CN113698190A - 一种干粒半抛砖制备工艺 - Google Patents

一种干粒半抛砖制备工艺 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种干粒半抛砖制备工艺，包括以下步骤：步骤一、对砖坯进行表面喷水处理，利用可在砖坯上形成图案的丝网，在其表面淋仿古面釉，以形成具备图案的仿古面釉层；步骤二、在所述仿古面釉层淋印花釉，再在其表面涂覆一层保护釉；步骤三、继续在保护釉表面淋干粒釉，1100～1300℃高温煅烧，在仿古釉面表面形成半透明的凹凸晶体；步骤四、利用柔性抛光设置根据砖坯釉面上表面的凹凸晶体的凹凸程度进行打磨抛光，得干粒半抛砖。本发明制备得到的干粒半抛砖细腻有颜值，并且更有防污、耐磨的效果，使产品更防潮防污，抗折度升级，无惧日常损耗，历久弥新。

Description

一种干粒半抛砖制备工艺
技术领域
本发明涉及半抛砖制备工艺领域。更具体地说，本发明涉及一种干粒半抛砖制备工艺。
背景技术
随着人们生活水平的逐步提高，审美眼光也逐步提高，而半抛砖是界入抛光砖和哑光砖之间，没抛光砖那么亮眼和反光，又没有哑光砖那么死板，也逐步被大家青睐，但是目前市面上的半抛砖普遍存在不耐脏，防油污效果不好，尤其是用于厨房。而且传统的半抛砖都是采用普通的刚性抛光机，其并不能随着抛光表面的凹凸变化而实时变化进行打磨，造成半抛砖打磨效果不好，凸起部分打磨过度，凹陷部分打磨过少的问题。
发明内容
为了实现根据本发明的这些目的和其它优点，提供了一种干粒半抛砖制备工艺，包括以下步骤：
步骤一、对砖坯进行表面喷水处理，利用可在砖坯上形成图案的丝网，在其表面淋仿古面釉，以形成具备图案的仿古面釉层；
步骤二、在所述仿古面釉层淋印花釉，再在其表面涂覆一层保护釉；
步骤三、继续在保护釉表面淋干粒釉，1100～1300℃高温煅烧，在仿古釉面表面形成半透明的凹凸晶体；
步骤四、利用柔性抛光设置根据砖坯釉面上表面的凹凸晶体的凹凸程度进行打磨抛光，得干粒半抛砖。
根据本发明的一优选实施方式，所述的干粒半抛砖制备工艺，所述砖坯由以下重量份的原料制备得到：
3-5份黑泥、40-45份中温砂、1-3份煅烧高铝土、1-3份张高铝土、1-3份强塑土、5-10份高温砂、1-3份镁质泥、10-20份白泥、10-12份中温砂以及1-5份高铝土。
根据本发明的一优选实施方式，所述的干粒半抛砖制备工艺，所述印花釉由以下重量份的原料制备得到：30-40份钾长石、10-30份钠长石、5-20份碳酸钡、1-5份氧化锌、1-5份烧滑石、3-5份硅灰石、12-16份水洗土、5-10份氧化铝、4-10份石英、3-10份白刚玉、10-20份硅酸锆、120-130份植物油以及5-10份丙三醇。
根据本发明的一优选实施方式，所述的干粒半抛砖制备工艺，所述干粒釉由以下重量份的原料混合得到：1-5份干粒、5-8份釉浆、100-140份悬浮剂、3-10份烷基多糖苷、20-30份胶水、5-10份过氧化二异丙苯、5-10份橡胶、5-10份纳米石墨烯颗粒以及20-30份聚丙烯酰胺阴离子。
