CN113005484B - 经表面处理的铜箔、其制造方法、包括其的铜箔层叠体及包括铜箔层叠体的印刷线路板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了：一种经表面处理的铜箔，包括在未经处理的铜箔的至少一侧上形成的经表面处理的层和在经表面处理的层上形成的防氧化层，其中经表面处理的层包含平均粒径为约10nm至约100nm的铜颗粒，并且具有0.2μm至0.5μm的十点平均粗糙度Rz，以及200以上的光泽度(Gs 60°)，并且防氧化层包含镍(Ni)和磷(P)；这种经表面处理的铜箔的制造方法；一种包括经表面处理的铜箔的铜箔层叠体；以及一种包括铜箔层叠体的印刷线路板。

Description

经表面处理的铜箔、其制造方法、包括其的铜箔层叠体及包括 铜箔层叠体的印刷线路板
相关申请的交叉引用
本申请要求在2019年12月19日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0170662的权益，该申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本申请涉及一种经表面处理的铜箔、这种经表面处理的铜箔的制造方法、一种包括经表面处理的铜箔的铜箔层叠体以及一种包括铜箔层叠体的印刷线路板，并且更具体而言，涉及一种由于具有与树脂基材的优异粘合强度和低传输损耗而适合作为高频箔的经表面处理的铜箔、这种经表面处理的铜箔的制造方法、一种包括经表面处理的铜箔的铜箔层叠体以及一种包括铜箔层叠体的印刷线路板。
背景技术
随着电气/电子设备的小型化和轻量化的加速，在基材上形成的印刷电路变得更加复杂、高度集成和小型化，因此，用于印刷电路板的铜箔需要具备各种物理性质。
在电气/电子设备中使用的挠性板、高密度安装用多层板、高频电路板等(以下，将这些板材统称为“电路板”或“印刷线路板”)的制造中使用的复合板材由导体(铜箔)和支撑该导体的绝缘基材(包括薄膜)制成，并且绝缘基材确保了导体之间的绝缘性，并且具有对于支撑部件而言足够的强度。
近年来，由于向电路板的信号传输的速度增加，因此，形成电路板的绝缘材料的特性阻抗、信号传输速度等变得更加重要，需要改进绝缘材料的诸如介电常数和介电损耗之类的性质。
同时，通常为了提高相对于树脂的低粘合强度，使用在表面处理过程中放大电流和在表面处理过程中增加粒状铜的沉积量以提高十点平均粗糙度Rz的方法。虽然该方法可能适合作为提高粘合强度的方法，但是该方法不适合用于高频特性至关重要的电路板，并且具有以下缺点，即，当过度处理铜箔的表面以提高粘合强度时，干扰高频信号的传输的因素可能增加，并且信号传输可能受到不利影响。
发明内容
本申请旨在提供一种由于具有与树脂基材的优异粘合强度和低传输损耗而适合作为高频箔的经表面处理的铜箔、这种经表面处理的铜箔的制造方法、一种包括经表面处理的铜箔的铜箔层叠体以及一种包括铜箔层叠体的印刷线路板。
1.本申请的一个方面提供了一种经表面处理的铜箔。经表面处理的铝箔包括：在未经处理的铜箔的至少一侧上形成的经表面处理的层；以及在经表面处理的层上形成的防氧化层，其中，经表面处理的层可以包含平均粒径为约10nm至约100nm的铜颗粒，并且具有0.2μm至0.5μm的十点平均粗糙度Rz，以及200以上的光泽度(Gs 60°)，并且防氧化层可以包含镍(Ni)和磷(P)。
2.在第一实施方案中，未经处理的铜箔可为电解铜箔。
3.在第一或第二实施方案中，经表面处理的铜箔可以满足式1：
<式1>
约0μm≤A2-A1≤约0.2μm
在式1中，A1为铜箔在表面处理之前的十点平均粗糙度Rz，并且A2为铜箔在表面处理之后的十点平均粗糙度Rz。
