CN113973437A

CN113973437A - 一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法

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Publication number: CN113973437A
Application number: CN202111057189.4A
Authority: CN
Inventors: 齐朋伟; 吕吉庆; 王小东; 张�杰; 杨红光; 金荣涛
Original assignee: Gansu Defu New Material Co ltd; Jiujiang Defu Technology Co Ltd
Current assignee: Gansu Defu New Material Co ltd; Jiujiang Defu Technology Co Ltd
Priority date: 2021-09-09
Filing date: 2021-09-09
Publication date: 2022-01-25
Anticipated expiration: 2041-09-09
Also published as: CN113973437B

Abstract

本发明公开了一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法，以为高速高频信号用的印刷线路板提供一种具有较低的轮廓度且同时满足抗剥离性能要求的原料铜箔，更为5G通讯提供一种不含铁磁性金属元素、具有出色的PIM性能的铜箔。方法包括：在含铜电解溶液中，加入分散剂和纳米氧化铝颗粒，使其充分混合，在铜箔表面进行电化学共沉积，形成高比表面积结构的金属复合沉积层。依次在该复合层上电镀铜层、锌层和铬层，然后涂覆硅烷偶联剂，形成完整的处理层。该处理层具有厚度小，比表面积大，粗糙度低，抗剥离强度高的特点。工艺简单，能够满足高频高速信号的无源互调PIM功能，在5G高频高速通讯领域存在可观的应用前景。

Description

一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法

技术领域

本发明属于铜箔表面处理技术领域，具体涉及一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法。

背景技术

高速高频交流信号在印刷线路板的线路上传输时，铜箔内部电流分布不均匀，电流集中在导体外表的薄层，这一现象称为趋肤效应。研究表明：传输的信号频率越高，趋肤效应越明显。由于趋肤效应，高频信号集中在铜箔的外层表面，传输的有效截面积变小，导致铜箔表层的电阻变大，信号传输损失增加。同时由于铜箔表面电阻升高，导致铜箔中传输的高频信号以热能形式散失比例升高。

故高速高频信号传输聚集于铜箔表层进行，为了降低趋肤效应对信号传输的不利影响，要求铜箔具备较低的表面粗糙度，而且表面处理层的厚度尽可能小。而限制铜箔粗糙度降低的因素主要为是因为：

印刷线路板中为了增加铜箔与板材的结合能力，需要对铜箔表面进行粗化增强处理，处理层厚度一般不低于5 μm。但铜箔表面的粗糙度越大时，高频率信号传输损失相应越大。为了减少高频电路的信号传输损失，传统方法一般采用低轮廓度铜箔，但这种处理又会引发另一个问题，当铜箔的粗糙度越低，铜箔与基板的粘结强度(抗剥离强度)就越低。

也就是说，铜箔表面的粗糙度过大，就无法满足高速高频交流信号在印刷线路板的线路上传输的信号保真，而为了高频率信号传输损失小，降低铜箔表面的粗糙度时，又会引发铜箔与基板的粘结强度变小。这两个问题无法同时解决。

除了铜箔粗糙度对高速高频交流信号的影响，在对铜箔表面进行粗化增强处理的处理层本身由多种金属和金属氧化物组成，其电阻高于纯铜基体，铜箔表层的电阻变大时，会进一步加剧了信号的损耗。

尤其是经典的铜箔表面处理过程中会在表面处理层中引入镍、钴等铁磁性金属元素，这些铁磁性成分会在一定程度上对基板的无源互调PIM(passive inter-modulation)性能产生不利的影响。而5G通讯用的射频-微波电路基板(如毫米波车载雷达用基板)所用的铜箔，要求表面处理层不能含有镍、钴、铁等铁磁性元素。

基于以上传统铜箔表面处理方法不能为高速高频信号用的印刷线路板提供一种具有较低的轮廓度且同时满足抗剥离性能要求的原料铜箔，更是无法为5G通讯提供一种不含铁磁性金属元素、具有出色的PIM性能的铜箔，本领域技术人员研发了一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法，以解决背景技术中提出的问题。

为了解决以上问题，本发明技术的方案分为以下步骤：

一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法，该方法为以下步骤：

步骤A、制备粗化电解液：

将溶铜罐中的主电解液经多级过滤，先用纳米氧化铝颗粒的分散剂（1）配置分散液（2），再将纳米氧化铝颗粒分散于分散液（2）中，得到纳米氧化铝颗粒分散液（3），充分混合均匀后加入到主电解液中制得粗化电解液。

