CN113365429A - 一种介电常数一致性好的高频高速覆铜板及制备与应用 - Google Patents
一种介电常数一致性好的高频高速覆铜板及制备与应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113365429A CN113365429A CN202010317045.7A CN202010317045A CN113365429A CN 113365429 A CN113365429 A CN 113365429A CN 202010317045 A CN202010317045 A CN 202010317045A CN 113365429 A CN113365429 A CN 113365429A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- copper
- dielectric constant
- clad plate
- ceramic powder
- good dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 60
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims abstract description 56
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims abstract description 56
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims abstract description 56
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 9
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本发明属于电子电路领域，具体涉及一种介电常数一致性好的高频高速覆铜板及制备与应用。本发明采用硅烷偶联剂对陶瓷粉料做表面处理，然后与聚四氟乙烯乳液均匀混合，得到改性处理聚四氟乙烯乳液；进一步造粒、冷压成板、烧结，得到聚合物绝缘板材；再通过离子溅射和电镀的方式在聚合物绝缘板材的双表面上铜导电层和铜箔层，得到介电常数一致性好的高频高速覆铜板，该方法工艺简单，节能环保，制得的覆铜板的介电常数一致性好、覆铜板的介电常数随温度变化的稳定性好控制在‑100ppm/℃内。
Description
技术领域
本发明属于电子电路领域，具体涉及一种介电常数一致性好的高频高速覆铜板及制备与应用。
背景技术
覆铜板作为印制电路板(PCB)制造中的基板材料，对印制电路板主要起互连导通、绝缘和支撑的作用，对电路中信号的传输速度、能量损失和特性阻抗等有很大的影响，因此，印制电路板的性能、品质、制造中的加工性、制造水平、制造成本以及长期的可靠性及稳定性在很大程度上取决于覆铜板。
随着智能电子产品等为代表的信息产业、电子工业的突飞猛进，数字电路逐渐步入信息处理高速化、信号传输高频化阶段，整个电子***朝向轻薄短小、多功能化、高密度化、高可靠性、低成本化的方向发展。故在印制电路板布线的高密度化、电气信号传输速度的高速化的发展之下，实现印制电路板基板材料具有低介电常数(Dk)、低介质损耗因数(Df)性能是十分必要的。
高频高速基板材料主要解决普通覆铜板在通信中微波以及毫米波等领域传输性能不稳定及损耗大的高频特性缺陷，于是对覆铜板的低介电性能，提出了更高、更迫切的需求，以获得快速、清晰且完整的信号，目前已成为整个行业发展的主流技术和动力。但是，现代覆铜板企业利用陶瓷粉料掺杂聚四氟乙烯粉料，通过陶瓷粉料和聚四氟乙烯粉料混合、冷压成型、烧结、压合电解铜箔等工艺制作覆铜板，该方法虽然克服了传统以玻璃纤维布为原料的缺点，覆铜板损耗有所降低且环保，但是该制备方法制得的产品介电常数一致性差，传输性能稳定性不稳定等缺点。
发明内容
为了克服现有技术的不足和缺点，本发明的首要目的在于提供一种介电常数一致性好的高频高速覆铜板的制备方法。
本发明的另一目的在于提供上述制备方法制备得到的介电常数一致性好的高频高速覆铜板。
本发明的再一目的在于提供上述介电常数一致性好的高频高速覆铜板的应用。
本发明的目的通过下述技术方案实现：
一种介电常数一致性好的高频高速覆铜板的制备方法，包含如下步骤：
(1)采用硅烷偶联剂对陶瓷粉料做表面处理，得到表面处理陶瓷粉料；再把表面处理陶瓷粉料与聚四氟乙烯乳液均匀混合，得到改性处理聚四氟乙烯乳液；其中，聚四氟乙烯乳液里的聚四氟乙烯的粒径小于表面处理陶瓷粉料粒径，使聚四氟乙烯包覆表面处理陶瓷粉料；
