CN113035079A - 微型发光二极管显示器以及其控制器 - Google Patents

微型发光二极管显示器以及其控制器 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种微型发光二极管显示器以及其控制器被提出。微型发光二极管显示器包括电路基板、多个微型发光二极管装置以及控制器。微型发光二极管装置设置在电路基板的第一表面上。微型发光二极管装置分别具有多个像素阵列。控制器由电路基板所承载，用以传送多个控制信号以分别控制微型发光二极管装置的像素阵列的显示状态。

Description

微型发光二极管显示器以及其控制器
技术领域
本发明涉及一种微型发光二极管显示器以及其控制器，尤其涉及一种可提高分辨率以及显示质量的微型发光二极管显示器以及其控制器。
背景技术
随着电子科技的进步，在电子产品中设置高质量的显示接口，以成为一种重要的趋势。在发光二极管的微型化技术成功被发展后，以微型发光二极管来进行设计的显示器成为一种主流。在已知的技术领域中，常在微型发光二极管显示器中设置多个微型发光二极管显示设备，并对应微型发光二极管显示设备设置多个控制器，以使多个控制器可分别对应多个微型发光二极管显示设备执行一对一的控制动作。
然而，这样的设置方式会使得多个微型发光二极管显示设备在布局上，彼此间需要一定的间隔距离。如此一来，微型发光二极管显示器的分辨率会受到限制而无法有效被提升。
发明内容
本发明是针对一种微型发光二极管显示器以及其控制器，可提高布局密度并提升显示质量。
根据本发明的实施例，微型发光二极管显示器包括第一电路基板、多个第一微型发光二极管装置以及第一控制器。第一微型发光二极管装置设置在第一电路基板的第一表面上，第一微型发光二极管装置分别具有多个第一像素阵列。第一控制器由第一电路基板所承载，用以传送多个第一控制信号以分别控制第一微型发光二极管装置之第一像素阵列的显示状态
根据本发明的实施例，控制器用以驱动微型发光二极管显示器。控制器包括接口电路、数据驱动电路以及核心电路。接口电路基于模式设定信号，依据频率信号以接收命令/数据信号来获得命令信息及显示信息。数据驱动电路用以产生多个控制信号以分别控制多个像素阵列的显示状态。核心电路耦接接口电路以及数据驱动电路。核心电路用以依据各像素阵列的多个微型发光二极管的排列方式以针对显示信息执行像素排列运算来产生补偿后显示信息，其中数据驱动电路依据补偿后显示信息以产生控制信号以分别驱动多个微型发光二极管显示设备。
根据上述，本发明的微型发光二极管显示器通过第一控制器来操控多个微型发光二极管装置的显示状态。如此一来，多个微型发光二极管装置间的布局间距可以被减小，可提升微型发光二极管显示器的分辨率。另外，本发明实施例中的第一控制器可依据各个像素阵列中的多个微型发光二极管的排列方式以针对显示信息执行像素排列运算，并进以提升显示的质量。
附图说明
包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1为本发明一实施例的微型发光二极管显示器的示意图；
图2A为本发明实施例的微型发光二极管显示器中的微型发光二极管装置的结构示意图；
图2B为本发明另一实施例的微型发光二极管显示器的示意图；
图3A、图3B为本发明实施例的微型发光二极管显示器的俯视图；
图3C至图3F为本发明实施例的微型发光二极管显示器的剖面图；
图4为本发明实施例的微型发光二极管装置中走线层的实施方式的示意图；
图5A为本发明一实施例的拼接式的微型发光二极管显示器的示意图；
图5B为本发明另一实施例的拼接式的微型发光二极管显示器的示意图；
图6为本发明实施例的微型发光二极管显示器中的控制器的示意图；
图7为本发明另一实施例的微型发光二极管显示器中的控制器的示意图；
图8为本发明实施例的微型发光二极管显示器中控制器的色彩引擎电路的实施方式的示意图；
图9A至图9D为本发明实施例的微型发光二极管显示器中，单一像素阵列中微型发光二极管的排列方式的多种实施方式的示意图；
图10为本发明实施例的微型发光二极管显示器中控制器的解缺陷器的实施方式的示意图；
图11为本发明实施例的解缺陷器中的映像表的实施方式的示意图。
附图标号说明
100、300、500：微型发光二极管显示器；
1001：静态存储器；
1002、701：闪存；
1010：解压缩电路；
1020：内插运算电路；
1030、1110～1130：映射表；
1040：正规化电路；
110、2011、310、510-1、510-2：电路基板；
111：传输导线层；
121～123、200、320、400、521-1～523-1、521-2～523-2：微型发光二极管装置；
130、2013、330、530-1、530-2、600、700：控制器；
210：混光层；
220：光学胶层；
230：走线层；
240：光遮结构；
410：多层线路层；
412：顶部线路层；