4.在第一至第三实施方案中的任一个中，经表面处理的铜箔可以满足式2：
<式2>
约10≤B1-B2≤约200
在式2中，B1为铜箔在表面处理之前的光泽度(Gs 60°)，并且B2为铜箔在表面处理之后的光泽度(Gs 60°)。
5.在第一至第四实施方案中的任一个中，经表面处理的铜箔与聚酰亚胺(PI)膜或聚四氟乙烯(PTFE)膜的粘合强度可为约1.0kgf/cm以上。
6.在第一至第五实施方案中的任一个中，经表面处理的铜箔在20GHz的传输损耗(S21)为约3.0dB/100mm以下。
7.本申请的另一方面提供了一种制造根据第一至第六实施方案中的任一个所述的经表面处理的铜箔的方法。该方法可以包括将未经处理的铜箔浸渍到包含约10g/L至约60g/L的铜盐和约50g/L至约200g/L的添加剂的水溶液中，并且以约25℃至约45℃的溶液温度、约1至约7的pH和约5A/dm2至约10A/dm2的电流密度进行电镀，从而形成经表面处理的层，其中铜盐可以包括硫酸铜、硝酸铜、氯化铜、乙酸铜或者它们的组合，并且添加剂可以包括柠檬酸、乙二胺四乙酸、次氮基三乙酸、酒石酸、它们的盐或者它们的组合。
8.本申请的又一方面提供了一种铜箔层叠体。可以通过在树脂基材上层叠根据第一至第六实施方案中的任一个所述的经表面处理的铜箔或者由第七实施方案的方法制造的经表面处理的铜箔来形成铜箔层叠体。
9.本申请的还一方面提供了一种印刷线路板。可以使用根据第八实施方案的铜箔层叠体来形成印刷线路板。
本申请具有以下效果：提供了一种由于具有与树脂基材的优异粘合强度和低传输损耗而适合作为高频箔的经表面处理的铜箔、这种经表面处理的铜箔的制造方法、一种包括经表面处理的铜箔的铜箔层叠体以及一种包括铜箔层叠体的印刷线路板。
附图说明
图1为根据本申请的一个实施方案的经表面处理的铜箔的示意图。
图2为在表面处理之后的实施例2的铜箔的扫描电子显微镜(SEM)图像。
图3A为在表面处理之后的实施例2的铜箔的照片，并且图3B为在表面处理之后的比较例3的铜箔的照片。
具体实施方式
在本说明书中，除非上下文另外明确指出，否则单数表达包括复数表达。
在整个说明书中，相同的附图标记是指类似的部件。此外，在描述本申请时，当确定相关的已知技术的详细描述可能使本申请的要点模糊时，将省略该详细描述。
在描述两个部分的位置关系中，当将一个部分描述为在其他部分的“顶部”、“上方”、“下方”或“旁边”时，除非使用诸如“紧挨”和“直接”之类的表述，否则在两个部分之间可以存在一个或多个其他部分。
在描述附图时，使用诸如“上部”、“顶面”、“下部”和“底面”之类的表述描述的位置关系是基于附图描述的，并且不表示绝对位置关系。即，根据观察的点，“上部”可以变为“下部”，并且反之亦然，或者“顶面”可以变为“底面”，并且反之亦然。
在本说明书中，诸如“包括”、“包含”和“具有”之类的表述是指存在说明书中描述的特征或部件，并且不排除添加一个或多个其他特征或部件的可能性。
在本说明书中，当解释部件时，即使没有明确陈述，也将所有范围解释为包括误差范围。
在本说明书中，用于表示数值范围的表述“a至b的范围”限定了大于或等于a且小于或等于b的数值范围。
本申请的发明人发现，当经表面处理的铜箔包括在未经处理的铜箔的至少一侧上形成的经表面处理的层以及在经表面处理的层上形成的防氧化层，并且经表面处理的层包含平均粒径为约10nm至约100nm的铜颗粒，并且具有0.2μm至0.5μm的十点平均粗糙度Rz，以及200以上的光泽度(Gs 60°)，并且防氧化层包含镍(Ni)和磷(P)时，经表面处理的铜箔具有与树脂基材的优异粘合强度和在高频带中的低信号传输损耗，因此适合作为高频箔，从而完成了本申请。以下，将更详细地描述本申请。
