CN113930593B - 一种低损耗宽料取向硅钢的生产方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种低损耗宽料取向硅钢的生产方法。本发明所述生产方法是通过在罩式炉的内罩中增加带有通气孔的聚气罩及与聚气罩配合的炉底板，配合工艺优化，控制原料化学成分，使气体和钢卷之间的浓度更均匀，反应更充分，气流流动方向更易控制，所制备的取向硅钢性能稳定，磁性能优良，且铁损达到1.12W/KG以下的比例提高至98.77％，平均铁损达到1.06W/KG以内，使取向硅钢卷的铁损大幅度降低，电磁性能更好。

Description

一种低损耗宽料取向硅钢的生产方法
技术领域
本发明涉及取向硅钢生产技术领域，特别涉及一种低损耗宽料取向硅钢的生产方法。
背景技术
取向电工钢广泛应用于变电、发电和用电等国民经济各个领域，是钢铁企业研发、技术、装备、操作和现场管理水平的集中体现，它是钢铁产品中的“工艺品”，是高附加值产品，同时它也是国防、军工等行业的核心原材料产品。而宽料的生产难度更大，更易出现性能波动大，铁损高的现象。
鉴于能源日趋紧张和电力工业节能降耗的迫切需求，不断改善其性能，降低其铁损，成为了硅钢制造行业的竞争焦点与备受关注的研究课题。
取向硅钢作为一种用量大的钢铁产品，最主要特点就是要获得高取向的{110}<001>织构即Goss织构。传统冷轧取向硅钢生产时容易出现卷心铁损异常，整体铁损偏高的现象，造成材料的极大浪费，因此开发能够降低铁心损耗和提高产品的性能稳定性的取向硅钢及其生产工艺是重大意义。
在现有技术中，钢卷在罩式炉中加热时，由于外罩和炉台为加热元件，在钢卷自外而内存在着很大的温度梯度，而内罩中的空间大，容易造成气体和钢卷之间反应不充分，造成最终产品性能波动大。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种低损耗宽料取向硅钢生产方法。本发明通过在罩式炉的内罩中增加带有通气孔的聚气罩及与聚气罩配合的炉底板，配合工艺优化，控制原料化学成分，使气体和钢卷之间的浓度更均匀，反应更充分，气流流动方向更易控制，所制备的取向硅钢性能稳定，磁性能优良，且铁损达到1.12W/KG以下的比例提高至98.77％，平均铁损达到1.06W/KG以内，使取向硅钢卷的铁损大幅度降低，电磁性能更好。
本发明的技术方案如下：
一种低损耗宽料取向硅钢的生产方法，所述生产方法包括如下步骤：
S1:将原料通过炼铁、炼钢、热轧、冷轧、脱碳、二次冷轧、涂覆得到原硅钢卷；
S2：将S1制备的原硅钢卷放入罩式炉中；
S3：通过升温保温工艺后，降温，得到硅钢半成品；
S4：将S3中得到的硅钢半成品从罩式炉中取出，自然冷却至室温，经涂覆、拉伸平整，收卷得到低损耗宽料取向硅钢。
进一步地，所述取向硅钢的宽度为1150～1250mm。
进一步地，步骤S1中，所述原料为热轧板，厚度为2.2～2.7mm。
进一步地，步骤S1中，所述原料包含如下质量百分比的组分：C:0.02～0.05％、Si:2.8～3.50％、Mn:0.10～0.30％、P:≤0.015％、S:≤0.010％、Cu:0.3～0.7％、N:0.004～0.0110％、Als:0.010～0.03％、Ti:≤0.0050％、其余为Fe和不可避免的杂质。
进一步地，步骤S1中，所述炼铁的铁水中锰含量需脱至0.3％以下，控制铁水温度不低于1350℃；所述炼钢将碳含量脱至0.05％以下；所述热轧的过程为：先粗轧再精轧，最后收卷，粗轧的温度为1100～1250℃，精轧的温度为850～1100℃；所述冷轧得到的冷轧板的厚度为0.60～0.65mm；所述脱碳是将碳含量脱至50ppm以内，氧含量控制在500～900ppm；所述二次冷轧得到的钢板的厚度为0.23～0.3mm；所述涂层的材料为氧化镁，涂覆量为5～8g/m2。
