CN113644544B - 一种波长锁定半导体激光器*** - Google Patents

一种波长锁定半导体激光器*** Download PDF

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Abstract

一种波长锁定半导体激光器***，包括：第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块，第k光纤耦合模块包括第k传能光纤和若干第k半导体激光发光管；体光栅锁定模块，体光栅锁定模块包括若干第N+1半导体激光发光管、体光栅和第N+1传能光纤；光纤合束器，光纤合束器包括第一输入光纤至第N+1输入光纤、以及输出光纤；第k传能光纤与第k输入光纤与连接，第N+1传能光纤与第N+1输入光纤连接；部分反射结构，设置在输出光纤的输出端面一侧，部分反射结构用于作为若干第一半导体激光发光管至若干第N半导体激光发光管的谐振反馈结构。所述波长锁定半导体激光器***输出光束的光谱得到窄化。

Description

一种波长锁定半导体激光器***
技术领域
本发明涉及半导体领域，具体涉及一种波长锁定半导体激光器***。
背景技术
半导体激光器具有效率高、结构紧凑、波长范围宽、成本低、可靠性高等优良特性。然而传统的半导体激光器光谱特性差，光束质量差，直接输出功率和亮度低。然而部分固体激光器、光纤激光器要求半导体激光器输出光束要求具有较窄的线宽。为了对半导体激光器的光谱进行压窄，常采用体布拉格光栅(VBG)作为反射腔镜与高功率半导体激光器构成外腔半导体激光器。
常用的半导体激光器泵源有单管合束模块和阵列，通过光束整形后进行光纤耦合成为尾纤输出泵源。在进行光谱压窄时常用的结构是将体光栅(VBG)放在单管模块内和阵列出光面之后。在单管模块中，需要每一个模块对应一个体光栅，在阵列中也需要每一个线阵对应一个体光栅，这样增加了大功率泵源中使用的体光栅数量，不仅增加成本，而且增加了调节难度。另外体光栅由于其玻璃材料的原因会对入射激光有一定的吸收，导致体光栅温度升高，这种体布拉格光栅材料的温度效应和高功率密度激光的加热作用，将导致光栅布拉格波长的红移，进而带来其锁定的半导体激光器激射波长的红移，因此在高功率、高亮度半导体激光器的波长锁定中，必须考虑体布拉格光栅温度效应带来的波长偏移问题。当VBG数量增加时，需要对每一个VBG分别进行温度控制，当不能同时精确控制每一个VBG的温度时，将会导致不同模块或线阵被锁定在不同的中心波长，使得最终合束输出光束的光谱展宽。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中波长锁定半导体激光器***的输出光束的光谱较宽的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种波长锁定半导体激光器***，包括：第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块，第k光纤耦合模块包括第k传能光纤和若干第k半导体激光发光管；N为大于等于2的整数，k为大于等于1且小于或等于N的整数；体光栅锁定模块，所述体光栅锁定模块包括若干第N+1半导体激光发光管、体光栅和第N+1传能光纤；光纤合束器，所述光纤合束器包括第一输入光纤至第N+1输入光纤、以及输出光纤；第k传能光纤与第k输入光纤与连接，第N+1传能光纤与第N+1输入光纤连接；部分反射结构，设置在所述输出光纤的输出端面一侧，所述部分反射结构用于作为若干第一半导体激光发光管至若干第N半导体激光发光管的谐振反馈结构。
可选的，所述部分反射结构为与所述输出光纤的输出端面接触的镀膜反射层。
可选的，所述部分反射结构包括与所述输出光纤的输出端面相对设置的部分反射部分透射镜。
可选的，还包括：设置在所述输出光纤的输出端面的镀膜增透层，所述镀膜增透层位于所述部分反射部分透射镜和所述输出光纤之间。
可选的，所述部分反射结构的反射率为5％～20％。
可选的，所述体光栅锁定模块还包括：中心波长检测单元，所述中心波长检测单元适于检测第N+1半导体激光发光管发出的激光的中心波长偏移程度；温度控制单元，所述温度控制单元适于根据中心波长偏移程度对所述体光栅进行温度补偿，以降低激光的中心波长偏移。
