CN113097098A - 基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质，能够抑制排气配管上的反应副产物堆积。基板处理装置具有：处理室，其对基板进行处理；处理室气体供给***，其向处理室供给处理气体、吹扫气体或清洁气体；排气配管，其从所述处理室进行气体排放；排气配管气体供给***，其与排气配管中的预定的堆积风险部位连接，并向堆积风险部位供给清洁促进气体；以及控制部，其对来自处理室气体供给***的气体供给和来自排气配管气体供给***的气体供给进行控制。
Description
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质。
背景技术
作为在半导体装置的制造工艺的一工序中使用的基板处理装置，构成为：向收容基板的处理室供给处理气体并且通过排气配管从处理室排放气体来对处理室内的基板进行处理(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015－183271号公报
发明内容
发明所要解决的课题
有时会在基板处理装置的排气配管堆积反应副产物。因此，会导致在排气配管内气流的流导降低，处理室内的压力梯度增大，其结果是，可能会导致对基板进行的处理的均匀性恶化。
本公开提供一种能够抑制排气配管上的反应副产物堆积的技术。
用于解决课题的方案
根据一方案，提供一种技术，具有：
处理室，其对基板进行处理；
处理室气体供给***，其向所述处理室供给处理气体、吹扫气体或清洁气体；
排气配管，其从所述处理室进行气体排放；
排气配管气体供给***，其与所述排气配管中的预定的堆积风险部位连接，并向所述堆积风险部位供给清洁促进气体；以及
控制部，其对来自所述处理室气体供给***的气体供给和来自所述排气配管气体供给***的气体供给进行控制。
发明的效果
根据本公开，能够抑制排气配管上的反应副产物堆积。
附图说明
图1是本公开第一实施方式的单片式的基板处理装置的概要结构图。
图2是表示本公开第一实施方式的基板处理工序的步骤的流程图。
图3是表示图2中的成膜工序的详情的流程图。
图4是本公开第三实施方式的单片式的基板处理装置的概要结构图。
图5是本公开第四实施方式的多片式基板处理装置的主要部分的概要结构图。
图中：
100—基板处理装置；200—晶圆(基板)；201—处理室；222—排气配管；222a、222b—堆积风险部位；222e—合流部(堆积风险部位)；223—APC阀门；242—共用气体供给管(第一供给管)；249a、249e、249i—排气配管气体供给管(第二供给管)；260—控制器。
具体实施方式
以下参照附图对本公开的实施方式进行说明。
以下说明中例举的基板处理装置用于半导体装置的制造工序，因此构成为对作为处理对象的基板进行预定的工艺处理。
作为处理对象的基板例如是供制作半导体装置(半导体器件)的作为半导体基板的硅晶圆(以下简称为“晶圆”)。此外，在本说明书中使用“晶圆”这一用语时的含义包括：“晶圆本身”；以及“晶圆与其表面上形成的预定的层、膜等的层叠体(集合体)”(即，所称晶圆包含其表面上形成的预定的层、膜等在内)。另外，在本说明书中使用“晶圆的表面”这一用语时的含义包括：“晶圆本身的表面(露出面)”；以及“在晶圆上形成的预定的层、膜等的表面、即作为层叠体的晶圆的最上表面”。在本说明书中使用“基板”这一用语时的含义也与使用“晶圆”这一用语时的含义相同。
作为对晶圆进行的预定的工艺处理(以下也简称为“处理”)，例如有氧化处理、扩散处理、退火处理、蚀刻处理、预清洁处理、腔室清洁处理、成膜处理等。在本实施方式中特别例举进行成膜处理的情况。
＜第一实施方式＞
首先，对本公开的第一实施方式具体地进行说明。
(1)基板处理装置的结构
以下对本实施方式的基板处理装置的结构进行说明。在此，例举对作为处理对象的晶圆逐个进行处理的单片式的基板处理装置。
图1是本实施方式的单片式的基板处理装置的概要结构图。
(处理容器)
如图1所示，基板处理装置100具备处理容器202。处理容器202例如作为横截面呈圆形的扁平密闭容器，由铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料构成。处理容器202由上部容器202a和下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设置分隔板204。
在处理容器202内形成有：对晶圆200进行处理的处理空间即处理室201、以及在将晶圆200向处理室201搬送时晶圆200通过的搬送空间203。
在上部容器202a内部的外周端缘附近设置有排气缓冲室209。排气缓冲室209作为将处理室201内的气体向侧方周围排出时的缓冲空间发挥功能。因此，排气缓冲室209具备设置为包围处理室201的侧方外周的空间。即，排气缓冲室209具有在处理室201的外周侧形成为俯视呈环状(圆环状)的空间。
在下部容器202b的侧面设置有与闸阀205相邻的基板搬入搬出口206，晶圆200经由基板搬入搬出口206在与未图示的搬送室之间移动。在下部容器202b的底部设置有多个升降销207。
(基板支撑部)
在处理室201内设置有对晶圆200进行支撑的基板支撑部210。基板支撑部210主要地具有：对晶圆200进行载置的基板载置面211、在表面具备基板载置面211的基板载置台212、以及内置于基板载置台212的作为加热源的加热器213。在基板载置台212的与升降销207对应的位置分别设置有供升降销207贯通的贯通孔214。
基板载置台212被主轴217支撑。主轴217贯通处理容器202的底部，进而在处理容器202的外部与升降机构218连接。通过使升降机构218动作而使主轴217和基板载置台212升降，从而能够使基板载置面211上载置的晶圆200升降。此外，主轴217下端部的周围被波纹管219覆盖，处理容器202内保持气密。
在搬送晶圆200时，基板载置台212下降到基板载置面211与基板搬入搬出口206对置的位置(晶圆搬送位置)，在对晶圆200进行处理时，如图1所示，基板载置台212上升至晶圆200到达处理室201内的处理位置(晶圆处理位置)。
具体而言，当使基板载置台212下降到晶圆搬送位置时，升降销207的上端部从基板载置面211的上表面突出，使得升降销207从下方支撑晶圆200。另外，当使基板载置台212上升到晶圆处理位置时，升降销207从基板载置面211的上表面埋没，使得基板载置面211从下方支撑晶圆200。
(喷头)
