CN113421903A - 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置。显示基板包括：基底；位于基底一侧的有源层、第一绝缘层、栅电极、第二绝缘层、源电极和漏电极，第一绝缘层和第二绝缘层位于显示区和金属走线区；金属走线，位于金属走线区；第一平坦层，位于显示区，且位于源电极和漏电极背离基底的一侧；第二平坦层，位于金属走线区，且位于金属走线背离基底的一侧，至少部分第二平坦层的厚度小于第一平坦层的厚度；位于第一平坦层背离基底一侧的有机发光二极体。本公开的技术方案，可以减少第二平坦层在受热/冷冲击时的收缩/膨胀程度，避免位于第二平坦层上下两侧的膜层发生剥离或裂纹，避免驱动异常和封装失效。

Description

显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置。

背景技术

有机发光二极体(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是近年来逐渐发展起来的显示照明技术，尤其在显示行业，OLED显示由于具有高响应、高对比度、可柔性化等优点，被视为拥有广泛的应用前景。

OLED显示基板包括显示区和非显示区，非显示区包括金属走线区。现有技术中的OLED显示基板，金属走线区容易出现膜层剥离或裂纹，导致OLED驱动异常或者封装失效。

发明内容

本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

作为本公开实施例的第一个方面，本公开实施例提供一种显示基板，显示基板包括显示区和位于显示区之外的金属走线区，显示基板包括：

基底；

位于基底一侧的有源层、第一绝缘层、栅电极、第二绝缘层、源电极和漏电极，有源层、栅电极、源电极和漏电极位于显示区，第一绝缘层和第二绝缘层位于显示区和金属走线区；

金属走线，位于金属走线区；

第一平坦层，位于显示区，且位于源电极和漏电极背离基底的一侧；

第二平坦层，位于金属走线区，且位于金属走线背离基底的一侧，至少部分第二平坦层的厚度小于第一平坦层的厚度；

多个有机发光二极体，位于显示区且位于第一平坦层背离基底的一侧，有机发光二极体与源电极或漏电极连接。

在一些可能的实现方式中，第二平坦层的厚度范围为0.5μm至4μm。

在一些可能的实现方式中，第二平坦层包括第一部分和第二部分，第一部分在基底上的正投影与金属走线在基底上的正投影交叠，第二部分在基底上的正投影与金属走线在基底上的正投影不交叠，第一部分的远离基底一侧的表面与基底之间的距离大于第二部分的远离基底一侧的表面与基底之间的距离。

在一些可能的实现方式中，显示基板还包括：

金属连接层，位于显示区，且位于第一平坦层背离基底的一侧；

第三平坦层，位于显示区，且位于金属连接层背离基底的一侧。

在一些可能的实现方式中，显示基板还包括第四平坦层，第四平坦层位于金属走线区，且位于第二平坦层背离基底的一侧，至少部分第四平坦层的厚度小于第三平坦层的厚度。

在一些可能的实现方式中，第二平坦层和第一平坦层通过一次图案化工艺形成。

在一些可能的实现方式中，第二平坦层和第一平坦层的材质相同，第二平坦层和第一平坦层的材质为负性光刻树脂胶或者负性光刻树脂胶。

在一些可能的实现方式中，金属走线与源电极或漏电极位于同一层。

在一些可能的实现方式中，显示区设置有多条信号线，显示基板还包括绑定区，金属走线用于将信号线与绑定区的焊垫连接。

作为本公开实施例的第二方面，本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，显示基板包括显示区和位于显示区之外的金属走线区，方法包括：

在基底的一侧形成有源层、第一绝缘层、栅电极、第二绝缘层、源电极、漏电极和金属走线，有源层、栅电极、源电极和漏电极位于显示区，第一绝缘层和第二绝缘层位于显示区和金属走线区，金属走线位于金属走线区；

在源电极和漏电极背离基底的一侧形成位于显示区的第一平坦层，并在金属走线背离基底的一侧形成位于金属走线区的第二平坦层，第二平坦层的厚度小于第一平坦层的厚度；

在第一平坦层背离基底的一侧形成位于显示区的多个有机发光二极体，有机发光二极体与源电极或漏电极连接。

在一些可能的实现方式中，在源电极和漏电极背离基底的一侧形成位于显示区的第一平坦层，并在金属走线背离基底的一侧形成位于金属走线区的第二平坦层，包括：

采用涂覆工艺在源电极、漏电极、金属走线背离基底的一侧形成平坦薄膜；

采用半色调掩膜对平坦薄膜进行曝光和显影，在显示区形成第一过孔以形成位于显示区的第一平坦层，沿垂直于基底的方向去除位于金属走线区的部分平坦薄膜，以形成位于金属走线区的第二平坦层，第二平坦层的厚度小于第一平坦层的厚度。