步骤B、粗化处理：

将步骤A中所得粗化电解液均匀进液到电解槽中，以待处理的铜箔为阴极，在铜箔的毛面电沉积铜-三氧化铝复合处理层。

步骤C、固化处理：

为防止步骤B在毛面形成的颗粒状结晶脱落，在铜-氧化铝复合处理层表面进一步进行层状镀铜，使铜-氧化铝复合处理层表面上覆盖结构稳定的致密铜层；

步骤D、灰化处理：

为提升步骤C中铜箔的耐化学性能及耐高温性能，在铜箔毛面和铜箔光面同时镀覆锌层；

步骤E、钝化处理：

为提升步骤D中铜箔的抗氧化性能，对镀覆锌层的铜箔毛面和铜箔光面同时进行镀覆铬层，提高铜箔的耐候性；

步骤F、涂覆处理：

为提升步骤E中铜箔与基材的化学结合力，对进行铜-氧化铝复合处理的铜箔毛面涂覆硅烷偶联剂；

步骤G、烘干处理；

将步骤E中经过多层表面处理的铜箔的残余水分和硅烷偶联剂在烘箱中烘干。

进一步的，步骤A中的主电解液的主要成分为酸性硫酸铜或焦磷酸铜。

进一步的，步骤A中纳米氧化铝颗粒的分散剂（1）为十二烷基苯磺酸钠(SDBS)，十二烷基硫酸钠(SDS)，柠檬酸三钠、十六烷基三甲基溴化铵(CBTA)、聚乙二醇中的其中一种或多种的组合。

进一步的，步骤A中纳米三氧化铝颗粒的分散剂（1）的用量为纳米三氧化铝颗粒重量的1.5-5.5%。

进一步的，步骤A中分散剂在分散液（2）中的浓度为20-30wt%。

进一步的，步骤A中制得的纳米氧化铝颗粒分散液（3）中纳米氧化铝的浓度在5-25wt%之间。

进一步的，步骤B的电解槽中粗化电解液的温度控制在在25-40℃之间，优选30-35℃。

进一步的，步骤B中电流密度为1500-2500 A/m²，处理时间为2-6 s。

进一步的，步骤B中所得铜箔的表面沉积铜-三氧化铝复合处理层中的三氧化铝纳米颗粒为球形均匀分散状态，粒径在20-50 nm之间；该层中三氧化铝的含量为0.5-5 wt%。

进一步的，步骤B中处理的铜箔厚度为12-105 μm。

本发明的有益效果如下：

（1）本发明方法在铜箔的毛面电沉积铜-三氧化铝复合处理层，增加了铜箔表面粗糙度；进一步在粗糙化的毛面加入了固化处理环节，增强铜瘤处理层与基体铜层之间的结合强度；配合铜箔的光面和毛面灰化镀覆锌层处理，进一步提升了铜箔的耐化学性能及耐高温性能；接下来在光面和毛面的钝化铬层镀覆处理，有利于改善铜箔在室温下的耐候性、延长铜箔的保质期；最后在毛面的硅烷偶联剂涂覆处理，旨在提升处理面与树脂基材之间的结合性能，这一结构模型如图1所示。

经过以上一系列的工艺方法配套使用，大大改善了铜箔的性能，使其能够在兼顾表面粗糙度与抗剥离性能的改善，更加适宜于高速高频信号用的印刷线路板对于铜箔的要求，即具有较低的轮廓度的同时满足抗剥离性能要求。

（2）本发明方法生产的铜箔，性能提升显著，与采用传统的表面处理工艺的铜箔相比，采用同样的电解生箔(表面处理前的半成品)原料，本发明方法处理后的铜箔表面能达到粗糙度下降50%，表面处理层厚度减薄30%的同时，抗剥离强度维持不变。

（3）由于本发明方法中全程未使用镍、钴、铁等铁磁性金属元素，所以其PIM性能更优，且工艺更简单，安全性更高。最终产品也能应用于5G通讯的射频-微波电路基板中。大大拓展了产品的市场适用性，经济效益显著。

附图说明

图1为本发明的复合铜箔结构模型；

图2为实施例制备的铜箔放大1000倍和5000倍的SEM图像。

具体实施方式

为使本发明实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施方式。

实施例1

采用厚度为12 μm，基重为102 g/m²的生箔，按酸洗程序进行预处理，酸洗过程控制指标如下：Cu²⁺浓度为12 g/L，H₂SO₄浓度为100 g/L，温度为35 ℃，流量为8 m³/h。

