CN112973670A - 一种光催化去除no的钼酸铋材料的制备方法及产品 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种光催化去除NO的钼酸铋材料的制备方法，属于光催化去除NO领域，该制备方法为：(1)将Na2MoO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O分别加入到去离子水中溶解；(2)将步骤(1)制备的溶液转移到反应釜中，并置于烘箱中加热，反应完后自然冷却；(3)将步骤(2)制备的样品离心处理得到沉淀，然后洗涤、干燥，得到钼酸铋前驱体；(4)将(3)中得到的前驱体分散到去离子水中后，加入碱性溶液搅拌处理；(5)将(4)中溶液清洗多次，置于烘箱中干燥，最终得到高性能的光催化去除NO的钼酸铋催化材料。本方法通过控制碱性溶液的量，制备得到的钼酸铋催化剂呈现出高效的光催化去除NO能力，且毒副产物NO2生成量低。

Description

一种光催化去除NO的钼酸铋材料的制备方法及产品
技术领域
本发明属于催化剂制备技术领域，更具体地，涉及一种光催化去除一氧化氮的钼酸铋材料的制备方法以及产品。
背景技术
受化石燃料燃烧、矿物质燃烧和汽车尾气大量排放的影响，空气中氮氧化物(NOx)污染问题日益严峻，不仅会引发人体呼吸道疾病妨害健康，也是导致酸雨、雾霾、臭氧空洞和光化学烟雾等环境问题的“罪犯”之一。一氧化氮(NO)是NOx的主要成分，约占90％。目前NO去除方法主要有吸附法、微生物法、以及热催化法等。这些方法涉及的设备运转费高、能耗大，一般用于高浓度的汽车尾气和工业废气的处理，但针对低浓度(ppm数量级)NO的去除效果不佳，还存在高能耗和二次污染的风险。光催化技术因绿色环保、反应条件温和、能耗低等优势引起了广泛的关注。研究发现光催化技术是有效去除低浓度NO的有效方法之一。
光催化去除NO是通过催化氧化NO成NO3 -实现的，过程中容易产生有毒有害中间产物NO2，为实现高效NO去除并同时抑制NO2生成，最关键的是光催化剂的选择。钼酸铋体系具有化学性质稳定、吸光性强、环境友好的特性，自2005年第一次报道可用于可见光催化分解水产氢后，被引入解决环境污染问题，如光催化降解苯酚、降解五氯酚以及去除NO等，是一种具有应用潜力的光催化剂。然而，传统方法合成的钼酸铋材料，由于光生载流子分离效率低和量子产率低的缺点，限制了其工业化应用。
因此，需要开发一种新型的光催化去除一氧化氮的钼酸铋催化剂的制备方法，克服其光生载流子分离效率低和量子产率低的缺点。
发明内容
针对现有技术的缺陷，本发明的目的在于，提供一种光催化去除一氧化氮的钼酸铋材料的制备方法以及产品，通过碱刻蚀钼酸铋材料引入缺陷，从而提高了光催化去除NO的效率，且降低了NO2的生成量，并且该制备方法工艺简单、易工业化、成本低。
为实现上述目的，本发明提供了一种光催化去除NO的钼酸铋材料的制备方法，其包括如下步骤：
S1：制备钼酸铋前驱体，
S2：将钼酸铋前驱体分散到去离子水中，加入碱溶液进行搅拌，以对钼酸铋前驱体进行碱刻蚀，通过碱对钼酸铋中MoO6八面体的刻蚀作用而引入缺陷，得到含缺陷的钼酸铋催化剂，进行碱刻蚀的温度为80℃～120℃，碱溶液的pH为9～13，
S3：将步骤S2获得的溶液进行清洗，接着干燥，获得高性能的光催化去除NO的钼酸铋催化材料。
进一步的，碱溶液为氨水，氨水的质量百分比为25％～28％，pH为9.3～11。
进一步的，氨水进行刻蚀的温度为80℃，pH为9.3～10.2。
进一步的，氨水加入量与钼酸铋前驱体溶液之间满足如下关系：0.1ml～10ml质量百分比为25％～28％氨水对应用于刻蚀设定浓度的钼酸铋前驱体溶液，设定浓度的钼酸铋前驱体溶液是指50ml去离子水中溶解有0.2g钼酸铋前驱体的溶液。
进一步的，5ml～7ml质量百分比为25％～28％氨水对应用于刻蚀设定浓度的钼酸铋前驱体溶液，设定浓度的钼酸铋前驱体溶液是指50ml去离子水中溶解有0.2g钼酸铋前驱体的溶液。
进一步的，步骤S1中，制备钼酸铋前驱体的具体步骤为：
