CN113067466B - 一种电压源电路及电源管理芯片 - Google Patents
一种电压源电路及电源管理芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113067466B CN113067466B CN202110545476.3A CN202110545476A CN113067466B CN 113067466 B CN113067466 B CN 113067466B CN 202110545476 A CN202110545476 A CN 202110545476A CN 113067466 B CN113067466 B CN 113067466B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- triode
- resistor
- pole
- operational amplifier
- electrically connected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/14—Arrangements for reducing ripples from dc input or output
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种电压源电路及电源管理芯片，电压源电路包括：第一级低噪声电压模块、第二级升压滤波模块、第三级稳压滤波模块和第四级滤波驱动模块；第一级低噪声电压模块包括第一运放单元和第一晶体管单元；第二级升压滤波模块包括第二运放单元和第二晶体管单元；第三级稳压滤波模块包括第一电阻和第三晶体管单元，第一电阻的第一端作为第三级稳压滤波模块的输入端；第四级稳压滤波模块包括第二电阻和第四晶体管单元，第四晶体管单元的输出端作为电压源电路的输出端，输出超低噪声电压。本发明实施例公开了一种电压源电路及电源管理芯片，能够实现电压源电路输出超低噪声电压的目的。
Description
技术领域
本发明实施例涉及电压源技术，尤其涉及一种电压源电路及电源管理芯片。
背景技术
高频超低噪声晶体振荡器在军用雷达等重要军事设施由非常重要的应用，其相位噪声指标的优略直接决定了雷达的性能指标。国内晶体振荡器在噪声最优指标方面与国外还存在差距，对于向高频超低噪声晶体振荡器传输电压的电压源电路，需保证其输出的电压噪声较低。
目前，现有的电压源电路，其输出的电压噪声较高，在向高频超低噪声晶体振荡器传输电压时，由于电压噪声较高，即传输至晶体振荡器的电压噪声较高，影响晶体振荡器的工作性能，无法输出超低噪声电压。
发明内容
本发明实施例提供一种电压源电路及电源管理芯片，以实现电压源电路输出超低噪声电压的目的。
第一方面，本发明实施例提供了一种电压源电路，包括：第一级低噪声电压模块、第二级升压滤波模块、第三级稳压滤波模块和第四级滤波驱动模块；
第一级低噪声电压模块包括第一运放单元和第一晶体管单元，第一运放单元的第一输入端和第二输入端以及第一晶体管单元的第一输入端均接入直流电压，第一运放单元的输出端与第一晶体管单元的第二输入端电连接，第一晶体管单元的输出端与第二级升压滤波模块的输入端电连接；
第二级升压滤波模块包括第二运放单元和第二晶体管单元，第二运放单元的输入端作为第二级升压滤波模块的输入端，第二运放单元的第一输出端与第二晶体管单元的第一输入端电连接，第二运放单元的第二输出端与第二晶体管单元的输出端电连接，第二晶体管单元的第二输入端接入直流电源，第二晶体管单元的输出端与第三级稳压滤波模块的输入端电连接；
第三级稳压滤波模块包括第一电阻和第三晶体管单元，第一电阻的第一端作为第三级稳压滤波模块的输入端，第一电阻的第一端与第三晶体管单元的第一端电连接，第一电阻的第二端与第三晶体管单元的第二端电连接，第一电阻的第二端与第四级稳压滤波模块的输入端电连接；
第四级稳压滤波模块包括第二电阻和第四晶体管单元，第四晶体管单元的第一输入端作为第四级稳压滤波模块的输入端，第四晶体管单元的第一输入端通过第二电阻与第四晶体管单元的第二输入端电连接，第四晶体管单元的输出端作为电压源电路的输出端，输出超低噪声电压。
可选的，第一运放单元包括第一运算放大器、第三电阻、第一MOS管、第二MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管；
第一MOS管的第一极作为第一运放单元的第一输入端，第一MOS管的栅极与第一运算放大器的输出端电连接，第一MOS管的第二极与第一三极管的第一极电连接，第一三极管的第一极与第一三极管的基极电连接，第一三极管的第二极与第二三极管的第一极电连接，第二三极管的第一极与第二三极管的基极电连接，第二三极管的第二极接地，第二三极管的第一极与第一运算放大器的反向输入端电连接；
第二MOS管的第一极作为第一运放单元的第二输入端，第二MOS管的栅极与第一运算放大器的输出端电连接，第二MOS管的第二极与第三三极管的第一极电连接，第三三极管的第一极与第三三极管的基极电连接，第三三极管的第二极通过第三电阻与第四三极管的第一极电连接，第四三极管的第一极与第四三极管的基极电连接，第四三极管的第二极接地，第一运算放大器的输出端作为第一运放单元的输出端。
