JP3268965B2 - 基板上に半導体膜を形成するための装置および方法 - Google Patents
基板上に半導体膜を形成するための装置および方法Info
- Publication number
- JP3268965B2 JP3268965B2 JP26517095A JP26517095A JP3268965B2 JP 3268965 B2 JP3268965 B2 JP 3268965B2 JP 26517095 A JP26517095 A JP 26517095A JP 26517095 A JP26517095 A JP 26517095A JP 3268965 B2 JP3268965 B2 JP 3268965B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor film
- main surface
- reaction chamber
- decompression
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は基板上に半導体膜を
形成するための装置と方法に関し、特に、減圧下におい
て半導体膜を形成するための装置と方法の改善に関する
ものである。
形成するための装置と方法に関し、特に、減圧下におい
て半導体膜を形成するための装置と方法の改善に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】非晶質シリコン(以下、「a−Si」と
も表示する)に代表される非晶質半導体は、太陽電池を
はじめとする薄膜半導体装置に用いられている。また最
近は、結晶シリコンを基板に用いてa−Siとの半導体
接合を形成したヘテロ接合型太陽電池も開発されてい
る。このようなヘテロ接合型太陽電池の例としては、H
IT(heterojunction with intrinsic thin layer)構
造太陽電池がたとえば特開平4−130671,特開平
4−199750,特開平5−102504等において
開示されている。これらの半導体装置に用いられる非晶
質半導体膜は、通常は減圧下におけるプラズマCVD法
などの方法によって半導体基板上に形成される。また、
これらの半導体装置は通常は複数の半導体膜を含んでお
り、それぞれの膜は連続分離形成法によって対応する個
別の減圧反応室で順次形成される。
も表示する)に代表される非晶質半導体は、太陽電池を
はじめとする薄膜半導体装置に用いられている。また最
近は、結晶シリコンを基板に用いてa−Siとの半導体
接合を形成したヘテロ接合型太陽電池も開発されてい
る。このようなヘテロ接合型太陽電池の例としては、H
IT(heterojunction with intrinsic thin layer)構
造太陽電池がたとえば特開平4−130671,特開平
4−199750,特開平5−102504等において
開示されている。これらの半導体装置に用いられる非晶
質半導体膜は、通常は減圧下におけるプラズマCVD法
などの方法によって半導体基板上に形成される。また、
これらの半導体装置は通常は複数の半導体膜を含んでお
り、それぞれの膜は連続分離形成法によって対応する個
別の減圧反応室で順次形成される。
【0003】この場合、半導体基板の対向する両主面上
に半導体膜を形成する必要がある場合には、減圧反応室
内で基板の一方の主面上に半導体膜を形成した後に、そ
の基板は減圧反応室から大気中へ一旦取り出される。そ
して、大気中に取り出された基板の表裏を反転させた後
に、その基板は再度減圧反応室内へ導入され、基板の他
方の主面上に半導体膜が形成される。
に半導体膜を形成する必要がある場合には、減圧反応室
内で基板の一方の主面上に半導体膜を形成した後に、そ
の基板は減圧反応室から大気中へ一旦取り出される。そ
して、大気中に取り出された基板の表裏を反転させた後
に、その基板は再度減圧反応室内へ導入され、基板の他
方の主面上に半導体膜が形成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述のような先行技術
によれば、減圧反応室から基板を大気中に一旦取り出し
てその基板を再度反応室内にセットしてその反応室を減
圧しなければならない。したがって、先行技術によるこ
のプロセスは、基板を反応室にリセットした後にその反
応室を再度減圧するためのエネルギと時間を要し、半導
体装置の製造コストが高くなるという課題を含んでい
る。
によれば、減圧反応室から基板を大気中に一旦取り出し
てその基板を再度反応室内にセットしてその反応室を減
圧しなければならない。したがって、先行技術によるこ
のプロセスは、基板を反応室にリセットした後にその反
応室を再度減圧するためのエネルギと時間を要し、半導
体装置の製造コストが高くなるという課題を含んでい
る。
【0005】また、減圧状態の反応室から基板を一旦大
気中に取り出すためにその反応室を大気圧状態にするた
めには、大量の気体をその反応室内へ導入する必要があ
る。このとき、反応室内への気体の導入に伴って基板表
面には半導体装置の特性低下をもたらすような微粉の付
着が生じやすくなる。したがって、製造される半導体装
置の特性の低下を防止するために基板の表面状態の管理
を厳しくする必要があり、これはさらに半導体装置の製
造コストの上昇の原因ともなる。
気中に取り出すためにその反応室を大気圧状態にするた
めには、大量の気体をその反応室内へ導入する必要があ
る。このとき、反応室内への気体の導入に伴って基板表
面には半導体装置の特性低下をもたらすような微粉の付
着が生じやすくなる。したがって、製造される半導体装
置の特性の低下を防止するために基板の表面状態の管理
を厳しくする必要があり、これはさらに半導体装置の製
造コストの上昇の原因ともなる。
【0006】さらに、半導体結晶基板を用いる場合、そ
の軽量性や脆弱性から、基板単体で輸送などの取扱を安
全に行なうことは容易ではない。また、基板単体で取扱
う場合、さらに、基板の一方の主面上に形成される半導
体膜が他方の主面の周辺部にも回り込んで形成されると
いう課題もある。
の軽量性や脆弱性から、基板単体で輸送などの取扱を安
全に行なうことは容易ではない。また、基板単体で取扱
う場合、さらに、基板の一方の主面上に形成される半導
体膜が他方の主面の周辺部にも回り込んで形成されると
いう課題もある。
【0007】上述のような先行技術の課題に鑑み、本発
明は、基板の両主面上に半導体膜を形成する必要がある
場合に、製造される半導体装置の特性を低下させること
なく、製造コストと製造時間を低減しかつ容易に基板の