未经处理的铜箔
作为未经处理的铜箔，可以使用已知的铜箔，而没有限制。根据一个实施方案，未经处理的铜箔可为电解铜箔，但本申请不限于此。
对于未经处理的铜箔的厚度没有特别的限制，并且可以根据经表面处理的铜箔的预期用途而变化。例如，当经表面处理的铜箔用于印刷线路板时，未经处理的铜箔的厚度的范围可为约6μm至约300μm，例如为约18μm至约70μm，但本申请不限于此。
经表面处理的层
经表面处理的层可以包含平均粒径为约10nm至约100nm(例如，10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm或100nm)的铜颗粒。当满足该范围时，经表面处理的铜箔可以具有与树脂基材的优异粘合强度以及低传输损耗，因此可以适合作为高频箔。在此，可以通过获得经表面处理的层的SEM图像并通过图像分析测量铜颗粒的粒径来计算“平均粒径”，并且可以基于总计100个颗粒来计算。根据一个实例，经表面处理的层中所含的铜颗粒的平均粒径的范围可为约20nm至约100nm，并且根据其他实例，该范围可为约50nm至约100nm，但本申请不限于此。
经表面处理的层的十点平均粗糙度Rz的范围可为约0.2μm至约0.5μm(例如，0.2μm、0.25μm、0.3μm、0.35μm、0.4μm、0.45μm或0.5μm)，并且经表面处理的层的光泽度(Gs 60°)可为约200以上。当满足上述范围时，经表面处理的铜箔可以具有与树脂基材的优异粘合强度以及低传输损耗，因此适合作为高频箔。在此，“十点平均粗糙度Rz”可以指如下定义的十点平均粗糙度Rz：在JIS B 0601-1994的“5.1表面粗糙度的定义和表示(5.1Definitionand Presentations of Surface Roughness)”中定义和规定的十点平均粗糙度，并且“光泽度(Gs 60°)”可以指根据JIS Z 874，通过用入射角为60°的测定光照射铜箔的表面，并测定以60°的反射角反射的光的强度而获得的值。根据一个实例，经表面处理的层的十点平均粗糙度Rz的范围可为约0.25μm至约0.5μm，并且根据另一实例，该范围可为约0.3μm至约0.45μm，并且光泽度(Gs 60°)的范围可为约200至约400(根据一个实例为200、210、220、230、240、250、260、270、280、290、300、310、320、330、340、350、360、370、380、390或400，并且根据另一实例，在约220至约380的范围内)，但是本申请不限于此。
对于表面处理方法没有特别的限制，但是(例如)可以通过对未经处理的铜箔进行电镀来形成经表面处理的层。作为电解质，可以使用包含约10g/L至约60g/L(根据一个实例为10g/L、20g/L、30g/L、40g/L、50g/L或60g/L，并且根据另一实例为约20g/L至约50g/L)的铜盐和约50g/L至约200g/L(根据一个实例为50g/L、60g/L、70g/L、80g/L、90g/L、100g/L、110g/L、120g/L、130g/L、140g/L、150g/L、160g/L、170g/L、180g/L、190g/L或200g/L，并且根据另一实例为约70g/L至约180g/L)的添加剂的水溶液，例如，可以使用pH调节到约1至约7的范围内(根据一个实例为1、2、3、4、5、6或7并且根据另一实例为约5至约7)的水溶液。铜盐的种类的实例可包括硫酸铜、硝酸铜、氯化铜、乙酸铜等，并且添加剂的种类的实例可包括柠檬酸、乙二胺四乙酸、次氮基三乙酸、酒石酸、它们的盐(例如，柠檬酸钠、乙二胺四乙酸二钠等)等，但本申请不限于此。可以通过(例如)将用作正极的不溶性电极和用作负极的未经处理的铜箔浸渍到电解质中，并以约25℃至约45℃(例如，25℃、30℃、35℃、40℃或45℃)的溶液温度和约5A/dm2至约10A/dm2(例如，5A/dm2、6A/dm2、7A/dm2、8A/dm2、9A/dm2或10A/dm2)的电流密度引发(例如)约5秒至约10秒(例如，5秒、6秒、7秒、8秒、9秒或10秒)的电解来进行电镀，但本申请不限于此。