414：底部线路层；
415：接垫；
416：内部线路层；
419：导电通孔；
440：绝缘层；
450：表面处理层；
610、710：接口电路；
620：核心电路；
630：数据驱动器；
711：测试模式接口；
712：面板控制接口；
713：SPI界面；
714：识别控制接口；
7100：电压调整器；
7110：振荡器；
7120：开/短路检测器；
7130：时序控制器；
7140：闩锁器；
7150：驱动方式选择电路；
7160：扫描驱动器；
7170：温度传感器；
720、800：色彩引擎电路；
731、1000：解缺陷器；
740：数据驱动电路；
750：静态存储器；
760：伽玛电路；
770：指令控制器；
780：非易失性存储器；
790：模拟控制器；
801：存储器；
810：电流限制器；
820：色彩控制器；
830：像素排列运算器；
840：色彩补偿器；
850：伽玛校正器；
BP、SB：导电凸块；
BM：光吸收层；
CDSPI：补偿后显示信息；
CMDI：命令信息；
CMURAI：压缩后图像解缺陷信息；
CROUT：运算结果；
DataX：控制信号；
DSPI：显示信息；
GPIO：通用目的输入输出信号；
IM：模式设定信号；
LED、420R、420G、420B：微型发光二极管；
MURAI：图像解缺陷信息；
P1～P6、P：像素；
R+、R-、G+、G-、B+、B-：驱动电压；
RESX：重置信号；
RI、GI、BI：显示信息；
RI’、GI’、BI’：补偿后显示信息；
S1：表面；
ScanX：扫描信号；
SCID_IN、HCID[1:0]：识别认证信号；
SCL：频率信号；
SDA：命令/数据信号；
SP11～SP62：子像素；
SynGCLK：同步信号；
TIN：测试输入信号；
TOU：测试输出信号；
VR：参考电压；
VScanH：扫描电压；
VTEST：测试电压。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
请参照图1，图1为本发明一实施例的微型发光二极管显示器的示意图。微型发光二极管显示器100包括电路基板110、微型发光二极管装置121～123以及控制器130。电路基板110可以为印刷电路基板(printed circuit board,PCB)或其他具有驱动线路的基板。微型发光二极管装置121～123可以设置在电路基板110的第一表面S1上，其中，微型发光二极管装置121～123分别具有由微型发光二极管所构成的多个像素阵列。微型发光二极管装置121～123并与电路基板110上的多条传输导线所形成的传输导线层111电性连接。其中，传输导线层111形成在电路基板110的第一表面S1上，并介于电路基板110的第一表面S1与微型发光二极管装置121～123间。
控制器130可以被承载在电路基板110上，并可通过导电凸块BP以电性连接至传输导线层111。控制器130用以传送多个控制信号，以分别控制微型发光二极管装置121～123之像素阵列中的每一像素P的显示状态。相邻像素P间具有光吸收层BM。在本实施例中，单一控制器130可控制三个或三个以上的微型发光二极管装置，并有效提升微型发光二极管显示器所产生的显示图像的精细度。
在本实施例中，多个微型发光二极管装置121～123中的每一像素P的显示状态可以共同由控制器130来进行控制，因此，相较于现有每一微型发光二极管装置都需对应有控制器，微型发光二极管装置121～123在电路基板110中，彼此的间距可以有效的被缩小，可提升固定尺寸的显示面板上的微型发光二极管装置的数量，提升显示分辨率。
在本实施例中，微型发光二极管装置121～123的每一者的像素阵列可以具有n乘以m个像素P，其中的n、m为大于等于4的整数，且每一像素P间距可以小于等于0.6毫米，可有更佳的显示效果，小于4会让每一微型发光二极管装置的显示精细度不够。每一像素P则可以由多个微型发光二极管所组成，其中微型发光二极管长宽尺寸小于等于50微米，搭配每一像素P间距可以小于等于0.5毫米，可让显示精细度更佳。此外，本发明实施例中，微型发光二极管装置121～123的数量没有固定的限制，图1为的3个微型发光二极管装置121～123仅只是说明用的范例，不用以限缩本发明的实施范畴。
以下请参照图2A以及图2B，图2A为本发明实施例的微型发光二极管显示器中的微型发光二极管装置的结构示意图，图2B则为本发明另一实施例的微型发光二极管显示器的示意图。微型发光二极管装置200包括混光层210、光学胶层220、光吸收层BM以及走线层230。混光层210设置在光学胶层220上，光学胶层220下则具有走线层230。微型发光二极管LED所形成的像素阵列则设置在走线层230上，并位于光学胶层220中，其中每一像素P包括至少三个不同光色的微型发光二极管LED。光吸收层BM可由黑色光阻形成的黑色矩阵，具可以吸光挡光功能，可能避免每一像素P互相干扰。
