CN109983350A - 载置台和电子器件测试装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够抑制成本升高的电子器件测试装置。探针台(10)包括用于载置载体(C)或晶片(W)的载置台(11)，该载置台(11)包括用于载置载体(C)的载置台盖(27)、与该载置台盖(27)抵接的冷却单元(29)、和隔着载置台(27)和冷却单元(29)与载体(C)相对配置的LED照射单元(30)，载置台盖(27)和冷却单元(29)由透光材料构成，可透光的冷却介质在冷却单元(29)的冷却介质流路(28)中流动，LED照射单元(30)包括面向载体(C)发光的多个LED(32)，载体(C)由大致圆板形的玻璃基片(24)构成，多个电子器件(25)彼此隔着规定的间隔配置在载体(C)的表面。

Description

载置台和电子器件测试装置
技术领域
本发明涉及载置台和设置有该载置台的电子器件测试装置，其中载置台用于载置形成有电子器件的基片或用于载置配置有电子器件的载体。
背景技术
为了在电子器件的制造工序中发现缺陷等问题，人们开发了作为电子器件测试装置的探针台(prober)，其用于对形成在作为基片的半导体晶片(下文简称“晶片”)上的电子器件，或从晶片切割出来并配置在板状载体上的电子器件进行测试。
探针台包括具有多个针状探针的探针卡、用于载置晶片或载体的载置台和IC测试机，使探针卡的各探针接触与电子器件的电极对应设置的电极焊盘或钎焊凸点，将来自电子器件的信号传递到IC测试机上，测试电子器件的电气特性(例如参照专利文献1)。在该探针台中，在测试电子器件的电气特性时，为了重现该电子器件的工作环境(implementationenvironment)，利用载置台内的冷却介质流路和加热器控制晶片的温度。
不过，近年来电子器件随着高速化和精细化的推进，集成度变高，工作时的发热量大幅增大，因此可能产生这样的问题，即，在晶片和载体上测试一个电子器件时，对相邻的其他电子器件产生热负荷，导致其他电子器件出现不良。在该情况下，最好能利用冷却介质流路和加热器控制测试中的电子器件的温度，抑制对其他电子器件造成的热负荷。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平7-297242号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
然后，冷却介质流路和加热器不容易小型化，很难将冷却介质流路和加热器局部地配置在载置台内。即，载置台内的冷却介质流路和加热器能够整体控制晶片的温度，但局部地、例如仅限于测试中的电子器件附近控制晶片的温度则是不可能的。为此，不对测试中的电子器件施加在工作环境下应施加的较高的工作时电压，以避免对相邻的其他电子器件产生热负荷，但结果会发生这样的问题，即，无法在电子器件封装前发现在施加了工作时电压时会发生的问题，导致封装体的成品率降低，成本升高。
本发明的目的在于提供一种能够抑制成本升高的载置台和电子器件测试装置。
用于解决技术问题的技术方案
为了实现上述目的，本发明提供一种载置台，其包括：用于载置被检查体的冷却机构；和以隔着该冷却机构与上述被检查体相对的方式配置的光照射机构，上述冷却机构由透光材料构成，内部供可透光的冷却介质流动，上述光照射机构包括朝向上述被检查体发光的多个LED。
为了实现上述目的，本发明提供一种电子器件测试装置，其用于对配置或形成在被检查体上的电子器件进行测试，上述电子器件测试装置包括：用于载置上述被检查体的载置台；和能够与所载置的上述被检查体的上述电子器件电接触的接触端子，上述载置台包括：用于载置被检查体的冷却机构；和以隔着该冷却机构与上述被检查体相对的方式配置的光照射机构，上述冷却机构由透光材料构成，内部供可透光的冷却介质流动，上述光照射机构包括朝向上述被检查体发光的多个LED。
