KR100803562B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100803562B1
KR100803562B1 KR1020060135944A KR20060135944A KR100803562B1 KR 100803562 B1 KR100803562 B1 KR 100803562B1 KR 1020060135944 A KR1020060135944 A KR 1020060135944A KR 20060135944 A KR20060135944 A KR 20060135944A KR 100803562 B1 KR100803562 B1 KR 100803562B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
transfer module
transfer
process chamber
cooling
Prior art date
Application number
KR1020060135944A
Other languages
English (en)
Inventor
문상민
이승배
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020060135944A priority Critical patent/KR100803562B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100803562B1 publication Critical patent/KR100803562B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판 처리 장치는 기판을 처리하는 공정 챔버, 상기 공정 챔버와 연통되어 상기 공정 챔버로 상기 기판을 이송시키는 트랜스퍼 모듈, 및 상기 트랜스퍼 모듈 내에 배치되어, 상기 공정 챔버 내로/부터 반입/반출되는 상기 기판의 온도를 조절하는 온도 조절부를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for Processing A Substrate}
도 1은 종래의 반도체 제조 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다. 도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 트랜스퍼 모듈을 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 트랜스퍼 모듈을 나타내는 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 반도체 제조 장치 15 : 로드 포트
20 : 기판 전달 모듈 30 : 로드락 챔버
40 : 공정 챔버 50 : 트랜스퍼 모듈
51 : 버퍼 공간 55 : 이송 로봇
100 : 기판 처리 장치 110 : 기판
150 : 기판 이송 모듈 160 : 로드 포트
170 : 웨이퍼 용기 180 : 전달 로봇
200 : 로드락 챔버 210 : 로딩 챔버
220 : 언로딩 챔버 310 : 제1 트랜스퍼 모듈
315 : 제1 이송 로봇 321 : 기판 지지대
322 : 수평이동 구동부 323 : 수직이동 구동부
320 : 제2 트랜스퍼 모듈 325 : 제2 이송 로봇
410 : 제1 공정 챔버 411 : 제1 게이트 밸브
420 : 제2 공정 챔버 421 : 제2 게이트 밸브
500 : 슬롯 밸브 510, 610 : 온도 조절부
520 : 예열부 521 : 히팅 블록
525, 535 : 리프트 핀 530 : 냉각부
531 : 냉각 블록
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정 챔버 내로/부터 반입/반출되는 기판의 온도를 조절하는 온도 조절부를 갖는 트랜스퍼 모듈을 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 웨이퍼으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형 성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 웨이퍼의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
각각의 공정에서 웨이퍼는 해당 공정의 진행에 최적의 조건을 제공하는 공정 챔버에 장착되어 처리된다. 최근 반도체 장치의 미세화와 고집적화에 따라 공정의 고정밀화, 복잡화, 기판의 대구경화 등이 요구되고 있으며, 복합 공정의 증가에 수반되는 생산성의 향상이라는 관점에서 반도체 장치는 복수 개의 공정 챔버들 내에서 제조된다. 특히, 반도체 장치의 제조 공정을 일괄 처리할 수 있는 클러스터 타입의 반도체 제조 장치가 널리 사용된다.
도 1은 종래의 반도체 제조 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 반도체 제조 장치(10)는 기판이 적재된 용기가 놓여지는 로드 포트(15), 로드 포트(15)에 인접 배치되어 용기에 기판을 반출입하는 기판 전달 모듈(20), 기판 전달 모듈(20)로부터 기판을 전달받는 로드락 챔버(30), 기판을 처리하는 다수의 공정 챔버(40)들 및 로드락 챔버(30)와 공정 챔버(40)의 사이에 배치되어 공정 챔버(40)들 간 또는 공정 챔버(40)들과 로드락 챔버(30) 간에 기판을 이송하는 트랜스퍼 모듈(50)을 포함한다.
