CN220107189U - 一种半导体激光器*** - Google Patents
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Abstract
一种半导体激光器***,包括:若干个第一发光芯片,若干个第一发光芯片在快轴方向上错位设置且沿第一方向错位设置;若干个第一快轴准直透镜,第一快轴准直透镜与第一发光芯片一一对应;若干个第一反射镜,第一反射镜与第一快轴准直透镜一一对应;若干个第一慢轴准直透镜,第一慢轴准直透镜与第一反射镜间隔设置且一一对应;第一快轴准直透镜位于第一反射镜和第一发光芯片之间的光路中,第一反射镜位于第一慢轴准直透镜和第一快轴准直透镜之间的光路中;聚焦透镜单元,所述聚焦透镜单元适于将从若干个第一慢轴准直透镜发出的光束进行聚焦并注入到耦合光纤中。所述半导体激光器***可同时兼顾体积小、质量轻、耦合效率越高且可实现灵活调节。
Description
技术领域
本实用新型涉及激光器技术领域,具体涉及一种半导体激光器***。
背景技术
光纤输出大功率半导体激光应用非常广泛。为了获得高功率的激光功率输出,常规做法是将若干个发光芯片发出的光束先后在快轴方向和慢轴方向准直,然后利用反射镜将其平行并列紧密排列到一起合束,再用透镜或透镜组将合束后的光聚焦耦合到光纤中。以此基本构造发展出了许多具体的实施方案。随着应用范围的扩展,不同应用场景对此类发光芯片的结构和性能提出了不同的要求。例如越来越多的大功率光纤激光器和半导体激光的应用都提出了减小半导体激光器***体积和重量的要求。而光纤输出的大功率半导体激光器又是其核心器件和体积重量占比最大的零部件,因此光纤输出半导体激光器***的小型化和轻量化就成为半导体激光器***改进的重点,且在实现小型化和轻量化的同时也希望半导体激光器***具有较高的耦合效率。因此,需要提供一种半导体激光器***。
实用新型内容
因此,本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中半导体激光器***无法同时兼顾体积小、质量轻、耦合效率越高且可实现灵活调节的缺陷,从而提供一种半导体激光器***。
本实用新型提供一种半导体激光器***,包括:若干个第一发光芯片,若干个第一发光芯片在快轴方向上错位设置且沿第一方向错位设置,第一方向平行于第一发光芯片的出光面且垂直于快轴方向;若干个第一快轴准直透镜,若干个第一快轴准直透镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第一快轴准直透镜与第一发光芯片一一对应;若干个第一反射镜,若干个第一反射镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第一反射镜与第一快轴准直透镜一一对应;若干个第一慢轴准直透镜,若干个第一慢轴准直透镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第一慢轴准直透镜与第一反射镜间隔设置且一一对应;第一快轴准直透镜位于第一反射镜和第一发光芯片之间的光路中,第一反射镜位于第一慢轴准直透镜和第一快轴准直透镜之间的光路中;聚焦透镜单元,所述聚焦透镜单元适于将从若干个第一慢轴准直透镜发出的光束进行聚焦并注入到耦合光纤中。
可选的,第一快轴准直透镜位于第一发光芯片的出光面;任意的第一发光芯片的出光面至各自对应的第一慢轴准直透镜的距离为所述第一慢轴准直透镜的焦距的0.8倍-1.2倍。
可选的,还包括:若干个第二发光芯片,第二发光芯片的出光面和第一发光芯片的出光面相对设置;若干个第二发光芯片在快轴方向上错位设置且沿第一方向错位设置,第一方向平行于第二发光芯片的出光面;若干个第二快轴准直透镜;若干个第二快轴准直透镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第二快轴准直透镜与第二发光芯片一一对应;若干个第二反射镜,若干个第二反射镜在快轴方向上错位设置,且沿着第一方向错位设置,第二反射镜与第二快轴准直透镜一一对应;若干个第二慢轴准直透镜,若干个第二慢轴准直透镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第二慢轴准直透镜与第二反射镜间隔设置且一一对应;第二快轴准直透镜位于第二反射镜和第二发光芯片之间的光路中,第二反射镜位于第二慢轴准直透镜和第二快轴准直透镜之间的光路中;所述聚焦透镜单元还适于将从若干个第二慢轴准直透镜发出的光束进行聚焦并注入到耦合光纤中。
