵层72′时，可能会出现黑矩阵层72′的一部分保留在多个LED 50上的情况。
在这种情况下，如图13B所示，可以将胶带90附着在形成于多个LED 50之间和之上的黑矩阵层72′上。
之后，如图13C所示，保留在多个LED 50上的黑矩阵层73′可以与胶带90一起被去除。
这里，胶带90与黑矩阵层72′之间的粘合力可以比黑矩阵层72′与粘合层30之间的粘合力弱。因此，当胶带90被去除时，黑矩阵层72′的附着在粘合层30上的一部分(例如，黑矩阵层60′)可以保留。
此外，多个LED 50与附着在多个LED 50上的黑矩阵层72′之间的粘合力可以比胶带90与黑矩阵层72′之间的粘合力弱。因此，当胶带90被去除时，黑矩阵层72′的附着在多个LED 50上的一部分(黑矩阵层73′)可以与胶带一起被去除。
同时，在图13A至图13C中，示出了其中粘合层30包括各向异性导电膜(ACF)31的实施例，但这仅仅是示例，并且还可以实现其中粘合层30包括非导电膜35的实施例。
根据上述本公开的实施例，黑矩阵层60并未形成在多个LED 50上，并且借此，能够防止从多个LED 50发出的光被黑矩阵层60遮盖的缺陷。
此外，根据本公开的上述各种实施例，在显示模块及其制造方法中，在不包括LED的区域中无容差地形成BM层，因此可以最大化黑色的表现力，并且可以提高显示器的对比度。
另外，在根据本公开的实施例的显示模块及其制造方法中，LED和驱动电路的电极焊盘在大面积地形成BM的同时一体地连接，并因此，具有简化工艺和降低成本的效果。
根据本公开的显示模块可以通过安装在可穿戴设备、便携式设备、手持式设备以及需要在单个单元中进行各种类型显示的电子产品或电子组件中而得以应用。此外，通过在多个单元中进行组装布置(矩阵型等)，显示模块可以应用于诸如个人计算机(PC)的监视器、移动电话、高分辨率电视和标牌、电子板等的显示设备。
本公开的各种实施例可以被实现为包括存储在机器可读存储介质中的指令的软件，其可以被机器(例如：计算机)读取。机器是指调用存储介质中存储的指令，并能够根据被调用的指令进行操作的设备，并且该设备可以包括根据上述实施例的电子设备。在指令由处理器执行的情况下，处理器可以自己执行与指令相对应的功能，或者通过使用在其控制下的其他组件来执行与指令相对应的功能。指令可以包括由编译器或解释器生成或执行的代码。可由机器读取的存储介质可以以非暂态的存储介质的形式提供。在此，术语“非暂态”仅表示存储介质不包含信号，是有形的，而不表示数据是半永久性地还是临时地存储在存储介质中。
此外，可以在被包括在计算机程序产品中的同时提供根据本公开的各种实施例的方法。计算机程序产品是指一种产品，它可以在卖方和买方之间交易。计算机程序产品可以以机器可读的存储介质(例如：光盘只读存储器(CD-ROM))的形式或通过应用商店(例如：PlayStoreTM)在线分发。在在线分发的情况下，计算机程序产品的至少一部分可以至少临时存储在诸如制造商的服务器、应用商店的服务器和中继服务器的存储器等存储介质中，或可以临时地生成。
此外，根据本公开的各种实施例的每个组件(例如：模块或程序)可以包括单个对象或多个对象或由单个对象或多个对象组成。此外，在上述子组件中，可以省略一些子组件，或者在各个实施例中还可以包括其他子组件。一般地或另外地，一些组件(例如：模块或程序)可以被集成为对象，并且以相同或类似的方式执行由每个组件在集成之前执行的功能。由根据各种实施例的模块、程序或其他组件执行的操作可以顺序地、并行地、重复地或启发式地执行。或者，可以以不同的顺序执行或省略至少一些操作，或者可以添加其他操作。

Claims (15)

1.一种制造包括多个像素的显示模块的方法，所述方法包括：
在基板上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括多个驱动电路以及与所述多个驱动电路电连接的多个电极焊盘；
在所述驱动电路层上形成粘合层；
将多个发光二极管LED中的每一个转移到所述粘合层的与所述多个电极焊盘中的相应电极焊盘相对应的相应区域上；以及
通过以下方式在所述多个LED之间的所述粘合层上形成黑矩阵层：
将附着于膜的黑矩阵形成层附着到所述多个LED上并附着到所述粘合层的形成于所述多个LED之间的部分上，以及
将所述黑矩阵形成层的附着在所述多个LED上的第一部分连同所述膜一起去除，使得所述黑矩阵形成层的第二部分保留在所述多个LED之间作为所述黑矩阵层，
其中所述多个像素中的每个像素包括多个子像素，并且
其中所述多个电极焊盘中的每一个包括用于接合与所述多个子像素中的子像素相对应的第一LED的第一区域和用于基于所述第一LED有缺陷而接合与该子像素相对应的第二LED的第二区域。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述附着包括：
通过热压工艺将所述黑矩阵形成层附着到所述粘合层的形成于所述多个LED之间的所述部分上，并附着到所述多个LED上。
3.根据权利要求2所述的方法，其中
所述粘合层包括包含导电材料的各向异性导电膜ACF，以及
所述附着还包括：通过所述导电材料将所述多个LED中的每一个电连接到所述多个电极焊盘。
4.根据权利要求2所述的方法，其中
