CN113151805A - 薄膜形成装置以及用于形成薄膜的自由基单元 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种薄膜形成装置以及用于形成薄膜的自由基单元，根据一实施例的薄膜形成装置包括：腔室；多个气体流入部，在腔室的上部形成，接收用于自由基反应的至少两种反应气体和前体；以及自由基单元，通过使从气体流入部供给的反应气体产生反应来生成自由基，通过向下部喷射自由基和前体来在基板沉积薄膜，自由基单元由多个板形成，前体喷射路径被配置为在多个板中的顶部板中，通过比气体流入部的前体喷射路径多的多个路径分配前体后使前体从自由基单元喷射，反应气体喷射路径与前体喷射路径互不重叠。

Description

薄膜形成装置以及用于形成薄膜的自由基单元
技术领域
本发明涉及沉积技术(CVD，ALD)，尤其涉及一种薄膜形成装置以及用于形成薄膜的自由基单元，更详细地，涉及通过从装置腔室内的上部一同喷射前体和反应气体来有效进行沉积的自由基单元(radicalunit)结构。
背景技术
原子层沉积(ALD)是指纳米薄膜沉积技术，利用了在半导体制造工序中化学粘附在单原子层的现象。在晶片表面上通过反复进行分子的吸附和替换来进行原子层厚度的超微细层间沉积，从而能够以尽可能薄的方式堆叠氧化物和金属薄膜。
并且，作为在半导体制造工序中使用的其他工艺有化学气相沉积(CVD)。化学气相沉积是指通过向腔室内注入气体成分来激发或促进用于供给热量、等离子、光等能量的化学反应，从而合成薄膜或粒子并吸附及沉积在基板的表面上的沉积方法。
尤其，为了进行高品质的原子层沉积或化学气相沉积，则需要混合及均匀喷射前体和反应气体。但是，现有的原子层沉积装置具有如下问题，即，由于在实现基板沉积的腔室内部中前体和反应气体的喷射方向互不相同，因此气体无法到达基板图案深处，从而导致无法实现均匀的沉积并难以形成高品质薄膜。
发明内容
本发明的目的在于，在向腔室内喷射反应气体之前，通过一同喷射前体和反应气体的自由基单元来进行适当的混合和反应过程，从而能够向位于腔室内的基板恒定地喷射气体。
用于实现上述技术问题的本发明一实施例的薄膜形成装置包括：腔室；多个气体流入部，在腔室的上部形成，接收用于自由基反应的至少两种反应气体和前体；以及自由基单元，通过使从气体流入部供给的反应气体产生反应来生成自由基，通过向下部喷射自由基和前体来在基板沉积薄膜，自由基单元由多个板形成，前体喷射路径可以被配置为在多个板中的顶部板中，通过比气体流入部的前体喷射路径多的多个路径分配前体后使前体从自由基单元喷射，反应气体喷射路径与前体喷射路径互不重叠。
并且，前体喷射路径可被配置为如下形式：在顶部板分配前体后，通过垂直贯通剩余的板来喷射。
并且，在顶部板，前体喷射路径能够以前体所流入的顶部板的中心为起点呈放射状结构。
并且，在顶部呈放射状的前体喷射路径被配置为具有预定长度的多个一字型管分别共享中心并交叉的形式，在各个一字型管上以规定间隔隔开形成有排出孔，各个排出孔可通过垂直贯通剩余的板来进行前体的喷射。
并且，在位于分配前体的层下方的板，可向反应气体喷射路径分配反应气体。
并且，通过反应气体喷射路径分配反应气体的板可呈多个淋浴喷头结构。
并且，多个淋浴喷头结构由两个以上的板形成，形成于板的排出孔可配置在相互错开的位置。
并且，在形成反应气体喷射路径的多个板中，位于中间的规定的板可形成能够混合从多个气体流入部流入的互不相同的反应气体的空间。
并且，自由基单元呈第一板、第二板、第三板、第四板、第五板、第六板、第七板依次层叠的形态，自由基单元以与顶部层相对应的第一板至与底部层相对应的第七板相互层叠的形态结合而成。
并且，注入前体的第一气体流入部形成于第一板的上面部中心，能够以垂直贯通第一板的方式形成。
并且，在第一板内部水平设置有具有预设的放射状结构的第一前体喷射路径，第一前体喷射路径与第一气体流入部相连接，用于分配注入的前体，可在第一前体喷射路径以预设间隔形成有用于排出前体的多个排出孔。
并且，包括与设置在第一前体喷射路径的多个排出孔垂直连接的第二前体喷射路径，第二前体喷射路径具有垂直贯通第二板至第六板来与用于排出设置于第七板的前体的排出孔相连接的结构。
