CN113497079A - 发光装置 - Google Patents
发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113497079A CN113497079A CN202010411352.1A CN202010411352A CN113497079A CN 113497079 A CN113497079 A CN 113497079A CN 202010411352 A CN202010411352 A CN 202010411352A CN 113497079 A CN113497079 A CN 113497079A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit pattern
- pattern layer
- emitting device
- light
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 7
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000017105 transposition Effects 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种发光装置，包括玻璃称底、第一电路图案层、第一图案化绝缘层、第二电路图案层以及多个发光元件。玻璃称底具有上表面。第一电路图案层设置于上表面上。第一图案化绝缘层设置于上表面上。第一图案化绝缘层部分地覆盖第一电路图案层上。第二电路图案层设置于上表面上。第二电路图案层的部分重叠第一电路图案层。发光元件电性连接第一电路图案层及第二电路图案层。第二电路图案层重叠第一电路图案层的部分夹设有第一图案化绝缘层的部分。第一电路图案层具有第一电压。第二电路图案层具有第二电压。第一电压与第二电压不同。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光装置，尤其涉及一种适用于玻璃称底的发光装置。
背景技术
随着发光二极管(light-emitting diode，LED)晶粒的发光效率的提升及生产技术的进步，LED晶粒已逐渐成为照明及显示领域的主流。举例来说，次毫米发光二极管显示装置(Mini LED Display)与微型发光二极管显示装置(Micro LED Display)逐渐吸引各科技大厂的投资目光。次毫米或微型发光二极管显示装置具有高色彩饱和度、应答速度快及高对比，且具有低耗能及材料使用寿命长的优势。
不过，目前进行晶粒转置的印刷电路板(printed circuit board，PCB)的平整度不高，除了难满足大面积转移的需求，更无法制作精细的电路图案。此外，以高密度设置的LED晶粒在作动时会产生大量的热能。因此，亟需散热佳且能制作高精细线路的电路称底。
发明内容
本发明是针对一种发光装置，其具有精细的电路图案以及优良的散热效果。
根据本发明的实施例，发光装置包括玻璃称底、第一电路图案层、第一图案化绝缘层、第二电路图案层以及多个发光元件。玻璃称底具有上表面。第一电路图案层设置于玻璃称底的上表面上。第一图案化绝缘层设置于上表面上，且第一图案化绝缘层部分地覆盖第一电路图案层上。第二电路图案层设置于上表面上，且第二电路图案层的部分重叠第一电路图案层。发光元件分别电性连接第一电路图案层及第二电路图案层。第二电路图案层重叠第一电路图案层的部分夹设有第一图案化绝缘层的部分。第一电路图案层具有第一电压。第二电路图案层具有第二电压。第一电压与第二电压不同。
在根据本发明的实施例的发光装置中，上述的第一电路图案层包括第一主体部以及连接第一主体部的多个第一电极部。第二电路图案层包括多条电路线。这些电路线的至少一者包括第二主体部以及连接第二主体部的第二电极部。
在根据本发明的实施例的发光装置中，上述的第一主体部与第二主体部在不同水平高度上部分重叠。第一主体部沿着第一方向延伸。第二主体部沿着第二方向延伸。第一方向垂直于第二方向。
在根据本发明的实施例的发光装置中，上述的第一图案化绝缘层包括多个第一开口。这些地一开口分别重叠并暴露第一电极部。
在根据本发明的实施例的发光装置中，上述的第二电路图案层不重叠这些第一开口。
在根据本发明的实施例的发光装置中，上述的发光装置还包括第二图案化绝缘层设置于第二电路图案层上。第二图案化绝缘层包括多个第二开口。这些第二开口的其中一者重叠并暴露第二电极部。
在根据本发明的实施例的发光装置中，上述的第二图案化绝缘层还包括多个第三开口。这些第三开口对应重叠这些第一开口。
在根据本发明的实施例的发光装置中，上述的第一电路图案层包括至少一第一电极部。第二电路图案层包括多个第二电极部以及连接这些第二电极部的多个桥接部。第一电极部与第二电极部共平面。第一电极部的延伸方向沿着第一方向延伸。这些第二电极部的连接方向沿着第二方向延伸。第一方向垂直于第二方向。
在根据本发明的实施例的发光装置中，上述的这些桥接部的任一者电性连接这些第二电极部的相邻任两者。桥接部对应地重叠第一图案化绝缘层的部分以对应地横跨这些第一电极部的任一者。
在根据本发明的实施例的发光装置中，上述的玻璃称底包括选自纳钙硅酸盐玻璃称底、铝硅酸盐玻璃称底、硼硅酸盐玻璃称底、铅硅酸盐玻璃称底及蓝宝石称底的群组中的一者。