在图2B中，微型发光二极管显示器201包括如图2A为的多个微型发光二极管装置200、电路基板2011以及控制器2013。微型发光二极管装置200设置在电路基板2011上。微型发光二极管装置200的走线层230并与电路基板2011上的传输导线层2014相互电性连接。通过走线层230的重新布线，的可简化电路基板2011上所需的传输导线层2014，使得显示器更为轻薄。在本实施例中，微型发光二极管装置200的走线层230可通过导电凸块(例如锡铅球)BP以电性连接至传输导线层2014。
在本实施例中，控制器2013可内埋在电路基板2011中，并通过多个导电通孔(via)以电性耦接至走线层230。在本发明其他实施例中，控制器2013也可以设置在电路基板2011的第一表面上(上表面)或第二表面(下表面)上。其中，微型发光二极管装置200设置在电路基板2011的第一表面上(上表面)。
请参照图3A至图3F，图3A、图3B为本发明实施例的微型发光二极管显示器的俯视图，图3C至图3F则为本发明不同实施例的微型发光二极管显示器的剖面图。在图3A中，微型发光二极管显示器300包括电路基板310、多个微型发光二极管显示设备320以及控制器330。其中，控制器330设置在电路基板310上的一侧边，微型发光二极管显示设备320则设置在电路基板310上的另一侧边。值得注意的，微型发光二极管装置320在电路基板310的正向投影，与控制器330在电路基板310的正向投影是不相重叠的。这样的配置，可以使控制器330不会受到微型发光二极管装置320所发送的光线的影响，而降低了工作的表现度。
在图3B中，本发明实施例的微型发光二极管显示器300中，微型发光二极管显示设备320可以设置在控制器330周围。通过这样的设计，可以使控制器330与微型发光二极管显示设备320间的布线长度以及复杂度降低。
另外，在图3C中，本发明实施例的微型发光二极管显示器300中，控制器330可以与微型发光二极管显示设备320设置在电路基板310的相同表面上。或者，控制器330也可以与微型发光二极管显示设备320设置在电路基板310的不相同的表面上，没有固定的限制。
在图3D中控制器330则可以内埋在电路基板310中。而在图3E中，控制器330可以与微型发光二极管显示设备320设置在电路基板310的不相同的表面上，且在电路基板310与控制器330间并设置一光吸收层BM。光吸收层BM用来使控制器330不会受到微型发光二极管装置320所发送的光线的影响。光吸收层BM例如为黑色光阻，可用以吸收光线或遮挡光线。或者，控制器330也可以与微型发光二极管显示设备320设置在电路基板310的相同的表面上，且在电路基板310与控制器330间并设置一光吸收层BM。
在图3F中，控制器330与微型发光二极管显示设备320设置在电路基板310的相同的表面上。且控制器330与微型发光二极管显示设备320间可设置光吸收层BM。光吸收层BM用来使控制器330不会受到微型发光二极管装置320所发送的光线的影响。
关于图2B实施例中的走线层230，也可以通过多层线路的结构来设计。在此请参照图4为的本发明实施例的微型发光二极管装置中走线层的实施方式的示意图。在图4中，微型发光二极管装置400的走线层以多层线路410的结构来设计。其中，多层线路层410包括多个导电通孔419，其中顶部线路层412、内部线路层416与底部线路层414通过导电通孔419电性连接。意即，顶部线路层412与内部线路层416是通过导电通孔419电性连接，而内部线路层416与底部线路层414也是通过导电通孔419电性连接。图4仅为一个剖面，仅可看到顶部线路层412与内部线路层416是通过导电通孔419电性连接。于另一未为的剖面中，内部线路层416与底部线路层414也是通过导电通孔419电性连接。特别是，导电通孔419于底部线路层414上的正投影可不重叠于微型发光二极管420R、420G、420B于底部线路层414上的正投影。也就是说，以俯视观之，微型发光二极管420R、420G、420B的位置与导电通孔419的位置完全不重叠。更进一步来说，本实施例的内部线路层416包括多条线路图案417，其中每一发光像素P(由微型发光二极管420R、420G、420B所构成)于底部线路层414上的正投影也完全重叠于对应的线路图案417内。此处，每一微型发光二极管420R、420G、420B于底部线路层414上的正投影完全地重叠于对应的线路图案417内。其中微型发光二极管420R、420G、420B可以分别发送不同波长的光束。
另外，本实施例的微型发光二极管装置400还包括一表面处理层450，其中表面处理层450配置于绝缘层440所暴露出的接垫415的部分顶面上。较佳地，表面处理层450的材质例如是化镍浸金(Electroless Nickel and Immersion Gold，ENIG)，可有效地避免或减少被绝缘层440所暴露出的接垫415产生氧化现象。