作为本公开实施例的第三方面，本公开实施例提供一种显示面板，包括本公开任一实施例中的显示基板，还包括盖板玻璃，盖板玻璃与显示基板相对贴合。

作为本公开实施例的第四方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括本公开任一实施例中的显示基板，或者，包括本公开任一实施例中的显示面板。

本公开实施例的显示基板，在显示区设置第一平坦层，有机发光二极***于第一平坦层背离基的一侧，可以满足显示区采用喷墨打印形成OLED像素的平坦化要求，可以保证OLED像素点亮均一性；在金属走线背离基底的一侧设置第二平坦层，第二平坦层可以对金属走线起到保护作用，可以防止金属走线被划伤，并且，第二平坦层还可以防止金属走线之间的驱动信号串扰。另外，至少部分第二平坦层的厚度小于第一平坦层的厚度，使得至少部分第二平坦层的厚度减薄，减少了第二平坦层在受热/冷冲击时的收缩/膨胀程度，有利于避免金属走线区位于第二平坦层上下两侧的膜层发生剥离或裂纹，避免驱动异常和封装失效。

上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

附图说明

在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本公开范围的限制。

图1为一种OLED显示基板的平面结构示意图；

图2为本公开一实施例中显示基板的截面结构示意图；

图3为本公开一实施例显示基板在图1中的A-A截面示意图；

图4为本公开另一实施例中显示基板的截面示意图；

图5为本公开一实施例显示基板中形成源电极和漏电极后的示意图；

图6a为本公开一实施例显示基板中形成平坦薄膜后的示意图；

图6b为本公开一实施例显示基板中形成第一平坦层和第二平坦层后的示意图。

附图标记说明：

10、显示区；20、金属走线区；21、金属走线；30、绑定区；31、基底；321、有源层；322、栅电极；323a、源电极；323b漏电极；36、像素界定层；51、第一绝缘层；52、第二绝缘层；53、缓冲层；54’、平坦薄膜；541、第一平坦层；542、第二平坦层；542a、第一部分；542b、第二部分；55’、第三绝缘薄膜；55、第三绝缘层；561、第三平坦层；562、第四平坦层；57、金属连接层；70、有机发光二极体；71、第一电极；72、有机发光层；73、第二电极；81、第一过孔。

具体实施方式

在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。

图1为一种OLED显示基板的平面结构示意图。如图1所示，OLED显示基板包括显示区10和非显示区，显示区设置有多个有机发光二极体70，非显示区包括金属走线区20和绑定区30，金属走线区20设置有多条金属走线21，金属走线用于将显示区10的信号线与绑定区30的焊垫(Pad)连接。显示区10设置有多个OLED像素。顶发射式OLED显示基板中，为了保证OLED像素点亮的均一性，需要采用平坦层对显示区进行平坦化。相关技术中，可以采用厚度较大的负性光刻胶树脂材料对显示区10进行平坦化。在OLED显示基板的绑定焊盘(Bonding Pad)的走线区域(即金属走线区)，为了防止金属走线被划伤，同时为了防止金属走线之间驱动信号串扰，会在金属走线区20设置平坦化树脂材料层。由于树脂材料层厚度比较大(大于或等于1μm)，在对形成有树脂材料层的显示基板进行高温烘烤(例如80℃烘烤139小时)时，树脂材料层受热/冷容易发生沿膜层平面的收缩/膨胀，当收缩/膨胀到一定程度后，会使得金属走线区位于树脂材料层上侧和下侧的膜层发生由于收缩/膨胀程度不同导致的膜层剥离及裂纹，导致OLED像素驱动异常或者产生封装失效。

为了解决上述技术问题，本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。

图2为本公开一实施例中显示基板的截面结构示意图。本公开实施例的显示基板的平面示意图可以如图1所示，在一种实施方式中，如图1和图2所示，显示基板可以包括显示区10和金属走线区20，金属走线区20位于显示区10之外。显示基板可以包括基底31，还可以包括位于基底31一侧的有源层321、第一绝缘层51(也可以叫做栅绝缘层)、栅电极322、第二绝缘层52(也可以叫做层间绝缘层)、源电极323a和漏电极323b。其中，有源层321、栅电极322、源电极323a和漏电极323b位于显示区10，第一绝缘层51和第二绝缘层52可以位于显示区10和金属走线区20。

