CN113557802A - 电波吸收体及电波吸收体用套件 - Google Patents
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Abstract
电波吸收体(1a)具备第一电波吸收部(10)和第二电波吸收部(20)。在第一电波吸收部(10)中,基于JIS R 1679∶2007测定的特定频率(f)的电波的反射吸收量在0°~80°的入射角度中的第一入射角度(θ1)下成为最大。在第二电波吸收部(20)中,在0°~80°的入射角度中的第二入射角度(θ2)下该电波的反射吸收量成为最大。第二入射角度(θ2)的大小与第一入射角度(θ1)的大小不同,或者以第二入射角度(θ2)入射的电波的偏振波的种类与以第一入射角度(θ1)入射的电波的偏振波的种类不同。第一电波吸收部(10)和第二电波吸收部(20)沿着预定的面(F)配置。
Description
技术领域
本发明涉及电波吸收体及电波吸收体用套件。
背景技术
以往,研究了用于对以宽范围的入射角度入射的电波、各种偏振波发挥预定的吸收性能的电波吸收体。
例如,在专利文献1中记载了一种电波吸收体,由在表面分布形成有凸部和凹部中的至少一方的反射层和沿着反射层的表面层叠的吸收层构成。就吸收层而言,在反射层的表面,沿着该反射层的表面形状以恒定的厚度形成有吸收层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-207506号公报
发明内容
发明所要解决的课题
根据专利文献1所记载的技术,需要在反射层的表面分布形成凸部和凹部中的至少一方,并且需要沿着反射层的表面形状以恒定的厚度形成吸收层。
鉴于这样的情况,本发明提供一种电波吸收体,即使在反射电波的导电体的表面没有形成凸部和凹部中的至少一方,也有利于对以宽范围的入射角度入射的电波、各种偏振波发挥所期望的吸收性能。另外,本发明提供一种有利于构成这样的电波吸收体的电波吸收体用套件。
用于解决课题的技术方案
本发明提供一种电波吸收体,具备:第一电波吸收部,基于日本工业标准(JIS)R1679∶2007测定的特定频率的电波的反射吸收量在0°~80°的入射角度中的第一入射角度下成为最大;及第二电波吸收部,在0°~80°的入射角度中的第二入射角度下所述电波的反射吸收量成为最大,所述第二入射角度的大小与所述第一入射角度的大小不同,或者以所述第二入射角度入射的所述电波的偏振波的种类与以所述第一入射角度入射的所述电波的偏振波的种类不同,所述第一电波吸收部和所述第二电波吸收部沿着预定的面配置。
另外,本发明提供一种电波吸收体用套件,具备:第一构件,用于形成第一电波吸收部,在该第一电波吸收部中,基于JIS R 1679∶2007测定的特定频率的电波的反射吸收量在0°~80°的入射角度中的第一入射角度下成为最大;及第二构件,用于形成第二电波吸收部,在该第二电波吸收部中,在0°~80°的入射角度中的第二入射角度下所述电波的反射吸收量成为最大,所述第二入射角度的大小与所述第一入射角度的大小不同,或者以所述第二入射角度入射的所述电波的偏振波的种类与以所述第一入射角度入射的所述电波的偏振波的种类不同。
发明效果
上述电波吸收体即使在反射电波的导电体的表面没有形成凸部和凹部中的至少一方,也有利于对以宽范围的入射角度入射的电波、各种偏振波发挥所期望的吸收性能。
附图说明
图1A是表示本发明所涉及的电波吸收体的一例的俯视图。
图1B是沿着图1A中的IB-IB线的电波吸收体的剖视图。
图2是表示本发明所涉及的电波吸收体用套件的一例的剖视图。
图3是表示本发明所涉及的电波吸收体用套件的另一例的俯视图。
图4是表示本发明所涉及的电波吸收体的另一例的图。
图5是表示本发明所涉及的电波吸收体的又一例的图。
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外,本发明并不限定于以下的实施方式。
如图1A和图1B所示,电波吸收体1a具备第一电波吸收部10和第二电波吸收部20。在第一电波吸收部10中,基于JIS R 1679∶2007测定的特定频率f的电波的反射吸收量在0°~80°的入射角度中的第一入射角度θ1下成为最大。反射吸收量例如与由下述式(1)定义的反射衰减量S(dB)的绝对值同义。式(1)中的P0是基于金属板的反射的接收功率(W/m2),Pi是基于试样的反射的接收功率(W/m2)。另外,反射吸收量相当于JIS R 1679∶2007中的反射量的绝对值。在第二电波吸收部20中,基于JIS R 1679∶2007测定的特定频率f的电波的反射量的绝对值在0°~80°的入射角度中的第二入射角度θ2下成为最大。第二入射角度θ2的大小与第一入射角度θ1的大小不同,或者以第二入射角度θ2入射的电波的偏振波的种类与以第一入射角度θ1入射的电波的偏振波的种类不同。在电波吸收体1a中,第一电波吸收部10和第二电波吸收部20沿着预定的面F配置。预定的面F可以是平面,也可以是曲面,还可以是具有凹凸的面,更可以是具有角部的面。在电波吸收部中,频率f的电波的反射吸收量例如使用具有200mm见方的正方形的平面形状的试样来测定。即,在本说明书中,“电波的反射吸收量”意味着将电波吸收部构成为200mm见方的正方形的平面形状时的值。