両主面上に半導体膜を形成することを可能にする装置と
方法を提供することを目的としている。
明は、基板の両主面上に半導体膜を形成する必要がある
場合に、製造される半導体装置の特性を低下させること
なく、製造コストと製造時間を低減しかつ容易に基板の
両主面上に半導体膜を形成することを可能にする装置と
方法を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の態様によ
る基板上に半導体膜を形成するための装置は、対向する
2つの主面を有する基板の開放された一方の主面上に少
なくとも1つの半導体膜を減圧下で形成するための少な
くとも1つの減圧反応室と、その一方の主面上に少なく
とも1つの半導体膜が形成された基板の他方の主面が開
放面になるようにその基板を減圧下で反転するための基
板反転用減圧室と、反転された基板のその他方の主面上
に少なくとも1つの半導体膜を減圧下で形成するための
少なくとももう1つの減圧反応室と、基板を少なくとも
1つの減圧反応室から基板反転用減圧室へ輸送するとと
もに基板反転用減圧室から少なくとももう1つの減圧反
応室へ輸送するための基板輸送手段とを含んでいること
を特徴としている。
る基板上に半導体膜を形成するための装置は、対向する
2つの主面を有する基板の開放された一方の主面上に少
なくとも1つの半導体膜を減圧下で形成するための少な
くとも1つの減圧反応室と、その一方の主面上に少なく
とも1つの半導体膜が形成された基板の他方の主面が開
放面になるようにその基板を減圧下で反転するための基
板反転用減圧室と、反転された基板のその他方の主面上
に少なくとも1つの半導体膜を減圧下で形成するための
少なくとももう1つの減圧反応室と、基板を少なくとも
1つの減圧反応室から基板反転用減圧室へ輸送するとと
もに基板反転用減圧室から少なくとももう1つの減圧反
応室へ輸送するための基板輸送手段とを含んでいること
を特徴としている。
【0009】この膜形成装置によれば、基板の一方の主
面上に半導体膜が形成された後にその基板は大気中に取
り出されることなく減圧下においてその基板の他方の主
面が開放面になるように反転させられる。そして、その
反転された基板の他方の主面上に引き続いて減圧下で半
導体膜が形成される。したがって、基板の両主面上に半
導体膜が形成される途中において基板を大気中に取り出
す必要がなく、半導体装置の製造のためのエネルギと時
間を低減して製造コストを削減することができ、さらに
減圧反応室への気体の導入に伴う基板表面上の不所望な
微粉の付着を防止して半導体装置の特性の低下を防止す
ることができる。
面上に半導体膜が形成された後にその基板は大気中に取
り出されることなく減圧下においてその基板の他方の主
面が開放面になるように反転させられる。そして、その
反転された基板の他方の主面上に引き続いて減圧下で半
導体膜が形成される。したがって、基板の両主面上に半
導体膜が形成される途中において基板を大気中に取り出
す必要がなく、半導体装置の製造のためのエネルギと時
間を低減して製造コストを削減することができ、さらに
減圧反応室への気体の導入に伴う基板表面上の不所望な
微粉の付着を防止して半導体装置の特性の低下を防止す
ることができる。
【0010】本発明の第2の態様による基板上に半導体
膜を形成するための装置は、対向する2つの主面を有す
る基板の開放された一方の主面上に少なくとも1つの半
導体膜を減圧下で形成するための少なくとも1つの減圧
反応室と、その一方の主面上に少なくとも1つの半導体
膜が形成された基板の他方の主面が開放面になるように
基板を減圧下で反転するための基板反転用減圧室と、基
板を減圧反応室から基板反転用減圧室へ輸送するととも
に反転された基板を減圧反応室へ輸送し戻すための基板
輸送手段とを含むことを特徴としている。
膜を形成するための装置は、対向する2つの主面を有す
る基板の開放された一方の主面上に少なくとも1つの半
導体膜を減圧下で形成するための少なくとも1つの減圧
反応室と、その一方の主面上に少なくとも1つの半導体
膜が形成された基板の他方の主面が開放面になるように
基板を減圧下で反転するための基板反転用減圧室と、基
板を減圧反応室から基板反転用減圧室へ輸送するととも
に反転された基板を減圧反応室へ輸送し戻すための基板
輸送手段とを含むことを特徴としている。
【0011】この膜形成装置によれば、減圧反応室から
基板反転用減圧室へ輸送された基板を再度元の減圧反応
室へ輸送し戻すことができるので、1つの減圧反応室を
基板の両主面上に半導体膜を形成するステップに併用す
ることができ、膜形成装置のコストを低減することもで
きる。なお、本発明の第1と第2の態様においては、基
板はその基板と実質的に同じ寸法形状と良好な熱伝導性
を有する平坦な窪みを含む保持枠に保持されることが好
ましい。これによって、軽量で脆弱な基板の取扱が容易
となり、さらに、基板の一方の主面上に形成されるべき
膜が他方の主面の周辺部にも回り込んで形成されること
が防止され得る。
基板反転用減圧室へ輸送された基板を再度元の減圧反応
室へ輸送し戻すことができるので、1つの減圧反応室を
基板の両主面上に半導体膜を形成するステップに併用す
ることができ、膜形成装置のコストを低減することもで
きる。なお、本発明の第1と第2の態様においては、基
板はその基板と実質的に同じ寸法形状と良好な熱伝導性
を有する平坦な窪みを含む保持枠に保持されることが好
ましい。これによって、軽量で脆弱な基板の取扱が容易
となり、さらに、基板の一方の主面上に形成されるべき
膜が他方の主面の周辺部にも回り込んで形成されること
が防止され得る。
【0012】本発明の第3の態様による基板上に半導体
膜を形成するための方法は、対向する2つの主面を有す
る基板をその基板と実質的に同じ寸法形状と良好な熱伝
導性を有する平坦な窪みを含む保持枠に保持するステッ
プと、基板の開放された一方の主面上に減圧下で少なく
とも1つの半導体膜を形成するステップと、その一方の
主面上に少なくとも1つの半導体膜が形成された基板の
他方の主面が開放面になるようにその基板を減圧下で反
転させてもう一つの保持枠に移し変えるステップと、反
転された基板のその他方の主面上に減圧下で少なくとも
1つの半導体膜を形成するステップを含むことを特徴と
している。
膜を形成するための方法は、対向する2つの主面を有す
る基板をその基板と実質的に同じ寸法形状と良好な熱伝
導性を有する平坦な窪みを含む保持枠に保持するステッ
プと、基板の開放された一方の主面上に減圧下で少なく
とも1つの半導体膜を形成するステップと、その一方の