发明效果
采用本发明，包括多个LED的光照射机构是隔着内部有冷却介质流动的冷却机构与被检查体相对配置的，不过，由于冷却机构由透光材料构成，并且冷却介质也是可透光的，因此来自LED的光能够透过冷却机构和冷却介质到达被检查体。并且，光照射机构能够通过各LED来局部地对被检查体照射光。由此，能够在利用冷却机构整体冷却被检查体，并且，对被检查体局部照射光，因此能够仅加热被检查体中的所要求的电子器件。即，在被检查体中，能够在仅控制所要求的电子器件的温度的同时，冷却其他电子器件，能够抑制来自所要求的电子器件的热负荷施加到其他电子器件上。其结果，能够对所要求的电子器件施加在工作环境下应施加的较高的工作时电压，因此能够在封装前发现在施加了工作时电压时会发生的问题，能够抑制封装体的成品率降低，防止成本升高。
附图说明
图1是用于概略地说明本发明第一实施方式的电子器件测试装置即探针台的结构的立体图。
图2是用于概略地说明本实施方式的电子器件测试装置即探针台的结构的主视图。
图3A是概略地表示在图1的探针台中测试电子器件时使用的载体的结构的侧视图。
图3B是概略地表示在图1的探针台中测试电子器件时使用的载体的结构的俯视图。
图4是概略地表示图1中载置台的上部结构的截面图。
图5是概略地表示图4中LED照射单元的结构的俯视图。
图6是概略地表示本实施方式中各电子器件的测温用电路的结构的图。
图7A是概略地表示在本发明第二实施方式中测试电子器件时使用的晶片的结构的侧视图。
图7B是概略地表示在本发明第二实施方式中测试电子器件时使用的晶片的结构的俯视图。
图8是用于说明本实施方式中晶片W在载置台上的载置状况的截面图。
图9是概略地表示本实施方式中各电子器件的测温用电路的结构的图。
图10是概略地表示本发明第三实施方式中各电子器件的测温用电路的结构的图。
图11是表示用于根据弹簧针(pogo pin)的温度来测量电子器件的温度的观测器的结构的图。
图12是用于说明本发明第二实施方式中与各电子器件对应地形成的振荡电路的放大俯视图。
图13是概略地表示本发明第二实施方式中各电子器件的测温用电路的变形例的结构的图。
具体实施方式
下面参照附图对本发明的实施方式进行说明。
首先说明本发明第一实施方式。
图1是用于概略地说明本发明第一实施方式的电子器件测试装置即探针台的结构的立体图，图2是其主视图。图2概略地表示局部绘制为截面图的内置的结构要素。
在图1和图2中，探针台10包括收纳室12、装载机13和测试机14，其中收纳室12中收纳有用于载置载体C(被检查体)的载置台11(stage)，装载机13与该收纳室12相邻配置，测试机14以覆盖收纳室12的方式配置，探针台10对配置在载体C上的多个电子器件分别进行电气特性测试。收纳室12呈内部为空腔的壳体形状，该内部除了配置有上述载置台11之外，还以与该载置台11相对的方式配置有探针卡15。探针卡15具有与载体C上的电极焊盘或钎焊凸点对应配置的多个针状的探针16(接触端子)，其中该电极焊盘或钎焊凸点是与各电子器件的电极对应设置的。
载体C被固定在载置台11上，使得其与该载置台11的相对位置不发生偏移。载置台11能够在水平方向和上下方向上移动，调整探针卡15与载体C的相对位置，使探针卡15的各探针16接触与各电子器件的电极对应设置的电极焊盘或钎焊凸点。装载机13从作为搬运容器的FOUP(未图示)中取出配置有电子器件的载体C并将其载置到收纳室12内部的载置台11上，或者将进行了测试后的载体C从载置台11上移除并收纳到FOUP中。
探针卡15经接口17与测试机14连接，在各探针16接触载体C上的与各电子器件的电极对应设置的电极焊盘或钎焊凸点时，各探针16从测试机14经接口17对电子器件供电，或者经接口17将来自电子器件的信号传递到测试机14。
