CN113169726A - 弹性波装置 - Google Patents
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Abstract
提供一种弹性波装置,即便所传播的弹性波的主成分是纵波也能够得到良好的阻抗特性。弹性波装置(1)具备支承基板(2)、压电体层(3)以及IDT电极(4)。压电体层(3)直接或间接地设置在支承基板(2)上。IDT电极(4)包括多个电极指(41),设置于压电体层(3)的主面(31)。在将由IDT电极(4)的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ的情况下,压电体层(3)的厚度为1λ以下。支承基板(2)是A面蓝宝石基板。
Description
技术领域
本发明一般涉及弹性波装置,更详细而言涉及利用弹性波的弹性波装置。
背景技术
以往,已知有一种弹性波装置,该弹性波装置具备支承基板、声速相对高的高声速膜、声速相对低的低声速膜、压电膜、以及IDT(Interdigital Transducer,叉指换能器)电极(例如参照专利文献1)。
高声速膜层叠在支承基板上,低声速膜层叠在高声速膜上。压电膜层叠在低声速膜上。通过在高声速膜与压电膜之间配置低声速膜,能够降低弹性波能量的损耗,提高Q值。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2012/086639号
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1所公开的弹性波装置中传播的弹性波的主成分是纵波的情况下,根据支承基板的材料及方位,与传播以横波为主成分的弹性波的情况相比,有时弹性波能量的损耗变大。因此,存在Q值变低这样的问题,换言之,存在得不到良好的阻抗特性这样的问题。
本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的在于,提供一种当弹性波在压电体层传播时能够得到良好的阻抗特性的弹性波装置。
用于解决课题的手段
本发明的一方式的弹性波装置具备支承基板、压电体层、以及IDT电极。所述压电体层直接或间接地设置在所述支承基板上。所述IDT电极包括多个电极指,设置于所述压电体层的主面。在将由所述IDT电极的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ的情况下,所述压电体层的厚度为1λ以下。所述支承基板是A面蓝宝石基板。
发明效果
根据本发明,即便所传播的弹性波的主成分是纵波,也能够得到良好的阻抗特性。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的弹性波装置的剖视图。
图2是说明上述的弹性波装置的阻抗比与ψ的关系的坐标图。
图3是说明使上述的弹性波装置具备的A面蓝宝石基板即支承基板的ψ变化的情况下的体波声速的坐标图。
图4是说明使用了R面蓝宝石基板的情况下的阻抗特性的坐标图。
图5是说明使R面蓝宝石基板的ψ变化的情况下的体波声速的坐标图。
图6是说明使C面蓝宝石基板的ψ变化的情况下的体波声速的坐标图。
图7是说明使m面蓝宝石基板的ψ变化的情况下的体波声速的坐标图。
图8是变形例1的弹性波装置的剖视图。
图9是说明上述的弹性波装置的阻抗特性的坐标图。
图10是变形例2的弹性波装置的剖视图。
具体实施方式
以下说明的实施方式及变形例只不过是本发明的一例,本发明不限于实施方式及变形例。即便是以下的实施方式及变形例以外,如果处于不脱离本发明的技术思想的范围,则也能够根据设计等而进行各种变更。
(实施方式)
以下,使用图1~图7对本实施方式的弹性波装置进行说明。
在以下的实施方式等中参照的图1、图8及图10均是示意图,图中的各构成要素的大小和厚度各自的比并不一定反映出实际的尺寸比。
(1)弹性波装置的整体结构
实施方式的弹性波装置1例如是将板波用作弹性波的弹性波装置。如图1所示,弹性波装置1具备支承基板2、压电体层3、以及作为梳齿型电极的IDT(IDT:InterdigitalTransducer,叉指换能器)电极4。压电体层3形成在支承基板2上。IDT电极4形成在压电体层3上。