进一步地，步骤S2中，所述罩式炉在现有罩式炉的内罩中增设了聚气罩6，并设置有与聚气罩6配合的炉底板1；
进一步地，所述罩式炉包括炉底板1、聚气罩6；所述罩式炉还包括外罩、内罩；所述聚气罩位于内罩内部；所述原硅钢卷放在炉底板1上表面，使原硅钢卷5与炉底板1的中心同轴，用聚气罩6盖在炉底板1的上表面，且聚气罩6与炉底板1的中心同轴。
进一步地，步骤S2中，所述炉底板1的中心设置有通孔11；所述炉底板1的上表面垂直于厚度方向设置有刻槽2，所述刻槽2的宽度为10～50mm。
进一步地，所述聚气罩6由连接块7、顶板8和四周围板9组成，连接块7位于顶板的上表面，连接块上设置有通孔10，用于与挂钩配合实现聚气罩6的取放；四周围板9的底部内外两侧沿圆周方向对称设置有凸台3；工作时，所述凸台3嵌入炉底板1的刻槽2中，使聚气罩6与炉底板1密封。
进一步地，所述聚气罩6的四周围板9的下部沿圆周方向90°间隔设置4组透气孔阵列4；所述透气孔阵列4由从上到下依次递增排列的透气孔组成；所述透气孔的数量从上到下依次为1个、2个、3个；所述透气孔的直径为5～50mm。
进一步地，步骤S3中，所述升温保温工艺为：先以6～12℃/h升温至550～900℃，保温20～40h，氮气比例为20～60％；再以10～17℃/h升温至900～1200℃，氮气比例为20～60％，再保温20～30h，气体为纯氢气；所述升温保温工艺之前罩式炉的聚气罩中的氧含量≤1000PPM，炉压为100～350Pa；所述降温是指自然冷却到280～320℃。
进一步地，所述涂覆的材料为T2涂液，涂敷量为7～13KG/吨；所述拉伸平整的温度为800～850℃。
进一步地，所述T2涂液包括A、B双组分，A为硅溶胶，B为磷酸二氢铝，T2涂液中各组分的质量百分比为：A30％～50％，B50％～70％。
本发明有益的技术效果在于：
(1)本发明通过在罩式炉中增加聚气罩，所述聚气罩的周围设置特定的透气孔，调整了高温退火中气流的流向和分布，而没有聚气罩的传统工艺气体从中心由下向上喷出时，形成从钢卷顶部至底部的浓度梯度，使钢卷发生反应的有效浓度降低，造成钢卷顶部和底部之间、外层和心部之间存在较大差异相比，本发明通过聚气罩的设计，将气体控制在更有限的空间内，使气体从入口到小孔出口沿着钢卷和聚气罩内壁间形成连续稳定的气流通道，气体分布更均匀，钢卷顶部和底部、内部和外部的反应更充分，最终铁损也更好。
(2)本发明对退火条件进行了优化，在升温过程中，由于加热元件所处的位置差异，容易造成钢卷内外较大温差，550～900℃时，将升温速度控制在6～12℃/h，可以有效减小卷内外的温差，也不会造成过多电能的浪费，氮气比例为20～60％，使气氛保留一定的氧化性，既可以避免破坏表面的SiO2，又可以在SiO2不足的位置进行补充，确保最终的产品有较好的性能和外观；900～1200℃时，将升温速度控制在10～17℃/h，此过程完成二次再结晶和硅酸镁底层的形成，二次再结晶完成时间较快，一旦达到温度，其在数分钟即可完成，较快的升温速度即可满足二次再结晶晶粒长大的要求，形成的晶粒取向性也更好，最终性能更优。
(3)本发明通过设计带有透气孔的聚气罩，配合工艺优化，控制原料化学成分，Al和Cu作为重要抑制剂元素可以在退火时抑制初次再结晶晶粒，使二次再结晶晶粒长大，从而获得良好的磁性能，所制备的取向硅钢性能稳定，磁性能优良，且铁损达到1.12W/KG以下的比例提高至98.77％，使平均铁损由未使用聚气罩时的1.1W/Kg以上降至1.06W/KG以内。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图。
图2为本发明所设计的聚气罩6与炉底板1的配合图。
图中：1、炉底板；4、透气孔；5、原硅钢卷；6、聚气罩；7、连接块；8、顶板；9、四周围板；10、通孔。
图3为本发明设计的聚气罩6与炉底板1配合的主视图。
图4为从图3的轴线沿A-A方向的剖视图。