显示基板还可以包括金属走线21，金属走线21位于金属走线区20。可以理解的是，显示区10设置有多条信号线，例如栅线、数据线等，显示基板还可以包括绑定区30，金属走线21用于将显示区10的信号线与绑定区30的焊垫(Pad)连接。

如图2所示，显示基板还可以包括第一平坦层541和第二平坦层542，第一平坦层541位于显示区10，第一平坦层541位于源电极323a和漏电极232b背离基底31的一侧。第二平坦层542位于金属走线区20，第二平坦层542位于金属走线21背离基底31的一侧，至少部分第二平坦层542的厚度小于第一平坦层541的厚度。可以理解的是，厚度为膜层在垂直于基底方向上的尺寸，例如，第二平坦层的厚度为第二平坦层在垂直于基底方向上的尺寸，第一平坦层的厚度为第一平坦层在垂直于基底方向上的尺寸。显示基板还可以包括多个有机发光二极体70，多个有机发光二极体70位于显示区10且位于第一平坦层541背离基底31的一侧，有机发光二极体70与源电极323a或漏电极323b连接。

本公开实施例的显示基板，在显示区10设置第一平坦层541，有机发光二极体70位于第一平坦层541背离基底31的一侧，可以满足显示区10采用喷墨打印形成OLED像素的平坦化要求，可以保证OLED像素点亮均一性；在金属走线21背离基底31的一侧设置第二平坦层542，第二平坦层542可以对金属走线21起到保护作用，可以防止金属走线21被划伤，并且，第二平坦层542还可以防止金属走线21之间的驱动信号串扰。相对于相关技术中第二平坦层与第一平坦层厚度相同，本公开实施例的显示基板中，至少部分第二平坦层542的厚度小于第一平坦层541的厚度，使得至少部分第二平坦层542的厚度减薄，例如至少部分第二平坦层542的厚度小于1μm，减少了第二平坦层542在受热/冷冲击时的收缩/膨胀程度，有利于避免金属走线区20位于第二平坦层542上下两侧的膜层发生剥离或裂纹，避免驱动异常和封装失效。

在一种实施方式中，第一平坦层541的厚度d1范围为1μm至5μm(包括端点值)，第二平坦层542的厚度d2范围为0.5μm至4μm(包括端点值)。将第二平坦层524的厚度范围设置为0.5μm至4μm(包括端点值)，可以进一步减少第二平坦层542在受热/冷冲击时的收缩/膨胀程度，避免金属走线区20位于第二平坦层542上下两侧的膜层发生剥离或裂纹，避免驱动异常和封装失效。示例性地，第一平坦层541的厚度d1可以为1μm至5μm中的任意值，例如，第一平坦层541的厚度d1可以为1μm、2μm、3μm、4μm、5μm中的一个。示例性地，第二平坦层542的厚度d2可以为0.5μm至4μm中的任意值，例如，第二平坦层542的厚度d2可以为0.5μm、1μm、1.5μm、2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm中的一个。

图3为本公开一实施例显示基板在图1中的A-A截面示意图。在一种实施方式中，如图3所示，第二平坦层542可以包括第一部分542a和第二部分542b，第一部分542a在基底31上的正投影与金属走线21在基底31上的正投影交叠，第二部分542b在基底31上的正投影与金属走线21在基底31上的正投影不交叠。第一部分542a的远离基底31一侧的表面与基底31之间的距离d3大于第二部分542b的远离基底31一侧的表面与基底31之间的距离d4，即d3大于d4。这样的第二平坦层，与金属走线21相对应的第一部分542a可以对金属走线21起到更好地保护作用，可以更好地防止金属走线21被划伤。

在一种实施方式中，第二平坦层542和第一平坦层541同时形成，也就是说，第二平坦层542和第一平坦层541通过一次图案化工艺形成。从而，可以减少掩膜数量，简化显示基板的制程工艺。

在一种实施方式中，第二平坦层542和第一平坦层541的材料均可以为有机材料，例如树脂材料。

在一种实施方式中，第二平坦层542和第一平坦层541的材质相同，第二平坦层542和第一平坦层541的材质可以为正性光刻树脂胶或者负性光刻树脂胶。

在一种实施方式中，如图2所示，显示基板还可以包括第三绝缘层55(也可以称作钝化层PVX)，第三绝缘层55位于显示区10和/或金属走线区20,，第三绝缘层55位于第一平坦层541与源电极323a和漏电极323b之间。