步骤A、制备粗化电解液：

将溶铜罐中的主电解液经多级过滤，向其中加入纳米氧化铝颗粒分散液，充分混合均匀后制得粗化电解液。

以上步骤中选取的分散剂为柠檬酸三钠，其质量为纳米氧化铝粉体质量的3%，将该柠檬酸三钠用纯水溶解，该柠檬酸三钠水溶液的浓度为20wt%；将称量好的纳米氧化铝颗粒加入到柠檬酸三钠水溶液中，保证纳米氧化铝颗粒分散液中纳米三氧化铝的浓度为5wt%；超声波搅拌混合1小时后再将其加入主电解液中，混合均匀后即得粗化电解液，该粗化电解液中Cu²⁺浓度为12 g/L；H₂SO₄浓度为110 g/L。

步骤B、粗化处理：

该步骤中关键技术指标如下：

Cu²⁺浓度为12 g/L；H₂SO₄浓度为110 g/L；流量为24 m³/h；温度为25 ℃；电流密度为2500 A/m²；电解时间为6 s。

完成后：铜箔的表面沉积铜-三氧化铝复合处理层中的三氧化铝纳米颗粒形态呈球形均匀分散状态，该合处理层中三氧化铝纳米颗粒粒径为50 nm，取样分析后发现：该合处理层中三氧化铝的含量为5wt%。

步骤C、固化处理：

为防止步骤B形成的颗粒状结晶脱落，在铜-氧化铝复合处理层表面进一步进行层状镀铜，使铜-氧化铝复合处理层表面上覆盖结构稳定的致密铜层。

该步骤中关键技术指标如下：

Cu²⁺浓度为45 g/L，H₂SO₄浓度为110 g/L，流量为10 m³/h，温度为45 ℃，电流密度为2800 A/m² 。

步骤D、灰化处理：

为提升步骤C中铜箔的耐化学性能及耐高温性能，在铜箔毛面和光面同时镀覆锌层。

该步骤中关键技术指标如下：

K₄P₂O₇浓度为85 g/L，Zn²⁺浓度为4.5 g/L，pH值为8.5，温度为25 ℃，流量为10 m³/h，光面电流密度为50 A/m²，毛面电流密度为200 A/m²。

步骤E、钝化处理：

为提升步骤D中铜箔的抗氧化性能，对铜箔毛面和光面同时进行镀覆铬层，提高铜箔的耐候性。

该步骤中关键技术指标如下：

Cr⁶⁺（铬酐）浓度为1.5 g/L；pH浓度为11；流量为6 m³/h；温度为32℃；光面电流密度为10 A/m² ；毛面电流密度为50 A/m²。

步骤F、涂覆处理：

为提升步骤E中铜箔与基材的化学结合力，对进行铜-氧化铝复合处理的铜箔毛面涂覆硅烷偶联剂。

该步骤中关键技术指标如下：

KH-560硅烷偶联剂的浓度为0.45wt% ；温度为25℃。

步骤G、烘干处理；

将步骤E中经过多层表面处理的铜箔的残余水分和硅烷偶联剂在烘箱中烘干，最终获得一种高速高频信号传输线路板用铜箔的产品。

对该产品进行性能检测，主要是电镜图和放大图观察，可见：该铜箔毛面颗粒均匀，处理层厚度为2 μm，粗糙度Rz为2.2 μm，抗剥离强度为1.25 N/mm。

实施例2

采用厚度为15 μm，基重为102 g/m²的生箔，按酸洗程序进行预处理，酸洗过程控制指标如下：Cu²⁺浓度为12 g/L，H₂SO₄浓度为100 g/L，温度为35 ℃，流量为8 m³/h。

与实施例1不同之处在于：

步骤A、制备粗化电解液环节：

选取的纳米氧化铝颗粒分散剂（1）为十二烷基苯磺酸钠(SDBS)，其质量为纳米氧化铝粉体质量的1.5%；

将该十二烷基苯磺酸钠(SDBS)用纯水溶解，其水溶液的浓度为22wt%；

将称量好的纳米氧化铝颗粒加入到十二烷基苯磺酸钠(SDBS)水溶液中，保证纳米氧化铝颗粒分散液中纳米三氧化铝的浓度为10wt%；

步骤B、粗化处理环节：

温度为30 ℃；电流密度为2400 A/m²；电解时间为5 s。

完成后：铜箔的表面沉积铜-三氧化铝复合处理层中的三氧化铝纳米颗粒形态呈球形均匀分散状态，该合处理层中三氧化铝纳米颗粒粒径为40 nm，取样分析后发现：该合处理层中三氧化铝的含量为4wt%。

