CN112992960A - 电子装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 211
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 117
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 116
- 239000000463 material Substances 0.000 description 96
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 28
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 19
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 238000003491 array Methods 0.000 description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004813 Perfluoroalkoxy alkane Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229920001634 Copolyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HVYWMOMLDIMFJA-DPAQBDIFSA-N cholesterol Chemical compound C1C=C2C[C@@H](O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2 HVYWMOMLDIMFJA-DPAQBDIFSA-N 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- OWOMRZKBDFBMHP-UHFFFAOYSA-N zinc antimony(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[Sb+3] OWOMRZKBDFBMHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000575 Ir alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000629 Rh alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 235000012000 cholesterol Nutrition 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
本发明提供一种电子装置，包含多个发光组件以及第一薄膜晶体管阵列，第一薄膜晶体管阵列用以驱动至少一部分的所述多个发光组件，且所述多个发光组件以及所述第一薄膜晶体管阵列设置于不同的基板上。
Description
技术领域
本发明是有关于一种电子装置，特别是有关于一种发光组件与薄膜晶体管阵列设置于不同的基板上的电子装置。
背景技术
包含显示面板在内的电子产品，如智能型手机、平板计算机、笔记本电脑、显示器和电视，已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这种便携式电子产品的蓬勃发展，消费者对这些产品的质量、功能或价格抱有很高的期望。
一般而言，发光组件与驱动组件(例如薄膜晶体管阵列)设置于同一基板上，或者发光单元直接设置于薄膜晶体管驱动基板上，因此，薄膜晶体管驱动基板在材料以及制程的选择上需同时考虑与发光组件的制程(例如发光组件与基板接合的制程)的兼容性。然而，如此一来，可能会导致制程良率降低或成本增加的问题，例如，适合作为薄膜晶体管驱动基板的材料可能不利于发光组件的接合、固定或导孔的形成等等。
承前述，虽然现存的包含发光组件与驱动组件的电子装置可大致满足它们原先用途，但其仍未在各个方面皆彻底地符合需求。因此，发展出可改善此类电子装置的质量或可靠度的结构设计仍为目前业界致力研究的课题之一。
发明内容
本发明提供一种电子装置，包含多个发光组件以及第一薄膜晶体管阵列，第一薄膜晶体管阵列用以驱动至少一部分的所述多个发光组件，且所述多个发光组件以及所述第一薄膜晶体管阵列设置于不同的基板上。
在本发明的一实施例中，所述多个发光组件设置于一第一基板上且所述第一薄膜晶体管阵列设置于一第二基板上，其中所述第二基板的面积小于所述第一基板的面积。
在本发明的一实施例中，所述多个发光组件包括发光二极管封装体、发光二极管芯片、或前述的组合。
在本发明的一实施例中，所述多个发光组件排列成一阵列。
在本发明的一实施例中，所述电子装置还包括一第二薄膜晶体管阵列，其中所述多个发光组件、所述第一薄膜晶体管阵列以及所述第二薄膜晶体管阵列设置于不同的基板上，且所述第一薄膜晶体管阵列与所述第二薄膜晶体管阵列用以驱动不同部分的所述多个发光组件。
在本发明的一实施例中，所述多个发光组件设置于一第一基板上，所述第一薄膜晶体管阵列设置于一第二基板上，且所述第二薄膜晶体管阵列设置于一第三基板上，且其中所述第二基板与所述第三基板的面积总和小于所述第一基板的面积。
在本发明的一实施例中，所述第一薄膜晶体管阵列与所述第二薄膜晶体管阵列电性连接。
在本发明的一实施例中，所述第一薄膜晶体管阵列未与所述第二薄膜晶体管阵列电性连接。
在本发明的一实施例中，所述多个发光组件以及所述第二基板设置于所述第一基板的不同侧。
在本发明的一实施例中，所述多个发光组件以及所述第二基板设置于所述第一基板的同一侧。
为让本发明的特征、或优点能更明显易懂，下文特举出一些实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1显示根据本发明一些实施例中，电子装置的局部剖面结构示意图；
图2显示根据本发明一些实施例中，电子装置的单元电路图；
图3显示根据本发明一些实施例中，图1的区域A的结构放大示意图；
图4显示根据本发明一些实施例中，电子装置的下视结构示意图；
图5显示根据本发明一些实施例中，电子装置的下视结构示意图；
图6显示根据本发明一些实施例中，电子装置的局部剖面结构示意图；
图7显示根据本发明一些实施例中，电子装置的局部剖面结构示意图；
图8显示根据本发明一些实施例中，电子装置的局部剖面结构示意图；
图9显示根据本发明一些实施例中，电子装置的局部剖面结构示意图；
图10显示根据本发明一些实施例中，电子装置的局部剖面结构示意图；
图11显示根据本发明一些实施例中，电子装置的俯视结构示意图；
图12显示根据本发明一些实施例中，电子装置的局部剖面结构示意图；
图13显示根据本发明一些实施例中，电子装置的局部剖面结构示意图；
图14显示根据本发明一些实施例中，电子装置的局部剖面结构示意图。
符号说明：
10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G:电子装置
100:发光组件
100P:间距
102:中间基材
104:发光单元
104a、104b、104c:发光子单元
106:接触垫
108:保护层
150:光提取层
152:保护层
202:第一基板
202a:第一表面
202b:第二表面
202s:侧表面
204:反射层
210:导孔
210L:内联机结构
220:导电膜层
250:桥接垫
260:测试垫
270:光吸收层
300、300-1、300-2、300-3、300-4:薄膜晶体管阵列
300B:焊接材料
300G:电路组
300K:薄膜晶体管阵列封装体
300L:金属导线
300R:反射层
300T:薄膜晶体管
302、302-1、302-2:第二基板
302a:第一表面
302P:封装基板
304:接触垫
306:导电膜层
308:保护层
310:栅极
312:栅极介电层
314:半导体
316D:漏极
316S:源极
318:平坦层
320:导孔
330:驱动集成电路
332:连接层
350:信号输入端
352:信号输出端