基于上述，由于本发明一实施例的发光装置具有表面平整度高的玻璃称底，因此可在玻璃称底上，以黄光微影蚀刻制程制作出高精细度的第一电路图案层及第二电路图案层。藉此，能进一步提升线路布局的密度，使发光装置可满足高解析度或高亮度的需求。此外，发光装置的玻璃称底还能将发光元件作动时产生的热能进行有效且优良的散热。藉此，发光装置的效能更可进一步的提升。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1A是本发明一实施例一种发光装置的局部上视示意图；
图1B是图1A的剖面线A-A’的剖面示意图；
图2是本发明另一实施例的发光装置的局部上视示意图；
图3是本发明又一实施例的发光装置的剖面示意图；
图4A是本发明再一实施例的发光装置的局部上视示意图；
图4B是图4A的剖面线B-B’的剖面示意图；
图4C是图4A的剖面线C-C’的剖面示意图。
附图标记说明
10、10A、10B、10C:发光装置；
100:玻璃称底；
101:上表面；
120、120A、120B、120C:第一电路图案层；
121C、124、124A:第一电极部；
122、122A:第一主体部；
130B:第三电路图案层；
140、140B、140C:第一图案化绝缘层；
142、142B:第一开口；
150B:第四电路图案层；
160、160A、160B、160C:第二电路图案层；
161、161A:第一电路线；
1614、1614A、1624、1624A、1634、1634A、161C、162C:第二电极部；
1612、1612A、1622、1622A、1632、1632A:第二主体部；
162、162A:第二电路线；
163、163A:第三电路线；
163C:桥接部；
180、180B:第二图案化绝缘层；
182、182B:第二开口；
184、184B:第三开口；
191:第一导电结构；
192:第二导电结构；
200:发光元件；
210:第一发光元件；
201、211、221、231:第一接点；
202、212、222、232:第二接点；
220:第二发光元件；
230:第三发光元件；
320B:第三图案化绝缘层；
322B:第四开口；
324B:第五开口；
340B:第四图案化绝缘层；
342B:第六开口；
344B:第七开口；
A-A’、B-B’、C-C’:剖面线；
D1、D3:第一方向；
D2、D4:第二方向；
M、M+1、M+2、M+3:直行；
N、N+1、N+2:横列；
V1:通孔。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
下文列举一些实施例并配合所附附图来进行详细地说明，但所提供的实施例并非用以限制本发明所涵盖的范围。此外，附图仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图。为了方便理解，下述说明中相同的元件将以相同的符号标示来说明。
图1A是本发明一实施例一种发光装置的局部上视示意图。图1B是图1A的剖面线A-A’的剖面示意图。图1A及图1B为了附图清楚及方便说明，而省略示出了部分膜层或元件。请参考图1A及图1B，本实施例的发光装置10包括玻璃称底100、第一电路图案120设置于玻璃称底100上、第一图案化绝缘层140设置于玻璃称底100上、第二电路案层160设置于玻璃称底100上以及多个发光元件200分别电性连接第一电路图案层120及第二电路图案层160。在本实施例中，第一电路图案层120与第二电路图案层160分别具有第一电压及第二电压，且第一电压与第二电压不同。在上述的设置下，本实施例的发光装置10可以在玻璃称底100上以精细线路的制作工艺设置第一电路图案120及第二电路图案160。此外，玻璃称底100还能将发光元件200作动时产生的热能进行有效且优良的散热。在一些实施例中，发光装置10例如应用为LED光源的背光模块(backlight module，BLM)，例如：作为液晶显示面板的背光模块。在另一些实施例中，发光装置10例如应用为LED显示面板(LED display panel)，例如：作为户外大型显示面板，或室内外皆适用的高亮度的标示用显示面板。然而，本发明不以此为限。
请参考图1A及图1B，发光装置10包括玻璃称底100。玻璃称底100具有上表面101。在本实施例中，玻璃称底100包括选自钠钙硅酸盐玻璃称底、铝硅酸盐玻璃称底、硼硅酸盐玻璃称底、铅硅酸盐玻璃称底及蓝宝石称底的群组中的一者，但不以此为限。举例来说，钠钙硅酸盐玻璃又称为钠钙玻璃。钠钙玻璃的基本成分为二氧化硅并含有特定比例的氧化钠及氧化钙的材料。钠钙硅酸盐玻璃是生产历史最悠久的玻璃***，也是当今产量最高且用途最广的一种玻璃，其具有成本上的优势。
在本实施例中，第一电路图案层120设置于玻璃称底100的上表面101上。第一电路图案层120包括第一主体部122及连接第一主体部122的多个第一电极部124。在本实施例中，第一电极部124与第一主体部122例如是一体成形的方式设置，使第一电极部124实质上为第一主体部122的一部分。如图1A所示，第一主体部122沿着第一方向D1(例如：图1A的左侧往右侧方向)延伸。