【数学式1】
根据电波吸收体1a,发挥所期望的吸收性能的入射角度的范围容易变大,或者对不同种类的偏振波发挥所期望的吸收性能。此外,在电波吸收体1a中,也可以不在用于反射电波的导电体的表面形成凸部和凹部中的至少一方。
电波吸收体1a能够吸收的电波的频率f并不限定于特定频率。电波吸收体1a能够吸收的斜入射的电波可以是TM波,也可以是TE波。
在电波吸收体1a中,在以第二入射角度θ2入射的电波的偏振波的种类与以第一入射角度θ1入射的电波的偏振波的种类相同或者第一入射角度θ1为0°的情况下,从第二入射角度θ2减去第一入射角度θ1所得的值例如为5°以上。由此,在电波吸收体1a中,发挥所期望的吸收性能的入射角度的范围容易变大。
在以第二入射角度θ2入射的电波的偏振波的种类与以第一入射角度θ1入射的电波的偏振波的种类相同或者第一入射角度θ1为0°的情况下,从第二入射角度θ2减去第一入射角度θ1所得的值可以是10°以上,也可以是30°以上,还可以是50°以上。
在以第二入射角度θ2入射的电波的偏振波的种类与以第一入射角度θ1入射的电波的偏振波的种类相同或者第一入射角度θ1为0°的情况下,从第二入射角度θ2减去第一入射角度θ1所得的值例如为70°以下。由此,在电波吸收体1a中,发挥所期望的吸收性能的入射角度的范围容易变大。
在以第二入射角度θ2入射的电波的偏振波的种类与以第一入射角度θ1入射的电波的偏振波的种类相同或者第一入射角度θ1为0°的情况下,从第二入射角度θ2减去第一入射角度θ1所得的值可以是65°以下,也可以是45°以下,还可以是25°以下。
在电波吸收体1a中,例如关于TM波,反射吸收量为15dB以上的入射角度的范围R15为35°以上。这样,电波吸收体1a例如容易对以宽范围的入射角度入射的电波发挥所期望的吸收性能。范围R15优选为40°以上,更优选为45°以上。另外,例如在电波吸收体1a中,关于满足θ1≤θa<θb<θc<θd≤θ2的关系的各入射角度,在θa≤θ≤θb的范围及θc≤θ≤θd的范围内反射吸收量为15dB以上、在θb<θ<θc的范围内反射吸收量不足15dB的情况下,R15=(θb-θa)+(θd-θc)。
在电波吸收体1a中,例如关于TE波,反射吸收量为10dB以上的入射角度的范围R10为30°以上。这样,电波吸收体1a例如容易对以宽范围的入射角度入射的电波发挥所期望的吸收性能。范围R10优选为35°以上,更优选为40°以上。另外,例如在电波吸收体1a中,关于满足θ1≤θa<θb<θc<θd≤θ2的关系的各入射角度,在θa≤θ≤θb的范围及θc≤θ≤θd的范围内反射吸收量为10dB以上、在θb<θ<θc的范围内反射吸收量不足10dB的情况下,R10=(θb-θa)+(θd-θc)。
在电波吸收体1a中,第二电波吸收部20覆盖预定的面F的面积S2相对于第一电波吸收部10覆盖预定的面F的面积S1之比S2/S1例如为1/10~10。由此,电波吸收体1a能够对以宽范围的角度入射的电波、各种偏振波更可靠地发挥所期望的吸收性能。
S2/S1可以为1/8以上,也可以为1/4以上,还可以为1/2以上。S2/S1可以为8以下,也可以为4以下,还可以为2以下。
如图1A和图1B所示,电波吸收体1a例如具备多个第一电波吸收部10和多个第二电波吸收部20。多个第一电波吸收部10和多个第二电波吸收部20沿着预定的面F规则地或随机地配置。另外,在仅用单独的第一电波吸收部10无法构成频率f的电波的反射吸收量的测定用的试样的尺寸或平面形状的情况下,使用多个第一电波吸收部10来制作频率f的电波的反射吸收量的测定用的试样。在仅用单独的第二电波吸收部20无法构成频率f的电波的反射吸收量的测定用的试样的尺寸或平面形状的情况下也是同样的。
如图1A所示,多个第一电波吸收部10和多个第二电波吸收部20例如沿着预定的面F交替配置。由此,在电波吸收体1a中,针对以预定范围的角度入射的电波、各种偏振波的吸收性能的空间性偏差容易变小。
在电波吸收体1a中,第一电波吸收部10彼此可以相邻,也可以在第一电波吸收部10彼此之间配置有多个第二电波吸收部20。在电波吸收体1a中,第二电波吸收部20彼此可以相邻,也可以在第二电波吸收部20彼此之间配置有多个第一电波吸收部10。
当在与预定的面F垂直的方向上朝向预定的面F观察电波吸收体1a时,第一电波吸收部10和第二电波吸收部20各自的平面形状并不限定于特定形状。该平面形状的轮廓可以由直线形成,也可以由曲线形成,还可以由直线和曲线组合而形成。
如图1B所示,电波吸收体1a例如安装于被粘物3a。被粘物3a具有预定的面F。
第一电波吸收部10和第二电波吸收部20例如基于下述无反射条件式(2)~(4)中的任一个而构成。式(2)是针对垂直入射的电波的无反射条件式,式(3)是针对TE波的无反射条件式,式(4)是针对TM波的无反射条件式。在式(2)~(4)中,λ是作为吸收对象的电波的波长,d是吸收材料的厚度,θ是电波的入射角度。
【数学式2】
【数学式3】
【数学式4】