测试机14具有测试板(未图示)，该测试板用于重现可安装电子器件的主板的电路结构的一部分，测试板与根据来自电子器件的信号判断电子器件有无不良的计算机18连接。在测试机14中，通过更换测试板能够重现多种主板的电路结构。
装载机13包括基础单元19和电位差测量单元20(测量部)，基础单元19是对电源等进行控制的控制器，电位差测量单元20用于测量各电子器件中的电位差生成电路(未图示)、例如二极管、晶体管或电阻上的电位差。电位差测量单元20经配线21与接口17连接，取得与电位差生成电路的各电极对应的2个电极焊盘上接触到的2个探针16间的电位差，将取得的电位差传递至基础单元19。关于接口17中的与各探针16和配线21的连接结构，将使用图6在后文中说明。基础单元19经配线22与载置台11连接，控制后述LED照射单元30等的动作。基础单元19和电位差测量单元20可以不设置在收纳室12中，电位差测量单元20可以设置在探针卡15上。
探针台10还包括用户接口部23，用户接口部23由显示面板例如触摸面板或键盘等构成，用户能够在用户接口部23上输入各种信息和指示。
在探针台10中进行电子器件的电气特性测试时，测试机计算机18对经各探针16与电子器件连接的测试板发送数据，并根据来自测试板的电信号，判断所发送的数据是否被该测试板正确处理。
图3A和图3B是概略地表示在图1的探针台中测试电子器件时使用的载体的结构的图，图3A是侧视图，图3B是俯视图。
在图3A和图3B中，载体C由大致圆板形的玻璃基片24构成，从半导体器件切割(划切)出的多个电子器件25彼此隔着规定的间隔配置在载体C的表面。并且，在载体C上，与各电子器件25的多个电极对应地设置有多个电极焊盘26，通过对各电极焊盘26施加电压，能够使电流在各电子器件25的内部电路中流动。载体C的玻璃基片24的形状不限于大致圆板形，只要能够载置在载置台11上即可，例如可以是大致矩形。并且，载体C也可以由玻璃基片24以外的透光部件构成。
图4是概略地表示图1中载置台的上部结构的截面图。
在图4中，载置台11在上部包括自上而下依次配置在圆板状的载置台盖27、内部形成有冷却介质槽的冷却单元29(冷却机构)和LED照射单元30(光照射机构)。载置台盖27隔着O形环31抵接在冷却单元29上，冷却介质槽被载置台盖27覆盖而形成冷却介质流路28。O形环31将冷却介质密封在冷却介质流路28中。
作为冷却介质例如能够使用无色、可透光的液体——水或Galden(注册商标)，由设置在探针台10外部的泵(未图示)供给到冷却介质流路28中。在泵与载置台11之间设置有流量控制阀等，对供给到冷却介质流路28的冷却介质的流量进行控制。流量控制阀等的动作由基础单元19控制。载置台盖27和冷却单元29均由透光材料例如聚碳酸酯、石英、聚氯乙烯、丙烯酸酯树脂或玻璃构成。
在载置台11上，载体C被载置在载置台盖27的上表面，LED照射单元30隔着载置台盖27和冷却单元29与所载置的载体C相对。LED照射单元30包括多个面向配置在上表面的载体C发光的LED32。多个LED32如后文所述被划分为多个组。
图5是概略地表示图4中LED照射单元的结构的俯视图。
在图5中，各LED32例如被划分为19个正六边形的区域33，并且在各区域33中，各LED32例如被划分为6个LED组33a～33f。即，LED照射单元30包括114个LED组33a～33f。各LED32能够向载体C照射LED光、例如近红外光，各LED32的照射与非照射是按各LED组33a～33f为单位控制的。从而，LED照射单元30能够对载体C背面的任意部位照射LED光。图5中省略了各LED32的图示，仅表示了各LED组33a～33f的划分线。
