CN113557448A - 一种成像方法 - Google Patents

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CN113557448A CN201980093743.9A CN201980093743A CN113557448A CN 113557448 A CN113557448 A CN 113557448A CN 201980093743 A CN201980093743 A CN 201980093743A CN 113557448 A CN113557448 A CN 113557448A
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刘雨润
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Abstract

本文公开了一种方法，其包括：当辐射源(105)位于相对于图像传感器(100)的第一位置(910，930)时，利用来自人体外部的所述辐射源(105)的第一辐射束，使用在所述人体内部的图像传感器(100)来捕获所述人体的一部分(1602)的第一图像；当所述辐射源(105)位于相对于所述图像传感器(100)的第二位置(920，940)时，利用来自所述辐射源(105)的第二辐射束，使用所述图像传感器(100)从所述人体外部获取所述人体的所述部分(1602)的第二图像；其中，所述第一位置(910，930)与所述第二位置(920，940)不同，或者所述第一辐射束与所述第二辐射束不同；基于所述第一图像和所述第二图像确定所述部分(1602)的三维结构。

Description

一种成像方法
【背景技术】
***是人类中男性生殖***的腺体。***分泌微碱性液体，其占***体积的约30％。***的碱度有助于延长***的寿命。***疾病很常见，风险随着年龄的增长而增加。医学成像(例如，放射线照相术)可以帮助诊断***疾病。然而，由于***位于人体内部深处，因此对***进行成像会比较困难。例如，***周围的厚组织可降低成像分辨率或增加足以成像的辐射剂量。
【发明内容】
本文公开一种方法，其包括：当辐射源位于相对于图像传感器的第一位置时，利用来自人体外部的所述辐射源的第一辐射束，使用在所述人体内部的图像传感器来捕获所述人体的一部分的第一图像；当所述辐射源位于相对于所述图像传感器的第二位置时，利用来自所述辐射源的第二辐射束，使用所述图像传感器从所述人体外部获取所述人体的所述部分的第二图像；其中，所述第一位置与所述第二位置不同，或者所述第一辐射束与所述第二辐射束不同；基于所述第一图像和所述第二图像确定所述部分的三维结构。
根据实施例，所述图像传感器在***管中；其中所述方法进一步包括将所述***管***所述人体中。
根据实施例，所述***管被***所述人体的直肠中。
根据实施例，所述部分是人体的***。
根据实施例，所述方法进一步包括在所述辐射源和所述部分之间定位掩模，以使所述第一辐射束被所述掩模限制在所述部分。
根据实施例，定位所述掩模包括使所述掩模相对于所述辐射源移动。
根据实施例，所述方法进一步包括将所述辐射源从所述第一位置移动到所述第二位置。
根据实施例，将所述辐射源从所述第一位置移动到所述第二位置包括相对于所述图像传感器围绕所述第一轴旋转所述辐射源。
根据实施例，所述图像传感器在所述第一轴上。
根据实施例，所述第一轴平行于所述人体的中线。
根据实施例，所述第一轴平行于所述图像传感器的平面表面。
根据实施例，所述平面表面对所述辐射敏感。
根据实施例，将所述辐射源从所述第一位置移动到所述第二位置包括沿着相对于所述图像传感器的第一方向平移所述辐射源。
根据实施例，所述第一方向平行于所述人体的中线。
根据实施例，所述图像传感器包括像素阵列。
根据实施例，所述图像传感器包括安装在基板上的多个芯片，其中所述像素分布在所述多个芯片之间。
根据实施例，所述图像传感器被配置为在一段时间内对入射在所述像素上的辐射粒子的数目进行计数。
根据实施例，所述辐射粒子是X射线光子。
根据实施例，所述X射线光子的能量在20keV和30keV之间。
根据实施例，所述图像传感器是柔性的。