并且，注入反应气体的第二气体流入部在第一板的上面部的预设位置形成有多个，可具有通过垂直贯通第一板至第二板来与用于分配反应气体的第三板相连接的结构。
并且，在第三板的内部水平设置有设置有与上述第二气体流入部相连接并具有预设路径以使注入的反应气体流动的第一反应气体喷射路径，第一反应气体喷射路径的一侧上面部与第二气体流入部相连接，在另一侧背面部的预设位置可形成有用于排出反应气体的排出孔。
并且，在第四板的内部水平设置有与第一反应气体喷射路径相连接来用于使注入的反应气体进一步流动的第二反应气体喷射路径，第二反应气体喷射路径具有与第一反应气体喷射路径不同形态的路径，第二反应气体喷射路径的一端上面部与第一反应气体喷射路径的排出孔相连接，可在背面部以预设间隔形成有用于排出反应气体的多个排出孔。
并且，当注入不同种类反应气体的第二气体流入部形成有预设数量以上时，可通过在特定的第一反应气体喷射路径连接多个第二气体流入部来注入不同种类的反应气体。
并且，当第四板、第五板、第七板结合时，自由基单元被设置成具有规定空间的结构，空间内部具有用于配置第六板的结构，第六板可被用于喷射前体的流路所支撑。
并且，在与第五板的背面部相结合的第七板形成有用于排出前体及反应气体的多个排出孔，多个排出孔在预设位置以形成同心圆的方式形成，用于排出前体的孔和用于排出反应气体的孔能够以相互交错的方式形成。
并且，在第六板中，用于排出前体及反应气体的多个孔在预设的位置以形成同心圆的方式形成，用于排出反应气体的孔与形成于第七板的用于排出反应气体的孔的位置可互不相同。
并且，本发明的用于形成薄膜的自由基单元包括：多个气体流入部，在腔室的上部形成，接收用于自由基反应的至少两种反应气体和前体；以及自由基单元，通过使从气体流入部供给的反应气体产生反应来生成自由基，通过向下部喷射自由基和前体来在基板沉积薄膜，自由基单元由多个板形成，前体喷射路径可被配置为在多个板中的顶部板中，通过比气体流入部的前体喷射路径多的多个路径分配前体后使前体从自由基单元喷射，反应气体喷射路径与前体喷射路径互不重叠。
根据本发明的一实施例，在向腔室内喷射两种以上的反应气体之前，可通过多层结构的自由基单元进行适当的混合和反应过程，从而能够向位于腔室内的基板恒定地喷射气体。
当基板上存在规定的凹凸形状图案时，只有从凹凸形状图案的上部到下部深度扩散/喷射前体，才能够形成高精度的薄膜。在以往的情况下，前体从基板的两侧面喷射，因此需放入具有极为高密度或高压的前体。但是，根据本发明的一实施例，从基板的上部一同喷射前体和自由基，因而可以深度扩散到图案上下部的每个角落，从而可改善负载效应(loading effect)。
附图说明
图1为简要示出本发明一实施例的沉积装置的形态的剖视图。
图2为简要示出本发明一实施例的自由基单元的形态的剖视图。
图3为示出本发明一实施例的形成自由基单元的第一板的上面和背面的图。
图4为示出本发明一实施例的形成自由基单元的第二板及第三板的顶视图。
图5为示出本发明一实施例的形成自由基单元的第四板及第五板的顶视图。
图6为示出本发明一实施例的形成自由基单元的第六板及第七板的顶视图。
附图标记说明
100：自由基单元 200：气体流入部
300：腔室
110：第一板 120：第二板
130：第三板 140：第四板
150：第五板 160：第六板
170：第七板
210：第一气体流入部 220：第二气体流入部
211：第一前体喷射路径 212：第二前体喷射路径
223a：第一反应气体喷射路径
223b：第二反应气体喷射路径
224a、224b，225、226、227：排出孔
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施例，以便本发明所属技术领域的普通技术人员容易实施。但是，本发明可通过多种形态实现，并不限定于在此说明的实施例。而且，为了在附图中明确说明本发明，省略了与说明无关的部分，在说明书全文中，对类似的部分赋予了类似的附图标记。