探针台10在进行各电子器件25的电气特性测试时，根据需要使冷却介质在冷却介质流路28中流动，并从各LED组33a～33f对载体C照射LED光。例如，在进行高温环境(约85℃)下使用的电子器件25的电气特性测试时，从各LED组33a～33f中的任一个向所要求的电子器件25照射LED光，并且使冷却介质在冷却介质流路28中流动。此时，LED光要透过冷却单元29、冷却介质、载置台盖27和载体C的玻璃基片24，由于冷却单元29、冷却介质、载置台盖27和载体C的玻璃基片24均可透光，因此LED光能够几乎不发生衰减地到达所要求的电子器件25，仅加热要求的电子器件25，来重现高温环境。另一方面，与所要求的电子器件25相邻的其他电子器件25被冷却介质流路28中流动的冷却介质所冷却。由此，即使所要求的电子器件25的温度因LED光的加热和工作时电压的施加而上升，来自所要求的电子器件25的热负荷也不会被施加到其他电子器件25上。尤其是，载体C的玻璃基片24的热传导率较低，因此能够可靠地抑制来自所要求的电子器件25的热负荷施加到其他电子器件25上。
另外，在进行室温环境(约25℃)下使用的电子器件25的电气特性测试时，从各LED组33a～33f中的任一个向所要求的电子器件25照射LED光，并且使冷却介质在冷却介质流路28中流动，不过，使照向所要求的电子器件25的LED光的强度，比进行高温环境下使用的电子器件25的电气特性测试时的LED光的强度弱。
此外，在进行低温环境下使用的电子器件25的电气特性测试时，使冷却介质在冷却介质流路28中流动，并且不从LED照射单元30向载体C照射LED光。此时，即使所要求的电子器件25的温度因施加了工作时电压而上升，也会立即被冷却介质冷却，而且与所要求的电子器件25相邻的其他电子器件25持续被冷却介质流路28中流动的冷却介质冷却，因此其他电子器件25会从所要求的电子器件25吸收热量。由此，能够将所要求的电子器件25的温度维持于低温。
在探针台10中进行电子器件25的电气特性测试时，为了高精度地重现工作环境，最好能够实时地测量所要求的电子器件25的温度，在本实施方式中为应对这一点，使用电位差测量单元20测量所要求的电子器件25的温度。
图6是概略地表示本实施方式的电位差测量单元中的各电子器件的测温用电路的结构的图。
在图6中，各探针16通过配置在接口17中的多个配线34与测试机14连接，其中2个探针接触到与电子器件25中的电位差生成电路(例如二极管)的各电极对应的2个电极焊盘26上，在各配线34之中，在将上述2个探针16与测试机14连接的2个配线34上分别设置有继电器35(relay)。各继电器35构成为能够将各电极焊盘26的电位切换地传递到测试机14和电位差测量单元20中的任一者，例如，在进行电子器件25的电气特性测试时，在对各电极焊盘26施加了工作时电压后的规定的时刻，将各电极焊盘26的电位传递到电位差测量单元20。这里已知在二极管、晶体管和电阻等电位差生成电路中，流动有规定电流时产生的电位差随温度而不同。因而，能够在测试中基于电子器件25的电位差生成电路的电位差、即与电位差生成电路的各电极对应的2个电极焊盘26(探针16)之间的电位差，来实时地测量电子器件25的温度。在探针台10中，电位差测量单元20基于从各继电器35传递来的各电极焊盘26的电位，取得电子器件25的电位差生成电路的电位差，进而将取得的电位差传递到基础单元19。基础单元19基于传递来的电位差和电位差生成电路的电位差的温度特性，测量电子器件25的温度。进而，基础单元19基于测得的电子器件25的温度，调整冷却介质流路28中流动的冷却介质的流量和LED照射单元30中各LED组33a～33f照射的LED光的强度，将测试中的电子器件25的温度控制为所要求的值。