根据实施例，所述图像传感器包括：辐射吸收层，其包括电触点；第一电压比较器，其被配置为将所述电触点的电压与第一阈值进行比较；第二电压比较器，其被配置为将所述电压与第二阈值进行比较；计数器，其被配置为记录入射在所述辐射吸收层上的辐射粒子的数目；控制器；其中所述控制器被配置为从所述第一电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值时开始时间延迟；其中所述控制器被配置为在所述时间延迟期间启动所述第二电压比较器；其中所述控制器被配置为当所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值的绝对值时，使得所述辐射粒子中的至少一个的数目增加一。
根据实施例，所述图像传感器进一步包括电连接到所述电触点的积分器，其中所述积分器被配置为从所述电触点收集载流子。
根据实施例，所述控制器被配置为在所述时间延迟的开始或终止时启动所述第二电压比较器。
根据实施例，所述控制器被配置为将所述电触点连接到电接地。
根据实施例，在所述时间延迟期满时，所述电压的变化率大致为零。
根据实施例，所述辐射吸收层包括二极管。
根据实施例，所述辐射吸收层包括单晶硅。
根据实施例，所述图像传感器不包括闪烁体。
【附图说明】
图1A-图1G示意示出根据实施例的对人体的一部分进行成像的方法。
图2A示意示出根据实施例的所述图像传感器的横截面图。
图2B示意示出根据实施例的所述图像传感器的详细横截面图。
图2C示意示出根据实施例的所述图像传感器的替代详细横截面图。
图3A和图3B各自示意示出根据实施例的所述图像传感器的电子***的组件图。
图4示意示出根据实施例的流过所述图像传感器的所述辐射吸收层的电触点的电流的时间变化(上曲线)，以及所述电触点上所述电压的相应的时间变化(下曲线)。
【具体实施方式】
图1A-图1G示意示出根据实施例的对人体的一部分1602进行成像的方法的各个方面。当所述辐射源105位于相对于所述图像传感器100的多个位置时，所述图像传感器100可以分别使用来自所述辐射源105的辐射束来捕获所述部分1602的多个图像。所述部分1602的一个示例是人体的***。所述多个位置可以彼此不同。用于捕获图像的所述辐射束可以彼此不同。可以基于所述图像来确定所述部分的三维结构。
图1A示意示出示例中的方法的一个方面。在该示例中，被成像的所述部分1602是所述***，但是该方法可以适用于所述人体的其他部分。如图1A所示，所述图像传感器100可以在***管102的内部，并且所述***管102可以部分或完全地***所述人体的所述直肠1603。所述图像传感器100可以利用来自所述辐射源105的辐射束(例如，X射线)形成所述部分1602的图像。例如，所述辐射束可以是来自所述辐射源105并穿过所述部分1602的辐射束，或由所述辐射源105引起的二次辐射束。如图1A所示，可以将掩模106放置在所述辐射源105与所述人体的所述部分1602之间，以便将来自所述辐射源105的所述辐射束限制在所述部分1602中。放置所述掩模106可以涉及相对于所述辐射源105移动所述掩模106。
图1B示意示出根据实施例的包括所述图像传感器100的装置101。所述装置101可包括具有小直径(例如，小于50mm)的所述***管102，这使其适于***所述人体的所述直肠1603。至少部分的所述***管102对于所述辐射束可以是透明的并且可以封装所述图像传感器100。所述图像传感器100可以被气密密封以防止所述人体中的体液侵害。
如图1B所示，所述装置101可以具有信号电缆103和控制单元104。所述控制单元104可以被配置为通过所述信号电缆103接收或发送信号或控制所述图像传感器100的移动。
图1C和图1D，以及图1B的标注示意示出根据实施例的所述装置101的一部分。所述图像传感器100可以包括安装在基板1010上的多个芯片1000。所述基板1010可以是印刷电路板。所述基板1010可电连接到所述芯片1000和所述信号电缆103。在图1C的示例中，所述***管102是刚性的，并且所述图像传感器100也是刚性的。在图1D的示例中，所述***管102是柔性的，并且所述图像传感器100也是柔性的。
图1E示意示出根据实施例的所述图像传感器100可具有像素阵列150。当所述图像传感器100具有多个所述芯片1000时，所述像素150可被分布在所述多个芯片1000之间。例如，所述芯片1000可各自包含所述图像传感器100的一些所述像素150。所述像素150的阵列可以是矩形阵列、蜂窝阵列、六边形阵列、或任何其他合适的阵列。所述图像传感器100可在一段时间内对入射在所述像素150上的辐射粒子的数目进行计数。所述辐射粒子的一个例子是X射线光子。在一个示例中，所述X射线光子的能量在20keV和30keV之间。每个所述像素150可被配置为测量其暗电流，例如，在入射在其上的每个辐射粒子之前或同时。所述像素150可被配置为并行操作。例如，所述图像传感器100可在对另一个像素150上的另一个辐射粒子进行计数之前、之后或同时，对入射在一个像素150上的一个辐射粒子进行计数。所述像素150可以是可单独寻址的。
