KR20090119420A - 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트유니트 - Google Patents

고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트유니트 Download PDF

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KR20090119420A
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Abstract

본 발명은 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용하여 휘도의 균일도를 향상시켜 확산시트를 제거할 수 있고 광학거리를 줄여 초슬림화를 가능하게 한 백라이트 유니트를 개시한다. 본 발명의 백라이트 유니트는, 몰드 프레임(110)과, 몰드 프레임(110)의 바닥면에 배열되는 지향각 140도 이상인 1608 내지 2020 사이즈 이하의 초소형의 패키지의 고휘도 칩형 발광다이오드 어레이(120a)와, 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지 어레이(120a) 위 광학거리 상에 위치하여 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지 어레이(120a)에서 방출되는 광을 확산시키는 렌즈 확산판(140)과, 렌즈 확산판(140) 위에 위치하여 휘도를 향상시키는 휘도향상필름(150)을 포함하여 광학거리(T)가 10mm 이하가 되게 하는 것이다. 본 발명에 따른 직하형 백라이트 유니트는 방열효과가 탁월하고 소형인 칩형 LED 패키지를 조밀하게 블럭 단위로 배열하고, 정전기 방지 및 비용절감을 위해 하나의 제너 다이오드 혹은 칩바리스터가 다수의 블럭을 담당하도록 함으로써 휘도의 균일도를 향상시켜 확산시트를 제거할 수 있고 광학거리를 줄여 초슬림화를 가능하게 한다.
발광다이오드 패키지, 칩형 발광다이오드, 백라이트 유니트, 슬림화, 광학거리, 균일도

Description

고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트 유니트{BACK LIGHT UNIT USING SINGLE CHIP LED PACKAGE}
본 발명은 백라이트 유니트(BLU: Back Light Unit)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용하여 휘도의 균일도를 향상시켜 확산시트를 제거할 수 있고 광학거리를 줄여 초슬림화를 가능하게 한 백라이트 유니트에 관한 것이다.
정보화 사회에서 표시장치의 개발은 눈부시게 발전하고 있으며 그 역할도 중요시되고 있다. 특히, 평판형 디스플레이(Flat Panel Display)로 각광받는 액정표시장치(LCD)는 자체 발광을 하지 못하기 때문에 백라이트 유니트(backlight unit)이 필요하며, 액정표시장치(LCD)의 성능은 액정표시장치 자체만이 아니라 사용하는 백라이트 유니트의 성능에 의존하는 바가 크다.
통상, 백라이트 유니트는 광원 위치에 따라 직하 방식과 에지 방식으로 구분된다.
에지 방식의 백라이트 유니트에서는 광원 어셈블리가 도광판의 측면에 설치되며, 광원 어셈블리는 광을 발산하는 광원과, 도광판에 대향하는 측면이 개구되도록 광원을 감싸서 광원에서 발산된 광을 도광판으로 반사시켜 주는 반사판으로 구성된다. 그러나 에지 방식에서는 광원으로부터의 광선을 효율적으로 이용하는데 한계가 있기 때문에 원하는 효율의 광선을 출사시키기 위해서는 고전력이 필요하고, 화면의 크기에 한계가 있다.
이러한 단점을 극복하기 위하여 직하 방식의 백라이트 유니트가 제시되었으나, 직하 방식에서는 휘도를 증가시키고 휘도의 균일성을 확보하기 위하여 다수개의 광원을 조밀하게 배열해야 하므로 소비전력과 제작비용, 및 열이 증가한다는 문제점이 있다.
종래에 발광다이오드(LED) 패키지를 이용한 직하 조광형 백라이트(10)는 도 1에 도시된 바와 같이, 몰드 프레임(11) 위에 실장되는 다수의 LED 패키지(12)들이 어레이 형태로 배열된 LED 패키지 어레이(12a)와, LED 패키지 어레이(12a)로부터의 빛을 확산시켜 균일도를 향상시키는 확산판(13)과, 확산시트(14), 및 집광시트(15)로 구성된다. 이때 확산시트(14)는 2개의 시트(14-1,14-2)로 이루어진다.
그리고 종래의 직하형 백라이트에 사용되는 LED 패키지(12)는 도 2에 도시된 바와 같이, 대략 350㎛ × 350㎛ 사이즈의 LED칩(12c) 3개와 하나의 제너 다이오드칩(12d)이 하나의 패키지로 이루어져 있거나 혹은 550㎛ × 550㎛ 이상의 사이즈를 갖는 LED칩이 대략 3.5㎜ × 3.5㎜ 또는 5㎜ × 5㎜크기의 고휘도 LED 패키지에 실장되어 있다.