在探针台10中，包括多个LED32的LED照射单元30是隔着冷却单元29和载置台盖27与载体C相对配置的，不过，由于冷却单元29和载置台盖27由透光材料构成，并且冷却单元29的冷却介质流路28中流动的冷却介质也是可透光的，因此来自各LED32的LED光能够透过冷却单元29和载置台盖27，到达载体C。LED照射单元30能够利用各LED组33a～33f来局部地对载体C照射LED光。由此，能够在利用冷却单元29整体冷却载体C的同时，对载体C局部照射LED光，因此能够仅加热测试中的电子器件25。即，在载体C中，能够在仅控制测试中的电子器件25的温度的同时，冷却其他电子器件25，能够抑制来自测试中的电子器件25的热负荷施加到其他电子器件25上。其结果，能够在所要求的电子器件25上施加工作时电压，因此能够在封装前发现在施加了工作时电压时会发生的问题，能够抑制封装体的成品率降低，防止成本升高。
在上述探针台10中，载体C由玻璃基片24构成，玻璃基片24的热传导率较低。因而，能够更加可靠地抑制来自所要求的电子器件25的热负荷施加到其他电子器件25上。
在上述探针台10中，载置台盖27、冷却单元29和冷却介质能够使来自各LED32的LED光透射，并且玻璃基片24也能够使来自各LED32的LED光透射，所以能够提高来自各LED32的LED光对所要求的电子器件25的加热效果。
上述探针台10包括用于测量所要求的电子器件25的电位差生成电路的电位差的电位差测量单元20，所以能够基于测得的电位差实时地测量测试中的电子器件25的温度，因此能够使用测得的电子器件25的温度进行反馈控制，从而能够在电子器件25的测试中高精度地重现工作环境。
在上述探针台10中，载置台盖27和冷却单元29均由聚碳酸酯、石英、聚氯乙烯、丙烯酸酯树脂或玻璃构成，这些材料容易加工和成形，因此能够降低探针台10的制造成本。
接着说明本发明的第二实施方式。
本发明第二实施方式的结构和作用与上述第一实施方式基本相同，不同点仅在于代替载体使用了形成有多个电子器件的晶片，因此对于重复的结构和作用省略其说明，下文针对不同的结构、作用进行说明。
图7A和图7B是概略地表示在本发明第二实施方式中测试电子器件时使用的晶片的结构的图，图7A是侧视图，图7B是俯视图。
在图7A和图7B中，晶片W(被检查体)由大致圆板形的硅基片36构成，经过在该晶片W上实施的蚀刻处理和配线处理，多个电子器件37彼此隔着规定的间隔形成在晶片W的表面。在晶片W上，在各电子器件37的旁边形成有电位差生成电路38、例如二极管、晶体管或电阻。各电位差生成电路38与各电子器件37同时形成，所以，具有与各电子器件37的电路相同的质量。并且，在晶片W上，与各电子器件37的多个电极对应地设置有多个钎焊凸点39，并且与各电位差生成电路38的电极对应地设置有2个钎焊凸点40，通过对各钎焊凸点39、40施加电压，能够使电流在各电子器件37的内部电路和电位差生成电路38中流动。
图8是用于说明本实施方式中晶片W在载置台上的载置状况的截面图。
本实施方式也是同样地，探针台10在进行各电子器件37的电气特性测试时，根据需要使冷却介质在冷却介质流路28中流动，并从LED照射单元30的各LED组33a～33f对晶片W照射LED光。不过，晶片W的硅基片36无法使LED光透射，因此在本实施方式中，难以利用LED光加热所要求的电子器件37，但由于冷却单元29、冷却介质和载置台盖27均可透光，因此从LED照射单元30照射的LED光能够几乎不发生衰减地到达晶片W。因而，能够利用LED光高效地加热晶片W。晶片W隔着载置台盖27与冷却介质流路28中流动的冷却介质相邻，而且，冷却介质能够使LED光透射故不会被LED光加热，温度不会上升。因而，能够利用冷却介质高效地冷却晶片W。即，在本实施方式中，在进行各电子器件37的电气特性测试时，能够以较高的响应性控制晶片W的温度。
图9是概略地表示本实施方式中各电子器件的测温用电路的结构的图。
在图9中，与各钎焊凸点39接触的各探针16通过配置在接口17中的多个配线34与测试机14连接，而与各钎焊凸点40接触的各探针16在接口17中与配线21连接，该配线21与电位差测量单元20连接。