(2)弹性波装置的各构成要素
接着,参照附图对弹性波装置1的各构成要素进行说明。
(2.1)支承基板
如图1所示,支承基板2对压电体层3与IDT电极4的层叠体进行支承。支承基板2在其厚度方向D1(以下也称为第一方向D1)上具有彼此位于相反侧的第一主面21及第二主面22。第一主面21及第二主面22相互背对。支承基板2的俯视形状(从厚度方向D1观察支承基板2时的外周形状)为长方形,但不限于长方形,例如也可以是正方形。
支承基板2是A面蓝宝石基板。这里,A面蓝宝石基板表示将第一主面21设为蓝宝石的A面的蓝宝石基板。蓝宝石的晶体构造是菱形体品系,但能够近似为六方晶。另外,蓝宝石是各向异性材料。A面蓝宝石基板在面指数中表现为(11-20),在欧拉角中表现为(90°,90°,ψ)。需要说明的是,蓝宝石的欧拉角也可以是(90°±5,90°±5,ψ)。
在本实施方式中,ψ为120°以上且165°以下的范围内。
(2.2)压电体层
压电体层3例如由X切割Y传播LiNbO3(铌酸锂)压电单晶形成。X切割Y传播LiNbO3压电单晶是沿着在将LiNbO3压电单晶的三个晶体轴设为X轴、Y轴、Z轴的情况下将以Y轴为中心轴从X轴向Z轴方向旋转后的轴作为法线的面切断而得到的LiNbO3单晶,是声表面波沿Y轴方向传播的单晶。在本实施方式中,将压电体层3的欧拉角设为需要说明的是,压电体层3的欧拉角包括在晶体学上等效的欧拉角。LiNbO3是属于三方晶系的3m点组的晶体,因此,下式成立。
需要说明的是,压电体层3不限定于X切割Y传播LiNbO3压电单晶,例如也可以是X切割Y传播LiNbO3压电陶瓷。
压电体层3形成在支承基板2的第一主面21上。在将由IDT电极4的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时,压电体层3的厚度(第一方向D1上的长度)为1λ以下。由此,在弹性波装置1中,通过IDT电极4激励板波,使板波传播。在本实施方式的弹性波装置1中,例如,弹性波的波长为1μm,压电体层3的厚度为0.2μm。通过将压电体层3的厚度设为1λ以下,Q值变高。此外,能够容易调整弹性波的声速。
本实施方式中的压电体层3的欧拉角是(90°,90°,40°)。即,本实施方式的压电体层3由X切割40°Y传播LiNbO3压电单晶形成。
需要说明的是,在压电体层3中,作为一例,将在欧拉角显示中成为(90°,90°,40°)的方位设为晶体方位。但是,压电体层3的晶体方位不限于此。欧拉角(90°,90°,ψ)是X切割基板,在X切割基板上激励纵波占优势的声表面波,机电耦合系数根据ψ而变化。对此,压电体层3的晶体方位能够与所希望的机电耦合系数匹配地任意选择。例如,在ψ为40°±20°的范围内,能够得到比较大的机电耦合系数。同样地,即便在为90°±5°或θ为90°±5°的范围内,也能够得到比较大的机电耦合系数。即,压电体层3的欧拉角也可以在(90°±5°,90°±5°,40°±20°)的范围内决定。另外,在本实施方式中,纵波是指声速为6000m/s以上且7000m/s以下的弹性波。
在弹性波装置1中,作为在压电体层3传播的弹性波的模式,存在纵波、SH波、或SV波、或者将它们复合而得到的模式。在弹性波装置1中,将以纵波为主成分的模式用作主模式。关于在压电体层3传播的弹性波的模式是否为“将以纵波为主成分的模式用作主模式”,例如,能够使用压电体层3的参数(材料、欧拉角及厚度等)、IDT电极4的参数(材料、厚度及电极指周期等)的参数,通过有限元法对位移分布进行解析并解析应变,由此进行确认。压电体层3的欧拉角能够通过分析而求出。
需要说明的是,这里所说的主模式为,在弹性波装置1为谐振器的情况下,在滤波器的通带内存在谐振频率及反谐振频率中的至少一方且谐振频率下的阻抗与反谐振频率下的阻抗之差最大的波的模式。另外,在弹性波装置1为滤波器的情况下,是为了形成滤波器的通带而使用的波的模式。
(2.3)IDT电极
IDT电极4包括多个电极指41和两个汇流条(未图示),设置于压电体层3的主面31。多个电极指41在与第一方向D1正交的第二方向D2上相互分离地排列设置。未图示的两个汇流条形成为将第二方向D2作为长边方向的长条状,与多个电极指41电连接。更详细而言,多个电极指41具有多个第一电极指和多个第二电极指。多个第一电极指与两个汇流条中的第一汇流条电连接。多个第二电极指与两个汇流条中的第二汇流条电连接。
