CN113715318B - 真空压膜***及真空压膜方法 - Google Patents

真空压膜***及真空压膜方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种真空压膜***及方法,真空压膜***包括供膜组件、收膜组件、下压膜机体、上压膜机体、抽气机、移动组件及切割组件。下压膜机体包括第一壳座以及可上下移动地配置于第一壳座内的下加热组件。下加热组件适于承载基板并移动,而使基板与第一壳座的顶面接近齐平或缩入第一壳座内。上压膜机体可上下移动地配置于下压膜机体的上方,且包括上壳体、配置于上壳体的上加热组件。抽气机连通于下压膜机体。移动组件适于改变薄膜在位于下压膜机体与上压膜机体之间的部分的高度。切割组件可移动地设置于下压膜机体的上方,且适于切割薄膜在压合至基板上的部分。本发明的真空压膜***可避免薄膜与基板之间存在气泡。

Description

真空压膜***及真空压膜方法
技术领域
本发明涉及一种压膜***与方法,尤其涉及一种真空压膜***与方法。
背景技术
目前,常见的压膜方法是在大气环境下使用滚轮将薄膜压合至基板上,但这样对于基板表面具有凹凸结构起伏较大时,容易使得薄膜与基板之间存在气泡。常见的另外一种压膜做法是,先在大气环境下将薄膜预压在基板上,再将基板及预压于其上的薄膜放至真空腔体内进行真空压膜。
然而,在真空压膜的过程中,薄膜会受热与受压而贴附至基板,若基板及预压于其上的薄膜之间存在气泡,即便对真空腔体抽气,也无法将基板及薄膜之间的气泡排出。
发明内容
本发明提供一种真空压膜***,其可避免薄膜与基板之间存在气泡。
本发明提供一种真空压膜方法,其可避免薄膜与基板之间存在气泡。
本发明的一种真空压膜***,适于将薄膜固定于基板上,包括供膜组件、收膜组件、下压膜机体、上压膜机体、抽气机、移动组件及切割组件。供膜组件适于提供薄膜。收膜组件适于回收薄膜。下压膜机***于供膜组件与收膜组件之间,且包括第一壳座以及可上下移动地配置于第一壳座内的下加热组件,其中下加热组件适于承载基板并移动,而使基板与第一壳座的顶面齐平、基板凸出于第一壳座的顶面或是缩入第一壳座内。上压膜机体可上下移动地配置于下压膜机体的上方,且包括上壳体、配置于上壳体的上加热组件。抽气机连通于下压膜机体。移动组件可移动地设置于供膜组件与收膜组件之间,且适于改变薄膜在位于下压膜机体与上压膜机体之间的部分的高度。切割组件可移动地设置于下压膜机体的上方,且适于切割薄膜在压合至基板上的部分。
在本发明的一实施例中,上述的下压膜机体还包括可上下移动地配置于第一壳座下方的第二壳座、配置于第二壳座与第一壳座之间的气密伸缩组件,下加热组件连动于第二壳座。
在本发明的一实施例中,上述的上压膜机体还包括可挠垫,可挠垫的周缘固定于上壳体,上加热组件位于上壳体与可挠垫之间,上壳体具有上气口,上加热组件与可挠垫之间的空间连通于上气口。
在本发明的一实施例中,上述的上压膜机体还包括上驱动组件,连接于上加热组件,以使上加热组件相对于上壳体移动。
在本发明的一实施例中,上述的上压膜机体还包括可挠垫,设置于上加热组件。
在本发明的一实施例中,上述的上加热组件包括依序排列的上隔热层及上加热层,上加热层靠近下压膜机体。
在本发明的一实施例中,上述的下加热组件包括依序排列的下加热层及下芯片承载盘,下芯片承载盘靠近上压膜机体。
本发明的一种真空压膜方法,包括配置薄膜至基板的上方,其中薄膜与基板之间存在间隙;移除位于薄膜与基板之间的空气;使基板接近薄膜,且对基板与薄膜加热与加压;以及切割薄膜在压合至基板上的部分。
在本发明的一实施例中,上述在配置薄膜至基板的上方的步骤中,还包括提供下压膜机体,其中下压膜机体包括第一壳座及可上下移动地配置于第一壳座的下加热组件;设置基板至下加热组件,且使下加热组件下移,以使基板低于第一壳座的顶面;设置薄膜于第一壳座的顶面。
在本发明的一实施例中,上述在移除位于薄膜与基板之间的空气的步骤中,还包括使上压膜机体下降至下压膜机体的第一壳座上以抵压薄膜的上表面;以及上压膜机体与下压膜机体之间抽气。