在说明书全文中，当描述为某一部分与其他部分相“连接”时，这包括“直接连接”的情况。并且，当描述为某一部分“包括”某结构要素时，除非存在特别相反的记载，否则这意味着还包括其他结构，而并非排除其他结构要素，应当理解成并不预先排除一个或一个以上的其他特征、数字、步骤、操作、结构要素、部件或它们组合的存在或附加可能性。
以下实施例仅为用于帮助理解本发明的详细说明，并不限制本发明的要求保护范围。因此，与本发明执行相同功能的等同范围的发明也属于本发明的要求保护范围内。
图1为简要示出本发明一实施例的沉积装置的形态的剖视图。
参照图1，沉积装置可包括自由基单元100、气体流入部200及腔室300。
本发明一实施例的沉积装置通过使气体流入部200供给的反应气体产生反应来生成自由基，可通过自由基单元100喷射自由基和前体来在位于腔室300内的基板沉积薄膜。
在此情况下，自由基单元100可由多个板形成。例如，具有预设厚度的各个板相互层叠，在内部形成能够使反应气体及前体向垂直或水平方向流动的管或能够对反应气体进行混合及反应的空间。
在此情况下，形成于自由基单元100的前体喷射路径可具有如下结构，即，在多个板中的顶部板分配前体后，将前体垂直喷射至底部层板。当热稳定性较低的前体分配在接近于加热器等热源的底部层时，优选地，应分配在顶部层，这是因为，前体通过分解引起气相反应及吸附特性变化而导致薄膜的组成成分发生变化，向基板内的图案上、下部均匀地扩散以及产生粒子而导致的薄膜质量降低。
通过顶部板的一个以上的气体流入部200注入前体，并且可使前体通过设置在顶部板内部的管均匀地分布在自由基单元100来喷射。
并且，形成于自由基单元100的反应气体喷射路径并不与上述提及的前体喷射路径相重叠，可使互不相同的反应气体在内部混合来喷射。
并且，前体喷射路径可以被配置为如下形式：在顶部板分配前体后，通过垂直贯通剩余的板来喷射。
在此情况下，形成于顶部板内部的前体喷射路径能够以前体所流入的顶部板的中心为起点呈放射状结构。前体喷射路径可根据自由基单元100的形态产生变化。
对此详细说明如下，在顶部板呈放射状的前体喷射路径以具有预定长度的多个一字型管分别共享中心并交叉的方式呈放射状。
并且，在各个呈放射状的前体喷射路径的一字型管上以规定间隔隔开形成有排出孔，各个排出孔能够以垂直贯通剩余的板的方式形成。由此，前体可均匀地喷射在基板上。
在此情况下，可在位于分配前体的层下方的板，向反应气体喷射路径分配反应气体。例如，通过在位于比顶部板更下方的板形成反应气体喷射路径来向自由基单元100内部分配反应气体。
并且，通过反应气体喷射路径分配反应气体的板层可呈多个淋浴喷头结构。
在此情况下，多个淋浴喷头结构是指自由基单元100由两个以上的板形成，并且形成于各个板的反应气体的排出孔配置在相互错开的位置的结构。
并且，在形成反应气体的喷射路径的多个板中，可在位于中间的规定的板形成规定空间，上述规定空间用于对从多个气体流入部200流入的不同反应气体进行混合及反应。
根据本发明的一实施例，气体流入部200在腔室300的上部形成有多个，以接收用于自由基反应的至少两种反应气体和前体。
例如，虽然可通过一个气体流入部200供给前体，但是在沉积过程中需要多种反应气体时，除了前体的气体流入部200之外，还需要至少两个气体流入部200。
在腔室300的内部可包括与气体流入部200相连接的自由基单元100和安装在基板的基座等。
因此，通过气体流入部200向腔室300内部注入的前体及反应气体在自由基单元100内部混合，向位于自由基单元100下端的基板喷射前体及反应气体。
图2为简要示出本发明一实施例的自由基单元的形态的剖视图。
本说明书的图2所示的自由基单元100结构相当于为了顺利说明本发明而使用的实施例中的一个。因此，形成自由基单元100的板的数量、气体流入部200的位置及路径可根据沉积装置的形态产生变化，因此并不限制本发明的范围。
参照图2，自由基单元100可由第一板110、第二板120、第三板130、第四板140、第五板150、第六板160及第七板170形成。在此情况下，第一板110(顶部层)至第七板170(底部层)以相互层叠的形态结合。并且，在第一板110的上面部可形成至少两个第一气体流入部210及第二气体流入部220。