354:导电线路
400:电子组件
500:面板
502:光学膜层
502a、502b、502c:子层
602:中间基材
604:粘着层
A:区域
DL:数据线
Em:发光信号端
SL:扫描线
SL’:汇集扫描线
T:厚度
VDD:电压端
VSS:电压端
具体实施方式
以下针对本发明实施例的电子装置作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例，用以实施本发明一些实施例的不同态样。以下所述特定的组件及排列方式仅为简单且清楚描述本发明一些实施例，这些仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用类似及/或对应的标号，仅为了简单清楚地叙述一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。
透过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本发明中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定组件并非依照实际比例绘图。此外，图中各组件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的组件。在下文说明书与权利要求书中，「包括」、「含有」、「具有」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。因此，当本发明的描述中使用术语「包括」、「含有」及/或「具有」时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。
本文中所提到的方向用语，例如，「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本发明。在附图中，各附图绘示的是特定实施例中所使用的方法、结构及/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域及/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
当相应的构件(例如膜层或区域)被称为「在另一个构件上」时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为「直接在另一个构件上」时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为「在另一个构件上」时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。
此外，说明书和权利要求中记载的用语，例如「连接」不仅表示与其他组件直接连接，亦可表示与其他组件间接连接和电性连接。
术语「大约」、「等于」、「相等」或「相同」、「实质上」或「大致上」一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
说明书与权利要求书中所使用的序数例如「第一」、「第二」等的用词用以修饰组件，其本身并不意含及代表该(或该些)组件有任何之前的序数，也不代表某一组件与另一组件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的组件得以和另一具有相同命名的组件能作出清楚区分。权利要求书与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
应理解的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
于本发明中，厚度、长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面影像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一值等于第二值，其隐含着第一值与第二值之间可存在着约10％的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明实施例有特别定义。
根据本发明一些实施例，提供的电子装置包含设置于不同基板上的发光组件与薄膜晶体管阵列，如此一来，薄膜晶体管阵列与发光组件在基板材料以及制程的选择上可彼此独立，可改善制程良率、产品的可靠度、或降低生产成本。此外，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列所设置的基板的尺寸可小于发光组件所设置的基板的尺寸，借此可增加薄膜晶体管阵列与发光组件之间可用于电性连接的空间(例如:增加连接空间、增加接点数量)。
根据本发明一些实施例，电子装置可包含显示设备、发光装置、触控装置、感测装置、天线装置、或拼接装置(具有上述任一功能或混合功能的拼接装置)，但不以此为限。电子装置可包括可弯折式电子装置或可挠式电子装置，但不以此为限。电子装置可例如包含液晶、发光二极管(light-emitting diode，LED)、量子点(quantum dot，QD)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他适合的材料或前述的组合。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、微型发光二极管(micro-LED、mini-LED)或量子点发光二极管(QLED、QDLED)，但不以此为限。根据一些实施例，电子装置可包含面板及/或背光模块，面板例如包括液晶面板，但不以此为限。应理解的是，下文将以显示设备为例阐述本发明的电子装置，但本发明不以此为限。
请参照图1，图1显示根据本发明一些实施例中，电子装置10A的局部剖面结构示意图。应理解的是，为了清楚说明，图1省略电子装置10A中的部分组件，仅示意绘示形成或设置于第一基板202或第二基板302上的部分组件，例如一部分的发光组件100及一部分的薄膜晶体管阵列300。根据一些实施例，可选择性添加额外特征或组件于电子装置10A中。根据一些实施例，以下所述电子装置10的部分特征可选择性被取代或省略。
如图1所示，根据一些实施例，电子装置10A可包含薄膜晶体管阵列300以及多个发光组件100，薄膜晶体管阵列300可用以驱动至少一部分的发光组件100。例如，根据一些实施例，电子装置10A可包含多个薄膜晶体管阵列300，且多个薄膜晶体管阵列300可分别用以驱动不同部分或位于不同区域的发光组件100。再者，如图1所示，发光组件100以及薄膜晶体管阵列300设置于不同的基板上。具体而言，根据一些实施例，电子装置10A可包含第一基板202以及第二基板302，发光组件100设置于第一基板202上且薄膜晶体管阵列300设置于第二基板302上。
根据一些实施例，发光组件100以及第二基板302设置于第一基板202的不同侧。具体而言，第一基板202具有位于相反两侧的第一表面202a以及第二表面202b。根据一些实施例，发光组件100位于第一表面202a上方，而第二基板302设置于第二表面202b上方，发光组件100以及第二基板302可与第一基板202接触或未与第一基板202直接接触。如图1所示，根据一些实施例，发光组件100与第一基板202接触，而第二基板302未与第一基板202接触。
进一步而言，第一基板202可包含刚性基板或可挠式基板。根据一些实施例，第一基板202可为印刷电路板(printed circuit board，PCB)。根据一些实施例，第一基板202的材料可包含陶瓷、铝、铜、玻璃纤维、其它合适的材料、或前述材料的组合，但不限于此。根据一些实施例，第一基板202可包含金属-玻璃纤维复合板材、或金属-陶瓷复合板材，但不限于此。