在本发明的一实施例中,上述在对基板与薄膜加热与加压的步骤中,还包括使下压膜机体的下加热组件上升,而使基板接近薄膜的下表面,上压膜机体的可挠垫与下压膜机体的下加热组件对基板与薄膜加热且加压,而使薄膜热压合于基板。
在本发明的一实施例中,上述在对基板与薄膜加热与加压之后且切割薄膜之前,还包括停止对基板与薄膜加压;破坏上压膜机体与下压膜机体之间的负压或真空状态;以及上压膜机体上移,而外露出基板与薄膜被压合至基板上的部分。
基于上述,在本发明的真空压膜***与方法中,下压膜机体的下加热组件可相对于第一壳座上下移动,而使基板与第一壳座的顶面接近齐平或是缩入第一壳座内。因此,当薄膜被放置于下压膜机体的顶面且上压膜机体下压至下压膜机体时,下加热组件可下移使基板缩入第一壳座内,而未与薄膜接触。此时,抽气机可对下压膜机体与上压膜机体之间的空间抽气,以使薄膜与基板之间呈真空。后续下加热组件与可挠垫再对薄膜与基板加热与加压而使薄膜压合至基板。如此一来,薄膜与基板之间便不会存在气泡。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的一种真空压膜***的示意图;
图2A是图1的真空压膜***的上压膜机体的示意图;
图2B是气体通入图2A的上压膜机体的示意图;
图3A是图1的真空压膜***的下压膜机体的示意图;
图3B是图3A的下加热组件抬升的示意图;
图3C是图3A的顶针升起的示意图;
图4A至4F是依照本发明的一实施例的一种真空压膜方法的流程示意图;
图5是依照本发明的另一实施例的一种真空压膜***的上压膜机体的示意图;
图6是依照本发明的另一实施例的一种真空压膜***的上压膜机体的示意图。
附图标记说明
10:供膜组件;
12:保护膜收料轮;
14:收膜组件;
20:薄膜;
22:保护膜;
30:基板;
100:真空压膜***;
110:上压膜机体;
111:上壳体;
112:上气口;
113:上隔热层;
114:上加热层;
116:可挠垫;
117:上驱动组件;
118:上加热组件;
120:下压膜机体;
121:第一壳座;
1211:顶面;
122:第二壳座;
123:气密伸缩组件;
125:下加热层;
126:下芯片承载盘;
127:顶针;
128:空间;
129:下加热组件;
130:移动组件;
140:切割组件;
150:抽气机。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例,示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能,相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1是依照本发明的一实施例的一种真空压膜***的示意图。请参阅图1,本实施例的真空压膜***100适于将薄膜20固定于基板30上。在本实施例中,薄膜20例如是干膜光刻胶(Dry film resist)制成的光刻胶带,基板30例如是芯片,但薄膜20与基板30的种类不以此为限制。一般来说,由于芯片表面上会设有高低不同的多个芯片或者是图案(pattern),使得芯片表面是呈现凹凸不平的状态,而使得光刻胶难以良好地压合至芯片。本实施例的真空压膜***100能够使光刻胶压合至芯片,且光刻胶与芯片之间无气泡,下面将对此说明。
如图1所示,真空压膜***100包括供膜组件10、收膜组件14、下压膜机体120、上压膜机体110、抽气机150、移动组件130及切割组件140。供膜组件10适于提供薄膜20。在本实施例中,保护膜22一开始会贴合在薄膜20上,以保护薄膜20。薄膜20在要送入下压膜机体120之前会与保护膜22分离。真空压膜***100还包括保护膜22收料轮12,用以回收保护膜22。收膜组件14则适于回收未使用到的薄膜20。
下压膜机体120位于供膜组件10与收膜组件14之间,上压膜机体110可上下移动地配置于下压膜机体120的上方。抽气机150连通于下压膜机体120。当上压膜机体110下压至下压膜机体120时,抽气机150可对上压膜机体110与下压膜机体120之间的空间抽气。