其余步骤皆与实施例1相同。

实施后所得产品的性能检测显示：该铜箔毛面颗粒均匀，处理层厚度为2 .0μm，粗糙度Rz为2.8 μm，抗剥离强度为1.39 N/mm。

实施例3

采用厚度为18μm，基重为102 g/m²的生箔，按酸洗程序进行预处理，酸洗过程控制指标如下：Cu²⁺浓度为12 g/L，H₂SO₄浓度为100 g/L，温度为35 ℃，流量为8 m³/h。

与实施例1不同之处在于：

步骤A、制备粗化电解液环节：

选取的纳米氧化铝颗粒分散剂（1）为十二烷基硫酸钠(SDS)，其质量为纳米氧化铝粉体质量的2.5%；

将该十二烷基硫酸钠(SDS)用纯水溶解，其水溶液的浓度为25 wt %；

将称量好的纳米氧化铝颗粒加入到十二烷基硫酸钠(SDS)水溶液中，保证纳米氧化铝颗粒分散液中纳米三氧化铝的浓度为12wt%；

步骤B、粗化处理环节：

温度为35 ℃；电流密度为2300 A/m²；电解时间为4 s。

完成后：铜箔的表面沉积铜-三氧化铝复合处理层中的三氧化铝纳米颗粒形态呈球形均匀分散状态，该合处理层中三氧化铝纳米颗粒粒径为30 nm，取样分析后发现：该合处理层中三氧化铝的含量为3wt%。

其余步骤皆与实施例1相同。

实施后所得产品的性能检测显示：该铜箔毛面颗粒均匀，处理层厚度为1.9μm，粗糙度Rz为3.4 μm，抗剥离强度为1.42 N/mm。

实施例4

采用厚度为35μm，基重为102 g/m²的生箔，按酸洗程序进行预处理，酸洗过程控制指标如下：Cu²⁺浓度为12 g/L，H₂SO₄浓度为100 g/L，温度为35 ℃，流量为8 m³/h。

与实施例1不同之处在于：

步骤A、制备粗化电解液环节：

选取的纳米氧化铝颗粒分散剂（1）为十六烷基三甲基溴化铵(CBTA)，其质量为纳米氧化铝粉体质量的3.5%；

将该十六烷基三甲基溴化铵(CBTA)用纯水溶解，其水溶液的浓度为26 wt %；

将称量好的纳米氧化铝颗粒加入到十六烷基三甲基溴化铵(CBTA)水溶液中，保证纳米氧化铝颗粒分散液中纳米三氧化铝的浓度为15wt%；

步骤B、粗化处理环节：

温度为40 ℃；电流密度为2100 A/m²；电解时间为3 s。

完成后：铜箔的表面沉积铜-三氧化铝复合处理层中的三氧化铝纳米颗粒形态呈球形均匀分散状态，该合处理层中三氧化铝纳米颗粒粒径为35 nm，取样分析后发现：该合处理层中三氧化铝的含量为2.5wt%。

其余步骤皆与实施例1相同。

实施后所得产品的性能检测显示：该铜箔毛面颗粒均匀，处理层厚度为1.8μm，粗糙度Rz为5.5μm，抗剥离强度为1.87 N/mm。

实施例5

采用厚度为70μm，基重为102 g/m²的生箔，按酸洗程序进行预处理，酸洗过程控制指标如下：Cu²⁺浓度为12 g/L，H₂SO₄浓度为100 g/L，温度为35 ℃，流量为8 m³/h。

与实施例1不同之处在于：

步骤A、制备粗化电解液环节：

选取的纳米氧化铝颗粒分散剂（1）为聚乙二醇，其质量为纳米氧化铝粉体质量的4.0%；

将该聚乙二醇用纯水溶解，其水溶液的浓度为28 wt %；

将称量好的纳米氧化铝颗粒加入到聚乙二醇水溶液中，保证纳米氧化铝颗粒分散液中纳米三氧化铝的浓度为20wt%；

步骤B、粗化处理环节：

温度为28 ℃；电流密度为1800 A/m²；电解时间为2 s。

完成后：铜箔的表面沉积铜-三氧化铝复合处理层中的三氧化铝纳米颗粒形态呈球形均匀分散状态，该合处理层中三氧化铝纳米颗粒粒径为25nm，取样分析后发现：该合处理层中三氧化铝的含量为1.5wt%。