在图4中，像素P间可设置光吸收层BM，可防止像素P间发送的光相互产生影响。
以下请参照图5A，图5A为本发明一实施例的拼接式的微型发光二极管显示器的示意图。微型发光二极管显示器500包括多个电路基板510-1以及510-2。电路基板510-1、510-2上分别承载多个控制器530-1以及530-2，以及多组的微型发光二极管装置521-1～523-1以及521-2～523-2。
在本实施例中，控制器530-1用以控制多个微型发光二极管装置521-1～523-1的显示状态，控制器530-2则用以控制多个微型发光二极管装置521-2～523-2的显示状态。如此一来，设置在相同电路基板510-1(电路基板510-2)的微型发光二极管装置521-1～523-1(微型发光二极管装置521-2～523-2)的布局间隔可以有效的被缩减，提升显示图像的分辨率。
附带一提的，本实施例中的电路基板510-1、510-2的数量并不限于2个，且可以更多。电路基板510-1、510-2的排列方式则可以根据规则的阵列方式来进行，或也可以不规则的任意排列，并没有特别的限制。
另外，在本实施例中，电路基板510-1上所承载的微型发光二极管装置521-1～523-1所可以呈现的分辨率，与电路基板510-2上所承载的微型发光二极管装置521-2～523-2所可以呈现的分辨率可以相同，或也可以不相同，并没有一定的限制。设计者可以根据使用上的需求，通过设定微型发光二极管装置521-1～523-1、521-2～523-2的分辨率，来设定微型发光二极管显示器500中任一区域的分辨率。
以下请参照图5B，图5B为本发明另一实施例的拼接式的微型发光二极管显示器的示意图。与图5A实施例不相同的，相邻的任二微型发光二极管装置521-1～523-1间可设置光遮结构540。相邻的任二微型发光二极管装置521-2～523-2间同样可设置光遮结构540。光遮结构540用以避免微型发光二极管装置521-1～523-1、微型发光二极管装置521-2～523-2彼此间的光的相互影响，可提升显示的质量。亦可以在任二微型发光二极管装置521-2～523-2间设置另一光遮结构(未为)，避免微型发光二极管显示器彼此间的光的相互影响。
以下请参照图6，图6为本发明实施例的微型发光二极管显示器中的控制器的示意图。控制器600包括接口电路610、核心电路620以及数据驱动器630。接口电路610基于一模式设定信号IM，根据频率信号SCL以接收命令/数据信号SDA来获得命令信息及显示信息。接口电路610可以包括串行周边接口(Serial Peripheral Interface,SPI)，并根据频率信号SCL来接收为串行信号的命令/数据信号SDA，以获得命令信息CMDI及显示信息DSPI。
核心电路620耦接至接口电路610以接收命令信息CMDI及显示信息DSPI。核心电路620并根据微型发光二极管显示器中，每一个微型发光二极管装置中的像素阵列的多个微型发光二极管的排列方式，以针对显示信息DSPI执行像素排列运算来产生补偿后显示信息CDSPI。其中，每一个微型发光二极管装置中的像素阵列的多个微型发光二极管的排列方式可以预先被记录在存储器中。核心电路620并可通过存取存储器以获取每一个微型发光二极管装置中的像素阵列的多个微型发光二极管的排列方式，并据以执行像素排列运算来获得补偿后显示信息CDSPI。
数据驱动器630耦接至核心电路620。数据驱动器630接收补偿后显示信息CDSPI，并根据补偿后显示信息CDSPI以产生控制信号DataX以控制每一个微型发光二极管装置的显示状态。
此外，核心电路620还可根据图像解缺陷(de-Mura)信息以针对显示信息DSPI进行调整以产生解缺陷显示信息。其中，微型发光二极管显示器的图像缺陷信息可以预先被检测。图像解缺陷信息可根据检测出的图像缺陷信息来获得，并预先存储在存储器中。核心电路620可通过存取存储器已获得图像解缺陷信息，并据以执行显示信息DSPI的调整动作。在本实施例中，核心电路620可通过查找映像表的方式，并搭配内插法的运算来执行显示信息DSPI的解缺陷动作。
在另一方面，核心电路620还可操作在息屏显示(always on display,AOD)模式下。在息屏显示模式下，核心电路620可使接口电路610停止由外界接收显示信息DSPI，使存储器提供显示信息DSPI以作为产生控制信号DataX的根据，并使一电荷泵电路启动以产生升压电源。在此时，控制器600可提供升压电源至微型发光二极管装置，并作为微型发光二极管装置的操作电源。微型发光二极管装置则可基于这个操作电源，根据控制信号DataX来执行画面的显示动作。
由于在息屏显示模式下，显示信息DSPI不再由外界接收，可以节省接口电路610所需要消耗的电力。另外，微型发光二极管装置不再接收外界供应的电源以作为操作电源，改应用内部的电荷泵电路所产生升压电源以作为操作电源，同样可以节省电力的消耗。