上述实施方案中，纳米石墨烯颗粒在干粒釉制备的搅拌摩擦过程中可以在干粒颗粒的凹凸表面起填充作用，不仅提高了干粒釉的柔顺性能，使得涂覆形成的干粒层表面凹凸形成图案，使得砖体表面略呈哑光，但是实际上却顺滑，也降低了其表面张力，使得抗油污性能提高，而且由于纳米石墨烯颗粒独特的性能使得其可与摩擦化学反应在摩擦副间形成了稳定的第三体，增加整体的抗磨性能；石墨烯颗粒不易于分散在悬浮剂中，因此此处利用烷基多糖苷对石墨烯颗粒表面进行改性，降低其表面张力，使其能够更好地融入并分散于悬浮剂中，而且同时搭配阴离子过氧化二异丙苯酰胺对石墨烯颗粒进行改性，使得石墨烯颗粒外部包裹一层阴离子过氧化二异丙苯酰胺，由于阴离子过氧化二异丙苯酰胺带负电，可以利用同极相斥的原理，保持相邻石墨烯颗粒之间距离，使得其均衡。而且石墨烯颗粒外部包裹一层阴离子聚丙烯酰胺阴离子，其将具备一定的活性，其将与烷基多糖苷中的羟基发生氢键搭桥作用，增强分子与分子间的作用力，促进了整体稳定性。
根据本发明的一优选实施方式，所述的干粒半抛砖制备工艺，所述干粒釉由以下方法制备得到：
a)取釉浆、悬浮剂、烷基多糖苷、聚丙烯酰胺阴离子混合，至于烘箱中40-50℃加热，且边加热边搅拌，得混合物A；
b)取过氧化二异丙苯和橡胶于170℃下熔融共混，活化10-20min，加入纳米石墨烯颗粒充分搅拌，得混合物B；
c)将混合物A和所述混合物B混合，且置于密闭容器内，于5-7Mpa压力下反应15min，然后升温200℃，保温10min，分别加入干粒，得到所述干粒釉。
上述实施方案中，过氧化二异丙苯与橡胶反应，形成硫化橡胶，可提高干粒釉的耐高温性，且过氧化二异丙苯能够形成大分子自由基与接枝剂反应，随着自由基的转移和偶合，促进形成网状结构，改善原料间的相容性，促进纳米石墨烯在网状结构的网孔内的分散度。
根据本发明的一优选实施方式，所述的干粒半抛砖制备工艺，所述柔性抛光设备包括：
机架，其由两侧的立架和固定在所述立架顶部的横梁组成，所述横梁的底部沿长度方向设有直线轨道，所述直线轨道上设有跑车以及推动该跑车沿所述直线轨道行走的直线电机；所述机架下方设有用于铺放砖块的升降平台；
抛光机构，其包括安装筒、铁芯、线圈、磁块、反力弹簧、垂杆、抛光轮和旋转电机，所述安装筒竖直向下固定在所述跑车的底部，所述铁芯竖直固定在所述安装筒的内顶部，其上缠绕所述线圈，所述反力弹簧竖立固定在所述安装筒的内底部，其顶端固定所述磁块，所述铁芯充磁后对所述磁块产生向下的排斥力，所述垂杆竖直连接在所述磁块的底部，其下端自所述安装筒底部穿出，所述抛光轮可转动的安装在所述垂杆的下端，所述旋转电机安装在所述垂杆上，并与所述抛光轮连接用于带动所述抛光轮进行转动；
探测机构，其包括支座、可调电阻和探杆，所述支座固定在所述跑车的底部，且沿所述跑车的前进方向位于所述安装筒的前端，所述可调电阻固定在所述支座上，所述探杆竖直设置，其下端与所述抛光轮的底部平齐，上端固定连接在所述可调电阻的调节部件上，通过所述探杆的上下活动，带动所述调节部件移动，进而改变所述调节电阻的实际电阻值；
其中，所述可调电阻与所述线圈串联在同一电路中，所述探杆向上活动时，带动所述调节部件移动，使所述可调电阻的实际电阻值增大，进而使通过所述线圈的电流减小，所述铁芯对磁块的排斥力减小；
所述探杆向下活动时，带动所述调节部件移动，使所述可调电阻的实际电阻值减小，进而使通过所述线圈的电流增大，所述铁芯对磁块的排斥力增大。