可选的,第二快轴准直透镜位于第二发光芯片的出光面;任意的第二发光芯片的出光面至各自对应的第二慢轴准直透镜的距离为所述第二慢轴准直透镜的焦距的0.8倍-1.2倍。
可选的,还包括:合束单元,所述合束单元适于将从若干个第一慢轴准直透镜发出的光束以及从若干个第二慢轴准直透镜发出的光束进行合束并传输至所述聚焦透镜单元;反射单元,所述反射单元适于将从若干个第一慢轴准直透镜发出的光束反射至所述合束单元,或者,所述反射单元适于将从若干个第二慢轴准直透镜发出的光束反射至所述合束单元。
可选的,所述合束单元包括偏振分光器或者双色镜。
可选的,所述合束单元为偏振分光器时,所述半导体激光器***还包括:半波片,所述半波片位于若干个第一慢轴准直透镜至所述合束单元之间的光路中,或者,所述半波片位于若干个第二慢轴准直透镜至所述合束单元之间的光路中。
可选的,还包括:位于所述聚焦透镜单元和若干个第一慢轴准直透镜之间的抗反射透镜;所述抗反射透镜的主光轴与所述聚焦透镜单元的主光轴之间的夹角的范围为0°-45°。
可选的,所述聚焦透镜单元包括一个聚焦透镜或者多个聚焦透镜;所述聚焦透镜单元的焦点与所述耦合光纤的耦合端重合。
可选的,还包括:底座,所述底座包括第一区和第二区,所述第一区沿第一方向设有若干个第一台阶,所述第二区沿第一方向设有若干个第二台阶,第一发光芯片和第一快轴准直透镜位于第一台阶上,第一反射镜和第一慢轴准直透镜位于第二台阶上。
本实用新型技术方案,具有如下优点:
本实用新型提供的半导体激光器***,若干个第一发光芯片在快轴方向上错位设置且沿第一方向错位设置,第一方向平行于第一发光芯片的出光面且垂直于快轴方向;若干个第一快轴准直透镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第一快轴准直透镜与第一发光芯片一一对应;若干个第一反射镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第一反射镜与第一快轴准直透镜一一对应;若干个第一慢轴准直透镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第一慢轴准直透镜与第一反射镜间隔设置且一一对应;第一快轴准直透镜位于第一反射镜和第一发光芯片之间的光路中,第一反射镜位于第一慢轴准直透镜和第一快轴准直透镜之间的光路中;所述聚焦透镜单元适于将从若干个第一慢轴准直透镜发出的光束进行聚焦并注入到耦合光纤中,由于若干个第一慢轴准直透镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第一慢轴准直透镜与第一反射镜间隔设置且一一对应,第一反射镜位于第一慢轴准直透镜和第一快轴准直透镜之间的光路中,因此第一反射镜可以紧靠近第一快轴准直透镜设置以缩短半导体激光器***的宽度,第一慢轴准直透镜位于第一反射镜和聚焦透镜单元之间的光路中,这样可以将第一反射镜与聚焦透镜单元之间的空间加以利用,因此可以减小半导体激光器***的体积,进而还可以减小半导体激光器***的质量,此外由于半导体激光器***的光束放大倍率为聚焦透镜单元的焦距与第一慢轴准直透镜的焦距的比值,第一慢轴准直透镜的焦距越大,半导体激光器***的光束放大倍率就越小,这样使得半导体激光器***的光束注入到耦合光纤中的耦合效率越高,因此,若要提高半导体激光器***的光束注入到耦合光纤中的耦合效率,在增大第一慢轴准直透镜的焦距时仅需在快轴方向上增大第一慢轴准直透镜与第一反射镜之间的距离,可以避免增加半导体激光器***的体积和质量。综上所述半导体激光器***可同时兼顾体积小、质量轻、耦合效率越高且可实现灵活调节。