在探针台10中进行电子器件37的电气特性测试时，对各钎焊凸点39施加工作时电压并对各钎焊凸点40施加规定的电压。此时，电位差生成电路38因从各钎焊凸点40施加的规定电压而产生电位差，如上所述，该电位差随电位差生成电路38的温度而不同。因而，能够基于与电位差生成电路38的各电极对应的各钎焊凸点40之间的电位差，测量电位差生成电路38的温度。并且，由于电位差生成电路38是与电子器件37相邻形成的，因此电位差生成电路38的温度能够大致视作电子器件37的温度。即，能够基于各钎焊凸点40之间的电位差，测量电子器件37的温度。
在探针台10中，电位差测量单元20经各配线21取得电位差生成电路38的电位差，进而将取得的电位差传递到基础单元19。基础单元19基于传递来的电位差和电位差生成电路38的电位差的温度特性，测量电子器件37的温度。进而，基础单元19使用测得的电子器件37的温度进行反馈控制，调整冷却介质流路28中流动的冷却介质的流量和LED照射单元30中各LED组33a～33f照射的LED光的强度，将测试中的电子器件37的温度控制为所要求的值。由此，能够在电子器件37的测试中高精度地重现工作环境。
在本实施方式中，在晶片W上的各电子器件37的旁边形成有电位差生成电路38，但也可以代替电位差生成电路38，形成振荡频率随温度而变化的振荡电路47(图12)。作为振荡电路47，例如能够使用由链状连结的奇数个NOT门(反相器)构成的环形振荡器电路。
在环形振荡器电路中，最末级NOT门的输出被输入到第一级NOT门，而各NOT门具有规定的延迟时间，因此从第一级NOT门上发生输入起，经过累计的延迟时间后，最末级NOT门输出第一级NOT门上的输入的逻辑非结果，该逻辑非结果被再次输入到第一级NOT门。环形振荡器电路中反复进行该过程，产生规定频率的振荡。并且，各NOT门的规定的延迟时间随温度而变化，因此结果上，环形振荡器电路的振荡频率随温度而变化。
此处，振荡电路47的振荡频率被传递到与振荡电路47连接的端子48。如图13所示，端子48上经配线49连接有频率计数器50，频率计数器50测量振荡电路47的振荡频率，将测得的频率传递到基础单元19。基础单元19预先存储有振荡电路47振荡的频率与温度的关系(振荡电路47的频率特性)。因而，能够基于测得的振荡电路47的振荡频率和振荡电路47的频率特性，测量振荡电路47的温度。并且，与电位差生成电路38同样地，振荡电路47也是与电子器件37相邻形成的，因此振荡电路47的温度能够大致视作电子器件37的温度。即，能够基于振荡电路47振荡的频率，测量电子器件37的温度。尤其是，环形振荡器电路可靠性高、价格便宜且可高速动作，因此通过使用环形振荡器电路作为振荡电路47，能够迅速且廉价地实现电子器件37的高可靠性的温度测量。
接着说明本发明的第三实施方式。
本发明第三实施方式的结构和作用与上述第一实施方式和第二实施方式基本相同，不同之处仅在于电子器件25的温度测量方法，因此对于重复的结构和作用省略其说明，下文针对不同的结构、作用进行说明。
在第二实施方式中，对形成在各电子器件37旁边的电位差生成电路38施加规定的电压来测量电子器件37的温度，但电位差生成电路38为精细的电路，故可能会因电压施加而发生损坏。然而，电位差生成电路38有时也作为电子器件37的一部分发挥作用，因此最好能减小电位差生成电路38在电子器件37封装前因电压施加而发生损坏的机会。并且，还存在无法像第一实施方式的电子器件25那样在电子器件中形成电位差生成电路的情况。为应对这一点，本实施方式在不使用电位差生成电路的前提下测量电子器件的温度。
图10是概略地表示本实施方式中各电子器件的测温用电路的结构的图。