可选的，所述温度控制单元包括半导体制冷片和反馈控制件，所述半导体制冷片与所述体光栅接触，所述半导体制冷片适于给所述体光栅进行制冷，所述半导体制冷片还适于给所述体光栅进行制热，所述反馈控制件适于根据所述中心波长检测单元检测到的中心波长偏移程度调节所述半导体制冷片的制冷和制热程度。
可选的，第k光纤耦合模块还包括：若干第k准直镜、第k聚焦耦合镜单元，第k聚焦耦合镜单元适于将经过所述若干第k准直镜准直之后的若干激光束聚焦耦合至第k传能光纤；若干第k 45°反射镜，所述第k 45°反射镜适于将经过所述第k准直镜准直之后的激光朝向第k聚焦耦合镜单元反射。
可选的，若干第N+1准直镜、以及第N+1聚焦耦合镜单元，第N+1聚焦耦合镜单元位于所述体光栅和第N+1传能光纤之间；若干第N+145°反射镜，所述第N+1 45°反射镜适于将经过所述第N+1准直镜准直之后的激光朝向体光栅反射。
本发明技术方案，具有如下优点：
本发明技术方案提供的波长锁定半导体激光器***，对于第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块，所述部分反射结构用于作为若干第一半导体激光发光管至若干第N半导体激光发光管的谐振反馈结构，第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块中未设置体光栅。体光栅锁定模块中设置有体光栅作为若干第N+1半导体激光发光管的谐振反馈结构。体光栅锁定了若干第N+1半导体激光发光管的状态下体光栅透射出的激光束依次进入第N+1传能光纤、光纤合束器，激光束达到输出光纤的输出端面时被部分反射结构反射回一部分激光，该反射的激光依次回到输出光纤、输入光纤(第一输入光纤至第N+1输入光纤)，该反射的激光被第一输入光纤至第N+1输入光纤分为若干束反射激光分束，若干束反射激光分束分别对应进入第一传能光纤至第N+1传能光纤，之后进入第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块以及体光栅锁定模块中，进入第k光纤耦合模块的反射激光分束对第k光纤耦合模块中的第k半导体激光发光管进行锁定。其次，对于第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块中的任意一个第k光纤耦合模块，第k光纤耦合模块输出的激光束依次经过第k传能光纤、光纤合束器，第k光纤耦合模块输出的激光束达到输出光纤的输出端面时被部分反射结构反射回一部分激光，该反射的激光依次回到输出光纤、光纤合束器，同样被第一输入光纤至第N+1输入光纤分成(N+1)路反射激光分束，反射激光分束分别进入第一传能光纤至第N+1传能光纤，其中第一传能光纤至第N传能光纤中的反射的激光分别对应回到第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块，第N+1传能光纤中的反射的激光回到体光栅锁定模块，因此对于第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块以及体光栅锁定模块，每一个模块所接受的反馈光，即有自身发出的光，又有来自其余N个模块的光，因此实现模块之间的互锁。体光栅锁定模块由于采用体光栅进行波长锁定，因此体光栅锁定模块的锁定状态不会受到部分反射结构反射光的干扰，因此实现体光栅锁定模块对第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块的锁定，且第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块的锁定波长与体光栅锁定模块的锁定波长完全一致，因此波长锁定半导体激光器***的输出光束的光谱得到窄化。
其次，使用光纤合束器进行激光合束，输出光纤的输出功率得到N+1倍的增加。
进一步，所述体光栅锁定模块还包括：中心波长检测单元，所述中心波长检测单元适于检测第N+1半导体激光发光管发出的激光的中心波长偏移程度；温度控制单元，所述温度控制单元适于根据中心波长偏移程度对所述体光栅进行温度补偿，以降低激光的中心波长偏移。体光栅锁定模块的中心波长漂移得到控制。当体光栅锁定模块的中心波长漂移得到控制时，所有第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块的锁定中心波长一致同步变化，避免不同模块锁定在不同中心波长导致最终合束输出光光谱的展宽，即整个***可在保证光谱宽度与单个体光栅锁定模块光谱宽度一致的情况下，实现锁定中心波长可调可控。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例提供的波长锁定半导体激光器***的示意图；
