CN113871445A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括显示区；显示面板还包括衬底和像素电路，像素电路包括第一膜层；至少部分显示区还包括位于第一膜层远离衬底一侧的导电跨接部，导电跨接部包括氧化物半导体材料；沿第一方向，导电跨接部与第一膜层部分交叠，且导电跨接部与部分第一膜层电连接；第一方向与衬底所在平面垂直。通过将包括氧化物半导体材料的导电跨接层作为像素电路中第一膜层与其他膜层的连接跨接层，可以避免第一膜层通过较深的过孔与其他膜层之间电连接，保证显示面板制备工艺简单，第一膜层与其他膜层之间的连接稳定性高；同时由于包括氧化物半导体材料的导电跨接层透过率良好，有利于提升显示面板的透光效果。

Description

一种显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，显示设备的应用越来越广泛，已逐渐成为人们日常工作和生活所使用的比不可少的电子产品。

现有显示面板技术中，随着显示面板的功能越来越全面，显示面板的结构也越来越复杂，不同膜层之间往往需要通过过孔进行电连接。现有显示面板中存在连接过孔过深的问题，深孔工艺复杂，且通过深孔进行连接时连接稳定性较差。

发明内容

本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以解决现有技术中因连接过孔较深造成的工艺复杂以及连接稳定性差的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括显示区；

所述显示面板还包括：

衬底；

位于所述显示区且位于所述衬底一侧的像素电路，所述像素电路包括第一膜层；

至少部分所述显示区还包括位于所述第一膜层远离所述衬底一侧的导电跨接部，所述导电跨接部包括氧化物半导体材料；

沿第一方向，所述导电跨接部与所述第一膜层部分交叠，且所述导电跨接部与部分所述第一膜层电连接；所述第一方向与所述衬底所在平面垂直。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，用于制备第一方面所述的显示面板。

第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第一方向所述的显示面板。

本发明实施例提供的显示面板，包括显示区以及位于所述显示区的像素电路，像素电路包括第一膜层，通过将包括氧化物半导体材料的导电跨接层作为像素电路中第一膜层与其他膜层的连接跨接层，可以避免第一膜层通过较深的过孔与其他膜层之间电连接，保证显示面板制备工艺简单，同时保证第一膜层与其他膜层之间的连接稳定性高；同时，由于导电跨接部包括氧化物半导体材料，其透过率较高，因此设置沿第一方向，导电跨接部与第一膜层部分交叠，可以在部分显示区采用导电跨接部替换部分第一膜层，有利于提升显示面板的透光率，适用于对透光率有较高要求的显示区或者显示面板。

附图说明

图1是现有技术中一种显示面板的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图4是相关技术中一种像素电路的版图结构示意图；

图5是本发明实施例提供的一种像素电路的版图结构示意图；

图6是本发明实施例提供的另一种像素电路的版图结构示意图；

图7是本发明实施例提供的另一种像素电路的版图结构示意图；

图8是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；

图9是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图；

图10是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图1所示，本发明实施例提供的显示面板包括像素电路01，图1中以像素电路01包括薄膜晶体管011为例进行说明。如图1所示，像素电路01包括第一膜层01-1，图1中以第一膜层01-1为有源层为例进行说明。薄膜晶体管中，有源层需要与源级以及漏极电连接形成信号传输通道，由于有源层与源级以及漏极异层设置，因此有源层需要通过过孔K与源级S和漏极D电连接。由于有源层与源级以及漏极之间的中间膜层较多，造成有源层需要通过深孔与源级和漏极电连接。但是深孔工艺复杂且容易造成连接不稳定。

基于上述技术问题，本发明实施例中设置显示面板包括显示区，同时显示面板还包括衬底；位于显示区且位于衬底一侧的像素电路，像素电路包括第一膜层；至少部分显示区还包括位于第一膜层远离衬底一侧的导电跨接部，导电跨接部包括氧化物半导体材料；沿第一方向，导电跨接部与第一膜层部分交叠，且导电跨接部与部分第一膜层电连接；第一方向与衬底所在平面垂直。采用上述技术方案，通过将包括氧化物半导体材料的导电跨接层作为像素电路中第一膜层与其他膜层的连接跨接层，可以避免第一膜层通过较深的过孔与其他膜层之间电连接，保证显示面板制备工艺简单，同时保证第一膜层与其他膜层之间的连接稳定性高；同时，由于导电跨接部包括氧化物半导体材料，其透过率较高，因此设置沿第一方向，导电跨接部与第一膜层部分交叠，可以在部分显示区采用导电跨接部替换部分第一膜层，有利于提升显示面板的透光率，适用于对透光率有较高要求的显示区或者显示面板。

以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图2是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图2所示，本发明实施例提供的显示面板10包括显示区AA，显示面板10还包括衬底11；位于显示区AA且位于衬底11一侧的像素电路12，像素电路12包括第一膜层121；至少部分显示区AA还包括位于第一膜层121远离衬底11一侧的导电跨接部13，导电跨接部13包括氧化物半导体材料；沿第一方向(如图中所示的X方向)，导电跨接部13与第一膜层121部分交叠，且导电跨接部13与部分第一膜层121电连接；第一方向与衬底11所在平面垂直。