附带一提的，在息屏显示模式下，存储器所提供的显示信息DSPI可以为单一画面的静态显示图像，也可以是具有多个画面的动态图像，没有特定的限制。
在硬件架构方面，核心电路620可以由数字电路来建构。本领域的普通技术人员可应用各种现有的数字电路设计方式来实现核心电路620，没有固定的限制。
在另一方面，控制器600另可设置温度传感器(未为)。温度传感器可用以检测环境温度。控制器600并可根据环境温度的变化，来调整所产生的控制信号DataX，并进以优化显示的质量。
在本实施例中，数据驱动电路630可以是多个多任务器电路。多任务器电路可用以分时的传输补偿后显示信息CDSPI以产生控制信号DataX，并操控多个微型发光二极管装置的显示状态。
请参照图7，图7为本发明另一实施例的微型发光二极管显示器中的控制器的示意图。控制器700包括接口电路710、色彩引擎电路720、解缺陷器731、数据驱动电路740、静态存储器750、伽玛电路760、指令控制器770、非易失性存储器780、模拟控制器790、电压调整器7100、振荡器7110、开/短路检测器7120、时序控制器7130、闩锁器7140、驱动方式选择电路7150、扫描驱动器7160以及温度传感器7170。接口电路710具有测试模式接口711、面板控制接口712、串行周边(SPI)接口713以及识别控制接口714。测试模式接口711收发测试输入信号TIN以及测试输出信号TOU。面板控制接口712收发通用目的输入输出信号GPIO并接收重置信号RESX。SPI接口接收频率信号SCL，并根据频率信号SCL以接收命令/数据信号SDA。SPI接口并可根据芯片选择信号CSX以被启动。识别控制接口714则接收识别认证信号SCID_IN以及HCID[1:0]。
SPI接口713根据命令/数据信号SDA可获得命令信息及显示信息。显示信息可以被传送至色彩引擎电路720、伽玛电路760以及静态存储器750。命令信息可被传送至色彩引擎电路720。伽玛电路760可针对显示信息执行伽玛转换。解缺陷器731耦接至色彩引擎电路720以及伽玛电路760。解缺陷器731针对伽玛转换后的显示信息执行解缺陷动作，并将解缺陷后的显示信息传送至色彩引擎电路720。色彩引擎电路720则可针对解缺陷后的显示信息执行像素排列运算来产生补偿后显示信息，并将补偿后显示信息传送至闩锁器7140。在本实施例中，解缺陷器731以及色彩引擎电路720可以设置在核心电路中。
在另一方面，时序控制器7130接收同步信号SynGCLK，并根据同步信号SynGCLK以产生控制显示动作的时序信号。闩锁器7140则根据时序控制器7130所产生的时序信号来提供补偿后显示信息至驱动方式选择电路7140。驱动方式选择电路7140则根据时序控制器7130所产生的时序信号以提供控制信号至扫描驱动电路7160以及数据驱动电路740中。
扫描驱动电路7160用以产生针对微型发光二极管装置的像素阵列的各个显示列执行扫描动作的扫描信号ScanX，数据驱动电路740则产生对应扫描信号ScanX的控制信号DataX。在本实施例中，控制信号DataX为对应扫描信号ScanX的像素的显示强度。
在电压产生的机制上，模拟控制器780耦接至指令控制电路770。模拟控制器780并控制电压调整器7100以产生测试电压VTEST以及扫描电压VScanH。模拟控制器780另可产生参考电压VR。
在本实施例中，静态存储器750、非易失性存储器780可以用存储控制器700执行运算所需要的任意信息。控制器700并可耦接外接的闪存701以进行任意信息的读取动作。
此外，振荡器7110用以产生频率信号，其中频率信号提供控制器700作为执行动作的基准。开/短路检测器7120用以检测控制器700的接脚有无发生开路或短路的现象，并据以启动保护的动作。温度传感器7170用以感测环境温度，并将相关信息提供至控制器700中的任意的内部电路中。
控制器700可以应用单一晶粒的形式来构成，也可以应用***中封装(system inpackage,SIP)的方式以形成单一个集成电路来实施。
以下请参照图8，图8为本发明实施例的微型发光二极管显示器中控制器的色彩引擎电路的实施方式的示意图。色彩引擎电路800包括电流限制器810、色彩控制器820、像素排列运算器830、色彩补偿器840以及伽玛校正器850。电流限制器810接收显示信息DSPI，用以利用一算法，基于显示信息DSPI的更新频率来限制输出电流以达到节电的功效。色彩控制器820耦接至电流限制器810，用以根据设定色彩模式来调整显示信息DSPI。设定色彩模式可以包括一般模式、加强模式或标准色域模式等。像素排列运算器830耦接色彩控制器820，根据微型发光二极管的排列信息，以针对显示信息执行像素排列运算以产生运算结果CROUT。其中，微型发光二极管的排列信息可预先被存储在存储器801中。存储器801耦接至色彩引擎电路800，并提供色彩引擎电路800进行读取。