第一电路图案层120的材质例如是导电性材料，包括金属材料。所述金属材料可例如是钛、铜、镍、钯、金、银或铝，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一电路图案层120的材质也可以是上述金属的合金。
由于第一电路图案层120设置于玻璃称底100的平整表面上，因此可以通过黄光微影蚀刻制程制作出高精细度的第一电路图案层120。举例来说，第一电路图案层120例如是高精细度的信号线，其线宽为30微米至800微米，但不以此为限。
在本实施例中，第一图案化绝缘层140设置于玻璃称底100的上表面101上。第一图案化绝缘层140至少部分地覆盖第一电路图案层120上。如图1A及图1B所示，第一图案化绝缘层140包括多个第一开口142。第一开口142重叠并暴露第一电路图案层120的第一电极部124。从另一角度来说，第一开口142重叠并暴露的第一电路图案层120的部分可被定义为第一电极部124。
第一图案化绝缘层140的材质例如为无机绝缘材料、有机绝缘材料或其组合。举例而言，无机绝缘材料可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合；有机绝缘材料可以是聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料，但本发明不以此为限。
在本实施例中，第二电路图案层160设置于玻璃称底100的上表面101上。举例来说，第二电路图案层160设置于第一图案化绝缘层140上，且第二电路图案层160的部分重叠第一电路图案层120。如图1B所示，在第二电路图案层160重叠第一电路图案层120的部分，第一图案化绝缘层140的部分夹设于第一电路图案120与第二电路图案160之间。在本实施例中，第二电路图案的材质例如是导电性材料，包括金属材料。所述金属材料可例如是钛、铜、镍、钯、金、银或铝，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第二电路图案层160的材质也可以是上述金属的合金。
详细来说，本实施例的第二电路图案层160包括多条电路线，例如第一电路线161、第二电路线162及第三电路线163。第一电路线161、第二电路线162及第三电路线163彼此平行地设置，且分别与第一电路图案层120的第一主体部122垂直交错。
更详细来说，以第一电路线161为例，第一电路线161包括第二主体部1612以及连接第二主体部1612的第二电极部1614。在本实施例中，第二电极部1614与第二主体部1612例如是一体成形的方式设置，使第二电极部1614实质上为第二主体部1612的一部分。如图1A所示，第二主体部1612沿着第二方向D2(例如：图1A的上侧往下侧方向)延伸。在本实施例中，第一方向D1垂直于第二方向D2。如此一来，第一主体部122与第二主体部1612在不同的水平高度上交错并部分重叠，但不以此为限。
此外，第一电路线161的第二主体部1612还不重叠第一开口142。也就是说，在设置第二电路图案层160时，会避开第一图案化绝缘层140的第一开口142，使第二电路图案层160不重叠第一开口142。如此一来，可以在后续的制程中将第一电路图案层120的信号引出。
在本实施例中，第二电路图案层160的第二电路线162包括第二主体部1622及连接第二主体部1622的第二电极部1624。第二电路图案层160的第三电路线163包括第二主体部1632及连接第二主体部1632的第二电极部1634。第二电路线162及第三电路线163的设置方式与结构类似第一电路线161，故不再赘述。
由于第二电路图案层160设置于玻璃称底100及第一图案化绝缘层140的平整表面上，因此可以通过黄光微影蚀刻制程制作出高精细度的第二电路图案层160。举例来说，第二电路图案层160例如是高精细度的信号线，其线宽为30微米至800微米，但不以此为限。
在本实施例中，发光装置10还包括第二图案化绝缘层180。第二图案化绝缘层180设置于第二电路图案层160上。如图1A及图1B所示，第二图案化绝缘层180包括多个第二开口182。第二开口182的其中一者重叠并暴露第二电路图案层160的第一电路线161的第二电极部1614。从另一角度来说，第二开口182重叠并暴露的第一电路线161的部分可被定义为第二电极部1614。
在本实施例中，其他的第二开口182可分别重叠并暴露第二电路线162的第二电极部1624及第三电路线163的第二电极部1634。第二开口182可应用为接触窗(contactwindow)，以将第二电路图案层160的信号引出。
在本实施例中，第二图案化绝缘层180还包括多的第三开口184。这些第三开口184对应重叠多个第一开口142。在本实施例中，第一开口142与第三开口184可以对齐重叠而使形成的接触窗具有连续的侧壁，但本发明不以此为限。实际上，第一开口142与第三开口184仅须彼此对应地重叠设置，而能形成暴露第一电路图案层120的接触窗，即能达成本发明引出第一电路图案层120的信号的效果。
第二图案化绝缘层180的材质例如为无机绝缘材料、有机绝缘材料或其组合。举例而言，无机绝缘材料可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合；有机绝缘材料可以是聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料，但本发明不以此为限。