主面上に少なくとも1つの半導体膜が形成された基板の
他方の主面が開放面になるようにその基板を減圧下で反
転させてもう一つの保持枠に移し変えるステップと、反
転された基板のその他方の主面上に減圧下で少なくとも
1つの半導体膜を形成するステップを含むことを特徴と
している。
【0013】この膜形成方法によれば、基板の両主面上
に半導体膜が形成される途中において基板を減圧下から
大気中に取り出すことなく連続分離形成法によって形成
することができるので、半導体装置の特性を低下させる
ことなく低コストで短時間に基板の両主面上に半導体膜
を形成することが可能となる。また、基板はその基板と
実質的に同じ寸法形状と良好な熱伝導性を有する平坦な
窪みを含む保持枠に保持されるので、軽量で脆弱な基板
の取扱が容易となり、さらに、基板の一方の主面上に形
成されるべき膜が他方の主面の周辺部にも回り込んで形
成されることが防止され得る。
に半導体膜が形成される途中において基板を減圧下から
大気中に取り出すことなく連続分離形成法によって形成
することができるので、半導体装置の特性を低下させる
ことなく低コストで短時間に基板の両主面上に半導体膜
を形成することが可能となる。また、基板はその基板と
実質的に同じ寸法形状と良好な熱伝導性を有する平坦な
窪みを含む保持枠に保持されるので、軽量で脆弱な基板
の取扱が容易となり、さらに、基板の一方の主面上に形
成されるべき膜が他方の主面の周辺部にも回り込んで形
成されることが防止され得る。
【0014】
【0015】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一例が、図
1の膜形成装置を用いて図7の光起電力装置を作成する
場合について説明される。
1の膜形成装置を用いて図7の光起電力装置を作成する
場合について説明される。
【0016】図7においては、半導体光起電力装置の断
面構造が概略的に図解されている。この光起電力装置に
は左側から光71が入射し、n型の半導体単結晶基板7
6において光電変換が生じる。基板76の光入射側の前
面上には、非晶質i層75,非晶質p層74,透明電極
(ITO:インジューム・スズ酸化物)73,および前
面集電極72が順次形成されている。他方、基板76の
背面側には、非晶質i層77,非晶質n層78,および
裏面電極(アルミニウム)79が形成されている。
面構造が概略的に図解されている。この光起電力装置に
は左側から光71が入射し、n型の半導体単結晶基板7
6において光電変換が生じる。基板76の光入射側の前
面上には、非晶質i層75,非晶質p層74,透明電極
(ITO:インジューム・スズ酸化物)73,および前
面集電極72が順次形成されている。他方、基板76の
背面側には、非晶質i層77,非晶質n層78,および
裏面電極(アルミニウム)79が形成されている。
【0017】図1において概略的に図解されている半導
体薄膜形成装置は、図7の光起電力装置における非晶質
半導体層74,75,77,および78を形成するため
に用いることができる。この半導体薄膜形成装置は、基
板11(図7中の半導体基板76に対応)を挿入するた
めのロード室0と、基板11の一方の主面上に半導体膜
を形成するための第1および第2の減圧反応室1および
2と、基板の開放された一方の主面上に半導体膜が形成
された他方の主面を開放面にするようにその基板を反転
するための基板反転用減圧室5と、反転された基板のそ
の他方の主面上に半導体膜を形成するための第3と第4
の減圧反応室3および4と、両主面上に半導体膜が形成
された基板11を大気中に取り出すためのアンロード室
6とを含んでいる。
体薄膜形成装置は、図7の光起電力装置における非晶質
半導体層74,75,77,および78を形成するため
に用いることができる。この半導体薄膜形成装置は、基
板11(図7中の半導体基板76に対応)を挿入するた
めのロード室0と、基板11の一方の主面上に半導体膜
を形成するための第1および第2の減圧反応室1および
2と、基板の開放された一方の主面上に半導体膜が形成
された他方の主面を開放面にするようにその基板を反転
するための基板反転用減圧室5と、反転された基板のそ
の他方の主面上に半導体膜を形成するための第3と第4
の減圧反応室3および4と、両主面上に半導体膜が形成
された基板11を大気中に取り出すためのアンロード室
6とを含んでいる。
【0018】ロード室0内には基板を輸送するための基
板輸送ベルト0dと基板を加熱するための基板ヒータ0
bが設けられている。同様に、減圧反応室1〜4のそれ
ぞれ内において、基板輸送ベルト1d〜4dおよび基板
ヒータ1b〜4bが設けられている。基板反転用減圧室
5内においては、2つの基板輸送ベルト5−1dと5−
2dが設けられており、それらの基板輸送ベルトの間に
2つの基板反転用ベルト5−1eおよび5−2eが設け
られている。また、基板輸送ベルト5−1dと5−2d
に対応して基板ヒータ5−1bと5−2bが設けられて
いる。アンロード室6においては、基板輸送ベルト6d
と基板冷却機構6bが設けられている。
板輸送ベルト0dと基板を加熱するための基板ヒータ0
bが設けられている。同様に、減圧反応室1〜4のそれ
ぞれ内において、基板輸送ベルト1d〜4dおよび基板
ヒータ1b〜4bが設けられている。基板反転用減圧室
5内においては、2つの基板輸送ベルト5−1dと5−
2dが設けられており、それらの基板輸送ベルトの間に
2つの基板反転用ベルト5−1eおよび5−2eが設け
られている。また、基板輸送ベルト5−1dと5−2d
に対応して基板ヒータ5−1bと5−2bが設けられて
いる。アンロード室6においては、基板輸送ベルト6d
と基板冷却機構6bが設けられている。
【0019】さらに、減圧反応室1〜4のそれぞれ内は
RF(高周波)放電電極1a〜4aが設けられ、それら
のRF放電電極は対応するRF電源1c〜4cに接続さ
れている。そして、減圧反応室1〜4内の基板輸送ベル
ト1d〜4dと基板ヒータ1b〜4bがRF放電電極1
a〜4aに対向する放電電極として作用するように接地
電位に接続されている。
RF(高周波)放電電極1a〜4aが設けられ、それら
のRF放電電極は対応するRF電源1c〜4cに接続さ
れている。そして、減圧反応室1〜4内の基板輸送ベル
ト1d〜4dと基板ヒータ1b〜4bがRF放電電極1
a〜4aに対向する放電電極として作用するように接地
電位に接続されている。
【0020】表1は、図1の装置を用いて基板の両主面
上に半導体膜を形成した場合の成膜条件の一例を要約し
て示している。
上に半導体膜を形成した場合の成膜条件の一例を要約し
て示している。
【0021】