根据一个实施方案，包括经表面处理的层的铜箔可以满足式1：
<式1>
约0μm≤A2-A1≤约0.2μm
在式1中，A1为铜箔在表面处理之前的十点平均粗糙度Rz，并且A2为铜箔在表面处理之后的十点平均粗糙度Rz。当满足该范围时，经表面处理的铜箔可以具有与树脂基材的优异粘合强度和低传输损耗，因此可以适合作为高频箔。例如，根据一个实例，由式1表示的铜箔在表面处理之前和之后的十点平均粗糙度Rz的差值可为0μm、0.01μm、0.02μm、0.03μm、0.04μm、0.05μm、0.06μm、0.07μm、0.08μm、0.09μm、0.1μm、0.11μm、0.12μm、0.13μm、0.14μm、0.15μm、0.16μm、0.17μm、0.18μm、0.19μm或0.2μm，根据另一实例，在约0μm至约0.15μm的范围内，并且根据又一实例，在约0μm至约0.1μm的范围内，但是本申请不限于此。
根据一个实施方案，包括经表面处理的层的铜箔可以满足式2：
<式2>
约10≤B1-B2≤约200
在式2中，B1为铜箔在表面处理之前的光泽度(Gs 60°)，并且B2为铜箔在表面处理之后的光泽度(Gs 60°)。当满足该范围时，经表面处理的铜箔可以具有与树脂基材的优异粘合强度以及低传输损耗，因此可以适合作为高频箔。例如，根据一个实例，由式2表示的铜箔在表面处理之前和之后的光泽度的差值可为10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190或200，根据另一实例，在约20至约200的范围内，并且根据又一实例，在约20至约180的范围内，但是本申请不限于此。
防氧化层
可以在经表面处理的层上形成防氧化层。防氧化层可以包含Ni和P。除了Ni和P之外，根据需要，防氧化层还可以包含锌(Zn)、钴(Co)、钛(Ti)、锡(Sn)等。
根据一个实例，防氧化层的沉积量的范围可为约30mg/m2至约300mg/m2，并且根据另一实例，该范围可为约50mg/m2至约120mg/m2，但是本申请不限于此。例如，在防氧化层中，可包含约15mg/m2至约150mg/m2的Ni，并且可包含约15mg/m2至约150mg/m2的P，但本申请不限于此。
对于形成防氧化层的方法没有特别的限制，但是例如，可以通过对包括经表面处理的层的铜箔进行电镀来形成防氧化层。作为电解质，可以使用包含约10g/L至约30g/L(根据一个实例为10g/L、15g/L、20g/L、25g/L或30g/L，并且根据另一实例，在约15g/L至约20g/L的范围内)的Ni盐，以及约20g/L至约60g/L(根据一个实例为20g/L、25g/L、30g/L、35g/L、40g/L、45g/L、50g/L、55g/L或60g/L，并且根据另一实例，在约30g/L至约40g/L的范围内)的磷酸的水溶液。可以通过(例如)将用作正极的不溶性电极和用作负极的包括经表面处理的层的铜箔浸渍到电解质中，并且以约25℃至约45℃(例如，25℃、30℃、35℃、40℃或45℃)的溶液温度和约1A/dm2至约10A/dm2(例如，1A/dm2、2A/dm2、3A/dm2、4A/dm2、5A/dm2、6A/dm2、7A/dm2、8A/dm2、9A/dm2或10A/dm2)的电流密度引发(例如)约1秒至约10秒(例如，1秒、2秒、3秒、4秒、5秒、6秒、7秒、8秒、9秒或10秒)的电解来进行电镀，但本申请不限于此。Ni盐的种类的实例可以包括硫酸镍、硝酸镍、氯化镍、乙酸镍等，但是本申请不限于此。