图中：11、炉底板1的中心位置设置的通孔；B位置含有凸台；C位置含有刻槽。
图5为图4中B、C位置的局部放大图。
图中：B位置中3为凸台；C位置中2为刻槽。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明进行具体描述。
下面结合案例对本发明的具体实施方式作进一步的说明。
在高温退火过程中，原硅钢卷5内外存在很大温差，通过控制升温速度和保温时间来减少卷内外的温差，使整体性能更稳定；气氛中的氮气可以强化抑制剂中的抑制效果，通过在传统的罩式炉的内罩中增设聚气罩以及与聚气罩配合的炉底板，使气氛中的氮气和原硅钢卷5更紧密的接触，使二次再结晶更完善，性能更好。
基于以上研究，本发明涉及一种低损耗宽料取向硅钢生产方法，本发明的工艺流程图如图1所示，所述生产方法具体包括以下步骤：
S1:将原料通过炼铁、炼钢、热轧、冷轧、脱碳、二次冷轧、涂覆后得到原硅钢卷5；
步骤S1中，所述原料为热轧板，厚度为2.2～2.7mm。所述原料包含如下质量百分比的组分：C:0.02～0.05％、Si:2.8～3.50％的、Mn:0.10～0.30％、P:≤0.015％、S:≤0.010％、Cu:0.3～0.7％、N:0.004～0.0110％、Als:0.010～0.03％、Ti:≤0.0050％、其余为Fe和不可避免的杂质。所述炼铁的铁水中锰含量需脱至0.3％以下，控制铁水温度不低于1350℃；所述炼钢将碳含量脱至0.05％以下；所述热轧的过程为：先粗轧再精轧，最后收卷，粗轧的温度为1100～1250℃，精轧的温度为850～1100℃；所述冷轧得到的冷轧板的厚度为0.60～0.65mm；所述脱碳是将碳含量脱至50ppm以内，氧含量控制在500～900ppm；所述二次冷轧得到的钢板的厚度为0.23～0.3mm；所述涂覆的材料为氧化镁，涂覆量为5～8g/m2。
S2：将S1制备的原硅钢卷5放入罩式炉中；所述罩式炉包括外罩、内罩、炉底板1、聚气罩6；所述聚气罩位于内罩内部；如图2所示，所述原硅钢卷放在炉底板1上表面，使原硅钢卷5与炉底板1的中心同轴，用聚气罩6盖在炉底板1的上表面，且聚气罩6与炉底板1的中心同轴。
所述炉底板1的中心位置设置有通孔11(如图4所示)；炉底板的上表面垂直于厚度方向设置有刻槽2(如图5所示)，所述刻槽2的宽度为10～50mm，深度为5～30mm。
进一步地，所述聚气罩6由连接块7、顶板8和四周围板9组成，连接块7位于顶板的上表面，连接块7上设置有通孔10，用于与挂钩配合实现聚气罩6的取放；四周围板9的底部内外两侧沿圆周方向对称设置有凸台3(如图5所示)；工作时，所述凸台3嵌入炉底板1的刻槽2中，使聚气罩6与炉底板1密封。
进一步地，所述聚气罩6的四周围板9的下部沿圆周方向90°间隔设置4组透气孔阵列4；所述透气孔阵列4由从上到下依次递增排列的透气孔组成；所述透气孔的数量从上到下依次为1个、2个、3个；所述透气孔的直径为5～50mm。
S3：通过升温保温工艺后，降温，得到硅钢半成品；所述升温保温工艺为：先以6～12℃/h升温至550～900℃，保温20～40h，氮气比例为20～60％；再以10～17℃/h升温至900～1200℃，氮气比例为20～60％，再保温20～30h，气体为纯氢气；所述升温保温工艺之前罩式炉的聚气罩中的氧含量≤1000PPM，炉压为100～350Pa；所述降温是指自然冷却到280～320℃。
S4：将S3中得到的取向硅钢半成品经涂覆、拉伸平整，收卷得到低损耗宽料取向硅钢成品。所述取向硅钢的宽度为1150～1250mm。所述涂覆的材料为T2涂液，涂敷量为7～13KG/吨；所述拉伸平整的温度为800～850℃。
实施例1
一种低损耗宽料取向硅钢，其制备方法包括如下步骤：