图1F和图1G示意示出根据实施例的所述辐射源105的移动的示例。例如，当包括所述图像传感器100的所述***管102在所述人体内时，所述辐射源105可被配置为相对于所述图像传感器100移动到多个位置。在所述辐射源105的移动期间及移动的过程中，所述***管102相对于所述人体可以保持静止或不保持静止。
在如图1F所示的示例中，在时间t0，所述图像传感器100在所述辐射源105位于相对于所述图像传感器100的第一位置910处时，利用第一辐射束捕获所述人体所述部分1602(例如，所述***的第一部分)的第一图像；在时间t1，通过围绕着相对于所述图像传感器100的第一轴901旋转，所述辐射源105被移动到第二位置920。所述掩模106如果存在，则其可以与所述辐射源105一起移动。当所述辐射源105位于所述第一位置910和所述第二位置920时，所述掩模的所述位置相对于所述辐射源105的距离106可以是相同的。如图1F所示，所述第一轴901可以平行于所述人体的中线902。所述图像传感器100可以在所述第一轴901上。所述图像传感器100的至少一个平面107可以平行于所述第一轴901。所述图像传感器100的所述平面107对所述辐射敏感。当所述辐射源105位于相对于所述图像传感器100的所述第二位置920时，所述图像传感器100利用第二辐射束捕获所述人体的所述部分1602(例如，所述***的第一部分)的第二图像。根据实施例，所述第一位置910与所述第二位置920是不同的。根据实施例，所述第一辐射束与所述第二辐射束是不同的。当所述辐射源105位于所述第一位置910和所述第二位置920时，所述图像传感器100相对于所述人体可以保持或可以不保持在相同的位置。
图1G示意示出根据实施例的所述辐射源105的移动的示例。在图1G所示的示例中，在时间t0，所述图像传感器100在所述辐射源105位于相对于所述图像传感器100的第一位置930处时，利用第一辐射束捕获所述人体所述部分1602(例如，所述***的第一部分)的第一图像；在时间t1，通过沿相对于所述图像传感器100的第一方向903平移，所述辐射源105被移动到第二位置940。所述掩模106如果存在，则其可以与所述辐射源105一起移动。当所述辐射源105位于所述第一位置930和所述第二位置940时，所述掩模的所述位置相对于所述辐射源105的距离106可以是相同的。如图1G所示，所述第一方向903可以平行于所述人体的中线902。当所述辐射源105位于相对于所述图像传感器100的所述第二位置940时，所述图像传感器100利用第二辐射束捕获所述人体的所述部分1602(例如，所述***的第一部分)的第二图像。根据实施例，所述第一位置930与所述第二位置940是不同的。根据实施例，所述第一辐射束与所述第二辐射束是不同的。当所述辐射源105位于所述第一位置930和所述第二位置940时，所述图像传感器100相对于所述人体可以保持或可以不保持在相同的位置。
当所述辐射源105相对于所述图像传感器100分别位于多个位置时，由所述图像传感器100捕获的所述图像(例如，如上所述第一图像和所述第二图像)可以被用于重构所述部分1602的所述三维结构。各种合适的重建算法均可以被应用。
图2A示意示出根据实施例的所述图像传感器100的横截面图。所述图像传感器100可包括辐射吸收层110和电子器件层120(例如，ASIC)，其用于处理或分析在所述辐射吸收层110中产生的入射辐射的电信号。所述图像传感器100不包括闪烁体。所述辐射吸收层110可包括半导体材料，例如单晶硅。所述半导体对于感兴趣的辐射能量可具有高的质量衰减系数。
如图2B中根据实施例的所述图像传感器100的详细横截面图所示，所述辐射吸收层110可包括由第一掺杂区111、第二掺杂区113的一个或多个离散区114组成的一个或多个二极管(例如，p-i-n或p-n)。所述第二掺杂区113可通过可选的本征区112而与所述第一掺杂区111分离。所述离散区114通过所述第一掺杂区111或所述本征区112而彼此分离。所述第一掺杂区111和所述第二掺杂区113具有相反类型的掺杂(例如，区域111是p型并且区域113是n型，或者区域111是n型并且区域113是p型)。在图2B的示例中，所述第二掺杂区113的每个离散区114与所述第一掺杂区111和所述可选的本征区112一起组成一个二极管。即，在图2B的示例中，所述辐射吸收层110包括多个二极管，所述多个二极管具有所述第一掺杂区111作为共享电极。所述第一掺杂区111也可具有离散部分。所述辐射吸收层110可具有与所述第一掺杂区111电连接的电触点119A。所述辐射吸收层110可具有多个离散的电触点119B，其中的每一个电触点均与所述离散区114电连接。