色彩补偿器840耦接至像素排列运算器830。色彩补偿器820根据像素排列运算器830所产生的运算结果CROUT来针对显示信息DSPI进行补偿以产生补偿显示信息CDSPI，并用以对应每一像素的微型发光二极管的排列方式来调整显示信息DSPI，提升所产生的显示图像的表现度。伽玛校正器850耦接至色彩补偿器840，并用以针对调整显示信息CDSPI以执行伽玛校正动作。
在此请注意，微型发光二极管的排列方式可以有很多种不同的选择。请参照图9A至图9D，图9A至图9D为本发明实施例的微型发光二极管显示器中，单一像素阵列中微型发光二极管的排列方式的多种实施方式的示意图。在图9A中，像素P1～P4可依阵列的方式进行排列。其中，像素P1～P4分别包括子像素SP11～SP13、SP21～SP23、SP31～SP33以及SP41～SP43。子像素SP11、SP21、SP31、SP41的第一端可接收正极性的驱动电压R+；子像素SP11、SP21、SP31、SP41的第二端可接收负极性的驱动电压R-；子像素SP12、SP22、SP32、SP42的第一端可接收正极性的驱动电压G+；子像素SP12、SP22、SP32、SP42的第二端可接收负极性的驱动电压G-；子像素SP13、SP23、SP33、SP43的第一端可接收正极性的驱动电压B+；子像素SP13、SP23、SP33、SP43的第二端可接收负极性的驱动电压B-。
在本实施方式中，以像素P1为范例，其中的子像素SP11～SP13可整齐地依序排列在像素P1中。
在图9B中，像素P1～P4同样可依阵列的方式进行排列。相较于图9A的实施方式，在图9B中，以像素P1为范例，像素P1中的多个子像素SP13、SP12可根据相同的第一走向(直向)排列在像素P1的第一侧，子像素SP11则根据第二走向(横向)排列在像素P1的第二侧。
在图9C中，像素P1～P6可依阵列的方式进行排列。与前述实施方式不相同的，本实施方式中的每一像素P1～P6并不单独拥有三个子像素。其中，像素P1具有子像素SP11～SP13，而其中的子像素SP13与像素P2共享。像素P2则包括部分的子像素SP13以及子像素SP21、SP22，而子像素SP21、SP22则可与像素P3共享。像素P3则包括部分的子像素SP21、SP22以及子像素SP33。在另一显示行，像素P4具有子像素SP41～SP43，而其中的子像素SP41、SP42与像素P5共享。像素P5则包括子像素SP53以及部分的子像素SP41、SP42，而子像素SP54则可与像素P6共享。像素P6包括部分的子像素SP54以及子像素SP61、SP62。
在本实施例中，同一像素(以像素P1为例)的多个子像素(以子像素SP11～SP13为例)可根据三个不同的走向进行设置，其中子像素SP11中的任二者的走向可相差120度。
另外，被共享的子像素中(以子像素SP13为例)，子像素SP13设置在像素P1以及P2中的尺寸可以由设计者根据实际的需求自行调整，没有固定的限制。
在图9D中，像素P1～P6可依阵列的方式进行排列。其中，像素P1～P6中子像素SP11～SP62的分配是可以与图9C的实施例相同。与前述实施方式不相同的，本实施方式中的子像素SP11～SP62的走向可以均为第二走向(横向)。当然，在本发明其他实施方式中，子像素SP11～SP62的走向也可以均为第一走向(直向)。
值得一提的，上述图9A～图9D所提出的多种像素、子像素的配置方式，仅只是说明用的范例，不用以限制本发明的范畴。凡本领域的普通技术人员，通过上述两个或两个以上的实施方式进行结合所可以得知的配置方式均可以应用于本发明。
以下请参照图10，图10为本发明实施例的微型发光二极管显示器中控制器的解缺陷器的实施方式的示意图。解缺陷器1000包括解压缩电路1010、内插运算电路1020、映像表1030以及正规化电路1040。解缺陷器1000并可耦接至闪存1002以及静态存储器1001。解压缩电路1010可针对压缩后图像解缺陷信息CMURAI进行解压缩动作以获得图像解缺陷信息MURAI。其中，为节省存储空间，图像解缺陷信息MURAI可预先以压缩的形式被存储在闪存1002中。当要执行解缺陷动作时，解缺陷器1000可先读取闪存1002中的压缩后图像解缺陷信息CMURAI，并通过解压缩电路1010所执行的解压缩动作来获得图像解缺陷信息MURAI。
接着，内插运算电路1020可根据解缺陷算法以针对图像解缺陷信息MURAI执行内插运算来产生分别对应多个像素的多个补偿差值。解缺陷器1000并通过映射表1030以根据补偿差值来获得补偿后显示信息。为限制补偿后显示信息的量值大小，解缺陷器1000可通过正规化电路1040以针对补偿后显示信息执行正规化(normalize)动作，并将正规画后的结果进行输出。