其余步骤皆与实施例1相同。

实施后所得产品的性能检测显示：该铜箔毛面颗粒均匀，处理层厚度为1.6μm，粗糙度Rz为8.4μm，抗剥离强度为2.45 N/mm。

实施例6

采用厚度为105μm，基重为102 g/m²的生箔，按酸洗程序进行预处理，酸洗过程控制指标如下：采用焦磷酸铜，其中：Cu²⁺：20 g/L ；Cu₂P₂O₇：125 g/L，温度为35 ℃，流量为8m³/h。

与实施例1不同之处在于：

步骤A、制备粗化电解液环节：

选取的纳米氧化铝颗粒分散剂（1）为柠檬酸三钠、SDS、聚乙二醇按1:1:2配比，其质量为纳米氧化铝粉体质量的5.5%；

将该混合的纳米氧化铝颗粒分散剂（1）用纯水溶解，其水溶液的浓度为30 wt %；

将称量好的纳米氧化铝颗粒加入到上述纳米氧化铝颗粒分散剂（1）的水溶液中，保证纳米氧化铝颗粒分散液中纳米三氧化铝的浓度为25wt%；

步骤B、粗化处理环节：

温度为33 ℃；电流密度为1500 A/m²；电解时间为2 s。

完成后：铜箔的表面沉积铜-三氧化铝复合处理层中的三氧化铝纳米颗粒形态呈球形均匀分散状态，该合处理层中三氧化铝纳米颗粒粒径为20nm，取样分析后发现：该合处理层中三氧化铝的含量为0.5wt%。

其余步骤皆与实施例1相同。

实施后所得产品的性能检测显示：该铜箔毛面颗粒均匀，处理层厚度为1.4μm，粗糙度Rz为10.6μm，抗剥离强度为2.63 N/mm。

以上实施例4-6中，选择的是厚度较大的生箔，表面处理前的粗糙度Rz值就比较大，生箔本身可以提供较高的抗剥离强度。后续表面处理过程中二次粗糙化程度不用很高也可以满足抗剥离性能的要求。

但是，粗糙度越高就意味着信号传输过程中的传输路径也就越长，由此导致的信号延迟和衰减也就越严重。

因此，对于厚度较大的生箔可以通过适当降低表面处理过程中的部分粗化参数，以减少粗糙度Rz过大对信号传输造成的不利影响。

对实施例1-6中制备的铜箔取样后随机进行观察，选取其中2幅SEM图像如图2所示，可见：其表面处理均匀稳定。

对照实施例：

采用与实施例1相同的厚度为12μm的铜箔表面处理流程，粗化处理过程中未使用纳米氧化铝复合处理技术。

(1) 酸洗

H₂SO₄浓度为100 g/L；Cu²⁺浓度为12 g/L；酸洗液温度为35 ℃；酸洗液流量为8 m³/h。

(2) 粗化处理：

H₂SO₄浓度为110 g/L；Cu²⁺浓度为12 g/L，粗化液温度为28 ℃，粗化液流量为8 m³/h；电流密度为2100 A/m²。

(3) 固化处理：

H₂SO₄浓度为110 g/L；Cu²⁺浓度为45 g/L；固化液温度为45 ℃；固化液流量为8 m³/h；电流密度为2500 A/m²。

(4) 灰化处理：

K₄P₂O₇浓度为85 g/L：Zn²⁺浓度为4.5 g/L， pH值为8.5；灰化液温度为28 ℃；光面电流密度为50 A/m²；毛面电流密度为200 A/m²。