当辐射粒子撞击包括二极管的所述辐射吸收层110时，所述辐射粒子可被吸收并通过若干机制产生一个或多个载流子。所述载流子可在电场下向所述电触点119A和电触点119B漂移。所述电场可以是外部电场。在实施例中，所述载流子可向不同方向漂移，使得由单个辐射粒子产生的所述载流子大致未被两个不同的离散区114共享(“大致未被共享”在这里意指这些载流子中的不到2％、不到0.5％、不到0.1％、或不到0.01％流向与余下载流子不同的一个所述离散区114)。由入射在所述离散区114之一的足迹周围的辐射粒子所产生的载流子大致未被另一所述离散区114共享。与一个离散区114相关联的一个像素150可以是所述离散区114周围的区，由入射在其中的一个辐射粒子所产生的载流子大致全部(超过98％、超过99.5％、超过99.9％或超过99.99％)流向其中。即，所述载流子中的不到2％、不到1％、不到0.1％、或不到0.01％流到所述像素150之外。
如图2C中所示的根据实施例的所述图像传感器100的替代详细横截面图。所述辐射吸收层110可包括半导体材料，比如单晶硅，的电阻器，但不包括二极管。所述半导体对于感兴趣的辐射能量可具有高的质量衰减系数。所述辐射吸收层110可具有与所述半导体一个表面上的所述半导体电连接的电触点119A。所述辐射吸收层110可具有在所述半导体另一个表面上的多个电触点119B。
当辐射粒子撞击包括所述电阻器但不包括二极管的所述辐射吸收层110时，所述辐射可被吸收并通过若干机制产生一个或多个载流子。一个辐射粒子可产生10到100000个载流子。所述载流子可在电场下向电触点119A和电触点119B漂移。所述电场可以是外部电场。所述电触点119B包括离散部分。在实施例中，所述载流子可向不同方向漂移，使得由单个辐射粒子产生的所述载流子大致未被所述电触点119B两个不同的离散部分共享(“大致未被共享”在这里意指这些载流子中不到2％、不到0.5％、不到0.1％、或不到0.01％流向与余下载流子不同组的离散部分)。由入射在所述电触点119B离散部分之一的足迹周围的辐射粒子所产生的载流子大致未被另一所述电触点119B离散部分共享。与所述电触点119B离散部分之一相关联的一个像素150可以是所述离散部分周围的区，由入射在其中的辐射粒子所产生的载流子大致全部(超过98％、超过99.5％、超过99.9％或超过99.99％)流向该电触点119B。即，所述载流子中的不到2％、不到0.5％、不到0.1％、或不到0.01％流到与所述电触点119B离散部分之一相关联的所述像素之外。
所述电子器件层120可包括电子***121，其适于处理或解释由入射在所述辐射吸收层110上的辐射所产生的信号。所述电子***121可包括模拟电路比如滤波器网络、放大器、积分器、比较器，或数字电路比如微处理器和内存。所述电子***121可包括一个或多个ADC。所述电子***121可包括由所述像素150共用的组件或专用于单个像素150的组件。例如，所述电子***121可包括专用于每个所述像素150的放大器和在所有像素150间共用的微处理器。所述电子***121可通过通孔131电连接到所述像素150。所述通孔之间的空间可用填充材料130填充，其可增加所述电子器件层120到所述辐射吸收层110连接的机械稳定性。其他键合技术有可能在不使用通孔的情况下将所述电子***121连接到所述像素。
图3A和图3B各自示出根据实施例的所述电子***121的组件图。所述电子***121可包括第一电压比较器301、第二电压比较器302、计数器320、开关305、可选的电压表306和控制器310。
所述第一电压比较器301被配置为将至少一个所述电触点119B的所述电压与第一阈值进行比较。所述第一电压比较器301可被配置为直接监测所述电压，或者通过对在一段时间内流过所述电触点119B的电流进行积分来计算所述电压。所述第一电压比较器301可由所述控制器310可控地启动或停用。所述第一电压比较器301可以是连续比较器。即，所述第一电压比较器301可被配置为被连续启动，并连续地监测所述电压。所述第一电压比较器301可以是钟控比较器。所述第一阈值可以是一个入射辐射粒子能够在所述电触点119B上产生的最大电压的1-5％、5-10％、10％-20％、20-30％、30-40％或40-50％。所述最大电压可取决于入射辐射粒子的能量、所述辐射吸收层110的材料、和其他因素。例如，所述第一阈值可以是50mV、100mV、150mV、或200mV。