示例性的，如图2所示，显示面板10包括显示区AA，显示区AA包括阵列排布的子像素(图中未示出)，子像素包括像素电路12和发光元件(图中未示出)，像素电路12用于向发光元件提供发光信号，例如数据电压信号或者电源电压信号，保证发光元件正常发光。像素电路12可以包括至少一个薄膜晶体管，也可以包括多个薄膜晶体管和至少一个存储电容，例如7T1C像素电路，即像素电路包括七个薄膜晶体管和一个存储电容，通过多个薄膜晶体管和至少一个存储电容配合，降低像素电路中驱动晶体管的阈值电压对显示的影响，保证显示面板的显示效果。进一步的，像素电路12包括第一膜层121和导电跨级部13，导电跨接部13位于第一膜层121远离衬底11的一侧，沿第一方向，即与衬底11所在平面垂直的方向(如图中所示的X方向)，导电跨接部13与第一膜层121部分交叠，且导电跨接部13与部分第一膜层121电连接，即导电跨接部13作为第一膜层121与位于导电跨接部13上方膜层之间的连接过渡层，保证第一膜层121与位于导电跨接部13上方膜层之间的正常连接，可以避免第一膜层121通过较深的过孔与位于导电跨接部13上方膜层之间电连接，保证显示面板制备工艺简单，同时保证第一膜层121与位于导电跨接部13上方膜层之间的连接稳定性高。

进一步的，导电跨接部13包括氧化物半导体材料，例如铟镓锌氧化物(IGZO)，通过对氧化物半导体材料进行掺杂处理实现其导电性能，保证第一膜层121通过导电跨接部13可以实现与位于导电跨接部13上方膜层之间的正常连接，保证显示面板正常工作。进一步的，导电跨接部13包括氧化物半导体材料，其透过率较高，因此设置沿第一方向(如图中所示的X方向)，导电跨接部13与第一膜层121部分交叠，可以在部分显示区，采用导电跨接部13替换部分第一膜层121，有利于提升显示面板的透光率，适用于对透光率有较高要求的显示区或者显示面板。

需要说明的是，第一膜层121可以为像素电路12中的有源层，也可以为其他膜层，本发明实施例对此不进行限定，后续实施例会对第一膜层121的具体设置方式进行详细说明。

综上所示，本发明实施例提供的显示面板，通过将包括氧化物半导体材料的导电跨接层作为像素电路中第一膜层与其他膜层的连接跨接层，可以避免第一膜层通过较深的过孔与其他膜层之间电连接，保证显示面板制备工艺简单，同时保证第一膜层与其他膜层之间的连接稳定性高；同时，由于导电跨接部包括氧化物半导体材料，其透过率较高，因此设置沿第一方向，导电跨接部与第一膜层部分交叠，可以在部分显示区采用导电跨接部替换部分第一膜层，有利于提升显示面板的透光率，适用于对透光率有较高要求的显示区或者显示面板。

在上述实施例的基础上，继续参考图2所示，像素电路12包括第一晶体管12a，第一晶体管12a包括多晶硅有源层，第一膜层121包括该多晶体有源层。

示例性的，第一膜层121可以为多晶硅有源层，对应的，位于导电跨接部13上方的膜层可以为源极122以及漏极123，包括氧化物半导体材料的导电跨接层13作为多晶硅有源层与源极122以及漏极123之间的连接跨界层，保证第一晶体管12a正常工作。

进一步的，当像素电路12包括多个薄膜晶体管时，多个薄膜晶体管的有源层连接，由于多晶硅有源层的透明性较差，因此显示面板的光线透过率较差。但是显示面板中至少部分显示区需要较高的光线透过率，例如指纹识别区或者摄像头设置区，因此现有技术中的显示面板的透过率需要提升。相对于多晶硅材料来说，氧化物半导体材料的透过率良好，因此通过设置包括氧化物半导体材料的导电跨接层13与多晶硅有源层电连接，如此可以使用包括氧化物半导体材料的导电跨接层13代替部分多晶硅有源层，如此可以提升显示面板的透过率，提升显示面板的透光性能。

图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图3所示，像素电路12还包括第二晶体管12b，第二晶体管12b包括氧化物半导体有源层12b1；导电跨接部13与氧化物半导体有源层12b1同层设置。

示例性的，参考图3所示，本发明实施例提供的显示面板10还可以包括第二晶体管12b，第二晶体管12b包括氧化物半导体有源层12b1，即第二晶体管12b为氧化物半导体晶体管。相比于多晶硅晶体管来说，氧化物半导体晶体管的漏流更小，因此通过设置像素电路12包括氧化物半导体晶体管，可以进一步优化像素电路12的性能，保证显示面板的显示效果良好。举例来说，对于7T1C结构的像素电路，可以设置与驱动晶体管的栅极连接的初始化晶体管和阈值补偿晶体管为氧化物半导体晶体管，如此初始化晶体管和阈值补偿晶体管的漏流较小，驱动晶体管的栅极电位稳定性良好，驱动晶体管的驱动能力良好，显示面板的显示效果良好。

进一步的，导电跨接部13与氧化物半导体有源层12b1同层设置，保证如此保证显示面板结构结构，有利于实现显示面板的薄型化设计。进一步的，导电跨接部13与氧化物半导体有源层12b1可以在同一工艺中制备得到，保证显示面板制备工艺简单。