在一些实施例中，第二图案化绝缘层180的材质还可以包括反射型绝缘材料，例如：混合有二氧化钛粒子的透明油墨、透明压克力系光致抗蚀剂或透明硅系光致抗蚀剂。在另一些实施例中，第二图案化绝缘层180的材质还可以包括吸收型绝缘材料，例如：混合有碳粒子的墨水、压克力系光致抗蚀剂或硅系光致抗蚀剂。藉此，发光装置10在应用为背光模块时可具有良好的光取出效率，或在应用为显示面板时可具有良好的显示对比。
在本实施例中，多个导电结构可以设置于第一电路图案120上或第二电路图案160上以作为接垫(contact pad)。举例来说，第一导电结构191可以设置于第一开口142与第三开口184中所形成的接触窗中并接触第一电极部124。第二导电结构192可以设置于第二开口182所形成的接触窗中并接触第二电极部1614、第二电极部1624和/或第二电极部1634。藉此，第一导电结构191与第二导电结构192可以分别电性连接至第一电路图案层120及第二电路图案层160。
第一导电结构191与第二导电结构192的材料例如是导电材料，包括锡膏、铜膏或银膏，但不以此为限。
在本实施例中，第一电路图案层120具有的第一电压可以大于第二电路图案层160具有的第二电压。也就是说，第一导电结构191例如是阳极(anode)，而第二导电结构192例如是阴极(cathode)，而使电流由第一电路图案层120经过发光元件200流向第二电路图案层160，但本发明不以此为限。
在本实施例中，多个发光元件200设置于第二图案化绝缘层180上。发光元件200例如是次毫米发光二极管(Mini LED)或微型发光二极管(micro LED)。如图1A及图1B所示，发光元件200包括第一发光元件210、第二发光元件220及第三发光元件230。以第一发光元件210为例说明，第一发光元件210包括第一接点211及第二接点212。第一接点211电性连接第一导电结构191。第二接点212电性连接第二导电结构192。在上述的设置下，第一发光元件210可以电性连接第一电路图案层120及第二电路图案层160的第一电路线161。
在本实施例中，第二发光元件220可通过第一接点221电性连接第一电路图案层120，并通过第二接点222电性连接第二电路图案层160的第二电路线162。第三发光元件230可通过第一接点231电性连接第一电路图案层120，并通过第二接点232电性连接第二电路图案层160的第三电路线163。在上述的设置下，发光元件200可通过在不同水平高度设置多层线路的方式，而在单位面积上容纳更多及更复杂的线路布局。如此一来，可以提升发光装置10的线路的布局密度，使发光装置10具有小体积及高解析度的优良质量。
值得注意的是，双面线路层的印刷电路板的表面平整度不佳，因此无法制作高精细度的电路图案。本实施例的发光装置10具有玻璃称底100，其表面平整度高，因此可在玻璃称底100的上表面101上，以黄光微影蚀刻制程制作出高精细度的第一电路图案层120。接着在玻璃称底100上的平整的第一图案化绝缘层140上，以黄光微影蚀刻制程制作出高精细度的第二电路图案层160。在上述的设置下，第一图案化绝缘层140与第二电路图案层160可达到线宽小于100微米的高精细度需求，而能进一步提升线路布局的密度，使发光装置10可应用于高解析度(例如4K或8K的显示技术)的显示装置，或具有高亮度需求的背光模块。
此外，发光装置10的玻璃称底100还能将发光元件200作动时产生的热能进行有效且优良的散热。藉此，发光装置10的效能更可进一步的提升。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，关于省略了相同技术内容的部分说明可参考前述实施例，下述实施例中不再重复赘述。
图2是本发明另一实施例的发光装置的局部上视示意图。图2为了附图清楚及方便说明，而省略示出了部分膜层或元件。请参考图1A及图2，本实施例的发光装置10A与图1A的发光装置10相似，主要的差异在于：多个发光单元200的设置位置及相对应的第一电路图案层120A与第二电路图案层160A的图案。具体来说，在本实施例中，第一电路图案120A的第一主体部122A沿着第一方向D1延伸，且多个第一电极部124A由第一主体部122A往第二方向D2延伸，或先往第二方向D2延伸再平行第一主体部122A设置以形成分支。这些第一电极部124A部分地重叠第一开口142及第三开口184所形成的接触窗，并被接触窗所暴露。
第二电路图案160A包括第一电路线161A、第二电路线162A及第三电路线163A。第一电路线161A的第二主体部1612A平行于第二电路线162A的第二主体部1622A及第三电路线163A的第二主体部1632A。第二主体部1612A、第二主体部1622A与第二主体部1632A沿着第二方向D2延伸。第二电极部1614A由第二主体部1612A往第一方向D1延伸。第二电极部1634A由第二主体部1632A往第一方向D1延伸。第二电极部1614A及第二电极部1634A分别重叠不同的两个第二开口182，且被上述的两个第二开口182所暴露。在本实施例中，第一发光元件210电性连接第一电极部124A及第二电极部1614A。第三发光元件230电性连接第一电极部124A及第二电极部1634A。