如图1B所示,第一电波吸收部10例如包括第一电阻层11和第一电介质层12。第一电介质层12在第一电阻层11的厚度方向上配置在第一电阻层11与预定的面F之间。此外,第二电波吸收部20例如包括第二电阻层21和第二电介质层22。第二电介质层22在第二电阻层21的厚度方向上配置在第二电阻层21与预定的面F之间。换言之,电波吸收体1a是λ/4型的电波吸收体。第一电波吸收部10和第二电波吸收部20分别典型地具有由导电体形成的用于反射电波的面。电波吸收体1a被设计成,当作为吸收对象的波长λ的电波入射到电波吸收体1a时,由第一电阻层11或第二电阻层21的表面的反射(表面反射)产生的电波与由导电体的反射(背面反射)产生的电波发生干涉。另外,根据传输理论,分别确定第一电阻层11和第二电阻层21的薄层电阻,以使从第一电阻层11和第二电阻层21的前表面估计的阻抗与平面波的特性阻抗相等。另外,电波吸收体1a也可以是使用了介电损耗材料和磁性损耗材料的电波吸收体。
如图1B所示,电波吸收体1a例如还具备连接层30。连接层30在第一电介质层12的厚度方向上配置于比第一电介质层12接近预定的面F的位置,并且在第二电介质层22的厚度方向上配置于比第二电介质层22接近预定的面F的位置。连接层30例如将第一电介质层12及第二电介质层22与预定的面F连接。
连接层30例如包括粘合层31。由此,能够将电波吸收体1a配置于预定的位置。粘合层31可以与第一电波吸收部10及第二电波吸收部20对应地分成多个部分而形成,也可以在电波吸收体1a中形成为一体。粘合层31例如与预定的面F接触。粘合层例如包括橡胶类粘合剂、丙烯酸类粘合剂、硅酮类粘合剂或聚氨酯类粘合剂。
连接层30例如包括导电体层32和粘合层31。作为吸收对象的电波被导电体层32反射(背面反射)。导电体层32可以与第一电波吸收部10及第二电波吸收部20对应地分成多个部分而形成,也可以在电波吸收体1a中形成为一体。粘合层31例如在导电体层32的厚度方向上配置在导电体层32与预定的面F之间。粘合层31例如与预定的面F接触。
导电体层32例如是金属箔或合金箔。导电体层32也可以是金属板。导电体层32例如可以通过使用溅射、离子镀、镀敷或涂敷(例如棒涂)等方法在基材上成膜导电体而形成。导电体层32也可以通过轧制来形成。
第二电阻层21的薄层电阻r2相对于第一电阻层11的薄层电阻r1之比r2/r1例如为0.001~100。由此,在电波吸收体1a中,发挥所期望的吸收性能的入射角度的范围容易变大。
比r2/r1可以为0.04以上,也可以为0.08以上,还可以为0.2以上。比r2/r1可以为30以下,也可以为12以下,还可以为5以下。典型地,在作为吸收对象的电波包含TM波的情况下,r2/r1<1,在作为吸收对象的电波包含TE波的情况下,r2/r1>1。
在电波吸收体1a中,第二电介质层12的厚度D2相对于第一电介质层11的厚度D1之比D2/D1例如为0.01~10。当比D2/D1处于这样的范围时,在电波吸收体1a中,发挥所期望的吸收性能的入射角度等入射条件的范围容易变大。第一电介质层11的相对介电常数和第二电介质层12的相对介电常数分别是例如按照空腔谐振法测定的10GHz下的相对介电常数。
比D2/D1可以为0.1以上,也可以为0.2以上,还可以为0.3以上。比D2/D1可以为7以下,也可以为5以下,还可以为3以下。
第一电阻层11和第二电阻层21各自的材料只要具有所期望的薄层电阻,就不限于特定的材料。第一电阻层11和第二电阻层21各自的材料例如为氧化铟锡(ITO)。在该情况下,容易将第一电阻层11及第二电阻层21的薄层电阻调整为所期望的范围。
第一电介质层12及第二电介质层22分别由例如预定的高分子形成。第一电介质层12及第二电介质层22分别包含例如从由乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯乙烯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、丙烯酸聚氨酯树脂、聚乙烯、聚丙烯、硅酮、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺及环烯烃聚合物构成的组中选出的至少一种高分子。在该情况下,易于调整第一电介质层12和第二电介质层22各自的厚度,并且能够将电波吸收体1a的制造成本保持得较低。第一电介质层12和第二电介质层22各自例如可以通过热压等对预定的树脂组合物进行成形来制作。
第一电介质层12和第二电介质层22各自可以形成为单个层,也可以由相同或不同的材料构成的多个层形成。在第一电介质层12和第二电介质层22分别具有n个层(n为2以上的整数)的情况下,第一电介质层12和第二电介质层22各自的相对介电常数例如以如下方式决定。测定各层的相对介电常数εi(i为1~n的整数)。接着,将测定出的各层的相对介电常数εi乘以该层的厚度ti相对于第一电介质层12或第二电介质层22的整体T的厚度的比例,求出εi×(ti/T)。通过将所有层的εi×(ti/T)相加,能够决定各电介质层的相对介电常数。