S11：将Na2MoO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O分别加入到去离子水中，搅拌均匀得到白色悬浊液；
S12：将步骤S11制备的溶液转移到有聚四氟乙烯的反应釜中，并置于160℃烘箱中加热24h，反应完后自然冷却；
S13：将步骤S12制备的样品离心处理得到沉淀，然后用乙醇和去离子水分别各洗涤至少两次后，置于60℃烘箱中干燥至少10h，得到钼酸铋前驱体。
进一步的，步骤S3中，将步骤S2获得的溶液用去离子水清洗至少五次，置于60℃烘箱中干燥过夜(至少10h)，得到高性能的光催化去除NO的钼酸铋催化材料。
进一步的，步骤S11中，将Na2MoO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O分别加入到去离子水中，搅拌均匀得到白色悬浊液，混合后Na2MoO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O的浓度分别为0.05mol/L和0.1mol/L，Na2MoO4·2H2O的Mo元素与Bi(NO3)3·5H2O的Bi元素的摩尔比为1:2。
进一步的，步骤S2中，将钼酸铋前驱体分散到去离子水中，加入碱溶液进行磁力搅拌。
按照本发明的第二个方面，还提供一种按照如上所述方法制备获得的钼酸铋材料，其光催化去除NO的去除率大于33％。
本发明方法制备的钼酸铋材料，富含缺陷，具体的，通过碱对钼酸铋中MoO6八面体的刻蚀作用而引入缺陷，引入的缺陷为氧缺陷及同时暴露出配位不饱和的Mo原子。氧缺陷及配位不饱和的Mo可以充当光生电子的捕获位点，减少载流子复合，利于光生载流子的分离；同时氧缺陷与不饱和Mo可以作为活性位点活化气体分子，从而提高光催化NO的去除效率。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下有益效果：
本发明通过简单易行的水热法和碱刻蚀法制备了含缺陷钼酸铋材料，其作为光催化NO去除时，表现出光利用率高、高反应活性(是指NO去除率高)和高选择性(是指副产物NO2生成低)的特点，具体的，NO去除率高达47％，副产物NO2生成量低至46ppb(1ppb＝0.001ppm)。此外，本发明成本低、工艺简单、可操控性强，利于市场化推广。
附图说明
图1是本发明实施例1，2，3，4和对比例1的钼酸铋材料光去除NO的活性结果，其中，Ct表示光照时间为t min时的气流中NO浓度，C0为达到吸附平衡时的NO浓度。
图2是本发明实施例1，2，3，4和对比例1的钼酸铋材料光去除NO实验中NO2生成量的结果。
图3是本发明实施例1的电子自旋共振谱图(ESR)结果。
图4是本发明实施例2的电子自旋共振谱图(ESR)结果。
图5是本发明实施例3的电子自旋共振谱图(ESR)结果。
图6是本发明实施例4的电子自旋共振谱图(ESR)结果。
图7是本发明对比例1的电子自旋共振谱图(ESR)结果。
对比图3至图7结果可以看出，经氨处理后相较于氨处理之前出现了明显的自旋信号强度增强，表明在材料中引入了缺陷。
表一为实施例1至实施例4以及对比例所制备催化剂光去除NO性能评价结果。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在催化剂中引入缺陷可以大幅提升催化活性，一方面缺陷可以作为活化反应物的活性位点，另一方面缺陷可以充当电子捕获陷阱来捕获光生电子从而减少光生载流子复合。在钼酸铋体系引入氧空位能显著提升其光催化去除NO的性能。本发明通过碱(氨水)处理得到含缺陷的钼酸铋催化剂，通过碱对钼酸铋中MoO6八面体的刻蚀作用而引入缺陷，以期构建高性能光催化去除NO的缺陷钼酸铋材料。
本发明提供了一种光催化去除NO的钼酸铋材料的制备方法，其包括如下步骤：
S1：制备钼酸铋前驱体，制备钼酸铋前驱体的具体步骤为：