상기 트랜스퍼 모듈(50)은 기판을 이송하기 위한 이송 로봇(55)을 포함하고, 상기 트랜스퍼 모듈은 다각형 형상을 갖으며 각각의 측면은 공정 챔버(40)들과 연 결된다. 상기 이송 로봇(55) 사이에는 일종의 버퍼(buffer) 공간(51)이 형성될 수 있으며, 상기 이송 로봇(55)은 상기 로드락 챔버(30)로부터 상기 공정 챔버(40)로 또는 역으로 기판을 이송한다.
종래의 반도체 제조 장치에 있어서, 로드락 챔버(30)로부터 트랜스퍼 모듈(50) 내로 이송된 기판은 공정 챔버(40)내로 반입된 후, 공정 챔버(40) 내에서 100℃ 이상으로 가열되어 소정의 공정이 진행된다. 이 때, 기판을 상온에서 고온으로 가열하기 위해 소정의 시간이 소요되고, 고온의 공정 챔버(40)로부터 트랜스퍼 모듈(50) 내로 반출된 기판은 다른 공정 챔버나 로드락 챔버(30)로 이송되기 전에 고온에서 상온으로 냉각하기 위해 소정의 시간이 소요된다.
이에 따라, 공정 챔버(40)로/부터 반입/반출되는 기판을 가열 또는 냉각시키는 별도의 공간 및 시간이 추가로 소요되어 전체적인 생산량을 감소시키는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 공정 챔버 내로/부터 반입/반출되는 기판의 온도를 조절하는 온도 조절부를 갖는 트랜스퍼 모듈을 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 공정 챔버, 상기 공정 챔버와 연통되어 상기 공정 챔버로 상기 기판을 이송시키는 트랜스퍼 모듈, 및 상기 트랜스퍼 모듈 내에 배치되어, 상기 공정 챔버 내로/부터 반입/반출되는 상기 기판의 온도를 조절하는 온도 조절부를 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 온도 조절부는 상기 공정 챔버로 반입되기 전의 상기 기판을 예열하는 예열부 및 상기 공정 챔버로부터 반출되는 상기 기판을 냉각시키는 냉각부를 포함할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 트랜스퍼 모듈 내에 배치되어, 공정 챔버 내로/부터 반입/반출되는 기판의 온도를 조절하는 온도 조절부를 포함한다. 상기 온도 조절부는 상기 트랜스퍼 모듈 내로 반입된 기판을 가열 또는 냉각시킨 후, 가열 또는 냉각된 기판은 다른 공정 챔버나 로드락 챔버로 이송된다. 이에 따라, 별도로 기판을 가열하거나 냉각하는 시간을 줄임으로써 전체적인 생산량을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다. 도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 트랜스퍼 모듈을 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 트랜스퍼 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 로드락 챔버(200), 복수의 트랜스퍼 모듈들(310, 320), 상기 트랜스퍼 모듈과 각각 연통되는 복수의 공정 챔버들(410, 420) 및 상기 트랜스퍼 모듈 내에 배치되어 기판의 온도를 조절하는 온도 조절부(510, 610)를 포함한다.
복수의 트랜스퍼 모듈들(310, 320)은 제1 트랜스퍼 모듈(310) 및 제2 트랜스퍼 모듈(320)을 포함한다. 상기 제1 트랜트퍼 모듈(310)은 상기 제2 트랜스퍼 모 듈(320)과 연결된다.
상기 로드락 챔버(200)는 상기 제1 트랜스퍼 모듈(310)의 일측과 인접하게 배치되여 연결된다. 또한, 상기 로드락 챔버(200)는 EFEM(Equipment Front End Module)과 같은 기판 이송 모듈(150)과 연결된다.
상기 기판 이송 모듈(150)의 일측에는 다수개의 로드 포트(160)가 형성되고, 상기 로드 포트(160)에는 웨이퍼와 같은 기판들이 적재된 웨이퍼 용기(170)가 배치된다. 예를 들면, 상기 웨이퍼 용기(170)로는 복수 개의 슬롯(slot)이 구비된 캐리어와 상기 캐리어를 적재한 상태로 이송하는 캐리어 박스 등과 같은 이송 도구를 통합한 전면 개방 통합형 포드(FOUP:Front Opening Unified Pod)가 이용될 수 있다.
상기 FOUP를 상기 기판 이송 모듈(150)의 로드 포트(160) 위에 적재하고, 기판을 한 매씩 상기 기판 이송 모듈(150)을 통해 상기 로드락 챔버(200)로 이송한다. 구체적으로, 상기 기판 이송 모듈(150)은 전달 로봇(180)을 포함하고, 상기 전달 로봇을 통해 FOUP 내의 기판은 약 10-3 torr의 저진공 상태로 유지되는 로드락 챔버에 로딩된다.
로드락 챔버(200)는 공정 챔버들(410, 420)로 이송되는 기판들이 임시적으로 놓이는 로딩 챔버(210)와 공정이 완료되어 공정 챔버들(410, 420)로부터 전달받은 기판들이 임시적으로 놓이는 언로딩 챔버(220)를 포함한다. 기판이 로드락 챔버(200) 내로 이송되면, 컨트롤러(도시되지 않음)가 로드락 챔버(200)의 내부를 감 압하여 초기 저진공 상태로 만들고, 이를 통해 외부 물질이 상기 공정 챔버들 및 상기 트랜스퍼 모듈들로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1 트랜스퍼 모듈(310)은 상기 로드락 챔버의 일측에 배치된다. 본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 제1 트랜스퍼 모듈(310)의 양측에는 제1 공정 챔버들(410)이 각각 배치되고, 상기 공정 챔버들은 제1 게이트 밸브(411)를 통해 상기 제1 트랜스퍼 모듈(310)과 서로 연통될 수 있다.