接下来，以像素电路同时第一晶体管和第二晶体管为例，对如何使用包括氧化物半导体材料的导电跨接层代替部分多晶硅有源层来提升显示面板的透过率进行说明。

图4是相关技术中一种像素电路的版图结构示意图，图5是本发明实施例提供的一种像素电路的版图结构示意图，结合图4和图5所示，第一晶体管12a包括信号传输晶体管；导电跨接部13包括信号跨接部13X，信号跨接部13X位于第一信号传输结构14所在膜层与多晶硅有源层所在膜层之间；沿第一方向，信号跨接部13X分别与信号传输晶体管的多晶硅有源层以及第一信号传输结构14至少部分交叠，且信号跨接部分别与信号传输晶体管的多晶硅有源层的信号输入端以及第一信号传输结构14电连接。

具体的，信号传输晶体管可以理解为传输信号的晶体管，例如传输数据电压信号、电源电压信号或者复位电压信号；相对应的，导电跨接部13可以为信号跨接部13X，用于向信号传输晶体管传输数据电压信号、电源电压信号或者复位电压信号；进一步的，第一信号传输结构14可以为通过信号跨接部13X向信号传输晶体管传输数据电压信号、电源电压信号或者复位电压信号的结构，例如数据电压信号线、电源信号线或者复位电压信号线等。如图4中现有技术中像素电路的版图结构所示，现有技术中一般第一信号传输结构直接与信号传输晶体管的多晶硅有源层直接通过深孔电连接，一方面深孔工艺复杂且容易造成连接不良，另一方面信号传输晶体管的多晶硅有源层的设置面积较大，显示面板的透过率较差。结合图5所示的本发明实施例提供的像素电路的版图结构所示，信号跨接部13X分别与信号传输晶体管的多晶硅有源层以及第一信号传输结构14至少部分交叠，且信号跨接部13X分别与信号传输晶体管的多晶硅有源层的信号输入端以及第一信号传输结构14电连接，通过信号跨接部作为第一信号传输结构14与信号传输晶体管之间的传输桥梁，一方面第一信号传输结构14与信号跨接部13X以及信号跨接部13X与信号传输晶体管的多晶硅有源层均通过浅孔电连接，保证连接工艺简单且连接稳定；另一方面原有设置多晶硅有源区的区域可以通过信号跨接部13X替代，减少多晶硅有源层的设置面积，提升显示面板的光线透过率，保证显示面板的至少部分显示区透光效果良好。

需要说明的是，上述实施例中所述的信号输入端可以为薄膜晶体管的源端或者漏端，即源极或者漏极，本发明实施例对此不进行限定。对应的，当源端为信号输入端，漏端即为信号输出端；或者，当漏端为信号输入端，对应的，源端即为信号输出端。

接下来，结合图4和图5，详细说明不同信号传输晶体管对应的信号跨接部的设置方式。

结合图4和图5所示，信号传输晶体管包括数据信号传输晶体管M2，信号跨接部13X还包括数据信号跨接部13X1，第一信号传输结构14包括数据信号线141，数据信号跨接部13X1位于数据信号线141所在膜层和多晶硅有源层所在膜层之间，沿第一方向，数据信号跨接部13X1分别与数据信号传输晶体管M2的多晶硅有源层以及数据信号线141至少部分交叠，且数据信号跨接部13X1分别与数据信号传输晶体管M2的多晶硅有源层的信号输入端以及数据信号线141电连接；

和/或，信号传输晶体管包括电源信号传输晶体管M1，信号跨接部13X还包括电源信号跨接部13X2，第一信号传输结构14包括电源信号线142，电源信号跨接部13X2位于电源信号线142所在膜层和多晶硅有源层所在膜层之间，沿第一方向，电源信号跨接部13X2分别与电源信号传输晶体管M1的多晶硅有源层以及电源信号线142至少部分交叠，且电源信号跨接部13X2分别与电源信号传输晶体管M1的多晶硅有源层的信号输入端以及电源信号线142电连接；

和/或，信号传输晶体管包括复位信号传输晶体管M7，信号跨接部13X包括复位信号跨接部13X3，第一信号传输结构14包括相互电连接的复位信号线143和复位信号传输结构144，复位信号跨接部13X3位于复位信号传输结构144所在膜层和多晶硅有源层所在膜层之间，沿第一方向，复位信号跨接部13X3分别与复位信号传输晶体管M7的多晶硅有源层以及复位信号传输结构144至少部分交叠，且复位信号跨接部13X3分别与复位信号传输晶体管M7的多晶硅有源层的信号输入端以及复位信号传输结构144电连接。

示例性的，结合图4和图5所示，信号传输晶体管包括数据信号传输晶体管M2，数据信号传输晶体管M2用于将数据信号传输至驱动晶体管的栅极。如图4所示，现有技术中，数据信号线141’直接通过过孔与数据信号传输晶体管M2’的多晶硅有源层的信号输入端电连接，一方面来说连接过孔较深，过孔工艺复杂且容易造成连接不稳定，另一方面数据信号传输晶体管M2’的多晶硅有源层的设置面积较大，不利于实现显示面板的高透光率。如图5所示，通过增设数据信号跨接部13X1，同时设置数据信号跨接部13X1位于数据信号线141所在膜层和多晶硅有源层所在膜层之间，沿第一方向，数据信号跨接部13X1分别与数据信号传输晶体管M2的多晶硅有源层以及数据信号线141至少部分交叠，且数据信号跨接部13X1分别与数据信号传输晶体管M2的多晶硅有源层的信号输入端以及数据信号线141电连接，通过数据信号跨接部13X1实现数据信号线141与数据信号传输晶体管M2的多晶硅有源层之间的电连接，数据数据信号线141与数据信号跨接部13X1的连接过孔以及数据信号跨接部13X1与数据信号传输晶体管M2的多晶硅有源层之间的连接过孔均为浅孔，一方面可以避免深孔工艺，保证过孔工艺简单且连接稳定性高，另一方面由于包含氧化物半导体材料的数据信号跨接部13X1的透光率良好，通过数据信号跨接部13X1替换部分多晶硅有源层，可以提升显示面板的透光效果。