【表1】
【0022】表1の例では、基板11(図7の76)と
して(100)結晶面を有する10センチ角サイズの単
結晶シリコン基板が用いられた。n型の単結晶基板11
がロード室0内へ導入され、そのロード室0は1×10
-4Pa以下に減圧された。その後、表1に示された通常
のプラズマCVD法の条件によって、第1の減圧反応室
1内で非晶質i層75が形成され、第2の減圧反応室2
内で非晶質p層74が形成された。その後、基板反転用
減圧室5内において基板の表裏が自動的に反転され、第
3の減圧反応室3内で非晶質i層77が形成され、第4
の減圧反応室4内で非晶質n層78が形成された。両主
面上に半導体膜が形成された基板11はアンロード室6
内に輸送され、アンロード室6は大気圧になるように窒
素が導入され、その後に基板11が大気中に取り出され
た。
して(100)結晶面を有する10センチ角サイズの単
結晶シリコン基板が用いられた。n型の単結晶基板11
がロード室0内へ導入され、そのロード室0は1×10
-4Pa以下に減圧された。その後、表1に示された通常
のプラズマCVD法の条件によって、第1の減圧反応室
1内で非晶質i層75が形成され、第2の減圧反応室2
内で非晶質p層74が形成された。その後、基板反転用
減圧室5内において基板の表裏が自動的に反転され、第
3の減圧反応室3内で非晶質i層77が形成され、第4
の減圧反応室4内で非晶質n層78が形成された。両主
面上に半導体膜が形成された基板11はアンロード室6
内に輸送され、アンロード室6は大気圧になるように窒
素が導入され、その後に基板11が大気中に取り出され
た。
【0023】非晶質半導体膜の形成について、第1減圧
反応室1内における非晶質i層の形成を代表としてもう
少し詳細に説明する。基板11は、不純物の混入を抑制
するためにステンレスで作成された基板輸送ベルト1d
によって減圧反応室1の中央付近に移動させられ、予め
加熱された基板ヒータ1bによって基板の温度が表1に
示されているように200℃まで昇温される。減圧反応
室1内には図示されていない原料ガス導入部からSiH
4 原料ガスが100SCCM(標準cm3 /min)の
流量で導入され、50Paのガス圧の下で、RF電極1
aと接地された電極1bおよび1dとの間にRF電源1
cから80mW/cm2 のRF電力を印加して原料ガス
を分解し、基板11の上側の主面上に非晶質i層75が
形成された。同様に、減圧反応室2,3,および4内に
おいては、表1に示された半導体薄膜の形成条件のもと
に、それぞれ非晶質p型半導体層74,非晶質i型半導
体層77,および非晶質n型半導体層78が形成され
た。
反応室1内における非晶質i層の形成を代表としてもう
少し詳細に説明する。基板11は、不純物の混入を抑制
するためにステンレスで作成された基板輸送ベルト1d
によって減圧反応室1の中央付近に移動させられ、予め
加熱された基板ヒータ1bによって基板の温度が表1に
示されているように200℃まで昇温される。減圧反応
室1内には図示されていない原料ガス導入部からSiH
4 原料ガスが100SCCM(標準cm3 /min)の
流量で導入され、50Paのガス圧の下で、RF電極1
aと接地された電極1bおよび1dとの間にRF電源1
cから80mW/cm2 のRF電力を印加して原料ガス
を分解し、基板11の上側の主面上に非晶質i層75が
形成された。同様に、減圧反応室2,3,および4内に
おいては、表1に示された半導体薄膜の形成条件のもと
に、それぞれ非晶質p型半導体層74,非晶質i型半導
体層77,および非晶質n型半導体層78が形成され
た。
【0024】次に、図2を参照して、基板反転用減圧室
5内において基板の対向する両主面を入替えるように自
動的に基板を反転させる手順について説明する。図2
(A)に示されているように基板反転用減圧室5内の第
1輸送ベルト5−1dによって輸送された基板11が図
2(B)に示されているように第1基板反転ベルト5−
1e上に移った後に所定の位置に達したときにその反転
ベルト5−1eが停止させられる。そして、基板11は
図示されていないマニピュレータの矢印2Aで表わされ
ているような動作または図示されていないピストンの2
Bで表わされているような動作によって第2基板反転ベ
ルト5−2e側に移される(ベルト5−1eは基板の両
側縁を保持する1対のベルトであり、それらの1対のベ
ルト間にピストン2Bの挿入が可能)。図2(C)に示
されているように第2基板反転ベルト5−2eに移され
た基板11は、基板反転用減圧室5内の第2の輸送ベル
ト5−2d上に移され、図2(D)に示されているよう
にその第2の輸送ベルト5−2dによって第3の減圧反
応室3内へ輸送される。
5内において基板の対向する両主面を入替えるように自
動的に基板を反転させる手順について説明する。図2
(A)に示されているように基板反転用減圧室5内の第
1輸送ベルト5−1dによって輸送された基板11が図
2(B)に示されているように第1基板反転ベルト5−
1e上に移った後に所定の位置に達したときにその反転
ベルト5−1eが停止させられる。そして、基板11は
図示されていないマニピュレータの矢印2Aで表わされ
ているような動作または図示されていないピストンの2
Bで表わされているような動作によって第2基板反転ベ
ルト5−2e側に移される(ベルト5−1eは基板の両
側縁を保持する1対のベルトであり、それらの1対のベ
ルト間にピストン2Bの挿入が可能)。図2(C)に示
されているように第2基板反転ベルト5−2eに移され
た基板11は、基板反転用減圧室5内の第2の輸送ベル
ト5−2d上に移され、図2(D)に示されているよう
にその第2の輸送ベルト5−2dによって第3の減圧反
応室3内へ輸送される。
【0025】ここで、基板反転用減圧室5内では薄膜形
成反応が行なわれず、基板の表面が不純物や微粉末によ
って汚染される心配がないので、基板へのショックを吸
収するために輸送ベルト5−1d,5−2dおよび反転
ベルト5−1e,5−2eはいずれも耐熱ゴムによって
形成されることが好ましい。
成反応が行なわれず、基板の表面が不純物や微粉末によ
って汚染される心配がないので、基板へのショックを吸
収するために輸送ベルト5−1d,5−2dおよび反転
ベルト5−1e,5−2eはいずれも耐熱ゴムによって
形成されることが好ましい。
【0026】なお、ロード室0内の輸送ベルト0dはス
テンレスと耐熱ゴムのいずれで形成されてもよいが、基
板11が膜形成に備えてヒータ0bによって加熱される
ことから、ステンレスで形成される方が好ましい。他
方、アンロード室6内の輸送ベルト6dは、冷却機構6