在将第一电极指及第二电极指的宽度设为WA(参照图1)、将相邻的第一电极指与第二电极指的空间宽度设为SA的情况下,在IDT电极4中,占空比由WA/(WA+SA)定义。IDT电极4的占空比例如为0.5。在将由IDT电极4的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时,波长λ与电极指周期相等。IDT电极4的电极指周期由多个第一电极指及多个第二电极指的重复周期定义。因此,重复周期与波长λ相等。IDT电极4的占空比是指第一电极指及第二电极指的宽度WA相对于电极指周期的2分之1的值(WA+SA)的比。
IDT电极4的材料例如是铝(Al)、铜(Cu)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)或钨(W)、或者以这些金属中的任意一种为主体的合金等适当的金属材料。另外,IDT电极4也可以具有将由这些金属或合金构成的多个金属膜层叠而成的构造。在本实施方式中,IDT电极4的材料为铜。另外,IDT电极4的厚度(第一方向D1中的长度)例如为50nm。
另外,也可以将保护膜、频率调整膜设置为覆盖IDT电极4的至少一部分。
(3)弹性波装置的特性
图2是示出在将弹性波装置1用作单端口谐振器的情况下使作为支承基板2的欧拉角的一个要素的ψ的角度变化时的ψ与阻抗比的关系的坐标图。
阻抗[dB]是在将弹性波装置1的阻抗设为Z的情况下通过20×log10|Z|而求出的值。另外,阻抗比是通过数式“阻抗比=(20×log10|Z1|)-(20×log10|Z2|)”而求出的值。这里,Z2是弹性波装置1的谐振频率下的阻抗。另外,Z1是弹性波装置1的反谐振频率下的阻抗。
阻抗比表示谐振响应的大小的指标,可以说其值越大,谐振频率下的阻抗越为良好。如图2所示,在ψ为120°以上且165°以下的范围内的情况下,阻抗比超过60[dB]。因此,在ψ为120°以上且165°以下的范围内,谐振频率下的阻抗良好。
图3示出使A面蓝宝石基板(支承基板2)的ψ变化的情况下的体波声速。具体而言,示出相位速度与ψ的关系。纵波与横波的体波声速不同,蓝宝石是各向异性材料,因此,在横波中传播有速度快的模式(快横波)和速度慢的模式(慢横波)。即,在A面蓝宝石基板传播的弹性体波包括纵波、快横波及慢横波。这些波的速度根据ψ而不同。
如图3所示,纵波的声速与ψ的值无关,是超过速度10000m/s的声速。另一方面,快横波及慢横波各自的声速是速度6000m/s附近的声速。这里,在谐振频率下的阻抗成为良好的ψ的范围(120°以上且165°以下的范围)内,快横波及慢横波的双方均成为6600m/s以上,即便在A面蓝宝石基板中,也是声速特别快的区域。
在本实施方式中,纵波型的弹性波模式的谐振频率点的声速约为6000m/s,且反谐振频率点的声速比6600m/s小,因此,在A面蓝宝石基板的声速比谐振频率点及反谐振点处的声速快的情况下,在谐振频率与反谐振频率之间,弹性波能量不会向A面蓝宝石基板(支承基板2)侧泄漏,在能量集中于压电体层3附近的状态下传播弹性波。因此,能够得到良好的阻抗特性(阻抗比)。即,得到良好的声表面波的特性。
需要说明的是,在晶体学上与阻抗成为良好的ψ的范围(120°以上且165°以下的范围)等效的范围(300°以上且345°以下的范围)内,快横波及慢横波的双方也都成为6600m/s以上。因此,即便在ψ为300°以上且345°以下的范围内,也得到良好的阻抗特性。其结果是,在能量集中于压电体层3附近的状态下传播弹性波,因此,得到良好的声表面波的特性。
在ψ比120°小的情况下、比165°大且比300°小的情况下、或者比345°大的情况下,快横波及慢横波中的至少一方的声速比6600[m/s]小。因此,在反谐振频率附近产生向A面蓝宝石基板(支承基板2)的能量泄漏,因此,得不到良好的阻抗特性。
(4)优点
