CN114902301A

CN114902301A - 文件认证

Info

Publication number: CN114902301A
Application number: CN202080090862.1A
Authority: CN
Inventors: 曹培炎; 刘雨润
Original assignee: Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd
Current assignee: Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd
Priority date: 2020-02-26
Filing date: 2020-02-26
Publication date: 2022-08-12
Also published as: EP4111428A1; TW202132764A; US20220358806A1; WO2021168694A1; TWI794743B

Abstract

本文公开了一种方法，其包括：将文件暴露于辐射；使用辐射检测器捕获具有透射过所述文件的所述辐射的一部分，具有由所述辐射引起的从所述文件发射的第一特征X射线，或两者兼具的第一图像；从所述第一图像确定图案；根据所述图案确定所述文件的真实性。

Description

文件认证

【背景技术】

X射线荧光(XRF)是来自被激发材料的(例如，暴露于高能X射线或伽马射线)特征X射线的发射。如果原子暴露于具有大于电子电离势的光子能量的X射线或伽马射线，则该原子内轨道上的电子可以被射出，从而在所述内轨道上留下空穴。当所述原子外轨道上的电子弛豫以填充所述内轨道上的所述空穴时，X射线(荧光X射线光子或二次X射线光子)被发射。所述被发射的X射线光子的能量等于所述外轨道和所述内轨道电子之间的能量差。

对于给定的原子，可能的弛豫数目是有限的。如图1A所示，当L轨道上的电子弛豫以填充K轨道(L→K)上的空穴时，所述荧光X射线被称为Kα。来自M→K弛豫的荧光X射线被称为Kβ。如图1B所示，来自M→L弛豫的荧光X射线被称为Lα，依此类推。

分析所述荧光X射线光谱可以识别样品中的元素，因为每个元素都有特征能量的轨道。可以通过对光子的能量进行排序(能量色散分析)或通过分离荧光X射线的波长(波长色散分析)来分析所述荧光X射线。每个特征能量峰的强度与所述样品中每种元素的所述含量直接相关。

比例计数器或各种类型的固态检测器(PIN二极管、硅(锂)、锗(锂)、硅漂移检测器)可用于能量色散分析。这些检测器基于相同的原理：入射的X射线光子使大量的检测器原子电离，所产生的载流子的数量与入射的X射线光子的能量成正比。所述载流子被收集并计数以确定所述入射的X射线光子的能量，并且该过程针对下一个入射的X射线光子会重复自身。在检测到许多X射线光子之后，可以通过计算X射线光子的数量作为其能量的函数来编制光谱。

【发明内容】

本文公开一种方法，其包括：将文件暴露于辐射；使用辐射检测器捕获具有透射过所述文件的所述辐射的一部分，具有由所述辐射引起的从所述文件发射的第一特征X射线，或两者兼具的第一图像；从所述第一图像确定图案；根据所述图案确定所述文件的真实性。

在某方面，所述辐射是具有光子能量在6keV至9keV范围内的X射线。

在某方面，所述图案是所述辐射的强度分布、所述文件中化学元素的空间分布、所述文件厚度的空间分布或它们的组合。

在某方面，根据所述图案确定文件的真实性包括将所述图案与参考图案进行比较。

在某方面，所述的方法进一步包括捕获具有由辐射引起的从所述文件发射的第二特征X射线的第二图像；其中确定所述图案既来自所述第一图像又来自所述第二图像；其中所述第一特征X射线和所述第二特征X射线不同。

在某方面，所述辐射检测器包括：辐射吸收层，其包括电触点；第一电压比较器，其被配置为将所述电触点的电压与第一阈值进行比较；第二电压比较器，其被配置为将所述电压与第二阈值进行比较；计数器，其被配置为记录入射在所述辐射吸收层上的多个辐射粒子；控制器；其中所述控制器被配置为从所述第一电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值时开始延迟；其中所述控制器被配置为在所述时间延迟期间激活所述第二电压比较器；其中所述控制器被配置为当所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值的绝对值时使所述数量增加一。