进一步的，结合图4和图5所示，信号传输晶体管包括电源信号传输晶体管M1，电源信号传输晶体管M1用于将电源电压信号传输至发光二极管的阳极。如图4所示，现有技术中，电源信号线142’直接通过过孔与电源信号传输晶体管M1’的多晶硅有源层的信号输入端电连接，一方面来说连接过孔较深，过孔工艺复杂且容易造成连接不稳定，另一方面电源信号传输晶体管M1’的多晶硅有源层的设置面积较大，不利于实现显示面板的高透光率。如图5所示，通过增设电源信号跨接部13X2，同时设置电源信号跨接部13X2位于电源信号线142所在膜层和多晶硅有源层所在膜层之间，沿第一方向，电源信号跨接部13X2分别与电源信号传输晶体管M1的多晶硅有源层以及电源信号线142至少部分交叠，且电源信号跨接部13X2分别与电源信号传输晶体管M1的多晶硅有源层的信号输入端以及电源信号线142电连接，通过电源信号跨接部13X2实现电源信号线142与电源信号传输晶体管M1的多晶硅有源层之间的电连接，电源信号线142与电源信号跨接部13X2的连接过孔以及电源信号跨接部13X2与电源信号传输晶体管M1的多晶硅有源层之间的连接过孔均为浅孔，一方面可以避免深孔工艺，保证过孔工艺简单且连接稳定性高，另一方面由于包含氧化物半导体材料的电源信号跨接部13X2的透光率良好，通过电源信号跨接部13X2替换部分多晶硅有源层，可以提升显示面板的透光效果。

进一步的，结合图4和图5所示，信号传输晶体管包括复位信号传输晶体管M7，复位信号传输晶体管M7用于将复位信号传输至发光二极管的阳极，避免上一帧的显示信号残留影响当前帧显示效果。如图4所示，现有技术中，复位信号传输结构144直接通过过孔与复位信号传输晶体管M7’的多晶硅有源层的信号输入端电连接，一方面来说连接过孔较深，过孔工艺复杂且容易造成连接不稳定，另一方面复位信号传输晶体管M7’的多晶硅有源层的设置面积较大，不利于实现显示面板的高透光率。如图5所示，通过增设复位信号跨接部13X3，同时设置复位信号跨接部13X3位于复位信号传输结构144所在膜层和多晶硅有源层所在膜层之间，沿第一方向，复位信号跨接部13X3分别与复位信号传输晶体管M7的多晶硅有源层以及复位信号传输结构144至少部分交叠，且复位信号跨接部13X3分别与复位信号传输晶体管M7的多晶硅有源层的信号输入端以及复位信号传输结构144电连接，通过复位信号跨接部13X3实现复位信号传输结构144与复位信号传输晶体管M7的多晶硅有源层之间的电连接，复位信号传输结构144与复位信号跨接部13X3的连接过孔以及复位信号跨接部13X3与复位信号传输晶体管M7的多晶硅有源层之间的连接过孔均为浅孔，一方面可以避免深孔工艺，保证过孔工艺简单且连接稳定性高，另一方面由于包含氧化物半导体材料的复位信号跨接部13X3的透光率良好，通过复位信号跨接部13X3替换部分多晶硅有源层，可以提升显示面板的透光效果。

进一步的，继续参考图5所示，本发明实施例提供的像素电路12还可以包括第一复位信号线Vref 1和第二复位信号线Vref 2(即上述实施例中所述的复位信号线143)，第一复位信号线Vref 1中传输的复位信号用于对驱动晶体管M3的栅极进行复位，第二复位信号线Vref 2中传输的复位信号用于对发光元件的阳极进行复位。进一步的，像素电路12还可以包括P型扫描信号线ScanP和N型扫描信号线ScanN，P型扫描信号线ScanP用于对P型晶体管(例如第一晶体管)提供扫描信号，N型扫描信号线ScanN用于对N型晶体管(例如第二晶体管)提供扫描信号。进一步的，像素电路12还可以包括发光控制信号线Emit，发光控制信号线Emit用于向发光控制晶体管M1和M6传输发光控制信号，以使发光控制晶体管M1和M6导通或者关断，控制电源电压信号是否传输至发光元件。

综上所述，通过设置信号跨接部包括数据信号跨接部、电源信号跨接部和/或复位信号跨接部，数据信号、电源信号和/或复位信号通过信号跨接部传输至对应的信号传输晶体管，一方面可以避免深孔工艺，保证过孔工艺简单且连接稳定性高，另一方面由于包含氧化物半导体材料的信号跨接部的透光率良好，通过信号跨接部替换部分多晶硅有源层，可以提升显示面板的透光效果。

需要说明的是，图5仅以信号跨接部同时包括数据信号跨接部、电源信号跨接部以及复位信号跨接部，即数据信号、电源信号和复位信号同时通过其对应的信号跨接部传输至对应的信号传输晶体管为例进行说明，可以理解的是，本发明实施例中信号跨接部可以至少传输一种信号，本发明实施例对此不进行限定。