可选的，第一晶体管单元包括第三MOS管、第五三极管、第六三极管和第四电阻；第三MOS管的第一极作为第一晶体管单元的第一输入端，第三MOS管的栅极作为第一晶体管单元的第二输入端，第三MOS管的第二极与第五三极管的第一极电连接，第五三极管的第一极与第五三极管的基极电连接，第五三极管的第二极通过第四电阻与第六三极管的第一极电连接，第六三极管的第一极与第六三极管的基极电连接，第六三极管的第二极接地，第五三极管的第二极作为第一晶体管单元的输出端。
可选的，第二运放单元包括第二运算放大器、第一电容、第五电阻、第六电阻和第七电阻；第五电阻的第一端作为第二运放单元的输入端，第五电阻的第二端与第二运算放大器的正向输入端电连接，第二运算放大器的反向输入端通过第六电阻接地，第二运算放大器的输出端通过第一电容与第二运算放大器的反向输入端电连接，第七电阻的第一端与第二运算放大器的反向输入端电连接，第二运算放大器的输出端作为第二运放单元的第一输出端，第七电阻的第二端作为第二运放单元的第二输出端。
可选的，第二晶体管单元包括第七三极管和第二电容，第七三极管的基极作为第二晶体管单元的第一输入端，第七三极管的第一极作为第二晶体管单元的第二输入端，第七三极管的第二极通过第二电容接地，第七三极管的第二极作为第二晶体管单元的输出端。
可选的，第三晶体管单元包括第八三极管、第三电容、第四电容、第八电阻、第九电阻、第十电阻和第十一电阻；第三电容的第一端作为第三晶体管单元的第一端，第八电阻的第一端作为第三晶体管单元的第二端，第三电容的第二端与八三极管的基极电连接，第八电阻的第二端与第八三极管的第一极电连接，第八电阻的第一端通过第四电容接地，第八三极管的基极通过第九电阻与第八三极管的第一极电连接，第八三极管的基极通过第十电阻接地，第八三极管的第二极通过第十一电阻接地。
可选的，第一电阻、第八电阻、第九电阻和第十电阻均为可调电阻。
可选的，第四晶体管单元包括第九三极管、第五电容和第六电容，第九三极管的第一极作为第四晶体管单元的第一输入端，第九三极管的基极作为第四晶体管单元的第二输入端，第九三极管的基极通过第五电容接地，第九三极管的第一极通过第六电容接地。
可选的，第一运放单元的第一输入端和第二输入端、第一晶体管单元的第一输入端以及第二晶体管单元的第二输入端均作为电压源电路的输入端，接入同一直流电压。
第二方面，本发明实施例还提供了一种电源管理芯片，其特征在于，包括如第一方面所述的电压源电路，电压源电路集成在电源管理芯片
本发明实施例提供的电压源电路及电源管理芯片，包括第一级低噪声电压模块、第二级升压滤波模块、第三级稳压滤波模块和第四级滤波驱动模块；第一级低噪声电压模块包括第一运放单元和第一晶体管单元，第二级升压滤波模块包括第二运放单元和第二晶体管单元，第三级稳压滤波模块包括第一电阻和第三晶体管单元，第四级稳压滤波模块包括第二电阻和第四晶体管单元。本发明实施例提供的电压源电路及电源管理芯片，通过第一级低噪声电压模块输出超低噪声参考电压，并通过第二级升压滤波模块对输入的超低噪声参考电压进行升压和滤波，由第三级稳压滤波模块和第四级滤波驱动模块进一步对直流电压进行滤波，从而通过四级模块可对电压源电路输入的直流电压进行较大程度地降噪处理，大大降低直流电压中的交流噪声，实现电压源电路输出超低噪声电压的目的。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种电压源电路的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种第一级低噪声电压模块的电路结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种第二级升压滤波模块的电路结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种第三级稳压滤波模块的电路结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种第四级滤波驱动模块的电路结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种电压源电路的电路结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明实施例提供的一种电压源电路的结构示意图，本实施例可适用于向晶体振荡器提供超低噪声电压源等方面，该电压源电路包括：第一级低噪声电压模块10、第二级升压滤波模块20、第三级稳压滤波模块30和第四级滤波驱动模块40。
其中，第一级低噪声电压模块10包括第一运放单元11和第一晶体管单元12，第一运放单元11的第一输入端和第二输入端以及第一晶体管单元12的第一输入端均接入直流电压Vdd，第一运放单元11的输出端与第一晶体管单元12的第二输入端电连接，第一晶体管单元12的输出端与第二级升压滤波模块20的输入端电连接。第二级升压滤波模块20包括第二运放单元21和第二晶体管单元22，第二运放单元21的输入端作为第二级升压滤波模块20的输入端，第二运放单元21的第一输出端与第二晶体管单元22的第一输入端电连接，第二运放单元21的第二输出端与第二晶体管单元22的输出端电连接，第二晶体管单元21的第二输入端接入直流电源，第二晶体管单元22的输出端与第三级稳压滤波模块30的输入端电连接。第三级稳压滤波模块30包括第一电阻R1和第三晶体管单元31，第一电阻R1的第一端作为第三级稳压滤波模块30的输入端，第一电阻R1的第一端与第三晶体管单元31的第一端电连接，第一电阻R1的第二端与第三晶体管单元31的第二端电连接，第一电阻R1的第二端与第四级稳压滤波模块40的输入端电连接。第四级稳压滤波模块40包括第二电阻R2和第四晶体管单元41，第四晶体管单元41的第一输入端作为第四级稳压滤波模块40的输入端，第四晶体管单元41的第一输入端通过第二电阻R2与第四晶体管单元41的第二输入端电连接，第四晶体管单元41的输出端作为电压源电路的输出端Vout，输出超低噪声电压。