在处理室201的上部(气体供给方向上游侧)设置有作为气体分散机构的喷头230。在喷头230的盖231设置气体导入口241。该气体导入口241构成为连通后述的气体供给***。从气体导入口241导入的气体向喷头230的缓冲空间232供给。
喷头230的盖231由具有导电性的金属形成，用作在缓冲空间232或处理室201内生成等离子的电极。在盖231与上部容器202a之间设置绝缘块233，使盖231与上部容器202a之间绝缘。
喷头230具备分散板234，该分散板234用于使从气体供给***经由气体导入口241供给的气体分散。该分散板234的上游侧为缓冲空间232，下游侧为处理室201。在分散板234设置有多个贯通孔234a。分散板234配置为与基板载置面211对置。
(气体供给***)
在喷头230的盖231以与气体导入孔241连通的方式连接有共用气体供给管242。共用气体供给管242经由气体导入孔241与喷头230内的缓冲空间232连通。另外，在共用气体供给管242连接有第一气体供给管243a、第二气体供给管244a、以及第三气体供给管245a。第二气体供给管244a经由远程等离子单元(RPU)244e与共用气体供给管242连接。
其中，主要地从包含第一气体供给管243a的原料气体供给***243供给作为处理气体之一的原料气体，并主要地从包含第二气体供给管244a的反应气体供给***244供给作为另一处理气体的反应气体。从包含第三气体供给管245a的吹扫气体供给***245在对晶圆200进行处理时主要地供给作为吹扫气体的惰性气体，并在对喷头230、处理室201进行清洁时主要地供给清洁气体。此外，对于从气体供给***供给的气体，有时也将原料气体称为第一气体、将反应气体称为第二气体、将惰性气体称为第三气体、将清洁气体(用于处理室201)称为第四气体。此外，有时将作为气体供给***之一的后述的排气配管清洁促进气体供给***所供给的清洁促进气体(用于排气配管222)称为第五气体。
这样，在共用气体供给管242连接有第一气体供给管243a、第二气体供给管244a和第三气体供给管245a。由此，共用气体供给管242通过喷头230的缓冲空间232向处理室201选择性地供给：作为处理气体的原料气体(第一气体)或者反应气体(第二气体)、作为吹扫气体的惰性气体(第三气体)或清洁气体(第四气体)。即，共用气体供给管242作为向处理室201供给处理气体、吹扫气体或清洁气体的“第一供给管”发挥功能。
(原料气体供给***)
在第一气体供给管243a从上游方向起依次设置有：原料气体供给源243b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流控制器(MFC)243c、作为开闭阀的阀门243d。并且，从第一气体供给管243a将原料气体经由MFC243c、阀门243d、共用气体供给管242向喷头230内供给。
原料气体(第一气体)作为处理气体之一，例如是含有作为第一元素的硅(Si)元素的气体。具体而言，可以采用二氯硅烷(SiH2Cl2，dichlorosilane：DCS)气体、四乙氧基硅烷(Si(OC2H5)4，Tetraethoxysilane：TEOS)气体等。以下的说明以DCS气体为例进行说明。
主要地，由第一气体供给管243a、MFC243c、阀门243d构成原料气体供给***243。此外，可以认为原料气体供给***243包含原料气体供给源243b、后述的第一惰性气体供给***。另外，原料气体供给***243供给作为处理气体之一的原料气体，因此相当于处理气体供给***之一。
在比第一气体供给管243a的阀门243d靠下游侧连接有第一惰性气体供给管246a的下流端。在第一惰性气体供给管246a从上游方向起依次设置有：惰性气体供给源246b、MFC246c、以及阀门246d。并且，从第一惰性气体供给管246a将惰性气体经由MFC246c、阀门246d、第一气体供给管243a向喷头230内供给。
惰性气体用作原料气体的载气，优选采用不与原料反应的气体。具体而言，例如可以采用氮气(N2)。另外，除了N2气体之外，也可以采用例如氦气(He)、氖气(Ne)、氩气(Ar)等稀有气体。
主要地，由第一惰性气体供给管246a、MFC246c和阀门246d构成第一惰性气体供给***。此外，可以认为第一惰性气体供给***包含惰性气体供给源236b、第一气体供给管243a。另外，可以认为第一惰性气体供给***包含于原料气体供给***243。
(反应气体供给***)
在第二气体供给管244a的下游设置有RPU244e。并在上游从上游方向起依次设置有：反应气体供给源244b、MFC244c、以及阀门244d。并且，反应气体从第二气体供给管244a经由MFC244c、阀门244d、RPU244e、共用气体供给管242向喷头230内供给。反应气体通过远程等离子单元244e而成为等离子状态，并照射于晶圆200上。
反应气体(第二气体)是另一种处理气体，且为含有与原料气体所含的第一元素(例如Si)不同的第二元素(例如氮)的气体。具体而言，例如采用作为含氮(N)气体的氨气(NH3)。
主要地，由第二气体供给管244a、MFC244c、阀门244d构成反应气体供给***244。此外，也可以认为反应气体供给***244包含反应气体供给源244b、RPU244e、后述的第二惰性气体供给***。另外，反应气体供给***244供给作为处理气体之一的反应气体，因此对应于另一个处理气体供给***。
在比第二气体供给管244a的阀门244d靠下游侧连接有第二惰性气体供给管247a的下游端。在第二惰性气体供给管247a从上游方向起依次设置有：惰性气体供给源247b、MFC247c、以及阀门247d。并且，惰性气体从第二惰性气体供给管247a经由MFC247c、阀门247d、第二气体供给管244a、RPU244e向喷头230内供给。
惰性气体作为反应气体的载气或稀释气体发挥作用。具体而言，例如可以使用N2气体。并且，除了N2气体之外，例如也可以使用He气、Ne气、Ar气等稀有气体。
主要地，由第二惰性气体供给管247a、MFC247c和阀门247d构成第二惰性气体供给***。此外，也可以认为第二惰性气体供给***包含惰性气体供给源247b、第二气体供给管243a、RPU244e。另外，也可以认为第二惰性气体供给***包含于反应气体供给***244。
(吹扫气体供给***)
在第三气体供给管245a从上游方向起依次设置有：吹扫气体供给源245b、MFC245c、以及阀门245d。并且，在基板处理工序中，作为吹扫气体的惰性气体从第三气体供给管245a经由MFC245c、阀门245d、共用气体供给管242向喷头230内供给。另外，在处理空间清洁工序中，根据需要，作为清洁气体的载气或稀释气体的惰性气体经由MFC245c、阀门245d、共用气体供给管242向喷头230内供给。