在上述实施例的基础上，继续参考图4和图5所示，第一晶体管包括驱动晶体管M3，第二晶体管包括阈值补偿晶体管M4；导电跨接部13还包括有源层跨接部13Y；有源层跨接部13Y与阈值补偿晶体管M4的氧化物半导体有源层一体设置；沿第一方向，有源层跨接部13Y与驱动晶体管M3的多晶硅有源层的信号输出端至少部分交叠，有源层跨接部13Y分别与驱动晶体管M3的多晶硅有源层的信号输出端和阈值补偿晶体管M4的氧化物半导体有源层的信号输入端电连接。

如图4所示，现有技术中，驱动晶体管M3’的多晶硅有源层的信号输出端和阈值补偿晶体管M4’的氧化物半导体有源层的信号输入端通过连接部012实现连接，连接部012与数据信号线141’同层设置材料相同，例如可以为金属。因此连接部012与驱动晶体管M3’的多晶硅有源层的信号输出端之间的连接过孔较深，且连接部012不透光，影响显示面板的透光率。如图5所示，本发明实施例创造性地设置导电跨接部13还包括有源层跨接部13Y，有源层跨接部13Y与阈值补偿晶体管M4的氧化物半导体有源层一体设置且有源层跨接部13Y分别与驱动晶体管M3的多晶硅有源层的信号输出端和阈值补偿晶体管M4的氧化物半导体有源层的信号输入端电连接，如此驱动晶体管M3的多晶硅有源层的信号输出端和阈值补偿晶体管M4的氧化物半导体有源层的信号输入端近需要一个浅孔即可实现连接，保证连接工艺简单且连接稳定性良好；进一步的，由于包含氧化物半导体材料的有源层跨接部13Y的透光率良好，因此通过有源层跨接部13Y替换金属材质的连接部012，可以保证显示面板的透光率良好，提升显示面板的透光效果。

在上述实施例的基础上，继续参考图2所示，第一晶体管12a还包括同层设置的第一源极122和第一漏极123；导电跨接部13包括电极跨接部13Z，电极跨接部13Z位于第一源极122所在膜层与多晶硅有源层所在膜层之间；沿第一方向(如图中所示的X方向)，电极跨接部13Z分别与多晶硅有源层、第一源极122和第一漏极123至少部分交叠，且电极跨接部13Z分别与多晶硅有源层、第一源极122和第一漏极123电连接。

示例性的，导电跨接部13包括电极跨接部13Z，即作为第一源极122和第一漏极123与多晶硅有源层之间的跨接部，电极跨接部13Z分别通过浅孔与多晶硅有源层以及第一源极122和第一漏极123电连接，保证多晶硅有源层与第一源极122和第一漏极123之间的正常连接的同事，可以避免多晶硅有源层通过较深的过孔与第一源极和第一漏极之间电连接，保证显示面板制备工艺简单，同时保证多晶硅有源层与第一源极122和第一漏极123之间的连接稳定性高。

在上述实施例的基础上，图6是本发明实施例提供的另一种像素电路的版图结构示意图，如图6所示，像素电路12包括第一晶体管12a，第一晶体管12a包括驱动晶体管M3；第一膜层121包括驱动晶体管M3的栅极；导电跨接部13包括第一连接跨接部13K，第一连接跨接部13K位于第二信号传输结构15所在膜层与驱动晶体管M3的栅极所在膜层之间；沿第一方向，第一连接跨接部13K分别与驱动晶体管M3的栅极以及第二信号传输结构15至少部分交叠，且第一连接跨接部13K分别与驱动晶体管的栅极M3以及第二信号传输结构15电连接。

示例性的，像素电路中，驱动晶体管的栅极需要与初始化晶体管的信号输出端电连接，如图6所示，驱动晶体管M3的栅极通过第二信号传输结构15与初始化晶体管M5的信号输出端在N1节点电连接。如图4所示，现有技术中，第二信号传输结构15’直接通过过孔与驱动晶体管M3’的栅极电连接，由于第二信号传输结构15’一般与数据信号线141’同层设置，因此第二信号传输结构15’与驱动晶体管M3’的栅极通过深孔实现电连接，深孔工艺复杂且容易造成连接不良。如图6所示，本发明创造性地设置导电跨接部13包括第一连接跨接部13K，第一连接跨接部13K位于第二信号传输结构15所在膜层与驱动晶体管M3的栅极所在膜层之间，且第一连接跨接部13K分别与驱动晶体管的栅极M3以及第二信号传输结构15通过浅孔电连接，保证连接工艺简单且连接稳定性良好。进一步的，由于包含氧化物半导体材料的第一连接跨接部13K的透过率良好，因此通过第一连接跨接部13K分别与驱动晶体管的栅极M3以及第二信号传输结构15电连接时不会影响显示面板的透过率，保证显示面板的透过率良好。

在上述实施例的基础上，图7是本发明实施例提供的另一种像素电路的版图结构示意图，如图7所示，像素电路12还包括存储电容Cst，存储电容Cst包括第一电容极板Cst1和第二电容极板Cst2，第二电容极板Cst2位于第一电容极板Cst1远离衬底的一侧；第一膜层121包括第二电容极板Cst2；导电跨接部13包括第二连接跨接部13Q，第二连接跨接部13Q位于第三信号传输结构16所在膜层与第二电容极板Cst2所在膜层之间；沿第一方向，第二连接跨接部13Q分别与第二电容极板Cst2以及第三信号传输结构16至少部分交叠，且第二连接跨接部13Q分别与第二电容极板Cst2以及第三信号传输结构16电连接。