进一步的,所述半导体激光器***还包括:若干个第二发光芯片,第二发光芯片的出光面和第一发光芯片的出光面相对设置;若干个第二发光芯片在快轴方向上错位设置且沿第一方向错位设置,第一方向平行于第二发光芯片的出光面;若干个第二快轴准直透镜;若干个第二快轴准直透镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第二快轴准直透镜与第二发光芯片一一对应;若干个第二反射镜,若干个第二反射镜在快轴方向上错位设置,且沿着第一方向错位设置,第二反射镜与第二快轴准直透镜一一对应;若干个第二慢轴准直透镜,若干个第二慢轴准直透镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第二慢轴准直透镜与第二反射镜间隔设置且一一对应;第二快轴准直透镜位于第二反射镜和第二发光芯片之间的光路中,第二反射镜位于第二慢轴准直透镜和第二快轴准直透镜之间的光路中;所述聚焦透镜单元还适于将从若干个第二慢轴准直透镜发出的光束进行聚焦并注入到耦合光纤中,注入到耦合光纤中的光束包括若干个第一发光芯片发出的光束和若干个第二发光芯片发出的光束,因此,所述半导体激光器***可以获得更高的输出功率和更高的输出功率密度。
进一步的,所述半导体激光器***还包括:位于所述聚焦透镜单元和若干个第一慢轴准直透镜之间的抗反射透镜;所述抗反射透镜的主光轴与所述聚焦透镜单元的主光轴之间的夹角的范围为0°-45°。所述抗反射透镜可以避免从若干个第一发光芯片发出的光束沿原光路返回至第一发光芯片而烧坏第一发光芯片,同时也有利于提高所述半导体激光器***输出光束的质量,提高半导体激光器***的功率。
进一步的,所述聚焦透镜单元包括一个聚焦透镜或者多个聚焦透镜;所述聚焦透镜单元的焦点与所述耦合光纤的耦合端重合,所述聚焦透镜单元可以提高输出光束的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型一实施例提供的半导体激光器***的结构示意图;
图2为本实用新型一实施例提供的半导体激光器***的俯视图;
图3为本实用新型一实施例提供的半导体激光器***中其中一个第一发光芯片的光路图;
图4为本实用新型一实施例提供的半导体激光器***中相邻的第一发光芯片的光路图;
图5为本实用新型另一实施例提供的半导体激光器***的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
此外,下面所描述的本实用新型不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
实施例1
本实施例提供一种半导体激光器***,结合参考图1、图2、图3和图4,包括:
若干个第一发光芯片10,若干个第一发光芯片10在快轴方向上错位设置且沿第一方向错位设置,第一方向平行于第一发光芯片10的出光面且垂直于快轴方向;
若干个第一快轴准直透镜11,若干个第一快轴准直透镜11在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第一快轴准直透镜11与第一发光芯片10一一对应;
若干个第一反射镜12,若干个第一反射镜12在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第一反射镜12与第一快轴准直透镜11一一对应;
若干个第一慢轴准直透镜13,若干个第一慢轴准直透镜13在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第一慢轴准直透镜13与第一反射镜12间隔设置且一一对应;
第一快轴准直透镜11位于第一反射镜12和第一发光芯片10之间的光路中,第一反射镜12位于第一慢轴准直透镜13和第一快轴准直透镜11之间的光路中;
聚焦透镜单元2,所述聚焦透镜单元2适于将从若干个第一慢轴准直透镜13发出的光束进行聚焦并注入到耦合光纤3中。