S11：将Na2MoO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O分别加入到去离子水中，搅拌均匀得到白色悬浊液，混合后Na2MoO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O的浓度分别为0.05mol/L和0.1mol/L，Na2MoO4·2H2O的Mo元素与Bi(NO3)3·5H2O的Bi元素的摩尔比为1:2。
S12：将步骤S11制备的溶液转移到有聚四氟乙烯的反应釜中，并置于160℃烘箱中加热24h，反应完后自然冷却；
S13：将步骤S12制备的样品离心处理得到沉淀，然后用乙醇和去离子水分别各洗涤至少两次后，置于60℃烘箱中干燥至少12h，得到钼酸铋前驱体。
S2：将钼酸铋前驱体分散到去离子水中，加入碱溶液进行磁力搅拌，以对钼酸铋前驱体进行碱刻蚀，通过碱对钼酸铋中MoO6八面体的刻蚀作用而引入缺陷，得到含缺陷的钼酸铋催化剂，进行碱刻蚀的温度为80℃～120℃，碱溶液的pH为9～13。优选地，碱溶液为氨水，氨水的质量百分比为25％～28％，pH为9.3～11。更进一步优选地，氨水进行刻蚀的温度为80℃，pH值为9.3～10.2。氨水加入量与钼酸铋前驱体溶液之间满足如下关系：0.1ml～10ml质量百分比为25％～28％氨水对应用于刻蚀设定浓度的钼酸铋前驱体溶液，设定浓度的钼酸铋前驱体溶液是指50ml去离子水中溶解有0.2g钼酸铋前驱体的溶液。更进一步的，5ml～7ml质量百分比为25％～28％氨水对应用于刻蚀设定浓度的钼酸铋前驱体溶液，设定浓度的钼酸铋前驱体溶液是指50ml去离子水中溶解有0.2g钼酸铋前驱体的溶液。
S3：将步骤S2获得的溶液进行清洗，接着干燥，获得高性能的光催化去除NO的钼酸铋催化材料。具体的，将步骤S2获得的溶液用去离子水清洗至少五次，置于60℃烘箱中干燥10h～12h，得到高性能的光催化去除NO的钼酸铋催化材料。
本发明的钼酸铋材料作为光(全光谱)催化NO去除催化剂使用，其光催化去除NO的去除率大于33％。
实施例1：
含缺陷钼酸铋材料(BMO-OH)的制备方法，包括如下步骤：
(1)将2.5mmol的Na2MoO4·2H2O溶于30ml去离子水中，5mmol的Bi(NO3)3·5H2O溶于20ml去离子水中，混合搅拌均匀得到白色悬浊液；
(2)将步骤(1)制备的溶液转移到有聚四氟乙烯的反应釜中，并置于160℃烘箱中加热24h，待反应完后自然冷却；
(3)将步骤(2)制备的样品离心处理得到沉淀，然后用乙醇和去离子水分别各洗涤3次后，置于60℃烘箱中干燥过夜(至少10h)，得到钼酸铋前驱体；
(4)称取0.2g(3)中得到的钼酸铋分散到50mL去离子水中后，加入5ml氨水，在80℃下磁力搅拌处理2h，氨水的pH值10.2。
(5)将(4)中溶液用去离子水清洗10次，置于60℃烘箱中干燥过夜(至少10h)，得到含缺陷的钼酸铋催化材料(标记为BMO-OH)
本实施例制备的含缺陷光催化材料的应用如下：取50mg催化剂加16mL水超声分散，后倾倒在洁净的玻璃培养皿(直径12cm)上，将该培养皿在烘箱中60℃静置10h烘干。在连续流动反应器中于环境温度下进行的NO的光催化去除实验。在不锈钢制成并覆盖有石英玻璃窗体积为4.5L(30cm×15cm×10cm)的矩形反应器中，将负载有样品的培养皿放置于反应器中。在培养皿正上方的石英玻璃窗上放置LED灯作为光源(功率30W)。在环境温度下进行全谱光催化NO去除实验。其中，NO气体由压缩气瓶提供，气瓶中NO浓度为120ppm(Ar平衡)，然后与空气压缩器(BCHP-A10)输送的空气混合，该过程通过流量控制器控制两路气体的流量(NO为4.2ml/min，空气为1L/min)。使用T200型NOx分析仪(Teledyne API)连续测量气流中的氮氧化物浓度。达到吸附-解吸平衡后(NO浓度约为600ppb)，打开LED灯。光照45min，在光照过程中NOx分析仪会自动每隔1min读取气流中的NO及NO2浓度，在开光15min后，NO的去除率高达47％，而此时NO2的生成量仅为46ppb(见图1、图2和表一)。
上述测试表明，通过碱刻蚀的方法可以在钼酸铋材料中构造缺陷(图3)。含缺陷钼酸铋材料具有非常优异的光催化去除NO性能，且NO2生成量低，是一种有潜力的可用于光催化去除低浓度NO的材料。