bによって冷却されるので、耐熱ゴムで形成されること
がコスト面から好ましい。
テンレスと耐熱ゴムのいずれで形成されてもよいが、基
板11が膜形成に備えてヒータ0bによって加熱される
ことから、ステンレスで形成される方が好ましい。他
方、アンロード室6内の輸送ベルト6dは、冷却機構6
bによって冷却されるので、耐熱ゴムで形成されること
がコスト面から好ましい。
【0027】また、膜形成時に基板11の周辺部の裏側
に回り込んで薄膜が形成されるのを防止するとともに、
膜形成時における基板の均熱性を得るために、図3に示
されているような基板輸送用保持枠11Aを用いること
が好ましい。これらの基板輸送用枠はアルミナで形成す
ることができる。図3(A)においては、基板輸送用枠
11Aの両面には半導体基板と同一の寸法形状である1
0センチ角で深さ1ミリの窪み11Bが形成されてい
る。そして、これらの窪みは、基板の均熱性を保証する
ために、アルミニウムによってコーティングされてい
る。図2(B)の基板保持枠11Aにおいては、窪み1
1Bが基板の右辺端部まで貫通している。この図2
(B)の基板保持枠においては、図2(A)の基板保持
枠に比べて基板を反転させる際の位置合わせを容易にす
ることができる。このような基板保持枠11Aを用いる
ことによって、脆弱な基板を保護して輸送中の基板の割
れを防止することができる。
に回り込んで薄膜が形成されるのを防止するとともに、
膜形成時における基板の均熱性を得るために、図3に示
されているような基板輸送用保持枠11Aを用いること
が好ましい。これらの基板輸送用枠はアルミナで形成す
ることができる。図3(A)においては、基板輸送用枠
11Aの両面には半導体基板と同一の寸法形状である1
0センチ角で深さ1ミリの窪み11Bが形成されてい
る。そして、これらの窪みは、基板の均熱性を保証する
ために、アルミニウムによってコーティングされてい
る。図2(B)の基板保持枠11Aにおいては、窪み1
1Bが基板の右辺端部まで貫通している。この図2
(B)の基板保持枠においては、図2(A)の基板保持
枠に比べて基板を反転させる際の位置合わせを容易にす
ることができる。このような基板保持枠11Aを用いる
ことによって、脆弱な基板を保護して輸送中の基板の割
れを防止することができる。
【0028】ところで、図3に示されているような基板
保持枠11Aを用いる場合、基板反転用減圧室5におい
て第1基板反転ベルト5−1eの所定の位置に基板を入
れた保持枠がきたときに第2基板反転ベルト5−2e上
の対向する位置に空の基板保持枠を待たせておき、マニ
ピュレータを用いて基板11のみを第1基板反転ベルト
5−1e上の枠から第2基板反転ベルト5−2e上の枠
の窪み内へ移送させる。このとき、2つの基板保持枠の
位置合せを正確にするためにガイドが設けられてもよ
い。さらに、第2基板反転ベルト5−2e上で基板を受
取った枠が第2輸送ベルト5−2d上に移動した後に、
第1基板反転ベルト5−1e上に残っている基板保持枠
を第2基板反転ベルト5−2e上に移して次の基板を受
取るように待機させる。
保持枠11Aを用いる場合、基板反転用減圧室5におい
て第1基板反転ベルト5−1eの所定の位置に基板を入
れた保持枠がきたときに第2基板反転ベルト5−2e上
の対向する位置に空の基板保持枠を待たせておき、マニ
ピュレータを用いて基板11のみを第1基板反転ベルト
5−1e上の枠から第2基板反転ベルト5−2e上の枠
の窪み内へ移送させる。このとき、2つの基板保持枠の
位置合せを正確にするためにガイドが設けられてもよ
い。さらに、第2基板反転ベルト5−2e上で基板を受
取った枠が第2輸送ベルト5−2d上に移動した後に、
第1基板反転ベルト5−1e上に残っている基板保持枠
を第2基板反転ベルト5−2e上に移して次の基板を受
取るように待機させる。
【0029】図1の膜形成装置において図3(B)の基
板保持枠11Aを用いて基板11の両面に半導体膜を形
成した後に、別のRFスパッタ装置を用いて図7中のI
TO透明電極73を形成し、さらに別の抵抗加熱蒸着装
置を用いて前面集電極72と裏面電極79が形成され
た。このような、実施の形態の一例に従って形成された
半導体光起電力装置は、標準太陽光(AM1.5,10
0mW/cm2 )のもとで1.71Wの出力を有してい
た。これに対する、比較例として、図1に示された膜形
成装置に類似しているが基板反転用減圧室5を有してい
ない従来の膜形成装置を用いて半導体光起電力装置が作
成された。すなわち、そのような従来の膜形成装置にお
いて、光入射側のi層75とp層74が形成された後に
基板11が一旦大気中に取り出され、その基板の両主面
を反転させた後に再度膜形成装置内へ基板11を導入し
て裏面側のi層77とn層78が形成された。このよう
に従来の膜形成装置を利用して得られた半導体光起電力
装置は、上述の標準太陽光のもとにおいて1.72Wの
出力を有していた。すなわち、光起電力装置の出力に関
しては、本発明によるものと従来の技術によるものとの
間で大きな相違は見られない。
板保持枠11Aを用いて基板11の両面に半導体膜を形
成した後に、別のRFスパッタ装置を用いて図7中のI
TO透明電極73を形成し、さらに別の抵抗加熱蒸着装
置を用いて前面集電極72と裏面電極79が形成され
た。このような、実施の形態の一例に従って形成された
半導体光起電力装置は、標準太陽光(AM1.5,10
0mW/cm2 )のもとで1.71Wの出力を有してい
た。これに対する、比較例として、図1に示された膜形
成装置に類似しているが基板反転用減圧室5を有してい
ない従来の膜形成装置を用いて半導体光起電力装置が作
成された。すなわち、そのような従来の膜形成装置にお
いて、光入射側のi層75とp層74が形成された後に
基板11が一旦大気中に取り出され、その基板の両主面
を反転させた後に再度膜形成装置内へ基板11を導入し
て裏面側のi層77とn層78が形成された。このよう
に従来の膜形成装置を利用して得られた半導体光起電力
装置は、上述の標準太陽光のもとにおいて1.72Wの
出力を有していた。すなわち、光起電力装置の出力に関
しては、本発明によるものと従来の技術によるものとの
間で大きな相違は見られない。
【0030】しかし、1枚の基板11を処理するのに要
する時間は本発明の実施の形態による場合には35分で
あったのに対して、従来技術による場合には55分であ
った。また、本発明の実施の形態による場合の光起電力
装置の製造歩留りは99%であったのに対して、従来技
術によって作成される光起電力装置の歩留りを同じ99