在一种实施方式中，金属走线21可以与源电极323a或漏电极323b位于同一层，也就是说，金属走线21可以与源电极323a或漏电极323b通过一次图案化工艺形成。

示例性地，图2中，有源层321位于基底31的一侧，第一绝缘层51位于有源层321背离基底31的一侧，栅电极322位于第一绝缘层51背离基底31的一侧，第二绝缘层52位于栅电极322背离基底31的一侧，源电极323a和漏电极323b位于第二绝缘层52背离基底31的一侧。图2中示出了薄膜晶体管，薄膜晶体管可以包括有源层321、栅电极322、源电极323a和漏电极323b，图2中示出的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，在其它实施例中，薄膜晶体管可以为底栅型薄膜晶体管。可以理解的是，本实施例的显示基板对薄膜晶体管的类型无任何选择要求，只要可以实现薄膜晶体管的性能即可。

如图2所示，有机发光二极体70包括第一电极71、有机发光层72和第二电极73。第一电极71可以为阳极，第二电极73可以为阴极。第一电极71位于显示区，第一电极71位于第一平坦层541背离基底31的一侧。第一电极71与对应薄膜晶体管的源电极323a或漏电极323b连接。显示基板还包括像素界定层36，像素界定层36位于显示区10，像素界定层36设置有多个开口，各个开口暴露出对应的第一电极71。有机发光层72位于开口内，且位于第一电极71背离基底31的一侧，第二电极73位于有机发光层72背离基底31的一侧。

在一种实施方式中，如图2所示，显示基板还可以包括缓冲层53，缓冲层53可以位于基底31与有源层321之间。

可以理解的是，显示基板还可以包括封装钝化层(图中未示出)，封装钝化层可以位于有机发光二极体70背离基底31的一侧，封装钝化层可以位于显示区10和金属走线区20。

图4为本公开另一实施例中显示基板的截面示意图。如图4所示，显示基板还可以包括金属连接层57和第三平坦层561。金属连接层57位于显示区，金属连接层57可以位于第一平坦层541背离基底31的一侧。第三平坦层561可以位于显示区，且位于金属连接层57背离基底31的一侧。第一电极71可以通过金属连接层57与对应薄膜晶体管的源电极323a或漏电极323b连接。

在一种实施方式中，如图4所示，显示基板还可以包括第四平坦层562，第四平坦层562位于金属走线区，且位于第二平坦层542背离基底31的一侧，至少部分第四平坦层562的厚度小于第三平坦层561的厚度，可以理解的是，厚度为膜层在垂直于基底方向上的尺寸。

第三平坦层561和第四平坦层562的具体厚度在此不做限定，可以根据需要设置。

示例性地，第四平坦层562可以包括第三部分和第四部分，第三部分在基底31上的正投影与金属走线21在基底31上的正投影交叠，第四部分在基底31上的正投影与金属走线21在基底31上的正投影不交叠，第三部分的远离基底31一侧的表面与基底31之间的距离可以大于第四部分的远离基底31一侧的表面与基底31之间的距离。

可以理解的是，第二平坦层542和第四平坦层562之间可以根据实际需要设置其他膜层。

示例性地，第三平坦层561和第四平坦层562可以通过一次图案化工艺形成。第三平坦层561和第四平坦层562的材质可以相同。第三平坦层561和第四平坦层562材质可以为负性光刻树脂胶或者正性光刻树脂胶。

在示例性实施例中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、缓冲层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。缓冲(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第一绝缘层可以称为栅绝缘(GI)层，第二绝缘层可以称为层间绝缘(ILD)层。栅电极、源电极、漏电极、金属走线可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。像素界定层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。有源层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。

显示基板中其余各膜层的厚度可以根据需要时设置在此不作特别限定。

本公开实施例的显示基板可以为OLED显示基板，基底可以为硬性材料例如玻璃，也可以为柔性材料例如聚酰亚胺(PI)等。

本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，显示基板可以包括显示区和位于显示区之外的金属走线区，显示基板的制备方法可以包括：

在基底的一侧形成有源层、第一绝缘层、栅电极、第二绝缘层、源电极、漏电极和金属走线，有源层、栅电极、源电极和漏电极位于显示区，第一绝缘层和第二绝缘层位于显示区和金属走线区，金属走线位于金属走线区；

在源电极和漏电极背离基底的一侧形成位于显示区的第一平坦层，并在金属走线背离基底的一侧形成位于金属走线区的第二平坦层，第二平坦层的厚度小于第一平坦层的厚度；

在第一平坦层背离基底的一侧形成位于显示区的多个有机发光二极体，有机发光二极体与源电极或漏电极连接。

在一种实施方式中，在源电极和漏电极背离基底的一侧形成位于显示区的第一平坦层，并在金属走线背离基底的一侧形成位于金属走线区的第二平坦层，包括：

采用涂覆工艺在源电极、漏电极、金属走线背离基底的一侧形成平坦薄膜；

采用半色调掩膜对平坦薄膜进行曝光和显影，在显示区形成第一过孔以形成位于显示区的第一平坦层，沿垂直于基底的方向去除位于金属走线区的部分平坦薄膜，以形成位于金属走线区的第二平坦层，第二平坦层的厚度小于第一平坦层的厚度。

下面通过图2所示实施例中显示基板的制备过程进一步说明本公开实施例的技术方案。可以理解的是，本文中所说的“图案化”，当图案化的材质为无机材质或金属时，“图案化”包括涂覆光刻胶、掩膜曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等工艺，当图案化的材质为有机材质时，“图案化”包括掩模曝光、显影等工艺，本文中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。

在基底的一侧形成有源层、第一绝缘层、栅电极、第二绝缘层、源电极、漏电极和金属走线，该步骤可以包括：如图5所示，图5为本公开一实施例显示基板中形成源电极和漏电极后的示意图，在基底31的一侧沉积缓冲薄膜，以形成缓冲层53；在缓冲层53的背离基底31的一侧沉积有缘薄膜，对有缘薄膜进行图案化处理，形成位于显示区10的有源层321；在有源层321的背离基底31的一侧沉积第一绝缘薄膜；在第一绝缘薄膜背离基底31的一侧沉积栅金属薄膜，对栅金属薄膜进行图案化处理，形成位于显示区10的栅电极322以及栅线(图中未示出)；在栅电极322的背离基底31的一侧沉积第二绝缘薄膜，对第二绝缘薄膜和第一绝缘薄膜进行图案化处理，形成贯穿第二绝缘薄膜和第一绝缘薄膜的第二过孔和第三过孔，第二过孔和第三过孔均暴露出有源层321，从而形成第一绝缘层51和第二绝缘层52，第一绝缘层51和第二绝缘层52均位于显示区10和金属走线区20；在第二绝缘层52的背离基底31的一侧沉积源漏金属薄膜，对源漏金属薄膜进行图案化处理，形成位于金属走线区20的金属走线21以及位于显示区10的源电极323a和漏电极323b。源电极323a和漏电极323b分别通过第二过孔和第三过孔与有源层321连接。示例性地，在形成源电极和漏电极的同时，还形成位于显示区的数据线(图中未示出)。

在源电极和漏电极背离基底的一侧形成位于显示区的第一平坦层，并在金属走线背离基底的一侧形成位于金属走线区的第二平坦层，第二平坦层的厚度小于第一平坦层的厚度。该步骤可以包括：在源电极323a、漏电极323b、金属走线21的背离基底31的一侧形成第三绝缘薄膜55’，采用涂覆工艺在第三绝缘薄膜55’背离基底31的一侧形成平坦薄膜54’，如图6a所示，图6a为本公开一实施例显示基板中形成平坦薄膜后的示意图；采用半色调掩膜(Halfstone Mask)对平坦薄膜54’进行曝光和显影，在显示区10形成第一过孔81以形成第一平坦层541，沿垂直于基底31的方向去除位于金属走线区20的部分平坦薄膜，金属走线区20剩余的平坦薄膜形成第二平坦层542，如图6b所示，图6b为本公开一实施例显示基板中形成第一平坦层和第二平坦层后的示意图。示例性地，第二平坦层542的厚度小于第一平坦层541的厚度，第一平坦层541的厚度范围为1μm至5μm(包括端点值)，第二平坦层542的厚度范围为0.5μm至3μm(包括端点值)。其中，第一过孔81在基底31上的正投影位于漏电极323b在基底31上的正投影的范围内。对第一过孔81进行干刻，刻蚀掉第一过孔81残留的平坦薄膜以及第三绝缘薄膜，使得第一过孔81暴露出漏电极323b，如图6b所示。

在第一平坦层541背离基底31的一侧形第一电极71，第一电极71位于显示区，第一电极71通过第一过孔81与薄膜晶体管的漏电极323b连接；在第一电极71的背离基底31的一侧形成像素界定层36，像素界定层36位于显示区，像素界定层36设置有多个开口，每个开口暴露出对应的第一电极71，如图2所示；采用蒸镀、溅射或电子束沉积等方法形成有机发光层72；在有机发光层72背离基底31的一侧形成第二电极73，第二电极73的材质可以为氧化铟锡或氧化铟锌等透明导电材质。示例性地，可以采用喷墨打印的方式形成有机发光层72。

在第二电极73背离基底31的一侧形成封装钝化层(图中未示出)。

本公开实施例还提供一种显示面板，包括本公开任一实施例中的显示基板以及盖板玻璃，盖板玻璃的朝向显示基板的一侧涂覆封装胶材，盖板玻璃与显示基板通过封装贴合工艺进行贴合。

基于前述实施例的发明构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括采用前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在本说明书的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本公开的不同结构。为了简化本公开，上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本公开。此外，本公开可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。

以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括显示区和位于所述显示区之外的金属走线区，所述显示基板包括：

基底；

位于所述基底一侧的有源层、第一绝缘层、栅电极、第二绝缘层、源电极和漏电极，所述有源层、栅电极、源电极和漏电极位于显示区，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层位于所述显示区和所述金属走线区；

金属走线，位于所述金属走线区；

第一平坦层，位于所述显示区，且位于所述源电极和所述漏电极背离所述基底的一侧；

第二平坦层，位于所述金属走线区，且位于所述金属走线背离所述基底的一侧，至少部分所述第二平坦层的厚度小于所述第一平坦层的厚度，所述厚度为在垂直于所述基底方向上的尺寸；

多个有机发光二极体，位于显示区且位于所述第一平坦层背离所述基底的一侧，所述有机发光二极体与所述源电极或所述漏电极连接。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二平坦层的厚度范围为0.5μm至4μm。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二平坦层包括第一部分和第二部分，所述第一部分在所述基底上的正投影与所述金属走线在所述基底上的正投影交叠，所述第二部分在所述基底上的正投影与所述金属走线在所述基底上的正投影不交叠，所述第一部分的远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述第二部分的远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：

金属连接层，位于所述显示区，且位于所述第一平坦层背离所述基底的一侧；

第三平坦层，位于所述显示区，且位于所述金属连接层背离所述基底的一侧。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第四平坦层，所述第四平坦层位于所述金属走线区，且位于所述第二平坦层背离所述基底的一侧，至少部分所述第四平坦层的厚度小于所述第三平坦层的厚度。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二平坦层和所述第一平坦层通过一次图案化工艺形成。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二平坦层和所述第一平坦层的材质相同，所述第二平坦层和所述第一平坦层的材质为负性光刻树脂胶或者正性光刻树脂胶。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述金属走线与所述源电极或所述漏电极位于同一层。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示区设置有多条信号线，所述显示基板还包括绑定区，所述金属走线用于将所述信号线与所述绑定区的焊垫连接。

10.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括显示区和位于所述显示区之外的金属走线区，所述方法包括：

在基底的一侧形成有源层、第一绝缘层、栅电极、第二绝缘层、源电极、漏电极和金属走线，所述有源层、栅电极、源电极和漏电极位于显示区，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层位于所述显示区和所述金属走线区，所述金属走线位于所述金属走线区；

在所述源电极和所述漏电极背离所述基底的一侧形成位于显示区的第一平坦层，并在所述金属走线背离所述基底的一侧形成位于金属走线区的第二平坦层，所述第二平坦层的厚度小于所述第一平坦层的厚度；

在所述第一平坦层背离所述基底的一侧形成位于所述显示区的多个有机发光二极体，所述有机发光二极体与所述源电极或所述漏电极连接。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在所述源电极和所述漏电极背离所述基底的一侧形成位于显示区的第一平坦层，并在所述金属走线背离所述基底的一侧形成位于金属走线区的第二平坦层，包括：

采用涂覆工艺在所述源电极、所述漏电极、所述金属走线背离所述基底的一侧形成平坦薄膜；

采用半色调掩膜对所述平坦薄膜进行曝光和显影，在所述显示区形成第一过孔以形成位于所述显示区的第一平坦层，沿垂直于所述基底的方向去除位于所述金属走线区的部分平坦薄膜，以形成位于所述金属走线区的第二平坦层，所述第二平坦层的厚度小于所述第一平坦层的厚度。

12.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的显示基板，还包括盖板玻璃，所述盖板玻璃与所述显示基板相对贴合。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的显示基板，或者，包括权利要求12所述的显示面板。

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