CN114243452A - 一种半导体激光器的互锁光路 - Google Patents

一种半导体激光器的互锁光路 Download PDF

Info

Publication number
CN114243452A
CN114243452A CN202210169069.1A CN202210169069A CN114243452A CN 114243452 A CN114243452 A CN 114243452A CN 202210169069 A CN202210169069 A CN 202210169069A CN 114243452 A CN114243452 A CN 114243452A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wave
laser
locking
vbg
emitted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN202210169069.1A
Other languages
English (en)
Inventor
周少丰
黄良杰
丁亮
刘鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Xinghan Laser Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Xinghan Laser Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Xinghan Laser Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen Xinghan Laser Technology Co Ltd
Priority to CN202210169069.1A priority Critical patent/CN114243452A/zh
Publication of CN114243452A publication Critical patent/CN114243452A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明涉及一种半导体激光器的互锁光路，其包括：VBG锁波器、第一激光单元、第二激光单元和光路整形单元；第一激光单元射出的第一初始激光经VBG锁波器反射后射出第一引导激光，该第一引导激光射向第二激光单元，使得第二激光单元出射单一波长的第二锁波激光，第二锁波激光射向VBG锁波器，第二锁波激光的一部分透射VBG锁波器，第二锁波激光的另一部分经VBG锁波器转向后射向第一激光单元，使得第一激光单元射出单一波长的第一锁波激光，第一锁波激光与第二锁波激光波长相同，第一锁波激光的一部分透射VBG锁波器，第一锁波激光的另一部分经VBG锁波器转向后射向第二激光单元，这样可以实现两个激光单元只需要一VBG锁波器就可以完成互相锁波。

Description

一种半导体激光器的互锁光路
技术领域
本发明涉及激光器领域，尤其涉及一种半导体激光器的互锁光路。
背景技术
激光器是一种能发射激光的装置，其常见的半导体激光器由于具有效率高、寿命长等优势在工业加工、军事、医疗、安防等领域中得到广泛地应用，为了提高输出激光的质量，会对半导体激光器内部光路进行锁波处理。
请参见公告号为CN20338897U的专利文件，该专利文件公开了一种采用单光路锁波方式的半导体激光器，每一激光芯片对应设有一体布拉格光栅（VBG），这样会增加生产成本和壳体的体积。
发明内容
本发明的目的是提供一种半导体激光器的互锁光路，通过一VBG锁波器可以实现两激光单元互相锁波，这样减少了VBG锁波器的使用数量，节省生产成本。
为了达到上述目的，本发明所采用的的技术方案为：
一种半导体激光器的互锁光路，包括：VBG锁波器、第一激光单元、第二激光单元和光路整形单元；
所述第一激光单元射出的第一初始激光射向所述VBG锁波器，所述第一初始激光经所述VBG锁波器反射后射出一固定波长的第一引导激光，所述第一引导激光射向所述第二激光单元，使得所述第二激光单元射出单一波长的第二锁波激光，所述第二锁波激光与所述第一引导激光波长相同；
所述第二锁波激光射向所述VBG锁波器，所述第二锁波激光的一部分透射所述VBG锁波器，所述第二锁波激光的另一部分经所述VBG锁波器转向后射向所述第一激光单元，使得所述第一激光单元射出单一波长的第一锁波激光，所述第一锁波激光与所述第二锁波激光波长相同；
所述第一锁波激光的一部分透射所述VBG锁波器，所述第一锁波激光的另一部分经所述VBG锁波器转向后射向所述第二激光单元；
透过所述VBG锁波器的一部分所述第一锁波激光与所述第二锁波激光分别射向所述光路整形单元，经所述光路整形单元聚焦后射入光纤内。
进一步地，所述第一锁波激光与所述第二锁波激光的夹角为θ；所述光路整形单元包括第一反射镜和聚焦部，所述第一反射镜与水平直线的夹角为λ，λ=θ/2；