%に維持するためには、作業員による検査および清浄化
の工程を必要とする結果、製造コストが1.8倍になる
ことがわかった。
する時間は本発明の実施の形態による場合には35分で
あったのに対して、従来技術による場合には55分であ
った。また、本発明の実施の形態による場合の光起電力
装置の製造歩留りは99%であったのに対して、従来技
術によって作成される光起電力装置の歩留りを同じ99
%に維持するためには、作業員による検査および清浄化
の工程を必要とする結果、製造コストが1.8倍になる
ことがわかった。
【0031】図4は、本発明のもう1つの実施の形態に
よる膜形成装置を概略的に図解している。この図4の膜
形成装置は図1のものに類似しているが、1対の基板反
転用ベルト5−1eおよび5−2eの代わりに基板反転
用ドラム5eが設けられている点においてのみ異なって
いる。
よる膜形成装置を概略的に図解している。この図4の膜
形成装置は図1のものに類似しているが、1対の基板反
転用ベルト5−1eおよび5−2eの代わりに基板反転
用ドラム5eが設けられている点においてのみ異なって
いる。
【0032】図5は、図4の膜形成装置における基板反
転用ドラム5eの動作を概略的に図解している。図5
(A)に示されているように、ドラム5e内には予め空
の基板保持枠11Aが配置されている。そして、第1輸
送ベルト5−1d上を輸送されてきた基板11および保
持枠11Aが図5(B)に示されているようにドラム5
e内に挿入されれば、ドラム5eは矢印で示されている
ように180°回転させられる。そうすれば、図5
(C)に示されているように、基板11は予めドラム内
に配置されていた空の基板保持枠11Aの窪み11B内
へ移される。このとき、2つの基板保持枠の2つの窪み
を正確に位置合わせするために位置合わせガイドが設け
られてもよい。図5(C)および(D)に示されている
ように、基板11を受取った基板保持枠11Aは第2の
輸送ベルト5−2d上に排出され、その第2の輸送ベル
ト5−2dによって第3の減圧反応室3内へ輸送され
る。なお、図5に示されているような基板反転用ドラム
が設けられている場合、基板保持枠11Aはその両面に
窪み11Bを有する必要はなく、片面のみに窪み11を
有すればよいことが理解されよう。
転用ドラム5eの動作を概略的に図解している。図5
(A)に示されているように、ドラム5e内には予め空
の基板保持枠11Aが配置されている。そして、第1輸
送ベルト5−1d上を輸送されてきた基板11および保
持枠11Aが図5(B)に示されているようにドラム5
e内に挿入されれば、ドラム5eは矢印で示されている
ように180°回転させられる。そうすれば、図5
(C)に示されているように、基板11は予めドラム内
に配置されていた空の基板保持枠11Aの窪み11B内
へ移される。このとき、2つの基板保持枠の2つの窪み
を正確に位置合わせするために位置合わせガイドが設け
られてもよい。図5(C)および(D)に示されている
ように、基板11を受取った基板保持枠11Aは第2の
輸送ベルト5−2d上に排出され、その第2の輸送ベル
ト5−2dによって第3の減圧反応室3内へ輸送され
る。なお、図5に示されているような基板反転用ドラム
が設けられている場合、基板保持枠11Aはその両面に
窪み11Bを有する必要はなく、片面のみに窪み11を
有すればよいことが理解されよう。
【0033】図4に示された膜形成装置を用いた場合に
は、1枚の基板を処理するのに要する時間は従来例の5
5分に比べて短い35分であり、製造コストも従来例の
場合の60%に低減されることがわかった。
は、1枚の基板を処理するのに要する時間は従来例の5
5分に比べて短い35分であり、製造コストも従来例の
場合の60%に低減されることがわかった。
【0034】図6は本発明のさらにもう1つの実施の形
態による膜形成装置を概略的に図解している。図6の膜
形成装置も図1および図2のものに類似しているが、図
6の膜形成装置においては第3と第4の減圧反応室3と
4およびアンロード室6が設けられていない。また、図
6の膜形成装置においては、基板反転ドラム5eの代わ
りに基板反転カセット5fが設けられており、ロード室
0はアンロード室としての機能をも兼ね備えている。
態による膜形成装置を概略的に図解している。図6の膜
形成装置も図1および図2のものに類似しているが、図
6の膜形成装置においては第3と第4の減圧反応室3と
4およびアンロード室6が設けられていない。また、図
6の膜形成装置においては、基板反転ドラム5eの代わ
りに基板反転カセット5fが設けられており、ロード室
0はアンロード室としての機能をも兼ね備えている。
【0035】図6の膜形成装置のロード室0内に挿入さ
れた基板11の1つの主面上には減圧反応室1および2
内で光入射側のi層75とp層74が順次形成され、基
板反転用減圧室5内の輸送ベルト5dによって基板反転
用カセット5f内のスロットへ基板11が挿入される。
カセット5f内に所定数の基板11が挿入されれば、カ
セット5fの上下が反転するように回転させられ、カセ
ット5fから基板11が輸送ベルト5dによって逆方向
に輸送され、裏面側のi層77とn層78がそれぞれ減
圧反応室2および1内で形成される。そして、基板11
の両主面上に半導体膜が形成された後に、アンロード室
を兼ねたロード室0から基板11が順次大気中に送り出
される。
れた基板11の1つの主面上には減圧反応室1および2
内で光入射側のi層75とp層74が順次形成され、基
板反転用減圧室5内の輸送ベルト5dによって基板反転
用カセット5f内のスロットへ基板11が挿入される。
カセット5f内に所定数の基板11が挿入されれば、カ
セット5fの上下が反転するように回転させられ、カセ
ット5fから基板11が輸送ベルト5dによって逆方向
に輸送され、裏面側のi層77とn層78がそれぞれ減
圧反応室2および1内で形成される。そして、基板11
の両主面上に半導体膜が形成された後に、アンロード室
を兼ねたロード室0から基板11が順次大気中に送り出
される。
【0036】なお、図6の膜形成装置において前述の基
板保持枠11Aを用いる場合には、図5中の基板反転ド
ラムで説明した場合と同様に、カセット5fを反転した
場合に基板を受取るための保持枠を予め待機させるよう
にセットしておけばよい。
板保持枠11Aを用いる場合には、図5中の基板反転ド
ラムで説明した場合と同様に、カセット5fを反転した
場合に基板を受取るための保持枠を予め待機させるよう
にセットしておけばよい。
【0037】図6の膜形成装置を用いた場合も1枚の基
板を処理するのに要する時間は35分であり、製造コス
