CN113851566B - 一种深紫外led倒装芯片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种深紫外LED倒装芯片及其制作方法，所述深紫外LED倒装芯片包括LED外延片及n电极（8）和p电极（9），n电极（8）上设有n电流扩展电极（10），p电极（9）上设有p电流扩展电极（11），n电流扩展电极（10）的正投影的边缘相对于所述n电极（8）的正投影的边缘内缩2‑7um且p电流扩展电极（11）的正投影的边缘相对于所述p电极（9）的正投影的边缘内缩2‑7um。其能够延长深紫外LED倒装芯片的寿命，并能够提高深紫外LED倒装芯片的发光强度。
Description
技术领域
本发明属于半导体芯片制作技术领域，涉及一种LED（发光二极管）芯片及其制作方法，尤其涉及一种深紫外LED倒装芯片及其制作方法。
背景技术
近年来，随着全球LED行业技术的进步，LED发光波段已由可见光波段拓展到紫外、深紫外波段。紫外LED具有光催化、医疗光线疗法、保健与空气净化、杀菌等作用。特别是2020年全球新型冠状病毒疫情的爆发，深紫外LED因具有快速杀菌、消毒的作用，迎来了广阔的市场前景。
目前，深紫外LED的外量子经过10多年研究和发展，280nm以下的深紫外LED的外量子效率已超过5%，对应发光功率大于5mW，寿命达5000h。然而，与InGaN材料的蓝光LED 的60%的外量子效率来比，还是相差甚远。
目前深紫外LED芯片的电极制作通常使用倒装结构。倒装芯片结构由于P型GaN对深紫外光具有很强的吸收，同时在光从背面透出的过程中，由于深紫外LED外延片中内部接触层材料以及外延层结构相互之间的光吸收现象而导致发光效率低、亮度较低。同时n电极和p电极位于外延片同侧，电流拥堵现象仍然存在，这会导致芯片散热性差、寿命低、外量子效率低，致使大部分电能转化为热能。
对于深紫外LED芯片的电极制作采用倒装结构，通常做法是在n电极下方镀一层氧化硅绝缘介质当做电流阻挡层。这样做虽然能够减小n电极下方的电流比例，在一定程度上增加电流的扩散性，但增加电流阻挡层也局限了工艺的形成。
鉴于现有技术的上述技术缺陷，迫切需要研制一种新型的深紫外LED倒装芯片及其制作方法。
发明内容
为了克服现有技术的缺陷，本发明提出一种深紫外LED倒装芯片及其制作方法，其能够延长深紫外LED倒装芯片的寿命，并能够提高深紫外LED倒装芯片的发光强度。
为了实现上述目的，本发明提供一种深紫外LED倒装芯片，其包括LED外延片及设置在所述LED外延片上的n电极和p电极，其特征在于，所述n电极上设有n电流扩展电极，所述p电极上设有p电流扩展电极，所述n电流扩展电极的正投影的边缘相对于所述n电极的正投影的边缘内缩2-7um且所述p电流扩展电极的正投影的边缘相对于所述p电极的正投影的边缘内缩2-7um。
优选地，其中，所述n电流扩展电极的正投影的边缘相对于所述n电极的正投影的边缘内缩4um且所述p电流扩展电极的正投影的边缘相对于所述p电极的正投影的边缘内缩4um。
优选地，其中，所述n电流扩展电极和p电流扩展电极具有阵列排布的孔洞，所述孔洞的直径为3-5um且相邻两个所述孔洞之间的间距为5-7um。
优选地，其中，所述n电流扩展电极和p电流扩展电极由金属体系Cr/Al/Ti/Au/Ti蒸镀而成。
优选地，其中，所述n电流扩展电极和p电流扩展电极中，Cr膜的厚度为20-50nm，Al膜的厚度为20-60nm，中间Ti膜的厚度为10-30nm，Au膜的厚度为40-50nm，顶层Ti膜的厚度为5-10nm。
优选地，其中，所述n电极由金属体系Ti/Al/Ti/Au蒸镀而成，且底层Ti膜的厚度为20nm，Al膜的厚度为60nm，中间Ti膜的厚度为50nm，Au膜的厚度为20nm。
优选地，其中，所述p电极由金属体系Ni/Au/Ti蒸镀而成，且Ni膜的厚度为10nm，Au膜的厚度为200nm，Ti膜的厚度为20nm。
优选地，其中，所述LED外延片包括衬底以及在所述衬底上依次形成的氮化铝模板层、超晶格应力缓冲层、n型AlGaN层、多量子肼结构层、电子阻挡层和P型空穴传导层，且所述n电极设置在所述n型AlGaN层上，所述p电极设置在所述P型空穴传导层上。