在本实施例中，映像表1030可针对显示信息中对应三种不同波长的显示信息进行映像。请参照图11为的本发明实施例的解缺陷器中的映像表的实施方式的示意图。其中映射表可包括对应红色、绿色、蓝色显示像素的三个映射表1110～1130。映像表1110～1130分别接收对应不同颜色的显示信息RI、GI以及BI。其中，显示信息RI、GI以及BI的每一者例如为具有8个位的信息。映像表1110～1130中分别记录微型发光二极管显示器中，显示面板的不同区域中，对应不同颜色的像素的解缺陷信息。通过映射表1110～1130的映射动作，可以分别产生补偿后显示信息RI’、GI’以及BI’。其中，补偿后显示信息RI’、GI’以及BI’的每一者可以为具有16个位的信息。
如此一来，通过补偿后显示信息RI’、GI’以及BI’来进行微型发光二极管的驱动动作，可以使微型发光二极管具有16个位的分辨率。
综上所述，本发明的微型发光二极管显示器通过单一控制器以控制多个微型发光二极管装置的显示状态。如此一来，微型发光二极管装置间的布局间距可以减小，可提升显示图像的分辨率。本发明实施例的控制器并针对显示信息以根据微型发光二极管的排列方式来执行像素排列运算，并据以产生补偿后显示信息。可有效提升显示图像的显示质量。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (25)

1.一种微型发光二极管显示器，包括：
第一电路基板；
多个第一微型发光二极管装置，设置在所述第一电路基板的第一表面上，所述多个第一微型发光二极管装置分别具有多个第一像素阵列；以及
第一控制器，由所述第一电路基板所承载，用以传送多个第一控制信号，以分别控制所述多个第一微型发光二极管装置的所述多个第一像素阵列的显示状态。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，其中所述多个第一微型发光二极管装置在所述第一电路基板的正向投影，与所述第一控制器在所述第一电路基板的正向投影不相重叠。
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，其中各所述第一微型发光二极管装置中的各所述第一像素阵列的数量大于n乘以m，n、m为大于等于3的整数。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，其中所述第一电路基板的所述第一表面上具有多条传输导线，所述多个传输导线设置在所述第一电路基板的所述第一表面与所述多个第一微型发光二极管装置间，所述控制器通过所述多个传输导线与所述多个第一微型发光二极管装置电性连接。
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管显示器，其中各所述第一微型发光二极管装置包括：
走线层；
光学胶层，设置在所述走线层上；
多个微型发光二极管，设置在所述光学胶层中，并形成对应的各所述第一像素阵列；
所述走线层耦接在所述多个传输导线以及所述多个微型发光二极管间；以及
混光层，设置在所述光学胶层上。
6.根据权利要求5所述的微型发光二极管显示器，其中所述走线层通过至少一导电凸块以耦接至所述传输导线。
7.根据权利要求5所述的微型发光二极管显示器，其中所述第一控制器内埋在所述第一电路基板中，通过多个导电通孔电性耦接所述走线层。
8.根据权利要求5所述的微型发光二极管显示器，其中所述第一控制器设置在所述第一电路基板的一第二表面上或所述第一表面上，其中所述第一表面与所述第二表面相对，设置在所述第二表面上的所述第一控制器通过多个导电通孔电性耦接所述走线层。
9.根据权利要求5所述的微型发光二极管显示器，还包括：
光吸收层，设置在所述控制器与所述多个第一微型发光二极管装置间。
10.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，还包括：
至少一第二电路基板，与所述第一电路基板相互拼接；
多个第二微型发光二极管装置，设置在所述至少一第二电路基板的一第一表面上，所述多个第二微型发光二极管装置分别具有多个第二像素阵列；以及
至少一第二控制器，由对应的所述至少一第二电路基板所承载，用以传送多个第二控制信号，以分别控制所述多个第二微型发光二极管装置之所述多个第二像素阵列的显示状态。
11.根据权利要求10所述的微型发光二极管显示器，其中所述多个第一像素阵列的显示分辨率与所述多个第二像素阵列的显示分辨率不相同。
12.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，其中所述第一控制器包括：
接口电路，基于模式设定信号，依据频率信号以接收命令/数据信号来获得命令信息及显示信息；
数据驱动电路，用以产生所述多个第一控制信号以分别控制所述多个第一像素阵列的显示状态；以及
核心电路，耦接所述接口电路以及所述数据驱动电路，用以：
依据各所述第一像素阵列的多个微型发光二极管的排列方式以针对所述显示信息执行像素排列运算来产生补偿后显示信息，