本实施例提供的半导体激光器***,由于若干个第一慢轴准直透镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第一慢轴准直透镜与第一反射镜间隔设置且一一对应,第一反射镜位于第一慢轴准直透镜和第一快轴准直透镜之间的光路中,因此第一反射镜可以紧靠近第一快轴准直透镜设置以缩短半导体激光器***的宽度,第一慢轴准直透镜位于第一反射镜和聚焦透镜单元之间的光路中,这样可以将第一反射镜与聚焦透镜单元之间的空间加以利用,因此可以减小半导体激光器***的体积,进而还可以减小半导体激光器***的质量,此外由于半导体激光器***的光束放大倍率为聚焦透镜单元的焦距与第一慢轴准直透镜的焦距的比值,第一慢轴准直透镜的焦距越大,半导体激光器***的光束放大倍率就越小,这样使得半导体激光器***的光束注入到耦合光纤中的耦合效率越高,因此,若要提高半导体激光器***的光束注入到耦合光纤中的耦合效率,在增大第一慢轴准直透镜的焦距时仅需在快轴方向上增大第一慢轴准直透镜与第一反射镜之间的距离,可以避免增加半导体激光器***的体积和质量。综上所述半导体激光器***可兼顾体积小、质量轻、耦合效率越高且可实现灵活调节。
在一个实施例中,若干个第一发光芯片的发光波长相同,在其他实施例中,若干个第一发光芯片的发光波长还可以不同。
在一个实施例中,第一快轴准直透镜11位于第一发光芯片10的出光面;任意的第一发光芯片10的出光面至各自对应的第一慢轴准直透镜13的距离为所述第一慢轴准直透镜13的焦距的0.8倍-1.2倍,例如1倍。
在一个实施例中,所述半导体激光器***还包括:位于所述聚焦透镜单元和若干个第一慢轴准直透镜之间的抗反射透镜(未图示);所述抗反射透镜的主光轴与所述聚焦透镜单元的主光轴之间的夹角的范围为0°-45°。所述抗反射透镜可以避免从若干个第一发光芯片发出的光束沿原光路返回至第一发光芯片而烧坏第一发光芯片,同时也有利于提高所述半导体激光器***输出光束的质量,提高半导体激光器***的功率。
在一个实施例中,所述聚焦透镜单元包括一个聚焦透镜或者多个聚焦透镜;所述聚焦透镜单元的焦点与所述耦合光纤的耦合端重合,所述聚焦透镜单元可以提高输出光束的质量。
在一个实施例中,所述半导体激光器***还包括:底座,所述底座包括第一区和第二区,所述第一区沿第一方向设有若干个第一台阶,所述第二区沿第一方向设有若干个第二台阶,第一发光芯片和第一快轴准直透镜位于第一台阶上,第一反射镜和第一慢轴准直透镜位于第二台阶上。所述第一慢轴准直透镜的高度不大于第二台阶的高度,任意的第一慢轴准直透镜不遮挡相邻第一反射镜反射的光束。任意的第一台阶的高度大于经过第一快轴准直透镜的光束在快轴方向的宽度;若干第一发光芯片发出的光束在快轴方向紧密排列。
在同一光路中的第一反射镜、第一快轴准直透镜以及第一慢轴准直透镜不遮挡经过相邻光路中的第一反射镜、第一快轴准直透镜以及第一慢轴准直透镜的光束,且在同一光路中的第一发光芯片发出的光束的95%-100%经过第一反射镜、第一快轴准直透镜以及第一慢轴准直透镜。第一快轴准直透镜的厚度等于第一台阶高度,或者第一快轴准直透镜的厚度小于第一台阶高度,第一快轴准直透镜的宽度大于第一发光芯片发出的光束的宽度。
在一个具体的实施例中,第一发光芯片发出的光束在快轴方向的95%能量的发散角为60°,第一快轴准直透镜的焦距为300微米,第一台阶的高度为0.35mm-0.40mm。
实施例2
本实施例提供的半导体激光器***与实施例1提供的半导体激光器***的区别在于,参考图5,半导体激光器***还包括:若干个第二发光芯片20,第二发光芯片20的出光面和第一发光芯片10的出光面相对设置;若干个第二发光芯片20在快轴方向上错位设置且沿第一方向错位设置,第一方向平行于第二发光芯片20的出光面;若干个第二快轴准直透镜;若干个第二快轴准直透镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第二快轴准直透镜与第二发光芯片20一一对应;若干个第二反射镜22,若干个第二反射镜22在快轴方向上错位设置,且沿着第一方向错位设置,第二反射镜22与第二快轴准直透镜一一对应;若干个第二慢轴准直透镜23,若干个第二慢轴准直透镜23在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第二慢轴准直透镜23与第二反射镜22间隔设置且一一对应;第二快轴准直透镜位于第二反射镜22和第二发光芯片20之间的光路中,第二反射镜22位于第二慢轴准直透镜23和第二快轴准直透镜之间的光路中;所述聚焦透镜单元2还适于将从若干个第二慢轴准直透镜23发出的光束进行聚焦并注入到耦合光纤中。