如以上说明的那样,在本实施方式中,弹性波装置1具备欧拉角为(90°,90°,40°)的压电体层3、以及欧拉角为(90°,90°,ψ)的A面蓝宝石基板即支承基板2。这里,ψ为120°以上且165°以下。在是ψ为120°以上且165°以下的范围内的值的情况下,如图2及图3所示,得到谐振频率下的良好的阻抗特性。因此,在本实施方式的弹性波装置1中,弹性波能量不向支承基板2侧泄漏,能够在能量集中于压电体层3附近的状态下传播弹性波。其结果是,得到良好的声表面波的特性。即,能够提高Q值。
有时,作为支承基板,考虑利用R面蓝宝石基板或C面蓝宝石基板。
例如,图4示出代替实施方式1所示的支承基板2而使用了欧拉角为(0°,122.23°,0°)的R面蓝宝石基板(比较例的支承基板)的情况下的阻抗特性。如图4所示,例如在频率为5500MHz以上且6500MHz以下,阻抗的最大值与最小值的差分不大。即,阻抗比小。因此,在比较例的支承基板(R面蓝宝石基板)中,无法得到良好的阻抗特性。
此外,图5示出使R面蓝宝石基板(比较例的支承基板)的ψ变化的情况下的体波声速即相位速度与ψ的关系。在使用了R面蓝宝石基板的情况下,在欧拉角(0°,122.23°,ψ)中,与ψ的值无关,慢横波的声速在6000m/s附近。即,慢横波的声速接近谐振频率点的声速,因此,通过体辐射得不到良好的阻抗特性。
另外,图6示出使C面蓝宝石基板的ψ变化的情况下的体波声速即相位速度与ψ的关系。在使用了C面蓝宝石基板的情况下,与ψ的值无关,与R面蓝宝石基板同样地,慢横波的声速在6000m/s附近。即,慢横波的声速接近谐振频率点的声速,因此,即便在使用了C面蓝宝石基板的情况下,也通过体辐射得不到良好的阻抗特性。
此外,作为支承基板,也考虑使用m面蓝宝石基板。图7示出使m面蓝宝石基板的ψ变化的情况下的体波声速即相位速度与ψ的关系。在将m面蓝宝石基板作为支承基板的情况下,与ψ的值无关,与R面蓝宝石基板及C面蓝宝石基板同样地,慢横波的声速在6000m/s附近。即,慢横波的声速接近谐振频率点的声速,因此,即便在使用了m面蓝宝石基板的情况下,也通过体辐射得不到良好的阻抗特性。
因此,在C面蓝宝石基板、R面蓝宝石基板及m面蓝宝石基板中传播弹性波时,弹性波能量会向基板侧泄漏,但通过将A面蓝宝石基板用作支承基板2,能够在弹性波能量不向支承基板2侧泄漏的情况下传播弹性波。
另外,在实施方式的弹性波装置1中,在将由IDT电极4的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时,压电体层3的厚度为1λ以下。由此,在实施方式的弹性波装置1中,能够激励板波。
另外,在实施方式的弹性波装置1中,弹性波为板波。由此,在实施方式的弹性波装置1中,能够作为利用板波的弹性波装置来使用。
上述的实施方式只不过是本发明的各种实施方式中的一个。上述的实施方式只要能够实现本发明的目的即可,能够根据设计等进行各种变更。
(5)变形例
以下列出变形例。需要说明的是,以下说明的变形例能够与上述实施方式适当组合地应用。
(5.1)变形例1
作为本实施方式的变形例1,如图8所示,弹性波装置1A与实施方式的弹性波装置1相比,也可以为还具备中间层5的结构。
中间层5例如是氧化硅层,设置在支承基板2与压电体层3之间。换言之,中间层5层叠在支承基板2的第一主面21上,在中间层5上层叠有压电体层3。中间层5的厚度例如是50nm。通过设置中间层5,能够改善弹性波装置1A中的频率温度特性。需要说明的是,生成中间层5的材料除了氧化硅之外,也可以是氮化硅、氮化铝等。
图9示出在将弹性波装置1A用作单端口谐振器的情况下使作为支承基板2的欧拉角的一个要素的ψ的角度变化时的阻抗特性。在本变形例中,图9示出作为ψ而应用了105°、120°、140°、165°及180°的情况下的阻抗特性。
如上所述,阻抗比是通过数式“阻抗比=(20×log10|Z1|)-(20×log10|Z2|)”而求出的值。Z2是弹性波装置1的谐振频率下的阻抗,相当于阻抗特性的极大值。另外,Z1是弹性波装置1的反谐振频率下的阻抗,相当于阻抗特性的极大值。
在图9中,在ψ为105°及180°的情况下,阻抗比约为53dB。在ψ为120°的情况下,阻抗比约为80dB,在ψ为140°的情况下,阻抗比约为83dB,在ψ为165°的情况下,阻抗比约为85dB。即,在ψ为120°以上且165°以下的范围内的情况下,作为阻抗比,得到80dB附近的值。因此,在ψ为120°以上且165°以下的范围内,得到良好的阻抗特性。即,得到良好的声表面波的特性。