在第一电介质层12具有多个层的情况下,第一电介质层12也可以包含起到作为支承第一电阻层11的支承体的作用的基材。此外,第一电介质层12也可以包含起到作为支承导电体层32的支承体的作用的基材。在第二电介质层22具有多个层的情况下,第二电介质层22也可以包含起到支承第二电阻层21的支承体的作用的基材。此外,第二电介质层12也可以包含起到支承导电体层32的支承体的作用的基材。构成这种基材的材料例如为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、丙烯酸树脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)或环烯烃聚合物(COP)。其中,从良好的耐热性、尺寸稳定性和制造成本的平衡的观点出发,基材的材料优选为PET。
电波吸收体1a例如使用预定的电波吸收体用套件来制作。如图2所示,电波吸收体用套件50a具备第一构件10a和第二构件20a。第一构件10a是用于形成第一电波吸收部10的构件。第二构件20a是用于形成第二电波吸收部20的构件。
电波吸收体用套件50a例如具备基材40。在电波吸收体用套件50a中,第一构件10a配置成覆盖基材40的一部分。第二构件20a配置成覆盖基材40的另一部分。第一构件10a和第二构件20a例如通过粘合层31而固定在基材40上。基材40能够从粘合层31剥离。因此,通过将基材40从粘合层31剥离而使粘合层31露出,并将粘合层31压贴于被粘物3a的预定的面F,能够制作出电波吸收体1a。基材40例如是PET等聚酯树脂制的薄膜。
电波吸收体1a也可以使用图3所示的电波吸收体用套件50b来制作。电波吸收体用套件50b例如具备第一构件10a、第二构件20a、第一基材45a和第二基材45b。第一构件10a配置在第一基材45a上,第二构件20a配置在第二基材45b上。第一构件10a例如通过粘合层31而固定在第一基材45a上。第一基材45a能够从第一构件10a剥离。第二构件20a例如通过粘合层31而固定在第二基材45b上。第二基材45b能够从第二构件20a剥离。例如,从第一基材45a取下第一构件10a,且从第二基材45b取下第二构件20a,将第一构件10a和第二构件20a沿着被粘物3a的预定的面F配置。进一步地,通过将第一构件10a及第二构件20a压贴于预定的面F,能够制作出电波吸收体1a。
电波吸收体1a可以从各种观点进行变更。电波吸收体1a具备多种电波吸收部。电波吸收体1a例如也可以还具备第三电波吸收部。在该情况下,第三电波吸收部与第一电波吸收部10和第二电波吸收部20一起沿着预定的面F配置。第三电波吸收部在基于JIS R1679∶2007测定的特定频率f的电波的反射吸收量这一点上,具有与第一电波吸收部10和第二电波吸收部20不同的特性。例如,第三电波吸收部中的特定频率f的电波的反射吸收量在0°~80°的入射角度中的第三入射角度θ3下成为最大。第三入射角度θ3例如是与第一入射角度θ1和第二入射角度θ2不同的角度。或者,以第三入射角度θ3入射的电波的偏振波的种类与以第一入射角度θ1入射的电波的偏振波的种类或以第二入射角度θ1入射的电波的偏振波的种类不同。例如,假定第二电波吸收部20中的特定频率f的电波的反射吸收量对于TM波在第二入射角度θ2(0°<θ2≤80°)下成为最大的情况。在该情况下,也可以是电波吸收体1a还具备第三电波吸收部,第三电波吸收部的特定频率f的电波的反射吸收量对于TE波在第三入射角度θ3(0°<θ3≤80°)下成为最大。
电波吸收体1a也可以如图4和图5所示的电波吸收体1b和1c那样进行变更。电波吸收体1b和1c除了特别说明的部分之外,与电波吸收体1a同样地构成。对与电波吸收体1a的构成要素相同或相应的电波吸收体1b和1c的构成要素标注相同的附图标记,并省略详细的说明。关于电波吸收体1a的说明只要在技术上不矛盾,也适用于电波吸收体1b和1c。
在电波吸收体1b中,被粘物3a的预定的面F由导电体形成。因此,能够由被粘物3a的预定的面F反射(背面反射)电波。第一电介质层12例如具有第一粘合面12a,第一粘合面12a与预定的面F接触。第二电介质层22例如具有第二粘合面22a,第二粘合面22a与预定的面F接触。第一粘合面12a可以由第一电介质层12形成,也可以由粘合剂层形成。第二粘合面22a可以由第二电介质层22形成,也可以由粘合剂层形成。
如图5所示,电波吸收体1c具备共用电介质层15a和单独电介质层15b。共用电介质层15a沿着预定的面F具有恒定的厚度,形成第一电介质层12及第二电介质层22的共用部分。另一方面,单独电介质层15b在与第二电波吸收部20对应的部分处重叠于共用电介质层15a。换言之,第一电介质层12仅由共用电介质层15a形成,第二电介质层22由层叠有共用电介质层15a和单独电介质层15b的部位形成。在电波吸收体1c中,连接层30在电波吸收体1c中形成为一体。
说明电波吸收体1c的制作方法的一例。例如,使连接层30与共用电介质层15a重合。之后,在形成第二电波吸收部20的部位处,在共用电介质层15a重叠单独电介质层15b。接着,将第一电阻层11在构成第一电波吸收部10的部位处重叠于共用电介质层15a。此外,将第二电阻层21在形成第二电波吸收部20的部位处重叠于单独电介质层15b。这样,能够制作出电波吸收体1c。