移动组件130可移动地设置于供膜组件10与收膜组件14之间。移动组件130例如包括上下配置且适于供所述薄膜20缠绕的两滚轮,而可在移动组件130水平移动之后,改变薄膜20在位于下压膜机体120与上压膜机体110之间的部分的高度。
切割组件140可左右移动地设置于下压膜机体120的上方,且适于切割薄膜20在压合至基板30上的部分。
图2A是图1的真空压膜***的上压膜机体的示意图。请参阅图2A,上压膜机体110包括上壳体111及配置于上壳体111的上加热组件118。在本实施例中,上加热组件118包括依序排列的上隔热层113及上加热层114,上加热层114靠近下方(也就是靠近下压膜机体120)。当然,上加热组件118的种类不以此为限制。
在本实施例中,上压膜机体110还包括可挠垫116,可挠垫116的周缘固定于上壳体111,且可挠垫116的中央不固定于上壳体111。上加热组件118位于上壳体111与可挠垫116之间。上壳体111具有上气口112,上加热组件118与可挠垫116之间的空间连通于上气口112。
图2B是气体通入图2A的上压膜机体的示意图。请参阅图2B,当气体从上气口112进入上加热组件118与可挠垫116之间的空间时,可挠垫116会受到气压而往下凸出,而可帮助薄膜20贴合到基板30凹凸不平的上表面,以较佳地贴合于基板30。
图3A是图1的真空压膜***的下压膜机体的示意图。请参阅图3A,在本实施例中,下压膜机体120包括第一壳座121、可上下移动地配置于第一壳座121的空间128的下加热组件129以及可调整地穿出或缩入下加热组件129的顶针127。在本实施例中,下加热组件129包括依序排列的下加热层125及下芯片承载盘126,下芯片承载盘126靠近上方(也就是靠近上压膜机体110)。当然,下加热组件129的种类不以此为限制。
在本实施例中,下压膜机体120还包括可上下移动地配置于第一壳座121下方的第二壳座122、配置于第二壳座122与第一壳座121之间的气密伸缩组件123,下加热组件129连动于第二壳座122。第二壳座122例如是连接至马达(未示出),而可相对于第一壳座121上下移动。气密伸缩组件123例如是真空波纹管,其可被缩短与伸长,且可维持气密,但气密伸缩组件123的种类不以此为限制。
图3B是图3A的下加热组件抬升的示意图。请参阅图3B,在本实施例中,第二壳座122可以向上移动,气密伸缩组件123对应地收缩,且下加热组件129随第二壳座122上移,下加热组件129适于承载基板30,而使基板30从内缩于第一壳座121内的位置(图3A)上移至第一壳座121的顶面1211接近齐平的位置(图3B)。所谓的接近齐平的位置可以是略高于第一壳座121的顶面1211、共平面于第一壳座121的顶面1211或是略低于第一壳座121的顶面1211。
图3C是图3A的顶针升起的示意图。请参阅图3C,在本实施例中,顶针127可相对下加热组件129上下移动,以穿出或缩入下加热组件129。在本实施例中,顶针127可凸出于第一壳座121的顶面1211,以承接基板30或将基板30分离于下加热组件129。
图4A至图4F是依照本发明的一实施例的一种真空压膜方法的流程示意图。请先参阅图4A,本实施例的真空压膜方法包括下列步骤。首先,使顶针127穿出于下加热组件129且凸出于第一壳座121的顶面1211。接着,配置基板30至下压膜机体120的顶针127上。
再来,如图4B所示,使顶针127缩入下加热组件129,以使下加热组件129承载基板30。接着,使下加热组件129下移,以使基板30低于第一壳座121的顶面1211。再来,配置薄膜20至基板30的上方。在本实施例中,配置薄膜20至基板30的上方的方式是将移动组件130往左移而通过上压膜机体110与下压膜机体120之间,其后,薄膜20便配置于第一壳座121的顶面1211。
值得一提的是,在图4B中可见,薄膜20与基板30之间存在间隙。在本实施例中,由于下加热组件129能够相对于第一壳座121上下移动,在薄膜20至基板30的上方之前,可先下移下加热组件129,以避免薄膜20接触到基板30,而使薄膜20与基板30之间能维持一段距离。