优选地，其中，所述n电流扩展电极和p电流扩展电极上分别蒸镀有一个焊盘电极。
优选地，其中，两个所述焊盘电极之间、所述n电流扩展电极和p电流扩展电极之间以及所述n电极和p电极之间都设有钝化层。
此外，本发明还提供一种深紫外LED倒装芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）、在衬底上依次生长氮化铝模板层、超晶格应力缓冲层、n型AlGaN层、多量子肼结构层、电子阻挡层和P型空穴传导层，得到LED外延片；
2）、对部分所述LED外延片进行向下刻蚀，刻蚀至所述n型AlGaN层，形成n电极台面，未刻蚀部分形成P电极台面；
3）、在所述n电极台面的表面上通过光刻与蒸镀的方法，得到n电极；
4）、在所述P电极台面的表面上通过光刻与蒸镀的方法，得到p电极；
5）、通过光刻与蒸镀工艺在所述n电极上制作n电流扩展电极，在所述p电极上制作p电流扩展电极，且使所述n电流扩展电极的正投影的边缘相对于所述n电极的正投影的边缘内缩2-7um，所述p电流扩展电极的正投影的边缘相对于所述p电极的正投影的边缘内缩2-7um；
6）、通过沉积、光刻、刻蚀工艺制作出钝化层；
7）、在所述钝化层上形成分别与所述n电流扩展电极和p电流扩展电极相对的通孔并在所述通孔中分别蒸镀与所述n电流扩展电极和p电流扩展电极相连的焊盘电极。
优选地，其中，所述n电流扩展电极和p电流扩展电极具有阵列排布的孔洞，所述孔洞的直径为3-5um且相邻两个所述孔洞之间的间距为5-7um。
优选地，其中，所述n电流扩展电极和p电流扩展电极由金属体系Cr/Al/Ti/Au/Ti蒸镀而成且所述n电流扩展电极和p电流扩展电极中，Cr膜的厚度为20-50nm，Al膜的厚度为20-60nm，中间Ti膜的厚度为10-30nm，Au膜的厚度为40-50nm，顶层Ti膜的厚度为5-10nm。
优选地，其中，在得到所述n电极之后，使所述n电极在N2氛围下进行高温退火，其中，退火温度为900℃，退火时间为30s。
优选地，其中，在得到所述p电极之后，使所述p电极在N2或者空气氛围下进行退火，其中，退火温度为550℃，退火时间为180s。
与现有技术相比，本发明的深紫外LED倒装芯片及其制作方法具有如下有益技术效果中的一者或多者：
1、其具有n电流扩展电极和p电流扩展电极，且n电流扩展电极的正投影的边缘相对于n电极的正投影的边缘内缩，p电流扩展电极的正投影的边缘相对于p电极的正投影的边缘内缩，这样，在充分保证欧姆接触的同时，降低了倒装结构的电流密集集中拥堵的现象，极大的降低了深紫外LED倒装芯片的工作电压，增大了深紫外LED倒装芯片的散热面积，延长深紫外LED倒装芯片的寿命。
2、其n电流扩展电极和p电流扩展电极具有阵列排布的孔洞，又蒸镀具有反射作用的金属体系，使得光横向传播时，能够在反射金属的孔洞里来回震荡，与窗口相匹配的波长的光能够得到增强，提高了深紫外LED倒装芯片的发光强度。
3、本发明涉及到的制作工艺均为常规工艺，易于实现。
附图说明
图1是本发明的深紫外LED倒装芯片的结构示意图。
图2是本发明的深紫外LED倒装芯片的制作方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明，实施例的内容不作为对本发明的保护范围的限制。
针对目前深紫外倒装结构工作电压高、外量子效率低的问题，本发明在传统的欧姆接触p/n电极上增加电流扩展层，并且该电流扩展层由反射金属的孔洞的特殊图形组成，能够延长深紫外LED倒装芯片的寿命，并能够提高深紫外LED倒装芯片的发光强度。
图1示出了本发明的深紫外LED倒装芯片的结构示意图。如图1所示，本发明的深紫外LED倒装芯片包括LED外延片及设置在所述LED外延片上的n电极8和p电极9。
优选地，所述LED外延片包括衬底1以及在所述衬底1上依次形成的氮化铝模板层2、超晶格应力缓冲层3、n型AlGaN层4、多量子肼结构层5、电子阻挡层6和P型空穴传导层7。所述超晶格应力缓冲层3可以由AlN或AlGaN制成。所述电子阻挡层6可以是p-AlGaN层。所述P型空穴传导层7可以是p-GaN层。
所述n电极8设置在所述n型AlGaN层4上。所述p电极9设置在所述P型空穴传导层7上。
其中，优选地，所述n电极8由金属体系Ti/Al/Ti/Au蒸镀而成，且底层Ti膜的厚度为20nm，Al膜的厚度为60nm，中间Ti膜的厚度为50nm，Au膜的厚度为20nm。
更优选地，所述p电极9由金属体系Ni/Au/Ti蒸镀而成，且Ni膜的厚度为10nm，Au膜的厚度为200nm，Ti膜的厚度为20nm。
在本发明中，所述n电极8上设有n电流扩展电极10。所述n电流扩展电极10的正投影的边缘相对于所述n电极8的正投影的边缘内缩2-7um。也就是，从上往下看时，所述n电流扩展电极10的面积小于所述n电极8的面积且所述n电流扩展电极10的边缘与所述n电极8的边缘的距离为2-7um。
优选地，所述n电流扩展电极10的正投影的边缘相对于所述n电极8的正投影的边缘内缩4um。
并且，所述p电极9上设有p电流扩展电极11。所述p电流扩展电极11的正投影的边缘相对于所述p电极9的正投影的边缘也内缩2-7um。也就是，从上往下看时，所述p电流扩展电极11的面积小于所述p电极9的面积且所述p电流扩展电极11的边缘与所述p电极9的边缘的距离为2-7um。
优选地，所述p电流扩展电极11的正投影的边缘相对于所述p电极9的正投影的边缘内缩4um。
这样，所述n电流扩展电极10的正投影的边缘内缩所述n电极8的正投影的边缘，所述p电流扩展电极11的正投影的边缘内缩所述p电极9的正投影的边缘，一方面在充分保证欧姆接触的同时，降低了倒装结构的电流密集集中拥堵的现象，极大的降低深紫外LED倒装芯片的工作电压，增大了深紫外LED倒装芯片的散热面积，延长了深紫外LED倒装芯片的寿命。
在本发明中，所述n电流扩展电极10和p电流扩展电极11具有阵列排布的孔洞。所述孔洞的直径为3-5um且相邻两个所述孔洞之间的间距为5-7um。
而且，所述n电流扩展电极10和p电流扩展电极11由高反射金属体系蒸镀而成，例如，由金属体系Cr/Al/Ti/Au/Ti蒸镀而成，也就是，由Cr膜、Al膜、中间Ti膜、Au膜和顶层Ti膜叠加而成。
其中，Cr金属的粘附性好，电导率较好，利于电流输送，并且蒸发Cr对真空度要求较低，高纯度Cr源容易找到。在本发明中，使得Cr膜的厚度为20-50nm。
Al金属在深紫外波段的反射率在60%-70%，比较高，同时Al的成本很低，Al起到反射电极的作用。在本发明中，Al膜的厚度为20-60nm。
Ti金属的电阻率较高，所以Ti膜不宜过厚。在本发明中，中间Ti膜的厚度为10-30nm。
Au金属作为保护层，在空气中的稳定性良好。在本发明中，Au膜的厚度为40-50nm。
由于Au与SiO2的亲润性较差，深紫外LED倒装芯片工艺一般需要在电极上进行SiO2钝化保护，SiO2保护层超过500nm时，往往沉积在Au层上时会出现裂纹，失去钝化意义，使深紫外LED倒装芯片漏电良率降低。因此，在Au层上需要一种在空气中稳定又与SiO2的亲润性很好的金属Ti。在本发明中，顶层Ti膜的厚度5-10nm即可。
这样，由于所述n电流扩展电极10和p电流扩展电极11具有阵列排布的孔洞，又蒸镀具有高反射作用的金属体系，在光横向传播时，能够在高反射金属的孔洞里来回震荡，与窗口相匹配的波长的光能够得到增强，提高了深紫外LED倒装芯片的发光强度。
在本发明中，所述n电流扩展电极10和p电流扩展电极11上分别蒸镀有一个焊盘电极13。通过所述焊盘电极13便于连接外部电源，从而便于给其进行供电，以便于其进行发光。
并且，两个所述焊盘电极13之间、所述n电流扩展电极10和p电流扩展电极11之间以及所述n电极8和p电极9之间都设有钝化层12。所述钝化层12能够避免两个所述焊盘电极13之间、所述n电流扩展电极10和p电流扩展电极11之间以及所述n电极8和p电极9之间接触而造成漏电，从而能够起到保护作用。
优选地，所述钝化层12为SiO2钝化层。
下面描述本发明的深紫外LED倒装芯片的制作方法，以便于本领域技术人员能够根据本发明的描述，制作出所述深紫外LED倒装芯片。
图2示出了本发明的深紫外LED倒装芯片的制作方法的流程图。如图2所示，本发明的深紫外LED倒装芯片的制作方法包括以下步骤：
一、制备LED外延片。
与现有技术类似，在制备LED外延片时，需要提供衬底1并在所述衬底1上依次生长氮化铝模板层2、超晶格应力缓冲层3、n型AlGaN层4、多量子肼结构层5、电子阻挡层6和P型空穴传导层7。
二、制备n电极台面和p电极台面。
其中，在制备n电极台面和p电极台面之前，可以先对制备的LED外延片进行清洗，以便于去除所述LED外延片上的杂质。
在清洗时，可以使用无机溶剂、有机溶剂（例如硫酸/双氧水混合溶液、异丙醇溶液）等进行清洗。
在制备n电极台面和p电极台面时，可以采用光刻与干法刻蚀等方法对部分所述LED外延片从上到下进行刻蚀。其中，如图1所示，在刻蚀时，需要刻蚀至所述n型AlGaN层4，也就是，需要蚀刻掉所述P型空穴传导层7、电子阻挡层6和多量子肼结构层5，直到暴露出所述n型AlGaN层4，从而形成n电极台面。
需要说明的是，根据需要，在刻蚀时，可以只刻蚀至所述n型AlGaN层4的表面即可，也可以将所述n型AlGaN层4刻蚀掉一部分，只剩余部分厚度的所述n型AlGaN层4。
根据所述LED外延片中各层的厚度，优选地，在对所述LED外延片进行蚀刻时，刻蚀深度为500-800nm。更优选地，刻蚀深度为600nm。
同时，未刻蚀部分，形成p电极台面。
三、制备n电极8。
在本发明中，可以通过光刻与蒸镀工艺在暴露的n型AlGaN层4上，也就是，n电极台面上得到n电极8。
优选地，所述n电极8由金属体系Ti/Al/Ti/Au蒸镀而成，且底层Ti膜的厚度为20nm，Al膜的厚度为60nm，中间Ti膜的厚度为50nm，Au膜的厚度为20nm。
更优选地，在得到所述n电极8之后，使所述n电极8在N2氛围下进行高温退火。其中，退火温度为900℃，退火时间为30s。
四、制备p电极9。
在本发明中，可以通过光刻与蒸镀工艺在所述P型GaN空穴传导层7上，也就是，所述p电极平台上制得p电极9。
优选地，所述p电极9由金属体系Ni/Au/Ti蒸镀而成，且Ni膜的厚度为10nm，Au膜的厚度为200nm，Ti膜的厚度为20nm。
更优选地，在得到所述p电极9之后，使所述p电极9在N2或者空气氛围下进行退火。其中，退火温度为550℃，退火时间为180s。
五、制备n电流扩展电极10和p电流扩展电极11。
在本发明中，可以通过光刻与蒸镀工艺在所述n电极8上制作n电流扩展电极10。在所述p电极9上制作p电流扩展电极11。
其中，所述n电流扩展电极10的正投影的边缘相对于所述n电极8的正投影的边缘内缩2-7um。也就是，从上往下看时，所述n电流扩展电极10的面积小于所述n电极8的面积且所述n电流扩展电极10的边缘与所述n电极8的边缘的距离为2-7um。
优选地，所述n电流扩展电极10的正投影的边缘相对于所述n电极8的正投影的边缘内缩4um。
并且，所述p电流扩展电极11的正投影的边缘相对于所述p电极9的正投影的边缘也内缩2-7um。也就是，从上往下看时，所述p电流扩展电极11的面积小于所述p电极9的面积且所述p电流扩展电极11的边缘与所述p电极9的边缘的距离为2-7um。
优选地，所述p电流扩展电极11的正投影的边缘相对于所述p电极9的正投影的边缘内缩4um。
这样，所述n电流扩展电极10的正投影的边缘内缩所述n电极8的正投影的边缘，所述p电流扩展电极11的正投影的边缘内缩所述p电极9的正投影的边缘，一方面在充分保证欧姆接触的同时，降低了倒装结构的电流密集集中拥堵的现象，极大的降低深紫外LED倒装芯片的工作电压，增大了深紫外LED倒装芯片的散热面积，延长了深紫外LED倒装芯片的寿命。
此外，在本发明中，所述n电流扩展电极10和p电流扩展电极11具有阵列排布的孔洞。所述孔洞的直径为3-5um且相邻两个所述孔洞之间的间距为5-7um。
而且，所述n电流扩展电极10和p电流扩展电极11由高反射金属体系蒸镀而成，例如，由金属体系Cr/Al/Ti/Au/Ti蒸镀而成，也就是，由Cr膜、Al膜、中间Ti膜、Au膜和顶层Ti膜叠加而成。
其中，Cr金属的粘附性好，电导率较好，利于电流输送，并且蒸发Cr对真空度要求较低，高纯度Cr源容易找到。在本发明中，使得Cr膜的厚度为20-50nm。