根据一个实施方案，经表面处理的铜箔与聚酰亚胺(PI)膜或聚四氟乙烯(PTFE)膜的粘合强度可为约1.0kgf/cm以上。在此，粘合强度可为根据JIS C6481标准测定的粘合强度。例如，经表面处理的铜箔与PI膜或PTFE膜的粘合强度的范围可为约1.0kgf/cm至约3.0kgf/cm(根据一个实例为1kgf/cm、1.1kgf/cm、1.2kgf/cm、1.3kgf/cm、1.4kgf/cm、1.5kgf/cm、1.6kgf/cm、1.7kgf/cm、1.8kgf/cm、1.9kgf/cm、2kgf/cm、2.1kgf/cm、2.2kgf/cm、2.3kgf/cm、2.4kgf/cm、2.5kgf/cm、2.6kgf/cm、2.7kgf/cm、2.8kgf/cm、2.9kgf/cm或3kgf/cm，根据另一实例，在约1.0kgf/cm至约2.0kgf/cm的范围内，并且根据又一实例，在约1.0kgf/cm至约1.7kgf/cm的范围内)，但本申请不限于此。
根据一个实施方案，经表面处理的铜箔在20GHz的传输损耗(S21)可为约3.0dB/100mm以下。在此，“在20GHz的传输损耗(S21)”可以指在PTFE树脂的两侧上贴附经表面处理的铜箔并形成微带线以使得特性阻抗为50Ω之后，使用网络分析仪在20GHz测定的传输损耗。例如，在20GHz测定的经表面处理的铜箔的传输损耗(S21)的范围可为约0.5dB/100mm至约3.0dB/100mm(根据一个实例为0.5dB/100mm、0.6dB/100mm、0.7dB/100mm、0.8dB/100mm、0.9dB/100mm、1dB/100mm、1.1dB/100mm、1.2dB/100mm、1.3dB/100mm、1.4dB/100mm，1.5dB/100mm、1.6dB/100mm、1.7dB/100mm、1.8dB/100mm、1.9dB/100mm、2dB/100mm、2.1dB/100mm、2.2dB/100mm、2.3dB/100mm、2.4dB/100mm、2.5dB/100mm、2.6dB/100mm、2.7dB/100mm、2.8dB/100mm、2.9dB/100mm或3dB/100mm，根据另一实例，在约1.0dB/100mm至约3.0dB/100mm的范围内，并且根据又一实例，在约1.5dB/100mm至约2.5dB/100mm的范围内)，但是本申请不限于此。
上述经表面处理的铜箔可以层叠在树脂基材上，并用作铜箔层叠体，并且该铜箔层叠体可以用于制造印刷线路板。
以下，将通过示例性实施方案更详细地描述本申请。然而，示例性实施方案仅作为本申请的实施例而呈现，并且不应在任何意义上解释为对本申请的限制。
实施例
实施例1
将铜箔(日进材料股份有限公司)浸渍到包含25g/L的硫酸铜和100g/L的乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)的水溶液中，在溶液温度为30℃、pH为7、并且电流密度为5A/dm2的条件下进行八秒的电镀，从而在铜箔上形成经表面处理的层。随后，将包括经表面处理的层的铜箔浸渍到包含20g/L的硫酸镍和40g/L的磷酸的水溶液中，在溶液温度为30℃并且电流密度为2A/dm2的条件下进行三秒的电镀，在经表面处理的层上形成Ni-P防氧化层，从而获得经表面处理的铜箔。