(2)将步骤(1)制得的改性处理聚四氟乙烯乳液造粒，得到造粒料；造粒料冷压成板，然后烧结，得到聚合物绝缘板材；
(3)通过离子溅射的方式在步骤(2)制得的聚合物绝缘板材的双表面上形成铜导电层1，然后通过电镀的方式在铜导电层1进一步形成铜箔层2，得到介电常数一致性好的高频高速覆铜板；
步骤(1)中所述的陶瓷粉料优选包含如下按质量百分比计的组分：
5～80％二氧化硅、5～30％氧化铝、5～75％二氧化钛；
步骤(1)中所述的陶瓷粉料的介电常数温度系数优选为﹢100～400ppm/℃；
步骤(1)中所述的硅烷偶联剂优选为OFS-6032硅烷偶联剂；
步骤(1)中所述的表面处理陶瓷粉料中硅烷偶联剂与陶瓷粉料的质量份数分别优选为1份、99份；
步骤(1)中所述的表面处理陶瓷粉料粒径D90优选为2微米，聚四氟乙烯乳液里的聚四氟乙烯粒径D90优选为0.2微米；
步骤(1)中所述的改性处理聚四氟乙烯乳液中表面处理陶瓷粉料与聚四氟乙烯乳液固含物的质量份数分别优选为30～40份、60～70份；
步骤(2)中所述的冷压的压力优选为60～100kg/cm2；
步骤(2)中所述的烧结的温度优选为330～380℃，烧结的时间优选为6～12h；
步骤(3)中所述的聚合物绝缘板材的厚度优选为0.5～3mm；
步骤(3)中所述的铜导电层1和铜箔层2的总厚度优选为18～35μm；
步骤(3)中所述的铜导电层1的厚度优选为40～80nm；
步骤(3)中所述的铜箔层2的粗糙度Ra优选为0.2±0.05μm；
常规的离子溅射和电镀工艺均可适用于本发明步骤(3)中所述的离子溅射和电镀；
一种介电常数一致性好的高频高速覆铜板，通过上述方法制备得到；
所述的介电常数一致性好的高频高速覆铜板在印制电路板制造领域中的应用；
本发明相对于现有技术具有如下的优点及效果：
(1)本发明采用的聚四氟乙烯和陶瓷粉料损耗均小，所制得高频高速覆铜板介质损耗偏低，损耗比常规产品损耗降低10～30％。
(2)本发明采用聚四氟乙烯乳液代替聚四氟乙烯粉料，通过造粒后再进行冷压成板、烧结，制得的覆铜板的介电常数一致性好、覆铜板的介电常数随温度变化的稳定性好控制在-100ppm/℃内、覆铜板聚合物绝缘基材的尺寸稳定性好、覆铜板聚合物绝缘基材热膨胀系数和金属铜接近、覆铜板聚合物绝缘基材吸水率低、覆铜板耐高温高湿环境。
(3)本发明采用离子溅射和电镀的形式制备平面轮廓铜箔，铜箔晶粒以纳米级均匀分布，铜箔与基材的结合力强，高频传输特性和蚀刻性能优异。
(4)本发明制得的介电常数一致性好的高频高速覆铜板完全无卤，具有优异的离子迁移性能、耐热性和耐化学性。
(5)本发明制得的介电常数一致性好的高频高速覆铜板绝缘基材适合传输毫米波信号。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
以下实施例中，所用仪器：球磨砂磨机、造粒塔、成型压机、烧结炉、溅射和电镀设备均为本领域公知的设备。所用硅烷偶联剂是可商业购买的硅烷偶联剂6032。
实施例中所述的份数为质量份数。
实施例1
(1)聚四氟乙烯的改性处理
①将80份二氧化硅、15份氧化铝以及5份二氧化钛混合均匀，得到陶瓷粉料，其介电常数温度系数为﹢150ppm/℃；
②将陶瓷粉料加入到蒸馏水中，搅拌均匀，得到陶瓷粉料蒸馏水混合液；然后将硅烷偶联剂6032加入到上述陶瓷粉料蒸馏水混合液中，搅拌均匀；再将上述混合液烘干、粉碎过筛，得到表面处理陶瓷粉料；其中，表面处理陶瓷粉料中，硅烷偶联剂与陶瓷粉料的质量份数分别为1份、99份；
③采用球磨砂磨机将表面处理陶瓷粉料和市场采购的聚四氟乙烯乳液混合均匀，得到改性处理聚四氟乙烯乳液；其中，改性处理聚四氟乙烯乳液中表面处理陶瓷粉料与聚四氟乙烯乳液固含物的质量份数分别为30份、70份，表面处理陶瓷粉料粒径D90为2微米，聚四氟乙烯乳液中的聚四氟乙烯的粒径D90为0.2微米；
(2)将步骤(1)制得的改性处理聚四氟乙烯乳液造粒，得到粒径为300微米的造粒料；造粒料冷压成型制成板，所用压力90kg/cm2；然后将板在烧结炉中360℃烧结6h，得到板厚度为1mm的聚合物绝缘基材；
(3)通过离子溅射的方式在步骤(2)制得的聚合物绝缘板材的双表面上形成铜导电层1(单面厚度是50nm)，然后通过电镀的方式在铜导电层1进一步形成铜箔层2，进而得到介电常数一致性好的高频高速覆铜板，其中，铜导电层1和铜箔层2的总厚度(单面)为18μm，铜箔层2粗糙度为0.2微米。
本实施例制得的高频高速覆铜板产品的性能如表1所示。本发明进一步检测了本实施例不同批次的高频高速覆铜板产品的介电常数和介质损耗，结果见表2。