就从吹扫气体供给源245b供给的惰性气体而言，在基板处理工序中，作为对处理容器202、喷头230内留存的气体进行吹扫的吹扫气体发挥作用。另外，也可以在处理空间清洁工序中，作为清洁气体的载气或稀释气体发挥作用。具体而言，作为惰性气体而可以使用例如N2气体。并且，除了N2气体之外，例如也可以使用He气、Ne气、Ar气等稀有气体。
主要地，由第三气体供给管245a、MFC245c、阀门245d构成吹扫气体供给***245。此外，也可以认为吹扫气体供给***245包含：吹扫气体供给源245b、后述的处理空间清洁气体供给***248。
(处理空间清洁气体供给***)
在比第三气体供给管245a的阀门245d靠下游侧连接有处理空间清洁气体供给管248a的下游端。在处理空间清洁气体供给管248a从上游方向起依次设置有：处理空间清洁气体供给源248b、MFC248c、以及阀门248d。并且，第三气体供给管245a在处理空间清洁工序中，将清洁气体经由MFC248c、阀门248d、共用气体供给管242向喷头230内供给。
从处理空间清洁气体供给源248b供给的清洁气体(第四气体)在处理空间清洁工序中，作为将喷头230、处理容器202上附着的副产物等除去的清洁气体发挥作用。具体而言，作为清洁气体例如可以考虑使用三氟化氮(NF3)气体。另外，例如也可以使用氟化氢(HF)气体、三氟化氯(ClF3)气体、氟气(F2)气体等，或者将它们组合使用。
主要地，由处理空间清洁气体供给管248a、MFC248c和阀门248d构成处理空间清洁气体供给***248。此外，也可以认为处理空间清洁气体供给***248包含：处理空间清洁气体供给源248b、第三气体供给管245a。另外，也可以认为处理空间清洁气体供给***248包含于吹扫气体供给***245。
在此，对于构成为经由共用气体供给管(第一供给管)242使原料气体供给***243、反应气体供给***244、吹扫气体供给***245和处理空间清洁气体供给***248分别与处理室201连通的例子进行了说明，但是不限于此。例如，也可以使原料气体供给***243、反应气体供给***244、吹扫气体供给***245和处理空间清洁气体供给***248各自的气体供给管直接与喷头230、处理室201等连接。
此外，也可以将原料气体供给***243、反应气体供给***244、吹扫气体供给***245或者处理空间清洁气体供给***248各自、或者它们的组合称为“处理气体供给***”。此时，处理气体供给***发挥向喷头230、处理室201等供给处理气体、吹扫气体或清洁气体的功能。
(气体排放***)
排气配管222经由在排气缓冲室209的上表面或侧方设置的排气口221连接至排气缓冲室209内。由此使得排气配管222与处理室201内连通。
在排气配管222设置有APC(Auto Pressure Controller：自动压力控制器)阀门223，该APC阀门223是将与排气缓冲室209连通的处理室201内控制为预定的压力的压力控制器。APC阀门223具有能够进行开度调整的阀芯(未图示)，并按照来自后述的控制器260的指示对排气配管222的流导进行调整。以下有时也将设置于排气配管222的APC阀门223简称为阀门223。
另外，在排气配管222的APC阀门223的下游侧设置有真空泵224。真空泵224经由排气配管222对排气缓冲室209和与其连通的处理室201的环境气体进行排气。由此，排气配管222作为从处理室201排放气体的排气配管发挥功能。
主要地，由排气配管222、APC阀门223、以及真空泵224构成气体排放***。
(排气配管清洁促进气体供给***)
作为气体供给***，在处理空间清洁气体供给***248之外，在构成气体排放***的排气配管222连接有排气配管清洁促进气体供给***(以下有时也简称为“排气配管气体供给***”)249。
在排气配管气体供给***249中包含：与排气配管222直接连通的排气配管清洁促进气体供给管(以下有时也简称为“排气配管气体供给管”)249a。排气配管气体供给管249a由于在共用气体供给管(第一供给管)242之外另设，因此以下有时也称为“第二供给管”。
排气配管气体供给管(第二供给管)249a与排气配管222的预定的堆积风险部位222a连接。“堆积风险部位”是指：容易堆积副产物等的无用的反应物的部位。在本实施方式中设定为，堆积风险部位222a位于从排气口221到APC阀门223之间。即，在本实施方式中将堆积风险部位222a设定为，排气配管气体供给管249a相对于排气配管222的连接部位处在从用于使排气配管222与处理室201内连通的排气口221到设置于排气配管222的APC阀门223之间。
另外，在排气配管气体供给管249a从上游方向起依次设置有：排气配管清洁促进气体供给源(以下有时也简称为“排气配管气体供给源”)249b、MFC249c、以及阀门249d。并且，清洁促进气体从排气配管气体供给管249a经由MFC249c、阀门249d向排气配管222内供给。
“清洁促进气体”是指：在用于将排气配管222内附着的副产物等除去的清洁处理中起促进作用的气体。具体而言，例如，将副产物等除去的清洁气体、使该清洁气体活性化的清洁辅助气体等，相当于这里所说的清洁促进气体。在本实施方式中，作为清洁促进气体而使用清洁气体。作为清洁气体，例如可举出NF3气体、F2气体、HF气体、ClF3气体等的含氟气体。
主要地，由排气配管气体供给管249a、MFC249c和阀门249d构成排气配管气体供给***249。此外，也可以认为排气配管气体供给***249包含排气配管气体供给源249b。
(控制器)
基板处理装置100具有对基板处理装置100各部的动作进行控制的作为控制部的控制器260。控制器260至少具有运算部261和存储部262。控制器260与上述的各结构连接，并按照上位装置或使用者的指示，从存储部262调出程序或处方，并根据其内容来控制各结构的动作。具体而言，控制器260对闸阀205、升降机构218、加热器213、MFC243c～248c、阀门243d～248d、MFC249c、阀门249d、APC阀门223、真空泵224等的动作进行控制。即，控制器260的控制对象至少包括：从处理气体供给***进行的气体供给和从排气配管气体供给***249进行的气体供给。