根据本发明的一实施例，第一气体流入部210向自由基单元100注入前体，形成于第一板110的上面部中心，以垂直贯通第一板110的方式形成。
在此情况下，与第一气体流入部210相连接并在自由基单元100内部喷射前体的管道将通过图3至图6进行说明。
根据本发明的一实施例，第二气体流入部220向自由基单元100注入反应气体，可在第一板110的上面部的预设位置形成有多个。
在此情况下，第二气体流入部220及板的数量与使用于沉积的反应气体的种类相关，可通过自由基单元100的大小或形态、注入的反应气体的数量等确定设置位置。
并且，第二气体流入部220具有如下结构，即，垂直贯通第一板110至第二板120并与分配反应气体的第三板130相连接。
在此情况下，通过图3追加说明与第一气体流入部210相连接并在自由基单元100内部喷射前体的管道。
图3为示出本发明一实施例的形成自由基单元的第一板的上面和背面的图。
参照图3，可确认到第一气体流入部210形成于第一板110的上面部中心(参照附图中的正面(Front))，第一前体喷射路径211形成于背面部内部(参照附图中的背面(Back))。
在此情况下，第一前体喷射路径211与第一气体流入部210相连接，用于分配注入的前体的预设的放射状结构沿着水平方向形成。
并且，第一前体喷射路径211与用于排出前体的多个排出孔相连接，随着多个排出孔与下述第二前体喷射路径212相连接，前体可通过第一前体喷射路径211及第二前体喷射路径212喷射在基板上面。
根据再一实施例，第一前体喷射路径211与自由基单元100的形态相对应，可呈能够分配前体的其他形态。例如，可由并非放射状的圆形或旋涡形态的管道形成。
根据另一实施例，当第一前体喷射路径211具有在第一板110的背面部突出规定高度的结构时，还可在第一前体喷射路径211的侧面形成排出孔。排出孔以预设间隔隔开形成，并形成于与第一前体喷射路径211的放射状结构相对应的位置。
与第一前体喷射路径211不同，第二气体流入部220在第一板110内难以进行水平分配，而是通过贯通第一板110延伸至第二板120。
图4为示出本发明一实施例的形成自由基单元的第二板及第三板的顶视图。
参照图4，可确认到形成于第二板120及第三板130的气体的喷射路径。
首先，在第二板120形成有与第一前体喷射路径211的排出孔垂直连接的第二前体喷射路径212。参照图2，可知第二前体喷射路径212具有沿着垂直方向延伸至底部板的结构。
在此情况下，第二前体喷射路径212垂直贯通第二板120至第六板160，具有与用于排出形成在第七板170的前体的排出孔相结合的结构。
并且，第二板120及第三板130具有如下结构，即，使得形成于第一板110的上面部的第二气体流入部220垂直贯通第二板120，并与用于分配反应气体的第三板相连接。
在此情况下，在第三板130的内部可以沿水平方向形成有与第二气体流入部220相连接的第一反应气体喷射路径223a，上述第一反应气体喷射路径223a具有预设路径，使得注入的反应气体流动。
在此情况下，第一反应气体喷射路径223a的一侧上面部与第二气体流入部相连接，在另一侧背面部的预设位置形成用于排出反应气体的排出孔224a。第一反应气体喷射路径223a可具有多个喷射路径，此时的数量可根据发明的实施例并无特别的限制。
作为可选实施例，当注入不同种类的反应气体的第二气体流入部220设置有预设数量以上时，可通过在特定的第一反应气体喷射路径223a连接多个第二气体流入部220来注入不同种类的反应气体。在此情况下，与特定的第一反应气体喷射路径223a相连接的多个第二气体流入部220以隔开预设距离的方式连接在第一反应气体喷射路径223a上。例如，当形成8个第二气体流入部220时，第一反应气体喷射路径223a可形成4个，可在每个第一反应气体喷射路径223a的一侧与2个第二气体流入部220相对应的方式配置。在此情况下，可向2个第二气体流入部220注入不同种类的反应气体。此时，从注入反应气体的瞬间开始相互混合，反应气体喷射路径越长，混合及反应时间便越长，因此可增加能够生成自由基的机会。另一方面，如图所示，当4个第二气体流入部与4个第一反应气体喷射路径223a一一对应时，不会从注入的瞬间开始进行混合，而是可在如第五板150的开放空间中进行混合。