表1实施例1制得的高频高速覆铜板产品的性能参数
表2实施例1制得的各批次高频高速覆铜板产品一致性数据
| 性能 | 第一批次 | 第二批次 | 第三批次 | 第四批次 | 第五批次 |
| 介电常数(Dk) | 3.000±0.005 | 3.001±0.005 | 3.000±0.005 | 3.001±0.005 | 3.000±0.005 |
| 介质损耗(Df) | 0.0010 | 0.0010 | 0.0010 | 0.0010 | 0.0010 |
实施例2
(1)聚四氟乙烯的改性处理
①将5份二氧化硅、20份氧化铝以及75份二氧化钛混合均匀，得到陶瓷粉料，其介电常数温度系数为﹢40ppm/℃；
②将陶瓷粉料加入到蒸馏水中，搅拌均匀，得到陶瓷粉料蒸馏水混合液；然后将硅烷偶联剂6032加入到上述陶瓷粉料蒸馏水混合液中，搅拌均匀；再将上述混合液烘干、粉碎过筛，得到表面处理陶瓷粉料，其中，表面处理陶瓷粉料中，硅烷偶联剂与陶瓷粉料的质量份数分别为1份、99份；
③采用球磨砂磨机将表面处理陶瓷粉料与市场采购的聚四氟乙烯乳液混合均匀，得到改性处理聚四氟乙烯乳液；其中，改性处理聚四氟乙烯乳液中表面处理陶瓷粉料与聚四氟乙烯乳液固含物的质量份数分别为40份、60份，表面处理陶瓷粉料粒径D90为2微米，聚四氟乙烯乳液中的聚四氟乙烯的粒径D90为0.2微米；
(2)将步骤(1)制得的改性处理聚四氟乙烯乳液造粒，得到粒径为300微米的造粒料；造粒料冷压成型制成板，所用压力80kg/cm2；然后将板在烧结炉中380℃烧结7h，得到板厚度为2mm的聚合物绝缘基材；
(3)通过离子溅射的方式在步骤(2)制得的聚合物绝缘板材的双表面上形成铜导电层1(单面厚度是80nm)，然后通过电镀的方式在铜导电层1进一步形成铜箔层2，进而得到介电常数一致性好的高频高速覆铜板，其中，铜导电层1和铜箔层2的总厚度(单面)为35μm，铜箔层2粗糙度为0.21微米。
本实施例制得的高频高速覆铜板产品的性能如表3示。本发明进一步检测了本实施例不同批次的高频高速覆铜板产品的介电常数和介质损耗，结果见表4。
表3实施例2得的高频高速覆铜板产品的性能参数
表4实施例2制得的各批次高频高速覆铜板产品一致性数据
实施例3
(1)聚四氟乙烯的改性处理
①将75份二氧化硅、10份氧化铝以及15份二氧化钛混合均匀，得到陶瓷粉料，其介电常数温度系数为+100ppm/℃；
②将陶瓷粉料加入到蒸馏水中，搅拌均匀，得到陶瓷粉料蒸馏水混合液；然后将硅烷偶联剂6032加入到上述陶瓷粉料蒸馏水混合液中，搅拌均匀；再将上述混合液烘干、粉碎过筛，得到表面处理陶瓷粉料；其中，表面处理陶瓷粉料中，硅烷偶联剂与陶瓷粉料的质量份数分别为1份、99份；
③采用球磨砂磨机将表面处理陶瓷粉料和市场采购的聚四氟乙烯乳液混合均匀，得到改性处理聚四氟乙烯乳液；其中，改性处理聚四氟乙烯乳液中表面处理陶瓷粉料与聚四氟乙烯乳液固含物的质量份数分别为35份、65份，表面处理陶瓷粉料粒径D90为2微米，聚四氟乙烯乳液中的聚四氟乙烯的粒径D90为0.2微米；
(2)将步骤(1)制得的改性处理聚四氟乙烯乳液造粒，得到粒径为300微米的造粒料；造粒料冷压成型制成板，所用压力100kg/cm2；然后将板在烧结炉中330℃烧结10h，得到板厚度为1mm的聚合物绝缘基材；
(3)通过离子溅射的方式在步骤(2)制得的聚合物绝缘板材的双表面上形成铜导电层1(单面厚度是40nm)，然后通过电镀的方式在铜导电层1进一步形成铜箔层2，进而得到介电常数一致性好的高频高速覆铜板，其中，铜导电层1和铜箔层2的总厚度(单面)为18μm，铜箔层2粗糙度为0.2微米。
本实施例制得的高频高速覆铜板产品的性能如表5所示。本发明进一步检测了本实施例不同批次的高频高速覆铜板产品的介电常数和介质损耗，结果见表6。
表5实施例3制得的高频高速覆铜板产品的性能参数
表6实施例3制得的各批次高频高速覆铜板产品一致性数据
| 性能 | 第一批次 | 第二批次 | 第三批次 | 第四批次 | 第五批次 |
| 介电常数(Dk) | 4.500±0.005 | 4.500±0.005 | 4.500±0.005 | 4.500±0.005 | 4.500±0.005 |
| 介质损耗(Df) | 0.0020 | 0.0020 | 0.0020 | 0.0020 | 0.0020 |
对比实施例1
(1)聚四氟乙烯的改性处理
①陶瓷粉料制备方法同实施例1；
②表面处理陶瓷粉料制备方法同实施例1；
③采用球磨砂磨机将30质量份表面处理陶瓷粉料及70质量份悬浮聚四氟乙烯粉料混合均匀，得到改性处理聚四氟乙烯粉料；其中，表面处理陶瓷粉料粒径D90为2微米，悬浮聚四氟乙烯粉料粒径D90为20微米；