图2为本发明另一实施例提供的波长锁定半导体激光器***的示意图；
图3为本发明一实施例提供的第k光纤耦合模块的结构示意图；
图4为本发明一实施例提供的体光栅锁定模块的结构示意图。
具体实施方式
本发明一实施例提供一种波长锁定半导体激光器***，结合参考图1、图2和图3，包括：
第一光纤耦合模块G1至第N光纤耦合模块Gn，第k光纤耦合模块包括第k传能光纤和若干第k半导体激光发光管；N为大于等于2的整数，k为大于等于1且小于或等于N的整数；
体光栅锁定模块S，所述体光栅锁定模块S包括若干第N+1半导体激光发光管、体光栅22和第N+1传能光纤CN+1；
光纤合束器10，所述光纤合束器10包括第一输入光纤至第N+1输入光纤、以及输出光纤101；第k传能光纤与第k输入光纤与连接，第N+1传能光纤与第N+1输入光纤连接；
部分反射结构，设置在所述输出光纤101的输出端面一侧，所述部分反射结构用于作为第一半导体激光发光管至第N半导体激光发光管的谐振反馈结构。
如图1中，第一光纤耦合模块G1包括第一传能光纤C1和若干第一半导体激光发光管，第二光纤耦合模块G1包括第二传能光纤C2和若干第二半导体激光发光管，第N光纤耦合模块GN包括第N传能光纤CN和若干第N半导体激光发光管，依次类推，第k光纤耦合模块包括第k传能光纤和若干第k半导体激光发光管。
所述若干第k半导体激光发光管为半导体激光阵列；或者，若干第k半导体激光发光管中每一个均为单管。
所述若干第N+1半导体激光发光管为半导体激光阵列；或者，若干若干第N+1半导体激光发光管中每一个均为单管。
在一个实施例中，参考图1，所述部分反射结构为所述输出光纤101的输出端面接触的镀膜反射层102，这样使得部分反射结构的结构简单。
在另一个实施例中，参考图2，所述部分反射结构包括与所述输出光纤101的输出端面相对设置的部分反射部分透射镜112b。进一步的，所述部分反射结构还包括：设置在所述输出光纤101的输出端面的镀膜增透层112，所述镀膜增透层112位于所述部分反射部分透射镜112b和所述输出光纤101之间。所述镀膜增透层112适于增加输出光纤101的输出端面的透过率。假设不设置镀膜增透层112，输出光纤101的输出端面是会有一部分反射的，不同的输出光纤101的输出端面的差异会引起反射的大小不同。而本申请中，设置了镀膜增透层112，增加了输出光纤101的输出端面的透过率，主要依赖部分反射部分透射镜112b进行反射，而部分反射部分透射镜112b的反射率是容易得到精确的控制。
在一个实施例中，所述部分反射结构的反射率为5％～20％，如5％、8％、10％、15％、或20％。好处在于：若部分反射结构的反射率小于5％，则参与竞争模式的激光较少，增加了激光波长锁定的难度，若部分反射结构的反射率大于20％，则部分反射结构透过的光较少，这样导致输出的激光功率较小。参考图1，镀膜反射层102的反射率为5％～20％。参考图2，部分反射部分透射镜112b的反射率为5％～20％。
参考图3，第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块中的任一个第k光纤耦合模块，第k光纤耦合模块包括：若干个第k半导体激光发光管110k和第k传能光纤Ck，第k光纤耦合模块还包括：若干第k准直镜、第k聚焦耦合镜单元，第k聚焦耦合镜单元适于将经过所述若干第k准直镜准直之后的若干激光束聚焦耦合至第k传能光纤；若干第k 45°反射镜140k，所述第k 45°反射镜140k适于将经过所述第k准直镜准直之后的激光朝向第k聚焦耦合镜单元反射。每个第k准直镜均包括第k慢轴准直镜130k和第k快轴准直镜120k。若干第k快轴准直镜120k在快轴方向排布具有微小的高度差，若干个第k快轴准直镜120k还沿着慢轴方向依次排布，若干第k慢轴准直镜130k沿着慢轴方向依次排布。在第k准直镜中，第k快轴准直镜120k位于第k半导体激光发光管110k和第k慢轴准直镜130k之间。所述第k快轴准直镜120k适于对第k半导体激光发光管110k输出的激光束在快轴方向进行准直，第k慢轴准直镜130k适于对激光束在慢轴方向进行准直。所述第k快轴准直镜120k对激光束在快轴进行准直之后，再由第k慢轴准直镜130k对激光束在慢轴方向进行准直。第k慢轴准直镜130k的数量和第k半导体激光发光管110k的数量相同，第k快轴准直镜120k的数量和第k半导体激光发光管110k的数量相同。第k45°反射镜140k的法线方向与激光入射至第k 45°反射镜140的入射方向之间呈45度角，第k 45°反射镜140k适于将经过第k慢轴准直镜130k和第k快轴准直镜120k准直之后的的激光朝向第k聚焦耦合镜单元反射，第k 45°反射镜140k将激光的光路偏折90度。第k 45°反射镜140k的数量和第k慢轴准直镜130k的数量相同。若干第k 45°反射镜140k在快轴方向具有高度差，使得若干第k 45°反射镜140k对各自反射的激光在光路上不被阻挡，每束激光被对应的第k 45°反射镜140k反射后均入射至第k聚焦耦合镜单元。一个第k半导体激光发光管110k对应一个第k快轴准直镜120k、一个第k慢轴准直镜130k和一个第k 45°反射镜140k。
参考图3，第k聚焦耦合镜单元适于对被准直后的激光进行聚焦并耦合至第k传能光纤，第k聚焦耦合镜单元对被准直后的激光进行聚焦，使聚焦光斑尺寸小于第k传能光纤Ck的纤芯，从而使得激光束可以通过第k传能光纤Ck传输。第k聚焦耦合镜单元包括第k快轴聚焦耦合镜150k和第k慢轴聚焦耦合镜160k，第k快轴聚焦耦合镜150k位于所述若干第k45°反射镜140k和第k慢轴聚焦耦合镜160k之间。第k聚焦耦合镜单元也可以是球面透镜。
对于第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块，所述部分反射结构用于作为若干第一半导体激光发光管至若干第N半导体激光发光管的谐振反馈结构，第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块中未设置体光栅。
参考图4，体光栅锁定模块S包括：若干第N+1半导体激光发光管110’、体光栅22和第N+1传能光纤CN+1，体光栅锁定模块还包括：若干第N+1准直镜和第N+1聚焦耦合镜单元156，第N+1聚焦耦合镜单元156位于所述体光栅22和第N+1传能光纤CN+1之间，第N+1聚焦耦合镜单元156适于将体光栅22透射出的激光束聚焦耦合至第N+1传能光纤CN+1；若干第N+145°反射镜140’，所述第N+1 45°反射镜140’适于将经过第N+1准直镜准直之后的激光朝向体光栅22反射。每个第N+1准直镜均包括第N+1慢轴准直镜130’和第N+1快轴准直镜120’。若干第N+1快轴准直镜120’在快轴方向排布具有微小的高度差，若干个第N+1快轴准直镜120’还沿着慢轴方向依次排布，若干第N+1慢轴准直镜130’沿着慢轴方向依次排布。在第N+1准直镜中，第N+1快轴准直镜120’位于第N+1半导体激光发光管110’和第N+1慢轴准直镜130’之间。第N+1快轴准直镜120’适于对第N+1半导体激光发光管110’输出的激光束在快轴方向进行准直，第N+1慢轴准直镜130’适于对激光束在慢轴方向进行准直。第N+1快轴准直镜120’对激光束在快轴进行准直之后，再由第N+1慢轴准直镜130’对激光束在慢轴方向进行准直。第N+1慢轴准直镜130’的数量和第N+1半导体激光发光管110’的数量相同，第N+1快轴准直镜120’的数量和第N+1半导体激光发光管110’的数量相同。第N+1 45°反射镜140’的法线方向与激光入射至第N+1 45°反射镜140’的入射方向之间呈45度角，第N+1 45°反射镜140’适于将经过第N+1慢轴准直镜130’和第N+1快轴准直镜120’准直之后的的激光朝向体光栅22反射，第N+1 45°反射镜140’将激光的光路偏折90度。第N+1 45°反射镜140’的数量和第N+1慢轴准直镜130’的数量相同。若干第N+1 45°反射镜140’在快轴方向具有高度差，使得若干第N+1 45°反射镜140’对各自反射的激光在光路上不被阻挡，每束激光被对应的第N+1 45°反射镜140’反射后均入射至第N+1聚焦耦合镜单元。一个第N+1半导体激光发光管110’对应一个第N+1快轴准直镜120’、一个第N+1慢轴准直镜130’和一个第N+1 45°反射镜140’。
参考图4，第N+1聚焦耦合镜单元156适于对被准直后的激光进行聚焦并耦合至第N+1传能光纤CN+1，第N+1聚焦耦合镜单元156对被准直后的激光进行聚焦，使聚焦光斑尺寸小于第N+1传能光纤CN+1的纤芯，从而使得激光束可以通过第N+1传能光纤CN+1传输。第N+1聚焦耦合镜156单元包括第N+1快轴聚焦耦合镜和第N+1慢轴聚焦耦合镜，第N+1快轴聚焦耦合镜位于所述若干第N+1 45°反射镜和第N+1慢轴聚焦耦合镜之间。
体光栅锁定模块S中设置的体光栅22作为若干第N+1半导体激光发光管的谐振反馈结构。体光栅锁定模块S采用体光栅22进行波长锁定。体光栅锁定模块S中，体光栅22部分透射激光进入第N+1传能光纤CN+1，体光栅22能够反射特定波长的光束，因此具有特定波长的光束将被体光栅22反射重新进入第N+1半导体激光发光管110’，在第N+1半导体激光发光管110’内部形成竞争模式，实现波长锁定和光谱窄化，并且由于本实施例中存在光纤合束器，因此各个第N+1半导体激光发光管110’之间实现相互波长锁定。体光栅22的体积较小，能实现整个波长锁定半导体激光器***的小型化。
所述光纤合束器10包括第一输入光纤至第N+1输入光纤、以及输出光纤101；第k传能光纤与第k输入光纤与连接，第N+1传能光纤与第N+1输入光纤连接。该光纤合束器10为(N+1)×1的光纤合束器，也就是说，光纤合束器具有(N+1)个输入通道和1个输出通道。其次，使用光纤合束器进行激光合束，输出光纤的输出功率得到N+1倍的增加。
体光栅22锁定了若干第N+1半导体激光发光管的状态下体光栅透射出的激光束依次进入第N+1传能光纤、光纤合束器10，激光束达到输出光纤的输出端面时被部分反射结构反射回一部分激光，该反射的激光依次回到输出光纤、输入光纤(第一输入光纤至第N+1输入光纤)，该反射的激光被第一输入光纤至第N+1输入光纤分为若干束反射激光分束，若干束反射激光分束分别对应进入第一传能光纤至第N+1传能光纤，之后进入第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块以及体光栅锁定模块中，进入第k光纤耦合模块的反射激光分束对第k光纤耦合模块中的第k半导体激光发光管进行锁定。其次，对于第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块中的任意一个第k光纤耦合模块，第k光纤耦合模块输出的激光束依次经过第k传能光纤、光纤合束器，第k光纤耦合模块输出的激光束达到输出光纤的输出端面时被部分反射结构反射回一部分激光，该反射的激光依次回到输出光纤、光纤合束器10，同样被第一输入光纤至第N+1输入光纤分成(N+1)路反射激光分束，反射激光分束分别进入第一传能光纤至第N+1传能光纤，其中第一传能光纤至第N传能光纤中的反射的激光分别对应回到第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块，第N+1传能光纤中的反射的激光回到体光栅锁定模块，因此对于第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块以及体光栅锁定模块，每一个模块所接受的反馈光，即有自身发出的光，又有来自其余N个模块的光，因此实现模块之间的互锁。体光栅锁定模块由于采用体光栅进行波长锁定，因此体光栅锁定模块的锁定状态不会受到部分反射结构反射光的干扰，因此实现体光栅锁定模块对第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块的锁定，且第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块的锁定波长与体光栅锁定模块的锁定波长完全一致，因此波长锁定半导体激光器***的输出光束的光谱得到窄化。
所述体光栅锁定模块还包括：中心波长检测单元(未图示)，所述中心波长检测单元适于检测第N+1半导体激光发光管110’发出的激光的中心波长偏移程度；温度控制单元(未图示)，所述温度控制单元适于根据中心波长偏移程度对所述体光栅22进行温度补偿，以降低激光的中心波长偏移。
所述温度控制模块包括半导体制冷片和反馈控制单元(未图示)，所述半导体制冷片与所述体光栅22接触，所述半导体制冷片适于给所述体光栅22进行制冷，所述半导体制冷片还适于给所述体光栅22进行制热，所述反馈控制单元适于根据所述中心波长检测模块检测到的激光的中心波长偏移程度调节所述半导体制冷片的制冷和制热程度。
当所述中心波长检测模块检测到激光的中心波长向短波方向偏移时，所述反馈控制单元适于控制半导体制冷片对所述体光栅22进行制热；当所述中心波长检测模块检测到激光的中心波长向长波方向偏移时，所述反馈控制单元适于控制半导体制冷片对所述体光栅22进行制冷。
体光栅锁定模块的中心波长漂移得到控制。当体光栅锁定模块的中心波长漂移得到控制时，所有第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块的锁定中心波长一致同步变化，避免不同模块锁定在不同中心波长导致最终合束输出光光谱的展宽，即整个***可在保证光谱宽度与单个体光栅锁定模块光谱宽度一致的情况下，实现锁定中心波长可调可控。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (9)

1.一种波长锁定半导体激光器***，其特征在于，包括：
第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块，第k光纤耦合模块包括第k传能光纤和若干第k半导体激光发光管，第k传能光纤适于传输若干第k半导体激光发光管输出的激光；N为大于等于2的整数，k为大于等于1且小于或等于N的整数，第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块中未设置体光栅；
体光栅锁定模块，所述体光栅锁定模块包括若干第N+1半导体激光发光管、体光栅和第N+1传能光纤；
光纤合束器，所述光纤合束器包括第一输入光纤至第N+1输入光纤、以及输出光纤；第k传能光纤与第k输入光纤与连接，第N+1传能光纤与第N+1输入光纤连接；
部分反射结构，设置在所述输出光纤的输出端面一侧，所述部分反射结构用于作为若干第一半导体激光发光管至若干第N半导体激光发光管的谐振反馈结构；
体光栅锁定模块中的体光栅透射出的激光束依次进入第N+1传能光纤、光纤合束器直至达到输出光纤的输出端面时被部分反射结构反射回一部分激光，反射的激光回到光纤合束器被第一输入光纤至第N+1输入光纤分为若干束反射激光分束，若干束反射激光分束分别对应进入第一传能光纤至第N+1传能光纤，进入第k光纤耦合模块的反射激光分束对第k光纤耦合模块中的第k半导体激光发光管进行锁定。
2.根据权利要求1所述的波长锁定半导体激光器***，其特征在于，所述部分反射结构为与所述输出光纤的输出端面接触的镀膜反射层。
3.根据权利要求1所述的波长锁定半导体激光器***，其特征在于，所述部分反射结构包括与所述输出光纤的输出端面相对设置的部分反射部分透射镜。
4.根据权利要求3所述的波长锁定半导体激光器***，其特征在于，还包括：设置在所述输出光纤的输出端面的镀膜增透层，所述镀膜增透层位于所述部分反射部分透射镜和所述输出光纤之间。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的波长锁定半导体激光器***，其特征在于，所述部分反射结构的反射率为5％～20％。
6.根据权利要求1所述的波长锁定半导体激光器***，其特征在于，所述体光栅锁定模块还包括：中心波长检测单元，所述中心波长检测单元适于检测第N+1半导体激光发光管发出的激光的中心波长偏移程度；温度控制单元，所述温度控制单元适于根据中心波长偏移程度对所述体光栅进行温度补偿，以降低激光的中心波长偏移。
7.根据权利要求6所述的波长锁定半导体激光器***，其特征在于，所述温度控制单元包括半导体制冷片和反馈控制件，所述半导体制冷片与所述体光栅接触，所述半导体制冷片适于给所述体光栅进行制冷，所述半导体制冷片还适于给所述体光栅进行制热，所述反馈控制件适于根据所述中心波长检测单元检测到的中心波长偏移程度调节所述半导体制冷片的制冷和制热程度。
8.根据权利要求1所述的波长锁定半导体激光器***，其特征在于，第k光纤耦合模块还包括：若干第k准直镜、第k聚焦耦合镜单元，第k聚焦耦合镜单元适于将经过所述若干第k准直镜准直之后的若干激光束聚焦耦合至第k传能光纤；若干第k 45°反射镜，所述第k 45°反射镜适于将经过所述第k准直镜准直之后的激光朝向第k聚焦耦合镜单元反射。
9.根据权利要求1所述的波长锁定半导体激光器***，其特征在于，所述体光栅锁定模块还包括：若干第N+1准直镜、以及第N+1聚焦耦合镜单元，第N+1聚焦耦合镜单元位于所述体光栅和第N+1传能光纤之间；若干第N+1 45°反射镜，所述第N+1 45°反射镜适于将经过所述第N+1准直镜准直之后的激光朝向体光栅反射。
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