具体的，当第一运放单元11的第一输入端和第二输入端、第一晶体管单元12的第一输入端均接入直流电压Vdd时，第一级低噪声电压模块10开始工作。第一级低噪声电压模块10可以是超低噪声带隙基准电压模块。第一运放单元11可包括运算放大器和多个三极管，第一运放单元11可对输入的电压进行降噪处理，向第一晶体管单元12传输低噪声电压，第一晶体管单元12输出的电压与第一运放单元的参数如第一运放单元11中三极管的发射极电流，以及第一晶体管单元12的参数如第一晶体管单元12中三极管的VBE以及热电压有关，具体的可参考现有的超低噪声带隙基准电压电路，在此不再赘述。第一晶体管单元12可根据第一运放单元11输出的电压，输出超低噪声参考电压。第二级升压滤波模块20中的第二运放单元21可对输入的超低噪声参考电压进行升压和滤波，抑制噪声，避免噪声被放大，第二晶体管单元22对升压和滤波后的电压进行降噪处理，以进一步降低直流电压中的噪声。第三级稳压滤波模块30的输入端输入的电压在经过第一电阻R1输出时，通过调节第三晶体管单元31的参数，能够较大程度地抑制第一电阻R1的第二端输出的电压中的交流噪声。第四晶体管单元41的第一输入端输入的电压可能仍带有噪声，该噪声可被第二电阻R2以及第四晶体管单元41阻隔，在第四晶体管单元41的输出端即电压源电路的输出端Vout输出的电压则为超低噪声电压，从而实现了电压源电路输出超低噪声电压的目的。
本实施例提供的电压源电路，包括第一级低噪声电压模块、第二级升压滤波模块、第三级稳压滤波模块和第四级滤波驱动模块；第一级低噪声电压模块包括第一运放单元和第一晶体管单元，第二级升压滤波模块包括第二运放单元和第二晶体管单元，第三级稳压滤波模块包括第一电阻和第三晶体管单元，第四级稳压滤波模块包括第二电阻和第四晶体管单元。本实施例提供的电压源电路，通过第一级低噪声电压模块输出超低噪声参考电压，并通过第二级升压滤波模块对输入的超低噪声参考电压进行升压和滤波，由第三级稳压滤波模块和第四级滤波驱动模块进一步对直流电压进行滤波，从而通过四级模块可对电压源电路输入的直流电压进行较大程度地降噪处理，大大降低直流电压中的交流噪声，实现电压源电路输出超低噪声电压的目的。
图2是本发明实施例提供的一种第一级低噪声电压模块的电路结构示意图，参考图2，可选的，第一运放单元11包括第一运算放大器A1、第三电阻R3、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3和第四三极管Q4。
其中，第一MOS管M1的第一极作为第一运放单元11的第一输入端，第一MOS管M1的栅极与第一运算放大器A1的输出端电连接，第一MOS管M1的第二极与第一三极管Q1的第一极电连接，第一三极管Q1的第一极与第一三极管Q1的基极电连接，第一三极管Q1的第二极与第二三极管Q2的第一极电连接，第二三极管Q2的第一极与第二三极管Q2的基极电连接，第二三极管Q2的第二极接地，第二三极管Q2的第一极与第一运算放大器A1的反向输入端电连接。第二MOS管M2的第一极作为第一运放单元的第二输入端，第二MOS管M2的栅极与第一运算放大器A1的输出端电连接，第二MOS管M2的第二极与第三三极管Q3的第一极电连接，第三三极管Q3的第一极与第三三极管Q3的基极电连接，第三三极管Q3的第二极通过第三电阻R3与第四三极管Q4的第一极电连接，第四三极管Q4的第一极与第四三极管Q4的基极电连接，第四三极管Q4的第二极接地，第一运算放大器A1的输出端作为第一运放单元11的输出端。
具体的，第一MOS管M1的第一极输入的直流电压通过第一MOS管M1传输至第一三极管Q1，第二MOS管M2的第一极输入的直流电压通过第二MOS管M2传输至第三三极管Q3。第一运算放大器A1与四个三极管连接，第一三极管Q1的发射极和第二三极管Q2的发射极均与第一运算放大器A1的反向输入端电连接，第三三极管Q3的发射极与第一运算放大器A1的正向输入端电连接，第四三极管Q4的发射极通过第三电阻R3与第一运算放大器A1的正向输入端电连接，这种连接方式可消除直流电压中的低阶噪声，通过第一运算放大器A1使第一晶体管单元12输出超低噪声参考电压。
继续参考图2，可选的，第一晶体管单元12包括第三MOS管M3、第五三极管Q5、第六三极管Q6和第四电阻R4；第三MOS管M3的第一极作为第一晶体管单元12的第一输入端，第三MOS管M3的栅极作为第一晶体管单元12的第二输入端，第三MOS管M3的第二极与第五三极管Q5的第一极电连接，第五三极管Q5的第一极与第五三极管Q5的基极电连接，第五三极管Q5的第二极通过第四电阻R4与第六三极管Q6的第一极电连接，第六三极管Q6的第一极与第六三极管Q6的基极电连接，第六三极管Q6的第二极接地，第五三极管Q5的第二极作为第一晶体管单元12的输出端。