准备原料，所述原料包含如下质量百分比的组分：0.02％的C、2.8％的Si、0.10％的Mn、0.010％的P、0.008％的S、0.3％的Cu、0.004％的N、0.010％的Als、0.0022％的Ti、剩余为Fe及不可避免的杂质。将原料通过炼铁、炼钢、热轧、冷轧、脱碳、二次冷轧、涂覆后得到原硅钢卷5；所述炼铁的铁水中锰含量需脱至0.3％以下，控制铁水温度不低于1350℃；所述炼钢将碳含量脱至0.05％以下；所述热轧的过程为：先粗轧再精轧，最后收卷，粗轧的温度为1100℃，精轧的温度为850℃；所述冷轧从热轧板2.2mm厚度轧制到0.60mm；所述脱碳是将碳含量脱至30ppm，氧含量控制在500ppm；所述二次冷轧时控制其成品厚度为0.23mm；所述涂覆的材料为氧化镁，涂敷量为5g/m2。
涂完氧化镁的硅钢卷5放在罩式炉中，进行升温、保温、再升温、再保温、降温得到硅钢半成品，其中，首次升温是以6℃/h的速度升温至550～900℃，温时间为20h；然后以10℃/h升温至1170℃，保温20h，再升温时气氛为20％氮气和80％氢气，炉压180PA；所述降温是指自然冷却到300℃。
所述罩式炉包括外罩、内罩、炉底板1、聚气罩6；所述聚气罩位于内罩内部；所述原硅钢卷放在炉底板1上表面，使原硅钢卷5与炉底板1的中心同轴，用聚气罩6盖在炉底板1的上表面，且聚气罩6与炉底板1的中心同轴。
进一步地，所述炉底板1的中心位置设置有通孔11；炉底板1的上表面垂直于厚度方向设置有刻槽2，所述刻槽2的宽度为10mm，深度为5mm。
进一步地，所述聚气罩6由连接块7、顶板8和四周围板9组成，连接块7位于顶板的上表面，连接块7上设置有通孔10，用于与挂钩配合实现聚气罩6的取放；四周围板9的底部内外两侧沿圆周方向对称设置有凸台3；工作时，所述凸台3嵌入炉底板1的刻槽2中，使聚气罩6与炉底板1密封。
进一步地，所述聚气罩6的四周围板9的下部沿圆周方向90°间隔设置4组透气孔阵列4；所述透气孔阵列4由从上到下依次递增排列的透气孔组成；所述透气孔的数量从上到下依次为1个、2个、3个，所述透气孔的直径为5mm。
对硅钢半成品从罩式炉中取出，冷却至常温后，涂T2涂液(所述T2涂液包括质量分数为30％硅溶胶，70％磷酸二氢铝)，涂敷量为7KG/吨，再经过800℃拉伸平整，收卷后得到低损耗宽料硅钢卷。
实施例2
一种低损耗宽料取向硅钢，其制备方法包括如下步骤：
准备热轧板厚度为2.2-2.7mm的热轧板为原料，所述原料包含如下质量百分比的组分：0.05％的C、3.5％的Si、0.30％的Mn、0.010％的P、0.010％的S、0.7％的Cu、0.011％的N、0.030％的Als、0.0025％的Ti、剩余为Fe及不可避免的杂质。将原料通过炼铁、炼钢、热轧、冷轧、脱碳、二次冷轧、涂覆后得到原硅钢卷5；所述炼铁的铁水中锰含量需脱至0.3％以下，控制铁水温度不低于1350℃；所述炼钢将碳含量脱至0.05％以下；所述热轧的过程为：先粗轧再精轧，最后收卷，粗轧的温度为1250℃，精轧的温度为1100℃；所述冷轧从热轧板2.7mm厚度轧制到0.65mm；所述脱碳是将碳含量脱至50ppm，氧含量控制在900ppm；所述二次冷轧时控制其成品厚度为0.3mm；所述涂层的材料为氧化镁，涂敷量为5g/m2。
涂完氧化镁的硅钢卷(5)放在罩式炉中，进行升温、保温、再升温、再保温、降温得到硅钢半成品，其中，首次升温是以12℃/h的速度升温至550～900℃，温时间为40h，；然后以17℃/h升温至1170℃，保温30h，再升温时气氛为60％氮气和40％氢气，炉压350PA；所述降温是指自然冷却到300℃。
所述罩式炉包括外罩、内罩、炉底板1、聚气罩6；所述聚气罩位于内罩内部；所述原硅钢卷放在炉底板1上表面，使原硅钢卷5与炉底板1的中心同轴，用聚气罩6盖在炉底板1的上表面，且聚气罩6与炉底板1的中心同轴。
所述炉底板1的中心位置设置有通孔11；炉底板1的上表面垂直于厚度方向设置有刻槽2，所述刻槽2的宽度为50mm，深度为30mm。