Al金属在深紫外波段的反射率在60%-70%，比较高，同时Al的成本很低，Al起到反射电极的作用。在本发明中，Al膜的厚度为20-60nm。
Ti金属的电阻率较高，所以Ti膜不宜过厚。在本发明中，中间Ti膜的厚度为10-30nm。
Au金属作为保护层，在空气中的稳定性良好。在本发明中，Au膜的厚度为40-50nm。
由于Au与SiO2的亲润性较差，深紫外LED倒装芯片工艺一般需要在电极上进行SiO2钝化保护，SiO2保护层超过500nm时，往往沉积在Au层上时会出现裂纹，失去钝化意义，使深紫外LED倒装芯片漏电良率降低。因此，在Au层上需要一种在空气中稳定又与SiO2的亲润性很好的金属Ti。在本发明中，顶层Ti膜的厚度5-10nm即可。
这样，由于所述n电流扩展电极10和p电流扩展电极11具有阵列排布的孔洞，又蒸镀具有高反射作用的金属体系，在光横向传播时，能够在高反射金属的孔洞里来回震荡，与窗口相匹配的波长的光能够得到增强，提高了深紫外LED倒装芯片的发光强度。
六、制备钝化层12。
也就是，在制备了所述n电流扩展电极10和p电流扩展电极11之后，通过沉积、光刻、刻蚀工艺制作出钝化层12。
优选地，所述钝化层12是氧化硅层。通过制备所述钝化层12，能够避免两个所述焊盘电极13之间、所述n电流扩展电极10和p电流扩展电极11之间以及所述n电极8和p电极9之间接触而造成漏电，从而能够起到保护作用。
七、制备焊盘电极13。
可以采用光刻与干法刻蚀等方法在所述钝化层12上形成分别与所述n电流扩展电极10和p电流扩展电极11相对的两个通孔。然后，通过蒸镀工艺在所述通孔中分别蒸镀与所述n电流扩展电极10和p电流扩展电极11相连的焊盘电极13。
制备了所述焊盘电极13之后，完成了本发明的深紫外LED倒装芯片的制作过程。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制。本领域的技术人员，依据本发明的思想，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (15)
1.一种深紫外LED倒装芯片，其包括LED外延片及设置在所述LED外延片上的n电极（8）和p电极（9），其特征在于，所述n电极（8）上设有n电流扩展电极（10），所述p电极（9）上设有p电流扩展电极（11），所述n电流扩展电极（10）的正投影的边缘相对于所述n电极（8）的正投影的边缘内缩2-7um且所述p电流扩展电极（11）的正投影的边缘相对于所述p电极（9）的正投影的边缘内缩2-7um。
2.根据权利要求1所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述n电流扩展电极（10）的正投影的边缘相对于所述n电极（8）的正投影的边缘内缩4um且所述p电流扩展电极（11）的正投影的边缘相对于所述p电极（9）的正投影的边缘内缩4um。
3.根据权利要求1所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述n电流扩展电极（10）和p电流扩展电极（11）具有阵列排布的孔洞，所述孔洞的直径为3-5um且相邻两个所述孔洞之间的间距为5-7um。
4.根据权利要求3所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述n电流扩展电极（10）和p电流扩展电极（11）由金属体系Cr/Al/Ti/Au/Ti蒸镀而成。
5.根据权利要求4所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述n电流扩展电极（10）和p电流扩展电极（11）中，Cr膜的厚度为20-50nm，Al膜的厚度为20-60nm，中间Ti膜的厚度为10-30nm，Au膜的厚度为40-50nm，顶层Ti膜的厚度为5-10nm。
6.根据权利要求1所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述n电极（8）由金属体系Ti/Al/Ti/Au蒸镀而成，且底层Ti膜的厚度为20nm，Al膜的厚度为60nm，中间Ti膜的厚度为50nm，Au膜的厚度为20nm。