根据一些实施例，发光组件100可包含无机发光二极管(inorganic lightemitting diode)、微型发光二极管(micro-LED、mini-LED)、有机发光二极管(organiclight emitting diode，OLED)、或量子点发光二极管(QLED、QDLED)，但不以此为限。根据一些实施例，发光组件100可排列成一阵列(array)。根据一些实施例，发光组件100可包含发光二极管封装体、发光二极管芯片、或前述的组合，换言之，发光组件100可以经封装的形式或裸晶的形式存在。根据一些实施例，发光组件100的封装方式可包含发光二极管的表面安装装置(surface-mount devices，SMD)封装、发光二极管的基板上芯片(chip-on-board，COB)封装、微型发光二极管或覆晶式发光二极管的封装、有机发光二极管的封装、其它合适的封装、或前述的组合，但不限于此。图1以发光组件100为发光二极管封装体为例进行说明，详细而言，根据一些实施例，发光组件100可包含中间基材102、发光单元104、接触垫106以及保护层108。
根据一些实施例，中间基材102可设置于发光单元104与接触垫106之间，且发光单元104可借由贯穿中间基材102的导孔(未绘示)与接触垫106电性连接，但不限于此。根据一些实施例，中间基材102的材料可包含玻璃、陶瓷、塑料、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，中间基材102的材料可包含环氧树脂(epoxy resins)、硅氧树脂(polymerized siloxanes，silicone)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。此外，根据一些实施例，中间基材102可包含金属-玻璃纤维复合板材、或金属-陶瓷复合板材，但不限于此。
根据一些实施例，发光组件100可包含多个发光单元104，发光单元104可以作为电子装置的光源。根据一些实施例，发光子单元104a、发光子单元104b、发光子单元104c可发出单一颜色的光，发光子单元104a、发光子单元104b与发光子单元104c为不同颜色。根据一些实施例，发光单元104可结合发光子单元104a、发光子单元104b、发光子单元104c发出多种颜色的光或混合多种颜色的光(例如:白光)。根据一些实施例，发光单元104可发出单一颜色的光作为装置的光源。根据一些实施例，发光组件100可对应于一个像素，发光组件100可具有合适数量的发光单元104，例如，发光子单元104a、发光子单元104b以及发光子单元104c。根据一些实施例，发光子单元104a、发光子单元104b以及发光子单元104c可为对应于三个子像素的三个发光二极管管芯。举例而言，根据一些实施例，发光子单元104a、发光子单元104b以及发光子单元104c可为以合适方式排列的红色、绿色及蓝色的子像素，但本发明不以此为限。根据另一些实施例，一个发光组件100可包含红色、绿色、蓝色、或白色的发光单元(子像素)、或其它合适的颜色的发光单元，但本发明不以此为限。此外，根据一些实施例，发光子单元104a、发光子单元104b以及发光子单元104c可为可发出不同颜色的光的发光二极管管芯，或是发出相同颜色的光的发光二极管管芯。
此外，如图1所示，根据一些实施例，发光组件100可包含多个接触垫106，接触垫106可设置于第一基板202上并与第一基板202接触。根据一些实施例，接触垫106可与发光组件100的管芯的阳极电极或阴极电极电性连接。详细而言，于此实施例中，发光组件100具有三个发光子单元104a、104b以及104c，其中三个接触垫106可与三个发光子单元104a、104b以及104c的管芯的阳极电极电性连接，而其中一个接触垫106可与发光子单元104a、104b以及104c的管芯的阴极电极电性连接，亦即，三个发光子单元104a、104b以及104c可具有共同阴极，然而，发光组件100的管芯的阳极电极或阴极电极的连接方式不限于此。
根据一些实施例，接触垫106可包含导电材料。根据一些实施例，接触垫106可包含金属导电材料、透明导电材料、或前述的组合。举例而言，前述金属导电材料可包含铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、银(Ag)、锡(Sn)、钨(W)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、铂(Pt)、铜合金、铝合金、钼合金、银合金、锡合金、钨合金、金合金、铬合金、镍合金、铂合金、其它合适的金属材料、或前述的组合，但不限于此。前述透明导电材料例如可包含透明导电氧化物(transparentconductive oxide，TCO)。例如，透明导电氧化物可包含氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化锡(tin oxide，SnO)、氧化锌(zinc oxide，ZnO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，IGZO)、氧化铟锡锌(indium tin zincoxide，ITZO)、氧化锑锡(antimony tin oxide，ATO)、氧化锑锌(antimony zinc oxide，AZO)、其它合适的透明导电材料、或前述的组合，但不限于此。
此外，根据一些实施例，保护层108可设置于中间基材102上方并且覆盖发光单元104。根据一些实施例，保护层108可选择性地覆盖发光单元104的顶表面及侧表面。根据一些实施例，在剖面方向，保护层108可具有轮廓，至少部分轮廓呈弧形(未绘示)。根据一些实施例，保护层108可包含有机材料、无机材料、其它合适的封装材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，前述无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、或其他合适的材料，但不限于此。根据一些实施例，前述有机材料可包含环氧树脂(epoxy resins)、硅氧树脂、压克力树脂(acrylic resins)(例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmetacrylate，PMMA)、苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚亚酰胺(polyimide)、共聚酯(polyester)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)、四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物(polyfluoroalkoxy，PFA))、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。
此外，根据一些实施例，保护层108可具有波长转换的功能，例如，可将发光单元104产生的光源转换为具有特定波长范围(特定颜色)的光。根据一些实施例，保护层108可进一步包含具有波长转换功能的颗粒，例如包含磷光体(phosphor)、量子点(quantum dot，QD)材料、有机荧光材料、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。
如图1所示，根据一些实施例，电子装置10A可进一步包含设置于第一基板202上的反射层204。反射层204可提升发光组件100的光提取效率或增加出光量。根据一些实施例，反射层204可与发光组件100接触。根据另一些实施例，反射层204可不与发光组件100接触。根据一些实施例，发光组件100的接触垫106可部分地埋置于反射层204中。根据一些实施例，反射层204可包含具有高反射率(例如，反射率介于70％至99％)的材料。根据一些实施例，高反射率的材料可包含银(Ag)、铝(Al)、钛(Ti)、二氧化钛(TiO2)、其它合适的反射材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，反射层204可包含白色油墨、白色胶带或白色光阻等，但不限于此。
承前述，薄膜晶体管阵列300可设置于第二基板302上。根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300可设置于第二基板302较远离第一基板202的一侧。再者，薄膜晶体管阵列300可包含驱动组件(未绘示)。根据一些实施例，驱动组件可包含薄膜晶体管(thin-filmtransistor，TFT)，但不限于此。前述薄膜晶体管例如可包含开关晶体管、驱动晶体管、重置晶体管，或其它薄膜晶体管。