透过所述VBG锁波器的所述第一锁波激光垂直射向所述聚焦部；透过所述VBG锁波器的所述第二锁波激光射向所述第一反射镜，经所述第一反射镜转向后射向所述聚焦部，转向后的所述第二锁波激光与透过所述VBG锁波器的所述第一锁波激光相平行；所述第一锁波激光与所述第二锁波激光经所述聚焦部聚焦后进入所述光纤内。
进一步地，所述光路整形单元包括第一反射镜、偏振合束部和聚焦部，所述第一锁波激光透过所述VBG锁波器后射向所述偏振合束部；透过所述VBG锁波器的所述第一锁波激光射向所述偏振合束部；透过所述VBG锁波器的所述第二锁波激光射向所述第一反射镜，经所述第一反射镜转向后的所述第二锁波激光射向所述偏振合束部，射向所述偏振合束部的所述第二锁波激光与射向所述偏振合束部的所述第一锁波激光相垂直；所述偏振合束部输出合束锁波激光，所述合束锁波激光射向所述聚焦部，经所述聚焦部聚焦后进入所述光纤内。
进一步地，射向所述VBG锁波器的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光的夹角为锐角α；所述第一反射镜与水平直线的夹角为λ，λ=（90°-α）/2；所述偏振合束部包括偏振合束器，透过所述VBG锁波器的所述第一锁波激光射向所述偏振合束器，经所述第一反射镜转向后的所述第二锁波激光射向所述偏振合束器，所述偏振合束器输出合束锁波激光。
进一步地，射向所述VBG锁波器的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光的夹角β为直角或钝角；所述偏振合束部包括偏振合束器和第二反射镜，所述第二反射镜与水平直线的夹角为δ，δ=90°-β/2，透过所述VBG锁波器的所述第一锁波激光射向所述第二反射镜，经所述第二反射镜转向后射向所述偏振合束器；所述第一反射镜与水平直线的夹角恒为四十五度，透过所述VBG锁波器的所述第二锁波激光射向所述第一反射镜的入射角恒定为四十五度，经所述第一反射镜转向后的所述第二锁波激光射向所述偏振合束器，所述偏振合束器输出合束锁波激光。
进一步地，所述聚焦部包括快轴聚焦透镜和慢轴聚焦透镜，射向所述聚焦部的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光依次经所述快轴聚焦透镜和慢轴聚焦透镜聚焦后射入光纤内。
进一步地，所述聚焦部包括快轴聚焦透镜和离轴抛面镜；射向所述聚焦部的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光分别与所述离轴抛面镜的对称轴平行，所述第一锁波激光与所述第二锁波激光经所述离轴抛面镜反射后射向所述快轴聚焦透镜，经所述快轴聚焦透镜在快轴方向聚焦后进入所述光纤内。
进一步地，所述聚焦部包括和离轴双曲面反射镜；射向所述聚焦部的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光分别与离轴双曲面反射镜的对称轴平行，所述第一锁波激光与所述第二锁波激光经所述离轴双曲面反射镜在快轴和慢轴方向聚焦后射入光纤内。
本发明的有益效果在于：第一激光单元射出的第一初始激光经VBG锁波器反射后射出第一引导激光，该第一引导激光射向第二激光单元，使得第二激光单元出射单一波长的第二锁波激光，第二锁波激光射向VBG锁波器，第二锁波激光的一部分透射VBG锁波器，第二锁波激光的另一部分经VBG锁波器转向后射向第一激光单元，使得第一激光单元射出单一波长的第一锁波激光，第一锁波激光与第二锁波激光波长相同，第一锁波激光的一部分透射VBG锁波器，第一锁波激光的另一部分经VBG锁波器转向后射向第二激光单元，透过VBG锁波器的第一锁波激光与第二锁波激光分别射向光路整形单元，经光路整形单元聚焦后射入光纤内，这样可以实现两个激光单元只需要一VBG锁波器就可以完成互相锁波，这样减少了VBG锁波器的使用数量，节省生产成本。
附图说明
图1是本发明实施例一的互锁光路示意图。
图2是本发明实施例二的互锁光路示意图。
图3是本发明实施例三的互锁光路示意图。
图中，
A、合束锁波激光；
100、VBG锁波器；
200、第一激光单元；210、第一激光芯片；211、第一初始激光；212、第一引导激光；213、第一锁波激光；220、第一准直透镜；
300、第二激光单元；310、第二激光芯片；311、第二锁波激光；320、第二准直透镜；
400、光路整形单元；410、第一反射镜；420、快轴聚焦透镜；430、慢轴聚焦透镜；440、偏振合束器；441、第一入光面；442、第二入光面；443、半波片；444、合束面；445、出光面；450、第二反射镜；
500、光纤。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明一种半导体激光器的互锁光路进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
为了方便对本发明技术内容的理解，本发明中“水平直线”指的是平行于光纤延伸方向的直线。