如图2所示，在第二方向D2上，由于第二电路线162A的第二主体部1622A与第二电极部1624A之间设置有第一电路线161A，因此第二电极部1624A无法直接地连接至第二主体部1622A。本实施例的第二电路线162A通过与第一电路图案层120A同层设置的第二电极部1624A以横跨第一电路线161A。
具体来说，第二电极部1624A与第一电路图案层120A共平面的设置。如此一来，第二电极部1624A的一端可在重叠第二主体部1622A的位置上，通过通孔V1以彼此电性连接。第二电极部1624A的另一端重叠第二开口182并被第二开口182所暴露。在上述的设置下，第二电路线162A可以通过设置第一电路图案层120A时同时设置的第二电极部1624A，横跨第一电路线161A而达成将后续设置的第二发光元件220连接至第二主体部1622A的技术效果。如此一来，本实施例可以不额外设置线路层而完成线路布局，进而能简化制程。
在本实施例中，第二发光元件220电性连接第一电极部124A及第二电极部1624A。在上述的设置下，本实施例的发光装置10A通过在不同水平高度设置多层线路的方式，除了在单位面积上容纳更多及更复杂的线路布局外，更增加了线路布局裕度。此外，发光装置10A还可获致与上述实施例相同的效果。
图3是本发明又一实施例的发光装置的剖面示意图。请参考图1B及图3，本实施例的发光装置10B与图1B的发光装置10相似，主要的差异在于：本实施例的发光装置10B例如为具有四层线路层的结构，但线路层的数量不以此为限。具体来说，发光装置10B包括玻璃称底100、第一电路图案层120B、第一图案化绝缘层140B、第二电路图案层160B、第二图案化绝缘层180B、第三电路图案层130B、第三图案化绝缘层320B、第四电路图案层150B以及第四图案化绝缘层340B。第三电路图案层130B以及第四电路图案层150B的材料与第一电路图案层120B、第二电路图案层160B的材料相似，故不再赘述。第三图案化绝缘层320B以及第四图案化绝缘层340B的材料与第一图案化绝缘层140B、第二图案化绝缘层180B的材料相似，故不再赘述。
在本实施例中，部分的第一电路图案层120B还可以暴露于第一图案化绝缘层140B外。此外，部分的第二电路图案层160B也可以暴露于第二图案化绝缘层180B外。如此一来，第一电路图案层120B与第二电路图案层160B可应用为信号的接点，但不以此为限。
在本实施例中，第三电路图案层130B设置于第二图案化绝缘层180B上，且第三电路图案层130B不重叠第二开口182B。第三电路图案层130B还可设置于第一开口142B与第三开口184B中，以电性连接至第一电路图案层120B。
第三图案化绝缘层320B设置于第三电路图案层130B上，且具有多个第四开口322B重叠并暴露第三电路图案层130B。此外，第三图案化绝缘层320B还包括多个第五开口324B。第五开口324B对应重叠第二开口182B。
第四电路图案层150B设置于第三图案化绝缘层320B上，且第四电路图案层150B不重叠第四开口322B。第四电路图案层150B还可设置于第二开口182B与第五开口324B中，以电性连接至第二电路图案层160B。
第四图案化绝缘层340B设置于第四电路图案层150B上，且具有多个第六开口342B重叠并暴露第四电路图案层150B。此外，第四图案化绝缘层340B还包括多个第七开口344B。第七开口344B对应重叠第四开口322B。
在上述的设置下，第一导电结构191可以设置于第四开口322B与第七开口344B中并接触第三电路图案层130B，以电性连接第一电路图案层120B。第二导电结构192可以设置于第六开口342B中并接触第四电路图案层150B，以电性连接第二电路图案层160B。藉此，发光元件200(包括第一发光元件210、第二发光元件220及第三发光元件230)可设置于第一导电结构191及第二导电结构192上，并通过不同水平高度的多层线路层的方式，容纳更多及更复杂的线路布局。如此一来，可以提升发光装置10B的线路的布局密度，使发光装置10B具有小体积及高解析度的优良质量。此外，发光装置10B还可获致与上述实施例相同的效果。
图4A是本发明再一实施例的发光装置的局部上视示意图。图4A为了附图清楚及方便说明，而省略示出了部分膜层或元件。图4B是图4A的剖面线B-B’的剖面示意图。图4C是图4A的剖面线C-C’的剖面示意图。请参考图4A及图1A，本实施例的发光装置10C与图1A的发光装置10相似，主要的差异在于：第一电路图案层120C与第二电路图案层160C的至少部分共平面。
举例来说，发光装置10C的第一电路图案层120C包括多个第一电极部121C设置于玻璃称底100上。这些第一电极部121C的延伸方向例如是沿着第一方向D3延伸(例如：图4A的上侧往下侧方向)。如图4A所示，多个第一电极部121C平行地沿着第二方向D4排列成多个直行M、M+1、M+2、M+3。在本实施例中，第一方向D3垂直于第二方向D4。
第二电路图案层160C包括多个第二电极部(例如第二电极部161C、162C)设置于玻璃称底100上。这些第二电极部161C、162C的排列方向例如是沿着第二方向D4延伸(例如：图4A的左侧往右侧方向)，以形成一横列N。多个第二电极部的横列N、N+1、N+2可以沿着第一方向D3排列。