所述第二电压比较器302被配置为将所述电压与第二阈值进行比较。所述第二电压比较器302可被配置为直接监测所述电压，或通过对一段时间内流过所述二极管或电触点的电流进行积分来计算所述电压。所述第二电压比较器302可以是连续比较器。所述第二电压比较器302可由所述控制器310可控地启动或停用。当所述第二电压比较器302被停用时，其功耗可以是所述第二电压比较器302启动时功耗的不到1％、不到5％、不到10％、或不到20％。所述第二阈值的绝对值大于所述第一阈值的绝对值。如本文所使用的，术语实数x的“绝对值”或“模数”|x|是x的非负值而不考虑它的符号。即，
Figure BDA0003250439540000091
所述第二阈值可以是所述第一阈值的200％-300％。例如，所述第二阈值可以是100mV、150mV、200mV、250mV、或300mV。所述第二电压比较器302和所述第一电压比较器301可以是相同组件。即，所述***121可以具有一个电压比较器，其可在不同时间将电压与两个不同的阈值进行比较。
所述第一电压比较器301或所述第二电压比较器302可包括一个或多个运算放大器或任何其他适合的电路。所述第一电压比较器301或所述第二电压比较器302可具有高速度以允许所述***121在高通量的入射辐射粒子下操作。然而，具有高速度通常以功耗为代价。
所述计数器320被配置为记录入射在所述辐射吸收层110上的若干辐射粒子的数目。所述计数器320可以是软件组件(例如，电脑内存中存储的数字)或硬件组件(例如，4017IC和7490IC)。
所述控制器310可以是诸如微控制器和微处理器等硬件组件。所述控制器310被配置为从所述第一电压比较器301确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值(例如，所述电压的绝对值从低于所述第一阈值的绝对值增加到等于或超过所述第一阈值的绝对值的值)时开始时间延迟。在这里使用绝对值是因为所述电压可以是负的或正的，这取决于是使用二极管的阴极电压还是阳极电压或使用哪个电触点。所述控制器310可被配置为在所述第一电压比较器301确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值之前，保持停用所述第二电压比较器302、所述计数器320、以及所述第一电压比较器301的操作中不需要的任何其他电路。在所述电压变得稳定，即所述电压的变化率大致为零，的之前或之后，所述时间延迟可期满。短语“变化率大致为零”意指时间变化小于0.1％/ns。短语“变化率大致为非零”意指所述电压的时间变化至少为0.1％/ns。
所述控制310可被配置为在所述时间延迟期间(其包括开始和期满)启动所述第二电压比较器。在实施例中，所述控制器310被配置为在所述时间延迟开始时启动所述第二电压比较器。术语“启动”意指使组件进入操作状态(例如，通过发送诸如电压脉冲或逻辑电平等信号，通过提供电力等)。术语“停用”意指使组件进入非操作状态(例如，通过发送诸如电压脉冲或逻辑电平等信号，通过切断电力等)。操作状态可具有比非操作状态更高的功耗(例如，高10倍、高100倍、高1000倍)。所述控制器310本身可被停用，直到所述第一电压比较器301的输出电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值时才启动所述控制器310。
如果在所述时间延迟期间，所述第二电压比较器302确定所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值的绝对值，则所述控制器310可被配置为使所述计数器320记录的数目中至少有一个数目增加一。
所述控制器310可被配置为使所述可选的电压表306在所述时间延迟期满时测量所述电压。所述控制器310可被配置为使所述电触点119B连接到电接地，以使所述电压复位并使所述电触点119B上累积的所有载流子放电。在实施例中，所述电触点119B在所述时间延迟期满后连接到电接地。在实施例中，所述电触点119B连接到电接地并持续有限的复位时段。所述控制器310可通过控制所述开关305而使所述电触点119B连接到电接地。所述开关可以是晶体管，比如场效应晶体管(FET)。
在实施例中，所述***121没有模拟滤波器网络(例如，RC网络)。在实施例中，所述***121没有模拟电路。
所述电压表306可将其测量的电压作为模拟或数字信号馈送给所述控制器310。
所述***121可包括电连接到所述电触点119B的积分器309，其中所述积分器被配置为收集来自所述电触点119B的载流子。所述积分器309可在运算放大器的反馈路径中包括电容器。如此配置的所述运算放大器称为电容跨阻放大器(CTIA)。CTIA通过防止所述运算放大器饱和而具有高的动态范围，并通过限制信号路径中的带宽来提高信噪比。来自所述电触点119B的载流子在一段时间(“积分期”)内累积在电容器上。在所述积分期期满后，由所述ADC 306对电容器电压进行采样，然后通过复位开关进行复位。所述积分器309可包括直接连接到所述电触点119B的电容器。
图4示意示出流过所述电触点119B的，由入射在包括所述电触点119B的所述像素150上的辐射粒子产生的载流子所引起的所述电流的时间变化(上曲线)，以及所述电触点119B的所述电压的相应时间变化(下曲线)。所述电压可以是所述电流相对于时间的积分。在时间t0，所述辐射粒子撞击所述像素150，载流子开始在所述像素150中产生，电流开始流过所述电触点119B，并且所述电触点119B的电压的绝对值开始增加。在时间t1，所述第一电压比较器301确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值V1的绝对值，所述控制器310开始时间延迟TD1并且所述控制器310可在所述TD1开始时停用所述第一电压比较器301。如果所述控制器310在时间t1之前被停用，则在时间t1启动所述控制器310。在所述TD1期间，所述控制器310启动所述第二电压比较器302。如这里使用的术语在时间延迟“期间”意指开始和期满(即，结束)以及中间的任何时间。例如，所述控制器310可在所述TD1期满时启动所述第二电压比较器302。如果在所述TD1期间，所述第二电压比较器302确定在时间t2所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值V2的绝对值，则所述控制器310等待所述电压稳定。所述电压在时间te稳定，这时辐射粒子产生的所有载流子漂移出所述辐射吸收层110。在时间ts，所述时间延迟TD1期满。在时间te之时或之后，所述控制器310使所述电压表306数字化所述电压并且确定辐射粒子的能量落在哪个仓中。然后所述控制器310使对应于所述仓的所述计数器320记录的数目增加一。在图4的示例中，所述时间ts在所述时间te之后；即TD1在辐射粒子产生的所有载流子漂移出辐射吸收层110之后期满。如果无法轻易测得时间te，TD1可根据经验选择以允许有足够的时间来收集由辐射粒子产生的大致全部的载流子，但TD1不能太长，否则会有另一个入射辐射粒子产生的载流子被收集的风险。即，TD1可根据经验选择使得时间ts在时间te之后。时间ts不一定在时间te之后，因为一旦达到V2，所述控制器310可忽视TD1并等待时间te。因此，所述电压和暗电流对所述电压的贡献值之间的差异的变化率在时间te大致为零。所述控制器310可被配置为在TD1期满时或在时间t2或中间的任何时间停用所述第二电压比较器302。
在时间te的所述电压与由所述辐射粒子产生的载流子的数目成正比，所述数目与所述辐射粒子的能量有关。所述控制器310可被配置为使用所述电压表306来确定所述辐射粒子的能量。
在TD1期满或被所述电压表306数字化后(以较迟者为准)，所述控制器310使所述电触点119B连接到电接地并持续一个复位时段RST，以允许所述电触点119B上累积的载流子流到地面并复位所述电压。在RST之后，所述***121已准备好检测另一个入射辐射粒子。如果所述第一电压比较器301被停用，则所述控制器310可在RST期满之前的任何时间启动它。如果所述控制器310被停用，则可在RST期满之前启动它。
尽管本文已经公开了各个方面和实施例，但是其他方面和实施例对于本领域技术人员而言将是显而易见的。本文公开的各个方面和实施例是为了说明的目的而不是限制性的，其真正的范围和精神应以本文中的权利要求书为准。

Claims (28)

1.一种方法，其包括：
当辐射源位于相对于图像传感器的第一位置时，利用来自人体外部的所述辐射源的第一辐射束，使用在所述人体内部的图像传感器来捕获所述人体的一部分的第一图像；