如图4C所示,将上压膜机体110下移至下压膜机体120。此时,上压膜机体110与下压膜机体120之间为封闭状态。接着,移除位于薄膜20与基板30之间的空气。在本实施例中,抽气机150可以对上压膜机体110与下压膜机体120之间的腔体抽真空,而使薄膜20与基板30之间呈现真空状态。
再来,如图4D所示,使基板30接近薄膜20,且对基板30与薄膜20加热与加压。在本实施例中,第二壳座122上移而使下加热组件129上移,连带地基板30跟着往上,而使基板30接近薄膜20,然后进行加压。由于在前一步骤中,薄膜20与基板30之间的空气已经被移除,此时薄膜20往下压合至基板30之后,薄膜20与基板30之间便不会有气泡,而可有效达到无气泡的效果。
此外,可挠垫116与下加热组件129会对基板30与薄膜20加热,,当气体从上气口112进入上加热组件118与可挠垫116之间的空间时,可挠垫116会受到气压而往下凸出而对基板30与薄膜20加压,以使薄膜20压合至基板30上。
当在压合之后,停止对基板30与薄膜20加压。再来,如图4E所示,破坏上压膜机体110与下压膜机体120之间的负压或真空状态。上压膜机体110上移,而外露出基板30与薄膜20被压合至基板30上的部分。接着,将切割组件140水平地移动至上压膜机体110与下压膜机体120之间,且切割薄膜20在压合至基板30上的部分。
如图4F所示,将切割组件140移离于上压膜机体110与下压膜机体120之间,且移动组件130也往右移而回到原位。最后,顶针127将基板30与压合在基板30上的薄膜20一起顶出,以离开下加热组件129,而完成整个压合程序。
由上可知,在本实施例中,为了避免真空压膜前,薄膜20就已经接触基板30,或者,薄膜20过于靠近基板30,薄膜20因受热软化,下塌接触或沾黏到薄膜20底下的基板30,导致气泡包覆在内无法排出,在本实施例中,第二壳座122与下加热组件129可下移,将基板30先远离薄膜20,待上压膜机体110与下压膜机体120之间的腔体抽真空或是薄膜20与基板30之间的空气之后,再将第二壳座122与下加热组件129上升,以使基板接近薄膜20,然后进行加压。如此一来,薄膜20与基板30之间便不会存在气泡。
下面将介绍其他实施例的上压膜机体,与图2A的上压膜机体相同或相似的组件以相同或相似的符号表示,仅说明主要差异之处。
图5是依照本发明的另一实施例的一种真空压膜***的上压膜机体的示意图。请参阅图5,图5的上压膜机体110b与图2A的上压膜机体110的主要差异在于本实施例的上压膜机体110b非以气压式加压,而是改为机械式加压。
详细地说,在本实施例中,上压膜机体110b还包括上驱动组件117,连接于上加热组件118,以使上加热组件118相对于上壳体111移动。可挠垫116整面贴附在上加热组件118的下方,随着上加热组件118一起下移。由于可挠垫116例如是橡胶或是硅胶的材质,其本身可压缩,因此,可挠垫116仍可使薄膜20良好地接触到基板30的凹凸不平的表面。
图6是依照本发明的另一实施例的一种真空压膜***的上压膜机体的示意图。请参阅图6,图6的上压膜机体110c与图5的上压膜机体110b的主要差异在于,在本实施例中,上压膜机体110c未设有可挠垫116(标示于图5)。本实施例的上压膜机体110c可适用于压膜后直接将薄膜20表面整平。硬质的上加热层114可直接接触到薄膜20,这样的配置可使薄膜20良好地接触到基板30,亦能使压膜后的薄膜20表面呈现平整。
综上所述,在本发明的真空压膜***与方法中,下压膜机体的下加热组件可相对于第一壳座上下移动,而使基板与第一壳座的顶面接近齐平或是缩入第一壳座内。因此,当薄膜被放置于下压膜机体的顶面且上压膜机体下压至下压膜机体时,下加热组件可下移使基板缩入第一壳座内,而未与薄膜接触。此时,抽气机可对下压膜机体与上压膜机体之间的空间抽气,以使薄膜与基板之间呈真空。后续下加热组件与上加热组件再对薄膜与基板加热与加压而使薄膜压合至基板。如此一来,薄膜与基板之间便不会存在气泡。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (11)