实施例一
请参见图1，一种半导体激光器的互锁光路，主要包括一VBG锁波器100、第一激光单元200、第二激光单元300和光路整形单元400，两个激光单元只需要一VBG锁波器100就可以完成互相锁波，这样减少了VBG锁波器的使用数量，节省生产成本。
具体地，第一激光单元200包括第一激光芯片210和第一准直透镜220，第一激光芯片210射出第一初始激光211，该第一初始激光211通过第一准直透镜220准直后射向VBG锁波器100，由于VBG锁波器100的光学特性可以反射特定波长的光的一部分，所以射向VBG锁波器100的第一初始激光211经VBG锁波器100反射后射出一固定波长的第一引导激光212，该第一引导激光212射向第二激光单元300。
第二激光单元300包括第二激光芯片310和第二准直透镜320，第一激光芯片210与第二激光芯片310型号相同，第一引导激光212通过第二准直透镜320聚焦射向第二激光芯片310的发光面，诱导第二激光芯片310射出单一波长的第二锁波激光311，第二锁波激光311与第一引导激光212的波长相等，第二锁波激光311射向VBG锁波器100，其中一部分第二锁波激光311透射VBG锁波器100后射向光路整形单元400，另一部分第二锁波激光311经VBG锁波器100转向射向第一激光单元200。
经VBG锁波器100转向的部分第二锁波激光311通过第一准直透镜220聚焦后射向第一激光芯片210的发光面，诱导第一激光芯片210射出单一波长的第一锁波激光213，第一锁波激光213与第二锁波激光311的波长相同，第一锁波激光213射向VBG锁波器100，其中，一部分第一锁波激光213透射VBG锁波器100后射向光路整形单元400，另一部分第一锁波激光213经VBG锁波器100转向射向第二激光单元200。
光路整形单元400包括第一反射镜410、快轴聚焦透镜420和慢轴聚焦透镜430，透过VBG锁波器100的第一锁波激光213依次射向快轴聚焦透镜420和慢轴聚焦透镜430；透过VBG锁波器100的第二锁波激光311射向第一反射镜410，经过第一反射镜410反射后的第二锁波激光311与透过VBG锁波器100后的第一锁波激光213相平行，转向后的第二锁波激光311依次射向快轴聚焦透镜420和慢轴聚焦透镜430，第一锁波激光213和第二锁波激光311实现在快轴和慢轴方向聚焦后射入光纤500内，然后光纤500输出波长固定的锁波激光束。
需要提到的是，第一锁波激光213与第二锁波激光311的夹角θ发生改变，只需要对应调整第一反射镜410与水平直线的夹角λ即可实现经过第一反射镜410反射后的第二锁波激光311与透过VBG锁波器100后的第一锁波激光213相平行，例如：当第一锁波激光213与第二锁波激光311的夹角θ为锐角六十度时，第一反射镜410与水平直线的夹角λ为三十度；当第一锁波激光213与第二锁波激光311的夹角θ为直角九十度时，第一反射镜410与水平直线λ的夹角为四十五度；当第一锁波激光213与第二锁波激光311的夹角θ为钝角一百二十度时，第一反射镜410与水平直线的夹角λ为六十度，通过计算可知，第一反射镜410与水平直线的夹角λ=θ/2。
需要提到是，第一激光单元200与第二激光单元300发射激光的先后顺序可以替换，上述仅是以第一激光单元200先发射激光的情况，应当知晓第二激光单元300也可先发射激光。
实施例二
请参见图2，相比实施例一，区别在于第一锁波激光213与第二锁波激光311的夹角为锐角，光路整形单元400还包括透射P偏振光和反射S偏振光的偏振合束器440。
具体地，该偏振合束器440包括第一入光面441、第二入光面442、半波片443、合束面444和出光面445；第一入光面441与第二入光面442相互 垂直，第一入光面441和出光面445相互平行，半波片443贴设在第二入光面442处，透过VBG锁波器100的第一锁波激光213垂直射向第一入光面441，因第一锁波激光213为P偏振光，所以直接透过合束面444从出光面445射出；经第一反射镜410转向后的第二锁波激光311与透过VBG锁波器100后的第一锁波激光213相垂直，经第一反射镜410转向后的第二锁波激光311射向半波片443，透过半波片443的第二锁波激光311变为S偏振光，之后S偏振的第二锁波激光311被合束面444转向九十度从出光面445射出，射向合束面444的P偏振第一锁波激光213与S偏振第二锁波激光311在合束面444上相交，实现偏振合束，从出光面445处射出合束锁波激光A，合束锁波激光A依次射向快轴聚焦透镜420和慢轴聚焦透镜430，在快轴和慢轴方向聚焦后射入光纤500内。
需要提到的是，第一锁波激光213与第二锁波激光311的夹角α发生改变，只需要对应调整第一反射镜410与水平直线的夹角λ即可实现经过第一反射镜410反射后的第二锁波激光311与透过VBG锁波器100后的第一锁波激光213相垂直，例如:当第一锁波激光213与第二锁波激光311的夹角α为锐角六十度时，第一反射镜410与水平直线的夹角λ为十五度；当第一锁波激光213与第二锁波激光311的夹角α为锐角四十度时，第一反射镜410与水平直线的夹角λ为二十五度，通过计算可知，当夹角α为锐角时，第一反射镜410与水平直线的夹角λ=（90°-α）/2。