上述实施方案中，柔性抛光设备可对平铺的砖层表面进行抛光，在抛光过程中，探杆在砖层表面滑动时随着砖层表面造型的凸凹而上下活动，由探杆的上下活动实现对可调电阻的实际电阻值的调节，进而调节通过线圈的电流大小和铁芯的磁场强度，带来铁芯对磁块的排斥力大小的改变，最终改变抛光轮的位置，使抛光轮随着砖层表面造型的凸凹而相应的上下活动，在完成有效抛光的同时不会损坏砖层表面的造型。具体的，当行走到砖层表面凸起位置时，探杆向上活动，带动调节部件移动，使可调电阻的实际电阻值增大，进而使通过线圈的电流减小，铁芯磁场减弱，铁芯对磁块的排斥力减小，在反力弹簧的作用下，磁块上升，带动抛光轮上升，避免抛光轮将砖层表面凸起的造型磨掉；当行走到砖层表面凹陷的位置时，探杆向下活动，带动调节部件移动，使可调电阻的实际电阻值减小，进而使通过线圈的电流增大，铁芯磁场增强，铁芯对磁块的排斥力增大，推动磁块下降，从而带动抛光轮下降，避免抛光轮没有接触到砖层表面的凹陷位置而没有达到有效抛光。
根据本发明的一优选实施方式，所述的干粒半抛砖制备工艺，所述探杆的下端具有一球头，以使其能沿砖块表面顺利的滑动。
根据本发明的一优选实施方式，所述的干粒半抛砖制备工艺，所述安装筒由磁轭材料制成。
根据本发明的一优选实施方式，所述的干粒半抛砖制备工艺，所述可调电阻和线圈所在的串联电路中连接有一用于延时的时间继电器，所述时间继电器的延时时间与所述跑车的行走速度相乘等于所述探杆下端与所述抛光轮底部的直线距离。
本发明至少包括以下有益效果：本发明制备得到的干粒半抛砖细腻有颜值，并且更有防污、耐磨的效果，使产品更防潮防污，抗折度升级，无惧日常损耗，历久弥新。
本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
附图说明
图1为本发明中柔性抛光设备的结构示意图；
图2为本发明中可调电阻所在串联电路的电路原理图；
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变形。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。
本领域技术人员应理解的是，在本发明的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本发明的限制。
实施例1
一种干粒半抛砖制备工艺，包括以下步骤：
步骤一、对砖坯进行表面喷水处理，利用可在砖坯上形成图案的丝网，在其表面淋仿古面釉，以形成具备图案的仿古面釉层；所述砖坯由以下重量份的原料制备得到：
3份黑泥、40份中温砂、1份煅烧高铝土、1份张高铝土、1份强塑土、5份高温砂、1份镁质泥、10份白泥、10份中温砂以及1份高铝土。
步骤二、在所述仿古面釉层淋印花釉，再在其表面涂覆一层保护釉；所述印花釉由以下重量份的原料制备得到：30份钾长石、10份钠长石、5份碳酸钡、1份氧化锌、1份烧滑石、3份硅灰石、12份水洗土、5份氧化铝、4份石英、3份白刚玉、10份硅酸锆、120份植物油以及5份丙三醇。
步骤三、继续在保护釉表面淋干粒釉，1100℃高温煅烧，在仿古釉面表面形成半透明的凹凸晶体；所述干粒釉由以下重量份的原料混合得到：1份干粒、5份釉浆、100份悬浮剂、3份烷基多糖苷、20份胶水、5份过氧化二异丙苯、5份橡胶、5份纳米石墨烯颗粒以及20份聚丙烯酰胺阴离子。
其中，所述干粒釉由以下方法制备得到：