在电波吸收体1c中,由共用电介质层15a和单独电介质层15b构成了第一电介质层12和第二电介质层22。另一方面,也可以仅由共用电介质层15a构成第一电介质层12和第二电介质层22。在该情况下,例如,将共用电介质层15a制作成,共用电介质层15a的形成第一电波吸收部10的部位的厚度与共用电介质层15a的形成第二电波吸收部20的部位的厚度不同。
实施例
以下,利用实施例更详细地说明本发明。但是,本发明并不限定于以下的实施例。
<实施例1>
在具有23μm的厚度的PET薄膜之上,使用ITO作为靶材来进行溅射,形成具有55nm的厚度和370Ω/□的薄层电阻的电阻层A。这样,得到带电阻层的薄膜A。将具有2.6的相对介电常数的丙烯酸树脂成形为560μm的厚度,得到丙烯酸树脂层A。以带电阻层的薄膜A的电阻层A与丙烯酸树脂层A接触的方式将带电阻层的薄膜A重叠于丙烯酸树脂层A。带电阻层的薄膜A不使用粘合剂而粘接于丙烯酸树脂层A。由此,得到构件A。构件A的平面形状是具有200mm的长度和100mm的宽度的长方形。
在具有23μm的厚度的PET薄膜之上,使用ITO作为靶材来进行溅射,形成具有110nm的厚度和160Ω/□的薄层电阻的电阻层B。这样,得到带电阻层的薄膜B。将具有2.6的相对介电常数的丙烯酸树脂成形为710μm的厚度,得到丙烯酸树脂层B。以带电阻层的薄膜B的电阻层B与丙烯酸树脂层B接触的方式将带电阻层的薄膜B重叠于丙烯酸树脂层B。带电阻层的薄膜B不使用粘合剂而粘接于丙烯酸树脂层B。由此,得到构件B。构件B的平面形状是具有200mm的长度和100mm的宽度的长方形。
准备在具有25μm的厚度的PET薄膜和具有9μm的厚度的PET薄膜之间夹着具有7μm的厚度的铝箔并将它们层叠而成的带导电体的薄膜K。该带导电体的薄膜K的平面形状为200mm见方的正方形。以丙烯酸树脂层A与带导电体的薄膜K接触的方式重叠构件A。此外,以丙烯酸树脂层B与带导电体的薄膜K接触的方式重叠构件B。在带导电体的薄膜K重叠一个构件A和一个构件B。由此,带导电体的薄膜K被构件A和构件B覆盖。由此,得到实施例1所涉及的样品。丙烯酸树脂层A和丙烯酸树脂层B不使用粘合剂而粘接于带导电体的薄膜K。
<实施例2>
将构件A和构件B切断成宽度为67mm。以丙烯酸树脂层A与带导电体的薄膜K接触的方式重叠构件A。此外,以丙烯酸树脂层B与带导电体的薄膜K接触的方式重叠构件B。由此,带导电体的薄膜K被构件A和构件B覆盖。由此,得到实施例2所涉及的样品。丙烯酸树脂层A和丙烯酸树脂层B不使用粘合剂而粘接于带导电体的薄膜K。
<实施例3>
在具有23μm的厚度的PET薄膜之上,使用ITO作为靶材来进行溅射,形成具有17nm的厚度和930Ω/□的薄层电阻的电阻层C。这样,得到带电阻层的薄膜C。将具有2.6的相对介电常数的丙烯酸树脂成形为660μm的厚度,得到丙烯酸树脂层C。以带电阻层的薄膜C的电阻层C与丙烯酸树脂层B接触的方式将带电阻层的薄膜C重叠于丙烯酸树脂层C。带电阻层的薄膜C不使用粘合剂而粘接于丙烯酸树脂层C。由此,得到构件C。构件C的平面形状是具有200mm的长度和100mm的宽度的长方形。
以丙烯酸树脂层A与带导电体的薄膜K接触的方式重叠构件A。此外,以丙烯酸树脂层B与带导电体的薄膜K接触的方式重叠构件C。由此,带导电体的薄膜K被构件A和构件C覆盖。由此,得到实施例3所涉及的样品。丙烯酸树脂层A和丙烯酸树脂层C不使用粘合剂而粘接于带导电体的薄膜K。
<比较例1>
以丙烯酸树脂层A与带导电体的薄膜K接触的方式,在带导电体的薄膜K重叠两个构件A。由此,带导电体的薄膜K被构件A覆盖。由此,得到比较例1所涉及的样品。丙烯酸树脂层A不使用粘合剂而粘接于带导电体的薄膜K。
<比较例2>
以丙烯酸树脂层B与带导电体的薄膜K接触的方式,在带导电体的薄膜K重叠两个构件B。由此,带导电体的薄膜K被构件B覆盖。由此,得到比较例2所涉及的样品。丙烯酸树脂层B不使用粘合剂而粘接于带导电体的薄膜K。
<比较例3>
以丙烯酸树脂层C与带导电体的薄膜K接触的方式,在带导电体的薄膜K重叠两个构件C。由此,带导电体的薄膜K被构件C覆盖。由此,得到比较例3所涉及的样品。丙烯酸树脂层C不使用粘合剂而粘接于带导电体的薄膜K。
[电波吸收量的测定]
根据JIS R 1679∶2007,测定各实施例所涉及的样品及各比较例所涉及的样品对以0°~70°的入射角度入射的76.5GHz的毫米波的电波吸收量(以dB标示反射波的功率相对于入射波的功率之比所得的值的绝对值)。另外,该测定是在0°、15°、30°、45°、60°及70°的入射角度下进行的。在比较例1所涉及的样品的电波吸收量的测定中,使用TM波和TE波作为倾斜入射的电波。在实施例1~3及比较例2所涉及的样品的电波吸收量的测定中,使用TM波作为倾斜入射的电波。在实施例4和比较例3所涉及的样品的电波吸收量的测定中,使用TE波作为倾斜入射的电波。在各样品中,TM波和TE波的照射光斑的长轴在各样品的表面的中央沿各构件的长度方向延伸。根据针对实施例1~3所涉及的样品及比较例1和2所涉及的样品的使用了TM波的电波吸收量的测定结果,确定在各样品中电波吸收量达到15dB以上的入射角度的范围R15。范围R15的确定基于“具体实施方式”中所述的范围R15的决定方法。将结果示于表1。另一方面,根据针对实施例4及比较例1和3所涉及的样品的使用了TE波的电波吸收量的测定结果,确定在各样品中电波吸收量达到10dB以上的入射角度的范围R10。范围R10的确定基于“具体实施方式”中所述的范围R10的决定方法。将结果示于表1。在比较例1所涉及的样品中,在入射角度为0°时电波吸收量最大。在比较例2及3所涉及的样品中,在入射角度为70°时电波吸收量最大。