그런데 이와 같은 종래의 고휘도 LED 패키지(12)를 사용하여 직하형 백라이트 유니트를 제조할 경우에는 도 1에 도시된 바와 같이 광학 거리(T)가 대략 20㎜ ~ 30㎜ 정도가 되어 박형화가 어렵고, 상대적으로 큰 고휘도 LED 패키지들은 가격이 비싸기 때문에 소(疏)하게 배열하여 균일도와 휘도를 증가시키기 위한 노력이 진행중이나 10 mm 이하의 광학거리에서는 휘도의 균일도가 떨어져 화질이 저하되며, 이를 해결하기 위해 부수적인 확산시트와 다수의 광학시트가 필요하여 가격이 비싸지는 문제점이 있고, 또한 패키지 내에 포함되어 있는 제너 다이오드가 LED 수량과 동등한 수량으로 소비되기 때문에 불필요한 제조비용이 증가하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 저가격의 초소형 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용하여 휘도의 균일도를 향상시켜 확산시트를 제거할 수 있고 광학거리를 줄여 초슬림화를 가능하게 한 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트 유니트를 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 백라이트 유니트는, 몰드 프 레임; 상기 몰드 프레임의 바닥면에 배열되는 지향각 140도 이상인 1608 내지 2020 사이즈 이하의 초소형의 패키지의 고휘도 칩형 발광다이오드 어레이; 상기 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지 어레이 위 광학거리 상에 위치하여 상기 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지 어레이에서 방출되는 광을 확산시키는 렌즈 확산판; 및 상기 렌즈 확산판 위에 위치하여 휘도를 향상시키는 휘도향상필름을 포함하여 상기 광학거리가 10mm 이하가 되게 하는 것을 특징으로 한다.
상기 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지 어레이는 다수의 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지가 직렬 혹은 병렬로 연결된 블럭들과, 상기 블럭들에 병렬로 연결되는 제너 다이오드 혹은 칩바리스터로 이루어져 제너 다이오드의 수를 줄인 것이다.
상기 블럭은 다수의 고휘도 칩형 LED 패키지들이 직렬로 연결되어 직렬 연결 블럭을 구성하고, 상기 직렬 연결 블럭들이 병렬로 연결되어 하나의 제너 다이오드에 병렬로 연결된 구조인 것이고, 상기 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지는 반사부를 갖는 1608 내지 2020 사이즈 이하의 PCB 또는 리드 프레임에 하나의 LED 칩이 실장된 구조로서, 상기 LED 칩은 가로세로가 350~650um인 크기 범위를 가지며 그 범위에서 형태는 정사각형 및 직사각형을 가질 수 있고, 상기 패키지의 면적은 1.28mm2~4mm2 이하인 것이다.
상기 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지는 LED 칩이 실장되는 플랫폼이 원형, 타원형, 혹은 사각형이고, 레이저 가공법 및 에칭에 의해 형성된 것이고, 상기 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지는 패키지의 원 기판 상하측면에 메탈이 0.02um 이 상 150um 이하로 증착 또는 도금에 의해 형성시켜 방열을 극대화한 것이다.
상기 단일 칩 발광다이오드 패키지는 실리콘 또는 투명 수지에 형광체가 포함된 몰드부를 가진 것이고, 확산판은 0.1~0.5mm의 지름을 가진 오목렌즈 혹은 볼록렌즈가 상, 하면에 지그재그로 형성된 것이다.
또한 상기 확산판은, 일면에 오목 렌즈 패턴이 연속되어 형성되어 있고, 타면에 상기 일면의 오목렌즈 패턴과 지그재그로 볼록 렌즈 패턴이 형성되어 있거나 일면에 볼록 렌즈 패턴이 연속되어 형성되어 있고, 타면에 상기 일면의 볼록 렌즈 패턴과 지그재그로 볼록 렌즈 패턴이 형성되어 있는 것이다.