实施例三
请参见图3，相比实施例二，区别在于第一锁波激光213与第二锁波激光311的夹角为直角或钝角，光路整形单元400还包括第二反射镜450。
具体地，透过VBG锁波器100的第一锁波激光213射向第二反射镜450，第一锁波激光213通过第二反射镜450转向后垂直射向半波片443，透过半波片443的第一锁波激光213变为S偏振光，之后S偏振的第一锁波激光213透过第一入光面441射向合束面444，之后S偏振的第一锁波激光213被合束面444转向九十度从出光面445射出；透过VBG锁波器100的第二锁波激光311射向第一反射镜410，第一反射镜410与水平直线的夹角恒定为四十五度，透过VBG锁波器100的第二锁波激光311射向第一反射镜410的入射角恒定为四十五度，第二锁波激光311通过第一反射镜410转向后垂直射向第二入光面442，然后直接透过合束面444从出光面445射出；射向合束面444的S偏振第一锁波激光213与P偏振第二锁波激光311在合束面444上相交，实现偏振合束，从出光面445处射出合束锁波激光A，合束锁波激光A依次射向快轴聚焦透镜420和慢轴聚焦透镜430，在快轴和慢轴方向聚焦后射入光纤500内。
需要提到的是，第一锁波激光213与第二锁波激光311的夹角β发生改变，只需要对应调整第二反射镜450在水平直线上的夹角即可实现经过第一反射镜410反射后的第二锁波激光311与经过第二反射镜450反射后的第一锁波激光213相垂直，例如：当第一锁波激光213与第二锁波激光311的夹角β为直角九十度时，第二反射镜450与水平直线的夹角δ为四十五度；当第一锁波激光213与第二锁波激光311的夹角β为钝角一百二十度时，第二反射镜450与水平直线的夹角δ为三十度，通过计算可知，当夹角β为直角或钝角时，第二反射镜450与水平直线的夹角δ=90°-β/2。
在实施例一至实施例三中，对第一锁波激光213与第二锁波激光311的聚焦耦合方式还有其他选择，例如：
（1）通过离轴抛面镜和快轴聚焦透镜420来实现在快轴和慢轴方向的聚焦，射向离轴抛面镜的第一锁波激光213与第二锁波激光311与离轴抛面镜的对称轴平行，在光学原理中，若反射镜面的形状是抛物曲线，平行于对称轴入射的光线经该反射镜面反射后，其光路必会聚于焦点，基于离轴抛面镜的光学特性，从而使得第一锁波激光213与第二锁波激光311在慢轴方向上聚焦，然后在慢轴方向上聚焦的第一锁波激光213与第二锁波激光311射向快轴聚焦透镜420，经快轴聚焦透镜420在快轴方向上聚焦后，第一锁波激光213与第二锁波激光311耦合进光纤500内。
（2）通过离轴双曲面反射镜来实现在快轴和慢轴方向的聚焦，离轴双曲面反射镜与离轴抛面镜存在同样的光学特性，但是离轴双曲面反射镜在快轴和慢轴两个坐标方向上都是呈抛物曲线，所以可以直接对第一锁波激光213与第二锁波激光311实现在快轴和慢轴方向的聚焦，然后耦合进光纤500内。
在实施例一至实施例三中，通过一VBG锁波器可以实现两激光单元互相锁波，这样减少了VBG锁波器的使用数量，节省生产成本，可以根据实际需要进行选择使用。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (8)

1.一种半导体激光器的互锁光路，其特征在于，包括：VBG锁波器、第一激光单元、第二激光单元和光路整形单元；
所述第一激光单元射出的第一初始激光射向所述VBG锁波器，所述第一初始激光经所述VBG锁波器反射后射出一固定波长的第一引导激光，所述第一引导激光射向所述第二激光单元，使得所述第二激光单元射出单一波长的第二锁波激光，所述第二锁波激光与所述第一引导激光波长相同；
所述第二锁波激光射向所述VBG锁波器，所述第二锁波激光的一部分透射所述VBG锁波器，所述第二锁波激光的另一部分经所述VBG锁波器转向后射向所述第一激光单元，使得所述第一激光单元射出单一波长的第一锁波激光，所述第一锁波激光与所述第二锁波激光波长相同；
所述第一锁波激光的一部分透射所述VBG锁波器，所述第一锁波激光的另一部分经所述VBG锁波器转向后射向所述第二激光单元；
透过所述VBG锁波器的一部分所述第一锁波激光与所述第二锁波激光分别射向所述光路整形单元，经所述光路整形单元聚焦后射入光纤内。
2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器的互锁光路，其特征在于，
所述第一锁波激光与所述第二锁波激光的夹角为θ；
所述光路整形单元包括第一反射镜和聚焦部，所述第一反射镜与水平直线的夹角为λ，λ=θ/2；
透过所述VBG锁波器的所述第一锁波激光垂直射向所述聚焦部；
透过所述VBG锁波器的所述第二锁波激光射向所述第一反射镜，经所述第一反射镜转向后射向所述聚焦部，转向后的所述第二锁波激光与透过所述VBG锁波器的所述第一锁波激光相平行；