如表1所示,实施例1和2所涉及的样品的R15大于比较例1和2所涉及的样品的R15。此外,实施例3所涉及的样品的R10大于比较例1和3所涉及的样品的R10。因此,暗示了实施例1~3所涉及的样品的发挥所期望的电波吸收性能的入射角度的范围大。
【表1】
Claims (13)
1.一种电波吸收体,具备:
第一电波吸收部,基于日本工业标准JIS R 1679∶2007测定的特定频率的电波的反射吸收量在0°~80°的入射角度中的第一入射角度下成为最大;及
第二电波吸收部,在0°~80°的入射角度中的第二入射角度下所述电波的反射吸收量成为最大,
所述第二入射角度的大小与所述第一入射角度的大小不同,或者以所述第二入射角度入射的所述电波的偏振波的种类与以所述第一入射角度入射的所述电波的偏振波的种类不同,
所述第一电波吸收部和所述第二电波吸收部沿着预定的面配置。
2.根据权利要求1所述的电波吸收体,其中,
以所述第二入射角度入射的所述电波的偏振波的种类与以所述第一入射角度入射的所述电波的偏振波的种类相同,或者所述第一入射角度为0°,
从所述第二入射角度减去所述第一入射角度所得的值为5°以上。
3.根据权利要求1或2所述的电波吸收体,其中,
以所述第二入射角度入射的所述电波的偏振波的种类与以所述第一入射角度入射的所述电波的偏振波的种类相同,或者所述第一入射角度为0°,
从所述第二入射角度减去所述第一入射角度所得的值为70°以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电波吸收体,其中,
所述第二电波吸收部覆盖所述预定的面的面积相对于所述第一电波吸收部覆盖所述预定的面的面积之比为1/10~10。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电波吸收体,其中,
所述电波吸收体具备多个所述第一电波吸收部和多个所述第二电波吸收部,
多个所述第一电波吸收部和多个所述第二电波吸收部沿着所述预定的面规则地或随机地配置。
6.根据权利要求5所述的电波吸收体,其中,
多个所述第一电波吸收部和多个所述第二电波吸收部沿着所述预定的面交替配置。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电波吸收体,其中,
所述第一电波吸收部包括:第一电阻层;及第一电介质层,在所述第一电阻层的厚度方向上配置在所述第一电阻层与所述预定的面之间,
所述第二电波吸收部包括:第二电阻层;及第二电介质层,在所述第二电阻层的厚度方向上配置在所述第二电阻层与所述预定的面之间。
8.根据权利要求7所述的电波吸收体,其中,
所述电波吸收体还具备连接层,所述连接层在所述第一电介质层的厚度方向上配置于比所述第一电介质层接近所述预定的面的位置,且在所述第二电介质层的厚度方向上配置于比所述第二电介质层接近所述预定的面的位置。
9.根据权利要求8所述的电波吸收体,其中,
所述连接层包括粘合层。
10.根据权利要求8所述的电波吸收体,其中,
所述连接层包括导电体层和粘合层。
11.根据权利要求7至10中任一项所述的电波吸收体,其中,
所述第二电阻层的薄层电阻相对于所述第一电阻层的薄层电阻之比为0.001~100。
12.根据权利要求7至11中任一项所述的电波吸收体,其中,
所述第二电介质层的厚度相对于所述第一电介质层的厚度之比为0.01~10。
13.一种电波吸收体用套件,具备:
第一构件,用于形成第一电波吸收部,在该第一电波吸收部中,基于JIS R 1679∶2007测定的特定频率的电波的反射吸收量在0°~80°的入射角度中的第一入射角度下成为最大;及
第二构件,用于形成第二电波吸收部,在该第二电波吸收部中,在0°~80°的入射角度中的第二入射角度下所述电波的反射吸收量成为最大,
所述第二入射角度的大小与所述第一入射角度的大小不同,或者以所述第二入射角度入射的所述电波的偏振波的种类与以所述第一入射角度入射的所述电波的偏振波的种类不同。
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Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
WO2023003033A1 (ja) * | 2021-07-21 | 2023-01-26 | 日東電工株式会社 | 電磁波シールド及びレーダ用カバー |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004111750A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 電波吸収体 |