본 발명에 따른 직하형 백라이트 유니트는 기존 3528 및 5050 패키지를 이용한 3chip LED 칩을 1608 내지 2020 사이즈 이하의 초소형 패키지에 1chip LED로 각각 소정의 거리로 분할시켜 방열효과를 개선하고, 최소화된 패키지로 비용을 절감할 수 있으며, 그에 따라 같은 가격에 다량의 패키지를 사용함으로써 제품의 두께를 초슬림화할 수 있으며, 제품의 단순화를 통해 제조비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 직하형 백라이트 유니트는 하나의 제너 다이오드 혹은 칩바리스터가 다수의 칩형 LED 패키지들로 이루어진 블럭들을 담당하도록 함으로써 종래에 패키지당 하나의 제너 다이오드가 소모되는 것에 비해 제너 다이오드 혹은 칩바리스터의 수를 획기적으로 줄여 제조비용을 절감할 수 있다.
본 발명과 본 발명의 실시에 의해 달성되는 기술적 과제는 다음에서 설명하는 본 발명의 바람직한 실시예들에 의하여 보다 명확해질 것이다. 다음의 실시예들은 단지 본 발명을 설명하기 위하여 예시된 것에 불과하며, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것은 아니다.
도 3은 본 발명에 따른 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트 유니트의 구조를 도시한 도면이고, 도 4는 도 3에 도시된 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 도시한 개략도이며, 도 5는 도 3에 도시된 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지의 예이다. 본 발명의 실시예에서 패키지의 사이즈를 나타내는 1608, 2020, 3528, 5050은 패키지의 길이와 폭을 나타내는 것으로서 1.6mm×0.8mm, 2mm×2mm, 3.5mm×2.8mm, 5mm×5mm을 나타낸다.
본 발명의 백라이트 유니트(100)는 도 3에 도시된 바와 같이, 몰드 프레임(110)과, 몰드 프레임(110)의 바닥면에 배열되는 지향각 140도 이상인 1608 내지 2020 사이즈 이하의 초소형의 패키지의 고휘도 칩형 발광다이오드 어레이(120a), 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지 어레이(120a) 위 광학거리 상에 위치하여 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지 어레이(120a)에서 방출되는 광을 확산시키는 렌즈 확산판(140), 렌즈 확산판(140) 위에 위치하여 휘도를 향상시키는 휘도향상 필름(150)을 포함하여 광학거리(T)가 10mm 이하가 되는 것이다.
도 3을 참조하면, 몰드 프레임(110)은 백라이트 유니트(100)를 지지하는 기 구적인 구성으로서, 바닥면에는 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지(120)들이 배열되어 광원 역할을 하는 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지 어레이(120a)를 구성하고 있다.
본 발명에 사용되는 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지(120)는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 대략 350㎛ × 350㎛ 사이즈를 갖는 하나의 LED 칩(121)이 대략 1.6㎜ × 0.8㎜ 크기의 하나의 패키지를 구성하고 있다. 또한 LED 칩(121)은 가로세로가 250um 이상 650um 이하인 크기를 가질 수 있고, 그 범위에서 형태는 정사각형 및 직사각형을 가질 수 있으며, 패키지의 면적은 1.28mm2~4mm2 인 것이 바람직하다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 사용되는 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지(120)는 반사부를 갖는 1608 내지 2020 사이즈 이하의 PCB 또는 리드 프레임에 하나의 LED 칩(121)이 실장되는 구조인데, 리드 프레임은 FR-4 또는 BT(Bisaleimide Triazine) 등 절연체 상하에 각각 Cu 등으로 상부 금속층 및 하부 금속층이 형성된 PCB를 가공하여 형성한 홈 형태의 플랫폼(124)과 도랑(gully) 형상(125)을 사이에 두고 전기적으로 절연되도록 배치된 전극 리드들(122, 123)로 이루어지거나 메탈로 이루어진다. 반사컵(124)은 LED 칩(121)을 실장하기 위한 영역으로서, 원형, 타원형, 혹은 사각형이고, 레이저 가공법 및 에칭에 의해 형성된다. 예컨대, 레이저를 한 회 이상 조사하여 실장될 LED 칩의 크기에 맞게 일정 직경 이상 확보하며, 도랑 형상(125)은 열 순환 방출 효과를 높이기 위한 것이다.