实施例2：
实施例2催化剂的制备过程同实施例1，区别仅在于：步骤4)中氨水用量为0.1mL，氨水的pH值9.3。其光催化去除NO效率和NO2生成量的结果如表1，以及图1和图2所示。该实施例的标记为BMO-OH(0.1ml)。
实施例3：
实施例3催化剂的制备过程同实施例1，区别仅在于：步骤4)中氨水用量为1mL，氨水的pH值9.8。其光催化去除NO效率和NO2生成量的结果如表1，以及图1和图2所示。该实施例的标记为BMO-OH(1ml)。
实施例4：
实施例4催化剂的制备过程同实施例1，区别仅在于：步骤4)中氨水用量为10mL，氨水的pH值10.3。其光催化去除NO效率和NO2生成量的结果如表1，以及图1和图2所示。该实施例的标记为BMO-OH(10ml)。
对比例1：
对比例1催化剂的制备过程同实施例1，区别仅在于：对比例应该是制备步骤3中得到的钼酸铋前驱体，没有后续的氨处理过程。催化剂标记为BMO，其光催化去除NO效率和NO2生成量的结果如表1，以及图1和图2所示。
其中，图1是本发明实施例1，2，3，4和对比例1的钼酸铋材料光去除NO的活性结果，其中，Ct表示光照时间为t min时的气流中NO浓度，C0为达到吸附平衡时的NO浓度。图2是本发明实施例1，2，3，4和对比例1的钼酸铋材料光去除NO实验中NO2生成量的结果。对比可知：在光照15min时NO含量即发生明显降低，表明反应活性高。相较于对比例1碱刻蚀后的实施例1,2,3,4光催化NO去除率均提高，其中实施例1活性提高最多，由对比例1中NO去除率22％提升到了47％，去除率提升近两倍同时毒副产物NO2的含量在15min时也从对比例1的55ppb降低到了46ppb
图3是本发明实施例1的电子自旋共振谱图(ESR)结果，图4是本发明实施例2的电子自旋共振谱图(ESR)结果，图5是本发明实施例3的电子自旋共振谱图(ESR)结果，图6是本发明实施例4的电子自旋共振谱图(ESR)结果，图7是本发明对比例1的电子自旋共振谱图(ESR)结果，将以上多幅图对比可以看出，氨处理前无缺陷信号出现，氨处理后缺陷信号明显增强，表面经氨处理后材料中出现了氧缺陷。
表一
实验组 催化剂 NO去除率(％) NO2生成量(ppb)
对比例1 BMO 22 55
实施例1 BMO-OH 47 46
实施例2 BMO-OH(0.1ml) 37 110
实施例3 BMO-OH(1ml) 43 67
实施例4 BMO-OH(10ml) 36 54
表1为实施例1至实施例4以及对比例所制备催化剂光去除NO性能评价结果，由表可知，对比例1，即碱刻蚀前的样品，光照15min后NO去除率只有22％，此时生成NO2 55ppb。经碱刻蚀后的带缺陷样品实施例1至实施例4，NO去除率均明显提升，但NO2产生量在不同的碱刻蚀条件有差别，其中，在最优的碱刻蚀条件下(即5ml氨水)，NO2的产生量仅有46ppb，低于对比例1中的NO2产生量，说明此时催化剂光催化去除NO的反应活性和选择性都有提升。
实施例5：
S1：制备钼酸铋前驱体，制备钼酸铋前驱体的具体步骤为：
S11：将Na2MoO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O分别加入到去离子水中，搅拌均匀得到白色悬浊液，混合后Na2MoO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O的浓度分别为0.05mol/L和0.1mol/L，Na2MoO4·2H2O的Mo元素与Bi(NO3)3·5H2O的Bi元素的摩尔比为1:2。
S12：将步骤S11制备的溶液转移到有聚四氟乙烯的反应釜中，并置于160℃烘箱中加热24h，反应完后自然冷却；
S13：将步骤S12制备的样品离心处理得到沉淀，然后用乙醇和去离子水分别各洗涤至少两次后，置于60℃烘箱中干燥至少10h，得到钼酸铋前驱体。