进一步而言，第二基板302可包含刚性基板或可挠式基板。根据一些实施例，第二基板302的材料可包含玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其它合适的材料或前述材料的组合，但不限于此。此外，根据一些实施例，第二基板302的材料不同于第一基板202的材料。
再者，根据一些实施例，第二基板302的材料可包含半导体材料，例如，硅(Si)、锗(Ge)、其它合适的半导体材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，第二基板302的材料包含硅晶圆(silicon wafer)。特别地，于第二基板302的材料包含半导体材料的实施例中，可使用半导体制程形成薄膜晶体管阵列300，可进一步提高薄膜晶体管阵列300的效能，降低薄膜晶体管阵列300的体积。
根据一些实施例，第二基板302的面积小于第一基板202的面积。根据一些实施例，前述第一基板202的面积指的是设置有发光组件100的第一基板202的表面的面积，例如图中所示的第一表面202a，再者，前述第二基板302的面积指的是设置有驱动阵列300的第二基板302的表面的面积，例如图中所示的第一表面302a。
值得注意的是，由于设置有薄膜晶体管阵列300的基板(第二基板302)材料通常较昂贵，因此，在设置有薄膜晶体管阵列300的第二基板302的面积小于设置有发光组件100的第一基板202的面积的情况下，可减少第二基板302的用量，进而可降低生产成本。
再者，请参照图1，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300可进一步包含接触垫304，接触垫304可与驱动组件(未绘示)电性连接。接触垫304可包含导电材料，接触垫304的材料可与前述发光组件100的接触垫106的材料相同或相似，于此便不再赘述。
根据一些实施例，电子装置10A可进一步包含导电膜层306，导电膜层306可与接触垫304以及第一基板202接触。详细而言，根据一些实施例，导电膜层306可与设置于第一基板202中的导孔(via)210以及接触垫304接触，薄膜晶体管阵列300的接触垫304可借由导电膜层306以及导孔210与发光组件100的接触垫106电性连接，借此可将薄膜晶体管阵列300的电子信号传输至发光组件100。
根据一些实施例，导电膜层306具有可挠性，可以弯折的形式连接接触垫304与导孔210。根据一些实施例，导电膜层306可包含基底层(未绘示)以及形成于基底层上的导电层(未绘示)。根据一些实施例，基底层的材料可包含聚酰亚胺(polyimide，PI)、或其它合适的可挠性材料，但不限于此。根据一些实施例，导电膜层306可为软性印刷电路(flexibleprinted circuit，FPC)板，但不限于此。
根据一些实施例，导孔210可贯穿第一基板202，直接与接触垫106以及导电膜层306接触。然而，根据一些实施例，导孔210可能未直接贯穿第一基板202，而是借由第一基板202中的内联机结构(例如包含多个导孔及多个金属层)与接触垫106以及导电膜层306接触以提供电性连接。再者，根据一些实施例，可借由一或多个光光刻制程、蚀刻制程、激光制程及/或机械加工制程于第一基板202中先形成穿孔，接着再于穿孔中填充导电材料以形成导孔210。根据一些实施例，光光刻制程可包含光阻涂布(例如旋转涂布)、软烘烤、硬烘烤、屏蔽对齐、曝光、曝光后烘烤、光阻显影、清洗及干燥等，但不限于此。蚀刻制程可包含干蚀刻制程或湿蚀刻制程，但不限于此。
此外，如图1所示，根据一些实施例，电子装置10A可进一步包含设置于第一基板202上的其它电子组件400。根据一些实施例，电子组件400可设置于第一基板202的第二表面202b上，亦即，电子组件400可与薄膜晶体管阵列300设置于第一基板202的同一侧上，但本发明不限于此。根据一些实施例，电子组件400可包含集成电路(integrated circuit，IC)或微型芯片(microchip)等驱动组件、电阻组件、电容组件、面板上栅极(gate onpanel，GOP)结构、或可提供电子信号或逻辑信号的其它合适的电子组件，但不限于此。
承前述，根据本发明一些实施例，发光组件100以及薄膜晶体管阵列300设置于不同的基板上，值得注意的是，如此一来，薄膜晶体管阵列300与发光组件100在基板材料以及制程的选择上可彼此独立，借此可改善制程良率或产品的可靠度。详细而言，发光组件100可设置于与其接合效果较好或是较有利于导孔210形成的基板材料上，例如，陶瓷、铝、铜、玻璃纤维等材料，可不受限于形成薄膜晶体管阵列300制程所需的基板材料，例如，玻璃、石英、蓝宝石、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯等材料。
接着，请参照图2，图2显示根据本发明一些实施例中，电子装置10A的单元电路图。详细而言，图2仅示意地绘示根据本发明一些实施例中，薄膜晶体管阵列300中的两个驱动组件(图中所示的两个薄膜晶体管300T)、一个电子组件400以及一个发光组件100之间的电路关系。
如图2所示，根据一些实施例，扫描线SL以及数据线DL可与电子组件400电性连接，扫描线SL以及数据线DL可传输信号至电子组件400，接着信号可传输至薄膜晶体管300T，且薄膜晶体管300T与电压端VDD电性连接以及电压端VSS电性连接。根据一些实施例，薄膜晶体管300T可至少包含一个驱动晶体管以及一个与发光信号端Em电性连接的发光敏晶体管，驱动晶体管以及发光敏晶体管可共同控制发光组件100是否发光或是可调整发光亮度等。电子组件400可以包括一个或多个薄膜晶体管或/及一个或多个电容，但不以此为限，此外，电子组件400除了传输扫描线SL与数据线DL的信号，还可具有偏压补偿及/或储存电荷的功能。应理解的是，薄膜晶体管可包括栅极、源极与漏极，当一组件电性连接至一薄膜晶体管的栅极，而另一组件电性连接至该薄膜晶体管的源极及/或漏极，则视为该两组件电性连接，举例来说，数据线DL电性连接薄膜晶体管300T的栅极，电压端VDD电性连接薄膜晶体管300T的源极，则视为数据线DL与电压端VDD电性连接。应理解的是，驱动晶体管以及与发光信号端Em连接的发光敏晶体管的配置关系不局限于图中所绘示者，根据不同的实施例，可根据实际需求调整合适的电路配置关系。
接着，请参照图3，图3显示根据本发明一些实施例中，图1的区域A的结构放大示意图，图3绘示设置于第二基板302上的薄膜晶体管阵列300的详细结构示意图。如图3所示，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300包含薄膜晶体管结构，详细而言，可包含栅极310、栅极介电层312、半导体314、源极316S、漏极316D、平坦层318、导孔320以及接触垫304。根据一些实施例，栅极介电层312设置于半导体314与栅极310之间，于第二基板302的法线方向(例如图中所示的Z方向)上，半导体314与栅极310至少部分地重叠，且源极316S以及漏极316D设置于半导体314的两侧，并且，于第二基板302的法线方上分别与半导体314两侧的部分重叠。此外，根据一些实施例，平坦层318可覆盖源极316S、漏极316D以及半导体314，而导孔320可贯穿一部分的平坦层318与接触垫304电性连接。
根据一些实施例，栅极310的材料可包含非晶硅、复晶硅、一或多种金属、金属氮化物、导电金属氧化物、或前述的组合，但不限于此。前述金属可包含钼、钨、钛、钽、铂、铪、或前述的组合，但不限于此。前述金属氮化物可包含氮化钼、氮化钨、氮化钛、氮化钽、或前述的组合，但不限于此。
根据一些实施例，栅极介电层312的材料可包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、高介电常数(high-k)介电材料、其它合适的介电材料、或前述的组合，但不限于此。前述高介电常数(high-k)介电材料可包含金属氧化物、金属氮化物、金属硅化物、过渡金属氧化物、过渡金属氮化物、过渡金属硅化物、金属的氮氧化物、金属铝酸盐、锆硅酸盐、锆铝酸盐、或前述的组合，但不限于此。