상기 제2 트랜스퍼 모듈(320)은 상기 제1 트랜스퍼 모듈(310)의 일측에 배치된다. 본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 제2 트랜스퍼 모듈(320)의 양측에는 제2 공정 챔버들(420)이 각각 배치되고, 상기 공정 챔버들은 제2 게이트 밸브(421)를 통해 상기 제2 트랜스퍼 모듈(320)과 서로 연통될 수 있다.
또한, 상기 제1 트랜스퍼 모듈(310)은 상기 제2 트랜스퍼 모듈(320)과 슬롯 밸브(500)를 통해 서로 분리 가능하게 연결될 수 있다.
상기 제1 및 제2 트랜스퍼 모듈들(310, 320)은 이송 로봇들(315, 325)을 각각 포함한다. 구체적으로, 상기 제1 트랜스퍼 모듈의 제1 이송 로봇(315)은 로드락 챔버(200)로부터 제1 공정 챔버(410)로 또는 역으로 기판을 이송하고, 상기 제2 트랜스퍼 모듈의 제2 이송 로봇(325)과 기판을 교환한다.
또한, 상기 제2 트랜스퍼 모듈의 제2 이송 로봇(325)은 제1 트랜스퍼 모듈(310)로부터 제2 공정 챔버(420)로 또는 역으로 기판을 이송한다.
상기 제1 이송 로봇(315)은 기판을 지지하는 기판 지지부(321), 상기 기판을 수평이동시키는 수평이동 구동부(322) 및 상기 기판을 수직이동시키는 수직이동 구 동부(323)를 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 수평이동 구동부(322)는 복수의 암이 서로 연결되어 2 자유도를 가지며 수평으로 이동 할 수 있으며, 상기 수직이동 구동부(323)는 스텝 모터를 포함하여 수직으로 상승 또는 하강할 수 있다.
상기 공정 챔버들(410, 420)은 다양한 기판 공정을 수행하는 다수의 챔버들로 구성될 수 있다.
예를 들면, 공정 챔버들(410, 420)은 기판 상에 물질막의 증착을 위해 반응 가스들을 공급하도록 구성된 화학 기상 증착(CVD) 챔버, 증착된 물질막의 식각을 위해 가스를 공급하도록 구성된 식각 챔버 또는 사진 공정 후 기판 상에 남아 있는 감광막 층을 제거하도록 구성된 애싱(ashing) 챔버 등을 포함할 수 있다.
일반적으로, 상기 공정 챔버는 100℃ 이상의 고온의 분위기를 가질 수 있으며, 상기 공정 챔버 내로 반입된 기판을 고온으로 가열된다.
상기 트랜스퍼 모듈들 내에 배치되는 온도 조절부(510, 610)들은 상기 공정 챔버 내로/부터 반입/반출되는 기판의 온도를 조절한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 온도 조절부(510)는 예열부(520) 및 냉각부(530)를 포함할 수 있다. 상기 예열부(520)는 상기 공정 챔버(410)로 반입되기 위해 상기 제1 트랜스퍼 모듈(310)내에 배치된 기판(110)을 예열시킨다. 상기 냉각부(530)는 상기 공정 챔버(410) 내에서 소정의 공정이 수행된 후 상기 공정 챔버(410)로부터 반출되는 기판(110)을 냉각시킨다.
상기 예열부(520)는 상기 기판(110)을 예열시키는 히팅 블록(521) 및 상기 히팅 블록 내에 승강 가능하게 배치되어, 상기 기판을 승강시키는 리프트 핀(525)을 포함할 수 있다.
상기 냉각부(530)는 도 4에 도시된 예열부(520)의 후면에 배치되며, 상기 냉각부(530)는 상기 기판(110)을 냉각시키는 냉각 블럭(531) 및 상기 냉각 블록 내에 승강 가능하게 배치되어, 상기 기판을 승강시키는 리프트 핀(535)을 포함할 수 있다.
구체적으로, 로드락 챔버(200)로부터 트랜스퍼 모듈(310) 내로 반입된 기판은 상기 예열부(520)의 히팅 블록(521)으로 이송된다. 상기 기판은 상기 히팅 블록 내의 기판 지지대 상으로 이송되고, 상기 히팅 블록 내에서 공정 챔버(410)의 공정 온도로 가열된다. 가열된 기판은 제1 이송 로봇(315)에 의해 공정 챔버(410)로 반입되고, 별도의 가열 시간을 소요하지 않고 곧바로 공정을 진행하게 된다.
공정 챔버(410)내에서 100℃ 이상의 공정 온도로 가열된 기판은 소정의 공정이 진행된 후, 공정 챔버(410)로부터 트랜스퍼 모듈(310)내로 반입된다. 상기 반입된 기판은 상기 냉각부(530)의 냉각 블록(531)으로 이송된다. 상기 기판은 상기 냉각 블록 내의 기판 지지대 상으로 이송되고, 상기 냉각 블록 내에서 상온으로 냉각된다. 냉각된 기판은 슬롯 밸브(500)를 통해 로드락 챔버(200)로 반입되거나 제2 트랜스퍼 모듈(320)로 이송될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 장치는 트랜스퍼 모듈 내에 배치되어, 공정 챔버 내로/부터 반입/반출되는 기판의 온도를 조 절하는 온도 조절부를 포함한다.
상기 온도 조절부는 상기 트랜스퍼 모듈 내로 반입된 기판을 가열 또는 냉각시킨 후, 가열 또는 냉각된 기판은 다른 공정 챔버나 로드락 챔버로 이송된다. 이에 따라, 별도로 기판을 가열하거나 냉각하는 시간을 줄임으로써 전체적인 생산량을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (6)