S2：将钼酸铋前驱体分散到去离子水中，加入碱溶液进行磁力搅拌，以对钼酸铋前驱体进行碱刻蚀，通过碱对钼酸铋中MoO6八面体的刻蚀作用而引入缺陷，得到含缺陷的钼酸铋催化剂，进行碱刻蚀的温度为80℃。优选地，碱溶液为氨水，氨水的质量百分比为28％。氨水pH为10.2，磁力搅拌4h。氨水加入量与钼酸铋前驱体溶液之间满足如下关系：5ml氨水对应用于刻蚀设定浓度的钼酸铋前驱体溶液，设定浓度的钼酸铋前驱体溶液是指50ml去离子水中溶解有0.2g钼酸铋前驱体的溶液。
S3：将步骤S2获得的溶液进行清洗，接着干燥，获得高性能的光催化去除NO的钼酸铋催化材料。具体的，将步骤S2获得的溶液用去离子水清洗至少五次，置于60℃烘箱中干燥至少10h，得到高性能的光催化去除NO的钼酸铋催化材料。
本发明的钼酸铋材料作为光(全光谱)催化NO去除催化剂使用，其光催化去除NO的去除率约38％，NO2生成量为60ppb。
实施例6：
S1：制备钼酸铋前驱体，制备钼酸铋前驱体的具体步骤为：
S11：将Na2MoO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O分别加入到去离子水中，搅拌均匀得到白色悬浊液，混合后Na2MoO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O的浓度分别为0.05mol/L和0.1mol/L，Na2MoO4·2H2O的Mo元素与Bi(NO3)3·5H2O的Bi元素的摩尔比为1:2。
S12：将步骤S11制备的溶液转移到有聚四氟乙烯的反应釜中，并置于160℃烘箱中加热24h，反应完后自然冷却；
S13：将步骤S12制备的样品离心处理得到沉淀，然后用乙醇和去离子水分别各洗涤至少两次后，置于60℃烘箱中干燥至少10h，得到钼酸铋前驱体。
S2：将钼酸铋前驱体分散到去离子水中，加入碱溶液进行磁力搅拌，以对钼酸铋前驱体进行碱刻蚀，通过碱对钼酸铋中MoO6八面体的刻蚀作用而引入缺陷，得到含缺陷的钼酸铋催化剂，碱溶液的pH为9.8。优选地，碱溶液为氨水，氨水的质量百分比为26％。更进一步优选地，氨水进行刻蚀的温度为120℃。氨水加入量与钼酸铋前驱体溶液之间满足如下关系：1ml氨水对应用于刻蚀设定浓度的钼酸铋前驱体溶液，设定浓度的钼酸铋前驱体溶液是指50ml去离子水中溶解有0.2g钼酸铋前驱体的溶液。
S3：将步骤S2获得的溶液进行清洗，接着干燥，获得高性能的光催化去除NO的钼酸铋催化材料。具体的，将步骤S2获得的溶液用去离子水清洗至少五次，置于60℃烘箱中干燥至少10h，得到高性能的光催化去除NO的钼酸铋催化材料。
本发明的钼酸铋材料作为光(全光谱)催化NO去除催化剂使用，其光催化去除NO的去除率约为33％，NO2生成量为84ppb。
实施例7：
S1：制备钼酸铋前驱体，制备钼酸铋前驱体的具体步骤为：
S11：将Na2MoO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O分别加入到去离子水中，搅拌均匀得到白色悬浊液，混合后Na2MoO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O的浓度分别为0.05mol/L和0.1mol/L，Na2MoO4·2H2O的Mo元素与Bi(NO3)3·5H2O的Bi元素的摩尔比为1:2。
S12：将步骤S11制备的溶液转移到有聚四氟乙烯的反应釜中，并置于160℃烘箱中加热24h，反应完后自然冷却；
S13：将步骤S12制备的样品离心处理得到沉淀，然后用乙醇和去离子水分别各洗涤至少两次后，置于60℃烘箱中干燥至少10h，得到钼酸铋前驱体。
S2：将钼酸铋前驱体分散到去离子水中，加入碱溶液进行磁力搅拌，以对钼酸铋前驱体进行碱刻蚀，通过碱对钼酸铋中MoO6八面体的刻蚀作用而引入缺陷，得到含缺陷的钼酸铋催化剂，进行碱刻蚀的温度为室温，碱的pH为12.7。优选地，碱为分析纯NaOH固体，磁力搅拌24h。碱加入量与钼酸铋前驱体溶液之间满足如下关系：0.1gNaOH对应用于刻蚀设定浓度的钼酸铋前驱体溶液，设定浓度的钼酸铋前驱体溶液是指50ml去离子水中溶解有0.2g钼酸铋前驱体的溶液。