根据一些实施例，半导体314的材料包含但不限于非晶硅，例如低温多晶硅(low-temp polysilicon，LTPS)、金属氧化物、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。举例而言，前述金属氧化物可包含铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、铟镓锌锡氧化物(indium gallium zinc tin oxide，IGZTO)其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，不同的薄膜晶体管可包括相同的半导体材料，也可包括不同的半导体材料，但不以此为限。
根据一些实施例，源极316S以及漏极316D的材料可包含铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、铜合金、铝合金、钼合金、钨合金、金合金、铬合金、镍合金、铂合金、钛合金、铱合金、铑合金、其它合适的导电材料、或前述的组合，但不限于此。
再者，根据一些实施例，平坦层318可包含有机材料、无机材料、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。例如，无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。例如，有机材料可包含环氧树脂(epoxy resins)、硅氧树脂、压克力树脂(acrylic resins)(例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmetacrylate，PMMA)、聚亚酰胺(polyimide)、全氟烷氧基烷烃(perfluoroalkoxy alkane，PFA)、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。
根据一些实施例，导孔320可包含导电材料，例如金属导电材料。根据一些实施例，金属导电材料可包含、铝、钼、银、锡、钨、金、铬、镍、铂、铜合金、铝合金、钼合金、银合金、锡合金、钨合金、金合金、铬合金、镍合金、铂合金、其它合适的金属材料、或前述的组合，但不限于此。
此外，根据一些实施例，驱动组件可包含下栅极(bottom gate)薄膜晶体管，根据另一些实施例，驱动组件可包含上栅极(top gate)薄膜晶体管，驱动组件可视需求设计或组合，但不以此为限。
接着，请参照图4，图4显示根据本发明一些实施例中，电子装置10A的下视结构示意图，详细而言，图4绘示设置于第一基板202的第二表面202b上的薄膜晶体管阵列300以及相关线路的配置关系。应理解的是，为了清楚说明，图4并未绘示出设置于第二表面202b上的所有线路。
如图4所示，根据一些实施例，多个薄膜晶体管阵列300可设置于第二表面202b上，一个薄膜晶体管阵列300中可包含多个电路组300G，电路组300G可包含多个薄膜晶体管300T、扫描线SL以及数据线DL可彼此交错定义出电路组300G，扫描线SL可与驱动集成电路(IC)330电性连接，且扫描线SL可于一端整合为汇集扫描线SL。
根据一些实施例，驱动集成电路330可以薄膜覆晶封装(chip on film，COF)或玻璃覆晶封装(chip on glass，COG)等形式设置于第一基板202及/或第二基板302上。根据一些实施例，驱动集成电路330可与连接层332电性连接，信号输入端350可借由连接层332将信号传输至驱动集成电路330，进而将信号传输至电路组300G。并且，电路组300G可将信号传输至信号输出端352，接着将信号传输至设置于第一基板202上的发光组件100，且信号输出端352可设置于导电膜层306上。
根据一些实施例，第二基板302的长度可介于约0.5毫米(mm)至约20毫米(mm)之间或介于约1毫米(mm)至约10毫米(mm)之间，例如，2毫米(mm)、3毫米(mm)。第二基板的宽度可介于约0.5毫米(mm)至约20毫米(mm)之间，或介于约1毫米(mm)至约10毫米(mm)之间，例如，2毫米(mm)、3毫米(mm)。根据一些实施例，第二基板的长度可与宽度相同，也就是说，第二基板302的面积的范围(长度*宽度)可介于约0.5mm*0.5mm至约20mm*20mm之间(0.5mm*0.5mm≦第二基板302的面积≦20mm*20mm)、或介于约1mm*1mm至约10mm*10mm之间，例如，2mm*2mm、3mm*3mm。根据另一些实施例，第二基板的长度可与宽度不同。第二基板的形状与大小设计可视需求而定，不以此为限。
再者，根据本发明实施例，可使用光学显微镜(optical microscopy，OM)、扫描式电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其它合适的方式测量各组件的面积、宽度、长度、厚度或组件之间的距离。详细而言，根据一些实施例，可使用扫描式电子显微镜取得包含欲测量的组件的任一剖面影像，并测量该组件于影像中的面积、宽度、长度、厚度或组件之间的距离。
此外，如图4所示，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300分别与不同的驱动集成电路330电性连接。换言之，根据一些实施例，驱动集成电路330分别驱动不同薄膜晶体管阵列300，例如，图中所示的薄膜晶体管阵列300-1与薄膜晶体管阵列300-2分别由不同的驱动集成电路330进行控制。
请参照图5，图5显示根据本发明另一些实施例中，电子装置10A的下视结构示意图。如图5所示，根据一些实施例，一个驱动集成电路330可与多个薄膜晶体管阵列300电性连接，且此驱动集成电路330可设置于第一基板202上。换言之，根据一些实施例，多个薄膜晶体管阵列300之间彼此电性连接，例如，图中所示的薄膜晶体管阵列300-1可与薄膜晶体管阵列300-2电性连接，多个薄膜晶体管阵列300可由同一驱动集成电路330进行控制。详细而言，根据一些实施例，驱动集成电路330可依序传输信号至薄膜晶体管阵列300-1、薄膜晶体管阵列300-2、薄膜晶体管阵列300-3及薄膜晶体管阵列300-4。此外，根据一些实施例，导电线路354可设置于第一基板202上，连接薄膜晶体管阵列300-1、薄膜晶体管阵列300-2、薄膜晶体管阵列300-3及薄膜晶体管阵列300-4，使它们彼此电性连接。
再者，根据另一些实施例(未绘示)，薄膜覆晶封装(COF)可包括驱动集成电路330，并将薄膜覆晶封装(COF)设置于一第二基板302上，与薄膜晶体管阵列300电性连接，且多个薄膜晶体管阵列300之间彼此电性连接，多个薄膜晶体管阵列300可由此一驱动集成电路330依序进行控制。借由此种配置，一个驱动集成电路330便可驱动许多的薄膜晶体管阵列300(亦即可驱动许多的发光组件100)，因此可有效降低生产成本。
此外，除了前述借由有源式驱动进行控制的薄膜晶体管阵列300的实施例外，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300亦可采用无源式驱动。详细而言，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300中的薄膜晶体管300T可仅作为开关晶体管，控制发光组件100的开关，而电子装置可进一步包含设置于第一基板202上的脉冲宽度调制控制集成电路(pulse-widthmodulationintegrated circuit，PWM IC)，脉冲宽度调制控制集成电路可控制驱动发光组件100的所有信号(电流)，产生PWM信号，控制发光组件100的亮度强弱。
接着，请参照图6，图6显示根据本发明另一些实施例中，电子装置10B的局部剖面结构示意图。应理解的是，后文中与前文相同或相似的组件或组件将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能皆与前文所述相同或相似，故此部分于后文中将不再赘述。