示例性的，像素电路还可以包括存储电容，用于保持驱动晶体管的栅极电位稳定。具体的，存储电容包括第一电容极板和第二电容极板，第一电容极板可以复用为驱动晶体管的栅极，第二电容极板位于第一电容基板远离衬底的一侧。进一步的，为了保证整个显示面板的电源电压信号均一性良好，第二电容极板上传输有电源电压信号，即第二电容极板与电源信号线电连接，即第三信号传输结构为电源信号线。如图4所示，现有技术中，第三信号传输结构(电源信号线)16’直接通过过孔与存储电容Cst’的第二电容极板Cst2’电连接，由于第三信号传输结构16’一般与数据信号线141’同层设置，因此第三信号传输结构16’与第二电容极板Cst2’通过深孔实现电连接，深孔工艺复杂且容易造成连接不良。如图7所示，本发明创造性地设置导电跨接部13包括第二连接跨接部13Q，第二连接跨接部13Q位于第三信号传输结构16(电源信号线142)所在膜层与第二电容极板Cst2所在膜层之间，且第二连接跨接部13Q分别与第二电容极板Cst2以及第三信号传输结构16通过浅孔电连接，保证连接工艺简单且连接稳定性良好。进一步的，由于包含氧化物半导体材料的第二连接跨接部13Q的透过率良好，因此通过第二连接跨接部13Q分别与第二电容极板Cst2以及第三信号传输结构16电连接时不会影响显示面板的透过率，保证显示面板的透过率良好。

在上述实施例的基础上，继续参考图5所示，第一信号传输结构14包括数据信号线141、电源信号线142和复位信号传输结构144；信号跨接部13X通过第一类过孔K1与多晶硅有源层电连接，通过第二类过孔K2与第一信号传输结构14电连接；其中，第一类过孔K1与第二类过孔K2错开设置。

示例性的，信号跨接部13X通过第一类过孔K1与多晶硅有源层电连接，通过第二类过孔K2与第一信号传输结构14电连接，第一类过孔K1和第二类过孔K2均为浅孔，第一类过孔K1和第二类过孔K2淑文打孔工艺简单。进一步的，第一类过孔K1与第二类过孔K2错开设置，保证第一类过孔K1和第二类过孔K2的设计自由度大，形成工艺简单。

进一步的，第二类过孔K2的孔径小于第一类过孔K1的孔径，即信号跨接部13X与多晶硅有源层之间的连接过孔的尺寸大于信号跨接部13X与第一信号传输结构14之间的连接过孔的尺寸，如此有利于减小第一信号传输结构14的尺寸，有利于提升显示面板的透过率。

在上述实施例的基础上，显示区可以包括指纹识别区，至少指纹识别区包括导电跨接部；和/或，显示区可以包括成像元件设置区，至少成像元件设置区包括导电跨接部。

由于指纹识别区需要接受手指反射的指纹识别光线，因此指纹识别区要求良好的透光率，因此可以设置至少指纹识别区包括导电跨接部，通过包含氧化物半导体材料的导电跨接部替换部分多晶硅，至少提升指纹识别区的透光效果。进一步，由于成像元件设置区需要接收外界光线进行成像，因此成像元件设置区要求良好的透光率，因此可以设置至少成像元件设置区包括导电跨接部，通过包含氧化物半导体材料的导电跨接部替换部分多晶硅，至少提升成像元件设置区的透光效果。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，用于制备上述实施例所述的显示面板。具体的，图8是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图吗，如图8所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括：

S110、提供衬底。

其中，衬底可以为刚性衬底也可以为柔性衬底，本发明实施例对此不进行限定。

S120、在显示区且在衬底一侧制备像素电路，像素电路包括第一膜层。

在显示区且在衬底一侧制备像素电路，像素电路可以包括至少一个薄膜晶体管，也可以包括多个薄膜晶体管和至少一个存储电容，例如7T1C像素电路，即像素电路包括七个薄膜晶体管和一个存储电容，通过多个薄膜晶体管和至少一个存储电容配合，降低像素电路中驱动晶体管的阈值电压对显示的影响，保证显示面板的显示效果。进一步的，像素电路包括第一膜层，第一膜层为像素电路中靠近衬底一侧的膜层，例如有源层或者其他膜层。

S130、在至少部分显示区且在第一膜层远离衬底的一侧制备导电跨接层，导电跨接部包括氧化物半导体材料；沿第一方向，导电跨接部与第一膜层部分交叠，且导电跨接部与部分第一膜层电连接；第一方向与衬底所在平面垂直。

导电跨接部位于第一膜层远离衬底11的一侧，沿第一方向，即与衬底所在平面垂直的方向，导电跨接部与第一膜层部分交叠，且导电跨接部与部分第一膜层电连接，即导电跨接部作为第一膜层与位于导电跨接部上方膜层之间的连接过渡层，保证第一膜层与位于导电跨接部上方膜层之间的正常连接，可以避免第一膜层通过较深的过孔与位于导电跨接部上方膜层之间电连接，保证显示面板制备工艺简单，同时保证第一膜层与位于导电跨接部上方膜层之间的连接稳定性高。