전극 리드들(122, 123)과 반사컵(124) 위에는 금속 코팅층(126)이 형성되어 있고, 그 위에 LED 칩(121)이 실장되어 SMD 타입의 전자 소자가 제작될 수 있다. 반사컵(124)을 형성하기 위하여는 소정 패턴이나 마스크 등을 이용하여 레이저를 한 회 이상 해당 영역에 조사하여 PCB의 상부 금속층으로부터 절연체까지 홈 형태로 식각/가공함으로써 이루어질 수 있다. 금속 코팅층(126)은 Cu 등을 이용한 도금을 통하여 이루어질 수 있고, 이와 같은 도금을 통하여 PCB의 절연체를 매개로 PCB의 상부 금속층과 반사컵(124) 영역의 PCB의 하부 금속층을 전기적으로 연결시켜서, 반사컵(124) 상에 실장되는 LED 칩(121)에서 발생하는 열을 PCB의 하부 금속층으로 순환 방출시킬 수 있게 된다. 즉, 패키지의 원 기판 상하측면에는 메탈이 0.02um 이상 150um 이하로 증착 또는 도금에 의해 형성되어 방열을 극대화한다.
그리고 금속 코팅층(126)은 LED 칩(121)의 동작 시 반사 효율을 향상시키도록 할 수 있으며, LED 칩(121)이 실장된 후에는 LED 칩(121)의 주위를 소정 형광제를 혼합한 실리콘계 수지 등 접착성 있는 투명 수지(127)로 몰딩하여 LED 칩(121)에서 방출되는 빛에 대하여 광이용 효율 또는 광 확산을 향상시킬 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 백라이트 유니트(100)는 앞서 살펴 본 바와 같이 종래의 고휘도 LED 패키지에 비해 사이즈가 작아 동일 기판에서 생산되는 제품수량이 많아 제작비용을 줄일 수 있다. 예컨대, 널리 사용되는 100mm × 70mm의 패키지 기판을 사용할 경우에 종래의 고휘도 LED 패키지는 대략 150개를 생산할 수 있어 개당 단가가 80원 정도가 되나 본 발명에 따른 초소형 LED 패키지를 사용할 경우에는 대략 1800개 정도를 생산할 수 있어 개당 단가를 7원 정도까지 대 폭 줄일 수 있다.
그리고 본 발명에 따른 백라이트 유니트(100)에서는 고휘도 칩형 LED 패키지(120)를 종래 보다 밀(密)하게 배열하여 사용하므로 광학 거리(T)가 대략 10㎜ 이하가 되도록 구현할 수 있어 초 슬림화를 가능하게 하고, 휘도의 균일도를 향상시킬 수 있다.
도 6은 본 발명에 따라 제너 다이오드의 수를 줄이기 위해 발광다이오드 패키지를 블럭화하는 개념을 도시한 개략도이고, 도 7은 본 발명에 따른 단일 칩 발광 다이오드 패키지 어레이의 예이다.
본 발명에 따른 백라이트 유니트(100)는 단일 칩 LED 패키지(120)를 배열함에 있어서 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 블럭 개념을 이용하여 여러 개의 직렬 연결 블럭당 하나의 제너 다이오드(130)를 사용하므로 제너 다이오드(130)의 수를 줄일 수 있어 부품을 절감할 수 있다. 본 발명은 제너 다이오드(130) 대신에 칩바리스터를 사용할 수도 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 다수의 고휘도 칩형 LED 패키지(120)들이 직렬로 연결되어 각각의 직렬 연결 블럭(B1,B2,B3)을 구성하고, 각 직렬 연결 블럭(B1,B2,B3)들이 병렬로 연결되어 하나의 제너 다이오드(130)에 병렬로 연결된 구조이다. 따라서 본 발명의 백라이트 유니트(100)에 사용되는 고휘도 칩형 LED 패키지 어레이(120a)는 도 7에 도시된 바와 같이 다수의 LED 블럭(B1, B2, B3,..) 당 하나의 제너 다이오드(130)만 요구되어 종래에 비해 제너 다이오드(130)의 수를 대폭 줄일 수 있다. 예컨대, 도 6과 같이 5개의 LED 패키지(120)를 하나의 직렬 블 록(B1~B3)으로 하고, 3개의 직렬 블록(B1~B3)을 병렬로 연결하여 하나의 제너다이오드(130)에 연결할 경우에는 종래에는 패키지 당 1개씩 총 15개의 제너다이오드가 필요하였으나 본 발명에서는 하나의 제너다이오드 혹은 칩바리스터로 처리할 수 있다. 또한 도 7과 같이 직렬 연결된 5개의 LED 패키지(120)의 3열을 하나의 직렬 블록(B1~B3)으로 각각 구성한 후, 이 3개의 직렬 블럭(B1~B3)을 다시 병렬로 배치한 경우에는 총 45개의 LED 패키지(120)당 하나의 제너다이오드(130)만을 필요로 하므로 종래에 비해 획기적으로 제너 다이오드의 수를 줄일 수 있다.
