CN112992880B - 一种Mini-LED背光板通孔的形成方法及电子设备 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 108
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 71
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000012466 permeate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 10
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 238000007688 edging Methods 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
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- Power Engineering (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Mathematical Physics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供了一种Mini‑LED背光板通孔的形成方法及电子设备,该Mini‑LED背光板通孔的形成方法包括:获取预设厚度以及预设尺寸的玻璃基板;采用激光设备在所述玻璃基板的表面镭射出多个预设形状的通孔外形;将所述玻璃基板固定在一个过渡基板上;浸泡在刻蚀溶液中,所述刻蚀溶液通过激光镭射的痕迹渗透,以形成所述预设形状的通孔。该形成方法在玻璃基板上形成通孔的速度较快,且可以形成所需要小尺寸的通孔结构。
Description
技术领域
本发明涉及半导体工艺技术领域,更具体地说,涉及一种Mini-LED背光板通孔的形成方法及电子设备。
背景技术
随着科学技术的不断发展,LED(Light Emitting Diode,发光二极管)作为新型的发光器件,与传统的发光器件相比,LED具有节能、环保、显色性与响应速度好等优点被广泛应用于人们的生活和工作中,为人们的日常生活带来了极大的便利。
基于Mini-LED芯片而言,其是一种芯片尺寸在100μm×100μm左右的LED芯片,其具有色彩饱和度高、可局部调光、亮度高和节能灯优点,可应用于背光显示器、笔记本、平板电脑和电视等应用中。
但是,基于目前Mini-LED芯片背光结构所采用的背光板,无法有效在背光板上形成所需要通孔结构。
发明内容
有鉴于此,为解决上述问题,本发明提供一种Mini-LED背光板通孔的形成方法及电子设备,技术方案如下:
一种Mini-LED背光板通孔的形成方法,所述形成方法包括:
获取预设厚度以及预设尺寸的玻璃基板;
采用激光设备在所述玻璃基板的表面镭射出多个预设形状的通孔外形;
将所述玻璃基板固定在一个过渡基板上;
浸泡在刻蚀溶液中,所述刻蚀溶液通过激光镭射的痕迹渗透,以形成所述预设形状的通孔。
优选的,在上述形成方法中,所述获取预设厚度以及预设尺寸的玻璃基板,包括:
选取所述预设厚度的大尺寸玻璃基板;
对所述大尺寸玻璃基板进行切割,形成所述预设厚度以及所述预设尺寸的玻璃基板。
优选的,在上述形成方法中,在所述获取预设厚度以及预设尺寸的玻璃基板之后,所述形成方法还包括:
对所述玻璃基板进行磨边倒角处理。
优选的,在上述形成方法中,所述预设形状为在第一方向上尺寸逐渐增大的圆台;
其中,所述第一方向垂直于所述玻璃基板,且由所述过渡基板指向所述玻璃基板。
优选的,在上述形成方法中,在所述将所述玻璃基板固定在一个过渡基板上之后,所述形成方法还包括:
将所述玻璃基板的外边与所述过渡基板密封处理。
优选的,在上述形成方法中,所述将所述玻璃基板的外边与所述过渡基板密封处理,包括:
采用UV胶将所述玻璃基板的外边与所述过渡基板密封处理。
优选的,在上述形成方法中,所述过渡基板为亚克力基板。
优选的,在上述形成方法中,所述过渡基板的尺寸与所述玻璃基板的尺寸相同。
优选的,在上述形成方法中,所述刻蚀溶液为氢氟酸溶液。
一种电子设备,所述电子设备至少包括Mini-LED背光结构;
所述Mini-LED背光结构至少包括Mini-LED背光板;
其中,所述Mini-LED背光板上的通孔通过上述任一项所述的形成方法形成。
相较于现有技术,本发明实现的有益效果为:
本发明提供的一种Mini-LED背光板通孔的形成方法包括:获取预设厚度以及预设尺寸的玻璃基板;采用激光设备在所述玻璃基板的表面镭射出多个预设形状的通孔外形;将所述玻璃基板固定在一个过渡基板上;浸泡在刻蚀溶液中,所述刻蚀溶液通过激光镭射的痕迹渗透,以形成所述预设形状的通孔。该形成方法在玻璃基板上形成通孔的速度较快,且可以形成所需要小尺寸的通孔结构。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种Mini-LED背光板通孔的形成方法的流程示意图;