在某方面，所述控制器被配置为在所述时间延迟的开始或终止时激活所述第二电压比较器。

在某方面，所述控制器被配置为将所述电触点连接到电接地。

在某方面，所述电压的变化率在所述时间延迟终止时大致为零。

在某方面，所述辐射检测器不包括闪烁体。

【附图说明】

图1A和图1B示意示出X射线荧光的机制。

图2示意示出根据实施例的成像方法的流程图。

图3示意示出根据实施例的一种***。

图4A示意示出根据实施例的所述辐射检测器的截面图。

图4B示意示出根据实施例的所述辐射检测器的详细截面图。

图4C示意示出根据实施例的所述辐射检测器的替代详细截面图。

图5示意示出根据实施例的所述辐射检测器可以具有像素阵列。

图6A和图6B各自示意示出根据实施例的在图4A、图4B和图4C中的所述辐射检测器的电子***的组件图。

图7示意示出根据实施例的流过二极管的电极或暴露于辐射的辐射吸收层的电阻器的电触点的电流的时间变化(上曲线)，该电流由入射在辐射吸收层上的辐射粒子所产生的载流子引起，以及所述电极的所述电压的相应的时间变化(下曲线)。

【具体实施方式】

图2示出根据实施例的方法的流程图。在步骤710中，将文件(例如，图3中的文件109)暴露于辐射(例如，图3中的辐射101)。所述文件109可以是法律文件、纸币、证书、身份证纸、用特殊墨水印刷的文件。所述辐射可以是具有光子能量在6keV至9keV范围内的X射线。在步骤720中，使用辐射检测器(例如，图3中的辐射检测器100)利用透射过所述文件的所述辐射的一部分，或由所述辐射引起的从所述文件发射的第一特征X射线，或两者兼具来捕获第一图像(例如，图3中的第一图像104)。所述辐射检测器可以被配置为区分所述辐射的所述部分和所述第一特征X射线。所述第一特征X射线可以在所述辐射的激发下由所述文件中的化学元素发射。可以使用相同的辐射检测器或不同的辐射检测器来捕获第二图像(例如，图3中的图像105)。可以使用辐射检测器在不同位置捕获第一图像和第二图像。可以利用由辐射引起的从文件发射的第二特征X射线来捕获第二图像。所述第二特征X射线不同于所述第一特征X射线。例如，所述第一特征X射线和所述第二特征X射线由所述文件中的不同化学元素发射。在步骤730中，从所述第一图像确定(例如，通过图3中的控制器310)图案(例如，图3中的图案106)。可以根据所述第一图像和所述第二图像两者(例如，根据所述第一图像和所述第二图像的叠加或组合)来确定所述图案。例如，所述图案可以是所述辐射的强度分布、所述文件中化学元素的空间分布、所述文件厚度的空间分布或其组合。在步骤740中，根据所述图案确定所述文件的真实性。例如，根据所述图案确定所述文件的真实性可以涉及将所述图案与参考图案进行比较。所述参考图案可以以与所述图案相同的方式从真实文件中确定。

图3示意示出***200。所述***200包括所述辐射检测器100。所述辐射检测器100可以相对于所述文件109放置在多个位置或相对于所述文件109移动到多个位置。所述辐射检测器可以在不同时间布置在与所述文件109的相同距离或不同距离处。所述辐射检测器100可以同时在相对于所述文件109的不同位置处具有离散部分。所述辐射检测器100的其他合适的布置是可能的。所述辐射检测器100的位置不一定是固定的。例如，所述辐射检测器100可以朝向和远离所述文件109移动或可以相对于所述文件109旋转。所述辐射检测器100可以被配置为使用具有多个波长的X射线捕获图像。所述辐射检测器100可以被配置为仅使用具有特定范围波长的X射线来捕获图像。在实施例中，所述辐射检测器100不包括闪烁体。

所述***200可具有控制器310。所述控制器310可用于通过所述第一图像104或通过叠加或组合所述第一图像104和所述第二图像105来确定所述图案106。可以在不同时间或相对于所述文档109的不同位置捕获所述第一图像104和所述第二图像105。

图4A示意示出根据实施例的所述辐射检测器100的截面图。所述辐射检测器100可以包括辐射吸收层110和电子器件层120(例如，专用集成电路)，以用于处理或分析入射在所述辐射吸收层110中的辐射产生的电信号。所述辐射吸收层110可包括半导体材料，比如硅、锗、砷化镓、碲化镉、碲锌镉或其组合。所述半导体对于其感兴趣的所述辐射可具有较高的质量衰减系数。

