TW201814880A - 頂部發光型微發光二極體顯示器與底部發光型微發光二極體顯示器及其形成方法 - Google Patents

Abstract

一種微發光二極體顯示器，包含第一主基板；複數微發光二極體，設於第一主基板之上；第一光阻斷層，設於第一主基板的上方，以定義複數發光區；導光層，設於該些發光區內；及複數連接結構，設於該些發光區內且分別電性連接於該些微發光二極體。

Description

頂部發光型微發光二極體顯示器與底部發光型微發光二極體顯示器及其形成方法

本發明係有關一種發光二極體顯示器，特別是關於一種頂部發光型（top emission）微發光二極體顯示器與底部發光型（bottom emission）微發光二極體顯示器。

微發光二極體（microLED、mLED或μLED）顯示面板為平板顯示器（flat panel display）的一種，其係由尺寸等級為1~10微米之個別精微（microscopic）發光二極體所組成。相較於傳統液晶顯示面板，微發光二極體顯示面板具較大對比度及較快反應時間，且消耗較少功率。微發光二極體與有機發光二極體（OLED）雖然同樣具有低功耗的特性，但是，微發光二極體因為使用三-五族二極體技術（例如氮化鎵），因此相較於有機發光二極體具有較高的亮度（brightness）、較高的發光效能（luminous efficacy）及較長的壽命。

使用薄膜電晶體（TFT）的主動驅動方式為一種普遍使用的驅動機制，其可以和微發光二極體結合以製造顯示面板。但是，薄膜電晶體使用的是互補金屬氧化物半導體（CMOS）製程，而微發光二極體則是使用覆晶（flip chip）技術，兩者會產生熱失配（thermal mismatch）問題，且薄膜電晶體的製程較為複雜。在低灰階顯示時，由於驅動電流很小，會受到微發光二極體的漏電流而影響灰階顯示。

被動驅動方式為另一種驅動機制。傳統的被動式驅動顯示面板，其列驅動電路與行驅動電路係設於顯示面板的邊緣。然而，當顯示面板的尺寸變大或者解析度變高時，造成驅動器的輸出負載過大，過長的延遲時間使得顯示面板無法正常驅動。因此，被動式驅動機制無法適用於大尺寸的微發光二極體顯示面板。

因此，亟需提出一種新穎的微發光二極體顯示面板，特別是大尺寸或高解析度的顯示面板，使其保有微發光二極體的優點且能改善傳統驅動機制的缺點。

由於相鄰微發光二極體之間的距離極小，很容易造成相鄰微發光二極體或相鄰像素之間的互相干擾，例如混色（color mixing），且降低對比度（contrast ratio）。此外，微發光二極體需要藉由連接導線與其他元件或電路作電性連接，這些連接導線通常包含不透明（opaque）材質或反射（reflective）材質，因此會造成不均勻（non-uniform）的顯示問題。

因此，亟需提出一種新穎的微發光二極體顯示器，用以改善傳統微發光二極體顯示器的發光效能。

鑑於上述，本發明實施例的目的之一在於提出一種微發光二極體顯示面板，有效降低驅動器的負載，以實現單一大尺寸高解析度微發光二極體顯示面板。在一實施例中採用被動驅動方式，可簡化顯示面板的製程，縮短微發光二極體的開啟時間，提高驅動電流，有效降低微發光二極體因漏電流對於灰階顯示所造成的影響。

根據本發明實施例，微發光二極體顯示面板包含複數微發光二極體、基板及複數驅動器。基板用以承載該些微發光二極體，且基板的表面劃分為複數次區域。該些驅動器分別相應設於該些次區域的表面。在一實施例中，該些微發光二極體使用被動驅動方式。驅動器包含行驅動電路，藉由行導線連接並傳送行驅動信號至同一行微發光二極體的第一電極；及列驅動電路，藉由列導線連接並傳送列驅動信號至同一列微發光二極體的第二電極。

根據本發明另一實施例，微發光二極體顯示面板包含複數微發光二極體、至少一積體電路及基板。基板承載該些微發光二極體與積體電路，且基板的頂面具有凹陷部，用以容置積體電路。

鑑於上述，本發明實施例的目的之一在於提出一種頂部發光型微發光二極體顯示器與底部發光型微發光二極體顯示器的結構與製造方法，有效避免干擾、混色或不均勻的顯示問題。

根據本發明實施例之一，頂部發光型微發光二極體顯示器包含第一主基板；底共電極層，設於第一主基板的頂面；複數微發光二極體，設於底共電極層之上；第一光阻斷層，設於底共電極層的上方，以定義複數發光區；導光層，設於該些發光區內；及複數連接結構，設於該些發光區內且分別電性連接於該些微發光二極體。

根據本發明又一實施例，底部發光型微發光二極體顯示器包含第一主基板；複數微發光二極體，設於第一主基板之上；第一光阻斷層，設於第一主基板的上方，以定義複數發光區；導光層，設於該些發光區內；複數連接結構，設於該些發光區內且分別電性連接於該些微發光二極體；及頂共電極層，設於第一光阻斷層與該些微發光二極體的頂面。

第一A圖顯示本發明實施例之微發光二極體（microLED）顯示面板9100的俯視圖，第一B圖顯示第一A圖之微發光二極體顯示面板9100的側視圖。本實施例之微發光二極體顯示面板9100的架構較佳適用於大尺寸高解析度顯示面板，例如解析度為3840RGBx2160的顯示面板。在本說明書中，微發光二極體的尺寸等級為1~10微米。然而，會因產品的應用領域或將來技術的發展而更小。在本說明書中，“大尺寸”顯示面板係依目前業界的習慣，定義為10吋以上的顯示面板。然而，對於“大尺寸”顯示面板的定義會因產品的應用領域或將來技術的發展而有所改變。在本說明書中，“高解析度”顯示面板係依目前業界的習慣，定義為1080掃描線以上的顯示面板。然而，對於“高解析度”顯示面板的定義同樣會因產品的應用領域或將來技術的發展而有所改變。

在本實施例中，微發光二極體顯示面板9100包含基板911，用以承載複數微發光二極體（未顯示於圖式）。基板911的材質較佳為絕緣體（例如玻璃、壓克力），也可以為其他適於承載微發光二極體的材質。