第二电路图案层160C还包括多个桥接部163C。桥接部163C设置于相邻的两个第二电极部161C、162C之间，以将相邻两个第二电极部161C、162C彼此电性连接。由于相邻的两个第二电极部161C、162C之间设置有一个第一电极部121C，因此可通过第二电路图案层160C的桥接部163C来横跨第一电极部121C，使第二电极部161C、162C的连接方向可以沿着第二方向D4延伸。
请同时参考图4A及图4B。具体来说，由于第一电极部121C与第二电极部161C、162C共平面，且相邻的两个第二电极部161C、162C设置有第一电极部121C。因此，将第一图案化绝缘层140C设置于第一电极部121C的部分上。举例来说，在横列N、N+1、N+2上，第一图案/化绝缘层140C重叠第一电极部121C的部分。桥接部163C对应地重叠第一图案化绝缘层140C以对应地横跨的一电极部121C。藉此，桥接部163C可电性连接相邻的两个第二电极部161C、162C，而能将信号在横列N、N+1、N+2上的多个第二电极部依序传递。在上述的设置下，第一电路图案层120C与第二电路图案层160C可以在相同高度的平面上达成交错排列。
请参考图4A及图4C，多个发光元件200还可以阵列方式设置于第一电路图案层120C及第二电路图案层160C上。发光元件200的第一接点201可以通过第一导电结构191以电性连接至第一电极部121C(第一电路图案层120C)。第二接点202可以通过第二导电结构192以电性连接至第二电极部162C(第二电路图案层160C)。在本实施例中，第一电路图案层120C具有的第一电压可以大于第二电路图案层160C具有的第二电压。也就是说，第一导电结构191例如是阳极(anode)，而第二导电结构192例如是阴极(cathode)，但本发明不以此为限。藉此，第一电路图案层120C与第二电路图案层160C能够以阵列的方式驱动多个发光元件200，而使发光装置10C能应用于背光模块或显示面板的领域中。
在上述的设置下，发光装置10C可以在同一水平高度上，设置第一电路图案层120C与第二电路图案层160C，且第二电路图案层160C的第二电极部161C、162C可以通过桥接部163C达成横跨第一电路图案层120C的技术手段。如此一来，发光装置10C除了可以不额外设置线路层而完成线路布局，进而能简化制程，还可以具有薄型化的优势。此外，发光装置10C还可获致与上述实施例相同的效果。
综上所述，本发明一实施例的发光装置，由于具有表面平整度高的玻璃称底，因此可在玻璃称底上，以黄光微影蚀刻制程制作出高精细度的第一电路图案层及第二电路图案层。在上述的设置下，第一图案化绝缘层与第二电路图案层可达到精细线宽的高精细度需求，而能进一步提升线路布局的密度，使发光装置可满足高解析度或高亮度的需求。此外，发光装置的玻璃称底还能将发光元件作动时产生的热能进行有效且优良的散热。藉此，发光装置的效能更可进一步的提升。另外，发光装置还能在单位面积上容纳更多及更复杂的线路布局。如此一来，可以提升发光装置的线路的布局密度，使发光装置具有小体积及高解析度的优良质量。此外，发光装置还能在不额外设置线路层而完成线路布局，进而能简化制程，更具有薄型化的优势。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种发光装置，其特征在于，包括：
玻璃称底，具有上表面；
第一电路图案层设置于所述玻璃称底的所述上表面上；
第一图案化绝缘层设置于所述上表面上，且所述第一图案化绝缘层部分地覆盖所述第一电路图案层上；
第二电路图案层设置于所述上表面上，且所述第二电路图案层的部分重叠所述第一电路图案层；以及
多个发光元件分别电性连接所述第一电路图案层及所述第二电路图案层，
其中所述第二电路图案层重叠所述第一电路图案层的部分夹设有所述第一图案化绝缘层的部分；
其中所述第一电路图案层具有第一电压，所述第二电路图案层具有第二电压，且所述第一电压与所述第二电压不同。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一电路图案层包括第一主体部以及连接所述第一主体部的多个第一电极部，所述第二电路图案层包括多条电路线，所述多条电路线的至少一者包括第二主体部以及连接所述第二主体部的第二电极部。
3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述第一主体部与所述第二主体部在不同水平高度上部分重叠，且所述第一主体部沿着第一方向延伸，所述第二主体部沿着第二方向延伸，其中所述第一方向垂直于所述第二方向。
4.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述第一图案化绝缘层包括多个第一开口，且所述多个第一开口分别重叠并暴露所述多个第一电极部。
5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述第二电路图案层不重叠所述多个第一开口。