进一步地，所述聚气罩6由连接块7、顶板8和四周围板9组成，连接块7位于顶板的上表面，连接块7上设置有通孔10，用于与挂钩配合实现聚气罩6的取放；四周围板9的底部内外两侧沿圆周方向对称设置有凸台3；工作时，所述凸台3嵌入炉底板1的刻槽2中，使聚气罩6与炉底板1密封。
进一步地，所述聚气罩6的四周围板9的下部沿圆周方向90°间隔设置4组透气孔阵列4；所述透气孔阵列4由从上到下依次递增排列的透气孔组成；所述透气孔的数量从上到下依次为1个、2个、3个，透气孔的直径为50mm。
对硅钢半成品从罩式炉中取出冷却至常温后，涂T2涂液(所述T2涂液包括质量分数为70％硅溶胶，30％磷酸二氢铝)，涂敷量为13KG/吨，再经过850℃拉伸平整，收卷后得到低损耗宽料硅钢卷。
实施例3
一种低损耗宽料取向硅钢，其制备方法包括如下步骤：
准备热轧板厚度为2.2-2.7mm的热轧板为原料，所述原料包含如下质量百分比的组分：0.04％的C、3.2％的Si、0.29％的Mn、0.011％的P、0.007％的S、0.5％的Cu、0.010％的N、0.024％的Als、0.0032％的Ti、剩余为Fe及不可避免的杂质。将原料通过炼铁、炼钢、热轧、冷轧、脱碳、二次冷轧、涂覆后得到原硅钢卷5；所述炼铁的铁水中锰含量需脱至0.3％以下，控制铁水温度不低于1350℃；所述炼钢将碳含量脱至0.05％以下；所述热轧的过程为：先粗轧再精轧，最后收卷，粗轧的温度为1150℃，精轧的温度为900℃；所述冷轧从热轧板2.5mm厚度轧制到0.62mm；所述脱碳是将碳含量脱至34ppm，氧含量控制在800ppm；所述二次冷轧时控制其成品厚度为0.27mm；所述涂层的材料为氧化镁，涂敷量为6g/m2。
涂完氧化镁的硅钢卷5放在罩式炉中，进行升温、保温、再升温、再保温、降温得到硅钢半成品，其中，首次升温是以10℃/h的速度升温至550～900℃，温时间为33h，；然后以16℃/h升温至1170℃，保温28h，再升温气氛为40％氮气和60％氢气，炉压270PA；所述降温是指自然冷却到300℃。
所述罩式炉包括外罩、内罩、炉底板1、聚气罩6；所述聚气罩位于内罩内部；所述原硅钢卷放在炉底板1上表面，使原硅钢卷5与炉底板1的中心同轴，用聚气罩6盖在炉底板1的上表面，且聚气罩6与炉底板1的中心同轴。
所述炉底板1的中心位置设置有通孔11；炉底板1的上表面垂直于厚度方向设置有刻槽2，所述刻槽2的宽度为30mm，深度为15mm。
进一步地，所述聚气罩6由连接块7、顶板8和四周围板9组成，连接块7位于顶板的上表面，连接块7上设置有通孔10，用于与挂钩配合实现聚气罩6的取放；四周围板9的底部内外两侧沿圆周方向对称设置有凸台3；工作时，所述凸台3嵌入炉底板1的刻槽2中，使聚气罩6与炉底板1密封。
进一步地，所述聚气罩6的四周围板9的下部沿圆周方向90°间隔设置4组透气孔阵列4；所述透气孔阵列4由从上到下依次递增排列的透气孔组成；所述透气孔的数量从上到下依次为1个、2个、3个，透气孔的直径为25mm。
对硅钢半成品冷却至常温后，涂T2涂液(所述T2涂液包括质量分数为40％硅溶胶，60％磷酸二氢铝)，涂敷量为12KG/吨，在经过830℃拉伸平整，收卷后得到成品硅钢卷。
对比例1：
与实例1相同，不同仅在于所述原料包含如下质量百分比的组分：0.02％的C、2.8％的Si、0.10％的Mn、0.010％的P、0.008％的S、0.05％的Cu、0.004％的N、0.008％的Als、0.0022％的Ti、剩余为Fe及不可避免的杂质。
对比例2：
与实例2相同，不同仅在于升温保温工艺中两次升温的速度：首次升温是以15℃/h的速度升温至550～900℃，温时间为40h，；然后以20℃/h升温至1170℃，保温30h，再升温时气氛为60％氮气和40％氢气，炉压350PA；所述降温是指自然冷却到300℃。
对比例3：
与实施例3相同，不同在于采用传统罩式炉，没有使用聚气罩。