  1. 기판을 처리하는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버와 연통되어 상기 공정 챔버로 상기 기판을 이송시키는 트랜스퍼 모듈; 및
    상기 트랜스퍼 모듈 내에 배치되어, 상기 공정 챔버 내로/부터 반입/반출되는 상기 기판의 온도를 조절하는 온도 조절부를 포함하고,
    상기 온도 조절부는
    상기 공정 챔버로 반입되기 전의 상기 기판을 예열시키는 히팅 블록 및 히팅 블록 내에 승강 가능하게 배치되어 상기 기판을 승강시키는 리프트 핀을 구비하는 예열부; 및
    상기 공정 챔버로부터 반출되는 상기 기판을 냉각시키는 냉각부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 냉각부는
    상기 기판을 냉각시키는 냉각 블록; 및
    상기 냉각 블록 내에 승강 가능하게 배치되어, 상기 기판을 승강시키는 리프트 핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 트랜스터 모듈과 연통되며 상기 기판을 로딩/언로딩시키는 로드락 챔버를 더 포함하며, 상기 트랜스퍼 모듈은 일렬로 복수개 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 트랜스퍼 모듈은 인접하는 트랜스퍼 모듈 또는 공정 챔버로 상기 기판을 이송하는 이송 로봇을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020060135944A 2006-12-28 2006-12-28 기판 처리 장치 KR100803562B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060135944A KR100803562B1 (ko) 2006-12-28 2006-12-28 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060135944A KR100803562B1 (ko) 2006-12-28 2006-12-28 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100803562B1 true KR100803562B1 (ko) 2008-02-15

Family

ID=39343326

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060135944A KR100803562B1 (ko) 2006-12-28 2006-12-28 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100803562B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101066594B1 (ko) 2008-10-31 2011-09-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 이의 노즐 셋팅 방법 및 이를 이용한 기판처리 방법
CN107316824A (zh) * 2016-04-22 2017-11-03 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体集成加工设备和半导体加工方法
CN116978825A (zh) * 2023-07-31 2023-10-31 宇弘研科技(苏州)有限公司 一种半导体复合冷却盘结构及半导体轨道

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270307A (ja) 1997-03-21 1998-10-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2002164399A (ja) 2000-11-24 2002-06-07 Ulvac Japan Ltd 温度制御室、及びその温度制御室を用いた真空処理装置
JP2004200329A (ja) 2002-12-17 2004-07-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
KR20060088909A (ko) * 1998-11-17 2006-08-07 동경 엘렉트론 주식회사 진공 처리 시스템
JP2006245312A (ja) 2005-03-03 2006-09-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270307A (ja) 1997-03-21 1998-10-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20060088909A (ko) * 1998-11-17 2006-08-07 동경 엘렉트론 주식회사 진공 처리 시스템
JP2002164399A (ja) 2000-11-24 2002-06-07 Ulvac Japan Ltd 温度制御室、及びその温度制御室を用いた真空処理装置
JP2004200329A (ja) 2002-12-17 2004-07-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2006245312A (ja) 2005-03-03 2006-09-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101066594B1 (ko) 2008-10-31 2011-09-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 이의 노즐 셋팅 방법 및 이를 이용한 기판처리 방법
CN107316824A (zh) * 2016-04-22 2017-11-03 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体集成加工设备和半导体加工方法
CN107316824B (zh) * 2016-04-22 2020-10-16 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体集成加工设备和半导体加工方法
CN116978825A (zh) * 2023-07-31 2023-10-31 宇弘研科技(苏州)有限公司 一种半导体复合冷却盘结构及半导体轨道
CN116978825B (zh) * 2023-07-31 2024-03-22 宇弘研科技(苏州)有限公司 一种半导体复合冷却盘结构及半导体轨道

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6911112B2 (en) Method of and apparatus for performing sequential processes requiring different amounts of time in the manufacturing of semiconductor devices
KR100904392B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102534391B1 (ko) 버퍼 스테이션을 통해 이송된 반도체 기판들의 열 제어를 위한 버퍼 스테이션 및 반도체 기판들을 이송하는 방법
US6331095B1 (en) Transportation system and processing apparatus employing the transportation system
US20030053893A1 (en) Substrate processing apparatus and a method for fabricating a semiconductor device by using same
US20040052618A1 (en) Semiconductor device producing apparatus and producing method of semiconductor device
JP2013033965A (ja) 基板処理装置、基板処理設備、及び基板処理方法
TW201448096A (zh) 於負載鎖位置中處理基板之處理負載鎖設備、升降組件、電子裝置處理系統以及方法
JP7106681B2 (ja) デュアルロードロックチャンバ
JP7211716B2 (ja) ハロゲン除去モジュールならびに関連のシステムおよび方法
KR101400157B1 (ko) 기판처리장치, 기판처리설비 및 기판처리방법
KR100803562B1 (ko) 기판 처리 장치
KR100819176B1 (ko) 대면적 기판 공정 챔버 시스템
CN111048444A (zh) 加热板冷却方法和基板处理装置及方法
KR101417942B1 (ko) 웨이퍼 로더 및 이를 갖는 기판 처리 장치
KR100836069B1 (ko) 기판 처리 장치
KR100882474B1 (ko) 세정 유닛을 갖는 기판 처리 장치
JP2004119627A (ja) 半導体製造装置
KR20110016642A (ko) 기판처리장치
US20230215754A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate transfer method
KR102241600B1 (ko) 로드락 챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
US20230386870A1 (en) Wet processing system and system and method for manufacturing semiconductor structure
US20220406629A1 (en) Semiconductor processing tool and method of using an embedded chamber
US20240203773A1 (en) Substrate treating apparatus and semiconductor manufacturing equipment including the same
KR100873328B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130201

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140204

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150202

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160129

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170202

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180205

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190208

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200204

Year of fee payment: 13