如图6所示，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300以及第二基板302同样设置于第一基板202的第二表面202b上，借由设置于薄膜晶体管阵列300与导孔210之间的接触垫304，薄膜晶体管阵列300可与位于第一表面202a上的发光组件100电性连接。于此实施例中，在同一个剖面下，接触垫304的数量较对应的导孔210或导线多。应理解的是，每个接触垫304可能都具有其对应的电路并且与对应的电路的导线或导电层电性连接，但附图中的视角无法全部呈现，举例来说，导孔210或导线可在第一基板202间沿Y轴方向延伸后再往Z方向延伸，因此，信号的输入位点、输出位点的位置与导孔210不受限于同一剖面。
此外，如图6所示，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300-1以及薄膜晶体管阵列300-2可分别设置于不同的第二基板302-1以及第二基板302-2上，且薄膜晶体管阵列300-1与薄膜晶体管阵列300-2用以驱动不同部分的发光组件100。再者，根据一些实施例，第二基板302-1与第二基板302-2的面积总和小于第一基板202的面积。前述第一基板202的面积与第二基板302-1、302-2的面积的定义如同前述，于此便不再重复。
根据一些实施例，电子装置10B可进一步包含保护层308，保护层308可覆盖薄膜晶体管阵列300以及第二基板302。根据一些实施例，保护层308亦设置于第一基板202与薄膜晶体管阵列300之间，并位于接触垫304之间。根据一些实施例，保护层308可降低环境中的水气影响薄膜晶体管阵列300或接触垫304进而造成腐蚀的风险。
根据一些实施例，保护层308可包含有机材料、无机材料、其它合适的封装材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，前述无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、或其他合适的材料，但不限于此。根据一些实施例，前述有机材料可包含环氧树脂、硅氧树脂、压克力树脂(例如聚甲基丙烯酸甲酯、苯并环丁烯、聚亚酰胺、共聚酯、聚二甲基硅氧烷、四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。
再者，根据一些实施例，电子装置10B可作为背光模块，电子装置10B可进一步包含设置于发光组件100上方的面板500以及光学膜层502。根据一些实施例，面板500可包含上基板、下基板与显示介质层(未绘示)，显示介质层可包括液晶，其中液晶可包括扭转向列(twisted nematic，TN)型液晶、超扭转向列(super twisted nematic，STN)型液晶、垂直配向(vertical alignment，VA)型液晶、水平电场效应(in-plane switching，IPS)型液晶、胆固醇(cholesteric)型液晶、边际电场效应(fringe field switching，FFS)型液晶、其它合适的液晶材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，光学膜层502可包含扩散膜、增亮膜、棱镜片、反射式增亮膜(dual brightness enhancement film，DBEF)、其它合适的功能性光学膜、或前述的组合，但不限于此。
接着，请参照图7，图7显示根据本发明另一些实施例中，电子装置10C的局部剖面结构示意图。如图7所示，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300以及第二基板302同样设置于第一基板202的第二表面202b上，薄膜晶体管阵列300可借由设置于第一基板202的侧表面202s上的导电膜层220与位于第一表面202a上的发光组件100电性连接，可不用额外设置导孔结构。
详细而言，根据一些实施例，导电膜层220可延伸于第一基板202的第二表面202b、侧表面202s以及第一表面202a上。根据一些实施例，导电膜层220的一部分设置于接触垫304与第一基板202之间。再者，根据一些实施例，延伸于第一表面202a上的导电膜层220可借由设置于第一表面202a上的导电线路(未绘示)与发光组件100的接触垫106电性连接。
根据一些实施例，导电膜层220具有可挠性。根据一些实施例，导电膜层220可包含基底层(未绘示)以及形成于基底层上的导电层(未绘示)。根据一些实施例，基底层的材料可包含聚酰亚胺(polyimide，PI)、或其它合适的可挠性材料，但不限于此。根据一些实施例，导电膜层220可为软性印刷电路(flexible printed circuit，FPC)板或薄膜覆晶封装(chip on film，COF)，但不限于此。
根据一些实施例，导电膜层220的热膨胀系数(coefficient ofthermalexpansion，CTE)介于第一基板202的热膨胀系数与的第二基板302的热膨胀系数之间或大致上与第二基板302的热膨胀系数相同，可降低热胀冷缩所造成的应力变化所造成的影响。根据一些实施例，导电膜层220的热膨胀系数介于玻璃的热膨胀系数与聚酰亚胺的热膨胀系数之间或大致上与聚酰亚胺的热膨胀系数相同。
接着，请参照图8，图8显示根据本发明另一些实施例中，电子装置10D的局部剖面结构示意图。如图8所示，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300以及第二基板302设置于第一基板202的第一表面202a上，亦即，发光组件100以及第二基板302设置于第一基板202的同一侧。
根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300以及第二基板302设置于多个发光组件100之间。详细而言，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300以及第二基板302设置于发光组件100的间距100P(请参照图11)中。薄膜晶体管阵列300可借由接触垫304以及设置于第一基板202的第一表面202a上的导电线路(未绘示)与发光组件100电性连接，可不用额外设置导孔及导电膜层等结构。
接着，请参照图9以及图10，图9以及图10分别显示根据本发明一些实施例中，薄膜晶体管阵列300的封装结构的局部剖面结构示意图。如图9以及图10所示，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300与第二基板302可先经封装制程处理，以薄膜晶体管阵列封装体300K的形式与发光组件100电性连接。
如图9所示，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列封装体300K可以打线接合(wirebonding)的方式进行封装。根据一些实施例，薄膜晶体管阵列封装体300K可包含封装基板302P、焊接材料(solder material)300B以及金属导线300L，薄膜晶体管阵列300以及第二基板302可借由焊接材料300B固定于封装基板302P上，并且薄膜晶体管阵列300可借由金属导线300L与封装基板302P电性连接，以及与接触垫304电性连接。
根据一些实施例，封装基板302P的材料可包含陶瓷、印刷电路板(PCB)、软性印刷电路板(FPC)、导线架(leadframe)、其它合适的封装基板、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，焊接材料300B可包含锡、铝、锡合金、铝合金、其它合适的焊接材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，金属导线300L的材料可包含铜、铝、钼、银、锡、钨、金、铬、镍、铂、铜合金、铝合金、钼合金、银合金、锡合金、钨合金、金合金、铬合金、镍合金、铂合金、其它合适的金属材料、或前述的组合，但不限于此。此外，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列封装体300K亦进一步包含保护层308，保护层308可作为封装材料，包覆薄膜晶体管阵列300、第二基板302、焊接材料300B及金属导线300L。