a)取釉浆、悬浮剂、烷基多糖苷、聚丙烯酰胺阴离子混合，至于烘箱中40℃加热，且边加热边搅拌，得混合物A；
b)取过氧化二异丙苯和橡胶于170℃下熔融共混，活化10min，加入纳米石墨烯颗粒充分搅拌，得混合物B；
c)将混合物A和所述混合物B混合，且置于密闭容器内，于5Mpa压力下反应15min，然后升温200℃，保温10min，分别加入干粒，得到所述干粒釉。
步骤四、利用柔性抛光设置根据砖坯釉面上表面的凹凸晶体的凹凸程度进行打磨抛光，得干粒半抛砖。
实施例2
一种干粒半抛砖制备工艺，包括以下步骤：
步骤一、对砖坯进行表面喷水处理，利用可在砖坯上形成图案的丝网，在其表面淋仿古面釉，以形成具备图案的仿古面釉层；所述砖坯由以下重量份的原料制备得到：
4份黑泥、42份中温砂、2份煅烧高铝土、2份张高铝土、2份强塑土、8份高温砂、2份镁质泥、15份白泥、11份中温砂以及3份高铝土。
步骤二、在所述仿古面釉层淋印花釉，再在其表面涂覆一层保护釉；所述印花釉由以下重量份的原料制备得到：35份钾长石、20份钠长石、15份碳酸钡、3份氧化锌、3份烧滑石、4份硅灰石、14份水洗土、7份氧化铝、6份石英、6份白刚玉、15份硅酸锆、125份植物油以及8份丙三醇。
步骤三、继续在保护釉表面淋干粒釉，1200℃高温煅烧，在仿古釉面表面形成半透明的凹凸晶体；所述干粒釉由以下重量份的原料混合得到：3份干粒、7份釉浆、120份悬浮剂、6份烷基多糖苷、25份胶水、7份过氧化二异丙苯、7份橡胶、7份纳米石墨烯颗粒以及25份聚丙烯酰胺阴离子。
其中，所述干粒釉由以下方法制备得到：
a)取釉浆、悬浮剂、烷基多糖苷、聚丙烯酰胺阴离子混合，至于烘箱中45℃加热，且边加热边搅拌，得混合物A；
b)取过氧化二异丙苯和橡胶于170℃下熔融共混，活化15min，加入纳米石墨烯颗粒充分搅拌，得混合物B；
c)将混合物A和所述混合物B混合，且置于密闭容器内，于6Mpa压力下反应15min，然后升温200℃，保温10min，分别加入干粒，得到所述干粒釉。
步骤四、利用柔性抛光设置根据砖坯釉面上表面的凹凸晶体的凹凸程度进行打磨抛光，得干粒半抛砖。
实施例3
一种干粒半抛砖制备工艺，包括以下步骤：
步骤一、对砖坯进行表面喷水处理，利用可在砖坯上形成图案的丝网，在其表面淋仿古面釉，以形成具备图案的仿古面釉层；所述砖坯由以下重量份的原料制备得到：
5份黑泥、45份中温砂、3份煅烧高铝土、3份张高铝土、3份强塑土、10份高温砂、3份镁质泥、20份白泥、12份中温砂以及5份高铝土。
步骤二、在所述仿古面釉层淋印花釉，再在其表面涂覆一层保护釉；所述印花釉由以下重量份的原料制备得到：40份钾长石、30份钠长石、20份碳酸钡、5份氧化锌、5份烧滑石、5份硅灰石、16份水洗土、10份氧化铝、10份石英、10份白刚玉、20份硅酸锆、130份植物油以及10份丙三醇。
步骤三、继续在保护釉表面淋干粒釉，1300℃高温煅烧，在仿古釉面表面形成半透明的凹凸晶体；所述干粒釉由以下重量份的原料混合得到：5份干粒、8份釉浆、140份悬浮剂、10份烷基多糖苷、30份胶水、10份过氧化二异丙苯、10份橡胶、10份纳米石墨烯颗粒以及30份聚丙烯酰胺阴离子。
其中，所述干粒釉由以下方法制备得到：
a)取釉浆、悬浮剂、烷基多糖苷、聚丙烯酰胺阴离子混合，至于烘箱中50℃加热，且边加热边搅拌，得混合物A；