图2-图6为本发明实施例中图1所示形成方法相对应的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的另一种Mini-LED背光板通孔的形成方法的流程示意图;
图8为本发明实施例提供的又一种Mini-LED背光板通孔的形成方法的流程示意图;
图9为本发明实施例提供的一种玻璃基板通孔的形状示意图;
图10为本发明实施例提供的又一种Mini-LED背光板通孔的形成方法的流程示意图;
图11为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的发明创造过程中,发明人发现,目前,Mini-LED背光结构主要采用PCB(Printed Circuit Board,印制电路板)基板,在产品厚度上受到一定程度的限制。
据发明人了解,当PCB基板的厚度小于0.4mm时,将Mini-LED芯片封装至PCB基板上时,由于封装胶与PCB材料热膨胀系数不同,会产生胶裂的问题。
并且,PCB材料的导热性能较差,当Mini-LED芯片的数量增加时。将缩短Mini-LED芯片的使用寿命。
这些问题均阻碍了Mini-LED背光板需要做进一步轻薄化。
进一步的,基于目前的PCB基板,其PCB基板上的孔径都很大。
基于此,本发明提供了一种Mini-LED背光板通孔的形成方法,该形成方法形成通孔的速度较快,且可以形成所需要小尺寸的通孔结构。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参考图1,图1为本发明实施例提供的一种Mini-LED背光板通孔的形成方法的流程示意图。
所述形成方法包括:
S101:如图2所示,获取预设厚度以及预设尺寸的玻璃基板11。
在该步骤中,根据实际需求,获取预设厚度和预设尺寸的玻璃基板,其厚度和尺寸的选取,在本发明实施例中并不作限定。
S102:如图3所示,采用激光设备在所述玻璃基板11的表面镭射出多个预设形状的通孔外形。
S103:如图4所示,将所述玻璃基板11固定在一个过渡基板12上。
S104:如图5所示,浸泡在刻蚀溶液中,所述刻蚀溶液通过激光镭射的痕迹渗透,以形成所述预设形状的通孔。
在该实施例中,刻蚀溶液通过激光镭射的痕迹渗透,该刻蚀溶液经过一段时间之后会侵蚀玻璃基板11,如图6所示,进而使得所有被激光镭射的图形都被导通,以形成预设形状的通孔。
该形成方法形成通孔的速度较快,且可以形成所需要小尺寸的通孔结构。
需要说明的是,所述刻蚀溶液包括但不限定于氢氟酸溶液。
可选的,在本发明另一实施例中,参考图7,图7为本发明实施例提供的另一种Mini-LED背光板通孔的形成方法的流程示意图。
步骤S101中,所述获取预设厚度以及预设尺寸的玻璃基板11,包括:
S1011:选取所述预设厚度的大尺寸玻璃基板;
S1012:对所述大尺寸玻璃基板进行切割,形成所述预设厚度以及所述预设尺寸的玻璃基板11。
在该实施例中,基于预设厚度的大尺寸玻璃基板,选取大尺寸玻璃基板中最优的区域进行切割,以形成高质量的、预设厚度的、以及预设尺寸的玻璃基板,避免后续玻璃基板出现破裂的情况发生。
可选的,在本发明另一实施例中,参考图8,图8为本发明实施例提供的又一种Mini-LED背光板通孔的形成方法的流程示意图。
在步骤S101,所述获取预设厚度以及预设尺寸的玻璃基板11之后,所述形成方法还包括:
S105:对所述玻璃基板11进行磨边倒角处理。
在该实施例中,对所述玻璃基板11的多条边进行磨边倒角处理,以防止后续制作工艺中切割残余崩砂裂纹导致玻璃基板破裂的情况发生。
可选的,在本发明另一实施例中,参考图9,图9为本发明实施例提供的一种玻璃基板通孔的形状示意图。
所述预设形状为在第一方向上尺寸逐渐增大的圆台。
其中,所述第一方向垂直于所述玻璃基板11,且由所述过渡基板12指向所述玻璃基板11。
可选的,在本发明另一实施例中,参考图10,图10为本发明实施例提供的又一种Mini-LED背光板通孔的形成方法的流程示意图。
在步骤S103,所述将所述玻璃基板11固定在一个过渡基板12上之后,所述形成方法还包括:
S106:将所述玻璃基板11的外边与所述过渡基板12密封处理。
在该实施例中,将所述玻璃基板11的外边与所述过渡基板12的外边进行密封处理,避免后续制作工艺中刻蚀溶液进入到所述玻璃基板11和所述过渡基板12之间,进而提高玻璃基板11通孔的制作良率。
可选的,在本发明另一实施例中,所述将所述玻璃基板11的外边与所述过渡基板12密封处理,包括:
采用UV胶将所述玻璃基板11的外边与所述过渡基板12密封处理。
在该实施例中,采用UV胶将所述玻璃基板11的外边与所述过渡基板12密封处理,其密封效果良好,且在去除UV胶时也较为简单。
可选的,在本发明另一实施例中,所述过渡基板12为亚克力基板。
可选的,在本发明另一实施例中,所述过渡基板12的尺寸与所述玻璃基板11的尺寸相同。
可选的,基于本发明上述全部实施例,在本发明另一实施例中还提供了一种电子设备,参考图11,图11为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
所述电子设备13至少包括Mini-LED背光结构;