(2)将步骤(1)制得的改性处理聚四氟乙烯粉料冷压成型制成板，所用压力为90kg/cm2；然后将板置于烧结炉中在360℃下烧结6h，得到板厚度为1mm的聚合物绝缘基材；
(3)在步骤(2)制得的聚合物绝缘板材的双表面上敷上18μm厚的铜箔。用真空热压机把铜箔和绝缘基材压合，热压所用温度为420℃；压合完成的产品即为高频高速覆铜板。
本实施例制得的高频高速覆铜板产品的性能如表7所示。本发明进一步检测了本实施例不同批次的高频高速覆铜板产品的介电常数和介质损耗，结果见表8。
表7对比实施例1制得的高频高速覆铜板产品的性能参数
表8对比实施例1制得的各批次高频高速覆铜板产品一致性数据
| 性能 | 第一批次 | 第二批次 | 第三批次 | 第四批次 | 第五批次 |
| 介电常数(Dk) | 3.010±0.005 | 3.041±0.005 | 3.080±0.005 | 3.061±0.005 | 3.040±0.005 |
| 介质损耗(Df) | 0.0025 | 0.0025 | 0.0025 | 0.0025 | 0.0025 |
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种介电常数一致性好的高频高速覆铜板的制备方法，其特征在于包含如下步骤：
(1)采用硅烷偶联剂对陶瓷粉料做表面处理，得到表面处理陶瓷粉料；再把表面处理陶瓷粉料与聚四氟乙烯乳液均匀混合，得到改性处理聚四氟乙烯乳液；其中，聚四氟乙烯乳液里的聚四氟乙烯的粒径小于表面处理陶瓷粉料粒径，使聚四氟乙烯包覆表面处理陶瓷粉料；
(2)将步骤(1)制得的改性处理聚四氟乙烯乳液造粒，得到造粒料；造粒料冷压成板，然后烧结，得到聚合物绝缘板材；
(3)通过离子溅射的方式在步骤(2)制得的聚合物绝缘板材的双表面上形成铜导电层1，然后通过电镀的方式在铜导电层1进一步形成铜箔层2，得到介电常数一致性好的高频高速覆铜板。
2.根据权利要求1所述的介电常数一致性好的高频高速覆铜板的制备方法，其特征在于：
步骤(1)中所述的陶瓷粉料包含如下按质量百分比计的组分：
5～80％二氧化硅、5～30％氧化铝、5～75％二氧化钛。
3.根据权利要求1所述的介电常数一致性好的高频高速覆铜板的制备方法，其特征在于：
步骤(1)中所述的硅烷偶联剂为OFS-6032硅烷偶联剂。
4.根据权利要求1所述的介电常数一致性好的高频高速覆铜板的制备方法，其特征在于：
步骤(1)中所述的表面处理陶瓷粉料粒径D90为2微米，聚四氟乙烯乳液里的聚四氟乙烯粒径D90为0.2微米。
5.根据权利要求1所述的介电常数一致性好的高频高速覆铜板的制备方法，其特征在于：
步骤(1)中所述的改性处理聚四氟乙烯乳液中表面处理陶瓷粉料与聚四氟乙烯乳液固含物的质量份数分别为30～40份、60～70份。
6.根据权利要求1所述的介电常数一致性好的高频高速覆铜板的制备方法，其特征在于：
步骤(2)中所述的烧结的温度为330～380℃，烧结的时间为6～12h。
7.根据权利要求1所述的介电常数一致性好的高频高速覆铜板的制备方法，其特征在于：
步骤(3)中所述的聚合物绝缘板材的厚度为0.5～3mm。
8.根据权利要求1所述的介电常数一致性好的高频高速覆铜板的制备方法，其特征在于：
步骤(3)中所述的铜导电层1和铜箔层2的总厚度为18～35μm；
步骤(3)中所述的铜导电层1的厚度为40～80nm。
9.一种介电常数一致性好的高频高速覆铜板，其特征在于通过权利要求1～8任一项所述的制备方法制备得到。
10.权利要求9所述的介电常数一致性好的高频高速覆铜板在印制电路板制造领域中的应用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010317045.7A CN113365429A (zh) | 2020-04-21 | 2020-04-21 | 一种介电常数一致性好的高频高速覆铜板及制备与应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010317045.7A CN113365429A (zh) | 2020-04-21 | 2020-04-21 | 一种介电常数一致性好的高频高速覆铜板及制备与应用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113365429A true CN113365429A (zh) | 2021-09-07 |
Family