所述第一锁波激光与所述第二锁波激光经所述聚焦部聚焦后进入所述光纤内。
3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器的互锁光路，其特征在于，所述光路整形单元包括第一反射镜、偏振合束部和聚焦部，
透过所述VBG锁波器的所述第一锁波激光射向所述偏振合束部；
透过所述VBG锁波器的所述第二锁波激光射向所述第一反射镜，经所述第一反射镜转向后的所述第二锁波激光射向所述偏振合束部，射向所述偏振合束部的所述第二锁波激光与射向所述偏振合束部的所述第一锁波激光相垂直；
所述偏振合束部输出合束锁波激光，所述合束锁波激光射向所述聚焦部，经所述聚焦部聚焦后进入所述光纤内。
4.根据权利要求3所述的一种半导体激光器的互锁光路，其特征在于，
射向所述VBG锁波器的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光的夹角为锐角α；
所述第一反射镜与水平直线的夹角为λ，λ=（90°-α）/2；
所述偏振合束部包括偏振合束器，透过所述VBG锁波器的所述第一锁波激光射向所述偏振合束器，经所述第一反射镜转向后的所述第二锁波激光射向所述偏振合束器，所述偏振合束器输出合束锁波激光。
5.根据权利要求3所述的一种半导体激光器的互锁光路，其特征在于，
射向所述VBG锁波器的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光的夹角β为直角或钝角；
所述偏振合束部包括偏振合束器和第二反射镜，所述第二反射镜与水平直线的夹角为δ，δ=90°-β/2，透过所述VBG锁波器的所述第一锁波激光射向所述第二反射镜，经所述第二反射镜转向后射向所述偏振合束器；
所述第一反射镜与水平直线的夹角恒为四十五度，透过所述VBG锁波器的所述第二锁波激光射向所述第一反射镜的入射角恒定为四十五度，经所述第一反射镜转向后的所述第二锁波激光射向所述偏振合束器，所述偏振合束器输出合束锁波激光。
6.根据权利要求2-5任一项所述的一种半导体激光器的互锁光路，其特征在于，所述聚焦部包括快轴聚焦透镜和慢轴聚焦透镜，射向所述聚焦部的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光依次经所述快轴聚焦透镜和慢轴聚焦透镜聚焦后射入光纤内。
7.根据权利要求2-5任一项所述的一种半导体激光器的互锁光路，其特征在于，所述聚焦部包括快轴聚焦透镜和离轴抛面镜；
射向所述聚焦部的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光分别与所述离轴抛面镜的对称轴平行，所述第一锁波激光与所述第二锁波激光经所述离轴抛面镜反射后射向所述快轴聚焦透镜，经所述快轴聚焦透镜在快轴方向聚焦后进入所述光纤内。
8.根据权利要求2-5任一项所述的一种半导体激光器的互锁光路，其特征在于，所述聚焦部包括和离轴双曲面反射镜；
射向所述聚焦部的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光分别与离轴双曲面反射镜的对称轴平行，所述第一锁波激光与所述第二锁波激光经所述离轴双曲面反射镜在快轴和慢轴方向聚焦后射入光纤内。
CN202210169069.1A 2022-02-24 2022-02-24 一种半导体激光器的互锁光路 Withdrawn CN114243452A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210169069.1A CN114243452A (zh) 2022-02-24 2022-02-24 一种半导体激光器的互锁光路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210169069.1A CN114243452A (zh) 2022-02-24 2022-02-24 一种半导体激光器的互锁光路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114243452A true CN114243452A (zh) 2022-03-25

Family

ID=80747888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210169069.1A Withdrawn CN114243452A (zh) 2022-02-24 2022-02-24 一种半导体激光器的互锁光路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114243452A (zh)