测试例：
将实施例1-3，对比例1-3制备的取向硅钢，从中间取样，用在线铁损仪测试平均铁损，用单片铁损测试仪测磁感，测试结果如表1所示。
表1
实施例 铁损(W/KG) 磁感(T)
实施例1 1.046 1.886
实施例2 1.051 1.888
实施例3 1.038 1.887
对比例1 1.113 1.862
对比例2 1.136 1.855
对比例3 1.153 1.850
由表1可知：对比例1相对于实施例1改变了组分后，铁损由实施例1的1.046W/KG增加到1.113W/KG；对比例2改变了工艺条件后，铁损相比实施例2，从1.051W/KG增加到1.136/KG；对比例3没有采用本发明所述的聚气罩，气流比较分散，钢卷反应时的气体浓度梯度大，铁损增加明显，为1.153W/KG，而本发明实施例3通过工艺优化及聚气罩的设计，制备的取向硅钢的铁损降低为1.038W/KG，因此，本发明通过工艺优化配合聚气罩的设计，制备的取向硅钢的整体性能更优异。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。

Claims (4)

1.一种低损耗宽料取向硅钢的生产方法，其特征在于，所述生产方法包括如下步骤：
S1：将原料通过炼铁、炼钢、热轧、冷轧、脱碳、二次冷轧、涂覆后得到原硅钢卷；
S2：将S1制备的原硅钢卷放入罩式炉中；
S3：通过升温保温工艺后，再降温，得到硅钢半成品；
S4：将S3中得到的硅钢半成品经涂覆、拉伸平整，收卷得到低损耗宽料取向硅钢；
步骤S2中，所述罩式炉包括炉底板(1)与聚气罩(6)；
所述聚气罩(6)设置于罩式炉的内罩中，
所述取向硅钢的宽度为1150～1250mm；
步骤S1中，所述热轧后钢板的厚度为2.2～2.7mm；
所述聚气罩(6)由连接块(7)、顶板(8)和四周围板(9)组成，连接块(7)位于顶板的上表面，连接块(7)上设置有通孔(10)，用于与挂钩配合实现聚气罩(6)的取放；四周围板(9)的底部内外两侧沿圆周方向对称设置有凸台(3)；工作时，所述凸台(3)嵌入炉底板(1)的刻槽(2)中，使聚气罩(6)与炉底板(1)密封；
步骤S2中，所述炉底板(1)的中心设置有通孔(11)；炉底板(1)的上表面垂直于厚度方向设置有刻槽(2)，所述刻槽(2)的宽度为10～50mm；
所述聚气罩(6)的四周围板(9)的下部沿圆周方向90°间隔设置4组透气孔阵列(4)；所述透气孔阵列(4)由从上到下依次递增排列的透气孔组成；
步骤S3中，所述升温保温工艺的具体过程为：首先以6～12℃/h升温至550～900℃，保温20～40h，然后以10～17℃/h再次升温至900～1200℃，再保温20～30h；所述升温保温工艺之前聚气罩中的氧含量≤1000PPM，炉压为100～350Pa；所述降温是指自然冷却到280～320℃。
2.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，步骤S1中，所述原料包含如下质量百分比的组分：C:0.02～0.05％、Si:2.8～3.50％、Mn:0.10～0.30％、P:≤0.015％、S:≤0.010％、Cu:0.3～0.7％、N:0.004～0.0110％、Als:0.010～0.03％、Ti:≤0.0050％、其余为Fe和不可避免的杂质。
3.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，步骤S3中，所述涂覆的材料为T2涂液，涂敷量为7～13KG/吨。
4.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，步骤S3中，所述拉伸平整的温度为800～850℃。
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