其中所述数据驱动电路依据所述补偿后显示信息以产生所述多个控制信号。
13.根据权利要求12所述的微型发光二极管显示器，其中所述核心电路包括：
色彩引擎电路，包括：
电流限制器，接收所述显示信息，用以限制所述显示信息的传输电流在默认的临界值以下；
色彩控制器，耦接所述电流限制器，依据设定色彩模式来调整所述显示信息；
像素排列运算器，耦接所述色彩控制器，依据所述多个微型发光二极管的排列信息，以针对所述显示信息执行所述像素排列运算以产生运算结果；
色彩补偿器，耦接所述像素排列运算器，依据所述运算结果来针对所述显示信息进行补偿以产生所述补偿显示信息；以及
伽玛校正器，耦接所述色彩补偿器，针对所述补偿显示信息执行伽玛校正动作已产生一输出显示信息。
14.根据权利要求13所述的微型发光二极管显示器，其中所述色彩引擎电路还包括：
存储器，用以存储所述多个微型发光二极管的所述排列信息。
15.根据权利要求12所述的微型发光二极管显示器，其中所述核心电路还用以依据图像解缺陷信息以针对所述显示信息进行调整以产生一解缺陷显示信息，其中所述核心电路还包括：
解缺陷器，包括：
解压缩电路，针对压缩后图像解缺陷信息进行解压缩动作以获得所述图像解缺陷信息；
内插运算电路，依据解缺陷算法以针对图像解缺陷信息执行内插运算来产生分别对应多个像素的多个补偿差值；以及
映像表，耦接所述内插运算电路，依据所述多个补偿差值以获得所述补偿后显示信息。
16.根据权利要求15所述的微型发光二极管显示器，其中所述解缺陷器还包括正规化电路，用以正规化所述补偿后显示信息。
17.根据权利要求15所述的微型发光二极管显示器，其中所述解缺陷器还包括：
非易失性存储器，用以存储所述压缩后图像解缺陷信息；以及
静态存储器，用以存储暂存信息。
18.根据权利要求12所述的微型发光二极管显示器，其中在息屏显示模式下，所述核心电路还用以：
使所述接口电路停止接收所述显示信息；
使存储器提供所述显示信息以作为产生所述多个控制信号的依据；
使电荷泵电路启动，以产生升压电源，
其中，在所述息屏显示模式下，所述第一控制器提供所述升压电源至所述多个第一微型发光二极管装置，以作为所述多个第一微型发光二极管装置的操作电源。
19.根据权利要求12所述的微型发光二极管显示器，其中所述核心电路还包括：
温度传感器，用以感测环境温度。
20.根据权利要求12所述的微型发光二极管显示器，其中所述数据驱动电路包括多个多任务器电路，用以传输所述补偿后显示信息至所述多个第一微型发光二极管装置。
21.一种控制器，用以驱动微型发光二极管显示器，包括：
接口电路，基于模式设定信号，依据频率信号以接收命令/数据信号来获得命令信息及显示信息；
数据驱动电路，用以产生多个控制信号以分别控制多个像素阵列的显示状态；以及
核心电路，耦接所述接口电路以及所述数据驱动电路，用以：
依据各所述像素阵列的多个微型发光二极管的排列方式以针对所述显示信息执行像素排列运算来产生补偿后显示信息，
其中所述数据驱动电路依据所述补偿后显示信息以产生所述多个控制信号以分别驱动多个微型发光二极管显示设备。
22.根据权利要求21所述的控制器，其中所述核心电路包括：
色彩引擎电路，包括：
电流限制器，接收所述显示信息，用以限制所述显示信息的传输电流在默认的临界值以下；
色彩控制器，耦接所述电流限制器，依据设定色彩模式来调整所述显示信息；
像素排列运算器，耦接所述色彩控制器，依据所述多个微型发光二极管的排列信息，以针对所述显示信息执行所述像素排列运算以产生运算结果；
色彩补偿器，耦接所述像素排列运算器，依据所述运算结果来针对所述显示信息进行补偿以产生所述补偿显示信息；以及
伽玛校正器，耦接所述色彩补偿器，针对所述补偿显示信息执行伽玛校正动作以产生一输出显示信息。
23.根据权利要求22所述的控制器，其中所述色彩引擎电路还包括：
存储器，用以存储所述多个微型发光二极管的所述排列信息。
24.根据权利要求21所述的控制器，其中所述核心电路还用以依据图像解缺陷信息以针对所述显示信息进行调整以产生解缺陷显示信息，其中所述核心电路还包括：
解缺陷器，包括：
解压缩电路，针对压缩后图像解缺陷信息进行解压缩动作以获得所述图像解缺陷信息；
内插运算电路，依据解缺陷算法以针对图像解缺陷信息执行内插运算来产生分别对应多个像素的多个补偿差值；以及
映像表，耦接所述内插运算电路，依据所述多个补偿差值以获得所述补偿后显示信息。
25.根据权利要求22所述的控制器，其中在息屏显示模式下，所述核心电路还用以：
使所述接口电路停止接收所述显示信息；
使存储器体提供所述显示信息以作为产生所述多个控制信号的依据；
使电荷泵电路启动，以产生升压电源，
其中，在所述息屏显示模式下所述控制器提供所述升压电源至所述多个微型发光二极管装置，以作为所述多个微型发光二极管装置的操作电源。
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