实施例2
以与实施例1相同的方式制造经表面处理的铜箔，不同之处在于，在经表面处理的层的形成中，使用45g/L的硫酸铜并且使用150g/L的EDTA-2Na。
实施例3
以与实施例1相同的方式制造经表面处理的铜箔，不同之处在于，在经表面处理的层的形成中，施加6A/dm2的电流密度。
实施例4
以与实施例1相同的方式制造经表面处理的铜箔，不同之处在于，在经表面处理的层的形成中，使用45g/L的硫酸铜，使用150g/L的EDTA-2Na，并施加6A/dm2的电流密度。
实施例5
以与实施例1相同的方式制造经表面处理的铜箔，不同之处在于，在经表面处理的层的形成中，施加9A/dm2的电流密度。
实施例6
以与实施例1相同的方式制造经表面处理的铜箔，不同之处在于，在经表面处理的层的形成中，使用45g/L的硫酸铜，使用150g/L的EDTA-2Na，并施加9A/dm2的电流密度。
比较例1
以与实施例1相同的方式制造经表面处理的铜箔，不同之处在于，不进行经表面处理的层的形成。
比较例2
以与实施例1相同的方式制造经表面处理的铜箔，不同之处在于，将包括经表面处理的层的铜箔浸渍到包含20g/L的硫酸镍和30g/L的硼酸的水溶液中，并且在溶液温度为30℃、pH为4并且电流密度为2A/dm2的条件下进行四秒的电镀，从而在经表面处理的层上形成Ni防氧化层。
比较例3
将铜箔(日进材料股份有限公司)浸渍在包含27g/L的硫酸铜和80g/L的硫酸的水溶液中之后，在溶液温度为30℃并且电流密度为10A/dm2的条件下进行五秒的初次电镀，将所得物浸渍在包含200g/L的硫酸铜和100g/L的硫酸的水溶液中，并且在溶液温度为30℃并且电流密度为10A/dm2的条件下进行六秒的二次电镀，从而在铜箔上形成经表面处理的层。随后，将包括经表面处理的层的铜箔浸渍到包含20g/L的硫酸镍和40g/L的磷酸的水溶液中之后，在溶液温度为30℃并且电流密度为2A/dm2的条件下进行三秒的电镀，从而在经表面处理的层上形成Ni-P防氧化层，从而获得经表面处理的铜箔。
比较例4
以与比较例3相同的方式制造经表面处理的铜箔，不同之处在于，使用35g/L的硫酸铜，使用70g/L的硫酸，并且在初次电镀过程中施加25A/dm2的电流密度和四秒的镀覆时间，并且在二次电镀过程中施加五秒的镀覆时间。
比较例5
以与比较例3相同的方式制造经表面处理的铜箔，不同之处在于，在初次电镀过程中施加30A/dm2的电流密度和六秒的镀覆时间。
通过以下物理性能评价方法评价实施例和比较例中制造的经表面处理的铜箔的物理性能，并且结果示于表1。
物理性质评价方法
(1)十点平均粗糙度Rz(单位：μm)：使用表面粗糙度测试仪，按照JIS B0601标准测定铜箔在表面处理之前和之后的十点平均粗糙度Rz。
(2)铜颗粒的平均粒径(单位：nm)：使用SEM拍摄表面处理之后的铜箔的表面的SEM图像后，测定100μm×100μm的面积内的100个铜颗粒的粒径，并且计算平均值。
(3)光泽度(Gs 60°)：按照JIS Z 8741标准测定在表面处理之后的铜箔的表面的光泽度。
(4)粘合强度(单位：kgf/cm)：按照JIS C6481标准测定经表面处理的铜箔的粘合强度。
(5)传输损耗(S21)(单位：dB/100mm)：在Teflon树脂(AGC化学品公司)的两侧上贴附厚度为12μm的经表面处理的铜箔之后，然后形成微带线以使得特征阻抗为50Ω，使用购自HP的网络分析仪在20GHz测定传输损耗。
(6)由热引起的变色：在200℃对经表面处理的铜箔进行30分钟的热处理之后，从视觉上确定变色的发生。当观察到变色时，标记为“○”，并且当没有观察到变色时，标记为“×”。