所述粘合层包括包含焊剂的非导电膜，
所述附着还包括：
熔化凸块，所述凸块施加在所述多个LED中的每一个的电极上或施加在所述多个电极焊盘上，以及
在所述凸块处于熔化形式时通过所述凸块将所述多个LED中的每一个电连接到所述多个电极焊盘，以及
所述焊剂被配置为去除当所述凸块熔化时产生的氧化膜。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述粘合层与所述黑矩阵形成层之间的粘合力比所述膜与所述黑矩阵形成层之间的粘合力强。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述去除包括：
在从所述黑矩阵形成层去除所述膜后，将胶带附着到所述黑矩阵形成层上，以及
将所述黑矩阵形成层的附着在所述多个LED上的剩余部分连同所述胶带一起从所述多个LED去除，使得所述黑矩阵形成层的所述第二部分保留在所述多个LED之间作为所述黑矩阵层，
其中所述胶带与所述黑矩阵形成层之间的粘合力比所述黑矩阵形成层与所述粘合层之间的粘合力弱。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二LED被配置为发出与所述第一LED相同颜色的光。
8.根据权利要求1所述的方法，其中
所述多个电极焊盘中的每一个的尺寸大于所述第一LED的尺寸，并且
所述第一区域和所述第二区域电连接。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个LED中的每一个是倒装芯片结构的微型LED，其中电极形成在所述倒装芯片结构的下部。
10.一种显示模块，包括：
基板；
驱动电路层，形成在所述基板上，所述驱动电路层包括多个驱动电路以及与所述多个驱动电路电连接的多个电极焊盘；
粘合层，形成在所述驱动电路层上；
多个发光二极管LED，所述多个LED中的每一个形成在所述粘合层的与所述多个电极焊盘中的相应电极焊盘相对应的相应区域上；以及
黑矩阵层，形成在位于所述多个LED之间的所述粘合层上，
其中所述显示模块被配置为包括多个像素，所述多个像素包括多个子像素，并且
所述多个电极焊盘中的每一个包括用于接合与所述多个子像素中的子像素相对应的第一LED的第一区域和用于基于所述第一LED有缺陷而接合与该子像素相对应的第二LED的第二区域。
11.根据权利要求10所述的显示模块，其中所述黑矩阵层通过以下方式形成在位于所述多个LED之间的所述粘合层上：
通过热压工艺将附着于膜的黑矩阵形成层附着到所述粘合层的形成于所述多个LED之间的部分上，并附着到所述多个LED上，以及
将所述黑矩阵形成层的附着在所述多个LED上的第一部分连同所述膜一起从所述多个LED去除，使得所述黑矩阵形成层的第二部分保留在所述多个LED之间作为所述黑矩阵层。
12.根据权利要求11所述的显示模块，其中所述多个LED通过所述热压工艺电连接到所述多个电极焊盘。
13.根据权利要求12所述的显示模块，其中
所述粘合层包括包含导电材料的各向异性导电膜ACF，以及
所述多个LED经由所述热压工艺通过所述导电材料电连接到所述多个电极焊盘。
14.根据权利要求12所述的显示模块，其中
所述粘合层包括包含焊剂的非导电膜，
凸块被施加在所述多个LED中的每一个的电极上或被施加在所述多个电极焊盘上，所述凸块通过所述热压工艺熔化，
所述多个LED在所述凸块处于熔化形式时通过所述凸块电连接到所述多个电极焊盘，以及
所述焊剂被配置为去除当所述凸块熔化时产生的氧化膜。
15.根据权利要求11所述的显示模块，其中，所述粘合层与所述黑矩阵形成层之间的粘合力比所述膜与所述黑矩阵形成层之间的粘合力强。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115273685A (zh) * 2022-08-17 2022-11-01 业成科技（成都）有限公司 发光二极管显示器

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113725248A (zh) * 2021-08-24 2021-11-30 上海天马微电子有限公司 显示装置及其制作方法
WO2023042837A1 (ja) * 2021-09-17 2023-03-23 積水化学工業株式会社 Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄモジュールの製造方法及びｌｅｄ表示装置
CN113921555B (zh) * 2021-09-30 2023-10-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光基板的制作方法及发光基板
WO2023153590A1 (ko) * 2022-02-11 2023-08-17 엘지전자 주식회사 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
WO2023189420A1 (ja) * 2022-03-29 2023-10-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及び表示装置の製造方法