ID=77524418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010317045.7A Pending CN113365429A (zh) | 2020-04-21 | 2020-04-21 | 一种介电常数一致性好的高频高速覆铜板及制备与应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113365429A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113881171A (zh) * | 2021-09-29 | 2022-01-04 | 浙江华正新材料股份有限公司 | 树脂组合物、胶片、电路基板以及印制电路板 |
| CN115610044A (zh) * | 2022-12-20 | 2023-01-17 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种低损耗ptfe基微波复合介质基板及制备方法 |
| CN117241479A (zh) * | 2023-09-20 | 2023-12-15 | 无锡睿龙新材料科技有限公司 | 一种低温飘系数高介电常数的高频覆铜板及其制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107001753A (zh) * | 2014-12-12 | 2017-08-01 | 大金工业株式会社 | 聚四氟乙烯组合物 |
| CN107746272A (zh) * | 2017-08-16 | 2018-03-02 | 电子科技大学 | 微波介质陶瓷、聚四氟乙烯‑陶瓷复合基板及制备方法 |
| CN108437593A (zh) * | 2018-04-16 | 2018-08-24 | 常州中英科技股份有限公司 | 一种低成本的热塑型聚烯烃基覆铜板 |
| CN108501488A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-09-07 | 吴东建 | 一种高频高速覆铜板及其制备方法 |
| CN108901130A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-11-27 | 吴东建 | 一种高频高速挠性覆铜板及其制备方法 |
| CN109456051A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-03-12 | 电子科技大学 | 一种聚四氟乙烯基陶瓷复合材料的制备方法 |
| CN110372980A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-10-25 | 嘉兴佳利电子有限公司 | 一种低吸水率、高铜箔附着力的ptfe陶瓷复合基板的制作方法 |
-
2020
- 2020-04-21 CN CN202010317045.7A patent/CN113365429A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107001753A (zh) * | 2014-12-12 | 2017-08-01 | 大金工业株式会社 | 聚四氟乙烯组合物 |
| CN107746272A (zh) * | 2017-08-16 | 2018-03-02 | 电子科技大学 | 微波介质陶瓷、聚四氟乙烯‑陶瓷复合基板及制备方法 |
| CN108437593A (zh) * | 2018-04-16 | 2018-08-24 | 常州中英科技股份有限公司 | 一种低成本的热塑型聚烯烃基覆铜板 |
| CN108501488A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-09-07 | 吴东建 | 一种高频高速覆铜板及其制备方法 |
| CN108901130A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-11-27 | 吴东建 | 一种高频高速挠性覆铜板及其制备方法 |
| CN109456051A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-03-12 | 电子科技大学 | 一种聚四氟乙烯基陶瓷复合材料的制备方法 |
| CN110372980A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-10-25 | 嘉兴佳利电子有限公司 | 一种低吸水率、高铜箔附着力的ptfe陶瓷复合基板的制作方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113881171A (zh) * | 2021-09-29 | 2022-01-04 | 浙江华正新材料股份有限公司 | 树脂组合物、胶片、电路基板以及印制电路板 |
| CN115610044A (zh) * | 2022-12-20 | 2023-01-17 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种低损耗ptfe基微波复合介质基板及制备方法 |
| CN117241479A (zh) * | 2023-09-20 | 2023-12-15 | 无锡睿龙新材料科技有限公司 | 一种低温飘系数高介电常数的高频覆铜板及其制备方法 |
| CN117241479B (zh) * | 2023-09-20 | 2024-05-10 | 无锡睿龙新材料科技有限公司 | 一种低温飘系数高介电常数的高频覆铜板及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN113365429A (zh) | 一种介电常数一致性好的高频高速覆铜板及制备与应用 | |
| US11369023B2 (en) | Composite LCP high-frequency high-speed double-sided copper foil substrate and preparation method thereof | |
| CN109867982B (zh) | 一种低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料及应用 | |
| CN106800733B (zh) | 一种复合微波介质材料、用其制作的印刷电路板基材及其制造方法 | |
| CN108454192B (zh) | Pi型高频高速传输用双面铜箔基板及其制备方法 | |
| CN111993720B (zh) | 一种具有高导热性的聚四氟乙烯高频覆铜板 | |
| CN108901130A (zh) | 一种高频高速挠性覆铜板及其制备方法 | |
| CN110734614A (zh) | 一种用于高频覆铜板的ptfe基板材料及其制备方法 | |
| CN108501488A (zh) | 一种高频高速覆铜板及其制备方法 | |
| CN108358505B (zh) | 微波介质陶瓷粉填充氟树脂中间介质层及其制备方法 | |
| CN111497097B (zh) | 可表面直接金属化的聚四氟乙烯透波材料、制备方法及应用 | |
| CN112430006A (zh) | 一种高导热和高热稳定微波复合介质基板及其制备方法 | |
| CN110982489A (zh) | 一种高频胶水及应用该高频胶水的高频挠性覆铜板 | |
| CN114155992A (zh) | 用于陶瓷基复合材料的高附着力导电银浆及其制备方法 | |
| WO2021259030A1 (zh) | 液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法 | |
| CN109575482B (zh) | 一种用于高频覆铜板的基板材料及其制备方法 | |
| CN217574340U (zh) | 一种薄型ptfe高频覆铜板 | |
| CN115742523B (zh) | 超低介电微波复合基板材料的制造工艺 | |
| TWI722309B (zh) | 高頻高傳輸雙面銅箔基板、用於軟性印刷電路板之複合材料及其製法 | |
| CN113692111B (zh) | 一种高耐蚀性柔性覆铜板及其制备方法 | |
| CN116367424A (zh) | 一种新型高频高速挠性覆铜板的制备方法 | |
| CN111662640A (zh) | 用于5g通信的改性液晶材料、覆铜板及其制备方法 | |
| CN111716864A (zh) | 一种液晶聚酯挠性覆铜板的制备方法 | |
| CN114536923B (zh) | 一种高介电常数的含氟树脂基高导热高频覆铜板 | |
| TWI666122B (zh) | 用於軟性印刷電路板之複合材料及其製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210907 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |