CN210956677U - 透明显示基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种透明显示基板、显示面板及显示装置。所述透明显示基板，包括：衬底与第一像素电路，第一像素电路位于衬底上；第一像素电路包括第一晶体管与第二晶体管；第一晶体管包括第一有源层，第一有源层的材料为氧化物半导体，第二晶体管包括第二有源层，第二有源层的材料为低温多晶硅；第一晶体管位于所述第二晶体管的上方，第一晶体管在衬底上的正投影与第二晶体管在衬底上的正投影至少部分重合。根据本实用新型的实施例，可以缩减第一像素电路的不透光面积，进而提高透明显示基板的透光率。

Description

透明显示基板、显示面板及显示装置

技术领域

本实用新型涉及OLED显示设备技术领域，尤其涉及一种透明显示基板、显示面板及显示装置。

背景技术

随着显示装置的快速发展，用户对屏幕占比的要求越来越高。由于屏幕顶部需要安装摄像头、传感器、听筒等元件，因此，相关技术中屏幕顶部通常会预留一部分区域用于安装上述元件，例如，苹果手机iphoneX的“刘海”区域，影响了屏幕的整体一致性。目前，全面屏显示受到业界越来越多的关注。

实用新型内容

本实用新型提供一种透明显示基板、显示面板及显示装置，以解决相关技术中的不足。

根据本实用新型实施例的第一方面，提供一种透明显示基板，包括：衬底与第一像素电路，所述第一像素电路位于所述衬底上；所述第一像素电路包括第一晶体管与第二晶体管；所述第一晶体管包括第一有源层，所述第一有源层的材料为氧化物半导体，所述第二晶体管包括第二有源层，所述第二有源层的材料为低温多晶硅；

所述第一晶体管位于所述第二晶体管的上方，所述第一晶体管在所述衬底上的正投影与所述第二晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合。

在一个实施例中，所述透明显示基板还包括电容；所述电容位于所述衬底上，所述第一有源层位于所述电容上方。

在一个实施例中，所述透明显示基板还包括层间介质层；所述第二晶体管还包括栅极绝缘层与第二栅极；所述第二有源层位于所述衬底上，所述栅极绝缘层位于所述第二有源层上，所述第二栅极位于所述栅极绝缘层上；所述电容包括第一金属层、电容绝缘介质层与第二金属层，所述第一金属层位于所述栅极绝缘层上，所述电容绝缘介质层位于所述第一金属层上，所述第二金属层位于所述电容绝缘介质层上；所述电容绝缘介质层位于所述第二栅极上；所述层间介质层位于所述电容绝缘介质层与所述第二金属层上；所述第一晶体管还包括第一栅极与绝缘钝化层；所述第一有源层位于所述层间介质层上，所述绝缘钝化层位于所述第一有源层上，所述第一栅极位于所述绝缘钝化层上，所述第一栅极在所述衬底上的正投影与所述第二栅极在所述衬底上的正投影至少部分重合。

由于第一栅极在衬底上的正投影与第二栅极在衬底上的正投影至少部分重合，这样可以减少第一像素电路的不透光面积，进而提高透明显示基板的透光率。

在一个实施例中，所述第一晶体管为N型晶体管，所述第一晶体管还包括第一漏极，所述第一漏极与所述第一金属层接触。

在一个实施例中，所述层间介质层上包括通孔，所述第一漏极穿过所述通孔与所述第一金属层接触。

在一个实施例中，所述透明显示基板还包括恒压电源线；所述第二金属层与恒压电源线电连接。

由于电容的第二金属层与恒压电源线电连接，这样，可以使电容的第二金属层与恒压电源同电位，进而可以使第一有源层的电性不受外界电信号的干扰。

在一个实施例中，所述第一像素电路还包括第三晶体管，所述第三晶体管位于所述衬底上，所述第三晶体管包括第三有源层，所述第三有源层的材料为低温多晶硅；所述第三有源层与所述第二有源层位于同一层且相接触。

由于第三晶体管的第三有源层与第二晶体管的第二有源层同层设置且相连，这样可以减小不透光面积，进而提高透明显示基板的透光率。

在一个实施例中，所述第一像素电路为2T1C像素电路、3T1C像素电路、3T2C像素电路、4T1C像素电路、4T2C像素电路、5T1C像素电路、5T2C像素电路、6T1C像素电路、6T2C像素电路、7T1C像素电路、7T2C像素电路、8T1C像素电路或8T2C像素电路。

根据本实用新型实施例的第二方面，提供一种显示面板，所述显示面板至少包括第一显示区，所述第一显示区中包括上述的透明显示基板。

根据本实用新型实施例的第三方面，提供一种显示装置，包括：

上述的显示面板；

电子器件，所述电子器件位于所述第一显示区的下方。

根据上述实施例可知，通过将第一像素电路中的第一晶体管放置于第二晶体管的上方，且第一晶体管在衬底上的正投影与第二晶体管在衬底上的正投影至少部分重合，这样，可以缩减第一像素电路的不透光面积，进而提高透明显示基板的透光率。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本实用新型。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本实用新型的实施例，并与说明书一起用于解释本实用新型的原理。

图1是根据本实用新型实施例示出的一种透明显示基板的结构示意图；

图2是根据本实用新型实施例示出的一种像素电路的结构示意图；

图3是根据本实用新型实施例示出的另一种像素电路的结构示意图；

图4是根据本实用新型实施例示出的一种显示基板的结构示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本实用新型相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本实用新型的一些方面相一致的装置和方法的例子。

本实用新型实施例提供一种透明显示基板。如图1至图3所示，该透明显示基板包括：衬底11与第一像素电路2，第一像素电路2位于衬底11上。

第一像素电路2包括第一晶体管T1与第二晶体管T2。第一晶体管T1包括第一有源层T11，第一有源层T11的材料为氧化物半导体，第二晶体管T2包括第二有源层T21，第二有源层T21的材料为低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon；简称LTPS)。

第一晶体管T1位于第二晶体管T2的上方，第一晶体管T1在衬底11上的正投影与第二晶体管T2在衬底11上的正投影至少部分重合。

例如，第一晶体管T1在衬底11上的正投影与第二晶体管T2在衬底11上的正投影部分重合，或者，第一晶体管T1在衬底11上的正投影与第二晶体管T2在衬底11上的正投影完全重合。第一晶体管T1在衬底11上的正投影与第二晶体管T2在衬底11上的正投影部分重合的情况可包括：第一晶体管T1在衬底11上的正投影落在第二晶体管T2在衬底11上的正投影内，或者，第二晶体管T2在衬底11上的正投影落在第一晶体管T1在衬底11上的正投影内，但不限于此。

在本实施例中，通过将第一像素电路中的第一晶体管放置于第二晶体管的上方，且第一晶体管在衬底上的正投影与第二晶体管在衬底上的正投影至少部分重合，这样，可以缩减第一像素电路的不透光面积，进而提高透明显示基板的透光率。

本实用新型实施例还提供一种透明显示基板。在上述实施例的基础上，本实施例中的透明显示基板包括多个第一像素，上述的第一像素电路2用于驱动第一像素发光。其中，第一像素为透明像素，具体地，第一像素的透光率可大于90％，但不限于此。

在一个实施例中，上述的第一像素电路2可以是如图2所示的2T1C像素电路。如图2所示，2T1C像素电路可包括第一晶体管T1、第二晶体管T2以及电容C。

其中，第一晶体管T1可为N型晶体管，用作开关管。第一晶体管T1的第一栅极用于输入扫描信号Scan，第一晶体管T1的第一源极用于接收数据信号Vdata，第一晶体管T1的第一漏极与电容C的第一极板连接，电容C的第二极板连接恒压电源VDD。第二晶体管T2为P型晶体管，用作驱动晶体管。第二晶体管T2的第二源极连接恒压电源VDD，第二晶体管T2的第二漏极连接有机发光二极管D的阳极，第二晶体管T2的第二栅极连接至第一晶体管T1的第一漏极。有机发光二极管D的阴极接低压电源Vss。