Citations (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5048027A (en) * 1988-06-16 1991-09-10 Austral Asian Lasers Pty. Ltd. Hybrid laser
US20050207466A1 (en) * 2000-01-04 2005-09-22 Glebov Leonid B Volume bragg lasers based on high efficiency diffractive elements in photo-thermo-refractive glass
CN1805226A (zh) * 2006-01-18 2006-07-19 中国科学院上海光学精密机械研究所 激光相干合束装置
US20070053390A1 (en) * 2002-12-19 2007-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Injection locked diode lasers
CN101159365A (zh) * 2007-09-27 2008-04-09 中国人民解放军空军工程大学 基于重叠体光栅的多路光纤激光相干组束装置及相干组束方法
US20080187019A1 (en) * 2007-02-01 2008-08-07 National Central University Volume Bragg grating laser mirror device
CN101588013A (zh) * 2009-06-24 2009-11-25 电子科技大学 保偏光子晶体光纤组束激光器
CN101694918A (zh) * 2009-09-28 2010-04-14 深圳市大族激光科技股份有限公司 双光束输出的激光器
US20110261456A1 (en) * 2008-10-20 2011-10-27 Volker Raab Polarization coupler
CN102868089A (zh) * 2012-09-26 2013-01-09 长春德信光电技术有限公司 利用单光栅外腔反馈实现多半导体激光合束的装置及方法
CN103078253A (zh) * 2012-12-28 2013-05-01 西安炬光科技有限公司 一种窄光谱高功率半导体激光器耦合装置及方法
CN103199434A (zh) * 2013-03-04 2013-07-10 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种实现半导体激光相干偏振合成的方法
US20160119063A1 (en) * 2014-10-24 2016-04-28 Lumentum Operations Llc Wavelength locking and multiplexing of high-power semiconductor lasers
WO2017026358A1 (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 カナレ電気株式会社 波長ロックされたビーム結合型半導体レーザ光源
CN106532435A (zh) * 2017-01-05 2017-03-22 苏州长光华芯光电技术有限公司 一种半导体激光阵列合束装置
CN106711753A (zh) * 2017-01-05 2017-05-24 苏州长光华芯光电技术有限公司 利用多光栅进行半导体激光外腔反馈光谱合束的装置
US20190067894A1 (en) * 2017-08-24 2019-02-28 United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa Spatially-distributed gain element self-phase-locked, laser apparatus and method
CN110323672A (zh) * 2019-06-27 2019-10-11 苏州长光华芯光电技术有限公司 一种布拉格光栅外腔激光器模块合束装置及合束方法
US20190334309A1 (en) * 2016-11-17 2019-10-31 M Squared Lasers Limited Method and apparatus for repetition rate synchronisation of mode-locked lasers
CN110416875A (zh) * 2019-07-10 2019-11-05 苏州长光华芯光电技术有限公司 一种激光的相干合束装置
CN110459958A (zh) * 2019-09-16 2019-11-15 中国人民解放军国防科技大学 高功率半导体激光阵列波长锁定与线宽压缩装置及方法
CN112038879A (zh) * 2020-08-04 2020-12-04 烽火通信科技股份有限公司 一种交叉锁定的波长可调高速激光器及方法