1.一种真空压膜***,适于将薄膜固定于基板上,其特征在于,包括:
供膜组件,适于提供所述薄膜;
收膜组件,适于回收所述薄膜;
下压膜机体,位于所述供膜组件与所述收膜组件之间,且包括第一壳座以及可上下移动地配置于所述第一壳座内的下加热组件,其中所述下加热组件适于承载所述基板并移动,而使所述基板与所述第一壳座的顶面齐平、所述基板凸出于所述第一壳座的所述顶面或是缩入所述第一壳座内;
上压膜机体,可上下移动地配置于所述下压膜机体的上方,且包括上壳体、配置于所述上壳体的上加热组件;
抽气机,连通于所述下压膜机体;
移动组件,可移动地设置于所述供膜组件与所述收膜组件之间,且适于改变所述薄膜在位于所述下压膜机体与所述上压膜机体之间的部分的高度;以及
切割组件,可移动地设置于所述下压膜机体的上方,且适于切割所述薄膜在压合至所述基板上的部分,
所述下压膜机体还包括可上下移动地配置于所述第一壳座下方的第二壳座、配置于所述第二壳座与所述第一壳座之间的气密伸缩组件,所述下加热组件连动于所述第二壳座。
2.根据权利要求1所述的真空压膜***,其特征在于,所述上压膜机体还包括可挠垫,所述可挠垫的周缘固定于所述上壳体,所述上加热组件位于所述上壳体与所述可挠垫之间,所述上壳体具有上气口,所述上加热组件与所述可挠垫之间的空间连通于所述上气口。
3.根据权利要求1所述的真空压膜***,其特征在于,所述上压膜机体还包括上驱动组件,连接于所述上加热组件,以使所述上加热组件相对于所述上壳体移动。
4.根据权利要求3所述的真空压膜***,其特征在于,所述上压膜机体还包括可挠垫,设置于所述上加热组件。
5.根据权利要求1所述的真空压膜***,其特征在于,所述上加热组件包括依序排列的上隔热层及上加热层,所述上加热层靠近所述下压膜机体。
6.根据权利要求1所述的真空压膜***,其特征在于,所述下加热组件包括依序排列的、下加热层及下芯片承载盘,所述下芯片承载盘靠近所述上压膜机体。
7.一种使用权利要求1所述的真空压膜***的真空压膜方法,其特征在于,包括:
配置薄膜至基板的上方,其中所述薄膜与所述基板之间存在间隙;
移除位于所述薄膜与所述基板之间的空气;
使所述基板接近所述薄膜,且对所述基板与所述薄膜加热与加压;以及
切割所述薄膜在压合至所述基板上的部分。
8.根据权利要求7所述的真空压膜方法,其特征在于,在配置所述薄膜至所述基板的上方的步骤中,还包括:
提供下压膜机体,其中所述下压膜机体包括第一壳座及可上下移动地配置于所述第一壳座的下加热组件;
设置所述基板至所述下加热组件,且使下加热组件下移,以使所述基板低于所述第一壳座的顶面;
设置所述薄膜于所述第一壳座的所述顶面。
9.根据权利要求8所述的真空压膜方法,其特征在于,在移除位于所述薄膜与所述基板之间的空气的步骤中,还包括:
使上压膜机体下降至所述下压膜机体的所述第一壳座上以抵压所述薄膜的上表面;以及
所述上压膜机体与所述下压膜机体之间抽气。
10.根据权利要求9所述的真空压膜方法,其特征在于,在使所述基板接近所述薄膜,且对所述基板与所述薄膜加热与加压的步骤中,还包括:
使所述下压膜机体的所述下加热组件上升,而使所述基板接近所述薄膜的下表面,所述上压膜机体的可挠垫与所述下压膜机体的所述下加热组件对所述基板与所述薄膜加热且加压,而使所述薄膜热压合于所述基板。
11.根据权利要求9所述的真空压膜方法,其特征在于,在对所述基板与所述薄膜加热与加压之后且切割所述薄膜之前,还包括:
停止对所述基板与所述薄膜加压;
破坏所述上压膜机体与所述下压膜机体之间的负压或真空状态;以及
所述上压膜机体上移,而外露出所述基板与所述薄膜被压合至所述基板上的部分。
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Assignee: Nanjing Yili Xinchuang Semiconductor Technology Co.,Ltd.

Assignor: Perseverance Technology Co.,Ltd.|Liu Shaoqi

Contract record no.: X2023990001006

Denomination of invention: Vacuum film pressing system and vacuum film pressing method

Granted publication date: 20230606

License type: Exclusive License

Record date: 20231226

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