图4A示意示出根据实施例的所述辐射检测器100的截面图。所述辐射检测器100可以包括辐射吸收层110和电子器件层120(例如，专用集成电路)，以用于处理或分析入射在所述辐射吸收层110中的辐射产生的电信号。在实施例中，所述辐射检测器100不包括闪烁体。所述辐射吸收层110可包括半导体材料，比如硅、锗、砷化镓、碲化镉、碲锌镉或其组合。所述半导体对于其感兴趣的所述辐射能量可具有较高的质量衰减系数。远离所述电子器件层120的所述辐射吸收层110的表面被配置为接收辐射。

如图4B中的所述辐射检测器100的详细截面图所示，根据实施例，所述辐射吸收层110可包括由第一掺杂区111、第二掺杂区113的一个或多个离散区114组成的一个或多个二极管(例如，p-i-n或p-n)。所述第二掺杂区113可通过可选的本征区112而与所述第一掺杂区111分离。所述离散区114通过所述第一掺杂区111或所述本征区112而彼此分离。所述第一掺杂区111和所述第二掺杂区113具有相反类型的掺杂(例如，第一掺杂区111是p型并且第二掺杂区113是n型，或者第一掺杂区111是n型并且第二掺杂区113是p型)。在图4B中的示例中，所述第二掺杂区113的每个离散区114与所述第一掺杂区111和所述可选的本征区112一起组成一个二极管。即，在图4B的示例中，所述辐射吸收层110包括多个二极管，这些二极管具有所述第一掺杂区111作为共用电极。所述第一掺杂区111还可具有离散部分。

当一个辐射粒子撞击包括二极管的所述辐射吸收层110时，所述辐射粒子可被吸收并通过若干机制产生一个或多个载流子。一个辐射粒子可产生10到100000个载流子。所述载流子可在电场下向其中一个二极管的电触点漂移。所述电场可以是外部电场。所述电触点119B可包括离散部分，其中的每个离散部分与所述离散区114电接触。在实施例中，所述载流子可向不同方向漂移，使得由单个辐射粒子产生的所述载流子大体上未被两个不同的离散区114共用(“大体上未被共用”在这里意指这些载流子中的不到2％、不到0.5％、不到0.1％或不到0.01％流向与余下载流子不同的一个所述离散区114)。由入射在所述离散区114之一的足迹周围的辐射粒子所产生的载流子大体上未被另一所述离散区114共用。与一个离散区114相关联的一个像素150可以是所述离散区114的周围区，由入射在其中的辐射粒子所产生的载流子大体上全部(超过98％、超过99.5％、超过99.9％或超过99.99％)流向所述离散区114。即，所述载流子中的不到2％、不到1％、不到0.1％或不到0.01％流到所述像素之外。

如图4C中的所述辐射检测器100的替代详细截面图所示，根据实施例，所述辐射吸收层110可包括具有半导体材料(比如，硅、锗、砷化镓、碲化镉、碲锌镉或其组合)的电阻器，但不包括二极管。所述半导体对于其感兴趣的所述辐射能量可具有较高的质量衰减系数。

当一个辐射粒子撞击包括电阻器但不包括二极管的所述辐射吸收层110时，所述辐射粒子可被吸收并通过若干机制产生一个或多个载流子。一个辐射粒子可产生10到100000个载流子。所述载流子可在电场下向所述电触点119A和所述电触点119B漂移。所述电场可以是外部电场。所述电触点119B可包括离散部分。在实施例中，所述载流子可向不同方向漂移，使得由单个辐射粒子产生的所述载流子大体上未被所述电触点119B的两个不同的离散部分共用(“大体上未被共用”在这里意指这些载流子中的不到2％、不到0.5％、不到0.1％或不到0.01％流向与余下的所述载流子不同的所述离散部分)。由入射在所述电触点119B的这些离散部分之一的足迹周围的辐射粒子所产生的载流子大体上未被所述电触点119B的这些离散部分中的另一个共用。与所述电触点119B的离散部分相关联的像素150可以是所述离散部分的周围区，由入射在其中的辐射粒子所产生的载流子大体上全部(超过98％、超过99.5％、超过99.9％或超过99.99％)流向所述电触点119B的所述离散部分。即，所述载流子中的不到2％、不到1％、不到0.1％或不到0.01％流到与所述电触点119B的一个离散部分相关联的所述像素之外。

所述电子器件层120可以包括电子***121，其适合于处理或解释由入射在所述辐射吸收层110上的辐射粒子产生的信号。电子***121可以包括模拟电路(比如，滤波网络、放大器、积分器和比较器)或者数字电路(比如，微处理器和存储器)。所述电子***121可以包括由所述像素共享的组件或专用于单个像素的组件。例如，所述电子***121可以包括专用于每个像素的放大器和在所有所述像素之间共享的微处理器。所述电子***121可以通过通孔131电连接到所述像素。所述通孔之间的空间可以用填充材料130填充，这可以提高所述电子器件层120到所述辐射吸收层110的连接的机械稳定性。其他的键合技术可以在不使用通孔的情况下将所述电子***121连接到所述像素。

图5示意示出所述辐射检测器100(例如，所述辐射检测器100A、所述辐射检测器100B和所述辐射检测器100C)可以分别具有像素150阵列。所述阵列可以是矩形阵列、蜂窝阵列、六边形阵列或任何其他合适的阵列。每个像素150可以被配置为检测入射在其上的辐射粒子，测量所述辐射粒子的能量，或两者同时进行。例如，每个像素150可被配置为在一段时间内对其能量落在多个仓中的辐射粒子数进行计数。所有所述像素150可以被配置为在相同的时间段内在多个能量仓内对入射在其上的辐射粒子数进行计数。每个所述像素150可以具有其自己的模数转换器(ADC)，该模数转换器被配置为将代表入射辐射粒子的能量的模拟信号数字化为数字信号。所述模数转换器具有10位或更高的分辨率。每个像素150可被配置为测量它的暗电流，例如在每个辐射粒子入射在其上之前或与之同时。每个像素150可被配置为从入射在其上的辐射粒子的能量中减去所述暗电流的贡献值。所述像素150可被配置为并行操作。例如，当一个像素150测量一个入射的辐射粒子时，另一个像素150可能正在等待另一个辐射粒子到达。所述像素150可以不必是单独可寻址的。

图6A和图6B各自示出根据实施例的所述电子***121的组件图。所述电子***121可以包括第一电压比较器301、第二电压比较器302、计数器320、开关305、可选的电压表306和控制器310。

所述第一电压比较器301被配置为将至少一个所述电触点119B的电压与第一阈值进行比较。所述第一电压比较器301可被配置为直接监测电压，或者通过对在一段时间内流过所述电触点119B的电流进行积分来计算所述电压。所述第一电压比较器301可由所述控制器310可控地启动或停用。所述第一电压比较器301可以是连续比较器。即，所述第一电压比较器301可被配置为被连续启动，并连续地监测电压。所述第一电压比较器301可以是钟控比较器。所述第一阈值可以是一个入射辐射粒子能够在所述电触点119B上产生的最大电压的1-5％、5-10％、10％-20％、20-30％、30-40％或40-50％。所述最大电压可取决于入射辐射粒子的能量、所述辐射吸收层110的材料和其他因素。例如，所述第一阈值可以是50mV、100mV、150mV或200mV。

所述第二电压比较器302被配置为将所述电压与第二阈值进行比较。所述第二电压比较器302可被配置为直接监测所述电压，或通过对一段时间内流过所述二极管或电触点的电流进行积分来计算电压。所述第二电压比较器302可以是连续比较器。所述第二电压比较器302可由所述控制器310可控地启动或停用。在所述第二电压比较器302被停用时，所述第二电压比较器302的功耗可以是启动所述第二电压比较器302时的功耗的不到1％、不到5％、不到10％或不到20％。所述第二阈值的绝对值大于所述第一阈值的绝对值。如本文所使用的，术语实数x的“绝对值”或“模数”|x|是x的非负值而不考虑它的符号。即，

所述第二阈值可以是所述第一阈值的200％-300％。例如，所述第二阈值可以是100mV、150mV、200mV、250mV或300mV。所述第二电压比较器302和所述第一电压比较器301可以是相同组件。即，所述***121可以具有同一个电压比较器，其可在不同时间将电压与两个不同的阈值进行比较。

所述第一电压比较器301或所述第二电压比较器302可包括一个或多个运算放大器或任何其他适合的电路。所述第一电压比较器301或所述第二电压比较器302可具有高速度以允许所述***121在高通量的入射辐射粒子下操作。然而，具有高速度通常以功耗为代价。

所述计数器320被配置为记录入射在包括所述电触点119B的所述像素150上的至少若干个辐射粒子。所述计数器320可以是软件组件(例如，电脑内存中存储的数字)或硬件组件(例如，4017IC和7490IC)。

所述控制器310可以是诸如微控制器和微处理器等的硬件组件。所述控制器310被配置为从所述第一电压比较器301确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值(例如，所述电压的绝对值从低于所述第一阈值的绝对值增加到等于或超过所述第一阈值的绝对值的值)时启动时间延迟。在这里使用绝对值是因为电压可以是负的或正的，这取决于是使用二极管的阴极电压还是阳极电压或使用哪个电触点。所述控制器310可被配置为在所述第一电压比较器301确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值之前，保持停用所述第二电压比较器302、所述计数器320、以及所述第一电压比较器301的操作中不需要的任何其他电路。在所述电压变得稳定(即，所述电压的变化率大体上为零)之前或之后，所述时间延迟可期满。短语“变化率大体上为零”意指时间变化小于0.1％/ns。短语“变化率大体上为非零”意指所述电压的时间变化至少为0.1％/ns。

所述控制310可被配置为在所述时间延迟期间(其包括开始和期满)启动所述第二电压比较器。在实施例中，所述控制器310被配置为在所述时间延迟开始时启动所述第二电压比较器。术语“启动”意指使组件进入操作状态(例如，通过发送诸如电压脉冲或逻辑电平等信号，通过提供电力等)。术语“停用”意指使组件进入非操作状态(例如，通过发送诸如电压脉冲或逻辑电平等信号，通过切断电力等)。操作状态可具有比非操作状态更高的功耗(例如，高10倍、高100倍、高1000倍)。所述控制器310本身可被停用，直到所述第一电压比较器301的输出电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值时才启动所述控制器310。

如果在所述时间延迟期间，所述第二电压比较器302确定所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值的绝对值，则所述控制器310可被配置为使所述计数器320记录的数目中至少有一个数目增加一。

所述控制器310可被配置为使所述可选的电压表306在所述时间延迟期满时测量所述电压。所述控制器310可被配置为使所述电触点119B连接到电接地，以使电压复位并且使所述电触点119B上累积的任何载流子放电。在实施例中，所述电触点119B在所述时间延迟期满后连接到电接地。在实施例中，所述电触点119B连接到电接地并持续有限的复位时段。所述控制器310可通过控制所述开关305而使所述电触点119B连接到电接地。所述开关可以是晶体管，比如场效应晶体管(FET)。

在实施例中，所述***121没有模拟滤波器网络(例如，RC网络)。在实施例中，所述***121没有模拟电路。

所述电压表306可将其测量的电压作为模拟或数字信号馈送给所述控制器310。

所述***121可包括电连接到所述电触点119B的积分器309，其中所述积分器被配置为收集来自所述电触点119B的电流子。所述积分器309可在运算放大器的反馈路径中包括电容器。如此配置的所述运算放大器称为电容跨阻放大器(CTIA)。电容跨阻放大器通过防止所述运算放大器饱和而具有高的动态范围，并通过限制信号路径中的带宽来提高信噪比。来自所述电触点119B的载流子在一段时间(“积分期”)内累积在电容器上。在所述积分期期满后，所述电容器电压被采样，然后通过复位开关进行复位。所述积分器309可包括直接连接到所述电触点119B的电容器。