在图10中，接口17包括将测试机14与各探针16连接的、由多个棒状部件集束而形成的弹簧针41(导热部件)，该弹簧针41上安装有温度传感器42。温度传感器42通过配线43与基础单元44连接，基础单元44测量弹簧针41的温度。这里，在对电子器件25施加工作时电压进行电气特性测试时，电子器件25的热量从各探针16传递到弹簧针41上。因而，电子器件25的温度与弹簧针41的温度存在一定的关系。因此，如图11所示的那样，将电子器件25表示为以LED照射单元30照射的LED光的热量为输入u(t)、以弹簧针41的温度为输出y(t)的动态***45，在基础单元44中构建用于测量电子器件25的温度的控制模型——状态观测器46(observer)，由此推算动态***45的内部状态即电子器件25的温度。观测器46中的***矩阵A、b、c、h例如采用这样的方式确定，即，在载体C上安装具有与电子器件25类似的热容和热阻的芯片，通过测量所安装的芯片的温度来确定上述***矩阵。
在本实施方式中，使用观测器46，能够在测试中基于LED光的热量和弹簧针41的温度，实时地测量电子器件25的温度。基础单元44基于测得的电子器件25的温度，调整z冷却介质流路28中流动的冷却介质的流量和LED照射单元30中各LED组33a～33f照射的LED光的强度，将测试中的电子器件25的温度控制为所要求的值。由此，能够在电子器件25的测试中高精度地重现工作环境。并且，不需要为了测量电子器件25的温度而使用形成在电子器件25旁边的电位差生成电路38，所以能够防止电位差生成电路38在电子器件25封装前发生损坏，因此能够防止封装体的成品率降低。
此外，在本实施方式中，将温度传感器42安装在弹簧针41上，但也可以将该温度传感器42安装在能够接受来自电子器件25的热传递的探针16或配线(导热部件)上。该情况下也是，能够在基础单元44中构建以LED光的热量为输入u(t)、以探针16或配线的温度为输出y(t)的观测器，利用该观测器基于LED光的热量和探针16或配线的温度，测量电子器件25的温度。
以上针对本发明使用上述各实施方式进行了说明，但本发明不限于上述各实施方式。
例如，在载置台11中，载置台盖27由透光材料构成，但也可以使用透光材料以外的、热传导率高的材料，例如Al、Cu等金属、SiC等陶瓷或金属与陶瓷的复合材料，来构成载置台盖27。此时，载置台盖27无法使LED光透射，但由于LED照射单元30照射的LED光会透过冷却单元29和冷却介质，所以LED光能够几乎不发生衰减地到达载置台盖27。于是，能够利用LED光高效地加热载置台盖27，因此也能够高效地加热载置在载置台盖27上的晶片W。此外，在载置台盖27由石英构成的情况下，石英的刚度并不够高因此可能会产生破裂，但通过使用金属构成载置台盖27，能够提高载置台盖27的刚度，因此能够防止在载置台盖27上发生破裂等。尤其是，为了确保高刚度，载置台盖27的材料要求杨氏模量高且导热率高这样的物性，因此，适宜使用Cu、SiC与钻石的复合材料(例如THERMADITE(注册商标)100-60(II-VIM Cubed Technologies Inc.生产))，由此能够实现较薄且导热率高的载置台盖27。
另外，通过调节供给到载置台11的冷却介质流路28中的冷却介质的流量，能够使电子器件25、37的温度的控制范围向高温侧或低温侧改变。例如，在要使电子器件25、37的温度的控制范围向高温侧改变的情况下，减小供给到冷却介质流路28中的冷却介质的流量。在要使电子器件25、37的温度的控制范围向低温侧改变的情况下，增大供给到冷却介质流路28中的冷却介质的流量。此外，通过使载置台盖27的靠冷却介质流路28一侧的面(冷却介质接触面)的形状为配置有多个翅片的翅片形状，或通过调节载置台盖27的冷却介质接触面的表面粗度，能够调整电子器件25、37与冷却介质之间的传热量。因此，通过改变载置台盖27的冷却介质接触面的形状也能够改变电子器件25、37的温度的控制范围。