进一步的，导电跨接部包括氧化物半导体材料，例如铟镓锌氧化物(IGZO)，通过对氧化物半导体材料进行掺杂处理实现其导电性能，保证第一膜层通过导电跨接部可以实现与位于导电跨接部上方膜层之间的正常连接，保证显示面板正常工作。进一步的，导电跨接部包括氧化物半导体材料，其透过率较高，因此设置沿第一方向，导电跨接部与第一膜层部分交叠，可以在部分显示区，采用导电跨接部替换部分第一膜层，有利于提升显示面板的透光率，适用于对透光率有较高要求的显示区或者显示面板。

综上，本发明实施例提供的制备方法，通过将包括氧化物半导体材料的导电跨接层作为像素电路中第一膜层与其他膜层的连接跨接层，可以避免第一膜层通过较深的过孔与其他膜层之间电连接，保证显示面板制备工艺简单，同时保证第一膜层与其他膜层之间的连接稳定性高；同时，由于导电跨接部包括氧化物半导体材料，其透过率较高，因此设置沿第一方向，导电跨接部与第一膜层部分交叠，可以在部分显示区采用导电跨接部替换部分第一膜层，有利于提升显示面板的透光率，适用于对透光率有较高要求的显示区或者显示面板。

在上述实施例的基础上，显示面板还包括第二晶体管，第二晶体管包括氧化物半导体有源层且导电跨接部与氧化物半导体有源层同层设置。对应此结构，图9是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图，如图9所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括：

S210、提供衬底。

S220、在显示区且在衬底一侧制备第一膜层。

S230、在第一膜层远离衬底的一侧制备跨接部，跨接部与第一膜层部分交叠且跨接部与部分第一膜层通过过孔接触。

示例性的，跨接部与第二晶体管的有源层同层设置且在同一工艺中制备得到，在第一膜层远离衬底的一侧制备跨接部的同时制备第二晶体管的有源层。跨接部和有源层的材料包括氧化物半导体材料，在没有电场作用下，一般为半导体结构，不导电。

S240、在跨接部和氧化物半导体有源层远离衬底的一侧制备第二晶体管的栅极。

在跨接部和氧化物半导体有源层远离衬底的一侧制备第二晶体管的栅极，沿第一方向，即垂直衬底所在平面的方向，第二晶体管的栅极与第二晶体管的有源层至少部分交叠，第二晶体管的有源层对应栅极的区域形成沟道区。

S250、通过第二晶体管的栅极作为氧化物半导体有源层的掺杂掩模，对跨接部和氧化物半导体有源层进行掺杂处理，形成导电跨接部和第二晶体管的源区和漏区，第二晶体管的栅极对应的区域形成第二晶体管的沟道区。

通过第二晶体管的栅极作为氧化物半导体有源层的掺杂掩模，即沿第一方向，第二晶体管的栅极覆盖的区域作为掩模覆盖区域不进行掺杂，其余区域通过掺杂形成导电跨接部和第二晶体管的源区和漏区，第二晶体管的栅极对应的区域形成第二晶体管的沟道区，需要在栅极电压的作用下导通，其他其余作为导电区域可以直接导通。如此，通过首先制备第二晶体管的栅极之后将第二晶体管的栅极作为掺杂掩模形成导电跨接部、第二晶体管的源区和漏区，既可以保证对跨级部以及第二晶体管的源区和漏极完成掺杂实现导电，也可以形成第二晶体管的沟道区，实现第二晶体管的沟道控制，保证导电跨接部以及第二晶体管的源区、漏区和沟道区制备工艺简单。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，图10为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图10所示，该显示装置100包括本发明任意实施例所述的显示面板10，因此，本发明实施例提供的显示装置100具有上述任一实施例中的技术方案所具有的技术效果，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。本发明实施例提供的显示装置100可以为图10所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互组合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (16)

1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区；

所述显示面板还包括：

衬底；

位于所述显示区且位于所述衬底一侧的像素电路，所述像素电路包括第一膜层；

至少部分所述显示区还包括位于所述第一膜层远离所述衬底一侧的导电跨接部，所述导电跨接部包括氧化物半导体材料；

沿第一方向，所述导电跨接部与所述第一膜层部分交叠，且所述导电跨接部与部分所述第一膜层电连接；所述第一方向与所述衬底所在平面垂直。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路包括第一晶体管，所述第一晶体管包括多晶硅有源层；

所述第一膜层包括多晶硅有源层。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管包括信号传输晶体管；

所述导电跨接部包括信号跨接部，所述信号跨接部位于第一信号传输结构所在膜层与所述多晶硅有源层所在膜层之间；沿所述第一方向，所述信号跨接部分别与所述信号传输晶体管的多晶硅有源层以及所述第一信号传输结构至少部分交叠，且所述信号跨接部分别与所述信号传输晶体管的多晶硅有源层的信号输入端以及所述第一信号传输结构电连接。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述信号传输晶体管包括数据信号传输晶体管，所述信号跨接部还包括数据信号跨接部，所述第一信号传输结构包括数据信号线，所述数据信号跨接部位于所述数据信号线所在膜层和所述多晶硅有源层所在膜层之间，沿所述第一方向，所述数据信号跨接部分别与所述数据信号传输晶体管的多晶硅有源层以及所述数据信号线至少部分交叠，且所述数据信号跨接部分别与所述数据信号传输晶体管的多晶硅有源层的信号输入端以及所述数据信号线电连接；

和/或，所述信号传输晶体管包括电源信号传输晶体管，所述信号跨接部还包括电源信号跨接部，所述第一信号传输结构包括电源信号线，所述电源信号跨接部位于所述电源信号线所在膜层和所述多晶硅有源层所在膜层之间，沿所述第一方向，所述电源信号跨接部分别与所述电源信号传输晶体管的多晶硅有源层以及所述电源信号线至少部分交叠，且所述电源信号跨接部分别与所述电源信号传输晶体管的多晶硅有源层的信号输入端以及所述电源信号线电连接；