所述Mini-LED背光结构至少包括Mini-LED背光板;
其中,所述Mini-LED背光板上的通孔通过本发明上述实施例所述的形成方法形成。
在该实施例中,所述电子设备13包括但不限定于背光显示器、笔记本、平板电脑和电视等电子设备。
以上对本发明所提供的一种Mini-LED背光板通孔的形成方法及电子设备进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
需要说明的是,本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言,由于其与实施例公开的方法相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见方法部分说明即可。
还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素,或者是还包括为这些过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (9)
1.一种Mini-LED背光板通孔的形成方法,其特征在于,所述形成方法包括:
获取预设厚度以及预设尺寸的玻璃基板;
采用激光设备在所述玻璃基板的表面镭射出多个预设形状的通孔外形;
将所述玻璃基板固定在一个过渡基板上;
浸泡在刻蚀溶液中,所述刻蚀溶液通过激光镭射的痕迹渗透,以形成所述预设形状的通孔;
在所述将所述玻璃基板固定在一个过渡基板上之后,所述形成方法还包括:
将所述玻璃基板的外边与所述过渡基板密封处理。
2.根据权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述获取预设厚度以及预设尺寸的玻璃基板,包括:
选取所述预设厚度的大尺寸玻璃基板;
对所述大尺寸玻璃基板进行切割,形成所述预设厚度以及所述预设尺寸的玻璃基板。
3.根据权利要求1所述的形成方法,其特征在于,在所述获取预设厚度以及预设尺寸的玻璃基板之后,所述形成方法还包括:
对所述玻璃基板进行磨边倒角处理。
4.根据权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述预设形状为在第一方向上尺寸逐渐增大的圆台;
其中,所述第一方向垂直于所述玻璃基板,且由所述过渡基板指向所述玻璃基板。
5.根据权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述将所述玻璃基板的外边与所述过渡基板密封处理,包括:
采用UV胶将所述玻璃基板的外边与所述过渡基板密封处理。
6.根据权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述过渡基板为亚克力基板。
7.根据权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述过渡基板的尺寸与所述玻璃基板的尺寸相同。
8.根据权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述刻蚀溶液为氢氟酸溶液。
9.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备至少包括Mini-LED背光结构;
所述Mini-LED背光结构至少包括Mini-LED背光板;
其中,所述Mini-LED背光板上的通孔通过权利要求1-8任一项所述的形成方法形成。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110448071.8A CN112992880B (zh) | 2021-04-25 | 2021-04-25 | 一种Mini-LED背光板通孔的形成方法及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110448071.8A CN112992880B (zh) | 2021-04-25 | 2021-04-25 | 一种Mini-LED背光板通孔的形成方法及电子设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112992880A CN112992880A (zh) | 2021-06-18 |
CN112992880B true CN112992880B (zh) | 2023-08-15 |
Family
ID=76340089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110448071.8A Active CN112992880B (zh) | 2021-04-25 | 2021-04-25 | 一种Mini-LED背光板通孔的形成方法及电子设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112992880B (zh) |
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