b)取过氧化二异丙苯和橡胶于170℃下熔融共混，活化20min，加入纳米石墨烯颗粒充分搅拌，得混合物B；
c)将混合物A和所述混合物B混合，且置于密闭容器内，于7Mpa压力下反应15min，然后升温200℃，保温10min，分别加入干粒，得到所述干粒釉。
步骤四、利用柔性抛光设置根据砖坯釉面上表面的凹凸晶体的凹凸程度进行打磨抛光，得干粒半抛砖。
取实施例1-3制备的半抛砖和市售的普通半抛砖相比，实施例1-3制备的半抛砖的抗油污性能更强。
另一实施方式中，所述柔性抛光设备如图1所示，其包括：
机架，其由两侧的立架1和固定在所述立架1顶部的横梁2组成，所述横梁2的底部沿长度方向设有直线轨道3，所述直线轨道3上设有跑车4以及推动该跑车4沿所述直线轨道3行走的直线电机5；
抛光机构，其包括安装筒6、铁芯7、线圈8、磁块9、反力弹簧10、垂杆11、抛光轮12和旋转电机13，所述安装筒6竖直向下固定在所述跑车4的底部，所述铁芯7竖直固定在所述安装筒6的内顶部，其上缠绕所述线圈8，所述反力弹簧10竖立固定在所述安装筒6的内底部，其顶端固定所述磁块9，所述铁芯7充磁后对所述磁块9产生向下的排斥力，所述垂杆11竖直连接在所述磁块9的底部，其下端自所述安装筒6底部穿出，所述抛光轮12可转动的安装在所述垂杆11的下端，所述旋转电机13安装在所述垂杆11上，并与所述抛光轮12连接用于带动所述抛光轮12进行转动；
探测机构，其包括支座14、可调电阻15和探杆16，所述支座14固定在所述跑车4的底部，且沿所述跑车4的前进方向位于所述安装筒6的前端，所述可调电阻15固定在所述支座上14，所述探杆16竖直设置，其下端与所述抛光轮12的底部平齐，上端固定连接在所述可调电阻15的调节部件17上，通过所述探杆16的上下活动，带动所述调节部件17移动，进而改变所述调节电阻15的实际电阻值；
其中，所述可调电阻15与所述线圈8串联在同一电路中，所述探杆16向上活动时，带动所述调节部件17移动，使所述可调电阻15的实际电阻值增大，进而使通过所述线圈8的电流减小，所述铁芯7对磁块9的排斥力减小；
所述探杆16向下活动时，带动所述调节部件17移动，使所述可调电阻15的实际电阻值减小，进而使通过所述线圈8的电流增大，所述铁芯7对磁块9的排斥力增大。
该设备用于对平铺的砖层表面进行抛光，使用时，砖层平铺在两侧的立架1支架，通过跑车4在直线轨道3上的行走，带动抛光机构在砖层表面行走，抛光机构底部的抛光轮12实现对砖层表面的抛光，抛光机构的前端设有探测机构，探测机构底部的探杆16在砖层表面滑动时，根据砖层表面造型的凸凹情况而上下活动，通过探杆16的活动改变可调电阻15的实际电阻值，可调电阻15与线圈8串联在同一电路中，可调电阻15的实际电阻改变之后，通过线圈8的电流相应发生改变，从而使铁芯7的磁场强度发生变化，进而改变铁芯7对磁块9的排斥力，使磁块9向上(通过反力弹簧10的作用)或向下活动，带动抛光轮12上下活动，抛光轮12的上下活动与砖层表面的凸凹度相适应，实现有效抛光的同时避免损伤砖层表面的造型。