JP2006049355A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Kumagai Gumi Co Ltd | 内装構造及び内装施工方法 |
JP2006049354A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Kumagai Gumi Co Ltd | 電磁波吸収体及び建物内装構築方法 |
CN108353521A (zh) * | 2015-12-14 | 2018-07-31 | 日东电工株式会社 | 电磁波吸收体以及具备该电磁波吸收体的带有电磁波吸收体的成形体 |
JP2019004003A (ja) * | 2017-06-13 | 2019-01-10 | 日東電工株式会社 | 電磁波吸収体及び電磁波吸収体付成形品 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4038660A (en) * | 1975-08-05 | 1977-07-26 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Microwave absorbers |
US5561428A (en) * | 1985-02-12 | 1996-10-01 | General Atomics | Electromagnetic radiation absorber and method for the production thereof |
US5576710A (en) * | 1986-11-25 | 1996-11-19 | Chomerics, Inc. | Electromagnetic energy absorber |
US5223849A (en) * | 1986-11-25 | 1993-06-29 | Chomerics, Inc. | Broadband electromagnetic energy absorber |
DE3913421A1 (de) * | 1989-04-24 | 1990-10-25 | Ver Glaswerke Gmbh | Aussenwandelement eines gebaeudes mit hoher reflexionsdaempfung fuer radarstrahlen |
GB8909768D0 (en) * | 1989-04-28 | 1990-04-25 | Racal Defence Electronics Rada | Radar reflecting target |
US5275880A (en) * | 1989-05-17 | 1994-01-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Microwave absorber for direct surface application |
US6441771B1 (en) * | 1989-06-01 | 2002-08-27 | Eastman Kodak Company | Thin film magnetodielectric for absorption of a broad band of electromagnetic waves |
JP3319147B2 (ja) * | 1994-04-15 | 2002-08-26 | ティーディーケイ株式会社 | 電波吸収体 |
JP3030453B2 (ja) * | 1995-12-27 | 2000-04-10 | 道晴 高橋 | 広帯域電波吸収体 |
US5885692A (en) * | 1996-04-05 | 1999-03-23 | Nisshinbo Industries, Inc. | Wave absorber |
US6037046A (en) * | 1997-01-13 | 2000-03-14 | Symetrix Corporation | Multi-component electromagnetic wave absorption panels |
US5844518A (en) * | 1997-02-13 | 1998-12-01 | Mcdonnell Douglas Helicopter Corp. | Thermoplastic syntactic foam waffle absorber |
US5872534A (en) * | 1997-10-01 | 1999-02-16 | Fair-Rite Products Corporation | High frequency broadband absorption structures |
AUPQ189499A0 (en) * | 1999-07-28 | 1999-08-19 | Tenix Defence Systems Pty Ltd | Improvements in or relating to vehicles |