具体的，第三MOS管M3的第一极输入直流电压，第一运算放大器A1输出的电压传输至第三MOS管M3的栅极，在第五三极管Q5的发射极输出的直流电压与第三电阻R3和第四电阻R4的电阻比值、第六三极管Q6的基极和发射极电压差VBE，以及第三三极管Q3的发射极电流和第二三极管Q2的发射极电流之比有关。通过上述如图2所示的第一运放单元11的电路，使第六三极管Q6的基极和发射极产生电压差VBE，通过VBE的负温度系数和热电压的正温度系数相互抵消可形成与温度无关的基准电压源，可以消除低阶噪声，第五三极管Q5的发射极输出的直流电压即第一晶体管单元12输出的电压为超低噪声参考电压。
图3是本发明实施例提供的一种第二级升压滤波模块的电路结构示意图，参考图3，可选的，第二运放单元21包括第二运算放大器A2、第一电容C1、第五电阻R5、第六电阻R6和第七电阻R7。
其中，第五电阻R5的第一端作为第二运放单元21的输入端Vin1，第五电阻R5的第二端与第二运算放大器A2的正向输入端电连接，第二运算放大器A2的反向输入端通过第六电阻R6接地，第二运算放大器A2的输出端通过第一电容C1与第二运算放大器A2的反向输入端电连接，第七电阻R7的第一端与第二运算放大器A2的反向输入端电连接，第二运算放大器A2的输出端作为第二运放单元21的第一输出端，第七电阻R7的第二端作为第二运放单元21的第二输出端。
具体的，第一级低噪声电压模块输出的电压，即第一晶体管单元12输出的超低噪声参考电压，通过第一晶体管单元12的输出端传输至第二运放单元21的输入端Vin1即第五电阻R5的第一端，并由第五电阻R5的第二端传输至第二运算放大器A2的正向输入端。第二运算放大器A2可将输入的参考电压升压至需要的合适电压，即第二运算放大器A2的输出端输出的电压为参考电压升压后的电压，第二运算放大器A2的输出端输出的电压通过第一电容C1反馈至第二运算放大器A2的反向输出端。第一电容C1可根据实际需要选择合适的电容值，合适的电容值对需要的频率范围噪声信号做深度负反馈，抑制电压中的噪声，避免噪声被放大。
继续参考图3，可选的，第二晶体管单元22包括第七三极管Q7和第二电容C2，第七三极管Q7的基极作为第二晶体管单元22的第一输入端，第七三极管Q7的第一极作为第二晶体管单元22的第二输入端，第七三极管Q7的第二极通过第二电容C2接地，第七三极管Q7的第二极作为第二晶体管单元22的输出端Vout2。
具体的，第二运算放大器A2的输出端输出的电压通过第一电容C1抑制噪声后，传输至第七三极管Q7的基极。第一运放单元11的第一输入端和第二输入端、第一晶体管单元12的第一输入端以及第二晶体管单元22的第二输入端均为电压源电路的输入端，接入同一直流电压Vdd。由于第七三极管Q7的第一极作为第二晶体管单元22的第二输入端，因此第七三极管Q7的第一极输入的电压为直流电压，则第七三极管Q7为受控电压源，使第七三极管Q7具有加大驱动电流，减少噪声作用，从而通过第七三极管Q7的第二极输出的电压中的噪声进一步减少。
图4是本发明实施例提供的一种第三级稳压滤波模块的电路结构示意图，参考图4，可选的，第三晶体管单元31包括第八三极管Q8、第三电容C3、第四电容C4、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10和第十一电阻R11。
其中，第三电容C3的第一端作为第三晶体管单元31的第一端，第八电阻R8的第一端作为第三晶体管单元31的第二端，第三电容C3的第二端与第八三极管Q8的基极电连接，第八电阻R8的第二端与第八三极管Q8的第一极电连接，第八电阻R8的第一端通过第四电容C4接地，第八三极管Q8的基极通过第九电阻R9与第八三极管Q8的第一极电连接，第八三极管Q8的基极通过第十电阻R10接地，第八三极管Q8的第二极通过第十一电阻R11接地。
具体的，第一电阻R1、第八电阻R8、第九电阻R9和第十电阻R10均为可调电阻。第一电阻R1的第一端作为第三级稳压滤波模块的输入端Vin2，第一电阻R1的第二端作为第三级稳压滤波模块的输出端Vout3。在实际电路中，第一电阻R1的第一端输入的直流电压不可避免有交流噪声成分，通过调节第八三极管Q8放大电路偏置电路，可使第八三极管Q8的集电极电流在第一电阻R1的第二端产生相对于第一电阻R1的第一端的180°反向位变化，通过调整第一电阻R1的第二端附近的可调电阻，可将第一电阻R1的第一端的交流噪声谱线抑制一百倍以上，从而通过第三级稳压滤波模块使电压源电路中的电压进一步降噪。
图5是本发明实施例提供的一种第四级滤波驱动模块的电路结构示意图参考图5，可选的，第四晶体管单元41包括第九三极管Q9、第五电容C5和第六电容C6，第九三极管Q9的第一极作为第四晶体管单元41的第一输入端，第九三极管Q9的基极作为第四晶体管单元41的第二输入端，第九三极管Q9的基极通过第五电容C5接地，第九三极管Q9的第一极通过第六电容C6接地。
具体的，第九三极管Q9的第一极输入的直流电压仍不可避免的带有噪声，该噪声被第二电阻R2隔离，隔离程度由第二电阻R2的电阻值确定，第五电容C5和第六电容C6可对第四晶体管单元41输入的直流电压进一步滤波，可使第九三极管Q9的发射极输出超低噪声电压，并且第九三极管Q9的发射极输出的电压为受控电压，具有较大的电流驱动能力。