根據本實施例的特徵之一，基板911的表面劃分為複數次區域（sub-region）9101。經劃分的該些次區域9101並未實體切割開來，且基板911並非是將複數小區塊整合而成的，因此基板911為一個完整未切割的實體。換句話說，本實施例之微發光二極體顯示面板9100係為單一（single或whole）或未分割（uncut）的顯示面板。第一A圖僅顯示簡化的次區域9101劃分例子。以解析度3840RGBx2160的微發光二極體顯示面板9100為例，基板911可劃分為80x54個次區域9101，每一次區域9101的解析度為48RGBx40，但也可以劃分為較多或較少的次區域9101。

根據本實施例的另一特徵，微發光二極體顯示面板9100包含複數驅動器（driver）912，分別相應設於該些次區域9101的表面（例如頂面）。第一A圖所示驅動器912係設於相應次區域9101的表面的中央位置，但不限定於此。第一A圖例示每ㄧ次區域9101設有一驅動器912，然而在其他實施例中，每ㄧ次區域9101也可設有複數驅動器912。本實施例的驅動器912可製作為晶片形式的積體電路，藉由表面黏著技術（SMT），例如晶片玻璃（chip-on-glass, COG）或覆晶（flip chip）技術，將驅動器912接合（bond）於次區域9101的表面。在一例子中，驅動器912與微發光二極體係設於基板911的次區域9101的相同表面。

本實施例的微發光二極體顯示面板9100還包含複數時序控制器（TCON）913，其可藉由導線（例如軟性電路板，未顯示於圖式）電性連接至基板911，再經由設於基板911表面的走線（未顯示於圖式）而電性連接至相應的驅動器912。在本實施例中，一時序控制器913可電性連接至少二驅動器912。換句話說，時序控制器913的數目少於驅動器912的數目。時序控制器913可藉由走線分別直接連接至相應的驅動器912；也可藉由走線連接至一驅動器912，經信號緩衝後，再藉由走線連接至另一驅動器912。

根據本實施例的又一特徵，微發光二極體顯示面板9100採用被動（passive）驅動方式以驅動微發光二極體。第二圖顯示被動驅動方式的微發光二極體顯示面板9100的示意圖。時序控制器913傳送時序控制信號與顯示資料信號給驅動器912。驅動器912包含行（column）驅動電路9121與列（row或scan）驅動電路9122，其中行驅動電路9121藉由行導線91211連接並傳送行驅動信號至同一行微發光二極體914的第一電極（例如陽極），列驅動電路9122則藉由列導線91221連接並傳送列驅動信號至同一列微發光二極體914的第二電極（例如陰極）。在本實施例中，行驅動電路9121與列驅動電路9122係製作為單一積體電路。

根據上述實施例，由於微發光二極體顯示面板9100的基板911劃分為複數次區域9101，每一次區域9101設有相應的驅動器912，因而可以有效降低行驅動電路9121與列驅動電路9122的負載，以實現單一大尺寸高解析度微發光二極體顯示面板。此外，相對於使用薄膜電晶體（TFT）的主動驅動方式，本實施例之微發光二極體顯示面板9100因採用被動驅動方式以驅動微發光二極體914，因此可以簡化顯示面板的製程，縮短微發光二極體914的開啟（turn on）時間，提高驅動電流，有效降低微發光二極體914因漏電流對於灰階顯示所造成的影響。

第三圖顯示本發明第一特定實施例之正面發光（frontside illuminating）的微發光二極體顯示面板9300的剖視圖。在本實施例中，微發光二極體914與驅動器912設於基板911的頂面。微發光二極體914所產生的光線主要從基板911的頂面向上發光（亦即正面發光），如箭號所示。

如第三圖所例示，每ㄧ像素包含有紅色微發光二極體914R、綠色微發光二極體914G與藍色微發光二極體914B。基板911的表面（例如頂面）與微發光二極體914、驅動器912之間設有走線層915，用以電性連接驅動器912、微發光二極體914與時序控制器913。於相鄰像素的微發光二極體914之間，形成光阻斷（light blocking）層916於走線層915的上方。本實施例的光阻斷層916的材質可為黑矩陣（black matrix, BM）或其他可遮蔽光線的適當材質。在一實施例中，同一像素的紅色微發光二極體914R、綠色微發光二極體914G與藍色微發光二極體914B之間也可以形成光阻斷層916，但是不一定要形成。

紅色微發光二極體914R、綠色微發光二極體914G與藍色微發光二極體914B之上還可設有導光層917。本實施例的正面發光的微發光二極體顯示面板9300還包含蓋板918，設於基板911的底面。本實施例之蓋板918的材質可為不透明材質。

第四圖顯示本發明第二特定實施例之背面發光（backside illuminating）的微發光二極體顯示面板9400的剖視圖。在本實施例中，微發光二極體914與驅動器912設於基板911的頂面。微發光二極體914所產生的光線主要從基板11的背面向下發光（亦即背面發光），如箭號所示。

如第四圖所例示，每ㄧ像素包含有紅色微發光二極體914R、綠色微發光二極體914G與藍色微發光二極體914B。於相鄰像素的微發光二極體914之間，形成光阻斷層916於基板911的表面（例如頂面）。本實施例的光阻斷層916的材質可為黑矩陣（BM）或其他可遮蔽光線的適當材質。光阻斷層916的上方設有走線層915，用以電性連接驅動器912、微發光二極體914與時序控制器913。在一實施例中，同一像素的紅色微發光二極體914R、綠色微發光二極體914G與藍色微發光二極體914B之間也可以形成光阻斷層916，但是不一定要形成。

紅色微發光二極體914R、綠色微發光二極體914G與藍色微發光二極體914B之上還可設有導光層917。本實施例的背面發光的微發光二極體顯示面板9400還包含蓋板918，設於驅動器912、走線層915、光阻斷層916、導光層917的上方。本實施例之蓋板918的材質可為不透明材質。

第五圖顯示基板911、驅動器912與微發光二極體914的局部放大側視圖，其中驅動器912與微發光二極體914設於基板911的頂面。一般來說，積體電路（例如驅動器912）的高度遠高於微發光二極體914的高度。舉例而言，驅動器912的高度為150微米，微發光二極體914的高度為10微米，而基板911的高度為500~1100微米。由於驅動器912與微發光二極體914的高度相差很大（例如，十倍以上），微發光二極體914從基板911的頂面向上發射的光線（如箭號所示）會被鄰近的驅動器912阻擋，因而降低某些視角的光線強度。為了解決此問題，本發明因此提出以下的實施例。

第六A圖顯示本發明實施例之微發光二極體顯示面板的局部放大側視圖。在本實施例中，基板911的頂面具有凹陷部（recess）9110，用以容置積體電路（例如驅動器912）。在本實施例中，凹陷部9110的深度h1與微發光二極體914的高度之和等於驅動器912的高度。因此，驅動器912的頂面與微發光二極體914的頂面位於相同水平。相較於第五圖之微發光二極體顯示面板，本實施例之微發光二極體914所發射的光線不會被鄰近的驅動器912阻擋。

第六B圖顯示本發明另一實施例之微發光二極體顯示面板的局部放大側視圖。在本實施例中，基板911的頂面具有凹陷部9110，用以容置積體電路（例如驅動器912）。在本實施例中，凹陷部9110的深度h2大於驅動器912的高度。因此，驅動器912的頂面的水平低於微發光二極體914的頂面。相較於第五圖之微發光二極體顯示面板，本實施例之微發光二極體914所發射的光線不會被鄰近的驅動器912阻擋。

第六C圖顯示本發明又一實施例之微發光二極體顯示面板的局部放大側視圖。在本實施例中，基板911的頂面具有凹陷部9110，用以容置積體電路（例如驅動器912）。在本實施例中，凹陷部9110的深度h3與微發光二極體914的高度之和小於驅動器912的高度。因此，驅動器912的頂面的水平高於微發光二極體914的頂面。相較於第五圖之微發光二極體顯示面板，本實施例之微發光二極體914所發射光線受到鄰近驅動器912的阻擋程度有大量的改善。

根據上述實施例，設計者可根據各積體電路的高度以分別形成不同深度的凹陷部9110，用以分別容置不同高度的積體電路。設計者也可根據複數積體電路當中的最大高度，形成一個具凹陷部的溝槽（groove），用以同時容置該些積體電路。

第七圖顯示頂部發光型（top emission）微發光二極體顯示器100的簡化側視圖。在本實施例中，使用接合（bonding）技術，於主基板11的頂面設有複數微發光二極體12，例如紅色微發光二極體12R、綠色微發光二極體12G與藍色微發光二極體12B。該些微發光二極體12所產生的光線從主基板11的頂面向上發射（如箭號所示），因此稱為頂部發光型微發光二極體顯示器。在本說明書中，微發光二極體的尺寸等級為1~10微米。然而，會因產品的應用領域或將來技術的發展而更小或更大。

第八A圖顯示本發明第一實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器200的俯視圖，第八B圖顯示第八A圖的剖面圖。在本實施例中，於（第一）主基板21A的頂面設有複數微發光二極體22，例如紅色微發光二極體22R、綠色微發光二極體22G與藍色微發光二極體22B。相鄰的微發光二極體22之間設有（第一）光阻斷（light blocking）層23A，形成於（第一）主基板21A的頂面，用以避免相鄰微發光二極體22之間的互相干擾（例如混色），且能增進對比度。主基板21A與微發光二極體22之間可設有底共電極（bottom common electrode）層28。在本實施例（及後續實施例）中，微發光二極體22可為長方形。例如，長為25微米，寬為10微米。根據本發明實施例的特徵之一，微發光二極體22係垂直縱列設置。亦即，微發光二極體22的長邊平行於顯示器的縱向，且短邊平行於顯示器的橫向。由於人眼感覺垂直發射之光線會多於水平發射之光線，因此所述的設置方向可增加可視角的角度。

本實施例之（第一）光阻斷層23A可為黑矩陣（black matrix, BM）。在第八B圖所示實施例中，首先形成黑樹脂（black resin），再使用光學製程（photo process）及固化（curing）製程以形成黑矩陣（第一）光阻斷層23A。在另一實施例中，使用噴墨印刷（ink-jet printing）技術及固化製程以形成黑矩陣（第一）光阻斷層23A。

（第一）光阻斷層23A定義出發光區（emission area）24，亦即，未被（第一）光阻斷層23A覆蓋的區域稱為發光區24。換另一角度來說，發光區24以外的所有區域都覆蓋有（第一）光阻斷層23A。於發光區24內，形成有導光（light guiding）層25，包含導光材質，用以擴張微發光二極體22所產生的光線。導光材質一般為透明材質，並具高折射係數。在本實施例中，導光層25係全面形成於發光區24內。

在本實施例中，（第一）光阻斷層23A的厚度大於導光層25的厚度。此外，導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第八B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。

第八C圖顯示本發明變化型第一實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器200的剖面圖。相較於第八B圖，第八C圖所示實施例的（第一）光阻斷層23A的厚度小於導光層25的厚度。此外，（第一）光阻斷層23A與導光層25相鄰的區域互相部分重疊，且（第一）光阻斷層23A被導光層25部分覆蓋。在第八C圖所示實施例中，首先形成鉻/氧化鉻薄膜，再使用照相蝕刻（photo etching）技術以形成黑矩陣（第一）光阻斷層23A。

第八D圖顯示本發明第一實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器200的另一俯視圖。每一個發光區24內包含有連接結構26，例如導電電極，設於微發光二極體22的頂面。根據本發明實施例的特徵之一，每一個發光區24的連接結構26的圖樣（pattern）都相同。連接結構26的材質包含透明材質(例如氧化銦錫)、非透明材質(例如金屬)或反射（reflective）材質。由於本實施例每一個發光區24內具有相同圖樣的連接結構26，因此可以避免不均勻的顯示問題。

第九A圖顯示本發明第二實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器300的俯視圖，第九B圖顯示第九A圖的剖面圖。本第二實施例類似於第一實施例，不同的地方在於，第二實施例的（第一）光阻斷層23A設於相鄰像素之間（而非相鄰的微發光二極體22之間），用以避免相鄰像素之間的互相干擾（例如混色），且能增進對比度。

（第一）光阻斷層23A定義出發光區24，亦即，未被（第一）光阻斷層23A覆蓋的區域稱為發光區24（或像素區）。換另一角度來說，發光區24以外的所有區域都覆蓋有（第一）光阻斷層23A。在本實施例中，導光層25係全面形成於發光區24內。

在本實施例中，（第一）光阻斷層23A的厚度大於導光層25的厚度。此外，導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第九B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。

第九C圖顯示本發明變化型第二實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器300的剖面圖。相較於第九B圖，第九C圖所示實施例的（第一）光阻斷層23A的厚度小於導光層25的厚度。此外，（第一）光阻斷層23A與導光層25相鄰的區域互相部分重疊，且（第一）光阻斷層23A被導光層25部分覆蓋。

第九D圖顯示本發明第二實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器300的另一俯視圖。每一個發光區24內包含有連接結構26，例如導電電極。根據本發明實施例的特徵之一，發光區24內每一微發光二極體22相應的連接結構26的圖樣都相同，且每一發光區24具有相同圖樣的連接結構26。由於本實施例的發光區24內每一微發光二極體22相應的連接結構26的圖樣都相同，且每一發光區24的連接結構26的圖樣也相同，因此可以避免不均勻的顯示問題。

第十A圖顯示本發明第三實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器400的俯視圖，第十B圖顯示第十A圖的剖面圖。在本實施例中，於（第一）主基板21A的頂面設有複數微發光二極體22，例如紅色微發光二極體22R、綠色微發光二極體22G與藍色微發光二極體22B。每ㄧ微發光二極體22相應有一發光區24。本實施例包含框形的第一光阻斷層23A，其圍繞發光區24，且設於（第一）主基板21A的頂面。本實施例還包含阻斷基板27，位於（第一）主基板21A與第一光阻斷層23A的上方。第二光阻斷層23B形成於阻斷基板27的底面，其覆蓋發光區24與第一光阻斷層23A以外的區域。第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B相鄰的區域互相部分重疊。因此，第一光阻斷層23A的開口（aperture）內徑d1異於（例如小於）第二光阻斷層23B的開口內徑d2。在另一實施例中，第一光阻斷層23A的開口內徑可大於第二光阻斷層23B的開口內徑。本實施例之第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B可為黑矩陣（BM），阻斷基板27可為透光材質，例如石英、玻璃或塑膠材質。

於發光區24內，形成有導光層25，包含導光材質，用以擴張微發光二極體22所產生的光線。在本實施例中，導光層25係全面形成於發光區24內。

在本實施例中，第一光阻斷層23A的厚度大於導光層25的厚度。此外，導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第十B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。

第十C圖顯示本發明變化型第三實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器400的剖面圖。相較於第十B圖，第十C圖所示實施例的第一光阻斷層23A的厚度小於導光層25的厚度。此外，第一光阻斷層23A被導光層25覆蓋。

根據本實施例的特徵之一，每一個發光區24內的連接結構（未顯示於圖式）的圖樣都相同。由於本實施例每一個發光區24內具有相同圖樣的連接結構，因此可以避免不均勻的顯示問題。

第十一A圖顯示本發明第四實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器500的俯視圖，第十一B圖顯示第十一A圖的剖面圖。本第四實施例類似於第三實施例，不同的地方在於，第四實施例的第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B設於相鄰像素之間（而非相鄰的微發光二極體22之間），用以避免相鄰像素之間的互相干擾（例如混色），且能增進對比度。

在本實施例中，每ㄧ像素（其包含紅色微發光二極體22R、綠色微發光二極體22G與藍色微發光二極體22B）相應有一發光區24。本實施例包含框形的第一光阻斷層23A，其圍繞發光區24，且設於（第一）主基板21A的頂面。本實施例還包含第二光阻斷層23B，形成於阻斷基板27的底面，用以覆蓋發光區24與第一光阻斷層23A以外的區域。第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B相鄰的區域，兩者互相部分重疊。因此，第一光阻斷層23A的開口內徑d1異於（例如小於）第二光阻斷層23B的開口內徑d2。本實施例之第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B可為黑矩陣（BM），阻斷基板27可為透光材質，例如石英、玻璃或塑膠材質。

於發光區24內，形成有導光層25，包含導光材質，用以擴張微發光二極體22所產生的光線。在本實施例中，導光層25係全面形成於發光區24內。

在本實施例中，第一光阻斷層23A的厚度大於導光層25的厚度。此外，導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第十一B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。

第十一C圖顯示本發明變化型第四實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器500的剖面圖。相較於第十一B圖，第十一C圖所示實施例的第一光阻斷層23A的厚度小於導光層25的厚度。此外，第一光阻斷層23A被導光層25部分覆蓋。

根據本實施例的特徵之一，發光區24內每一微發光二極體22相應的連接結構（未顯示於圖式）的圖樣都相同，且每一發光區24具有相同圖樣的連接結構。由於本實施例的發光區24內每一微發光二極體22相應的連接結構的圖樣都相同，且每一發光區24的連接結構的圖樣也相同，因此可以避免不均勻的顯示問題。

第十二圖顯示本發明第五實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器600的剖面圖。在本實施例中，頂部發光型微發光二極體顯示器600包含第一主基板21A與第二主基板21B，位於同一水平面但分別相應於各自的微發光二極體顯示面板。於第一主基板21A與第二主基板21B的頂面分別設有第一光阻斷層23A。類似於第四實施例的結構，頂部發光型微發光二極體顯示器600包含第二光阻斷層23B，形成於阻斷基板27的底面，用以覆蓋發光區24與第一光阻斷層23A以外的區域。如第十二圖所示，第一主基板21A與第二主基板21B對應於同一個阻斷基板27，且於第一主基板21A與第二主基板21B的相鄰處，第一主基板21A的第一光阻斷層23A與第二主基板21B的第一光阻斷層23A對應於同一個第二光阻斷層23B。藉此，可將複數微發光二極體顯示面板予以貼合（tiling）起來，形成一個無接縫（seamless）的頂部發光型微發光二極體顯示器600。

第十三A圖至第十九B圖顯示本發明實施例之形成頂部發光型微發光二極體顯示器的各製程步驟的俯視圖與剖面圖。如第十三A圖與第十三B圖所示，首先提供（第一）主基板21A，其定義有一發光區24。如第十四A圖與第十四B圖所示，形成底共電極（bottom common electrode）層28於（第一）主基板21A的頂面。根據本發明實施例的特徵之一，底共電極層28係全面覆蓋發光區24，藉以避免不均勻的顯示問題。

如第十五A圖與第十五B圖所示，使用結合（bonding）技術，於底共電極層28的頂面設有複數微發光二極體22，例如紅色微發光二極體22R、綠色微發光二極體22G與藍色微發光二極體22B。如第十六A圖與第十六B圖所示，於發光區24以外的區域形成（第一）光阻斷層23A，用以避免相鄰像素之間的互相干擾（例如混色），且能增進對比度。

如第十七A圖與第十七B圖所示，於發光區24內形成導光層25，用以擴張微發光二極體22所產生的光線。在本實施例中，導光層25係全面形成於發光區24內。導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第十七B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。值得注意的是，形成（第一）光阻斷層23A的步驟（第十六A圖與第十六B圖）與形成導光層25的步驟（第十七A圖與第十七B圖）可以互換。

如第十八A圖與第十八B圖所示，形成接觸洞（contact hole）於微發光二極體22的頂面。接著，如第十九A圖與第十九B圖所示，形成複數連接結構26，分別相應連接於該些微發光二極體22。其中，該些連接結構26的圖樣都相同，且每一發光區24具有相同圖樣的連接結構26。藉此，可以避免不均勻的顯示問題。

第二十圖顯示底部發光型（bottom emission）微發光二極體顯示器100的簡化側視圖。在本實施例中，使用接合（bonding）技術，於主基板11的頂面設有複數微發光二極體12，例如紅色微發光二極體12R、綠色微發光二極體12G與藍色微發光二極體12B。該些微發光二極體12所產生的光線從主基板11的頂面向下發射（如箭號所示），因此稱為底部發光型微發光二極體顯示器。在本說明書中，微發光二極體的尺寸等級為1~10微米。然而，會因產品的應用領域或將來技術的發展而更小或更大。

第二十一A圖顯示本發明第六實施例之底部發光型微發光二極體顯示器200的俯視圖，第二十一B圖顯示第二十一A圖的剖面圖。在本實施例中，於（第一）主基板21A的頂面設有複數微發光二極體22，例如紅色微發光二極體22R、綠色微發光二極體22G與藍色微發光二極體22B。相鄰的微發光二極體22之間設有（第一）光阻斷（light blocking）層23A，形成於（第一）主基板21A的頂面，用以避免相鄰微發光二極體22之間的互相干擾（例如混色），且能增進對比度。微發光二極體22與光阻斷層23A之上可設有頂共電極（top common electrode）層28，其與光阻斷層23A之間藉由絕緣層29而彼此隔離。

本實施例之（第一）光阻斷層23A可為黑矩陣（black matrix, BM）。在第二十一B圖所示實施例中，首先形成黑樹脂（black resin），再使用光學製程（photo process）及固化（curing）製程以形成黑矩陣（第一）光阻斷層23A。在另一實施例中，使用噴墨印刷（ink-jet printing）技術及固化製程以形成黑矩陣（第一）光阻斷層23A。

（第一）光阻斷層23A定義出發光區（emission area）24，亦即，未被（第一）光阻斷層23A覆蓋的區域稱為發光區24。換另一角度來說，發光區24以外的所有區域都覆蓋有（第一）光阻斷層23A。於發光區24內，形成有導光（light guiding）層25，包含導光材質，用以擴張微發光二極體22所產生的光線。導光材質一般為透明材質，並具高折射係數。在本實施例中，導光層25係全面形成於發光區24內。

在本實施例中，（第一）光阻斷層23A的厚度大於導光層25的厚度。此外，導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第二十一B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。

第二十一C圖顯示本發明變化型第六實施例之底部發光型微發光二極體顯示器200的剖面圖。相較於第二十一B圖，第二十一C圖所示實施例的（第一）光阻斷層23A的厚度小於導光層25的厚度。此外，（第一）光阻斷層23A與導光層25相鄰的區域互相部分重疊，且（第一）光阻斷層23A被導光層25部分覆蓋。在第二十一C圖所示實施例中，首先形成鉻/氧化鉻薄膜，再使用照相蝕刻（photo etching）技術以形成黑矩陣（第一）光阻斷層23A。

第二十一D圖顯示本發明第六實施例之底部發光型微發光二極體顯示器200的另一俯視圖。每一個發光區24內包含有連接結構26，設於微發光二極體22與主基板21A之間。根據本發明實施例的特徵之一，每一個發光區24的連接結構26的圖樣（pattern）都相同。連接結構26的材質可為透明材質(例如氧化銦錫)、非透明材質(例如金屬)或反射（reflective）材質。由於本實施例每一個發光區24內具有相同圖樣的連接結構26，因此可以避免不均勻的顯示問題。

第二十二A圖顯示本發明第七實施例之底部發光型微發光二極體顯示器300的俯視圖，第二十二B圖顯示第二十二A圖的剖面圖。本第七實施例類似於第六實施例，不同的地方在於，第七實施例的（第一）光阻斷層23A設於相鄰像素之間（而非相鄰的微發光二極體22之間），用以避免相鄰像素之間的互相干擾（例如混色），且能增進對比度。

（第一）光阻斷層23A定義出發光區24，亦即，未被（第一）光阻斷層23A覆蓋的區域稱為發光區24（或像素區）。換另一角度來說，發光區24以外的所有區域都覆蓋有（第一）光阻斷層23A。在本實施例中，導光層25係全面形成於發光區24內。

在本實施例中，（第一）光阻斷層23A的厚度大於導光層25的厚度。此外，導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第二十二B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。

第二十二C圖顯示本發明變化型第七實施例之底部發光型微發光二極體顯示器300的剖面圖。相較於第二十二B圖，第二十二C圖所示實施例的（第一）光阻斷層23A的厚度小於導光層25的厚度。此外，（第一）光阻斷層23A與導光層25相鄰的區域互相部分重疊，且（第一）光阻斷層23A被導光層25部分覆蓋。

第二十二D圖顯示本發明第七實施例之底部發光型微發光二極體顯示器300的另一俯視圖。每一個發光區24內包含有連接結構26。根據本發明實施例的特徵之一，發光區24內每一微發光二極體22相應的連接結構26的圖樣都相同，且每一發光區24具有相同圖樣的連接結構26。由於本實施例的發光區24內每一微發光二極體22相應的連接結構26的圖樣都相同，且每一發光區24的連接結構26的圖樣也相同，因此可以避免不均勻的顯示問題。

第二十三A圖顯示本發明第八實施例之底部發光型微發光二極體顯示器400的俯視圖，第二十三B圖顯示第二十三A圖的剖面圖。在本實施例中，於（第一）主基板21A的頂面設有複數微發光二極體22，例如紅色微發光二極體22R、綠色微發光二極體22G與藍色微發光二極體22B。每ㄧ微發光二極體22相應有一發光區24。本實施例包含框形的第一光阻斷層23A，其圍繞發光區24，且設於（第一）主基板21A的頂面。本實施例還包含阻斷基板27，位於（第一）主基板21A的下方。第二光阻斷層23B形成於阻斷基板27的頂面，其覆蓋發光區24與第一光阻斷層23A以外的區域。第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B相鄰的區域互相部分重疊。因此，第一光阻斷層23A的開口（aperture）內徑d1異於（例如小於）第二光阻斷層23B的開口內徑d2。在另一實施例中，第一光阻斷層23A的開口內徑可大於第二光阻斷層23B的開口內徑。本實施例之第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B可為黑矩陣（BM），阻斷基板27可為透光材質，例如石英、玻璃或塑膠材質。

於發光區24內，形成有導光層25，包含導光材質，用以擴張微發光二極體22所產生的光線。在本實施例中，導光層25係全面形成於發光區24內。

在本實施例中，第一光阻斷層23A的厚度大於導光層25的厚度。此外，導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第二十三B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。

第二十三C圖顯示本發明變化型第八實施例之底部發光型微發光二極體顯示器400的剖面圖。相較於第二十三B圖，第二十三C圖所示實施例的第一光阻斷層23A的厚度小於導光層25的厚度。此外，第一光阻斷層23A被導光層25覆蓋。

根據本實施例的特徵之一，每一個發光區24內的連接結構（未顯示於圖式）的圖樣都相同。由於本實施例每一個發光區24內具有相同圖樣的連接結構，因此可以避免不均勻的顯示問題。

第二十四A圖顯示本發明第九實施例之底部發光型微發光二極體顯示器500的俯視圖，第二十四B圖顯示第二十四A圖的剖面圖。本第九實施例類似於第八實施例，不同的地方在於，第九實施例的第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B設於相鄰像素之間（而非相鄰的微發光二極體22之間），用以避免相鄰像素之間的互相干擾（例如混色），且能增進對比度。

在本實施例中，每ㄧ像素（其包含紅色微發光二極體22R、綠色微發光二極體22G與藍色微發光二極體22B）相應有一發光區24。本實施例包含框形的第一光阻斷層23A，其圍繞發光區24，且設於（第一）主基板21A的頂面。本實施例還包含第二光阻斷層23B，形成於阻斷基板27的頂面，用以覆蓋發光區24與第一光阻斷層23A以外的區域。第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B相鄰的區域，兩者互相部分重疊。因此，第一光阻斷層23A的開口內徑d1異於（例如小於）第二光阻斷層23B的開口內徑d2。本實施例之第一光阻斷層23A與第二光阻斷層23B可為黑矩陣（BM），阻斷基板27可為透光材質，例如石英、玻璃或塑膠材質。

於發光區24內，形成有導光層25，包含導光材質，用以擴張微發光二極體22所產生的光線。在本實施例中，導光層25係全面形成於發光區24內。

在本實施例中，第一光阻斷層23A的厚度大於導光層25的厚度。此外，導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第二十四B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。

第二十四C圖顯示本發明變化型第九實施例之底部發光型微發光二極體顯示器500的剖面圖。相較於第二十四B圖，第二十四C圖所示實施例的第一光阻斷層23A的厚度小於導光層25的厚度。此外，第一光阻斷層23A被導光層25部分覆蓋。

根據本實施例的特徵之一，發光區24內每一微發光二極體22相應的連接結構（未顯示於圖式）的圖樣都相同，且每一發光區24具有相同圖樣的連接結構。由於本實施例的發光區24內每一微發光二極體22相應的連接結構的圖樣都相同，且每一發光區24的連接結構的圖樣也相同，因此可以避免不均勻的顯示問題。

第二十五圖顯示本發明第十實施例之底部發光型微發光二極體顯示器600的剖面圖。在本實施例中，底部發光型微發光二極體顯示器600包含第一主基板21A與第二主基板21B，位於同一水平面但分別相應於各自的微發光二極體顯示面板。於第一主基板21A與第二主基板21B的頂面分別設有第一光阻斷層23A。類似於第九實施例的結構，底部發光型微發光二極體顯示器600包含第二光阻斷層23B，形成於阻斷基板27的頂面，用以覆蓋發光區24與第一光阻斷層23A以外的區域。如第二十五圖所示，第一主基板21A與第二主基板21B對應於同一個阻斷基板27，且於第一主基板21A與第二主基板21B的相鄰處，第一主基板21A的第一光阻斷層23A與第二主基板21B的第一光阻斷層23A對應於同一個第二光阻斷層23B。藉此，可將複數微發光二極體顯示面板予以貼合（tiling）起來，形成一個無接縫（seamless）的底部發光型微發光二極體顯示器600。

第二十六A圖至第三十二B圖顯示本發明實施例之形成底部發光型微發光二極體顯示器的各製程步驟的俯視圖與剖面圖。如第二十六A圖與第二十六B圖所示，首先提供（第一）主基板21A，其定義有一發光區24。如第二十七A圖與第二十七B圖所示，形成複數連接結構26。其中，該些連接結構26的圖樣都相同，且每一發光區24具有相同圖樣的連接結構26。藉此，可以避免不均勻的顯示問題。

如第二十八A圖與第二十八B圖所示，使用結合（bonding）技術，於連接結構26的頂面設有複數微發光二極體22，例如紅色微發光二極體22R、綠色微發光二極體22G與藍色微發光二極體22B。如第二十九A圖與第二十九B圖所示，於發光區24以外的區域形成（第一）光阻斷層23A，用以避免相鄰像素之間的互相干擾（例如混色），且能增進對比度，再於光阻斷層23A上形成絕緣層29。

如第三十A圖與第三十B圖所示，於發光區24內形成導光層25，用以擴張微發光二極體22所產生的光線。在本實施例中，導光層25係全面形成於發光區24內。導光層25的厚度可大於微發光二極體22的厚度，如第三十B圖所示。然而，在其他實施例中，導光層25的厚度可小於或等於微發光二極體22的厚度。值得注意的是，形成（第一）光阻斷層23A的步驟（第二十九A圖與第二十九B圖）與形成導光層25的步驟（第三十A圖與第三十B圖）可以互換。

如第三十一A圖與第三十一B圖所示，形成接觸洞（contact hole）於微發光二極體22的頂面。接著，如第三十二A圖與第三十二B圖所示，形成頂共電極（top common electrode）層28於絕緣層29與導光層25的上方。根據本發明實施例的特徵之一，頂共電極層28係全面覆蓋發光區24，藉以避免不均勻的顯示問題。

以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍內。

9100‧‧‧微發光二極體顯示面板

9101‧‧‧次區域

9300‧‧‧正面發光的微發光二極體顯示面板

9400‧‧‧背面發光的微發光二極體顯示面板

911‧‧‧基板

912‧‧‧驅動器

9121‧‧‧行驅動電路

91211‧‧‧行導線

9122‧‧‧列驅動電路

91221‧‧‧列導線

913‧‧‧時序控制器

914‧‧‧微發光二極體

914R‧‧‧紅色微發光二極體

914G‧‧‧綠色微發光二極體

914B‧‧‧藍色微發光二極體

915‧‧‧走線層

916‧‧‧光阻斷層

917‧‧‧導光層

918‧‧‧蓋板

9110‧‧‧凹陷部

h1‧‧‧深度

h2‧‧‧深度

h3‧‧‧深度

100‧‧‧頂部發光型微發光二極體顯示器

200‧‧‧頂部發光型微發光二極體顯示器

300‧‧‧頂部發光型微發光二極體顯示器

400‧‧‧頂部發光型微發光二極體顯示器

500‧‧‧頂部發光型微發光二極體顯示器

600‧‧‧頂部發光型微發光二極體顯示器

1400‧‧‧底部發光型微發光二極體顯示器

1500‧‧‧底部發光型微發光二極體顯示器

1600‧‧‧底部發光型微發光二極體顯示器

1700‧‧‧底部發光型微發光二極體顯示器

1800‧‧‧底部發光型微發光二極體顯示器

1900‧‧‧底部發光型微發光二極體顯示器

11‧‧‧主基板

12‧‧‧微發光二極體

12R‧‧‧紅色微發光二極體

12G‧‧‧綠色微發光二極體

12B‧‧‧藍色微發光二極體

21A‧‧‧第一主基板

21B‧‧‧第二主基板

22‧‧‧微發光二極體

22R‧‧‧紅色微發光二極體

22G‧‧‧綠色微發光二極體

22B‧‧‧藍色微發光二極體

23A‧‧‧第一光阻斷層

23B‧‧‧第二光阻斷層

24‧‧‧發光區

25‧‧‧導光層

26‧‧‧連接結構

27‧‧‧阻斷基板

28‧‧‧(底/頂)共電極層

29‧‧‧絕緣層

d1‧‧‧開口內徑

d2‧‧‧開口內徑

第一A圖顯示本發明實施例之微發光二極體顯示面板的俯視圖。 第一B圖顯示第一A圖之微發光二極體顯示面板的側視圖。 第二圖顯示被動驅動方式的微發光二極體顯示面板的示意圖。 第三圖顯示本發明第一特定實施例之正面發光的微發光二極體顯示面板的剖視圖。 第四圖顯示本發明第二特定實施例之背面發光的微發光二極體顯示面板的剖視圖。 第五圖顯示基板、驅動器與微發光二極體的局部放大側視圖。 第六A圖顯示本發明實施例之微發光二極體顯示面板的局部放大側視圖。 第六B圖顯示本發明另一實施例之微發光二極體顯示面板的局部放大側視圖。 第六C圖顯示本發明又一實施例之微發光二極體顯示面板的局部放大側視圖。 第七圖顯示頂部發光型微發光二極體顯示器的簡化側視圖。 第八A圖顯示本發明第一實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的俯視圖。 第八B圖顯示第八A圖的剖面圖。 第八C圖顯示本發明變化型第一實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。 第八D圖顯示本發明第一實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的另一俯視圖。 第九A圖顯示本發明第二實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的俯視圖。 第九B圖顯示第九A圖的剖面圖。 第九C圖顯示本發明變化型第二實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。 第九D圖顯示本發明第二實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的另一俯視圖。 第十A圖顯示本發明第三實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的俯視圖。 第十B圖顯示第十A圖的剖面圖。 第十C圖顯示本發明變化型第三實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。 第十一A圖顯示本發明第四實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的俯視圖。 第十一B圖顯示第十一A圖的剖面圖。 第十一C圖顯示本發明變化型第四實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。 第十二圖顯示本發明第五實施例之頂部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。 第十三A圖至第十九B圖顯示本發明實施例之形成頂部發光型微發光二極體顯示器的各製程步驟的俯視圖與剖面圖。 第二十圖顯示底部發光型微發光二極體顯示器的簡化側視圖。 第二十一A圖顯示本發明第六實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的俯視圖。 第二十一B圖顯示第二十一A圖的剖面圖。 第二十一C圖顯示本發明變化型第六實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。 第二十一D圖顯示本發明第六實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的另一俯視圖。 第二十二A圖顯示本發明第七實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的俯視圖。 第二十二B圖顯示第二十二A圖的剖面圖。 第二十二C圖顯示本發明變化型第七實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。 第二十二D圖顯示本發明第七實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的另一俯視圖。 第二十三A圖顯示本發明第八實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的俯視圖。 第二十三B圖顯示第二十三A圖的剖面圖。 第二十三C圖顯示本發明變化型第八實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。 第二十四A圖顯示本發明第九實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的俯視圖。 第二十四B圖顯示第二十四A圖的剖面圖。 第二十四C圖顯示本發明變化型第九實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。 第二十五圖顯示本發明第十實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖面圖。 第二十六A圖至第三十二B圖顯示本發明實施例之形成底部發光型微發光二極體顯示器的各製程步驟的俯視圖與剖面圖。

Claims (56)

1. 一種頂部發光型微發光二極體顯示器，包含： 一第一主基板； 一底共電極層，設於該第一主基板的頂面； 複數微發光二極體，設於該底共電極層之上； 一第一光阻斷層，設於該底共電極層的上方，以定義複數發光區； 一導光層，設於該些發光區內；及 複數連接結構，設於該些發光區內且分別電性連接於該些微發光二極體。
2. 根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該些連接結構具相同圖樣。
3. 根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該些連接結構包含透明材質。
4. 根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該些連接結構包含非透明材質。
5. 根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一光阻斷層為黑矩陣。
6. 根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一光阻斷層的厚度大於該導光層的厚度。
7. 根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一光阻斷層的厚度小於該導光層的厚度，該第一光阻斷層與該導光層相鄰的區域互相部分重疊，且該第一光阻斷層被該導光層部分覆蓋。
8. 根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中每ㄧ該發光區相應於一微發光二極體。
9. 根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中每ㄧ該發光區相應於一紅色微發光二極體、一綠色微發光二極體與一藍色微發光二極體。
10. 根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該發光區內的紅色微發光二極體、綠色微發光二極體與藍色微發光二極體分別相應於相同圖樣的連接結構。
11. 根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該連接結構全面形成於該發光區內。
12. 根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，更包含： 一阻斷基板，位於該第一主基板與該第一光阻斷層的上方；及 一第二光阻斷層，形成於該阻斷基板的底面，該第二光阻斷層覆蓋該發光區與該第一光阻斷層以外的區域； 其中該第一光阻斷層具框形以圍繞該發光區，該第一光阻斷層與該第二光阻斷層相鄰的區域互相部分重疊。
13. 根據申請專利範圍第12項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一光阻斷層的開口內徑異於該第二光阻斷層的開口內徑。
14. 根據申請專利範圍第12項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該第二光阻斷層為黑矩陣。
15. 根據申請專利範圍第12項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該阻斷基板的材質包含透光材質。
16. 根據申請專利範圍第12項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，更包含： 一第二主基板，與該第一主基板位於同一水平面，但分別相應於各自的微發光二極體顯示面板，該第一主基板與該第二主基板之上分別設有第一光阻斷層； 其中該第一主基板與該第二主基板對應於同一個阻斷基板，且於該第一主基板與該第二主基板的相鄰處，該第一主基板的第一光阻斷層與該第二主基板的第一光阻斷層對應於同一個第二光阻斷層。
17. 根據申請專利範圍第1項所述之頂部發光型微發光二極體顯示器，其中該些微發光二極體為長方形，且垂直縱列設置。
18. 一種形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，包含： 提供一第一主基板； 形成複數微發光二極體於該第一主基板之上； 形成第一光阻斷層於該第一主基板的上方，以定義複數發光區； 形成一導光層於該些發光區內；及 形成複數連接結構於該些發光區內且分別電性連接於該些微發光二極體。
19. 根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該些連接結構具相同圖樣。
20. 根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該些連接結構包含透明材質。
21. 根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該些連接結構包含非透明材質。
22. 根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，於形成該些微發光二極體之前，更全面形成一導電層於該第一主基板的複數發光區內。
23. 根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，於形成該些連接結構之前，更形成接觸洞於該些微發光二極體的頂面。
24. 根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該第一光阻斷層為黑矩陣。
25. 根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該發光區內的紅色微發光二極體、綠色微發光二極體與藍色微發光二極體分別相應於相同圖樣的連接結構。
26. 根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中形成該第一光阻斷層的步驟包含： 形成黑樹脂；及 使用光學製程及固化製程處理該黑樹脂，以形成黑矩陣光阻斷層。
27. 根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中形成該第一光阻斷層的步驟包含： 使用噴墨印刷技術及固化製程以形成黑矩陣光阻斷層。
28. 根據申請專利範圍第18項所述形成頂部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中形成該第一光阻斷層的步驟包含： 形成鉻/氧化鉻薄膜；及 使用照相蝕刻技術處理該鉻/氧化鉻薄膜，以形成黑矩陣光阻斷層。
29. 一種底部發光型微發光二極體顯示器，包含： 一第一主基板； 複數微發光二極體，設於該第一主基板之上； 一第一光阻斷層，設於該第一主基板的上方，以定義複數發光區； 一導光層，設於該些發光區內； 複數連接結構，設於該些發光區內且分別電性連接於該些微發光二極體；及 一頂共電極層，設於該第一光阻斷層與該些微發光二極體的頂面。
30. 根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該些連接結構具相同圖樣。
31. 根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該些連接結構包含透明材質。
32. 根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該些連接結構包含非透明材質。
33. 根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一光阻斷層為黑矩陣。
34. 根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一光阻斷層的厚度大於該導光層的厚度。
35. 根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一光阻斷層的厚度小於該導光層的厚度，該第一光阻斷層與該導光層相鄰的區域互相部分重疊，且該第一光阻斷層被該導光層部分覆蓋。
36. 根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中每ㄧ該發光區相應於一微發光二極體。
37. 根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中每ㄧ該發光區相應於一紅色微發光二極體、一綠色微發光二極體與一藍色微發光二極體。
38. 根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該發光區內的紅色微發光二極體、綠色微發光二極體與藍色微發光二極體分別相應於相同圖樣的連接結構。
39. 根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該連接結構全面形成於該發光區內。
40. 根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，更包含： 一阻斷基板，位於該第一主基板的下方；及 一第二光阻斷層，形成於該阻斷基板的頂面，該第二光阻斷層覆蓋該發光區與該第一光阻斷層以外的區域； 其中該第一光阻斷層具框形以圍繞該發光區，該第一光阻斷層與該第二光阻斷層相鄰的區域互相部分重疊。
41. 根據申請專利範圍第40項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一光阻斷層的開口內徑異於該第二光阻斷層的開口內徑。
42. 根據申請專利範圍第40項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該第二光阻斷層為黑矩陣。
43. 根據申請專利範圍第40項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該阻斷基板的材質包含透光材質。
44. 根據申請專利範圍第40項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，更包含： 一第二主基板，與該第一主基板位於同一水平面，但分別相應於各自的微發光二極體顯示面板，該第一主基板與該第二主基板之上分別設有第一光阻斷層； 其中該第一主基板與該第二主基板對應於同一個阻斷基板，且於該第一主基板與該第二主基板的相鄰處，該第一主基板的第一光阻斷層與該第二主基板的第一光阻斷層對應於同一個第二光阻斷層。
45. 根據申請專利範圍第29項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該些微發光二極體為長方形，且垂直縱列設置。
46. 一種形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，包含： 提供一第一主基板； 形成複數連接結構於複數發光區內； 形成複數微發光二極體電性連接於該些連接結構之上； 形成第一光阻斷層於該第一主基板的上方，以定義該些發光區，其涵蓋該些連接結構；及 形成一導光層於該些發光區內。
47. 根據申請專利範圍第46項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該些連接結構具相同圖樣。
48. 根據申請專利範圍第46項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該些連接結構包含透明材質。
49. 根據申請專利範圍第46項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該些連接結構包含非透明材質。
50. 根據申請專利範圍第46項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，於形成該導光層或該第一光阻斷層之後，更全面形成一導電層於該第一主基板的複數發光區內。
51. 根據申請專利範圍第46項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，於形成該導電層之前，更形成接觸洞於該些微發光二極體的頂面。
52. 根據申請專利範圍第46項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該第一光阻斷層為黑矩陣。
53. 根據申請專利範圍第46項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中該發光區內的紅色微發光二極體、綠色微發光二極體與藍色微發光二極體分別相應於相同圖樣的連接結構。
54. 根據申請專利範圍第46項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中形成該第一光阻斷層的步驟包含： 形成黑樹脂；及 使用光學製程及固化製程處理該黑樹脂，以形成黑矩陣光阻斷層。
55. 根據申請專利範圍第46項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中形成該第一光阻斷層的步驟包含： 使用噴墨印刷技術及固化製程以形成黑矩陣光阻斷層。
56. 根據申請專利範圍第46項所述形成底部發光型微發光二極體顯示器的方法，其中形成該第一光阻斷層的步驟包含： 形成鉻/氧化鉻薄膜；及 使用照相蝕刻技術處理該鉻/氧化鉻薄膜，以形成黑矩陣光阻斷層。