图5为示出本发明一实施例的形成自由基单元的第四板140及第五板150的顶视图。
参照图5，可确认到第四板140及第五板150的结构。
在第四板140中，可在内部沿着水平方向形成与第一反应气体喷射路径223a相连接并具有用于使注入的反应气体进一步流动的预设路径的第二反应气体喷射路径223b。
在此情况下，第二反应气体喷射路径223b具有与第一反应气体喷射路径223a不同形态的路径。即，通过第一反应气体喷射路径223a流动的反应气体通过第二反应气体喷射路径223b进一步流动。
在此情况下，排出孔224a与排出孔224b相结合，从而连接第一反应气体喷射路径223a与第二反应气体喷射路径223b。
并且，用于排出反应气体的多个排出孔225能够以预设间隔形成于第二反应气体喷射路径223b的背面部。例如，多个排出孔225以一字形配置在第二反应气体喷射路径223b上，并能够以放射状配置在多个第二反应气体喷射路径223b上。
并且，第五板150可呈环状，当第四板140、第五板150及第七板170结合时，可形成具有规定空间的结构。
图6为示出本发明一实施例的形成自由基单元的第六板及第七板的顶视图。
参照图6，可确认到第六板160及第七板170的结构。
第六板160可以呈配置在通过第四板140至第七板170结合形成的空间内部的结构。相比于第七板170，第六板160具有较小的直径。
在此情况下，第六板160配置在第四板140与第七板170之间，被由用于喷射前体的第二前体喷射路径212形成的柱子所支撑，虽未图示，但也可被形成于第六板160与第七板170之间的隔片(未图示)所支撑。
在第六板160及第七板170可分别形成用于排出前体及反应气体的多个排出孔226、227。
在此情况下，在第六板160中，多个排出孔226以在预设位置形成同心圆的方式形成，用于排出前体的第二前体喷射路径212与用于排出反应气体的排出孔226能够以相互交错的方式形成。
并且，在第七板170中，多个排出孔227以在预设位置形成同心圆的方式形成。
在此情况下，形成于第六板160的排出孔226和形成于第七板170的排出孔227可以设置在从上向下观察时相互错开的位置，使得反应气体经混合后从自由基单元100排出。即，当第六板的排出孔226与第七板的排出孔227配置在相互对应的位置时，从第四板140排出的反应气体在与自由基产生反应之前按原状贯通第六板的排出孔226和第七板的排出孔227并喷射。
上述本发明的说明仅为示例，本发明所属技术领域的普通技术人员可以理解，在不改变本发明的技术思想或必要特征的情况下，可将本发明轻易变形成其他具体形态。因此应当理解，以上实施例在所有层面上仅为示例，并不具有限定性含义。例如，被说明为单一型的各个结构要素可以分散实施，同样，被说明为分散的结构要素也能够以结合形态实施。
相比于上述详细说明，本发明的范围通过后述的发明要求保护范围来呈现，从发明要求保护范围的含义、范围及其等同概念中导出的所有变更或变形形态应当解释为包含于本发明的范围之内。

Claims (20)

1.一种薄膜形成装置，其特征在于，包括：
腔室；
多个气体流入部，在上述腔室的上部形成，接收用于自由基反应的至少两种反应气体和前体；以及
自由基单元，通过使从上述气体流入部供给的反应气体产生反应来生成自由基，通过向下部喷射上述自由基和前体来在基板沉积薄膜，
其中，上述自由基单元由多个板形成，前体喷射路径被配置为在多个上述板中的顶部板中，通过比上述气体流入部的前体喷射路径多的多个路径分配前体后使前体从自由基单元喷射，反应气体喷射路径与上述前体喷射路径互不重叠。
2.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于，
上述前体喷射路径被配置为如下形式：在上述顶部板水平分配上述前体后，通过垂直贯通剩余的至少一个板来喷射。
3.根据权利要求2所述的薄膜形成装置，其特征在于，