此外，控制器260可以由专用计算机构成，也可以由通用计算机构成。例如可以是，准备存放有上述程序的外部存储装置(例如是磁带、软盘、硬盘等磁盘、CD、DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器、存储卡等半导体存储器)，并使用该外部存储装置向通用计算机安装程序，从而构成本实施方式的控制器260。
另外，向计算机供给程序的方式不限于经由外部存储装置供给的情况。例如也可以使用互联网或专用线路等通信方式而不经由外部存储装置来供给程序。此外，存储部262或外部存储装置构成为计算机可读取的存储介质。以下也将其简而统称为存储介质。此外，在本说明书中，存储介质的含义包括：仅指存储部262单体；仅指外部存储装置单体；或者是指这两者。
(2)基板处理工序
接下来，对于半导体制造工序的一工序即利用上述结构的基板处理装置100来处理晶圆200的基板处理工序进行说明。
在此，作为基板处理工序以在晶圆200上形成薄膜为例。尤其是在本实施方式中对于如下的例子进行说明，即：作为原料气体(第一气体)使用DCS气体，作为反应气体(第二气体)使用NH3气体，并交替地供给这些气体，从而在晶圆200上形成作为含硅膜的SiN(氮化硅)膜。
此外，在以下的说明中，通过控制器260来控制构成基板处理装置100的各部的动作。
图2是表示本实施方式的基板处理工序的步骤的流程图。图3是表示图2的成膜工序的详情的流程图。
(基板搬入/加热工序：S102)
在基板处理装置100中，在执行基板处理工序时，如图2所示那样，首先执行基板搬入/加热工序(S102)。在基板搬入/加热工序(S102)中，将晶圆200搬入处理容器202内。并且，在将晶圆200搬入处理容器202内之后，使未图示的真空搬送机器人退避到处理容器202外，并关闭闸阀205而使处理容器202内密闭。之后，通过使基板载置台212上升而将晶圆200载置到设置于基板载置台212的基板载置面211上。并且，通过使基板载置台212上升而使晶圆200上升到处理室201内的处理位置(晶圆处理位置)。
在晶圆200被搬入搬送空间203后并上升到处理室201内的晶圆处理位置时，则使APC阀门223动作而使排气缓冲室209、APC阀门223、真空泵224之间连通。APC阀门223通过对排气配管222的流导进行调整来控制真空泵224对排气缓冲室209的排气流量，将与排气缓冲室209连通的处理室201维持于预定的压力。
另外，在将晶圆200载置于基板载置台212上时，向埋入基板载置台212内部的加热器213供电，并将晶圆200的表面控制为预定的处理温度。此时，加热器213的温度可通过基于由未图示的温度传感器检出的温度信息而控制向加热器213通电的状态来进行调整。
这样，在基板搬入/加热工序(S102)中，将处理室201内控制为预定的处理压力，并且将晶圆200的表面温度控制为预定的处理温度。这里，预定的处理温度、处理压力是指：能够在后述的成膜工序(S104)中通过交替供给法形成SiN膜的处理温度、处理压力。即，在第一处理气体(原料气体)供给工序(S202)中供给的原料气体是不会自己发生分解的程度的处理温度、处理压力。具体而言，处理温度为室温以上且500℃以下、并优选为室温以上且400℃以下，处理压力可以设为50～5000Pa。在后述的成膜工序(S104)中也维持该处理温度、处理压力。
(成膜工序：S104)
在基板搬入/载置工序(S102)之后，接下来进行成膜工序(S104)。以下参照图3对成膜工序(S104)详细地进行说明。此外，成膜工序(S104)是重复地执行交替地供给不同处理气体的工序的循环处理。
(第一处理气体供给工序：S202)
在成膜工序(S104)中，首先执行第一处理气体(原料气体)供给工序(S202)。在第一处理气体供给工序(S202)中，从原料气体供给***243向处理室201内供给作为原料气体(第一气体)的DCS气体。供给至处理室201内的DCS气体到达处于晶圆处理位置的晶圆200的表面上。由此，在晶圆200的表面通过接触DCS气体而形成作为“含第一元素层”的含硅层。含硅层例如是根据处理容器202内的压力、DCS气体的流量、基板载置台212的温度、在处理室201通过的时间等而以预定的厚度和预定的分布形成。
在从开始供给DCS气体起经过预定时间之后关闭阀门243d而停止供给DCS气体。此外，在第一处理气体供给工序(S202)中，通过APC阀门223将处理室201的压力控制为预定压力。
(吹扫工序：S204)
在第一处理气体供给工序(S202)之后，接下来从吹扫气体供给***245供给N2气体，对处理室201和喷头230进行吹扫。由此，在第1处理气体供给工序(S202)中利用真空泵224将未与晶圆200结合的DCS气体从处理室201除去。
(第二处理气体供给工序：S206)
在吹扫工序(S204)之后，接下来从反应气体供给***244向处理室201内供给作为反应气体(第二气体)的NH3气体。可以是，NH3气体通过RPU244e而成为等离子状态，并向处于晶圆处理位置的晶圆200的表面上照射。由此，使得在晶圆200的表面上已经形成的含硅层改性，形成例如含有Si元素和N元素的层即SiN膜。
并且，在经过预定时间之后关闭阀门244d而停止供给NH3气体。此外，在第二处理气体供给工序(S206)中，与上述的第一处理气体供给工序(S202)同样地，通过APC阀门223将处理室201的压力控制为预定压力。
(吹扫工序：S208)
在第二处理气体供给工序(S206)之后执行吹扫工序(S208)。在吹扫工序(S208)中，各部的动作与上述的吹扫工序(S204)的情况相同，因此在这里省略说明。
(判定工序：S210)
结束吹扫工序(S208)之后，接下来，控制器260将上述一系列处理(S202～S208)作为一个循环来判定该一个循环是否实施了预定次数(n个循环)。并且，如果未实施预定次数，则重复进行从第一处理气体供给工序(S202)到吹扫工序(S208)的一个循环。另一方面，当实施了预定次数时，则结束成膜工序(S104)。
这样，在成膜工序(S104)中，依次执行从第一处理气体供给工序(S202)到吹扫工序(S208)的各工序，从而在晶圆200的表面上堆积预定的厚度的SiN膜。并且，将该各工序作为一个循环，并使该一个循环以预定次数重复进行，从而将在晶圆200的表面上形成的SiN膜控制为所需的膜厚。
(基板搬入搬出工序：S106)
以上这样的成膜工序(S104)结束之后，在基板处理装置100中如图2所示执行基板搬入搬出工序(S106)。在基板搬入搬出工序(S106)中，通过与上述的基板搬入/加热工序(S102)相反的步骤，将处理过的晶圆200向处理容器202外搬出。并且，通过与基板搬入/加热工序(S102)同样的步骤，将后续待机的未处理的晶圆200向处理容器202内搬入。之后，对搬入的晶圆200执行成膜工序(S104)。