또한 본 발명은 LED패키지(120)의 크기가 작아 동일 기판에서 생산되는 제품수량이 많아 제작비용을 줄일 수 있어 종래에 비해 LED 패키지간 배치간격을 밀(密)하게 배열할 수 있으므로 휘도의 균일성을 향상시킬 수 있으며, 이에 따라 종래의 확산시트(14-1,14-2)를 제거하여 보다 부품 수를 줄일 수 있다.
도 8은 도 3에 도시된 렌즈 확산판의 제 1 실시예이고, 도 9는 도 3에 도시된 렌즈 확산판의 제 2 실시예이다.
본 발명에 사용되는 렌즈 확산판(140)의 제1 실시예는 도 8에 도시된 바와 같이 확산판의 상면(UP)에 오목 렌즈 패턴(142)이 연속되어 형성되어 있고, 하면(DN)에는 상면의 오목렌즈 패턴(142)과 엇갈리게(지그재그로) 볼록 렌즈 패턴(144)이 형성되어 확산 기능을 향상시키고 있다. 그리고 도면에는 도시하지 않았으나 제1 실시예의 렌즈 확산판(140)을 뒤집어 확산판의 하면(DN)에 오목 렌즈 패턴(142)이 연속되어 형성되게 하고, 상면(UP)에 하면의 오목렌즈 패턴(142)과 엇갈리게(지그재그로) 볼록 렌즈 패턴(144)이 형성되게 할 수도 있다. 이때 오목렌 즈(142)와 볼록렌즈(144)의 지름은 대략 0.1 ~ 0.5 ㎜의 크기를 가지는 것이 바람직하다.
그리고 본 발명에 사용되는 렌즈 확산판(140)의 제2 실시예는 도 9에 도시된 바와 같이 확산판의 상면(UP)에 볼록 렌즈 패턴(146)이 연속되어 형성되어 있고, 하면(DN)에 상면(UP)의 볼록 렌즈 패턴(146)과 엇갈리게(지그재그로) 볼록 렌즈 패턴(148)이 형성되어 확산 기능을 향상시키고 있다. 이때 볼록렌즈(146,148)의 지름은 대략 0.1 ~ 0.5 ㎜의 크기를 가지는 것이 바람직하다.
도 10a는 종래의 백라이트 유니트의 광확산 특성 결과를 도시하였고, 도 10b는 본 발명에 따른 백라이트 유니트의 광확산 특성 결과를 도시하였다. 도 10a와 도 10b를 비교해보면, 본 발명에 따른 백라이트 유니트의 광확산도가 종래에 비해 향상된 것을 알 수 있다.
도 11은 본 발명에 따른 백라이트 유니트의 휘도와 균일도 특성을 도시한 그래프이다. 도 11을 참조하면, x축과 y축 좌표 평면상의 휘도가 균일한 것을 알 수 있다.
도 12는 종래의 백라이트 유니트(Normal Type)와 본 발명에 따른 백라이트 유니트(Ultra Slim)의 휘도 특성을 비교 도시한 그래프이다. 도시된 그래프에 따르면 본 발명에 따른 백라이트 유니트의 휘도가 더 양호한 것을 알 수 있다.
이상에서 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
도 1은 종래의 발광다이오드 패키지를 이용한 직하형 백라이트 유니트의 구조를 도시한 도면,
도 2는 도 1에 도시된 발광다이오드 패키지를 도시한 개략도,
도 3은 본 발명에 따른 칩형 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트 유니트의 구조를 도시한 도면,
도 4는 도 3에 도시된 칩형 발광다이오드 패키지를 도시한 개략도,
도 5는 도 3에 도시된 칩형 발광다이오드 패키지의 예,
도 6은 본 발명에 따라 제너 다이오드의 수를 줄이기 위한 발광다이오드 패키지 블럭 개념을 도시한 개략도,
도 7은 본 발명에 따른 칩형 발광 다이오드 패키지 어레이의 예,
도 8은 도 3에 도시된 렌즈 확산판의 제1실시예,
도 9는 도 3에 도시된 렌즈 확산판의 제2실시예,
도 10a,b는 백라이트 유니트의 특성을 비교하기 위한 도면,
도 11은 본 발명에 따른 백라이트 유니트의 특성 그래프,
도 12는 종래의 백라이트 유니트와 본 발명에 따른 백라이트 유니트의 휘도 특성을 비교 도시한 그래프이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
110: 몰드 프레임 120: 칩형 LED 패키지
120a: 칩형 LED 패키지 어레이 130: 제너 다이오드
140: 렌즈 확산판 150: 휘도향상 필름

Claims (12)

  1. 몰드 프레임;
    상기 몰드 프레임의 바닥면에 지향각 140도 이상인 1608 내지 2020 사이즈 이하의 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지가 배열되어 이루어진 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지 어레이;
    상기 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지 어레이 위 광학거리(T) 상에 위치하여 상기 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지 어레이에서 방출되는 광을 확산시키는 렌즈 확산판; 및
    상기 렌즈 확산판 위에 위치하여 휘도를 향상시키는 휘도향상필름을 포함하여
    상기 광학거리(T)가 10mm 이하게 되게 하는 것을 특징으로 하는 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트 유니트.