注入到耦合光纤中的光束包括若干个第一发光芯片发出的光束和若干个第二发光芯片发出的光束,因此,所述半导体激光器***可以获得更高的输出功率和更高的输出功率密度。
在一个实施例中,第二快轴准直透镜位于第二发光芯片的出光面;任意的第二发光芯片的出光面至各自对应的第二慢轴准直透镜的距离为所述第二慢轴准直透镜的焦距的0.8倍-1.2倍,例如1倍。
在一个实施例中,参考图5,半导体激光器***还包括:合束单元4,所述合束单元4适于将从若干个第一慢轴准直透镜发出的光束以及从若干个第二慢轴准直透镜发出的光束进行合束并传输至所述聚焦透镜单元;反射单元5,所述反射单元5适于将从若干个第一慢轴准直透镜发出的光束反射至所述合束单元,或者,所述反射单元适于将从若干个第二慢轴准直透镜发出的光束反射至所述合束单元。
在一个实施例中,所述合束单元4包括偏振分光器或者双色镜。
在一个实施例中,所述合束单元为偏振分光器时,所述半导体激光器***还包括:半波片,所述半波片位于若干个第一慢轴准直透镜至所述合束单元之间的光路中,或者,所述半波片位于若干个第二慢轴准直透镜至所述合束单元之间的光路中。所述合束单元为偏振分光器时,第一发光芯片发出的光束的波长与第二发光芯片发出的光束的波长相同,半波片位于若干个第一慢轴准直透镜至所述合束单元之间的光路中时,半波片可将第一发光芯片发出的光束的偏振方向旋转90°,半波片位于若干个第二慢轴准直透镜至所述合束单元之间的光路中时,半波片可将第二发光芯片发出的光束的偏振方向旋转90°。
在一个实施例中,所述合束单元为双色镜时,第一发光芯片发出的光束的波长与第二发光芯片发出的光束的波长不同,双色镜可以对第一发光芯片发出的光束进行反射,对第二发光芯片发出的光束进行透射,或者双色镜可以对第一发光芯片发出的光束进行透射,对第二发光芯片发出的光束进行反射。
在一个实施例中,继续参考图5,抗反射透镜41位于所述合束单元4与所述聚焦透镜单元2之间。所述抗反射透镜41可以避免从所述合束单元发出的光束沿原光路返回至第一发光芯片或者第二发光芯片而烧坏第一发光芯片和第二发光芯片,同时也有利于提高所述半导体激光器***输出光束的质量,提高半导体激光器***的功率。
在一个实施例中,所述抗反射透镜41的法线与从所述合束单元发出的光束之间的夹角的范围为0°-45°,例如30°。
在一个实施例中,所述底座还包括第三区和第四区,所述第三区沿第一方向设有若干个第三台阶,所述第四区沿第一方向设有若干个第四台阶,第二发光芯片和第二快轴准直透镜位于第三台阶上,第二反射镜和第二慢轴准直透镜位于第四台阶上。
在同一光路中的第二反射镜、第二快轴准直透镜以及第二慢轴准直透镜不遮挡经过相邻光路中的第二反射镜、第二快轴准直透镜以及第二慢轴准直透镜的光束,且在同一光路中的第二发光芯片发出的光束的95%-100%经过第二反射镜、第二快轴准直透镜以及第二慢轴准直透镜。第二快轴准直透镜的厚度等于第三台阶高度,或者第二快轴准直透镜的厚度小于第三台阶高度,第二快轴准直透镜的宽度大于第二发光芯片发出的光束的宽度。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种半导体激光器***,其特征在于,包括:
若干个第一发光芯片,若干个第一发光芯片在快轴方向上错位设置且沿第一方向错位设置,第一方向平行于第一发光芯片的出光面且垂直于快轴方向;
若干个第一快轴准直透镜,若干个第一快轴准直透镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第一快轴准直透镜与第一发光芯片一一对应;