S3：将步骤S2获得的溶液进行清洗，接着干燥，获得高性能的光催化去除NO的钼酸铋催化材料。具体的，将步骤S2获得的溶液用去离子水清洗至少五次，置于60℃烘箱中干燥至少10h，得到高性能的光催化去除NO的钼酸铋催化材料。
本发明的钼酸铋材料作为光(全光谱)催化NO去除催化剂使用，其光催化去除NO的去除率约为48％，NO2生成量为73ppb。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种光催化去除NO的钼酸铋材料的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：
S1：制备钼酸铋前驱体，
S2：将钼酸铋前驱体分散到去离子水中，加入碱溶液进行搅拌，以对钼酸铋前驱体进行碱刻蚀，通过碱对钼酸铋中MoO6八面体的刻蚀作用而引入缺陷，得到含缺陷的钼酸铋催化剂，碱溶液的pH为9～13，
S3：将步骤S2获得的溶液进行清洗，接着干燥，获得高性能的光催化去除NO的钼酸铋催化材料。
2.如权利要求1所述的一种光催化去除NO的钼酸铋材料的制备方法，其特征在于，碱溶液为氨水，氨水的质量百分比为25％～28％，pH为9.3～11。
3.如权利要求2所述的一种光催化去除NO的钼酸铋材料的制备方法，其特征在于，氨水进行刻蚀的温度为80℃，pH为9.3～10.2。
4.如权利要求3所述的一种光催化去除NO的钼酸铋材料的制备方法，其特征在于，氨水加入量与钼酸铋前驱体溶液之间满足如下关系：
0.1ml～10ml质量百分比为25％～28％氨水对应用于刻蚀设定浓度的钼酸铋前驱体溶液，设定浓度的钼酸铋前驱体溶液是指50ml去离子水中溶解有0.2g钼酸铋前驱体的溶液。
5.如权利要求4所述的一种光催化去除NO的钼酸铋材料的制备方法，其特征在于，5ml～7ml质量百分比为25％～28％氨水对应用于刻蚀设定浓度的钼酸铋前驱体溶液，设定浓度的钼酸铋前驱体溶液是指50ml去离子水中溶解有0.2g钼酸铋前驱体的溶液。
6.如权利要求5所述的一种光催化去除NO的钼酸铋材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中，制备钼酸铋前驱体的具体步骤为：
S11：将Na2MoO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O分别加入到去离子水中，搅拌均匀得到白色悬浊液；
S12：将步骤S11制备的溶液转移到有聚四氟乙烯的反应釜中，并置于160℃烘箱中加热24h，反应完后自然冷却；
S13：将步骤S12制备的样品离心处理得到沉淀，然后用乙醇和去离子水分别各洗涤至少两次后，置于60℃烘箱中干燥至少10h，得到钼酸铋前驱体。
7.如权利要求6所述的一种光催化去除NO的钼酸铋材料的制备方法，其特征在于，步骤S3中，将步骤S2获得的溶液用去离子水清洗至少五次，置于60℃烘箱中干燥过夜，得到高性能的光催化去除NO的钼酸铋催化材料。
8.如权利要求7所述的一种光催化去除NO的钼酸铋材料的制备方法，其特征在于，步骤S11中，将Na2MoO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O分别加入到去离子水中，搅拌均匀得到白色悬浊液，混合后Na2MoO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O的浓度分别为0.05mol/L和0.1mol/L，Na2MoO4·2H2O的Mo元素与Bi(NO3)3·5H2O的Bi元素的摩尔比为1:2。
9.如权利要求8所述的一种光催化去除NO的钼酸铋材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中，将钼酸铋前驱体分散到去离子水中，加入碱溶液进行磁力搅拌。
10.按照如权利要求1-9之一所述方法制备获得的钼酸铋材料，其特征在于，其光催化去除NO的去除率大于33％。
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