  2. 제1항에 있어서, 상기 백라이트 유니트는,
    3528 및 5050 패키지를 이용한 3 chip LED 칩을 1608 내지 2020 사이즈 이하의 초소형 패키지에 1chip LED로 각각 소정의 거리로 분할시켜 방열효과를 극대화한 특징을 갖는 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트 유니트.
  3. 제1항에 있어서, 상기 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지는,
    최소화된 패키지로 동일기판에 제작되는 제품 수량이 많아 제품 단가가 낮아지므로, 그에 따라 저가격에 다량의 패키지를 사용함으로써 제품의 두께를 초슬림화할 수 있는 것을 특징으로 하는 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트 유니트.
  4. 제1항에 있어서, 상기 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지는,
    1608 내지 2020 사이즈 이하의 PCB 또는 리드 프레임에 하나의 LED 칩이 실장되는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트 유니트.
  5. 제1항에 있어서, 상기 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지 어레이는
    다수의 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지가 직렬 혹은 병렬로 연결된 블럭들과, 상기 블럭들에 병렬로 연결되는 제너 다이오드 혹은 칩바리스터로 이루어져
    제너 다이오드의 수를 줄인 것을 특징으로 하는 단일 칩 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트 유니트.
  6. 제5항에 있어서, 상기 블럭은
    다수의 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지들이 직렬로 연결되어 직렬 연결 블럭을 구성하고, 상기 직렬 연결 블럭들이 병렬로 연결되어 하나의 제너 다이오드 혹은 칩바리스터에 병렬로 연결된 구조인 것을 특징으로 하는 단일 칩 발광다이오 드 패키지를 이용한 백라이트 유니트.
  7. 제1항에 있어서, 상기 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지는,
    반사부를 갖는 리드 프레임에 하나의 LED 칩이 실장된 구조로서,
    상기 LED 칩은 가로세로가 250 ~ 650um의 크기 범위를 가지고 그 범위에서 형태는 정사각형 및 직사각형을 가질 수 있고, 상기 패키지의 면적은 1.28mm2~4mm2 인 것을 특징으로 하는 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트 유니트.
  8. 제1항에 있어서, 상기 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지는,
    LED 칩이 실장되는 플랫폼이 원형, 타원형, 혹은 사각형이고, 레이저 가공법 및 에칭에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트 유니트.
  9. 제1항에 있어서, 상기 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지는,
    패키지의 원 기판 상하측면에 메탈이 0.04um 이상 150um 이하로 증착 또는 도금에 의해 형성시켜 방열을 극대화한 것을 특징으로 하는 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트 유니트.
  10. 제1항에 있어서, 상기 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지는,
    실리콘 또는 투명 수지에 형광체가 포함된 몰드부를 가진 것을 특징으로 하는 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트 유니트.
  11. 제1항에 있어서, 상기 렌즈 확산판은
    0.1~0.5mm의 지름을 가진 오목렌즈 혹은 볼록렌즈가 상, 하면에 지그재그로 형성된 것을 특징으로 하는 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트 유니트.
  12. 제11항에 있어서, 상기 렌즈 확산판은,
    일면에 오목 렌즈 패턴이 연속되어 형성되어 있고, 타면에 상기 일면의 오목렌즈 패턴과 지그재그로 볼록 렌즈 패턴이 형성되어 있거나
    일면에 볼록 렌즈 패턴이 연속되어 형성되어 있고, 타면에 상기 일면의 볼록 렌즈 패턴과 지그재그로 볼록 렌즈 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고휘도 칩형 발광다이오드 패키지를 이용한 백라이트 유니트.
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