再者，如图10所示，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列封装体300K可以覆晶(flip-chip)的方式进行封装。于此实施例中，焊接材料300B可以焊接球的形式固定于封装基板302P上，例如，可使用焊球阵列封装(ball grid array)的方式进行封装。
此外，应理解的是，虽然图9及图10所绘示的薄膜晶体管阵列封装体300K均包含封装基板302P，但根据一些实施例，亦可使用导电膜层取代封装基板302P，本发明不以此为限。
接着，请参照图11，图11显示根据本发明一些实施例中，电子装置10D的俯视结构示意图，详细而言，图11绘示设置于第一基板202的第一表面202a上的薄膜晶体管阵列300以及发光组件100的配置关系。应理解的是，为了清楚说明，图11仅绘示前述组件，省略了其它组件。
图11为图8的俯视图，如图8与图11所示，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300以及第二基板302与发光组件100均设置于第一基板202的第一表面202a上，且薄膜晶体管阵列300以及第二基板302可设置于发光组件100之间。根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300可以驱动串连的发光组件100，以提高驱动阵列的效率。根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300可排列于发光组件100的间距100P中。根据一些实施例，于两个发光组件100的联机方向(例如图中所示的X方向或Y方向)上，薄膜晶体管阵列300的最大宽度小于或等于发光组件100的间距100P的距离。于此实施例中，薄膜晶体管阵列300以及发光组件100的接合制程(bonding process)可于第一基板202的同一表面进行，例如可将薄膜晶体管阵列300以及发光组件100固定于第一基板202的第一表面202a上，不用将薄膜晶体管阵列300以及发光组件100于第一基板202的第一表面202a及第二表面202b分别进行接合制程，借此简化制程。
根据一些实施例，沿X方向延伸的发光组件100的间距100P可与沿Y方向延伸的发光组件100的间距100P相同。根据另一些实施例，沿X方向延伸的发光组件100的间距(未绘示)可与沿Y方向延伸的发光组件100的间距(未绘示)不同。
此外，根据一些实施例，导电线路354可设置于第一基板202上，连接薄膜晶体管阵列300与发光组件100，使薄膜晶体管阵列300与发光组件100彼此电性连接。
根据一些实施例，第二基板302的厚度T小于或等于5毫米(mm)，其中第二基板302的厚度T可小于或等于4毫米(mm)、小于或等于3毫米(mm)、小于或等于2毫米(mm)或小于或等于1毫米(mm)。根据一些实施例，第二基板302可以是单层结构，也可以是多层结构。第二基板302可以是由相同材料组成的多层结构，也可以是由不同材料组成的多层结构，但不以此为限。举例来说，第二基板302可以是双层结构，第一层的材料可以是玻璃，第二层的材料可以是聚酰亚胺(PI)，玻璃可以提供载板(carrier)的功能，利于线路或电子组件设置于聚酰亚胺(PI)上；另一方面，由于第一基板202与第二基板302的热膨胀系数(coefficientofthermal expansion，CTE)不同，可能造成第二基板302破裂，第二基板302具有双层结构的设计可降低基板破裂的可能性。
接着，请参照图12，图12显示根据本发明另一些实施例中，电子装置10E的局部剖面结构示意图。如图12所示，根据一些实施例，电子装置10E可进一步包含设置于薄膜晶体管阵列300以及第二基板302上的反射层300R，反射层300R可增加发光组件100的光利用率。
根据一些实施例，反射层300R可包含具有高反射率(例如，反射率介于70％至99％)的材料。根据一些实施例，高反射率的材料可包含银、铝、钛、二氧化钛、其它合适的反射材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，反射层300R可包含白色油墨、白色胶带或白色光阻等，但不限于此。根据一些实施例，反射层300R可直接形成于或贴附于第二基板302上。再者，根据一些实施例，反射层300R可实质上完整包覆薄膜晶体管阵列300、第二基板302以及接触垫304，借此可进一步降低环境中的水气或氧气影响薄膜晶体管阵列300或接触垫304而造成腐蚀的风险，提供保护功能。
此外，如图12所示，根据一些实施例，发光组件100可具有单一发光单元104，发光单元104可发出单一颜色的光线，例如蓝色光线。根据一些实施例，光学膜层502可进一步包含子层502a、子层502b以及子层502c。根据一些实施例，子层502a可包含增亮膜、棱镜片、反射式增亮膜(DBEF)、其它合适的功能性光学膜、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，子层502b可包含波长转换膜，但不限于此。根据一些实施例，子层502c可包含扩散膜，但不限于此。应理解的是，光学膜层502的子层的数量以及排列并不限于图中所绘示者，根据不同的实施例，可视需求调整合适数量的子层并以合适的方式进行排列。
根据一些实施例，光转换膜层的材料可包括QD、荧光与磷光，不限于此。根据一些实施例，发光单元104发蓝光，但可透过光学膜层502中的波长转换膜将发光单元104产生的蓝光转换为具有特定波长范围(特定颜色)的光，例如，红光、绿光、黄光或白光等，但本发明不以此为限。
接着，请参照图13，图13显示根据本发明另一些实施例中，电子装置10F的局部剖面结构示意图。如图13所示，根据一些实施例，发光组件100可不具有中间基材102，发光单元104可与接触垫106直接接触。根据一些实施例，薄膜晶体管阵列300亦可与接触垫304直接接触，不额外设置第二基板302。借由此种配置，可进一步减少电子装置10F的整体厚度或节省生产成本。
接着，请参照图14，图14显示根据本发明另一些实施例中，电子装置10G的局部剖面结构示意图。如图14所示，根据一些实施例，发光单元104包括发光子单元104a、发光子单元104b以及发光子单元104c，发光子单元104a、发光子单元104b以及发光子单元104c可设置于相同的中间基材602上，且电子装置10G可进一步包含桥接垫(jumper pad)250，桥接垫250可设置于中间基材602上以及两相邻发光单元104之间，且桥接垫250可与贯穿中间基材602以及粘着层604的导孔210以及贯穿第一基板202的导孔210电性连接。根据一些实施例，可借由导孔210以及内联机结构210L，将薄膜晶体管阵列300的信号传输至桥接垫250。根据一些实施例，桥接垫250可汇集信号，并将信号传输至与其电性连接的多个发光单元104。
根据一些实施例，中间基材602的材料可与前述中间基材102的材料相同或相似，于此便不再重复。根据一些实施例，粘着层604的材料可包含具有粘性的任意合适材料。根据一些实施例，粘着层604的材料可包含光固化型胶材、热固化型胶材、光热固化型胶材、其它合适的材料、或前述的组合，但不限于此。例如，根据一些实施例，粘着层604可包含光学透明胶(optical clear adhesive，OCA)、光学透明树脂(optical clear resin，OCR)、感压胶(pressure sensitive adhesive，PSA)、其它合适的粘着材料、或前述的组合，但不限于此。
根据一些实施例，桥接垫250的材料可包含金属导电材料、透明导电材料、或前述的组合。举例而言，前述金属导电材料可包含铜、铝、钼、银、锡、钨、金、铬、镍、铂、铜合金、铝合金、钼合金、银合金、锡合金、钨合金、金合金、铬合金、镍合金、铂合金、其它合适的金属材料、或前述的组合，但不限于此。前述透明导电材料例如可包含透明导电氧化物(TCO)。例如，透明导电氧化物可包含氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锑锌(AZO)、其它合适的透明导电材料、或前述的组合，但不限于此。