7.根据权利要求1所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述p电极（9）由金属体系Ni/Au/Ti蒸镀而成，且Ni膜的厚度为10nm，Au膜的厚度为200nm，Ti膜的厚度为20nm。
8.根据权利要求1所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述LED外延片包括衬底（1）以及在所述衬底（1）上依次形成的氮化铝模板层（2）、超晶格应力缓冲层（3）、n型AlGaN层（4）、多量子肼结构层（5）、电子阻挡层（6）和P型空穴传导层（7），且所述n电极（8）设置在所述n型AlGaN层（4）上，所述p电极（9）设置在所述P型空穴传导层（7）上。
9.根据权利要求1所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述n电流扩展电极（10）和p电流扩展电极（11）上分别蒸镀有一个焊盘电极（13）。
10.根据权利要求9所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于，两个所述焊盘电极（13）之间、所述n电流扩展电极（10）和p电流扩展电极（11）之间以及所述n电极（8）和p电极（9）之间都设有钝化层（12）。
11.一种深紫外LED倒装芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）、在衬底（1）上依次生长氮化铝模板层（2）、超晶格应力缓冲层（3）、n型AlGaN层（4）、多量子肼结构层（5）、电子阻挡层（6）和P型空穴传导层（7），得到LED外延片；
2）、对部分所述LED外延片进行向下刻蚀，刻蚀至所述n型AlGaN层（4），形成n电极台面，未刻蚀部分形成P电极台面；
3）、在所述n电极台面的表面上通过光刻与蒸镀的方法，得到n电极（8）；
4）、在所述P电极台面的表面上通过光刻与蒸镀的方法，得到p电极（9）；
5）、通过光刻与蒸镀工艺在所述n电极（8）上制作n电流扩展电极（10），在所述p电极（9）上制作p电流扩展电极（11），且使所述n电流扩展电极（10）的正投影的边缘相对于所述n电极（8）的正投影的边缘内缩2-7um，所述p电流扩展电极（11）的正投影的边缘相对于所述p电极（9）的正投影的边缘内缩2-7um；
6）、通过沉积、光刻、刻蚀工艺制作出钝化层（12）；
7）、在所述钝化层（12）上形成分别与所述n电流扩展电极（10）和p电流扩展电极（11）相对的通孔并在所述通孔中分别蒸镀与所述n电流扩展电极（10）和p电流扩展电极（11）相连的焊盘电极（13）。
12.根据权利要求11所述的深紫外LED倒装芯片的制作方法，其特征在于，所述n电流扩展电极（10）和p电流扩展电极（11）具有阵列排布的孔洞，所述孔洞的直径为3-5um且相邻两个所述孔洞之间的间距为5-7um。
13.根据权利要求11所述的深紫外LED倒装芯片的制作方法，其特征在于，所述n电流扩展电极（10）和p电流扩展电极（11）由金属体系Cr/Al/Ti/Au/Ti蒸镀而成且所述n电流扩展电极（10）和p电流扩展电极（11）中，Cr膜的厚度为20-50nm，Al膜的厚度为20-60nm，中间Ti膜的厚度为10-30nm，Au膜的厚度为40-50nm，顶层Ti膜的厚度为5-10nm。
14.根据权利要求11所述的深紫外LED倒装芯片的制作方法，其特征在于，在得到所述n电极（8）之后，使所述n电极（8）在N2氛围下进行高温退火，其中，退火温度为900℃，退火时间为30s。
15.根据权利要求11所述的深紫外LED倒装芯片的制作方法，其特征在于，在得到所述p电极（9）之后，使所述p电极（9）在N2或者空气氛围下进行退火，其中，退火温度为550℃，退火时间为180s。
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