[表1]
参考表1，可以看出，相比于不是根据本申请的比较例1至5的情况，就经表面处理的层中所含的铜颗粒的平均粒径、十点平均粗糙度Rz和经表面处理的层的光泽度、以及防氧化层中所含的元素种类等方面而言，在根据本申请的实施例1至6的情况中，经表面处理的铜箔具有优异的粘合强度以及在20GHz的频率下的低传输损耗，因而适合作为高频箔。此外，可以看出，在使用与本申请的Ni-P防氧化层不同的防氧化层的比较例2的情况中，发生了由热引起的变色。
在上文中，已经通过示例性实施方案描述了本申请。然而，本申请所属领域的普通技术人员将能够理解，在不脱离本申请的本质特征的情况下，可以以修改的形式来实现本申请。因此，所公开的示例性实施方案应当从说明性的观点考虑，而不是从限制性的观点考虑。本申请的范围在权利要求中示出，而不是在前面的描述中示出，并且应当将落入与权利要求等同的范围内的所有差异解释为包括在本申请中。
附图标记
100：经表面处理的铜箔
10：铜箔
20：经表面处理的层
30：防氧化层

Claims (9)

1.一种经表面处理的铜箔，包括：
在未经处理的铜箔的至少一侧上形成的经表面处理的层；以及
在所述经表面处理的层上形成的防氧化层，
其中，所述经表面处理的层为Cu层，
其中，以5A/dm2至10A/dm2的电流密度进行Cu电镀从而形成所述经表面处理的层，
其中，所述经表面处理的层仅包含平均粒径为10nm至100nm的铜颗粒，并且具有0.2μm至0.5μm的十点平均粗糙度Rz，以及200以上的60°光泽度，并且所述防氧化层包含镍和磷。
2.根据权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其中所述未经处理的铜箔为电解铜箔。
3.根据权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其满足式1：
<式1>
0μm≤A2-A1≤0.2μm
在式1中，A1为所述铜箔在表面处理之前的十点平均粗糙度Rz，并且A2为所述铜箔在表面处理之后的十点平均粗糙度Rz。
4.根据权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其满足式2：
<式2>
10≤B1-B2≤200
在式2中，B1为所述铜箔在表面处理之前的60°光泽度，并且B2为所述铜箔在表面处理之后的60°光泽度。
5.根据权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其中所述经表面处理的铜箔与聚酰亚胺(PI)膜或聚四氟乙烯(PTFE)膜的粘合强度为1.0kgf/cm以上。
6.根据权利要求1所述的经表面处理的铜箔，其中所述经表面处理的铜箔在20GHz的传输损耗S21为3.0dB/100mm以下。
7.一种制造根据权利要求1至6中任一项所述的经表面处理的铜箔的方法，包括将未经处理的铜箔浸渍到包含10g/L至60g/L的铜盐和50g/L至200g/L的添加剂的水溶液中，并且以25℃至45℃的溶液温度、1至7的pH和5A/dm2至10A/dm2的电流密度进行电镀，从而形成经表面处理的层，
其中所述铜盐包括硫酸铜、硝酸铜、氯化铜、乙酸铜或者它们的组合，并且所述添加剂包括柠檬酸、乙二胺四乙酸、次氮基三乙酸、酒石酸、或者它们的盐。
8.一种铜箔层叠体，其中在树脂基材上层叠根据权利要求1至6中任一项所述的经表面处理的铜箔。
9.一种使用根据权利要求8所述的铜箔层叠体形成的印刷线路板。
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