此外，根据一些实施例，可借由电镀制程或焊接制程填充导孔210中的导电材料。举例而言，根据一些实施例，可借由焊接制程(例如填充锡膏)形成与桥接垫250接触的导孔210，或可借由电镀制程形成第一基板202的导孔210，或第一基板202具有多层结构(未绘示)时，可透过光刻、蚀刻、或电镀制程形成导孔210与线路。在一些实施例中，导孔210的一部分可位于第一基板202的一层，导孔210的另一部分可位于第一基板202的另一层(未绘示)。但本发明不以此为限。
如图14所示，根据一些实施例，电子装置10G可进一步包含测试垫(test pad)260，测试垫260可用于测试发光单元104的电性连接或亮度等是否表现正常。测试垫260的材料可与桥接垫250的材料相同或相似，于此便不再赘述。根据一些实施例，电子装置10G可不包含测试垫260。
再者，根据一些实施例，电子装置10G可进一步包含光吸收层270、光提取层150以及保护层152，光吸收层270可覆盖于测试垫260上，光提取层150可覆盖于发光单元104上，并且，光吸收层270可与一部分的光提取层150以及桥接垫250接触。根据一些实施例，保护层152可设置于光吸收层270以及桥接垫250上，保护层152可减少环境中的水气影响桥接垫250或发光单元104的机会，改善电子装置10G的可靠度。根据一些实施例，保护层152的顶表面可与光提取层150顶表面大致上齐平。根据另一些实施例，保护层152的顶表面可高于光提取层150的顶表面，或者，根据一些实施例，保护层152以及光提取层150可择一设置。
根据一些实施例，光吸收层270可吸收至少部分干扰光，减少干扰光对影像的影响，提升发光单元104的对比度或辉度。根据一些实施例，光吸收层270的材料可包含高吸收材料、低反射材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，光吸收层270的材料可包括粒子、涂料、胶材、其它合适材料、或前述的组合，但不限于此。根据一些实施例，光吸收层270可包含黑色有机材料、黑色无机材料、聚乙烯对苯二甲酸酯、黑色油墨、黑色胶带、其它合适材料、或前述的组合，但不限于此。
再者，根据一些实施例，光提取层150以及保护层152的材料可与前述保护层108的材料相同或相似，于此便不再赘述。根据一些实施例，光提取层150的折射率的范围介于1至2.4之间(即1≤光提取层150的折射率≤2.4)、或介于1.2至2.2之间、或介于1.5至2.0之间。根据一些实施例，保护层152的折射率的范围介于1至2.4之间(即1≤保护层152的折射率≤2.4)、或介于1.2至2.2之间、或介于1.5至2.0之间。值得注意的是，根据一些实施例，保护层152的折射率的范围介于1至2.4之间时，可增加发光组件100的出光效率或降低全反射的情形。根据一些实施例，光提取层150的折射率与保护层152的折射率大致上相同。
综上所述，本发明提供的电子装置包含设置于不同基板上的发光组件与薄膜晶体管阵列，如此一来，薄膜晶体管阵列与发光组件在基板材料以及制程的选择上可彼此独立，可改善制程良率、产品的可靠度、或降低生产成本。此外，根据一些实施例，薄膜晶体管阵列所设置的基板的尺寸可小于发光组件所设置的基板的尺寸，借此可增加薄膜晶体管阵列与发光组件之间可用于电性连接的空间(例如:增加连接空间、增加接点数量)。
虽然本发明的实施例及其优点已揭露如上，但应该了解的是，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。本发明实施例之间的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何本领域技术人员可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定者为准。本发明的任一实施例或权利要求不须达成本发明所公开的全部目的、优点、特点。
Claims (10)
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
多个发光组件；以及
一第一薄膜晶体管阵列，用以驱动至少一部分的所述多个发光组件，
其中所述多个发光组件以及所述第一薄膜晶体管阵列设置于不同的基板上。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多个发光组件设置于一第一基板上且所述第一薄膜晶体管阵列设置于一第二基板上，其中所述第二基板的面积小于所述第一基板的面积。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多个发光组件包括发光二极管封装体、发光二极管芯片、或前述的组合。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多个发光组件排列成一阵列。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：一第二薄膜晶体管阵列，其中所述多个发光组件、所述第一薄膜晶体管阵列以及所述第二薄膜晶体管阵列设置于不同的基板上，且所述第一薄膜晶体管阵列与所述第二薄膜晶体管阵列用以驱动不同部分的所述多个发光组件。
6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述多个发光组件设置于一第一基板上，所述第一薄膜晶体管阵列设置于一第二基板上，且所述第二薄膜晶体管阵列设置于一第三基板上，且其中所述第二基板与所述第三基板的面积总和小于所述第一基板的面积。
7.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述第一薄膜晶体管阵列与所述第二薄膜晶体管阵列电性连接。
8.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述第一薄膜晶体管阵列未与所述第二薄膜晶体管阵列电性连接。
9.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述多个发光组件以及所述第二基板设置于所述第一基板的不同侧。
10.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述多个发光组件以及所述第二基板设置于所述第一基板的同一侧。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17/105,562 US20210183833A1 (en) | 2019-12-17 | 2020-11-26 | Electronic device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201962948956P | 2019-12-17 | 2019-12-17 | |
| US62/948,956 | 2019-12-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112992960A true CN112992960A (zh) | 2021-06-18 |
Family
ID=76344274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010878141.9A Pending CN112992960A (zh) | 2019-12-17 | 2020-08-27 | 电子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112992960A (zh) |
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| PB01 | Publication | ||
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