(判定工序：S108)
基板搬入搬出工序(S106)结束之后，在基板处理装置100中将上述一系列的处理(S102～S106)作为一个循环来判定该一个循环是否实施了预定次数，即判定通过成膜工序(S104)处理的晶圆200是否达到预定的个数。并且，若未实施预定次数，则会由于处理过的晶圆200没有达到预定的个数而重复进行一个从基板搬入/加热工序(S102)到基板搬入搬出工序(S106)的循环。另一方面，当达到预定次数时则结束基板处理工序。
基板处理工序结束后，处理容器202内成为不存在晶圆200的状态。
(3)处理室的清洁工序
接下来，作为半导体装置制造方法的一工序，对基板处理装置100的处理容器202内进行清洁处理的工序进行说明。
当重复进行上述的基板处理工序时，可能会导致在处理容器202内(尤其是处理室201内)副产物等的无用的反应物附着于壁面。因此，基板处理装置100以预定的时机(例如：基板处理工序执行了预定次数之后、处理了预定个数的晶圆200之后、从上次的清洁处理起经过了预定时间之后等)，对处理室201执行清洁工序。
在处理室201的清洁工序中，在阀门243d、244d、245d、246d、247d、249d关闭的状态下使阀门248d为打开状态。这样，从处理空间清洁气体供给***248的处理空间清洁气体供给源248b经由第三气体供给管245a和共用气体供给管242向处理室201供给清洁气体。并且，所供给的清洁气体将缓冲室232内、处理室201内的附着物(反应副产物等)除去。
由此，在处理室201内例如副产物等附着于壁面的情况下，也能够通过以预定的时机进行清洁处理而将该副产物等除去。
(4)排气配管的清洁工序
接下来，作为半导体装置制造方法的一工序，对基板处理装置100的排气配管222内进行清洁处理的工序进行说明。
当重复进行上述的基板处理工序时，副产物等无用的反应物不仅有可能在处理室201内附着，而且也可能附着于从处理室201进行气体排放的排气配管222的管内。尤其是在排气配管222的堆积风险部位222a即从排气口221到APC阀门223之间容易附着堆积副产物等。以下对其理由简单地进行说明。
APC阀门223对处理室201内的压力、排气配管222内(尤其是排气配管222的从排气口221到APC阀门223之间)的压力等进行调整。例如，APC阀门223在基板处理工序时将处理室201内调整为预定压力。
另外，在基板处理工序时，利用加热器213将处理室201内加热为预定的处理温度。另一方面，排气配管222构成为不受加热器213的热影响。在排气配管222与处理容器202之间配置有耐热性较低的作为密封部件的O形环(但是未图示)。
另外，在基板处理工序时，排气配管222的管内由于气体从开阔的处理室201流入窄小(较细)的管内而压力升高。
这样，在排气配管222中的尤其是从排气口221到APC阀门223之间压力高且温度低而成为容易附着堆积副产物等的环境。
据此，在本实施方式中，在对处理室201执行了清洁工序之后，接下来对排气配管222执行清洁工序。
在对排气配管222执行清洁工序时，首先，使在处理室201的清洁工序中从共用气体供给管242进行的清洁气体的供给停止，并且开始从共用气体供给管242进行吹扫气体的供给。具体而言，使阀门248d从打开状态变为关闭状态，并使阀门245d从关闭状态变为打开状态，从吹扫气体供给源245b通过第三气体供给管245a和共用气体供给管242向处理室201供给吹扫气体。
之后，在排气配管222的清洁工序中使阀门249d成为打开状态。这样，从排气配管气体供给源249b经由排气配管气体供给管249a向排气配管222的堆积风险部位222a即从排气口221到APC阀门223之间供给作为清洁促进气体的清洁气体。即，与从共用气体供给管242向处理室201的吹扫气体供给并行地，从排气配管气体供给管249a向排气配管222内的堆积风险部位222a供给清洁气体。由此，所供给的清洁气体将堆积风险部位222a的附着物(反应副产物等)除去。
此时，向处理室201内供给吹扫气体。因此，即使直接向排气配管222内供给清洁气体，也能够抑制该清洁气体进入处理室201内。即，向处理室201供给的吹扫气体具有避免向排气配管222内供给的清洁气体进入处理室201内的作用。此时，在开始向排气配管222供给清洁气体之前向处理室201供给吹扫气体，从而能够可靠地防止清洁气体侵入处理室201内。
(5)实施方式的效果
根据本实施方式，获得以下所示的一个或多个效果。
(a)在本实施方式中，在排气配管222内的堆积风险部位222a连接有排气配管气体供给管249a。因此，即使堆积风险部位222a处于容易附着堆积副产物等的环境，也能够通过向该堆积风险部位222a供给清洁促进气体而将堆积风险部位222a的附着物(反应副产物等)除去。
这样，根据本实施方式，不仅能够抑制处理室201内的反应副产物堆积，而且也能够抑制排气配管222内的反应副产物堆积。因此，能够抑制由于向排气配管222内的反应副产物堆积而导致气流的流导降低，避免由于流导降低而导致处理室201内的压力梯度増大，因此其结果是，能够防止对晶圆200进行处理的均匀性恶化。
(b)在本实施方式中设定为，排气配管222的堆积风险部位222a位于从用于与处理室201内连通的排气口221到设置于排气配管222的APC阀门223之间。从排气口221到APC阀门223之间，压力高且温度低，因此容易附着堆积副产物等。即，在特别容易发生反应副产物堆积的部位连接有排气配管气体供给管249a。因此，能够非常有效且高效地抑制排气配管222中的反应副产物堆积。
(c)在本实施方式中，从排气配管气体供给***249供给作为清洁促进气体的清洁气体。即，作为清洁促进气体而供给直接有助于将排气配管222内附着的副产物等除去的清洁气体。因此，能够非常有效且可靠地将排气配管222中堆积的反应副产物等除去。
(d)在本实施方式中，从排气配管气体供给管249a向排气配管222内供给气体时，从共用气体供给管242向处理室201供给吹扫气体。因此，即使直接向排气配管222内供给清洁气体，也能够抑制该清洁气体进入处理室201内。尤其是通过在开始向排气配管222供给清洁气体之前向处理室201供给吹扫气体，从而能够可靠地防止清洁气体侵入处理室201内。
＜第二实施方式＞
接下来，对本公开的第二实施方式具体地进行说明。在此，主要针对与上述的第一实施方式的区别点进行说明并省略其它方面的说明。