在上述顶部板，上述前体喷射路径以上述前体所流入的上述顶部板的中心为起点呈放射状结构。
4.根据权利要求3所述的薄膜形成装置，其特征在于，
在上述顶部呈放射状的上述前体喷射路径被配置为具有预定长度的多个一字型管分别共享中心并交叉的形式，在各个上述一字型管上以规定间隔隔开形成有排出孔，各个上述排出孔通过垂直贯通剩余的板来进行上述前体的喷射。
5.根据权利要求3所述的薄膜形成装置，其特征在于，
在位于分配上述前体的层下方的上述板，向上述反应气体喷射路径分配上述反应气体。
6.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于，
通过上述反应气体喷射路径分配上述反应气体的上述板呈多个淋浴喷头结构。
7.根据权利要求6所述的薄膜形成装置，其特征在于，
上述多个淋浴喷头结构由两个以上的上述板形成，形成于上述板的排出孔配置在相互错开的位置。
8.根据权利要求7所述的薄膜形成装置，其特征在于，
在形成上述反应气体喷射路径的多个板中，位于中间的规定的板形成能够混合从多个上述气体流入部流入的互不相同的反应气体的空间。
9.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于，
自由基单元呈第一板、第二板、第三板、第四板、第五板、第六板、第七板依次层叠的形态，上述自由基单元以与顶部层相对应的上述第一板至与底部层相对应的上述第七板相互层叠的形态结合而成。
10.根据权利要求9所述的薄膜形成装置，其特征在于，
注入上述前体的第一气体流入部形成于上述第一板的上面部中心，以垂直贯通上述第一板的方式形成。
11.根据权利要求10所述的薄膜形成装置，其特征在于，
在上述第一板内部水平设置有具有预设的放射状结构的第一前体喷射路径，上述第一前体喷射路径与上述第一气体流入部相连接，用于分配注入的上述前体，
在上述第一前体喷射路径以预设间隔形成有用于排出上述前体的多个排出孔。
12.根据权利要求9所述的薄膜形成装置，其特征在于，
包括与设置在上述第一前体喷射路径的多个排出孔垂直连接的第二前体喷射路径，
上述第二前体喷射路径具有垂直贯通上述第二板至第六板来与用于排出设置于上述第七板的上述前体的排出孔相连接的结构。
13.根据权利要求9所述的薄膜形成装置，其特征在于，
注入上述反应气体的第二气体流入部在上述第一板的上面部的预设位置形成有多个，具有通过垂直贯通上述第一板至第二板来与用于分配反应气体的上述第三板相连接的结构。
14.根据权利要求13所述的薄膜形成装置，其特征在于，
在上述第三板的内部水平设置有与上述第二气体流入部相连接并具有预设路径以使注入的反应气体流动的第一反应气体喷射路径，
上述第一反应气体喷射路径的一侧上面部与上述第二气体流入部相连接，在另一侧背面部的预设位置形成有用于排出上述反应气体的排出孔。
15.根据权利要求13所述的薄膜形成装置，其特征在于，
在上述第四板的内部水平设置有与上述第一反应气体喷射路径相连接来用于使注入的反应气体进一步流动的第二反应气体喷射路径，
上述第二反应气体喷射路径具有与上述第一反应气体喷射路径不同形态的路径，上述第二反应气体喷射路径的一端上面部与上述第一反应气体喷射路径的排出孔相连接，在背面部以预设间隔形成有用于排出上述反应气体的多个排出孔。
16.根据权利要求14所述的薄膜形成装置，其特征在于，
当注入不同种类反应气体的上述第二气体流入部形成有预设数量以上时，通过在特定的第一反应气体喷射路径连接多个上述第二气体流入部来注入不同种类的反应气体。
17.根据权利要求9所述的薄膜形成装置，其特征在于，
当上述第四板、第五板、第七板结合时，上述自由基单元被设置成具有规定空间的结构，空间内部具有用于配置上述第六板的结构，
上述第六板被用于喷射上述前体的流路所支撑。
18.根据权利要求17所述的薄膜形成装置，其特征在于，
在与上述第五板的背面部相结合的上述第七板形成有用于排出上述前体及反应气体的多个排出孔，
多个上述排出孔在预设位置以形成同心圆的方式形成，用于排出上述前体的孔和用于排出上述反应气体的孔以相互交错的方式形成。