6.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置还包括第二图案化绝缘层设置于所述第二电路图案层上，其中所述第二图案化绝缘层包括多个第二开口，且所述多个第二开口的其中一者重叠并暴露所述第二电极部。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，其中所述第二图案化绝缘层还包括多个第三开口，且所述多个第三开口对应重叠所述多个第一开口。
8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一电路图案层包括至少一第一电极部，所述第二电路图案层包括多个第二电极部以及连接所述多个第二电极部的多个桥接部，其中所述至少一第一电极部与所述多个第二电极部共平面，所述至少一第一电极部的延伸方向沿着第一方向延伸，且所述多个第二电极部的连接方向沿着第二方向延伸，其中所述第一方向垂直于所述第二方向。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，所述多个桥接部的任一者电性连接所述多个第二电极部的相邻任两者，且所述桥接部对应地重叠所述第一图案化绝缘层的部分以对应地横跨所述多个第一电极部的任一者。
10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述玻璃称底包括选自钠钙硅酸盐玻璃称底、铝硅酸盐玻璃称底、硼硅酸盐玻璃称底、铅硅酸盐玻璃称底及蓝宝石称底的群组中的一者。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW109111454A TWI722857B (zh) | 2020-04-06 | 2020-04-06 | 發光裝置 |
| TW109111454 | 2020-04-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113497079A true CN113497079A (zh) | 2021-10-12 |
Family
ID=76036142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010411352.1A Pending CN113497079A (zh) | 2020-04-06 | 2020-05-15 | 发光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113497079A (zh) |
| TW (1) | TWI722857B (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103487973A (zh) * | 2012-06-12 | 2014-01-01 | 介面光电股份有限公司 | 偏光片的触控感应元件制作方法与该方法制作的偏光装置 |
| TW201737441A (zh) * | 2016-04-01 | 2017-10-16 | 艾克斯瑟樂普林特有限公司 | 藉由微轉印之壓力啟動電性互連 |
| CN108417682A (zh) * | 2018-03-22 | 2018-08-17 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种微型发光元件及其制作方法 |
| TW201907555A (zh) * | 2017-07-05 | 2019-02-16 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 顯示面板 |
| CN109979981A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-07-05 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN110362221A (zh) * | 2018-03-26 | 2019-10-22 | 财团法人工业技术研究院 | 触控显示面板 |
| US20200028044A1 (en) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | Au Optronics Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI711188B (zh) * | 2013-06-27 | 2020-11-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體組件 |
| TWI729641B (zh) * | 2013-07-17 | 2021-06-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光二極體結構 |
| TW201616699A (zh) * | 2014-10-30 | 2016-05-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 驅動覆晶發光晶片之電路板及包含其之發光模組 |
-
2020
- 2020-04-06 TW TW109111454A patent/TWI722857B/zh active