具体的，当行走到砖层表面凸起位置时，探杆16向上活动，带动调节部件17移动，使可调电阻15的实际电阻值增大，进而使通过线圈8的电流减小，铁芯7磁场减弱，铁芯7对磁块9的排斥力减小，在反力弹簧10的作用下，磁块9上升，带动抛光轮12上升，避免抛光轮12将砖层表面凸起的造型磨掉；当行走到砖层表面凹陷的位置时，探杆16在重力作用下向下活动，带动调节部件17移动，使可调电阻15的实际电阻值减小，进而使通过线圈8的电流增大，铁芯7磁场增强，铁芯7对磁块9的排斥力增大，推动磁块9下降，从而带动抛光轮12下降，避免抛光轮12没有接触到砖层表面的凹陷位置而没有达到有效抛光。
另外，为了减小抛光机构与探测机构之间的响应误差，在设备制造时，探杆16下端与抛光轮12底部的直线距离应尽可能的减小。
所述探杆16的下端具有一球头，以使其能沿砖块表面顺利的滑动。
所述机架下方设有用于铺放砖块的升降平台18，砖层铺放在升降平台18上之后，通过升降平台18的升降，可使抛光轮12与砖层表面达到合适的接触度，以满足抛光程度的要求。
所述安装筒6由磁轭材料制成，以便锁定铁芯7产生的磁场，避免因磁场外泄而差生响应误差。
本发明还提供另一实施方式，所述可调电阻15和线圈8所在的串联电路中连接有一用于延时的时间继电器19，所述时间继电器19的延时时间与所述跑车4的行走速度相乘等于所述探杆16下端与所述抛光轮12底部的直线距离。电路原理图如图2所示，当探杆16活动而带动调节部件17活动时，可调电阻15的实际电阻值改变，因实际电阻值电阻的改变而导致电流大小的变化，时间继电器19安装在电流流动方向上，线圈8沿电流流动方向位于时间继电器19的后方，电流流经时间继电器时有一定的延时，假设延时时间为T，即从探杆16发生活动到通过线圈8的电流发生改变，响应时间为T，假设跑车移动速度为S，探杆16下端与抛光轮12底部的直线距离为D，则本实施例限定了D＝T*S，也就是说，当探杆16发生上下活动之后，抛光轮12并不是立刻随之上下活动，而是移动了距离D之后再上下活动，故抛光轮12是向前移动到探杆16之前所在的位置时才发生响应而上下活动，因此本实施例可有效的消除抛光机构的响应时间带来的误差，从而进一步的提高抛光效果，达到有效抛光且避免磨伤造型。
尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。

Claims (9)

1.一种干粒半抛砖制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、对砖坯进行表面喷水处理，利用可在砖坯上形成图案的丝网，在其表面淋仿古面釉，以形成具备图案的仿古面釉层；
步骤二、在所述仿古面釉层淋印花釉，再在其表面涂覆一层保护釉；
步骤三、继续在保护釉表面淋干粒釉，1100~1300℃高温煅烧，在仿古釉面表面形成半透明的凹凸晶体；
步骤四、利用柔性抛光设置根据砖坯釉面上表面的凹凸晶体的凹凸程度进行打磨抛光，得干粒半抛砖。
2.根据权利要求1所述的干粒半抛砖制备工艺，其特征在于，所述砖坯由以下重量份的原料制备得到：
3-5份黑泥、40-45份中温砂、1-3份煅烧高铝土、1-3份张高铝土、1-3份强塑土、5-10份高温砂、1-3份镁质泥、10-20份白泥、10-12份中温砂以及1-5份高铝土。
3.根据权利要求1所述的干粒半抛砖制备工艺，其特征在于，所述印花釉由以下重量份的原料制备得到：30-40份钾长石、10-30份钠长石、5-20份碳酸钡、1-5份氧化锌、1-5份烧滑石、3-5份硅灰石、12-16份水洗土、5-10份氧化铝、4-10份石英、3-10份白刚玉、10-20份硅酸锆、120-130份植物油以及5-10份丙三醇。