当所述辐射源位于相对于所述图像传感器的第二位置时，利用来自所述辐射源的第二辐射束，使用所述图像传感器从所述人体外部获取所述人体的所述部分的第二图像；
其中，所述第一位置与所述第二位置不同，或者所述第一辐射束与所述第二辐射束不同；
基于所述第一图像和所述第二图像确定所述部分的三维结构。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述图像传感器在***管中；其中所述方法进一步包括将所述***管***所述人体中。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述***管被***所述人体的直肠中。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述部分是人体的***。
5.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述辐射源和所述部分之间定位掩模，以使所述第一辐射束被所述掩模限制在所述部分。
6.如权利要求5所述的方法，其中定位所述掩模包括使所述掩模相对于所述辐射源移动。
7.如权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述辐射源从所述第一位置移动到所述第二位置。
8.如权利要求7所述的方法，其中将所述辐射源从所述第一位置移动到所述第二位置包括相对于所述图像传感器围绕所述第一轴旋转所述辐射源。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述图像传感器在所述第一轴上。
10.如权利要求8所述的方法，其中所述第一轴平行于所述人体的中线。
11.如权利要求8所述的方法，其中所述第一轴平行于所述图像传感器的平面表面。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述平面表面对所述辐射敏感。
13.如权利要求7所述的方法，其中将所述辐射源从所述第一位置移动到所述第二位置包括沿着相对于所述图像传感器的第一方向平移所述辐射源。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述第一方向平行于所述人体的中线。
15.如权利要求1所述的方法，其中所述图像传感器包括像素阵列。
16.如权利要求15所述的方法，其中所述图像传感器包括安装在基板上的多个芯片，其中所述像素分布在所述多个芯片之间。
17.如权利要求15所述的方法，其中所述图像传感器被配置为在一段时间内对入射在所述像素上的辐射粒子的数目进行计数。
18.如权利要求17所述的方法，其中所述辐射粒子是X射线光子。
19.如权利要求18所述的方法，其中所述X射线光子的能量在20keV和30keV之间。
20.如权利要求1所述的方法，其中所述图像传感器是柔性的。
21.如权利要求1所述的方法，其中所述图像传感器包括：
辐射吸收层，其包括电触点；
第一电压比较器，其被配置为将所述电触点的电压与第一阈值进行比较；
第二电压比较器，其被配置为将所述电压与第二阈值进行比较；
计数器，其被配置为记录入射在所述辐射吸收层上的辐射粒子的数目；
控制器；
其中所述控制器被配置为从所述第一电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值时开始时间延迟；
其中所述控制器被配置为在所述时间延迟期间启动所述第二电压比较器；
其中所述控制器被配置为当所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值的绝对值时，使得所述辐射粒子中的至少一个的数目增加一。
22.如权利要求21所述的方法，其中所述图像传感器进一步包括电连接到所述电触点的积分器，其中所述积分器被配置为从所述电触点收集载流子。
23.如权利要求21所述的方法，其中所述控制器被配置为在所述时间延迟的开始或终止时启动所述第二电压比较器。
24.如权利要求21所述的方法，其中所述控制器被配置为将所述电触点连接到电接地。
25.如权利要求21所述的方法，其中在所述时间延迟期满时，所述电压的变化率大致为零。
26.如权利要求21所述的方法，其中所述辐射吸收层包括二极管。
27.如权利要求21所述的方法，其中所述辐射吸收层包括单晶硅。
28.如权利要求21所述的方法，其中所述图像传感器不包括闪烁体。
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