CN112531462A (zh) * 2020-12-04 2021-03-19 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种布拉格光栅外腔半导体激光器模块合束装置
CN112670831A (zh) * 2020-12-25 2021-04-16 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种波长锁定半导体激光器
CN113629490A (zh) * 2020-05-08 2021-11-09 松下知识产权经营株式会社 激光二极管条及其制造方法、使用其的波长光束耦合***
CN113644544A (zh) * 2021-08-11 2021-11-12 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种波长锁定半导体激光器***

Patent Citations (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5048027A (en) * 1988-06-16 1991-09-10 Austral Asian Lasers Pty. Ltd. Hybrid laser
US20050207466A1 (en) * 2000-01-04 2005-09-22 Glebov Leonid B Volume bragg lasers based on high efficiency diffractive elements in photo-thermo-refractive glass
US20070053390A1 (en) * 2002-12-19 2007-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Injection locked diode lasers
CN1805226A (zh) * 2006-01-18 2006-07-19 中国科学院上海光学精密机械研究所 激光相干合束装置
US20080187019A1 (en) * 2007-02-01 2008-08-07 National Central University Volume Bragg grating laser mirror device
CN101159365A (zh) * 2007-09-27 2008-04-09 中国人民解放军空军工程大学 基于重叠体光栅的多路光纤激光相干组束装置及相干组束方法
US20110261456A1 (en) * 2008-10-20 2011-10-27 Volker Raab Polarization coupler
CN101588013A (zh) * 2009-06-24 2009-11-25 电子科技大学 保偏光子晶体光纤组束激光器
CN101694918A (zh) * 2009-09-28 2010-04-14 深圳市大族激光科技股份有限公司 双光束输出的激光器
CN102868089A (zh) * 2012-09-26 2013-01-09 长春德信光电技术有限公司 利用单光栅外腔反馈实现多半导体激光合束的装置及方法
CN103078253A (zh) * 2012-12-28 2013-05-01 西安炬光科技有限公司 一种窄光谱高功率半导体激光器耦合装置及方法
CN103199434A (zh) * 2013-03-04 2013-07-10 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种实现半导体激光相干偏振合成的方法
US20160119063A1 (en) * 2014-10-24 2016-04-28 Lumentum Operations Llc Wavelength locking and multiplexing of high-power semiconductor lasers
WO2017026358A1 (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 カナレ電気株式会社 波長ロックされたビーム結合型半導体レーザ光源
US20190334309A1 (en) * 2016-11-17 2019-10-31 M Squared Lasers Limited Method and apparatus for repetition rate synchronisation of mode-locked lasers
CN106532435A (zh) * 2017-01-05 2017-03-22 苏州长光华芯光电技术有限公司 一种半导体激光阵列合束装置
CN106711753A (zh) * 2017-01-05 2017-05-24 苏州长光华芯光电技术有限公司 利用多光栅进行半导体激光外腔反馈光谱合束的装置