4.根据权利要求1所述的干粒半抛砖制备工艺，其特征在于，所述干粒釉由以下重量份的原料制备得到：1-5份干粒、5-8份釉浆、100-140份悬浮剂、3-10份烷基多糖苷、20-30份胶水、5-10份过氧化二异丙苯、5-10份橡胶、5-10份纳米石墨烯颗粒以及20-30份聚丙烯酰胺阴离子。
5.根据权利要求4所述的干粒半抛砖制备工艺，其特征在于，所述干粒釉由以下方法制备得到：
a）取釉浆、悬浮剂、烷基多糖苷、聚丙烯酰胺阴离子混合，至于烘箱中40-50℃加热，且边加热边搅拌，得混合物A；
b）取过氧化二异丙苯和橡胶于170℃下熔融共混，活化10-20min，加入纳米石墨烯颗粒充分搅拌，得混合物B；
c）将混合物A和所述混合物B混合，且置于密闭容器内，于5-7Mpa压力下反应15min，然后升温200℃，保温10min，分别加入干粒，得到所述干粒釉。
6.根据权利要求1所述的干粒半抛砖制备工艺，其特征在于，所述柔性抛光设备包括：
机架，其由两侧的立架和固定在所述立架顶部的横梁组成，所述横梁的底部沿长度方向设有直线轨道，所述直线轨道上设有跑车以及推动该跑车沿所述直线轨道行走的直线电机；所述机架下方设有用于铺放砖块的升降平台；
抛光机构，其包括安装筒、铁芯、线圈、磁块、反力弹簧、垂杆、抛光轮和旋转电机，所述安装筒竖直向下固定在所述跑车的底部，所述铁芯竖直固定在所述安装筒的内顶部，其上缠绕所述线圈，所述反力弹簧竖立固定在所述安装筒的内底部，其顶端固定所述磁块，所述铁芯充磁后对所述磁块产生向下的排斥力，所述垂杆竖直连接在所述磁块的底部，其下端自所述安装筒底部穿出，所述抛光轮可转动的安装在所述垂杆的下端，所述旋转电机安装在所述垂杆上，并与所述抛光轮连接用于带动所述抛光轮进行转动；
探测机构，其包括支座、可调电阻和探杆，所述支座固定在所述跑车的底部，且沿所述跑车的前进方向位于所述安装筒的前端，所述可调电阻固定在所述支座上，所述探杆竖直设置，其下端与所述抛光轮的底部平齐，上端固定连接在所述可调电阻的调节部件上，通过所述探杆的上下活动，带动所述调节部件移动，进而改变所述调节电阻的实际电阻值；
其中，所述可调电阻与所述线圈串联在同一电路中，所述探杆向上活动时，带动所述调节部件移动，使所述可调电阻的实际电阻值增大，进而使通过所述线圈的电流减小，所述铁芯对磁块的排斥力减小；
所述探杆向下活动时，带动所述调节部件移动，使所述可调电阻的实际电阻值减小，进而使通过所述线圈的电流增大，所述铁芯对磁块的排斥力增大。
7.根据权利要求6所述的干粒半抛砖制备工艺，其特征在于，所述探杆的下端具有一球头，以使其能沿砖块表面顺利的滑动。
8.根据权利要求6所述的干粒半抛砖制备工艺，其特征在于，所述安装筒由磁轭材
料制成。
9.根据权利要求6-8中任意一项所述的干粒半抛砖制备工艺，其特征在于，所述可调电阻和线圈所在的串联电路中连接有一用于延时的时间继电器，所述时间继电器的延时时间与所述跑车的行走速度相乘等于所述探杆下端与所述抛光轮底部的直线距离。
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