- 2020-05-15 CN CN202010411352.1A patent/CN113497079A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103487973A (zh) * | 2012-06-12 | 2014-01-01 | 介面光电股份有限公司 | 偏光片的触控感应元件制作方法与该方法制作的偏光装置 |
| TW201737441A (zh) * | 2016-04-01 | 2017-10-16 | 艾克斯瑟樂普林特有限公司 | 藉由微轉印之壓力啟動電性互連 |
| TW201907555A (zh) * | 2017-07-05 | 2019-02-16 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 顯示面板 |
| CN108417682A (zh) * | 2018-03-22 | 2018-08-17 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种微型发光元件及其制作方法 |
| CN110362221A (zh) * | 2018-03-26 | 2019-10-22 | 财团法人工业技术研究院 | 触控显示面板 |
| US20200028044A1 (en) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | Au Optronics Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| CN109979981A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-07-05 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI722857B (zh) | 2021-03-21 |
| TW202139419A (zh) | 2021-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11374086B2 (en) | Devices with a single metal layer | |
| US10381430B2 (en) | Redistribution layer for substrate contacts | |
| US11430774B2 (en) | Bezel-free displays | |
| CN110211987B (zh) | 发光二极管面板 | |
| CN101320736A (zh) | 有机发光显示器件及其母板 | |
| CN213718310U (zh) | 电路板、灯板、背光模组及显示装置 | |
| WO2021087726A1 (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| KR102644916B1 (ko) | 발광다이오드 패키징 어셈블리 | |
| CN114068503A (zh) | 微型led显示面板及其制备方法 | |
| CN113497079A (zh) | 发光装置 | |
| CN112291923A (zh) | 电路板、灯板、背光模组及显示装置 | |
| CN112349710A (zh) | 一种rgb-led的封装结构和封装方法 | |
| WO2023005610A1 (zh) | 驱动基板及其制备方法、发光装置 | |
| CN113314509B (zh) | 发光装置 | |
| CN113380777B (zh) | 异质集成透明MicroLED显示装置及其制作方法 | |
| JP4587607B2 (ja) | フレキシブル回路基板および表示装置 | |
| WO2024036636A1 (zh) | 基板和电子装置 | |
| CN217983391U (zh) | 显示模组的基板及显示模组 | |
| CN220585250U (zh) | 一种微小间距叠层化集成化封装led | |
| US11835816B2 (en) | Circuit board for light-emitting diode assembly, backlight unit including the same and image display device including the same | |
| CN219591393U (zh) | 一种发光基板和显示装置 | |
| CN118367094A (zh) | 小间距发光模块及其导电基板 | |
| WO2024000661A1 (zh) | 显示面板及其制作方法、电子终端 | |
| CN114864623A (zh) | 一种拼接屏及其制备方法 | |
| CN113629092A (zh) | 具有透光基板的微芯片列阵光学组件制造方法及该组件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20211012 |