和/或，所述信号传输晶体管包括复位信号传输晶体管，所述信号跨接部包括复位信号跨接部，所述第一信号传输结构包括相互电连接的复位信号线和复位信号传输结构，所述复位信号跨接部位于所述复位信号传输结构所在膜层和所述多晶硅有源层所在膜层之间，沿所述第一方向，所述复位信号跨接部分别与所述复位信号传输晶体管的多晶硅有源层以及所述复位信号传输结构至少部分交叠，且所述复位信号跨接部分别与所述复位信号传输晶体管的多晶硅有源层的信号输入端以及所述复位信号传输结构电连接。

5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路还包括第二晶体管，所述第二晶体管包括氧化物半导体有源层；

所述导电跨接部与所述氧化物半导体有源层同层设置。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管包括驱动晶体管，所述第二晶体管包括阈值补偿晶体管；

所述导电跨接部还包括有源层跨接部；

所述有源层跨接部与所述阈值补偿晶体管的氧化物半导体有源层一体设置；沿所述第一方向，所述有源层跨接部与所述驱动晶体管的多晶硅有源层的信号输出端至少部分交叠，所述有源层跨接部分别与所述驱动晶体管的多晶硅有源层的信号输出端和所述阈值补偿晶体管的氧化物半导体有源层的信号输入端电连接。

7.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管还包括同层设置的第一源极和第一漏极；

所述导电跨接部包括电极跨接部，所述电极跨接部位于所述第一源极所在膜层与所述多晶硅有源层所在膜层之间；沿所述第一方向，所述电极跨接部分别与所述多晶硅有源层、所述第一源极和所述第一漏极至少部分交叠，且所述电极跨接部分别与所述多晶硅有源层、所述第一源极和所述第一漏极电连接。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路包括第一晶体管，所述第一晶体管包括驱动晶体管；

所述第一膜层包括所述驱动晶体管的栅极；

所述导电跨接部包括第一连接跨接部，所述第一连接跨接部位于第二信号传输结构所在膜层与所述驱动晶体管的栅极所在膜层之间；沿所述第一方向，所述第一连接跨接部分别与所述驱动晶体管的栅极以及所述第二信号传输结构至少部分交叠，且所述第一连接跨接部分别与所述驱动晶体管的栅极以及所述第二信号传输结构电连接。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路还包括存储电容，所述存储电容包括第一电容极板和第二电容极板，所述第二电容极板位于所述第一电容极板远离所述衬底的一侧；

所述第一膜层包括所述第二电容极板；

所述导电跨接部包括第二连接跨接部，所述第二连接跨接部位于第三信号传输结构所在膜层与所述第二电容极板所在膜层之间；沿所述第一方向，所述第二连接跨接部分别与所述第二电容极板以及所述第三信号传输结构至少部分交叠，且所述第二连接跨接部分别与所述第二电容极板以及所述第三信号传输结构电连接。

10.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一信号传输结构包括数据信号线、电源信号线和复位信号传输结构；

所述信号跨接部通过第一类过孔与所述多晶硅有源层电连接，通过第二类过孔与所述第一信号传输结构电连接；

其中，所述第一类过孔与所述第二类过孔错开设置。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第二类过孔的孔径小于所述第一类过孔的孔径。

12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示区包括指纹识别区，至少所述指纹识别区包括所述导电跨接部；

和/或，所述显示区包括成像元件设置区，至少所述成像元件设置区包括所述导电跨接部。

13.一种显示面板的制备方法，用于制备权利要求1-12任一项所述的显示面板，所述显示面板包括显示区；

其特征在于，所述制备方法包括：

提供衬底；

在所述显示区且在所述衬底一侧制备像素电路，所述像素电路包括第一膜层；

在至少部分所述显示区且在所述第一膜层远离所述衬底的一侧制备导电跨接层，导电跨接部包括氧化物半导体材料；沿第一方向，所述导电跨接部与所述第一膜层部分交叠，且所述导电跨接部与部分所述第一膜层电连接；所述第一方向与所述衬底所在平面垂直。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，在所述显示区且在所述衬底一侧制备像素电路，包括：

在所述显示区且在所述衬底一侧制备第一膜层；

在所述第一膜层远离所述衬底的一侧制备跨接部，所述跨接部与所述第一膜层部分交叠且所述跨接部与部分所述第一膜层通过过孔接触；

对所述跨接部进行掺杂处理，形成导电跨接部，所述导电跨接部与部分所述第一膜层电连接。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所示制备方法还包括在所述衬底一侧制备第二晶体管，所述第二晶体管包括氧化物半导体有源层且所述导电跨接部与所述氧化物半导体有源层同层设置；

对所述跨接部进行掺杂处理，形成导电跨接部，包括：

在所述跨接部和氧化物半导体有源层远离所述衬底的一侧制备所述第二晶体管的栅极；

通过所述第二晶体管的栅极作为所述氧化物半导体有源层的掺杂掩模，对所述跨接部和所述氧化物半导体有源层进行掺杂处理，形成导电跨接部和所述第二晶体管的源区和漏区，所述第二晶体管的栅极对应的区域形成所述第二晶体管的沟道区。

16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-12任一项所述的显示面板。

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