WO2023234540A1 (ko) * 2022-05-31 2023-12-07 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈을 포함하는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
JP2024017711A (ja) * 2022-07-28 2024-02-08 デクセリアルズ株式会社 発光装置の製造方法及び黒色転写フィルム
WO2024075991A1 (ko) * 2022-10-04 2024-04-11 삼성전자 주식회사 마이크로-엘이디를 포함하는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101111112B1 (ko) 2009-04-21 2012-02-13 황장환 영상표시장치의 제조방법
US20110146889A1 (en) 2008-10-01 2011-06-23 Jang Hwan Hwang Method for manufacturing display device with optical/electronic structures
JP4832500B2 (ja) 2008-12-01 2011-12-07 シャープ株式会社 電子素子ウエハモジュールの製造方法および光学素子ウエハモジュールの製造方法
KR101476207B1 (ko) * 2012-06-08 2014-12-24 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR101422037B1 (ko) 2012-09-04 2014-07-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR101476686B1 (ko) 2013-04-01 2014-12-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR102135360B1 (ko) 2013-11-18 2020-07-17 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US9831387B2 (en) 2014-06-14 2017-11-28 Hiphoton Co., Ltd. Light engine array
KR20170019408A (ko) 2014-06-10 2017-02-21 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 Uv 차단성을 갖는 가요성 led 조립체
JP6558034B2 (ja) 2015-04-03 2019-08-14 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子用のフレキシブル多層回路基板及びそれを用いたｌｅｄドットマトリックス表示装置
KR20180055549A (ko) 2016-11-17 2018-05-25 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20180071743A (ko) * 2016-12-20 2018-06-28 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 칩 및 이를 포함하는 발광 다이오드 디스플레이 장치
KR102316326B1 (ko) 2017-03-07 2021-10-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
KR102436750B1 (ko) 2017-09-15 2022-08-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR102404905B1 (ko) 2017-11-10 2022-06-07 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US10964674B2 (en) 2018-02-06 2021-03-30 Lumens Co., Ltd. Micro-LED display panel
KR102617483B1 (ko) 2018-03-16 2023-12-26 주식회사 루멘스 마이크로 led 디스플레이 패널
KR102642331B1 (ko) 2019-07-03 2024-03-04 삼성전자주식회사 마이크로 led 디스플레이 모듈 및 이를 제조하는 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115273685A (zh) * 2022-08-17 2022-11-01 业成科技（成都）有限公司 发光二极管显示器

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