图7示意示出流过所述电触点119B的，由入射在包括所述电触点119B的像素150上的X射线光子产生的载流子所引起的电流的时间变化(上曲线)和所述电触点119B电压的对应时间变化(下曲线)。所述电压可以是电流相对于时间的积分。在时间t₀，所述X射线光子撞击所述像素150，载流子开始在所述像素150中产生，电流开始流过所述电触点119B，并且所述电触点119B的电压的绝对值开始增加。在时间t₁，所述第一电压比较器301确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值V1的绝对值，所述控制器310启动时间延迟TD1并且所述控制器310可在所述TD1开始时停用所述第一电压比较器301。如果所述控制器310在时间t₁之前被停用，在时间t₁启动所述控制器310。在所述TD1期间，所述控制器310启动所述第二电压比较器302。如这里使用的术语在时间延迟“期间”意指开始和期满(即，结束)以及中间的任何时间。例如，所述控制器310可在所述TD1期满时启动所述第二电压比较器302。如果在所述TD1期间，所述第二电压比较器302确定在时间t₂电压的绝对值等于或超过所述第二阈值V2的绝对值，则所述控制器310等待电压稳定。所述电压在时间t_e稳定，这时X射线光子产生的所有载流子漂移出所述X射线吸收层110。在时间t_s，所述时间延迟TD1期满。在时间t_e之时或之后，所述控制器310使所述电压表306数字化所述电压并且确定X射线光子的能量落在哪个仓中。然后所述控制器310使对应于所述仓的所述计数器320记录的数目增加一。在图7的示例中，所述时间t_s在所述时间t_e之后；即TD1在X射线光子产生的所有载流子漂移出X射线吸收层110之后期满。如果无法轻易测得时间t_e，TD1可根据经验选择以允许有足够的时间来收集由X射线光子产生的大体上上全部的载流子，但TD1不能太长，否则会有另一个入射X射线光子产生的载流子被收集的风险。即，TD1可根据经验选择使得时间t_s在时间t_e之后。时间t_s不一定在时间t_e之后，因为一旦达到V2，控制器310可忽视TD1并等待时间t_e。因此，电压和暗电流对电压的贡献值之间的差异的变化率在时间t_e大体上为零。所述控制器310可被配置为在TD1期满时或在时间t₂或中间的任何时间停用第二电压比较器302。

在时间t_e的电压与由X射线光子产生的载流子的数目成正比，所述数目与X射线光子的能量有关。所述控制器310可被配置为使用所述电压表306来确定X射线光子的能量。

在TD1期满或被所述电压表306数字化后(以较迟者为准)，所述控制器使所述电触点119B连接到电接地310并持续一个复位时段RST，以允许所述电触点119B上累积的载流子流到地面并复位电压。在RST之后，所述***121已准备好检测另一个入射X射线光子。若所述第一电压比较器301被停用，所述控制器310可在RST期满之前的任何时间启动它。若所述控制器310被停用，可在RST期满之前启动它。

尽管本文已经公开了各个方面和实施例，但是其他方面和实施例对于本领域技术人员而言将是显而易见的。本文公开的各个方面和实施例是为了说明的目的而不是限制性的，其真正的范围和精神应该以本文中的权利要求书为准。

Claims

1.一种方法，其包括：

将文件暴露于辐射；

使用辐射检测器捕获具有透射过所述文件的所述辐射的一部分，具有由所述辐射引起的从所述文件发射的第一特征X射线，或两者兼具的第一图像；

从所述第一图像确定图案；

根据所述图案确定所述文件的真实性。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述辐射是具有光子能量在6keV至9keV范围内的X射线。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述图案是所述辐射的强度分布、所述文件中化学元素的空间分布、所述文件厚度的空间分布或它们的组合。

4.如权利要求1所述的方法，其中根据所述图案确定文件的真实性包括将所述图案与参考图案进行比较。

5.如权利要求1所述的方法，其进一步包括捕获具有由辐射引起的从所述文件发射的第二特征X射线的第二图像；

其中确定所述图案既来自所述第一图像又来自所述第二图像；

其中所述第一特征X射线和所述第二特征X射线不同。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述辐射检测器包括：

辐射吸收层，其包括电触点；

第一电压比较器，其被配置为将所述电触点的电压与第一阈值进行比较；

第二电压比较器，其被配置为将所述电压与第二阈值进行比较；

计数器，其被配置为记录入射在所述辐射吸收层上的多个辐射粒子；

控制器；

其中所述控制器被配置为从所述第一电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值时开始延迟；

其中所述控制器被配置为在所述时间延迟期间激活所述第二电压比较器；

其中所述控制器被配置为当所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值的绝对值时使所述数量增加一。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述控制器被配置为在所述时间延迟的开始或终止时激活所述第二电压比较器。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述控制器被配置为将所述电触点连接到电接地。

9.如权利要求6所述的方法，其中所述电压的变化率在所述时间延迟终止时大致为零。

10.如权利要求6所述的方法，其中所述辐射检测器不包括闪烁体。