这里,由于支承基板2由A面蓝宝石构成,因此,作为高声速基板发挥功能。由于中间层5为氧化硅层,因此,作为低声速膜发挥功能。在高声速基板中,与在压电体层3传播的弹性波的声速相比,在高声速基板传播的体波的声速为高速。在低声速膜中,与在压电体层3传播的体波的声速相比,在低声速膜传播的体波的声速为低速。
因此,弹性波装置1A的支承基板2像这样发挥功能:将声表面波封闭在层叠有压电体层3及中间层5(低声速膜)的部分,使声表面波***漏到比支承基板2靠下的构造。
需要说明的是,作为构成作为中间层5的低声速膜的材料,能够使用与在压电体层3传播的体波相比具有低声速膜的体波声速的适当的材料。例如,也可以使用氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或者向氧化硅添加了氟、碳或硼而得到的化合物等、以这些材料为主成分的介质。
另外,设置在压电体层3与支承基板2之间的中间层5不限定于一个层。也可以在压电体层3与支承基板2之间设置有多个中间层5。总之,也可以在压电体层3与支承基板2之间设置至少一个中间层5,还可以如上述实施方式那样不设置中间层5。即,压电体层3直接或间接地设置在支承基板2上即可。
(5.2)变形例2
也可以在压电体层3与支承基板2之间设置至少一个高声阻抗层和至少一个低声阻抗层分别作为中间层。这里,高声阻抗层是声阻抗比低声阻抗层高的层。例如,如图10所示,也可以在压电体层3与支承基板2之间设置三个高声阻抗层51和三个低声阻抗层52。
以下,为了方便说明,也有时将三个高声阻抗层51按照距支承基板2的第一主面21从近到远的顺序称为第一高声阻抗层511、第二高声阻抗层512、第三高声阻抗层513。另外,也有时将三个低声阻抗层52按照距支承基板2的第一主面21从近到远的顺序称为第一低声阻抗层521、第二低声阻抗层522、第三低声阻抗层523。
在弹性波装置1B中,从支承基板2侧依次排列有第一高声阻抗层511、第一低声阻抗层521、第二高声阻抗层512、第二低声阻抗层522、第三高声阻抗层513及第三低声阻抗层523。因此,在弹性波装置1B中,在第三低声阻抗层523与第三高声阻抗层513的界面、第二低声阻抗层522与第二高声阻抗层512的界面、第一低声阻抗层521与第一高声阻抗层511的界面,分别能够反射来自压电体层3的弹性波(板波)。
多个高声阻抗层51的材料例如是Pt(铂)。另外,多个低声阻抗层52的材料例如是氧化硅。弹性波装置1B的三个高声阻抗层51分别由Pt形成,因此,包括三个导电层。
多个高声阻抗层51的材料不限于Pt(铂),例如也可以是W(钨)、Ta(钽)等金属。另外,弹性波装置1B不限于高声阻抗层51为导电层的例子,低声阻抗层52也可以为导电层。
另外,多个高声阻抗层51不限于为彼此相同的材料的情况,例如也可以为互不相同的材料。另外,多个低声阻抗层52不限于为彼此相同的材料的情况,例如也可以为互不相同的材料。
另外,高声阻抗层51及低声阻抗层52各自的数量也可以为两个或四个以上。另外,高声阻抗层51的数量与低声阻抗层52的数量也可以不同。另外,弹性波装置1B的至少一个高声阻抗层51与至少一个低声阻抗层52在支承基板2的厚度方向D1上重复即可。
即便在压电体层3与支承基板2之间设置有至少一个高声阻抗层51和至少一个低声阻抗层52的情况下,在作为支承基板2的欧拉角的一个要素的ψ为120°以上且165°以下的范围内,也得到了良好的阻抗特性。即,得到良好的声表面波的特性。
(5.3)变形例3
在上述实施方式中,压电体层3的欧拉角是在(90°±5°,90°±5°,40°±20°)的范围内决定的方位,但不限于此。压电体层3的欧拉角是作为纵波占优势的声表面波而被激励的方位即可。例如,作为在压电体层3中纵波占优势的声表面波而被激励的方位除了在(90°±5°,90°±5°,40°±20°)的范围内决定的方位之外,存在在(0°±5°,35°±20°,90°±20°)的范围内决定的方位及在(0°±5°,85°±20°,90°±20°)的范围内决定的方位。
或者,压电体层3的欧拉角也可以为在晶体学上与在(90°±5°,90°±5°,40°±20°)、(0°±5°,35°±20°,90°±20°)中的任意一个范围内决定的欧拉角等效的方位。
(5.4)变形例4
压电体层3的材料不限于LiNbO3。例如,压电体层3的材料也可以为LiTaO3(钽酸锂)。即,压电体层3也可以为Y切割X传播LiNbO3压电单晶或压电陶瓷。例如,在由欧拉角为(0°,130°,0°)的LiNbO3生成的压电体层中,是SH波占优势的弹性波被激励的晶体方位,但SH波的声速比纵波慢。因此,通过将作为A面蓝宝石(支承基板2)的欧拉角的一个要素的ψ设为120°以上且165°以下的范围内,得到良好的阻抗特性。即,得到良好的声表面波的特性。
关于压电体层3的单晶材料、切割角,例如,能够根据滤波器的要求规格(通过特性、衰减特性、温度特性及带宽等滤波器特性)等适当决定即可。
(5.5)变形例5
在上述实施方式中,说明了将弹性波装置1设为单端口谐振器的情况。但是,弹性波装置1的应用不限于单端口谐振器。
弹性波装置1也可以为多端口的谐振器。另外,弹性波装置1也可以将多个谐振器组合而形成滤波器、双工器及多工器。
(总结)
如以上说明的那样,第一方式的弹性波装置(1;1A;1B)具备支承基板(2)、压电体层(3)、以及IDT电极(4)。压电体层(3)直接或间接地设置在支承基板(2)上。IDT电极(4)包括多个电极指(41),设置于压电体层(3)的主面(31)。在将由IDT电极(4)的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ的情况下,压电体层(3)的厚度为1λ以下。支承基板(2)是A面蓝宝石基板。
根据该结构,作为支承基板(2)而使用A面蓝宝石基板,因此,即便所传播的弹性波的主成分是纵波,也能够得到良好的阻抗特性。因此,能够降低纵波在压电体层(3)传播时的能量损耗。
第二方式的弹性波装置(1;1A;1B),在第一方式中,压电体层(3)由钽酸锂或铌酸锂生成。压电体层(3)的欧拉角是在(90°±5°,90°±5°,40°±20°)、(0°±5°,35°±20°,90°±20°)及(0°±5°,85°±20°,90°±20°)中的任意一个范围内决定的方位、或者在晶体学上与在任意一个范围内决定的欧拉角等效的方位。
根据该结构,能够将所传播的弹性波的主成分设为纵波。
第三方式的弹性波装置(1;1A;1B),在第一方式或第二方式中,在压电体层(3)传播的弹性波包括纵波。
根据该结构,能够降低所传播的纵波的能量损耗。
第四方式的弹性波装置(1;1A;1B),在第一方式~第三方式的任意一个方式中,支承基板(2)的欧拉角是由(90°±5°,90°±5°,ψ)决定的方位且ψ为120°以上且165°以下的范围内。或者,在晶体学上与支承基板(2)的欧拉角为(90°±5°,90°±5°,ψ)且ψ为120°以上且165°以下的范围内决定的方位等效的方位。
根据该结构,即便所传播的弹性波的主成分为纵波,也能够得到良好的阻抗特性。
第五方式的弹性波装置(1A;1B),在第一方式~第四方式的任意一个方式中,在支承基板(2)与压电体层(3)之间还具备至少一个中间层(5;51;52)。
根据该结构,即便在还具备中间层(5;51;52)的情况下,也能够得到良好的阻抗特性。
第六方式的弹性波装置(1A;1B),在第五方式中,上述至少一个中间层(5;51;52)包括氧化硅层(5;52)。
根据该结构,能够改善温度特性,并且即便所传播的弹性波的主成分为纵波,也能够得到良好的阻抗特性。
附图标记说明
1 弹性波装置;
2 支承基板;
3 压电体层;
4 IDT电极;
5 中间层;
21 第一主面;
22 第二主面;
31 主面;
41 电极指;
51 高声阻抗层(中间层);
52 低声阻抗层(中间层);
511 第一高声阻抗层(中间层);
512 第二高声阻抗层(中间层);
513 第三高声阻抗层(中间层);
521 第一低声阻抗层(中间层);
522 第二低声阻抗层(中间层);
523 第三低声阻抗层(中间层);
D1 第一方向(厚度方向);
D2 第二方向。
Claims (6)
1.一种弹性波装置,具备:
支承基板;
压电体层,其直接或间接地设置在所述支承基板上;以及
IDT电极,其包括多个电极指,设置于所述压电体层的主面,
在将由所述IDT电极的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ的情况下,所述压电体层的厚度为1λ以下,
所述支承基板是A面蓝宝石基板。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
所述压电体层由钽酸锂或铌酸锂生成,
所述压电体层的欧拉角是在(90°±5°,90°±5°,40°±20°)、(0°±5°,35°±20°,90°±20°)及(0°±5°,85°±20°,90°±20°)中的任意一个范围内决定的方位、或者在晶体学上与在任意一个范围内决定的欧拉角等效的方位。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
在所述压电体层传播的弹性波包括纵波。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述支承基板的欧拉角是由(90°±5°,90°±5°,ψ)决定的方位且ψ为120°以上且165°以下的范围内,或者,在晶体学上与所述支承基板的欧拉角为(90°±5°,90°±5°,ψ)且ψ为120°以上且165°以下的范围内决定的方位等效的方位。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的弹性波装置,其中,
在所述支承基板与所述压电体层之间还具备至少一个中间层。
6.根据权利要求5所述的弹性波装置,其中,
所述至少一个中间层包括氧化硅层。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
WO2022224470A1 (ja) * | 2021-04-20 | 2022-10-27 | 株式会社村田製作所 | 共振子 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1551495A (zh) * | 2003-05-09 | 2004-12-01 | 富士通媒体部品株式会社 | 表面声波器件及其制造方法 |
CN102549923A (zh) * | 2009-09-25 | 2012-07-04 | 株式会社村田制作所 | 弹性表面波装置 |
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Family Cites Families (2)
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Patent Citations (5)
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---|---|---|---|---|
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CN102549923A (zh) * | 2009-09-25 | 2012-07-04 | 株式会社村田制作所 | 弹性表面波装置 |
US20120194032A1 (en) * | 2009-10-13 | 2012-08-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
CN103891139A (zh) * | 2011-10-24 | 2014-06-25 | 株式会社村田制作所 | 弹性表面波装置 |
TW201826580A (zh) * | 2016-11-25 | 2018-07-16 | 國立大學法人東北大學 | 彈性波裝置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115865036A (zh) * | 2022-10-31 | 2023-03-28 | 上海馨欧集成微电有限公司 | 一种谐振器及声学滤波器 |
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