在另一个实施例中，上述的第一像素电路2可以是3T1C像素电路。在本实施例中，可以将不透光面积减少为原来的1/2。如图3所示，3T1C像素电路可包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3以及电容C。

其中，第一晶体管T1可为N型晶体管，用作开关管。第一晶体管T1的第一栅极用于输入扫描信号Scan，第一晶体管T1的第一源极用于接收数据信号Vdata，第一晶体管T1的第一漏极与电容C的第一极板连接，电容C的第二极板连接恒压电源VDD。第二晶体管T2为P型晶体管，用作驱动晶体管。第二晶体管T2的第二源极连接恒压电源VDD，第二晶体管T2的第二漏极连接第三晶体管T3的第三源极，第二晶体管T2的第二栅极连接至第一晶体管T1的第一漏极。第三晶体管T3为P型晶体管，第三晶体管T2的第三栅极用于接收发光控制信号EM，第三晶体管T3的第三漏极与有机发光二极管D的阳极连接，有机发光二极管D的阴极接低压电源Vss。

在一个实施例中，第三晶体管T3位于衬底11上，第三晶体管T3包括第三有源层(未示出)，第三有源层的材料为低温多晶硅，第三有源层与第二有源层T21位于同一层且相接触。由于第三晶体管的第三有源层与第二晶体管的第二有源层同层设置且相连，这样用于直接连接的方孔的边长小于或等于3μm*3μm。如果第三有源层与第二有源层T21不在同一层，而是叠层的话，则需要过孔连接，该过孔也可以是方孔，该方孔的边长大于或等于3.5μm*3.5μm，且有金属覆盖，会增大不透光面积。因此，由于第三晶体管的第三有源层与第二晶体管的第二有源层同层设置且相连，可以减小不透光面积，进而提高透明显示基板的透光率。

在一个实施例中，第一有源层T11的材料可为IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)。在对第一有源层T11进行图形化时，可以采用草酸进行刻蚀，还可以用硝化混酸进行刻蚀。硝化混酸包括醋酸、硝酸、磷酸。在本实施例中，第一晶体管T1的漏电流小于第二晶体管T2的漏电流。在本实施例中，可以降低屏体刷新频率，进而降低屏体功耗。

在另一个实施例中，第一有源层的材料可为ZnO(氧化锌)。在另一个实施例中，第一有源层的材料可为ZnO(氧化锌)。

需要说明的是，上述的第三晶体管T3也可以为N型晶体管。

在其他实施例中，上述的第一像素电路2还可以是3T2C像素电路、4T1C像素电路、4T2C像素电路、5T1C像素电路、5T2C像素电路、6T1C像素电路、6T2C像素电路、7T1C像素电路、7T2C像素电路、8T1C像素电路或8T2C像素电路。

需要说明的是，第一像素电路中任意一个晶体管均可放置在其他晶体管的上方，位于其他晶体管的上方的晶体管的有源层的材料为氧化物半导体，其他晶体管的有源层的材料为低温多晶硅。

本实用新型实施例还提供一种透明显示基板。在上述实施例的基础上，本实施例中，如图1所示，透明显示基板还包括层间介质层12，层间介质层12位于第一晶体管T1与第二晶体管T2之间。

在本实施例中，如图1所示，第二晶体管T2还包括栅极绝缘层T22与第二栅极T23，第二有源层T21位于衬底11上，栅极绝缘层T22位于第二有源层T21上，第二栅极T23位于栅极绝缘层T22上。

电容C位于衬底11上。电容C包括第一金属层C1、电容绝缘介质层C3与第二金属层C2。第一金属层C1为上述的第一极板，第二金属层C2为上述的第二极板。第一金属层C1位于栅极绝缘层T22上，电容绝缘介质层C3位于第一金属层C1上，第二金属层C2位于电容绝缘介质层C3上，电容绝缘介质层C3位于第二栅极T23上。

层间介质层12位于电容绝缘介质层C3与第二金属层C2上。

第一晶体管T1还包括第一栅极T15与绝缘钝化层T14，第一有源层T11位于层间介质层12上，绝缘钝化层T14位于第一有源层T11上，第一栅极T15位于绝缘钝化层T14上，第一栅极T15在衬底11上的正投影与第二栅极T23在衬底上的正投影至少部分重合。

例如，第一栅极T15在衬底11上的正投影与第二栅极T23在衬底11上的正投影部分重合，或者，第一栅极T15在衬底11上的正投影与第二栅极T23在衬底11上的正投影完全重合。第一栅极T15在衬底11上的正投影与第二栅极T23在衬底11上的正投影部分重合的情况可包括：第一栅极T15在衬底11上的正投影落在第二栅极T23在衬底11上的正投影内，或者，第二栅极T23在衬底11上的正投影落在第一栅极T15在衬底11上的正投影内，但不限于此。

在本实施例中，绝缘钝化层可以采用低温CVD成膜，温度在200℃左右。绝缘钝化层可以保护第一有源层的界面、第一有源层电性效果以及栅极绝缘层。

在本实施例中，第二栅极T23的材料为金属，第一栅极T15的材料为金属。

在本实施例中，透明显示基板还包括恒压电源线(未示出)，第二金属层C2与恒压电源线电连接。第二金属层C2通过恒压电源线连接至恒压电源VDD。第一有源层T11位于电容C上方。第一晶体管T1的第一漏极T12与第一金属层C1接触。由于电容的第二金属层与恒压电源线电连接，这样，可以使电容的第二金属层与恒压电源同电位，进而可以使第一有源层的电性不受外界电信号的干扰。

在本实施例中，层间介质层12与电容绝缘介质层C3上各自包括一个通孔，第一漏极T12可穿过上述的两个通孔与第一金属层C1接触。

在本实施例中，如图1所示，第一晶体管T1的第一源极T13、第一漏极T12可通过对第一有源层T11进行导电化处理得到。

在本实施例中，如图1所示，第二晶体管T2的第二漏级T24可以是第一金属电极，该第一金属电极与第二有源层T21接触，第二晶体管T2的第二源极T25可以是第二金属电极，该第二金属电极与第二有源层T21接触。

在本实施例中，如图1所示，透明显示基板还包括平坦化层13，该平坦化层13位于第一栅极T15上，起到平坦化的作用。

在本实施例中，如图1所示，透明显示基板还包括第一像素的阳极15，阳极15与第二晶体管T2的第二漏极T24接触。

在本实施例中，如图1所示，透明显示基板还包括像素定义层14。像素定义层14位于阳极15上。

本实用新型的实施例还提出了一种显示面板。如图4所示，显示面板3包括第一显示区31与第二显示区32，第一显示区31的透光率大于第二显示区32的透光率；第一显示区31中包括上述任一实施例所述的透明显示基板。

本实施例中，第二显示区32中可包括阵列排布的第二像素，第二像素为非透明像素。具体地，第二像素的透光率小于10％，但不限于此。第二像素的阳极可为反射阳极。第二像素的阳极可以是ITO/Ag/ITO的夹层结构，但不限于此。

本实施例中，通过将第一像素电路中的第一晶体管放置于第二晶体管的上方，且第一晶体管在衬底上的正投影与第二晶体管在衬底上的正投影至少部分重合，这样，可以缩减第一像素电路的不透光面积，进而提高透明显示基板的透光率。