在本实施方式中，与第一实施方式的情况的区别在于：排气配管气体供给***249的结构；以及利用该排气配管气体供给***249进行的排气配管222的清洁工序。
在本实施方式中，能够从排气配管气体供给***249的排气配管气体供给源249b供给作为清洁促进气体的清洁辅助气体。作为清洁辅助气体，在向处理室201供给作为清洁气体的NF3气体或F2气体等的含氟气体的情况下，可以举出使该清洁气体活性化的一氧化氮(NO)气体或氧气(O2)等含氧气体。此外，排气配管气体供给***249也可以构成为在清洁辅助气体的基础上供给清洁气体。
接下来，对利用这样的排气配管气体供给***249进行的排气配管222的清洁工序进行说明。
在处理室201的清洁工序中，通过共用气体供给管242向处理室201供给清洁气体。并且，向处理室201内供给的清洁气体通过排气缓冲室209和排气配管222向处理容器202外排出。
该情况下，清洁气体到达排气配管222时能量失活。尤其是在排气配管222内，压力比处理室201高，因此清洁气体的运动效率进一步降低而使清洁效果降低。
据此，在本实施方式中，与处理室201的清洁工序并行地执行排气配管222的清洁工序。
在排气配管222的清洁工序中，通过使阀门249d成为打开状态，从排气配管气体供给源249b经由排气配管气体供给管249a向排气配管222的堆积风险部位222a即从排气口221到APC阀门223之间供给作为清洁促进气体的清洁辅助气体。即，与从共用气体供给管242向处理室201的清洁气体供给并行地，从排气配管气体供给管249a向排气配管222内的堆积风险部位222a供给清洁辅助气体。
由此，从共用气体供给管242供给并经由处理室201到达排气配管222内的堆积风险部位222a的清洁气体，通过向该堆积风险部位222a供给的清洁辅助气体而活性化。并且，实施了活性化的清洁气体提高了能量效率，能够以提高了对排气配管222内的清洁能力的状态，将排气配管222内的堆积风险部位222a的附着物(反应副产物等)除去。
此时，也可以在从排气配管气体供给管249a供给清洁辅助气体的同时供给清洁气体。如果同时地供给清洁气体，则清洁气体浓度升高，由此进一步提高了对排气配管222内的清洁能力。
根据以上说明的本实施方式，在第一实施方式说明的效果基础上，还具备以下所示的一个或多个效果。
(e)在本实施方式中，与从共用气体供给管242向处理室201的清洁气体供给并行地，从排气配管气体供给***249供给作为清洁促进气体的清洁辅助气体。即，通过供给清洁辅助气体，使到达排气配管222内的堆积风险部位222a的清洁气体活性化。因此，通过活性化提高了清洁气体的清洁能力，从而能够非常有效且可靠地将排气配管222内堆积的反应副产物等除去。
(f)在本实施方式中，作为清洁促进气体使用清洁辅助气体。由此，能够并行地执行：处理室201的清洁工序、以及排气配管222的清洁工序。因此，与分别进行各自的清洁工序的情况相比，能够缩短清洁工序所需时间，其结果是，能够提高基板处理装置100的工作效率。
＜第三实施方式＞
接下来，对本公开的第三实施方式具体地进行说明。在此，也主要针对与上述的第一实施方式或第二实施方式的区别点进行说明并省略其它方面的说明。
在本实施方式中，与第一实施方式的情况的区别在于：排气配管气体供给***249的结构；以及利用该排气配管气体供给***249进行的排气配管222的清洁工序。
图4为本实施方式的单片式的基板处理装置的概要结构图。
如图4所示，在本实施方式的基板处理装置100a中，在排气配管气体供给***249中，除了在第一实施方式中说明的排气配管气体供给管249a、排气配管气体供给源249b、MFC249c和阀门249d之外，还包括直接与排气配管222连通的排气配管气体供给管(第二供给管)249e。在排气配管气体供给管249e从上游方向起依次设置有：排气配管气体供给源249f、MFC249g、阀门249h。并且，从排气配管气体供给管249e经由MFC249g、阀门249h向排气配管222内供给清洁促进气体。
排气配管气体供给管(第二供给管)249e与不同于排气配管气体供给管249a的另一堆积风险部位222b连接。该堆积风险部位222b设定为，位于在排气配管222设置的APC阀门223的下游侧。进一步具体而言，是将堆积风险部位222b设定为，在APC阀门223的下游侧位于该APC阀门223的紧邻处。即，在本实施方式中，是将堆积风险部位222b设定为，排气配管气体供给管249e相对于排气配管222的连接部位处于APC阀门223的下游侧紧邻处。此外，这里所说的APC阀门223的“紧邻处”是指：距离APC阀门223不远而分压和温度能够如后述详情那样降低的区域范围。
作为通过排气配管气体供给管249e向这样的堆积风险部位222b供给的清洁促进气体，例如与第一实施方式同样地使用清洁气体。但是不限于此，例如也可以与第二实施方式同样地使用清洁辅助气体。
接下来，对利用这样的排气配管气体供给***249进行的排气配管222的清洁工序进行说明。在此，作为清洁促进气体举出使用清洁气体的情况的例子。
在本实施方式中，也与第一实施方式同样地，在对处理室201执行清洁工序之后，从排气配管气体供给管249e向堆积风险部位222a即从排气口221到APC阀门223之间供给清洁气体来进行清洁处理。
之后，当对堆积风险部位222a进行的清洁处理结束后，在本实施方式中，关闭APC阀门223并且使阀门249h成为打开状态。这样，从排气配管清洁促进气体供给源249f通过排气配管气体供给管249e向排气配管222的异于堆积风险部位222a的另一堆积风险部位222b即APC阀门223的下游侧紧邻处供给作为清洁促进气体的清洁气体。
APC阀门223的下游侧紧邻处的区域范围由于真空泵224的影响而分压降低且同时地温度降低。因此，该区域范围处于容易附着堆积副产物等的环境。
因此，在本实施方式中，将该区域范围作为堆积风险部位222b，并向APC阀门223的下游侧紧邻处供给清洁气体，从而将该堆积风险部位222b的附着物(反应副产物等)除去。
此外，这里举出为了将APC阀门223的下游侧紧邻处的副产物等除去而供给清洁气体的例子，但是也可以如在第二实施方式中说明的那样使用清洁辅助气体。
另外，这里举出作为排气配管222的清洁工序而在对从排气口221到APC阀门223之间进行清洁处理之后，对APC阀门223的下游侧紧邻处进行清洁处理的例子，但是不限于此，例如也可以仅对APC阀门223的下游侧紧邻处进行清洁处理。即，排气配管气体供给***249可以是仅排气配管气体供给管249e与排气配管222连接，且仅将APC阀门223的下游侧紧邻处设定为堆积风险部位222b。
根据以上说明的本实施方式，在第一实施方式或第二实施方式说明的效果基础上，还具备以下所示的效果。
(g)在本实施方式中设定为，排气配管222中的堆积风险部位222b位于在排气配管222设置的APC阀门223的下游侧。APC阀门223的下游侧分压降低且同时地温度降低，因此副产物等容易附着堆积。即，在特别容易发生反应副产物堆积的部位连接有排气配管气体供给管249e。因此，能够非常有效且高效地抑制排气配管222中的反应副产物堆积。
＜第四实施方式＞
接下来，对本公开的第四实施方式具体地进行说明。这里，也主要针对与上述的第一实施方式或第二实施方式的区别点进行说明并省略其它方面的说明。
图5是本实施方式的多片式基板处理装置的要部的概要结构图。
如图5所示，在本实施方式的基板处理装置100b中，在处理室201内排列形成有：供给作为处理气体之一的原料气体(第一气体)的区域即原料气体供给区域201a；作为供给吹扫气体的区域的吹扫气体供给区域201b；供给作为另一处理气体的反应气体(第二气体)的区域即反应气体供给区域201c；以及作为供给吹扫气体的区域的吹扫气体供给区域201d。并且构成为，载置有晶圆200的基板载置台能够进行旋转，使晶圆200依次通过各区域201a～201d，从而在晶圆200的表面上进行成膜处理。
在处理室201的原料气体供给区域201a的附近连接有供从处理室201内排出的原料气体流通的原料气体排放管部222c。另外，在处理室201的反应气体供给区域201c的附近连接有供从处理室201内排出的反应气体流通的反应气体排放管部222d。并且，原料气体排放管部222c与反应气体排放管部222d在位于各自下游侧的合流部222e合流。即，在本实施方式的基板处理装置100b中，作为从处理室201排放气体的排气配管发挥功能的排气配管222构成为具有：供原料气体流通的原料气体排放管部222c、供反应气体流通的反应气体排放管部222d、以及前两者合流的合流部222e。
在第二排气配管的合流部222e的下游侧设置有真空泵224。真空泵224经由排气配管222对处理室201的环境气体(尤其是原料气体和反应气体)进行排气。这样，真空泵224位于合流部222e的下游侧，因此在从处理室201排放原料气体和反应气体的情况下，不必分别对应地各自设置独立的泵，能够使用单一的真空泵224进行排气。
在这样构成的基板处理装置100b中，向处理室201内同时地进行原料气体供给和反应气体供给。虽然与各气体对应的排气口分别地设置，但是与各排气口连通的原料气体排放管部222c和反应气体排放管部222d在下游侧的合流部222e合流。因此，在合流部222e，原料气体与反应气体发生反应，由此容易附着堆积副产物等。即，合流部222e成为本实施方式的堆积风险部位222e。此外，为了避免副产物等的堆积，将原料气体和反应气体的排气分开而不设置合流部222e，则需要各自分别地设置独立的泵，导致装置结构的复杂化、高成本化等而不理想。
因此，就本实施方式的基板处理装置100b而言，合流部222e是堆积风险部位222e，因此在该合流部222e连接有排气配管气体供给管(第二供给管)249i。在排气配管气体供给管249i从上游方向起依次设置有：排气配管清洁促进气体供给源249j、MFC249k、以及阀门249l。并且，从排气配管气体供给管249i经由MFC249k、阀门249l向排气配管222内供给清洁促进气体。
作为通过排气配管气体供给管249i向合流部(堆积风险部位)222e供给的清洁促进气体，例如与第一实施方式同样地使用清洁气体。但是不限于此，例如也可以与第二实施方式同样地使用清洁辅助气体。
接下来，对在以上这样构成的基板处理装置100b中进行的排气配管222的清洁工序进行说明。在此，作为清洁促进气体举出使用清洁气体的情况的例子。
在本实施方式中，与第一实施方式同样地对处理室201执行清洁工序。并且，在对处理室201执行清洁工序之后，接下来对排气配管222执行清洁工序。
在排气配管222的清洁工序中使阀门249l成为打开状态。这样，从排气配管气体供给源249j通过排气配管气体供给管249i向排气配管222中的合流部(堆积风险部位)222e供给作为清洁促进气体的清洁气体。由此，所供给的清洁气体将排气配管222内的堆积风险部位222e的附着物(反应副产物等)除去。
此外，虽然这里举出为了将排气配管222中的合流部(堆积风险部位)222e的副产物等除去而供给清洁气体的例子，但是也可以如在第二实施方式中说明的那样使用清洁辅助气体。
另外，虽然这里举出作为排气配管222的清洁工序仅对合流部(堆积风险部位)222e进行清洁处理的例子，但是也可以与此并行地，例如，对从排气口221到APC阀门223之间进行清洁处理；对APC阀门223的下游侧紧邻处进行清洁处理；对前两者进行清洁处理。
根据以上说明的本实施方式，在第一实施方式、第二实施方式或第三实施方式说明的效果基础上，还具备以下所示的效果。
(h)在本实施方式中设定为，排气配管222中的堆积风险部位222e位于原料气体排气管部222c与反应气体排放管部222d合流的合流部222e。合流部222e由于原料气体与反应气体发生反应而容易附着堆积副产物等。即，在特别容易发生反应副产物堆积的部位连接有排气配管气体供给管249i。因此，能够非常有效且高效地抑制排气配管222中的反应副产物堆积。
＜其它实施方式＞
以上对本公开的实施方式具体地进行了说明，但是本公开并不限定于上述各实施方式，能够在不脱离其要点的范围内进行各种变更。
例如，在上述的第一实施方式和第二实施方式中，也可以是，在向堆积风险部位222a即从排气口221到APC阀门223之间供给清洁促进气体时，使APC阀门223完全地成为关闭状态，从而在该堆积风险部位222a封入清洁促进气体。这样使得，堆积风险部位222a的清洁气体浓度升高，从而能够非常有效地提高清洁效率。
另外，在上述各实施方式中举出如下例子，即：在基板处理工序中，作为原料气体(第一气体)使用DCS气体，作为反应气体(第二理气体)使用NH3气，交替地供给这些气体而在晶圆上形成SiN膜，但是本公开不限于此。即，成膜处理中使用的处理气体不限于DCS气体、NH3气体等，也可以使用其它种类的气体形成其它种类的薄膜。此外，也可以在使用三种以上的处理气体的情况下应用本公开。
另外，虽然在上述第二实施方式中举出如下例子，即：当在晶圆上形成氮化膜即SiN膜时，作为清洁气体使用NF3气体、F2气体等，作为清洁辅助气体使用NO气体、O2气体等，但是本公开不限于此。例如，若是在晶圆上形成氧化膜(例如SiO膜)，则可以考虑：作为清洁气体使用氟化氢(HF)，作为清洁辅助气体使用水(H2O)或酒精。此时，可以对HF和H2O进行循环供给。这是由于：当HF与H2O混合时腐蚀性会提高，因此为了避免它们混合而通过循环供给实现分离。
Claims (22)
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
处理室，其对基板进行处理；
处理室气体供给***，其向所述处理室供给处理气体、吹扫气体或清洁气体；
排气配管，其从所述处理室进行气体排放；
排气配管气体供给***，其与所述排气配管中的预定的堆积风险部位连接，并向所述堆积风险部位供给清洁促进气体；以及
控制部，其对来自所述处理室气体供给***的气体供给和来自所述排气配管气体供给***的气体供给进行控制。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为在从所述排气配管气体供给***进行气体供给时，从所述处理室气体供给***向所述处理室供给吹扫气体。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为与从所述处理室气体供给***向所述处理室的气体供给并行地，从所述排气配管气体供给***向所述堆积风险部位供给作为所述清洁促进气体的清洁气体。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
具有阀门，该阀门设置于所述排气配管，
所述阀门在从所述排气配管气体供给***供给所述清洁促进气体时成为关闭状态。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述堆积风险部位设定为，位于设置于所述排气配管的阀门的下游侧。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述堆积风险部位设定为，位于从所述处理室到设置于所述排气配管的阀门之间。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为与从所述处理室气体供给***向所述处理室的气体供给并行地，从所述排气配管气体供给***向所述堆积风险部位供给作为所述清洁促进气体的清洁气体。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
具有阀门，该阀门设置于所述排气配管，
所述阀门在从所述排气配管气体供给***供给所述清洁促进气体时成为关闭状态。
9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述堆积风险部位设定为，位于设置于所述排气配管的阀门的下游侧。
10.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述堆积风险部位设定为，位于从所述处理室到设置于所述排气配管的阀门之间。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为与从所述处理室气体供给***向所述处理室的气体供给并行地，从所述排气配管气体供给***向所述堆积风险部位供给作为所述清洁促进气体的清洁辅助气体。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
具有阀门，该阀门设置于所述排气配管，
所述阀门在从所述排气配管气体供给***供给所述清洁促进气体时成为关闭状态。
13.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
所述堆积风险部位设定为，位于设置于所述排气配管的阀门的下游侧。
14.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
所述堆积风险部位设定为，位于从所述处理室到设置于所述排气配管的阀门之间。
15.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
构成为向所述排气配管交替地供给所述清洁气体和所述清洁辅助气体。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
所述清洁气体是氟化氢气体，所述清洁辅助气体是水或酒精。
17.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
具有阀门，该阀门设置于所述排气配管，
所述阀门在从所述排气配管气体供给***供给所述清洁促进气体时成为关闭状态。
18.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述堆积风险部位设定为，位于设置于所述排气配管的阀门的下游侧。
19.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述堆积风险部位设定为，位于从所述处理室到设置于所述排气配管的阀门之间。
20.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述排气配管构成为具有：原料气体排放管部，其供作为所述处理气体之一的原料气体流通；反应气体排放管部，其供作为另一所述处理气体的反应气体流通；以及合流部，其供所述原料气体排放管部与所述反应气体排放管部合流，
所述堆积风险部位设定为位于所述合流部。
21.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
从与对基板进行处理的处理室连接的处理室气体供给***向所述处理室供给处理气体、吹扫气体或清洁气体的工序；
经由与所述处理室连接的排气配管从所述处理室进行气体排放的工序；
从与所述排气配管中的预定的堆积风险部位连接的排气配管气体供给***向所述堆积风险部位供给清洁促进气体的工序；以及
对来自所述处理室气体供给***的气体供给和来自所述排气配管气体供给***的气体供给进行控制的工序。
22.一种存储介质，其存储通过计算机使基板处理装置执行以下步骤的程序，即：
从与对基板进行处理的处理室连接的处理室气体供给***向所述处理室供给处理气体、吹扫气体或清洁气体的步骤；
经由与所述处理室连接的排气配管从所述处理室进行气体排放的步骤；
从与所述排气配管中的预定的堆积风险部位连接的排气配管气体供给***向所述堆积风险部位供给清洁促进气体的步骤；以及
对来自所述处理室气体供给***的气体供给和来自所述排气配管气体供给***的气体供给进行控制的步骤。
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