在上述各实施方式中，说明了对按每片晶片W或载体C测试各电子器件25(37)的探针台10的载置台11应用本发明的情况，但本发明也能够应用于在包括多个测试室(cell)的多室型电子器件测试装置中与探针卡一起配置在各测试室中的载置台。
本申请以2016年11月29日提交的日本申请第2016-231844号、2017年3月21日提交的日本申请第2017-54366号和2017年7月11日提交的日本申请第2017-135401号为基础要求优先权，这些日本申请中记载的全部内容被援引到本申请中。
附图标记说明
C 载体
W 晶片
10 探针台
11 载置台
15 探针卡
16 探针
20 电位差测量单元
24 玻璃基片
25、37 电子器件
26 电极焊盘
27 载置台盖
28 冷却介质流路
29 冷却单元
30 LED照射单元
32 LED
33a～33f LED组
35 继电器
36 硅基片
38 电位差生成电路
39、40 钎焊凸点
47 振荡电路
50 频率计数器。

Claims (13)

1.一种载置台，其特征在于，包括：
用于载置被检查体的冷却机构；和
以隔着该冷却机构与所述被检查体相对的方式配置的光照射机构，
所述冷却机构由透光材料构成，内部供可透光的冷却介质流动，
所述光照射机构包括朝向所述被检查体发光的多个LED。
2.如权利要求1所述的载置台，其特征在于：
所述被检查体由配置有多个电子器件的玻璃基片构成。
3.如权利要求1所述的载置台，其特征在于：
所述被检查体由形成有多个电子器件的半导体晶片构成。
4.如权利要求1～3之任一项所述的载置台，其特征在于：
所述透光材料由聚碳酸酯、石英、聚氯乙烯、丙烯酸酯树脂或玻璃构成。
5.如权利要求1～4中任一项所述的载置台，其特征在于：
各所述LED照射近红外光。
6.一种电子器件测试装置，其用于对配置或形成在被检查体上的电子器件进行检查，所述电子器件测试装置的特征在于，包括：
用于载置所述被检查体的载置台；和
能够与所载置的被检查体的所述电子器件电接触的接触端子，
所述载置台包括：
用于载置被检查体的冷却机构；和
以隔着该冷却机构与所述被检查体相对的方式配置的光照射机构，
所述冷却机构由透光材料构成，内部供可透光的冷却介质流动，
所述光照射机构包括朝向所述被检查体发光的多个LED。
7.如权利要求6所述的电子器件测试装置，其特征在于：
所述被检查体由配置有多个电子器件的玻璃基片构成，
所述电子器件测试装置还包括测量部，所述测量部用于测量所述电子器件的电位差生成电路的电位差。
8.如权利要求6所述的电子器件测试装置，其特征在于：
所述被检查体由形成有多个电子器件的半导体晶片构成，在各所述电子器件的旁边形成有电位差生成电路，
所述电子器件测试装置还包括用于测量所述电位差生成电路的电位差的测量部。
9.如权利要求7或8所述的电子器件测试装置，其特征在于：
所述电位差生成电路包括二极管、晶体管或电阻。
10.如权利要求6所述的电子器件测试装置，其特征在于：
还包括温度传感器，其测量能够接收来自所述电子器件的热传递的导热部件的温度，
基于由所述温度传感器测得的温度来推算所述电子器件的温度。
11.如权利要求10所述的电子器件测试装置，其特征在于：
构建有观测器，其用于推算以从所述光照射机构照射的光的热量为输入、以由所述温度传感器测得的温度为输出的动态***的内部状态，
利用所述观测器，推算所述动态***的内部状态作为所述电子器件的温度。
12.如权利要求6所述的电子器件测试装置，其特征在于：
所述被检查体由形成有多个电子器件的半导体晶片构成，在各所述电子器件的旁边形成有振荡电路，
所述电子器件测试装置还包括用于测量所述振荡电路振荡的频率的测量部。
13.如权利要求12所述的电子器件测试装置，其特征在于：
所述振荡电路由环形振荡器构成。
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