19.根据权利要求18所述的薄膜形成装置，其特征在于，
在上述第六板中，用于排出上述前体及反应气体的多个孔在预设的位置以形成同心圆的方式形成，用于排出上述反应气体的孔与形成于上述第七板的用于排出上述反应气体的孔的位置互不相同。
20.一种用于形成薄膜的自由基单元，其特征在于，包括：
多个气体流入部，在上述腔室的上部形成，接收用于自由基反应的至少两种反应气体和前体；以及
自由基单元，通过使从上述气体流入部供给的反应气体产生反应来生成自由基，通过向下部喷射上述自由基和前体来在基板沉积薄膜，
其中，上述自由基单元由多个板形成，前体喷射路径被配置为在多个上述板中的顶部板中，通过比上述气体流入部的前体喷射路径多的多个路径分配前体后使前体从上述自由基单元喷射，反应气体喷射路径与上述前体喷射路径互不重叠。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009016524A (ja) * 2007-07-04 2009-01-22 Rohm Co Ltd 薄膜形成装置及びＺｎＯ系薄膜
WO2014073806A1 (ko) * 2012-11-08 2014-05-15 Park Hyung Sang 샤워헤드 및 이를 포함하는 박막 증착 장치
US20150007770A1 (en) * 2013-07-03 2015-01-08 Novellus Systems, Inc. Multi-plenum, dual-temperature showerhead
WO2015034208A1 (ko) * 2013-09-06 2015-03-12 코닉이앤씨 주식회사 적층형 원자층 증착 장치 및 방법
WO2015072661A1 (ko) * 2013-11-18 2015-05-21 국제엘렉트릭코리아 주식회사 반응 유도 유닛 및 기판 처리 장치 그리고 박막 증착 방법
US20190360098A1 (en) * 2018-05-25 2019-11-28 Kokusai Electric Corporation Substrate Processing Apparatus and Method of Manufacturing Semiconductor Device

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
JP4051619B2 (ja) * 2002-09-17 2008-02-27 キヤノンアネルバ株式会社 シリコン酸化膜作製方法
KR100849929B1 (ko) * 2006-09-16 2008-08-26 주식회사 피에조닉스 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치
JP5055044B2 (ja) * 2007-07-05 2012-10-24 ニッコーシ株式会社 多層構造のｃｖｄ用マルチシャワーヘッド
KR100931331B1 (ko) * 2007-08-24 2009-12-15 주식회사 케이씨텍 박막 증착장치의 분사유닛
US8512509B2 (en) * 2007-12-19 2013-08-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor gas distribution plate with radially distributed path splitting manifold
JP2012519956A (ja) * 2009-03-03 2012-08-30 ジュソン エンジニアリング カンパニー リミテッド ガス分配装置およびこれを備える基板処理装置
KR101108879B1 (ko) * 2009-08-31 2012-01-30 주식회사 원익아이피에스 가스분사장치 및 이를 이용한 기판처리장치