US20190067894A1 (en) * 2017-08-24 2019-02-28 United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa Spatially-distributed gain element self-phase-locked, laser apparatus and method
CN110323672A (zh) * 2019-06-27 2019-10-11 苏州长光华芯光电技术有限公司 一种布拉格光栅外腔激光器模块合束装置及合束方法
CN110416875A (zh) * 2019-07-10 2019-11-05 苏州长光华芯光电技术有限公司 一种激光的相干合束装置
CN110459958A (zh) * 2019-09-16 2019-11-15 中国人民解放军国防科技大学 高功率半导体激光阵列波长锁定与线宽压缩装置及方法
CN113629490A (zh) * 2020-05-08 2021-11-09 松下知识产权经营株式会社 激光二极管条及其制造方法、使用其的波长光束耦合***
CN112038879A (zh) * 2020-08-04 2020-12-04 烽火通信科技股份有限公司 一种交叉锁定的波长可调高速激光器及方法
CN112531462A (zh) * 2020-12-04 2021-03-19 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种布拉格光栅外腔半导体激光器模块合束装置
CN112670831A (zh) * 2020-12-25 2021-04-16 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种波长锁定半导体激光器
CN113644544A (zh) * 2021-08-11 2021-11-12 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种波长锁定半导体激光器***

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210066889A1 (en) Wavelength beam combining laser systems utilizing etalons
US9455552B1 (en) Laser diode apparatus utilizing out of plane combination
US9705289B2 (en) High brightness multijunction diode stacking
US11594853B2 (en) Light source unit
CN112652950B (zh) 一种波长锁定半导体激光器***
US20020051360A1 (en) Method and apparatus for unifying light beams
CN105372820A (zh) 一种多波长耦合同光路的装置
CN114243452A (zh) 一种半导体激光器的互锁光路
JP4544014B2 (ja) レーザ装置およびファイバカップリングモジュール
EP1168529A1 (en) Radiating adder
CN112993747B (zh) 一种波长锁定半导体激光器***
CN112886382A (zh) 一种单组大功率光纤耦合半导体激光器封装结构与应用
CN114784623A (zh) 一种高亮度外腔半导体激光器
CN112103768B (zh) 一种半导体激光器
CN114243453B (zh) 一种半导体激光器的锁波光路
CN114300930B (zh) 一种半导体激光器的锁波光路
CN110703450A (zh) 光束整形组件、模块及激光模块
CN216850736U (zh) 一种半导体激光器
CN219717494U (zh) 一种空间合束光纤激光器
CN113131340B (zh) 一种外腔调制的半导体激光器
US11848541B2 (en) Spectral beam combiner with independent wavelength stabilization
US20230178966A1 (en) Laser module with beam rotator
CN213071708U (zh) 一种bar条激光器的双衍射光路结构
CN111884031B (zh) 激光光斑圆度的优化方法及优化***
CN114465088B (zh) 一种波长锁定***

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20220325

WW01 Invention patent application withdrawn after publication