本实用新型的实施例还提出了一种显示装置。该显示装置包括：上述任一实施例所述的显示面板与电子器件，电子器件位于第一显示区的下方。

在一个实施例中，上述的电子器件可包括距离传感器、麦克风、扬声器、闪光灯、像素摄像头、红外镜头、泛光感应元件、环境光传感器、点阵投影器中的至少一种，但不限于此。其中，距离传感器、像素摄像头、红外镜头、泛光感应元件、环境光传感器为感光器件。

本实施例中，通过将第一像素电路中的第一晶体管放置于第二晶体管的上方，且第一晶体管在衬底上的正投影与第二晶体管在衬底上的正投影至少部分重合，这样，可以缩减第一像素电路的不透光面积，进而提高透明显示基板的透光率。而且，还可以削弱衍射对器件区中的感光器件的影响。

需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本实用新型中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本实用新型的其它实施方案。本实用新型旨在涵盖本实用新型的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本实用新型的一般性原理并包括本实用新型未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本实用新型的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本实用新型并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本实用新型的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (10)

1.一种透明显示基板，其特征在于，包括：衬底与第一像素电路，所述第一像素电路位于所述衬底上；所述第一像素电路包括第一晶体管与第二晶体管；所述第一晶体管包括第一有源层，所述第一有源层的材料为氧化物半导体，所述第二晶体管包括第二有源层，所述第二有源层的材料为低温多晶硅；

所述第一晶体管位于所述第二晶体管的上方，所述第一晶体管在所述衬底上的正投影与所述第二晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合。

2.根据权利要求1所述的透明显示基板，其特征在于，还包括电容；所述电容位于所述衬底上，所述第一有源层位于所述电容上方。

3.根据权利要求2所述的透明显示基板，其特征在于，还包括层间介质层；

所述第二晶体管还包括栅极绝缘层与第二栅极；所述第二有源层位于所述衬底上，所述栅极绝缘层位于所述第二有源层上，所述第二栅极位于所述栅极绝缘层上；

所述电容包括第一金属层、电容绝缘介质层与第二金属层，所述第一金属层位于所述栅极绝缘层上，所述电容绝缘介质层位于所述第一金属层上，所述第二金属层位于所述电容绝缘介质层上；所述电容绝缘介质层位于所述第二栅极上；

所述层间介质层位于所述电容绝缘介质层与所述第二金属层上；

所述第一晶体管还包括第一栅极与绝缘钝化层；所述第一有源层位于所述层间介质层上，所述绝缘钝化层位于所述第一有源层上，所述第一栅极位于所述绝缘钝化层上，所述第一栅极在所述衬底上的正投影与所述第二栅极在所述衬底上的正投影至少部分重合。

4.根据权利要求3所述的透明显示基板，其特征在于，所述第一晶体管为N型晶体管，所述第一晶体管还包括第一漏极，所述第一漏极与所述第一金属层接触。

5.根据权利要求4所述的透明显示基板，其特征在于，所述层间介质层上包括通孔，所述第一漏极穿过所述通孔与所述第一金属层接触。

6.根据权利要求3所述的透明显示基板，其特征在于，还包括恒压电源线；所述第二金属层与恒压电源线电连接。

7.根据权利要求1所述的透明显示基板，其特征在于，所述第一像素电路还包括第三晶体管，所述第三晶体管位于所述衬底上，所述第三晶体管包括第三有源层，所述第三有源层的材料为低温多晶硅；所述第三有源层与所述第二有源层位于同一层且相接触。

8.根据权利要求1所述的透明显示基板，其特征在于，所述第一像素电路为2T1C像素电路、3T1C像素电路、3T2C像素电路、4T1C像素电路、4T2C像素电路、5T1C像素电路、5T2C像素电路、6T1C像素电路、6T2C像素电路、7T1C像素电路、7T2C像素电路、8T1C像素电路或8T2C像素电路。

9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板至少包括第一显示区；所述第一显示区中包括如权利要求1至8任一项所述的透明显示基板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：

权利要求9所述的显示面板；

电子器件，所述电子器件位于所述第一显示区的下方。

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