图6是本发明实施例提供的一种电压源电路的电路结构示意图，图6所示的电压源电路，即为图2至图5所示的各部分电路组合得到的一种电压源电路，该电压源电路的工作过程在上述各部分电路中已具体说明，在此不再赘述。
本发明实施例还提供了一种电源管理芯片，包括本发明任意实施例所述的电压源电路，电压源电路集成在电源管理芯片。本发明实施例所提供的电源管理芯片，包括本发明上述任意实施例所提供的电压源电路，因而具有电压源电路相应的结构及有益效果，这里不再赘述。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (6)
1.一种电压源电路，其特征在于，包括：第一级低噪声电压模块、第二级升压滤波模块、第三级稳压滤波模块和第四级滤波驱动模块；
所述第一级低噪声电压模块包括第一运放单元和第一晶体管单元，所述第一运放单元的第一输入端和第二输入端以及所述第一晶体管单元的第一输入端均接入直流电压，所述第一运放单元的输出端与所述第一晶体管单元的第二输入端电连接，所述第一晶体管单元的输出端与所述第二级升压滤波模块的输入端电连接；
所述第二级升压滤波模块包括第二运放单元和第二晶体管单元，所述第二运放单元的输入端作为所述第二级升压滤波模块的输入端，所述第二运放单元的第一输出端与所述第二晶体管单元的第一输入端电连接，所述第二运放单元的第二输出端与所述第二晶体管单元的输出端电连接，所述第二晶体管单元的第二输入端接入直流电压，所述第二晶体管单元的输出端与所述第三级稳压滤波模块的输入端电连接；
所述第三级稳压滤波模块包括第一电阻和第三晶体管单元，所述第一电阻的第一端作为所述第三级稳压滤波模块的输入端，所述第一电阻的第一端与所述第三晶体管单元的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述第三晶体管单元的第二端电连接，所述第一电阻的第二端与所述第四级滤波驱动模块的输入端电连接；
所述第四级滤波驱动模块包括第二电阻和第四晶体管单元，所述第四晶体管单元的第一输入端作为所述第四级滤波驱动模块的输入端，所述第四晶体管单元的第一输入端通过所述第二电阻与所述第四晶体管单元的第二输入端电连接，所述第四晶体管单元的输出端作为所述电压源电路的输出端，输出超低噪声电压；
其中，所述第二运放单元包括第二运算放大器、第一电容、第五电阻、第六电阻和第七电阻；所述第五电阻的第一端作为所述第二运放单元的输入端，所述第五电阻的第二端与所述第二运算放大器的正向输入端电连接，所述第二运算放大器的反向输入端通过所述第六电阻接地，所述第二运算放大器的输出端通过所述第一电容与所述第二运算放大器的反向输入端电连接，所述第七电阻的第一端与所述第二运算放大器的反向输入端电连接，所述第二运算放大器的输出端作为所述第二运放单元的第一输出端，所述第七电阻的第二端作为所述第二运放单元的第二输出端；
其中，所述第二晶体管单元包括第七三极管和第二电容，所述第七三极管的基极作为所述第二晶体管单元的第一输入端，所述第七三极管的第一极作为所述第二晶体管单元的第二输入端，所述第七三极管的第二极通过所述第二电容接地，所述第七三极管的第二极作为所述第二晶体管单元的输出端；
其中，所述第三晶体管单元包括第八三极管、第三电容、第四电容、第八电阻、第九电阻、第十电阻和第十一电阻；所述第三电容的第一端作为所述第三晶体管单元的第一端，所述第八电阻的第一端作为所述第三晶体管单元的第二端，所述第三电容的第二端与所述第八三极管的基极电连接，所述第八电阻的第二端与所述第八三极管的第一极电连接，所述第八电阻的第一端通过所述第四电容接地，所述第八三极管的基极通过所述第九电阻与所述第八三极管的第一极电连接，所述第八三极管的基极通过所述第十电阻接地，所述第八三极管的第二极通过所述第十一电阻接地；
其中，所述第四晶体管单元包括第九三极管、第五电容和第六电容，所述第九三极管的第一极作为所述第四晶体管单元的第一输入端，所述第九三极管的基极作为所述第四晶体管单元的第二输入端，所述第九三极管的基极通过所述第五电容接地，所述第九三极管的第一极通过所述第六电容接地；
其中，第九三极管的第二极作为第四晶体管单元的输出端。
2.根据权利要求1所述的电压源电路，其特征在于，所述第一运放单元包括第一运算放大器、第三电阻、第一MOS管、第二MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管；
所述第一MOS管的第一极作为所述第一运放单元的第一输入端，所述第一MOS管的栅极与所述第一运算放大器的输出端电连接，所述第一MOS管的第二极与所述第一三极管的第一极电连接，所述第一三极管的第一极与所述第一三极管的基极电连接，所述第一三极管的第二极与所述第二三极管的第一极电连接，所述第二三极管的第二极与所述第二三极管的基极电连接，所述第二三极管的第二极接地，所述第二三极管的第一极与所述第一运算放大器的反向输入端电连接；
所述第二MOS管的第一极作为所述第一运放单元的第二输入端，所述第二MOS管的栅极与所述第一运算放大器的输出端电连接，所述第二MOS管的第二极与所述第三三极管的第一极电连接，所述第三三极管的第一极与所述第三三极管的基极电连接，所述第三三极管的第二极通过所述第三电阻与所述第四三极管的第一极电连接，所述第四三极管的第二极与所述第四三极管的基极电连接，所述第四三极管的第二极接地，所述第一运算放大器的输出端作为所述第一运放单元的输出端；
所述第三三极 管的第二极与所述第一运算放大器的正向输入端电连接。
3.根据权利要求1所述的电压源电路，其特征在于，所述第一晶体管单元包括第三MOS管、第五三极管、第六三极管和第四电阻；所述第三MOS管的第一极作为所述第一晶体管单元的第一输入端，所述第三MOS管的栅极作为所述第一晶体管单元的第二输入端，所述第三MOS管的第二极与所述第五三极管的第一极电连接，所述第五三极管的第一极与所述第五三极管的基极电连接，所述第五三极管的第二极通过所述第四电阻与所述第六三极管的第一极电连接，所述第六三极管的第二极与所述第六三极管的基极电连接，所述第六三极管的第二极接地，所述第五三极管的第二极作为所述第一晶体管单元的输出端。
4.根据权利要求1所述的电压源电路，其特征在于，所述第一电阻、所述第八电阻、所述第九电阻和所述第十电阻均为可调电阻。
5.根据权利要求1所述的电压源电路，其特征在于，所述第一运放单元的第一输入端和第二输入端、所述第一晶体管单元的第一输入端以及所述第二晶体管单元的第二输入端均作为所述电压源电路的输入端，接入同一直流电压。
6.一种电源管理芯片，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的电压源电路，所述电压源电路集成在所述电源管理芯片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110545476.3A CN113067466B (zh) | 2021-05-19 | 2021-05-19 | 一种电压源电路及电源管理芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110545476.3A CN113067466B (zh) | 2021-05-19 | 2021-05-19 | 一种电压源电路及电源管理芯片 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113067466A CN113067466A (zh) | 2021-07-02 |
| CN113067466B true CN113067466B (zh) | 2022-06-24 |
Family
ID=76568706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110545476.3A Active CN113067466B (zh) | 2021-05-19 | 2021-05-19 | 一种电压源电路及电源管理芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113067466B (zh) |
Citations (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101393466A (zh) * | 2008-10-30 | 2009-03-25 | 上海交通大学 | 射频接收器芯片内全集成低噪声电源*** |
| CN102681584A (zh) * | 2012-05-30 | 2012-09-19 | 昆山锐芯微电子有限公司 | 低噪声带隙基准电路和基准源产生*** |
| US8289009B1 (en) * | 2009-11-09 | 2012-10-16 | Texas Instruments Incorporated | Low dropout (LDO) regulator with ultra-low quiescent current |
| CN102739160A (zh) * | 2012-07-04 | 2012-10-17 | 上海鸿晔电子科技有限公司 | 高频点低相噪的恒温晶体振荡电路 |
| US8692529B1 (en) * | 2011-09-19 | 2014-04-08 | Exelis, Inc. | Low noise, low dropout voltage regulator |
| CN103809638A (zh) * | 2012-11-14 | 2014-05-21 | 安凯(广州)微电子技术有限公司 | 一种高电源抑制比和低噪声的低压差线性稳压器 |
| CN103941792A (zh) * | 2013-01-21 | 2014-07-23 | 西安电子科技大学 | 带隙电压基准电路 |
| CN204615650U (zh) * | 2015-05-14 | 2015-09-02 | 银贝壳(唐山)科技有限公司 | 一种话费支付装置的供电电路 |
| CN105353817A (zh) * | 2015-11-03 | 2016-02-24 | 南京天易合芯电子有限公司 | 一种适用于高精度adc的低噪声基准电路 |
| CN106444949A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-02-22 | 电子科技大学 | 一种低噪声，快速启动的低压差线性稳压器 |
| CN106502301A (zh) * | 2016-12-12 | 2017-03-15 | 湖南国科微电子股份有限公司 | 带隙基准和低压差线性稳压器的兼容电路 |
| CN107066009A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-08-18 | 西安启达电子科技有限公司 | 一种低噪声带隙基准源和降低带隙基准源输出噪声的方法 |
| CN107168442A (zh) * | 2017-06-21 | 2017-09-15 | 西安电子科技大学 | 带隙基准电压源电路 |
| CN108874010A (zh) * | 2018-09-06 | 2018-11-23 | 深圳市中微半导体有限公司 | 一种强抗干扰ldo模块及抗干扰触摸检测电路 |
| CN208171465U (zh) * | 2018-03-14 | 2018-11-30 | 黄河科技学院 | 一种智能测控*** |
| CN108958348A (zh) * | 2018-08-13 | 2018-12-07 | 电子科技大学 | 一种高电源抑制比的带隙基准源 |
| CN209037515U (zh) * | 2018-11-19 | 2019-06-28 | 陆存中 | 汽车轮毂温度智能控制器 |
| CN110011536A (zh) * | 2019-05-06 | 2019-07-12 | 核芯互联(北京)科技有限公司 | 一种新型电源电路 |
| CN209184567U (zh) * | 2019-01-24 | 2019-07-30 | 黄河科技学院 | 一种仿人智能控制*** |
| CN110928350A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-03-27 | 国网山东省电力公司济南供电公司 | 一种具有宽输入电压的供电电源 |
| CN211991308U (zh) * | 2020-04-26 | 2020-11-24 | 利科机电设备(深圳)有限公司 | 一种断丝报警***及线切割机床 |
| CN112234966A (zh) * | 2020-11-03 | 2021-01-15 | 深圳佑驾创新科技有限公司 | 复位电路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108762359B (zh) * | 2017-12-29 | 2019-11-01 | 北京智芯微电子科技有限公司 | 高电源抑制比的超低功耗电源结构 |
-
2021
- 2021-05-19 CN CN202110545476.3A patent/CN113067466B/zh active Active
Patent Citations (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101393466A (zh) * | 2008-10-30 | 2009-03-25 | 上海交通大学 | 射频接收器芯片内全集成低噪声电源*** |
| US8289009B1 (en) * | 2009-11-09 | 2012-10-16 | Texas Instruments Incorporated | Low dropout (LDO) regulator with ultra-low quiescent current |
| US8692529B1 (en) * | 2011-09-19 | 2014-04-08 | Exelis, Inc. | Low noise, low dropout voltage regulator |
| CN102681584A (zh) * | 2012-05-30 | 2012-09-19 | 昆山锐芯微电子有限公司 | 低噪声带隙基准电路和基准源产生*** |
| CN102739160A (zh) * | 2012-07-04 | 2012-10-17 | 上海鸿晔电子科技有限公司 | 高频点低相噪的恒温晶体振荡电路 |
| CN103809638A (zh) * | 2012-11-14 | 2014-05-21 | 安凯(广州)微电子技术有限公司 | 一种高电源抑制比和低噪声的低压差线性稳压器 |
| CN103941792A (zh) * | 2013-01-21 | 2014-07-23 | 西安电子科技大学 | 带隙电压基准电路 |
| CN204615650U (zh) * | 2015-05-14 | 2015-09-02 | 银贝壳(唐山)科技有限公司 | 一种话费支付装置的供电电路 |
| CN105353817A (zh) * | 2015-11-03 | 2016-02-24 | 南京天易合芯电子有限公司 | 一种适用于高精度adc的低噪声基准电路 |
| CN106502301A (zh) * | 2016-12-12 | 2017-03-15 | 湖南国科微电子股份有限公司 | 带隙基准和低压差线性稳压器的兼容电路 |
| CN106444949A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-02-22 | 电子科技大学 | 一种低噪声，快速启动的低压差线性稳压器 |
| CN107066009A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-08-18 | 西安启达电子科技有限公司 | 一种低噪声带隙基准源和降低带隙基准源输出噪声的方法 |
| CN107168442A (zh) * | 2017-06-21 | 2017-09-15 | 西安电子科技大学 | 带隙基准电压源电路 |
| CN208171465U (zh) * | 2018-03-14 | 2018-11-30 | 黄河科技学院 | 一种智能测控*** |
| CN108958348A (zh) * | 2018-08-13 | 2018-12-07 | 电子科技大学 | 一种高电源抑制比的带隙基准源 |
| CN108874010A (zh) * | 2018-09-06 | 2018-11-23 | 深圳市中微半导体有限公司 | 一种强抗干扰ldo模块及抗干扰触摸检测电路 |
| CN209037515U (zh) * | 2018-11-19 | 2019-06-28 | 陆存中 | 汽车轮毂温度智能控制器 |
| CN209184567U (zh) * | 2019-01-24 | 2019-07-30 | 黄河科技学院 | 一种仿人智能控制*** |
| CN110011536A (zh) * | 2019-05-06 | 2019-07-12 | 核芯互联(北京)科技有限公司 | 一种新型电源电路 |
| CN110928350A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-03-27 | 国网山东省电力公司济南供电公司 | 一种具有宽输入电压的供电电源 |
| CN211991308U (zh) * | 2020-04-26 | 2020-11-24 | 利科机电设备(深圳)有限公司 | 一种断丝报警***及线切割机床 |
| CN112234966A (zh) * | 2020-11-03 | 2021-01-15 | 深圳佑驾创新科技有限公司 | 复位电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113067466A (zh) | 2021-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8983090B2 (en) | MEMS microphone using noise filter | |
| US7271663B2 (en) | Operational amplifier output stage and method | |
| CN101997495B (zh) | 用以适应性地偏置通信***的可适性偏置电路 | |
| CN101105696A (zh) | 一种用于线性稳压器的电压缓冲电路 | |
| CN110808714B (zh) | 一种实现多频段切换和抗饱和的射频功率放大器 | |
| CN106549639B (zh) | 一种增益自适应误差放大器 | |
| KR101828134B1 (ko) | 최적화된 고조파 억압 특성을 갖는 주파수 2체배기 | |
| US20230083079A1 (en) | Relaxation oscillator, integrated circuit and electronic apparatus | |
| CN114024510A (zh) | 一种基于GaAs HBT工艺的功率放大器偏置电路 | |
| CN113067466B (zh) | 一种电压源电路及电源管理芯片 | |
| TWI535196B (zh) | 放大器及其操作方法 | |
| CN111193477B (zh) | 一种复合放大器 | |
| JP4814133B2 (ja) | 高周波増幅器 | |
| JP2006509458A (ja) | 拡張ウィルソン電流ミラー自己バイアス昇圧回路を有する増幅回路 | |
| CN108445959B (zh) | 一种可选接片外电容的低压差线性稳压器 | |
| TWI661670B (zh) | 線性放大器 | |
| KR100864898B1 (ko) | Ｃｍｏｓ 가변 이득 증폭기 | |
| CN110808718A (zh) | 一种高稳定性的射频功率放大器 | |
| US9742368B2 (en) | Driver | |
| CN113641206A (zh) | 配置滤波功能的集成电路 | |
| CN111865243A (zh) | 一种适用于生物医学信号采集模拟前端的可变增益放大器 | |
| US10061333B1 (en) | Radio frequency voltage-to-current converting circuit and method | |
| CN117294142B (zh) | 电压转换电路 | |
| CN112311334A (zh) | 一种用于5g通讯中的功率放大器 | |
| CN114077272B (zh) | 一种射频功率整流器电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |