CN113030589A - 电子部件处理装置、电子部件测试装置及插座 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够高精度地实施具有天线的DUT的OTA测试的电子部件处理装置、电子部件测试装置及插座。电子部件处理装置具备：恒温槽；使DUT移动并将其按压于插座的处理器；与恒温槽相邻配置的电波暗室；配置于电波暗室的内部的测试天线；和能够使从DUT的设备天线或测试天线辐射的电波透过的窗构件，恒温槽具备形成于该恒温槽的壁面的开口，电波暗室具备配置于该电波暗室的内壁的电波吸收件、和朝向测试天线的电波的收发方向开口的开口，恒温槽和电波暗室以开口与开口对置的方式连接，窗构件封闭开口。

Description

电子部件处理装置、电子部件测试装置及插座
技术领域
本发明涉及在具有天线的被测试电子部件(DUT：Device Under Test)的测试中使用的电子部件处理装置、电子部件测试装置及插座。
背景技术
作为决定无线设备的辐射性能特性的方法，已知有在消声室内的安装机构安装无线设备来测定来自无线设备的信号的方法(OTA(Over the Air：空中下载)测试)(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2008-518567号公报
发明内容
发明所要解决的问题
然而，在上述方法中，存在如下问题：如果在施加温度的同时进行测定，则消声室内的吸收材料由于热应力而劣化，有时不能高精度地测定无线设备的性能。
本发明所要解决的问题在于提供一种能够高精度地实施具有天线的DUT的OTA测试的电子部件处理装置、电子部件测试装置及插座。
用于解决问题的手段
[1]本发明所涉及的电子部件处理装置具备：恒温槽，能够在内部配置与具有第一天线的DUT电连接的插座；移动单元，能够使所述DUT移动并将该DUT按压于所述插座；电波暗室，与所述恒温槽相邻配置；第二天线，配置于所述电波暗室的内部；以及第一窗构件，能够使从所述第一天线或第二天线辐射的电波透过，所述恒温槽具备形成于所述恒温槽的壁面的第一开口，所述电波暗室具备：电波吸收件，配置于所述电波暗室的内壁；以及第二开口，朝向所述第二天线的电波的收发方向开口，所述恒温槽和所述电波暗室以所述第一开口与所述第二开口对置的方式连接，所述第一窗构件封闭所述第一开口。
[2]在上述发明中，也可以构成为，所述第一窗构件具备：一对板状构件，能够使从所述第一天线或第二天线辐射的电波透过；以及间隔件，介于所述一对板状构件之间，并在所述一对板状构件之间形成空间，所述电子部件处理装置具备供给装置，该供给装置能够向所述空间供给干燥空气。
[3]在上述发明中，也可以构成为，所述电子部件处理装置具备加热装置，该加热装置对所述一对板状构件当中的配置于所述电波暗室侧的所述板状构件进行加热。
[4]在上述发明中，也可以构成为，所述移动单元具备保持所述DUT的保持部，所述保持部具备反射从所述第一天线及第二天线辐射的电波的反射器，所述反射器相对于所述插座的主面倾斜。
[5]在上述发明中，也可以构成为，所述反射器以在所述插座的主面的法线方向上与所述第一天线对置的方式设置于所述保持部。
[6]在上述发明中，也可以构成为，所述保持部具备与所述DUT抵接的抵接部，所述反射器被保持于所述抵接部。
[7]在上述发明中，也可以构成为，所述保持部具备：筒状的抵接部，以包围所述第一天线的方式与所述DUT抵接；以及抽吸装置，对所述抵接部内的空间进行抽吸，所述抵接部具备：第三开口，形成于所述抵接部的侧壁；以及第二窗构件，能够使从所述第一天线或第二天线辐射的电波透过，所述第二窗构件封闭所述第三开口，所述反射器以与所述第二窗构件对置的方式配置于所述抵接部的内部。
[8]在上述发明中，也可以构成为，所述电子部件处理装置具备：一个所述恒温槽；多个所述电波暗室；以及多个所述第一窗构件，所述恒温槽具有多个所述第一开口，所述恒温槽和多个所述电波暗室以多个所述第一开口和多个所述电波暗室的所述第二开口分别对置的方式连接，多个所述第一窗构件分别封闭多个所述第一开口。
[9]在上述发明中，也可以构成为，满足下述(1)式。
W1≥W2…(1)
其中，在上述(1)式中，W1是所述第一开口的宽度，W2是从所述第一天线辐射并由所述反射器反射后的电波到达所述第一开口时的在所述第一开口的宽度方向上的所述电波的扩展宽度。
[10]本发明所涉及的电子部件测试装置具备：上述的电子部件处理装置；以及测试器，具备安装有所述插座的测试头，所述测试器在所述DUT与所述插座电连接并且所述测试器与所述第二天线电连接的状态下，通过在所述第一天线和第二天线之间收发电波来对所述DUT进行测试。
[11]本发明所涉及的电子部件测试装置具备：插座，与具有第一天线的DUT电连接；测试器，具备安装有所述插座的测试头；恒温槽，在内部配置有所述插座；电波暗室，与所述恒温槽相邻配置；第二天线，配置于所述电波暗室的内部；以及第一窗构件，能够使从所述第一天线或第二天线辐射的电波透过，所述恒温槽具备形成于所述恒温槽的壁面的第一开口，所述电波暗室具备：电波吸收材料，配置于所述电波暗室的内壁；以及第二开口，朝向所述第二天线的电波的收发方向开口，所述恒温槽和所述电波暗室以所述第一开口与所述第二开口对置的方式连接，所述第一窗构件封闭所述第一开口，所述插座具备：插座主体，保持与所述DUT电连接的触头；以及插座盖，覆盖所述插座主体，并将所述DUT朝向所述插座主体按压，所述插座盖具有反射从所述第一天线或第二天线辐射的电波的反射器，所述反射器相对于所述插座主体的主面倾斜，所述测试器在所述DUT与所述插座电连接并且所述测试器与所述第二天线电连接的状态下，通过在所述第一天线和第二天线之间收发电波来对所述DUT进行测试。
[12]在上述发明中，也可以构成为，所述第一窗构件具备：一对板状构件，能够使从所述第一天线或第二天线辐射的电波透过；以及间隔件，介于所述一对板状构件之间，并在所述一对板状构件之间形成空间，所述电子部件测试装置具备供给装置，该供给装置向所述空间供给干燥空气。
[13]在上述发明中，也可以构成为，所述电子部件测试装置具备加热装置，该加热装置安装于所述电波暗室的壁面，并对所述一对板状构件当中的配置于所述电波暗室侧的所述板状构件进行加热。
[14]本发明所涉及的插座具备：插座主体，保持与具有第一天线的DUT电连接的触头；以及插座盖，覆盖所述插座主体，并将所述DUT按压于所述插座主体，所述插座盖具有反射从所述第一天线辐射的电波的反射器，所述反射器相对于所述插座主体的主面倾斜。
[15]在上述发明中，也可以构成为，所述反射器以在所述插座主体的主面的法线方向上与所述第一天线对置的方式设置于所述插座盖。
[16]在上述发明中，也可以构成为，所述插座盖具备与载置于所述载置面的所述DUT抵接的抵接部，所述反射器被保持于所述抵接部。
发明效果
在本发明中，以使第一开口与第二开口对置的方式连接恒温槽和电波暗室，并且第一窗构件封闭第一开口，该第一窗构件能够使从DUT具有的第一天线或设置于电波暗室的第二天线辐射的电波透过。由此，即使在一边在恒温槽中对DUT施加温度一边进行DUT的测试的情况下，电波暗室内的电波吸收件也不会受到热应力的影响，从而能够抑制电波吸收件的劣化，因此能够高精度地实施具有天线的DUT的OTA测试。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式中的电子部件测试装置的整体结构的概略剖视图。
图2是沿着图1的II-II线的放大剖视图。
图3的(a)及图3的(b)是表示本发明的第一实施方式中的接触卡盘的剖视图，图3的(a)是表示接触卡盘与DUT抵接之前的状态的图，图3的(b)是表示接触卡盘与DUT抵接的状态的图。
图4是表示本发明的第一实施方式中的接触卡盘的第一变形例的剖视图。
图5是表示本发明的第一实施方式中的接触卡盘的第二变形例的剖视图。
图6是表示本发明的第一实施方式中的顶推件的侧视图，并且是沿着图1的VI方向观察顶推件的图。
图7是本发明的第一实施方式中的顶推件的剖视图，并且是沿着图1的VII-VII线的剖视图。
图8是与图1的VIII部对应的放大剖视图，并且是表示将DUT按压到插座之前的状态的图。
图9是与图1的VIII部对应的放大剖视图，并且是表示将DUT按压于插座的状态的图。
图10是表示本发明的第一实施方式中的电子部件测试装置的第一变形例的剖视图。
图11是表示本发明的第一实施方式中的电子部件测试装置的第二变形例的剖视图。
图12是表示本发明的第二实施方式中的电子部件测试装置的整体结构的概略剖视图。
图13是与图12的XIII部对应的放大剖视图，并且是表示将DUT按压到插座之前的状态的图。
图14是与图12的XIII部对应的放大剖视图，并且是表示将DUT按压于插座的状态的图。
图15是表示本发明的第二实施方式中的插座盖的侧视图，并且是沿着图12的XV方向观察插座盖的图。
图16是表示本发明的第二实施方式中的插座盖的剖视图，并且是沿着图12的XVI-XVI线的图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式进行说明。
《第一实施方式》
图1是表示本实施方式中的电子部件测试装置的整体结构的概略剖视图，图2是沿着图1的II-II线的放大剖视图。
本实施方式中的电子部件测试装置1是实施具有设备天线12的DUT10的OTA测试的装置。具体而言，该电子部件测试装置1是如下的装置：用于使测试天线60(后述)在远场(Far Field)接收从具备设备天线12的DUT10辐射的频率为24.250～52.600GHz的电波(所谓的毫米波)，来测试该DUT10的电波辐射特性，并且使DUT10在远场接收从测试天线60辐射出的毫米波，来测试该DUT10的电波接收特性。
作为测试对象的DUT10是所谓的AiP(Antenna in Package：封装天线)设备，具备形成在基板11上的设备天线12、安装于该基板11的上表面的半导体芯片13、以及形成于该基板11的下表面的输入输出端子14(参照图3的(a))。半导体芯片13是控制设备天线12的收发的器件。作为DUT10所具备的设备天线12的具体例子，可以例示出贴片天线、偶极子天线及八木天线等。另外，虽未特别图示，但也可以将半导体芯片13安装于基板11的下表面。
实施方式中的DUT10相当于本发明中的“DUT”的一例，本实施方式中的设备天线12相当于本发明中的“第一天线”的一例。
如图1所示，本实施方式中的电子部件测试装置1具有使DUT10移动的处理器2和执行DUT10的测试的测试器3。处理器2将DUT10按压到安装于测试器3所具备的测试头32(后述)的插座90(后述)，将DUT10与测试器3电连接。之后，测试器3对DUT10执行如下的测试。首先，测试器3经由插座90向DUT10发送测试信号，使得从DUT10的设备天线12辐射电波。通过由设置于电波暗室50(后述)的测试天线60(后述)接收该电波，由此进行DUT10的电波辐射特性的测试。接着，通过使测试天线60辐射电波，并由DUT10接收，由此进行DUT10的电波接收特性的测试。
本实施方式中的电子部件测试装置1相当于本发明中的“电子部件测试装置”的一例，本实施方式中的处理器2相当于本发明中的“电子部件处理装置”的一例，本实施方式中的测试器3相当于本发明中的“测试器”的一例。
如图1和图2所示，处理器2具有恒温槽20、窗构件40、电波暗室50、测试天线60、接触臂71、干燥空气供给装置72和加热器73。
本实施方式中的恒温槽20相当于本发明中的“恒温槽”的一例，本实施方式中的窗构件40相当于本发明中的“第一窗构件”的一例，本实施方式中的电波暗室50相当于本发明中的“电波暗室”的一例，本实施方式中的测试天线60相当于本发明中的“第二天线”的一例，本实施方式中的接触臂71相当于本发明中的“移动单元”的一例，本实施方式中的干燥空气供给装置72相当于本发明中的“供给装置”的一例，本实施方式中的加热器73相当于本发明中的“加热装置”的一例。
如图1所示，处理器2具有向侧方突出的部分，在该突出部分收容有恒温槽20，并且在该突出部分的下方的空间配置有测试头32。即，在测试头32的上方配置有恒温槽20。该恒温槽20经由形成于该恒温槽20的底部的开口而在内部配置有插座90，其是向配置于插座90的DUT10施加高温或低温的温度的装置。虽然没有特别限定，但恒温槽20优选能够在-55℃～+155℃的范围内调整温度。
在本实施方式中，在该恒温槽20的横向的壁面20a形成有开口21。该壁面20a是与电波暗室50对置的面，电波暗室50与恒温槽20相邻配置。本实施方式中的开口21相当于本发明中的“第一开口”的一例。
窗构件40嵌入于该开口21，气密地封闭该开口21。如图2所示，该窗构件40具备一对板状构件41、间隔件42、以及由一对板状构件41和间隔件42围成的空间43。通过在开口21配置有窗构件40，从而使恒温槽20和与恒温槽20相邻配置的电波暗室50绝热。本实施方式中的板状构件41相当于本发明中的“板状构件”的一例，本实施方式中的间隔件42相当于本发明中的“间隔件”的一例。
一对板状构件41配置在开口21内，并隔着空间43大致平行地排列。该板状构件41由能够使从设备天线12及测试天线60辐射的电波透过的材料构成。作为构成该板状构件41的材料的具体例，可以例示出强化玻璃及PEEK(聚醚醚酮)材料等。
间隔件42并无特别限定，是具有大致U字的截面形状的矩形的框体，并沿着板状构件41的外周部分设置。一对板状构件41通过间隔件42而相互隔开间隔地配置，由此，在窗构件40形成有由一对板状构件41和间隔件42围成的空间43。通过窗构件40具有空间43，从而窗构件40的绝热性能得到提高。
如图1和图2所示，电波暗室50具备屏蔽箱51和配置于屏蔽箱51的内壁的电波吸收件52。该电波暗室50能够防止来自外部的不需要的电波的侵入，并且能够消除内部的电波的反射。本实施方式中的电波吸收件52相当于本发明中的“电波吸收件”的一例。
屏蔽箱51是金属制的箱体，由铝等金属构成。该屏蔽箱51具有遮断来自外部的电波的功能。
电波吸收件52具有排列有多个四棱锥形状的构件的结构，并配置于屏蔽箱51的内壁。作为电波吸收件52的材料，例如可以例示出铁素体及树脂材料等。电波吸收件52具有吸收电波暗室50内部的电波，并消除电波暗室50内的电波的反射的功能。
在本实施方式中，电波暗室50具有在横向上开口的开口53。该开口53形成于电波暗室50的壁面之中的与恒温槽20相邻的面。以该开口53与恒温槽20的开口21对置的方式使电波暗室50与恒温槽20连接。即，在本实施方式中，电波暗室50配置于恒温槽20的侧方(水平方向)。因此，与将电波暗室设置于恒温槽的上部的情况相比，电波暗室的维护性优异。本实施方式中的开口53相当于本发明中的“第二开口”的一例。
测试天线60配置于电波暗室50的内部。测试天线60是接收从DUT10的设备天线12辐射的电波，并且向DUT10的设备天线12辐射电波的天线。作为测试天线60，例如可以例示出喇叭天线及贴片天线等。虽然并无特别限定，但例如测试天线60也可以由以矩阵状形成在基板上的多个贴片天线构成。
该测试天线60朝向开口53配置在电波暗室50内，使得接收从该开口53进来的电波并且朝向该开口53辐射电波。换言之，电波暗室50的开口53形成为朝向测试天线60的电波的收发方向开口。测试天线60由安装于电波暗室50的壁面的固定构件55固定。
接触臂71是使DUT10移动的移动单元，被支承于处理器2所具备的轨道(未图示)。该接触臂71具备水平移动用的致动器(未图示)，能够沿着轨道向前后左右移动。另外，该接触臂71具备上下驱动用的致动器(未图示)，能够在上下方向上移动。该接触臂71具备安装于该接触臂71的前端的接触卡盘80，能够保持DUT10来使其移动。本实施方式中的接触卡盘80相当于本发明中的“保持部”的一例。
干燥空气供给装置72是向窗构件40的空间43供给干燥空气(dry air)的装置。该干燥空气供给装置72例如具备泵及除湿器等，如图2所示，经由配置于恒温槽20的壁面20a的内部的供给配管722及供给口721与窗构件40的空间43连通。
从该干燥空气供给装置72送出的干燥空气通过与窗构件40的空间43连通的一个供给配管722从供给口721供给到空间43。然后，供给到该空间43的干燥空气通过另一个供给口721及供给配管722被干燥空气供给装置72回收，并排出到大气中。该干燥空气并无特别限定，优选为JIS B8392-1中的湿度的等级一级(压力露点≤-70℃)。干燥空气供给装置72在处理器2的启动期间始终向窗构件40的空间43供给干燥空气。
这样，在本实施方式中，通过向空间43供给干燥空气，能够抑制由于恒温槽20内的温度上升而致使板状构件41成为高温的情况。此外，一般而言，毫米波具有容易被水分吸收的性质。对此，在本实施方式中，通过向窗构件40的空间43供给干燥空气，也能够抑制在低温时在板状构件41发生结露的情况，由此能够抑制电波被因结露而产生的水滴吸收的情况。
加热器73是对电波暗室50侧的板状构件41进行加热的加热装置。加热器73具有棒形状，如图2所示，沿着铅垂方向安装在电波暗室50的屏蔽箱51的壁面内。作为该加热器73的具体例，并无特别限定，可以例示出棒状的筒式加热器。加热器73的安装位置并不特别限定于此，但加热器73优选配置于开口53的附近。
通过利用该加热器73对一对板状构件41之中的配置于电波暗室50侧的板状构件41进行加热，能够抑制在低温时在该板状构件41发生结露的情况。
图3的(a)及图3的(b)是表示本实施方式中的接触卡盘的剖视图，图3的(a)是表示接触卡盘与DUT抵接之前的状态的图，图3的(b)是表示接触卡盘与DUT抵接的状态的图。图4是表示本实施方式中的顶推件的第一变形例的剖视图，图5是表示本实施方式中的顶推件的第二变形例的剖视图。图6是表示本实施方式中的顶推件的侧视图，并且是沿着图1的VI方向观察顶推件的图。图7是本实施方式中的顶推件的剖视图，并且是沿着图1的VII-VII线的剖视图。
如图3的(a)所示，接触卡盘80具备卡盘主体81、与DUT10抵接的顶推件82、以及反射电波的反射器83。接触卡盘80具有吸附保持DUT10的功能。本实施方式中的顶推件82相当于本发明中的“抵接部”的一例，本实施方式中的反射器83相当于本发明中的“反射器”的一例。
卡盘主体81具备用于吸附保持DUT10的抽吸配管811。抽吸配管811沿着铅垂方向形成于主体部的内部，并在卡盘主体81的下表面开口。通过利用真空泵84从该抽吸配管811抽吸空气，从而接触臂71能够保持DUT10。本实施方式中的真空泵84相当于本发明中的“抽吸装置”的一例。
顶推件82以能够拆装的方式安装于卡盘主体81。该顶推件82具有方筒状的形状，并以顶推件82的上端与卡盘主体81的下表面相接的方式被安装。顶推件82的下端82a开口，下端82a的开口具有能够包围DUT10的设备天线12的程度的大小。如图3的(b)所示，通过该下端82a以包围DUT10的设备天线12的方式与DUT10抵接，从而顶推件82内的空间被密闭，通过利用真空泵84对卡盘主体81内的空间进行抽吸，接触卡盘80能够吸附DUT10。
另外，如图4所示，顶推件82也可以具有多个抽吸配管823。该抽吸配管823形成于顶推件82的壁面的内部，与卡盘主体81的抽吸配管811连通，并且在顶推件82的下端82a开口。另外，抽吸配管811不在卡盘主体81的下表面开口。在该变形例中，在顶推件82的下端82a与DUT10抵接时，通过从该抽吸配管823抽吸空气，能够吸附保持DUT10。
另外，在该图4所示的变形例的情况下，卡盘主体81不需要具有筒状的形状。虽然没有特别限定，但是例如也可以由配置成包围反射器83的4根柱状构件构成卡盘主体81，并由该柱状构件保持反射器83，并且在该柱状构件的内部形成抽吸配管823。
另外，如图5所示，顶推件82也可以具有配置于顶推件82的内壁的片状的电波吸收件824。作为构成该电波吸收件824的材料，可以使用与构成上述电波吸收件52的材料相同的材料。
在接触卡盘80保持DUT10时，如图3的(a)所示，通过接触臂71使接触卡盘80移动到DUT10的正上方。接着，如图3的(b)所示，通过利用接触臂71使顶推件82的下端82a与DUT10抵接，由此形成由卡盘主体81、顶推件82及DUT10围成的密闭空间。之后，通过从抽吸配管811抽吸该密闭空间的空气，由此将DUT10保持于接触卡盘80。
本实施方式的顶推件82还具备开口821和窗构件822。本实施方式中的开口821相当于本发明的“第三开口”的一例，本实施方式中的窗构件822相当于本发明中的“第二窗构件”的一例。
如图6所示，开口821具有矩形形状，并形成于顶推件82的侧壁。该开口821配置为，在测试DUT10时，在DUT10被接触臂71的接触卡盘80按压于插座90的状态下，与恒温槽20的开口21相对。开口821的形状并不特别限定于矩形，也可以是圆形、三角形等。
如图6所示，窗构件822嵌入于开口821。该窗构件822是能够使从设备天线12辐射出的电波透过的一张平板状的构件。在测试DUT10时，该窗构件822使从DUT10的设备天线12辐射出的电波朝向电波暗室50内的测试天线60透过，并且使从测试天线60辐射出的电波朝向设备天线12透过。该窗构件822由能够使从设备天线12及测试天线60辐射的电波透过的材料构成，作为构成该窗构件822的具体材料，可以例示出强化玻璃及PEEK材料等。通过该窗构件822，开口821被气密地封闭。
如图3的(a)和图7所示，反射器83是金属制的矩形平板状的反射板，并设置于筒状的顶推件82的内部。具体而言，该反射器83通过在宽度方向上贯通该反射器83的销831而被固定(保持)于顶推件82的内壁。该反射器83设置于顶推件82，使得在顶推件82与DUT10抵接时在插座90的载置面93的法线上与DUT10对置。即，反射器98配置成在顶推件97与DUT10抵接时，位于DUT10的设备天线12的正上方。该反射器83具有如下功能：在测试DUT10时，将从该DUT10的设备天线12辐射出的电波的行进方向变更为朝向设置在电波暗室50内的测试天线60的方向，并且将从测试天线60辐射出的电波的行进方向变更为朝向设备天线12的方向(参照图9)。
该反射器83相对于设置于测试头32的插座90中的DUT10的载置面93倾斜。反射器83相对于载置面93的倾斜角度设定为，在测试DUT10时，将从设备天线12辐射出的电波向朝向测试天线60的方向反射，并且将从测试天线60辐射出的电波向朝向设备天线12的方向反射。举出一例，反射器83相对于载置面93的倾斜角度为45°。通过将这样的反射器83设置在顶推件82内，能够采用上述的在恒温槽20的侧方配置电波暗室50的布局。本实施方式中的载置面93相当于本发明中的“插座的主面”的一例。
反射器83具有矩形形状，但并不特别限定于此，也可以是圆形、三角形等。另外，反射器83由平板构成，但并不特别限定于此。例如，反射器83的电波的反射面也可以为中央部分凹陷的球面。
如图1所示，测试器3包括主框架(测试器主体)31、测试头32和插座90。主框架31经由电缆311与测试头32连接，并且经由电缆312与测试天线60连接。主框架31经由测试头32向DUT10送出测试信号来测试DUT10，并根据该测试结果来评价DUT10。
测试头32经由电缆311与主框架31连接，在测试DUT10时，向DUT10送出测试信号。虽未特别图示，但在该测试头32收纳有与插座90电连接的管脚电路。
插座90安装在测试头32之上，具备插座主体91和触头92(参照图8和图9)。触头92被保持于插座主体91，并配置成与DUT10的输入输出端子14对应。作为该触头92，并无特别限定，可以例示出弹簧针或各向异性导电橡胶片等。通过利用接触臂71使DUT10的输入输出端子14与插座90的触头92接触，从而使该DUT10与插座90电连接。经由该插座90从主框架31向DUT10送出测试信号。
以下，参照图3的(a)、图3的(b)、图8及图9对通过本实施方式中的电子部件测试装置1进行的DUT10的OTA测试进行说明。
图8和图9是与图1的VIII部对应的放大剖视图，图8是表示将DUT按压到插座之前的状态的图，图9是表示将DUT按压于插座的状态的图。
首先，启动恒温槽20，将恒温槽20内调整为给定的温度，并且通过干燥空气供给装置72开始向空间43供给干燥空气。
接着，如图3的(a)所示，处理器2的接触臂71在移动到作为测试对象的DUT10的正上方之后，如图3的(b)所示，朝向DUT10下降，顶推件82的下端82a以包围设备天线12的方式与DUT10抵接。
接着，通过从卡盘主体81的抽吸配管811抽吸空气，接触卡盘80吸附保持DUT10。然后，如图8所示，通过接触臂71而移动到插座90的正上方。
接着，如图9所示，接触卡盘80通过接触臂71而下降，保持于接触卡盘80的DUT10被按压于插座90，DUT10的输入输出端子14与插座90的触头92接触。在DUT10被按压于插座90的状态下，顶推件82的开口821与恒温槽20的开口21对置。由此，成为反射器83、开口821、21、53及测试天线60排列在同一直线上的配置。
然后，在DUT10被按压于插座90的状态下，实施以下的DUT10的电波辐射特性的测试和电波接收特性的测试。
具体而言，首先，从主框架31输出的测试信号经由安装于测试头32的插座90的触头92被送出到DUT10。然后，如图9所示，接收到该测试信号的DUT10从设备天线12朝向上方辐射电波。该电波到达反射器83并被该反射器83向电波暗室50的方向反射。接着，该电波透过窗构件822、40进入到电波暗室50内，被测试天线60接收。然后，由测试天线60接收到的电波被转换为电信号并经由电缆312送出到主框架31，基于该信号来评价DUT10的电波辐射特性。
接着，在将DUT10按压于插座90的状态下，从主框架31输出的测试信号经由电缆312送出到测试天线60。接收到该测试信号的测试天线60朝向电波暗室50的开口53辐射电波。该电波在透过窗构件40、822之后，到达反射器83并被该反射器83向DUT10的方向反射。接着，该电波被DUT10的设备天线12接收。然后，由设备天线12接收到的电波被转换为电信号，并经由插座90的触头92、测试头32及电缆311送出到主框架31，基于该信号来评价DUT10的电波接收特性。
在评价DUT10之后，接触臂71向上方移动，DUT10从插座90离开。至此，DUT10的测试结束。
如上所述，在本实施方式中，以开口21、53对置的方式连接恒温槽20和电波暗室50，并且窗构件40封闭开口21，该窗构件40能够使从设备天线12和测试天线60辐射的电波透过。由此，即使在一边在恒温槽20中对DUT10施加温度(高温或低温)一边进行DUT10的测试的情况下，电波暗室50内的电波吸收件52也不会受到热应力的影响，从而能够抑制电波吸收件52的劣化，因此能够高精度地实施具有设备天线12的DUT10的OTA测试。
另外，在远场的OTA测试中，需要使设备天线与测试天线分离一定程度，但在通常的处理器中，在测试时接触卡盘会位于DUT的上方，因此接触卡盘介于设备天线与测试天线之间，无法实施OTA测试。
与此相对，在本实施方式中，由于接触卡盘80具有反射器83，所以能够在通过接触臂71将DUT10按压到插座90的状态下，进行远场的OTA测试。因此，不需要通过手动作业进行DUT10向插座90的安装，能够使用处理器2连续自动地实施大量的DUT10的测试，因此能够实现具有设备天线12的DUT10的OTA测试的效率化。
另外，在本实施方式中，处理器2仅具备一个电波暗室50，但电波暗室50的个数并不特别限定于此，如图10所示，处理器2也可以具备多个电波暗室50。在该情况下，由于处理器2具备多个电波暗室50，从而能够同时测试多个DUT10。图10是表示本发明的第一实施方式中的电子部件测试装置的第一变形例的剖视图，并且是从上方观察沿着水平方向切断后的电子部件测试装置的剖视图。
在图10所示的变形例的情况下，电波暗室50以测试天线60的电波的收发方向分别平行的方式与恒温槽20相邻配置。另外，恒温槽20具备与电波暗室50相同数量的开口21，各个开口21均被窗构件40封闭。恒温槽20和多个电波暗室50以多个开口21与多个电波暗室50的开口53对置的方式连接。
另外，在图10所示的变形例的情况下，处理器2具备与电波暗室50相同数量的接触臂71，各个接触臂71具备接触卡盘80。各个接触卡盘80的顶推件82以相对于测试天线60的铅垂方向及水平方向的位置一致的方式安装于接触卡盘80。
另外，在图10所示的变形例的情况下，在测试DUT10时，调整反射器83的形状、反射器83与测试天线60之间的距离、以及顶推件82之间及电波暗室50之间的距离，使得由反射器83反射的电波互不干扰。
具体而言，在图10中，开口21的宽度W1调整为在反射器83反射而到达窗构件40的电波R中的在开口21的宽度方向上的扩展宽度W2以上(W1≥W2)。由此，在同时测定多个DUT10的情况下，由于能够抑制由反射器83反射的电波相互干扰的情况，所以能够高精度地实施DUT10的测试。
或者，如图11所示，处理器2也可以具备分别与恒温槽20的四方的壁面相邻的多个电波暗室50。在该情况下，处理器2也具备与电波暗室50相同数量的接触臂71，并且各个接触臂71具备接触卡盘80。各个接触卡盘80的顶推件82以相对于测试天线60的铅垂方向及水平方向的位置一致的方式安装于接触卡盘80。图11是表示本实施方式中的电子部件测试装置的第二变形例的俯视时的剖视图，并且是从上方观察沿着水平方向切断后的电子部件测试装置的剖视图。
在图11所示的变形例的情况下，恒温槽20也具备与电波暗室50相同数量的开口21，并且各个开口21均被窗构件40封闭。恒温槽20和多个电波暗室50以多个开口21与多个电波暗室50的开口53对置的方式连接。
《第二实施方式》
图12是表示本实施方式中的电子部件测试装置的整体结构的概略剖视图。图13及图14是与图12的XIII部对应的放大剖视图，图13是表示将DUT10按压到插座90B之前的状态的图，图14是表示将DUT10按压于插座90B的状态的图。图15是表示本实施方式中的插座盖的侧视图，并且是沿着图12的XV方向观察插座盖的图，图16是表示本实施方式中的插座盖的剖视图，并且是沿着图12的XVI-XVI线的剖视图。
本实施方式中的电子部件测试装置1B是用于将DUT10手动设置于插座90B来测试DUT10的装置，是所谓的手动型的测试装置。在本实施方式中，电子部件测试装置1B在不具备处理器2(接触臂71)这一点、以及插座90B的结构上与第一实施方式不同，除此之外的结构相同。以下，仅对第二实施方式中的电子部件测试装置1B的与第一实施方式的不同点进行说明，对作为与第一实施方式相同的结构的部分标注相同的符号并省略说明。
如图12所示，本实施方式中的测试装置1B的恒温槽20具有门22。通过打开门22，能够通过手动作业将DUT10及插座盖95(后述)设置于恒温槽20内部的插座主体91B。
如图13及图14所示，本实施方式中的插座90B具备插座主体91B、触头92、以及覆盖插座主体91B的插座盖95。本实施方式中的插座主体91B相当于本发明中的“插座主体”的一例，本实施方式中的插座盖95相当于本发明中的“插座盖”的一例。
插座盖95是覆盖载置于插座主体91B的DUT10的构件，具有在测试DUT10时将DUT10按压于插座主体91B的功能。另外，在本实施方式中，该插座盖95还具有如下功能：在测试DUT10时，将从该DUT10的设备天线12辐射出的电波的行进方向变更为朝向设置在电波暗室50内的测试天线60的方向，并且将从测试天线60辐射出的电波的行进方向变更为朝向DUT10的方向。该插座盖95具备盖主体96和顶推件97。
盖主体96是覆盖插座主体91B的箱体，具有开口961、窗构件962和凹部963。
如图15所示，开口961具有矩形形状，并形成于盖主体96的侧壁。如图14所示，该开口961配置成在测试DUT10时，在DUT10***座盖95按压于插座主体91B的状态下，与恒温槽20的开口21相对。开口961的形状并不特别限定于矩形，也可以是圆形、三角形等。
如图15所示，窗构件962配置成嵌入于开口961。该窗构件962能够使电波透过，在测试DUT10时，使从DUT10的设备天线12辐射出的电波朝向电波暗室50内的测试天线60透过。窗构件962由能够使从设备天线12及测试天线60辐射的电波透过的树脂材料构成，作为构成该窗构件962的具体材料，可以例示出强化玻璃及PEEK材料等。通过该窗构件962，开口961被气密地封闭。
如图14及图15所示，凹部963是形成于盖主体96的外侧表面的凹陷。该凹部963形成为与插座主体91B的闩锁94(后述)卡合。
顶推件97具有方筒状的形状，并以顶推件97的上端与盖主体96的下表面相接的方式被安装。顶推件97具备形成于侧壁的开口971和嵌入到开口971的窗构件972。顶推件97的下端97a开口，下端97a的开口具有能够包围DUT10的设备天线12的程度的大小。
开口971具有矩形形状，并形成于顶推件97的侧壁。该开口971配置成与开口961相对。开口971的形状并不特别限定于矩形，也可以是圆形、三角形等。
窗构件972配置成嵌入于开口971。该窗构件972与窗构件962同样地，在测试DUT10时，使从DUT10的设备天线12辐射出的电波朝向电波暗室50内的测试天线60透过，并且使从测试天线60辐射出的电波朝向设备天线12透过。作为构成窗构件972的材料，可以使用与构成窗构件962的材料相同的材料。通过该窗构件972，开口971被气密地封闭。
如图14和图16所示，反射器98是金属制的矩形平板状的反射板，并设置于筒状的顶推件82的内部。具体而言，该反射器83通过在宽度方向上贯通该反射器98的销981而被固定(保持)于顶推件的内壁。该反射器98设置于顶推件82，使得在顶推件97与DUT10抵接时，在插座主体91B的载置面93的法线上与DUT10对置。即，反射器98配置成在顶推件97与DUT10抵接时位于DUT10的设备天线12的正上方。该反射器98具有如下功能：在测试DUT10时，将从DUT10的设备天线12辐射出的电波的行进方向变更为朝向设置在电波暗室50内的测试天线60的方向，并且将从测试天线60辐射出的电波的行进方向变更为朝向设备天线12的方向(参照图14)。
反射器98相对于设置于测试头32的插座主体91B中的DUT10的载置面93倾斜。反射器98相对于载置面93的倾斜角度设定为，在测试DUT10时，将从设备天线12辐射出的电波向朝向测试天线60的方向反射，并且将从测试天线60辐射出的电波的行进方向变更为朝向设备天线12的方向。举出一例，反射器83相对于载置面93的倾斜角度为45°。通过将这样的反射器83设置于插座盖95的内部，能够采用在恒温槽20的侧方配置电波暗室50的布局。
反射器98具有矩形形状，但并不特别限定于此，也可以是圆形、三角形等。另外，反射器98由平板构成，但并不特别限定于此。例如，电波的反射面也可以为中央部分凹陷的球面。
插座主体91B与第一实施方式中的插座主体91的不同之处在于，具有闩锁94。该闩锁94安装于插座主体91B的上部，并朝向上方突出。如图14所示，闩锁94具有与插座盖95的凹部963卡合的形状，通过闩锁94与插座盖95的凹部963卡合，从而将插座盖95固定于插座主体91B，并且通过顶推件97将DUT10按压于插座主体91B。
以下，参照图13及图14对通过本实施方式中的电子部件测试装置1B进行的DUT10的OTA测试进行说明。
首先，如图13所示，将DUT10载置于插座主体91B的载置面93，并使DUT10的输入输出端子14与插座主体91B的触头92接触。
接着，如图13所示，使插座盖95移动到DUT10的正上方之后，使其朝向DUT10下降。然后，如图14所示，使插座主体91B的闩锁94与插座盖95的凹部963卡合，将插座盖95固定于插座主体91B。由此，顶推件97的下端97a以包围DUT10的设备天线12的方式抵接，DUT10被按压于插座主体91B。
通过将插座盖95固定于插座主体91B，顶推件97的开口961与恒温槽20的开口21对置。由此，成为反射器98、开口971、开口961、21、53及测试天线60排列在同一直线上的配置。
然后，在DUT10被按压于插座主体91B的状态下，启动恒温槽20来将恒温槽20内调整到给定的温度，并且在通过干燥空气供给装置72开始向空间43供给干燥空气之后，实施以下的DUT10的电波辐射特性和电波接收特性的测试。
具体而言，首先，从主框架31输出的测试信号经由安装于测试头32的插座90的触头92被送出到DUT10。然后，如图14所示，接收到该测试信号的DUT10从设备天线12朝向上方辐射电波。该电波到达反射器98而向电波暗室50的方向反射。接着，该电波透过窗构件972、962、40进入到电波暗室50内，被测试天线60接收。然后，由测试天线60接收到的电波被转换为电信号，并经由电缆312送出到主框架31，基于该信号来评价DUT10的电波辐射特性。
接着，在将DUT10按压于插座主体91B的状态下，从主框架31输出的测试信号经由电缆312送出到测试天线60。接收到该测试信号的测试天线60朝向电波暗室50的开口53辐射电波。该电波在透过窗构件40、962、972之后，到达反射器83而向DUT10的方向反射。接着，该电波被DUT10的设备天线12接收。然后，由设备天线12接收到的电波被转换为电信号，并经由插座90B的触头92、测试头32及电缆311送出到主框架31，基于该信号来评价DUT10的电波接收特性。
在评价DUT10之后，将插座盖95从插座主体91B拆下，并将DUT10从插座主体91B拆下。至此，DUT10的测试结束。
如上所述，在本实施方式中，与上述第一实施方式同样地，以使开口21、53对置的方式连接恒温槽20和电波暗室50，并且窗构件40封闭开口21，该窗构件40能够使从设备天线12和测试天线60辐射的电波透过。由此，即使在恒温槽20中一边对DUT10施加温度(高温或低温)一边进行DUT10的测试的情况下，电波暗室50内的电波吸收件52也不会受到热应力的影响，从而能够抑制电波吸收件52的劣化，因此能够高精度地实施具有设备天线12的DUT10的OTA测试。
另外，在本实施方式中，插座90B具备具有反射器98的插座盖95。因此，在测试DUT10时，通过插座盖95的反射器98，能够将从设备天线12辐射出的电波的行进方向转换为朝向电波暗室50内的测试天线60的方向。由此，能够提供一种可采用在恒温槽20的侧方配置电波暗室50的布局、并且电波暗室的维护性优异的电子部件测试装置。
另外，以上所说明的实施方式是为了容易理解本发明而记载的，并不是为了限定本发明而记载的。因此，上述的实施方式所公开的各要素意在也包含属于本发明的技术范围内的所有设计变更和等同物。
例如，在上述实施方式中，作为DUT的测试，电子部件测试装置对该DUT的电波辐射特性和电波接收特性这两者进行了测试，但并不特别限定于此。例如，作为DUT的测试，电子部件测试装置可以仅对该DUT的电波辐射特性或电波接收特性中的任一方进行测试。
符号说明
1、1B…电子部件测试装置
2…处理器
20…恒温槽
21…开口
40…窗构件
41…板状构件
42…空间
50…电波暗室
51…屏蔽箱
52…电波吸收件
53…开口
60…测试天线
71…接触臂
72…干燥空气供给装置
721…供给口
722…供给配管
73…加热器
80…接触卡盘
81…主体部
811…抽吸配管
82…顶推件
821…开口
822…窗构件
83…反射器
831…销
84…真空泵
3…测试器
31…主框架
311、312…电缆
32…测试头
90、90B…插座
91、91B…插座主体
92…触头
93…载置面
94…闩锁
95…插座盖
96…盖主体
961…开口
962…窗构件
963…凹部
97…顶推件
971…开口
972…窗构件
98…反射器
981…销
10…电子部件
11…基板
12…设备天线
13…半导体芯片
14…输入输出端子。

Claims (16)

1.一种电子部件处理装置，其具备：
恒温槽，能够在内部配置与具有第一天线的DUT即被测试电子部件电连接的插座；
移动单元，能够使所述DUT移动并将该DUT按压于所述插座；
电波暗室，与所述恒温槽相邻配置；
第二天线，配置于所述电波暗室的内部；以及
第一窗构件，能够使从所述第一天线或第二天线辐射的电波透过，
所述恒温槽具备形成于所述恒温槽的壁面的第一开口，
所述电波暗室具备：
电波吸收件，配置于所述电波暗室的内壁；以及
第二开口，朝向所述第二天线的电波的收发方向开口，
所述恒温槽和所述电波暗室以所述第一开口与所述第二开口对置的方式连接，
所述第一窗构件封闭所述第一开口。
2.根据权利要求1所述的电子部件处理装置，其中，
所述第一窗构件具备：
一对板状构件，能够使从所述第一天线或第二天线辐射的电波透过；以及
间隔件，介于所述一对板状构件之间，并在所述一对板状构件之间形成空间，
所述电子部件处理装置具备供给装置，该供给装置能够向所述空间供给干燥空气。
3.根据权利要求2所述的电子部件处理装置，其中，
所述电子部件处理装置具备加热装置，该加热装置对所述一对板状构件当中的配置于所述电波暗室侧的所述板状构件进行加热。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子部件处理装置，其中，
所述移动单元具备保持所述DUT的保持部，
所述保持部具备使从所述第一天线及第二天线辐射的电波反射的反射器，
所述反射器相对于所述插座的主面倾斜。
5.根据权利要求4所述的电子部件处理装置，其中，
所述反射器以在所述插座的主面的法线方向上与所述第一天线对置的方式设置于所述保持部。
6.根据权利要求4所述的电子部件处理装置，其中，
所述保持部具备与所述DUT抵接的抵接部，
所述反射器被保持于所述抵接部。
7.根据权利要求4所述的电子部件处理装置，其中，
所述保持部具备：
筒状的抵接部，以包围所述第一天线的方式与所述DUT抵接；以及
抽吸装置，对所述抵接部内的空间进行抽吸，
所述抵接部具备：
第三开口，形成于所述抵接部的侧壁；以及
第二窗构件，能够使从所述第一天线或第二天线辐射的电波透过，
所述第二窗构件封闭所述第三开口，
所述反射器以与所述第二窗构件对置的方式配置于所述抵接部的内部。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的电子部件处理装置，其中，
所述电子部件处理装置具备：
一个所述恒温槽；
多个所述电波暗室；以及
多个所述第一窗构件，
所述恒温槽具有多个所述第一开口，
所述恒温槽和多个所述电波暗室以多个所述第一开口和多个所述电波暗室的所述第二开口分别对置的方式连接，
多个所述第一窗构件分别封闭多个所述第一开口。
9.根据权利要求8所述的电子部件处理装置，其中，
所述电子部件处理装置满足下述(1)式：
W1≥W2…(1)
其中，在上述(1)式中，W1是所述第一开口的宽度，W2是从所述第一天线辐射并由所述反射器反射后的电波到达所述第一开口时的在所述第一开口的宽度方向上的所述电波的扩展宽度。
10.一种电子部件测试装置，其具备：
权利要求1至9中任一项所述的电子部件处理装置；以及
测试器，具备安装有所述插座的测试头，
所述测试器在所述DUT与所述插座电连接并且所述测试器与所述第二天线电连接的状态下，通过在所述第一天线和第二天线之间收发电波来对所述DUT进行测试。
11.一种电子部件测试装置，其具备：
插座，与具有第一天线的DUT即被测试电子部件电连接；
测试器，具备安装有所述插座的测试头；
恒温槽，在内部配置有所述插座；
电波暗室，与所述恒温槽相邻配置；
第二天线，配置于所述电波暗室的内部；以及
第一窗构件，能够使从所述第一天线或第二天线辐射的电波透过，
所述恒温槽具备形成于所述恒温槽的壁面的第一开口，
所述电波暗室具备：
电波吸收件，配置于所述电波暗室的内壁；以及
第二开口，朝向所述第二天线的电波的收发方向开口，
所述恒温槽和所述电波暗室以所述第一开口与所述第二开口对置的方式连接，
所述第一窗构件封闭所述第一开口，
所述插座具备：
插座主体，保持与所述DUT电连接的触头；以及
插座盖，覆盖所述插座主体，并将所述DUT朝向所述插座主体按压，
所述插座盖具有使从所述第一天线或第二天线辐射的电波反射的反射器，
所述反射器相对于所述插座主体的主面倾斜，
所述测试器在所述DUT与所述插座电连接并且所述测试器与所述第二天线电连接的状态下，通过在所述第一天线和第二天线之间收发电波来对所述DUT进行测试。
12.根据权利要求11所述的电子部件测试装置，其中，
所述第一窗构件具备：
一对板状构件，能够使从所述第一天线或第二天线辐射的电波透过；以及
间隔件，介于所述一对板状构件之间，并在所述一对板状构件之间形成空间，
所述电子部件测试装置具备供给装置，该供给装置向所述空间供给干燥空气。
13.根据权利要求11或12所述的电子部件测试装置，其中，
所述电子部件测试装置具备加热装置，该加热装置对所述一对板状构件当中的配置于所述电波暗室侧的所述板状构件进行加热。
14.一种插座，具备：
插座主体，保持与具有第一天线的DUT即被测试电子部件电连接的触头；以及
插座盖，覆盖所述插座主体，并将所述DUT按压于所述插座主体，
所述插座盖具有使从所述第一天线辐射的电波反射的反射器，
所述反射器相对于所述插座主体的主面倾斜。
15.根据权利要求14所述的插座，其中，
所述反射器以在所述插座主体的主面的法线方向上与所述第一天线对置的方式设置于所述插座盖。
16.根据权利要求14或15所述的插座，其中，
所述插座盖具备与载置于所述插座主体的所述DUT抵接的抵接部，
所述反射器被保持于所述抵接部。
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