US20110256692A1 (en) * 2010-04-14 2011-10-20 Applied Materials, Inc. Multiple precursor concentric delivery showerhead
US8551248B2 (en) * 2010-04-19 2013-10-08 Texas Instruments Incorporated Showerhead for CVD depositions
JP5457287B2 (ja) * 2010-06-24 2014-04-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法
CN103168344A (zh) * 2010-11-03 2013-06-19 应用材料公司 用于沉积碳化硅和碳氮化硅膜的设备和方法
KR101265905B1 (ko) 2010-12-21 2013-05-20 주식회사 케이씨텍 배기가스를 분리 배출하는 원자층 증착 장치
DE102011056589A1 (de) * 2011-07-12 2013-01-17 Aixtron Se Gaseinlassorgan eines CVD-Reaktors
JP6196106B2 (ja) * 2013-09-13 2017-09-13 東京エレクトロン株式会社 シリコン酸化膜の製造方法
KR101619308B1 (ko) 2014-04-02 2016-05-10 (주)아이작리서치 원자층 증착 시스템
US20150348755A1 (en) * 2014-05-29 2015-12-03 Charm Engineering Co., Ltd. Gas distribution apparatus and substrate processing apparatus including same
KR101765244B1 (ko) 2015-12-14 2017-08-07 참엔지니어링(주) 증착 장치 및 증착 방법
KR20170075163A (ko) 2015-12-23 2017-07-03 주식회사 케이씨텍 가스분사부 및 이를 구비하는 원자층 증착장치
WO2020170482A1 (ja) * 2019-02-19 2020-08-27 株式会社明電舎 原子層堆積方法および原子層堆積装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009016524A (ja) * 2007-07-04 2009-01-22 Rohm Co Ltd 薄膜形成装置及びＺｎＯ系薄膜
WO2014073806A1 (ko) * 2012-11-08 2014-05-15 Park Hyung Sang 샤워헤드 및 이를 포함하는 박막 증착 장치
US20150007770A1 (en) * 2013-07-03 2015-01-08 Novellus Systems, Inc. Multi-plenum, dual-temperature showerhead
WO2015034208A1 (ko) * 2013-09-06 2015-03-12 코닉이앤씨 주식회사 적층형 원자층 증착 장치 및 방법
WO2015072661A1 (ko) * 2013-11-18 2015-05-21 국제엘렉트릭코리아 주식회사 반응 유도 유닛 및 기판 처리 장치 그리고 박막 증착 방법
CN105814664A (zh) * 2013-11-18 2016-07-27 国际电气高丽株式会社 反应诱导单元、基板处理装置及薄膜沉积方法
US20190360098A1 (en) * 2018-05-25 2019-11-28 Kokusai Electric Corporation Substrate Processing Apparatus and Method of Manufacturing Semiconductor Device

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