若干个第一反射镜,若干个第一反射镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第一反射镜与第一快轴准直透镜一一对应;
若干个第一慢轴准直透镜,若干个第一慢轴准直透镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第一慢轴准直透镜与第一反射镜间隔设置且一一对应;
第一快轴准直透镜位于第一反射镜和第一发光芯片之间的光路中,第一反射镜位于第一慢轴准直透镜和第一快轴准直透镜之间的光路中;
聚焦透镜单元,所述聚焦透镜单元适于将从若干个第一慢轴准直透镜发出的光束进行聚焦并注入到耦合光纤中。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器***,其特征在于,第一快轴准直透镜位于第一发光芯片的出光面;
任意的第一发光芯片的出光面至各自对应的第一慢轴准直透镜的距离为所述第一慢轴准直透镜的焦距的0.8倍-1.2倍。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器***,其特征在于,还包括:若干个第二发光芯片,第二发光芯片的出光面和第一发光芯片的出光面相对设置;若干个第二发光芯片在快轴方向上错位设置且沿第一方向错位设置,第一方向平行于第二发光芯片的出光面;
若干个第二快轴准直透镜;若干个第二快轴准直透镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第二快轴准直透镜与第二发光芯片一一对应;
若干个第二反射镜,若干个第二反射镜在快轴方向上错位设置,且沿着第一方向错位设置,第二反射镜与第二快轴准直透镜一一对应;
若干个第二慢轴准直透镜,若干个第二慢轴准直透镜在快轴方向上错位设置且沿着第一方向错位设置,第二慢轴准直透镜与第二反射镜间隔设置且一一对应;
第二快轴准直透镜位于第二反射镜和第二发光芯片之间的光路中,第二反射镜位于第二慢轴准直透镜和第二快轴准直透镜之间的光路中;
所述聚焦透镜单元还适于将从若干个第二慢轴准直透镜发出的光束进行聚焦并注入到耦合光纤中。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器***,其特征在于,第二快轴准直透镜位于第二发光芯片的出光面;
任意的第二发光芯片的出光面至各自对应的第二慢轴准直透镜的距离为所述第二慢轴准直透镜的焦距的0.8倍-1.2倍。
5.根据权利要求3所述的半导体激光器***,其特征在于,还包括:合束单元,所述合束单元适于将从若干个第一慢轴准直透镜发出的光束以及从若干个第二慢轴准直透镜发出的光束进行合束并传输至所述聚焦透镜单元;
反射单元,所述反射单元适于将从若干个第一慢轴准直透镜发出的光束反射至所述合束单元,或者,所述反射单元适于将从若干个第二慢轴准直透镜发出的光束反射至所述合束单元。
6.根据权利要求5所述的半导体激光器***,其特征在于,所述合束单元包括偏振分光器或者双色镜。
7.根据权利要求6所述的半导体激光器***,其特征在于,所述合束单元为偏振分光器时,所述半导体激光器***还包括:半波片,所述半波片位于若干个第一慢轴准直透镜至所述合束单元之间的光路中,或者,所述半波片位于若干个第二慢轴准直透镜至所述合束单元之间的光路中。
8.根据权利要求1所述的半导体激光器***,其特征在于,还包括:位于所述聚焦透镜单元和若干个第一慢轴准直透镜之间的抗反射透镜;
所述抗反射透镜的主光轴与所述聚焦透镜单元的主光轴之间的夹角的范围为0°-45°。
9.根据权利要求1所述的半导体激光器***,其特征在于,所述聚焦透镜单元包括一个聚焦透镜或者多个聚焦透镜;
所述聚焦透镜单元的焦点与所述耦合光纤的耦合端重合。
10.根据权利要求1所述的半导体激光器***,其特征在于,还包括:底座,所述底座包括第一区和第二区,所述第一区沿第一方向设有若干个第一台阶,所述第二区沿第一方向设有若干个第二台阶,第一发光芯片和第一快轴准直透镜位于第一台阶上,第一反射镜和第一慢轴准直透镜位于第二台阶上。
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