JP2002314284A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 電波吸収体 |
US20040021597A1 (en) * | 2002-05-07 | 2004-02-05 | Dvorak George J. | Optimization of electromagnetic absorption in laminated composite plates |
JP5043082B2 (ja) * | 2003-04-18 | 2012-10-10 | ニッタ株式会社 | 電磁波吸収材料 |
GB2404087A (en) * | 2003-07-18 | 2005-01-19 | Qinetiq Ltd | Electromagnetic radiation absorber |
WO2005084097A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 電波吸収体および電波吸収体の製造方法 |
JP4461970B2 (ja) * | 2004-09-06 | 2010-05-12 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 電波吸収体 |
JP4869668B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2012-02-08 | 三菱電線工業株式会社 | 電波遮蔽体 |
JP4843820B2 (ja) * | 2007-04-25 | 2011-12-21 | アルプス電気株式会社 | 電波吸収多層基板 |
US8013775B2 (en) * | 2007-04-30 | 2011-09-06 | Viasat, Inc. | Radio frequency absorber |
JP2009027126A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-02-05 | Central Glass Co Ltd | 電磁遮蔽パネル |
US8017217B1 (en) * | 2008-05-09 | 2011-09-13 | Hrl Laboratories, Llc | Variable emissivity material |
US8947892B1 (en) * | 2010-08-16 | 2015-02-03 | The Boeing Company | Electronic device protection |
JP2012199272A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Bridgestone Corp | 電磁波シールド体及び電磁波シールド体アッセンブリ |
GB201112740D0 (en) * | 2011-07-25 | 2011-09-07 | Qinetiq Ltd | Radiation absorption |
US9343815B2 (en) * | 2013-06-28 | 2016-05-17 | Associated Universities, Inc. | Randomized surface reflector |
JP6795300B2 (ja) * | 2015-12-17 | 2020-12-02 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 電磁波抑制シートおよびこれを用いた電磁波抑制粘着シート、電磁波抑制用樹脂組成物、電磁波抑制層 |
FR3052600B1 (fr) * | 2016-06-10 | 2018-07-06 | Thales | Antenne filaire large bande a motifs resistifs |
US10403981B2 (en) * | 2016-07-01 | 2019-09-03 | Hyundai Motor Company | Electromagnetic wave absorber |
IT201800003182A1 (it) * | 2018-03-01 | 2019-09-01 | Leonardo Spa | Procedimenti per la fabbricazione di componenti strutturali radar-assorbenti per velivoli in materiale composito con inserzione di nanoplacchette di grafene. |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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