(5) 钝化处理：

六价铬浓度为1.5 g/L；pH值为11；钝化液温度为32 ℃；光面电流密度为10 A/m²；毛面电流密度为50 A/m²，

(6) 喷涂硅烷偶联剂：

KH-560浓度为0.5wt%；硅烷偶联剂温度为25 ℃。

结果：通过该实施例表面处理后的铜箔，其处理层厚度为2.6 μm，粗糙度Rz为3.5μm，Tg140抗剥离强度为1.18 N/mm。

将以上实施例1-6生产出的铜箔产品和对照实施例生产出的铜箔产品进行性能测试结果汇总，如表-1所示。

表-1. 实施例和对照例制备铜箔性能对比

说明：*抗剥离强度数据因各厂家树脂配方不同会有一定差异。

** PIM为1900 MHz信号输入，43 dBm 输入功率状况下测得。

表-1显示的是实施例1-6最终制得的铜箔产品的表面参数和无源互调性能。

从该表中可以观察到经过实施例1-6表面处理工艺生产的铜箔产品不仅具有比对照例表面处理铜箔更低的处理层厚度和粗糙度Rz，而且抗剥离强度还未出现明显的下降。

本发明提供的表面处理方法在降低铜箔表面的粗糙度的同时保留较好的抗剥离性能，能更好地满足高速高频印刷线路板的稳定性和可靠性。

值得注意的是，相同厚度的生箔在经过实施例表面处理后具有比对比例更大的界面拓展面积比Sdr。

Sdr的计算公式如下：

其中，S为物体的表面积，Sp为物体的投影面积。

一般情况下，Sdr越大，表明物体的比表面积越大。实施例表面处理的铜箔比对比例表面处理的铜箔有更大的比表面积，有利于增大铜箔于树脂基材之间的接触面积，有利于提高铜箔的抗剥离强度。

无源互调(PIM)性能是衡量高频PCB的一项重要指标。一般情况下5G通讯用PCB的PIM值越低，无源互调性能也就越好。从表-1中可以发现经过实施例1-6处理后铜箔的PIM值均在-156 dBm以下，表现出良好的无源互调性能。因此，本发明方法产出的铜箔适宜应用于5G通讯的射频-微波电路基板。

本发明提供的一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法在降低处理层厚度和粗糙度的同时，保持了出色的抗剥离性能和无源互调性能，具备广阔的市场前景和可观的经济效益。

Claims

1.一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法，其特征在于：该方法为以下步骤：

步骤A、制备粗化电解液：

将溶铜罐中的主电解液经多级过滤，先用纳米氧化铝颗粒的分散剂（1）配置分散液（2），再将纳米氧化铝颗粒分散于分散液（2）中，得到纳米氧化铝颗粒分散液（3），充分混合均匀后加入到主电解液中制得粗化电解液；

步骤B、粗化处理：

将步骤A中所得粗化电解液均匀进液到电解槽中，以待处理的铜箔为阴极，在铜箔的毛面电沉积铜-三氧化铝复合处理层；

步骤C、固化处理：

步骤D、灰化处理：

步骤E、钝化处理：

步骤F、涂覆处理：

步骤G、烘干处理；

2.如权利要求1所述的一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法，其特征在于：所述步骤A中的主电解液的主要成分为酸性硫酸铜或焦磷酸铜。

3.如权利要求1所述的一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法，其特征在于：所述步骤A中纳米氧化铝颗粒的分散剂（1）为十二烷基苯磺酸钠(SDBS)，十二烷基硫酸钠(SDS)，柠檬酸三钠、十六烷基三甲基溴化铵(CBTA)、聚乙二醇中的其中一种或多种的组合。

4.如权利要求4所述的一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法，其特征在于：所述步骤A中纳米三氧化铝颗粒的分散剂（1）的用量为纳米三氧化铝颗粒重量的1.5-5.5%。

5.如权利要求1所述的一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法，其特征在于：所述步骤A中分散剂在分散液（2）中的浓度为20-30wt%。

6.如权利要求1所述的一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法，其特征在于：所述步骤A中制得的纳米氧化铝颗粒分散液（3）中纳米氧化铝的浓度在5-25 wt%之间。

7.如权利要求1所述的一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法，其特征在于：所述步骤B的电解槽中粗化电解液的温度控制在在25-40℃之间，优选30-35℃。

8.如权利要求1所述的一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法，其特征在于：所述步骤B中电流密度为1500-2500 A/m²，处理时间为2-6 s。

9.如权利要求1所述的一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法，其特征在于：所述步骤B中所得铜箔的表面沉积铜-三氧化铝复合处理层中的三氧化铝纳米颗粒为球形均匀分散状态，粒径在20-50 nm之间；该层中三氧化铝的含量为0.5-5 wt%。

10.如权利要求1所述的一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法，其特征在于：所述步骤B中处理的铜箔厚度为12-105 μm。