トは従来の場合の80%になることがわかった。さら
に、図6の膜形成装置においては、図1や図4の装置に
比べて2つの減圧反応室およびアンロード室を省略させ
ることができるので、膜形成装置としてのコストが60
%に削減され得る。
板を処理するのに要する時間は35分であり、製造コス
トは従来の場合の80%になることがわかった。さら
に、図6の膜形成装置においては、図1や図4の装置に
比べて2つの減圧反応室およびアンロード室を省略させ
ることができるので、膜形成装置としてのコストが60
%に削減され得る。
【0038】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、基板の
両主面上に半導体膜を形成する必要がある場合に、製造
される半導体装置の特性を低下させることなく、製造コ
ストと製造時間を低減しかつ容易に基板の両主面上に半
導体膜を形成することを可能にする装置と方法を提供す
ることができる。
両主面上に半導体膜を形成する必要がある場合に、製造
される半導体装置の特性を低下させることなく、製造コ
ストと製造時間を低減しかつ容易に基板の両主面上に半
導体膜を形成することを可能にする装置と方法を提供す
ることができる。
【図1】本発明の1つの実施の形態による半導体膜形成
装置を示す概略図である。
装置を示す概略図である。
【図2】図1の膜形成装置中の基板反転ベルトの動作を
説明する概略図である。
説明する概略図である。
【図3】基板保持枠の概略的な斜視図である。
【図4】本発明のもう1つの実施の形態による半導体膜
形成装置の概略図である。
形成装置の概略図である。
【図5】図4の膜形成装置における基板反転用ドラムの
動作を説明するための概略図である。
動作を説明するための概略図である。
【図6】本発明のさらにもう1つの実施の形態による半
導体膜形成装置を示す概略図である。
導体膜形成装置を示す概略図である。
【図7】完成された半導体光起電力装置を示す概略的な
断面図である。
断面図である。
0 ロード室 1,2,3,4 減圧反応室 5 基板反転用減圧室 6 アンロード室 1a,2a,3a,4a RF放電電極 0b,1b,2b,3b,4b,5b,5−1b,5−
2b 基板ヒータ 6b 基板冷却機構 1c,2c,3c,4c RF電源 0d,1d,2d,3d,4d,5d,5−1d,5−
2d,6d 基板輸送ベルト 5−1e,5−2e 基板反転ベルト 5e 基板反転ドラム 5f 基板反転カセット 11 基板 11A 基板保持枠 11B 基板保持枠の窪み 71 入射光 72 前面集電極 73 前面ITO透明電極 74 前面p層 75 前面i層 76 n単結晶半導体基板 77 裏面i層 78 裏面n層 79 裏面電極
2b 基板ヒータ 6b 基板冷却機構 1c,2c,3c,4c RF電源 0d,1d,2d,3d,4d,5d,5−1d,5−
2d,6d 基板輸送ベルト 5−1e,5−2e 基板反転ベルト 5e 基板反転ドラム 5f 基板反転カセット 11 基板 11A 基板保持枠 11B 基板保持枠の窪み 71 入射光 72 前面集電極 73 前面ITO透明電極 74 前面p層 75 前面i層 76 n単結晶半導体基板 77 裏面i層 78 裏面n層 79 裏面電極
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−25915(JP,A) 特開 平5−251356(JP,A) 特開 平5−63223(JP,A) 特開 平4−125222(JP,A) 特開 平4−343414(JP,A) 特開 平5−136233(JP,A) 特開 昭60−54442(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/205 H01L 21/68 H01L 31/04
Claims (4)
- 【請求項1】 対向する2つの主面を有する基板の開放
された一方の主面上に少なくとも1つの半導体膜を減圧
下で形成するための少なくとも1つの減圧反応室と、 前記一方の主面上に前記少なくとも1つの半導体膜が形
成された前記基板の他方の主面が開放面になるように前
記基板を減圧下で反転するための基板反転用減圧室と、 前記反転された基板の前記他方の主面上に少なくとも1
つの半導体膜を減圧下で形成するための少なくとももう
1つの減圧反応室と、 前記基板を前記少なくとも1つの減圧反応室から前記基
板反転用減圧室へ輸送するとともに前記基板反転用減圧
室から前記少なくとももう1つの減圧反応室へ輸送する
ための基板輸送手段とを含むことを特徴とする基板上に
半導体膜を形成するための装置。 - 【請求項2】 対向する2つの主面を有する基板の開放
された一方の主面上に少なくとも1つの半導体膜を減圧
下で形成するための少なくとも1つの減圧反応室と、 前記一方の主面上に前記少なくとも1つの半導体膜が形
成された前記基板の他方の主面が開放面になるように前
記基板を減圧下で反転するための基板反転用減圧室と、 前記基板を前記減圧反応室から前記基板反転用減圧室へ
輸送するとともに前記反転された基板を前記減圧反応室
へ輸送し戻すための基板輸送手段とを含むことを特徴と
する基板上に半導体膜を形成するための装置。 - 【請求項3】 前記基板輸送手段は、前記基板と実質的
に同じ寸法形状と良好な熱伝導性を有する平坦な窪みを
有する保持枠に保持された前記基板を輸送することを特
徴とする請求項1または2に記載の基板上に半導体膜を
形成するための装置。 - 【請求項4】 対向する2つの主面を有する基板をその
基板と実質的に同じ寸法形状と良好な熱伝導性を有する
平坦な窪みを含む保持枠に保持するステップと、 前記基板の 開放された1つの主面上に減圧下で少なくと
も1つの半導体膜を形成するステップと、 前記一方の主面上に前記少なくとも1つの半導体膜が形
成された前記基板の他方の主面が開放面になるように、
前記基板を減圧下で反転させてもう一つの前記保持枠に
移し変えるステップと、 前記反転された基板の前記他方の主面上に減圧下で少な
くとも1つの半導体膜を形成するステップとを含むこと
を特徴とする基板上に半導体膜を形成するための方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26517095A JP3268965B2 (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 基板上に半導体膜を形成するための装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26517095A JP3268965B2 (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 基板上に半導体膜を形成するための装置および方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09106952A JPH09106952A (ja) | 1997-04-22 |
JP3268965B2 true JP3268965B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=17413570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26517095A Expired - Fee Related JP3268965B2 (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 基板上に半導体膜を形成するための装置および方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3268965B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1293588B1 (en) | 2000-05-17 | 2009-12-16 | IHI Corporation | Plasma cvd apparatus and method |
JP4770029B2 (ja) * | 2001-01-22 | 2011-09-07 | 株式会社Ihi | プラズマcvd装置及び太陽電池の製造方法 |
JP2005187114A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Shibaura Mechatronics Corp | 真空処理装置 |
JP5496479B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2014-05-21 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP5858355B2 (ja) * | 2011-05-25 | 2016-02-10 | 新光電気工業株式会社 | ワークの搬送装置および搬送方法 |
JP5840095B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2016-01-06 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造装置、及び太陽電池の製造方法 |
CN110998869B (zh) | 2017-08-09 | 2022-12-27 | 株式会社钟化 | 光电转换元件的制造方法 |
-
1995
- 1995-10-13 JP JP26517095A patent/JP3268965B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09106952A (ja) | 1997-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20110097878A1 (en) | Chamber for pecvd | |
US20100203242A1 (en) | self-cleaning susceptor for solar cell processing | |
US6610374B2 (en) | Method of annealing large area glass substrates | |
JP2013524510A5 (ja) | ||
JP2013524510A (ja) | p型拡散層の上に負荷電パッシベーション層を形成する方法 | |
US20090029502A1 (en) | Apparatuses and methods of substrate temperature control during thin film solar manufacturing | |
JP3268965B2 (ja) | 基板上に半導体膜を形成するための装置および方法 | |
JP5877333B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
CN113725070B (zh) | 一种用于背封硅片的方法和设备 | |
JP3649898B2 (ja) | プラズマcvd装置を用いた多層薄膜形成装置 | |
CN113410342A (zh) | 用于异质结太阳能电池的镀膜方法及镀膜设备 | |
EP3644377B1 (en) | Method for manufacturing high-efficiency solar cell | |
JP3560109B2 (ja) | 薄膜光電変換素子の製造方法および製造装置 | |
JPH1070296A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
JPH11251609A (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 | |
JP3070309B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
TWI825615B (zh) | 一種基板處理系統及其方法 | |
JPH08260149A (ja) | 減圧表面処理装置及び太陽電池製作装置 | |
JP2761579B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2001185546A (ja) | プラズマcvd装置および成膜方法 | |
JP2626705B2 (ja) | 被膜作製方法 | |
WO2009131115A1 (ja) | 太陽電池の製造方法,太陽電池の製造装置,及び太陽電池 | |
JP2017017082A (ja) | ウェハ処理装置、ウェハカセット搬送装置、太陽電池用基板の製造方法 | |
JP3012143B2 (ja) | 非晶質半導体薄膜の形成方法 | |
JP3134824B2 (ja) | プラズマcvd装置および成膜方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20011225 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |