CN112927743A - 存储单元的擦除验证方法、装置、计算机设备及存储介质 - Google Patents
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- 238000012795 verification Methods 0.000 title claims abstract description 198
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 172
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 9
- 230000008672 reprogramming Effects 0.000 claims description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 206010011906 Death Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000007334 memory performance Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/3468—Prevention of overerasure or overprogramming, e.g. by verifying whilst erasing or writing
- G11C16/3472—Circuits or methods to verify correct erasure of nonvolatile memory cells whilst erasing is in progress, e.g. by detecting onset or cessation of current flow in cells and using the detector output to terminate erasure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
- G11C16/16—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/3468—Prevention of overerasure or overprogramming, e.g. by verifying whilst erasing or writing
- G11C16/3477—Circuits or methods to prevent overerasing of nonvolatile memory cells, e.g. by detecting onset or cessation of current flow in cells and using the detector output to terminate erasing
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Abstract
本发明实施例公开了一种存储单元的擦除验证方法、装置、计算机设备及存储介质。所述方法包括：在确定产生对存储块的擦除验证需求时，获取所述存储块的当前擦除循环统计结果；查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式对所述存储块中每个存储单元进行擦除验证。本发明实施例可以在兼顾擦除验证的同时，降低对闪存的擦写损耗。
Description
技术领域
本发明实施例涉及数据处理领域，尤其涉及一种存储单元的擦除验证方法、装置、计算机设备及存储介质。
背景技术
目前非易失性存储产品具备电子编程和擦除功能。例如在闪存(Flash Memory)领域，闪存是基于半导体的存储器，具有***掉电后仍可保留内部信息和在线擦写等功能特点，目前闪存主要分为两大类，包括NOR闪存(NOR flash)和NAND闪存(NAND flash)，其中NOR flash通过热电子注入机制实现对器件编程，采用隧道效应实现擦除，而NAND flash的编程和擦除都通过隧道效应来实现。
具体的，NAND flash的物理结构决定了其擦除操作是块擦除，即针对某个存储块(某个区域)包括的多个存储单元同时进行擦除操作，而不会对每一个存储单元单独进行擦除操作。擦除操作实际是对某个存储块的每个存储单元的控制栅极施加零电压或负电压、P型硅半导体衬底施加正电压。在擦除操作执行之后需要进行擦除校验，当该存储块中每个存储单元均通过擦除校验时，确定该存储块擦除成功。目前现有的擦除验证方式包括字线同时验证(all wordline erase verify)和字线交替验证(alternate wordline eraseverify)等方式。
其中，字线同时验证方式容易出现过擦除的现象，导致存储器件在循环擦写过程中产生大量的界面缺陷，进而导致循环擦写能力的衰退。字线交替验证方式在存储器件初期使用中，由于擦除深度较浅，使得在编程容易出现编程单元与擦除单元的耦合，增大读错概率。
发明内容
本发明实施例提供了一种存储单元的擦除验证方法、装置、计算机设备及存储介质，可以在兼顾擦除验证的同时，降低对闪存的擦写损耗。
第一方面，本发明实施例提供了一种存储单元的擦除验证方法，包括：
在确定产生对存储块的擦除验证需求时，获取所述存储块的当前擦除循环统计结果；
查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式对所述存储块中每个存储单元进行擦除验证。
第二方面，本发明实施例提供了一种存储单元的擦除验证装置，包括：
当前擦除循环统计结果获取模块，用于在确定产生对存储块的擦除验证需求时，获取所述存储块的当前擦除循环统计结果；
擦除验证模块，用于查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式对所述存储块中每个存储单元进行擦除验证。
第三方面，本发明实施例还提供了一种设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序所述处理器执行所述程序时实现如本发明实施例中任一所述的存储单元的擦除验证方法。
第四方面，本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如本发明实施例中任一所述的存储单元的擦除验证方法。
本发明实施例通过根据擦除循环统计结果选择匹配的擦除验证方式进行擦除验证，实现根据擦除次数选择擦除验证方式，解决了现有技术中仅采用字线同时验证方式导致循环擦写能力的衰退或者仅采用字线交替验证方式读错概率增加的问题，适配存储单元的擦写次数选择合适的擦除验证方法，降低循环擦写能力的损耗，以及降低读错概率。
附图说明
图1是本发明实施例一中的一种存储单元的擦除验证方法的流程图；
图2是本发明实施例二中的一种存储单元的擦除验证方法的流程图；
图3是本发明实施例三中的一种存储单元的擦除验证装置的结构示意图；
图4是本发明实施例四中的一种计算机设备的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
为了便于理解方案，首先将现有技术中的存储单元的擦除验证过程进行简述。
非易失存储器产品集成了对存储单元进行电子编程和擦除的能力。电子编程实际是在存储单元中写入数据，具体是通过改变浮动栅极中的电子的数量来存储数据。擦除是指将存储器中写入的数据消除掉，只要将电子编程时的电压反向即可实现擦除。存储器的擦除操作的最小单位是块，这是由存储器的物理结构决定的，即每次擦除操作都是某个区域内一定数量的存储单元在同时进行，不会对每一个存储单元单独进行擦除操作。对存储器所进行的擦除操作，是对某个区域内一定数量存储单元的控制栅极施加零电压或负电压、衬底施加正电压。由于工艺偏差，疲劳老化等原因各个存储单元不可能完全相同，所以一次擦除操作完成之后，不能保证擦除区域内的所有存储单元都被擦除成功，即擦除区域内的存储单元可能不能经过一次擦除操作后全部通过擦除校验。也即直到该区域内所有存储单元都被擦除成功为止，此时才认为完成了一轮擦除操作，因此一轮完整的擦除操作过程可以包括多次擦除操作。
实施例一
图1为本发明实施例一中的一种存储单元的擦除验证方法的流程图，本实施例可适用于存储单元在擦除之后进行擦除验证的情况，该方法可以由本发明实施例提供的存储单元的擦除验证装置来执行，该装置可采用软件和/或硬件的方式实现，并一般可集成电子设备中，例如，终端设备或服务器等。如图1所示，本实施例的方法具体包括：
S110，在确定产生对存储块的擦除验证需求时，获取所述存储块的当前擦除循环统计结果。
具体的，在存储器中，存储块(block)是最小的擦除单位。通常在存储器中，多个存储单元形成一个页(page)，多个页形成一个存储块，其中，页是最小的读写单元。其中，一个存储单元可以包括一个含有浮栅的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)结构。同时，存储器中配置位线(bitline)和字线(wordline)建立存储单元之间的连接关系，用于控制多个存储单元。
存储块的擦除验证用于判断存储块中的存储单元的存储数据是否被擦除，也即判断存储单元的阈值电压是否超过预设的擦除验证电压阈值。
擦除验证需求用于判断存储块是否处于擦除验证过程。示例性的，当存储块完成擦除操作时，确定产生对存储块的擦除验证需求。
可选的，所述确定产生对存储块的擦除验证需求，包括：当所述存储块的擦除状态完成后，确定产生对存储块的擦除验证需求。
实际上，在编程，也即写入数据之前，必须保证存储器内历史数据被擦除干净，避免历史存储数据对后续编程造成干扰，导致数据存储错误。可以理解的是，擦除操作完成之后必定会进行擦除验证，以保证历史数据被擦除干净。由此，可以将擦除操作完成作为擦除验证的必要条件。擦除状态完成用于确定该存储块的擦除操作完成，示例性的，擦除状态完成可以是指一次擦除操作完成，或者累计多次(如三次)擦除操作完成。通过基于擦除状态判断擦除验证需求，可以准确判断擦除验证需求的产生。
当前擦除循环统计结果用于统计该存储器或者该存储块的擦除循环次数。
通常，一个擦除循环包括至少一次擦除操作和至少一次擦除验证操作。示例性的，将完成一次擦除操作，以及针对该擦除操作执行的擦除验证操作，作为一次擦除循环。
可选的，所述当前擦除循环统计结果包括针对所述存储块完成一次擦除校验的次数的统计结果。此时，可以统计擦除校验的次数，作为当前擦除循环统计结果。通过将擦除校验的次数作为擦除循环的统计结果，可以准确记录擦除次数。
或者，在擦除验证通过时，将关联的至少一次擦除操作和至少一次擦除验证操作作为一次擦除循环。此外，一个擦除循环还可以是其他形式，对此，本发明实施例不做具体限制。
S120，查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式对所述存储块中每个存储单元进行擦除验证。
擦除验证方式用于验证该存储块中的存储单元是否全部擦除完成。具体的，擦除验证方式可以包括字线同时验证和字线交替验证。
其中，字线同时验证所有字线上同时施加擦除验证电压，当一个存储块内所有存储单元的阈值电压小于等于擦除验证电压时，擦除操作停止并判断为擦除成功。阈值电压可以是指传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压，在金属氧化物半导体场效应晶体管中阈值电压为该晶体管处于临界导通状态时的栅电压。
字线交替验证方式将一次施加擦除电压过程分为两次进行，第一次在偶数字线上施加一个高于擦除验证电压的读取电压，在奇数字线上施加擦除验证电压。第二次进行相反操作，即在偶数字线上施加擦除验证电压，在奇数字线上施加高于擦除验证电压的读取电压。两个操作结束后记为一次完整的擦除过程，当一个存储块内所有存储单元的阈值电压均小于等于擦除验证电压时，擦除操作停止并判断为擦除成功。
可选的，所述查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式，包括：将所述当前擦除循环统计结果与预设的至少一个擦除循环次数阈值进行比较；根据比较结果从预设的比较结果与擦除验证方式的对应关系中查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式。
具体的，擦除循环次数阈值用于表征存储块的循环擦写能力的衰退程度。可以预先配置多个擦除循环次数阈值，分别对应不同的循环擦写能力，从而对应存储块的擦除验证方式，通常，随着存储块的使用时间，循环擦写能力是越来越差的，擦除验证方式需要随之调整。通过配置多个擦除循环次数阈值，并根据与当前擦除循环统计结果比较结果，确定该存储块当前适用的擦除验证方式，提高擦除验证方式的可靠性，从而，保证存储块擦除的精度，减少擦除不干净对后续写入数据的干扰，以提高存储块的存储数据的准确性。
可选的，所述根据比较结果从预设的比较结果与擦除验证方式的对应关系中查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式，包括：如果所述当前擦除循环统计结果小于所述第一循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线同时验证方式；如果所述当前擦除循环统计结果大于等于所述第一循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线交替验证方式。
实际上，对于字线同时验证方式，若全部存储单元通过擦除验证，只要保证最难擦除的存储单元通过擦除验证即可，也即阈值电压最大的存储单元小于等于擦除验证电压即可。也就是说，由阈值电压最大的存储单元决定，全部存储单元是否通过擦除验证。可以理解的是，字线同时验证方式会导致存储块内会出现擦除过深的情况，使存储单元在循环擦写过程中产生大量的界面缺陷，进而导致循环擦写能力的衰退。但是，在存储块刚开始进行擦写操作时，也即针对新存储块(fresh block)来说，擦除过深可以帮助减小编程单元对擦除单元的耦合影响，减少读错情况。
而对于字线交替验证方式，每一根施加擦除验证电压的字线的相邻两根字线上均施加高于擦除验证电压的读取电压。在存储单元经过一定次数的循环擦写之后，界面缺陷使存储单元的阈值电压升高，导致在施加等于擦除验证电压的擦除电压时很难将沟道开启，而此时相邻的两根字线上施加的高于擦除验证电压的读取电压，在耦合效应的影响下，可以帮助该字线开启沟道，进而使擦除验证通过，改善了擦除过深的情况，能够增强器件的循环擦写能力，并且在一定范围内读取电压越大改善越明显。但在采用新存储块时，由于擦除深度较浅，使得在编程某些存储单元情况下容易出现编程单元对擦除单元的耦合影响，增大读错概率，同样在读取电压变大时，读错的几率也会变大。
由此，在存储块刚开始使用时，需要采用字线同时验证方式，而在存储块使用一段时间之后，即经过设定次数的循环擦写之后，需要采用字线交替验证方式，在存储块使用次数较少时增加擦除深度，同时兼顾增加擦除力度和减少读错概率，以及在存储块经过大量使用之后提高循环擦写能力，从而减少读错概率。
第一循环次数阈值用于表征存储块或存储器的使用寿命，以及区分新旧存储块，也即用于判断存储块的fresh状态。示例性的，第一循环次数阈值为200次。此外，第一循环次数阈值还可以是其他值，对此，本发明实施例不作具体限制。
可选的，所述擦除验证方式为字线交替验证方式，所述根据比较结果从预设的比较结果与擦除验证方式的对应关系中查询匹配的擦除验证方式，包括：如果所述当前擦除循环统计结果大于等于所述第一循环次数阈值，且小于预设的第二循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线交替验证方式，以及所述字线交替验证方式中施加的读取电压为第一电压；如果所述当前擦除循环统计结果大于等于所述第二循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线交替验证方式，以及所述字线交替验证方式中施加的读取电压为第二电压；所述第二循环次数阈值大于所述第一循环次数阈值，所述第二电压大于所述第一电压。
具体的，针对字线交替验证方式，可以进一步调整施加电压。第二循环次数阈值用于表征存储块或存储器的使用寿命，以及区分存储块的是否接近报废阶段。当当前擦除循环统计结果大于等于第二循环次数阈值时，表明该存储块接近使用寿命尾期。
需要说明的是，当当前擦除循环统计结果小于第一循环次数阈值时，表明存储器为新存储器，存储器的擦除时间最短，循环擦写能力最强；当当前擦除循环统计结果大于等于第一循环次数阈值，且小于第二循环次数阈值时，表明存储器的擦除时间中等，循环擦写能力中等；当当前擦除循环统计结果大于等于第二循环次数阈值时，表明存储器的擦除时间最长，循环擦写能力最差。
通过在存储器擦写次数增加时，增加擦除验证中施加的读取电压，进一步帮助提高循环擦写能力，以进一步提高擦除力度，保证数据写入的准确性，从而，减少读错概率。
可选的，在上述实施例的基础上，在进行擦除验证之后，还包括：对所述存储块进行编程；在确定所述存储块需要重新编程时，对所述存储块进行擦除。
具体的，对存储块进行编程用于将数据存入存储块。存储块重新编程用于存储块的数据更新。通常，只有在需要对该存储块进行数据更新时，需要对存储块进行擦除操作，以使存储单元的原先存储的数据擦除，以写入最新的数据。通过在擦除验证之后，在存储块中进行编程以写入数据，保证数据写入的准确性，以及提高存储块的存储性能。
本发明实施例通过根据擦除循环统计结果选择匹配的擦除验证方式进行擦除验证，实现根据擦除次数选择擦除验证方式，解决了现有技术中仅采用字线同时验证方式导致循环擦写能力的衰退或者仅采用字线交替验证方式读错概率增加的问题，适配存储单元的擦写次数选择合适的擦除验证方法，降低循环擦写能力的损耗，以及降低读错概率。
实施例二
图2为本发明实施例二中的一种存储单元的擦除验证方法的流程图，本实施例以上述实施例为基础进行优化，将查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式具体化为：将所述当前擦除循环统计结果与预设的至少一个擦除循环次数阈值进行比较；根据比较结果从预设的比较结果与擦除验证方式的对应关系中查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式。同时将根据比较结果从预设的比较结果与擦除验证方式的对应关系中查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式，具体化为：如果所述当前擦除循环统计结果小于所述第一循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线同时验证方式；如果所述当前擦除循环统计结果大于等于所述第一循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线交替验证方式。以及如果所述当前擦除循环统计结果大于等于所述第一循环次数阈值，且小于预设的第二循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线交替验证方式，以及所述字线交替验证方式中施加的读取电压为第一电压；如果所述当前擦除循环统计结果大于等于所述第二循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线交替验证方式，以及所述字线交替验证方式中施加的读取电压为第二电压；所述第二循环次数阈值大于所述第一循环次数阈值，所述第二电压大于所述第一电压。如图2所示，本实施例的方法具体包括：
S210，在确定产生对存储块的擦除验证需求时，获取所述存储块的当前擦除循环统计结果。
本实施例的存储块、擦除验证需求、当前擦除循环统计结果、擦除循环次数阈值、字线同时验证方式和字线交替验证方式等可以参考上述实施例的描述。
S220，将所述当前擦除循环统计结果与预设的至少一个擦除循环次数阈值进行比较。
S230，如果所述当前擦除循环统计结果小于所述第一循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线同时验证方式。
S240，如果所述当前擦除循环统计结果大于等于所述第一循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线交替验证方式。
S250，如果所述当前擦除循环统计结果大于等于所述第一循环次数阈值，且小于预设的第二循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线交替验证方式，以及所述字线交替验证方式中施加的读取电压为第一电压。
S260，如果所述当前擦除循环统计结果大于等于所述第二循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线交替验证方式，以及所述字线交替验证方式中施加的读取电压为第二电压，所述第二循环次数阈值大于所述第一循环次数阈值，所述第二电压大于所述第一电压。
本发明实施例通过当前擦除循环统计结果与第一循环次数阈值的比较结果确定擦除验证方式，以及通过当前擦除循环统计结果与第二循环次数阈值的比较结果，确定字线交替验证方式的施加电压，兼顾增加擦除力度和提高循环擦写能力，减少读错概率，从而提高存储器的存储性能。
实施例三
图3为本发明实施例三中的一种存储单元的擦除验证装置的示意图。实施例三是实现本发明上述实施例提供的存储单元的擦除验证方法的相应装置，该装置可采用软件和/或硬件的方式实现，并一般可集成电子设备中，例如，计算机设备等。
相应的，本实施例的装置可以包括：
当前擦除循环统计结果获取模块310，用于在确定产生对存储块的擦除验证需求时，获取所述存储块的当前擦除循环统计结果；
擦除验证模块320，用于查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式对所述存储块中每个存储单元进行擦除验证。
本发明实施例通过根据擦除循环统计结果选择匹配的擦除验证方式进行擦除验证，实现根据擦除次数选择擦除验证方式，解决了现有技术中仅采用字线同时验证方式导致循环擦写能力的衰退或者仅采用字线交替验证方式读错概率增加的问题，适配存储单元的擦写次数选择合适的擦除验证方法，降低循环擦写能力的损耗，以及降低读错概率。
进一步的，所述擦除验证模块320，包括：比较单元，用于将所述当前擦除循环统计结果与预设的至少一个擦除循环次数阈值进行比较；根据比较结果从预设的比较结果与擦除验证方式的对应关系中查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式。
进一步的，所述比较单元，包括：验证方式确定子单元，用于如果所述当前擦除循环统计结果小于所述第一循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线同时验证方式；如果所述当前擦除循环统计结果大于等于所述第一循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线交替验证方式。
进一步的，所述擦除验证方式为字线交替验证方式，所述验证方式确定子单元，具体用于：如果所述当前擦除循环统计结果大于等于所述第一循环次数阈值，且小于预设的第二循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线交替验证方式，以及所述字线交替验证方式中施加的读取电压为第一电压；如果所述当前擦除循环统计结果大于等于所述第二循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线交替验证方式，以及所述字线交替验证方式中施加的读取电压为第二电压；所述第二循环次数阈值大于所述第一循环次数阈值，所述第二电压大于所述第一电压。
进一步的，所述当前擦除循环统计结果获取模块310，包括：擦除验证需求判断单元，用于当所述存储块的擦除状态完成后，确定产生对存储块的擦除验证需求。
进一步的，所述当前擦除循环统计结果包括针对所述存储块完成一次擦除校验的次数的统计结果。
进一步的，所述存储单元的擦除验证装置，还包括：编程擦除模块，用于在进行擦除验证之后，对所述存储块进行编程；在确定所述存储块需要重新编程时，对所述存储块进行擦除。
上述存储单元的擦除验证装置可执行本发明实施例所提供的存储单元的擦除验证方法，具备执行的存储单元的擦除验证方法相应的功能模块和有益效果。
实施例四
图4为本发明实施例四提供的一种计算机设备的结构示意图。图4示出了适于用来实现本发明实施方式的示例性计算机设备12的框图。图4显示的计算机设备12仅仅是一个示例，不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。
如图4所示，计算机设备12以通用计算设备的形式表现。计算机设备12的组件可以包括但不限于：一个或者多个处理器或者处理单元16，***存储器28，连接不同***组件(包括***存储器28和处理单元16)的总线18。计算机设备12可以是服务器或客户端。
总线18表示几类总线结构中的一种或多种，包括存储器总线或者存储器控制器，***总线，图形加速端口，处理器或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。举例来说，这些体系结构包括但不限于工业标准体系结构(Industry StandardArchitecture，ISA)总线，微通道体系结构(Micro Channel Architecture，MCA)总线，增强型ISA总线、视频电子标准协会(Video Electronics Standards Association，VESA)局域总线以及***组件互连(Peripheral Component Interconnect，PCI)总线。
计算机设备12典型地包括多种计算机***可读介质。这些介质可以是任何能够被计算机设备12访问的可用介质，包括易失性和非易失性介质，可移动的和不可移动的介质。
***存储器28可以包括易失性存储器形式的计算机***可读介质，例如随机存取存储器(RAM)30和/或高速缓存存储器32。计算机设备12可以进一步包括其它可移动/不可移动的、易失性/非易失性计算机***存储介质。仅作为举例，存储***34可以用于读写不可移动的、非易失性磁介质(图4未显示，通常称为“硬盘驱动器”)。尽管图4中未示出，可以提供用于对可移动非易失性磁盘(例如“软盘”)读写的磁盘驱动器，以及对可移动非易失性光盘(例如紧凑磁盘只读存储器(Compact Disc Read-Only Memory，CD-ROM)，数字视盘(Digital Video Disc-Read Only Memory，DVD-ROM)或者其它光介质)读写的光盘驱动器。在这些情况下，每个驱动器可以通过一个或者多个数据介质接口与总线18相连。***存储器28可以包括至少一个程序产品，该程序产品具有一组(例如至少一个)程序模块，这些程序模块被配置以执行本发明各实施例的功能。
具有一组(至少一个)程序模块42的程序/实用工具40，可以存储在例如***存储器28中，这样的程序模块42包括——但不限于——操作***、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。程序模块42通常执行本发明所描述的实施例中的功能和/或方法。
计算机设备12也可以与一个或多个外部设备14(例如键盘、指向设备、显示器24等)通信，还可与一个或者多个使得用户能与该计算机设备12交互的设备通信，和/或与使得该计算机设备12能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如网卡，调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(Input/Output，I/O)接口22进行。并且，计算机设备12还可以通过网络适配器20与一个或者多个网络(例如局域网(Local AreaNetwork，LAN)，广域网(Wide Area Network，WAN)通信。如图所示，网络适配器20通过总线18与计算机设备12的其它模块通信。应当明白，尽管图4中未示出，可以结合计算机设备12使用其它硬件和/或软件模块，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、(Redundant Arrays of Inexpensive Disks，RAID)***、磁带驱动器以及数据备份存储***等。
处理单元16通过运行存储在***存储器28中的程序，从而执行各种功能应用以及数据处理，例如实现本发明任意实施例所提供的一种存储单元的擦除验证方法。
实施例五
本发明实施例五提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如本申请所有发明实施例提供的存储单元的擦除验证方法：
也即，该程序被处理器执行时实现：在确定产生对存储块的擦除验证需求时，获取所述存储块的当前擦除循环统计结果；查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式对所述存储块中每个存储单元进行擦除验证。
本发明实施例的计算机存储介质，可以采用一个或多个计算机可读的介质的任意组合。计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质。计算机可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的***、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、RAM、只读存储器(Read OnlyMemory，ROM)、可擦式可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM)、闪存、光纤、便携式CD-ROM、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本文件中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行***、装置或者器件使用或者与其结合使用。
计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括——但不限于——电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行***、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。
计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括——但不限于——无线、电线、光缆、无线电频率(RadioFrequency，RF)等等，或者上述的任意合适的组合。
可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本发明操作的计算机程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、Smalltalk、C++，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络——包括LAN或WAN——连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种存储单元的擦除验证方法，其特征在于，包括：
在确定产生对存储块的擦除验证需求时，获取所述存储块的当前擦除循环统计结果；
查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式对所述存储块中每个存储单元进行擦除验证。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式，包括：
将所述当前擦除循环统计结果与预设的至少一个擦除循环次数阈值进行比较；
根据比较结果从预设的比较结果与擦除验证方式的对应关系中查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据比较结果从预设的比较结果与擦除验证方式的对应关系中查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式，包括：
如果所述当前擦除循环统计结果小于所述第一循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线同时验证方式；
如果所述当前擦除循环统计结果大于等于所述第一循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线交替验证方式。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述擦除验证方式为字线交替验证方式，
所述根据比较结果从预设的比较结果与擦除验证方式的对应关系中查询匹配的擦除验证方式，包括：
如果所述当前擦除循环统计结果大于等于所述第一循环次数阈值，且小于预设的第二循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线交替验证方式，以及所述字线交替验证方式中施加的读取电压为第一电压；
如果所述当前擦除循环统计结果大于等于所述第二循环次数阈值，则确定所述擦除验证方式为字线交替验证方式，以及所述字线交替验证方式中施加的读取电压为第二电压；
所述第二循环次数阈值大于所述第一循环次数阈值，所述第二电压大于所述第一电压。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定产生对存储块的擦除验证需求，包括：
当所述存储块的擦除状态完成后，确定产生对存储块的擦除验证需求。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述当前擦除循环统计结果包括针对所述存储块完成一次擦除校验的次数的统计结果。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行擦除验证之后，还包括：
对所述存储块进行编程；
在确定所述存储块需要重新编程时，对所述存储块进行擦除。
8.一种存储单元的擦除验证装置，其特征在于，包括：
当前擦除循环统计结果获取模块，用于在确定产生对存储块的擦除验证需求时，获取所述存储块的当前擦除循环统计结果；
擦除验证模块，用于查询与所述当前擦除循环统计结果匹配的擦除验证方式对所述存储块中每个存储单元进行擦除验证。
9.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1-7中任一所述的存储单元的擦除验证方法。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如权利要求1-7中任一所述的存储单元的擦除验证方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201911233562.XA CN112927743B (zh) | 2019-12-05 | 2019-12-05 | 存储单元的擦除验证方法、装置、计算机设备及存储介质 |
Publications (2)
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|---|---|
| CN112927743A true CN112927743A (zh) | 2021-06-08 |
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Family
ID=76162276
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201911233562.XA Active CN112927743B (zh) | 2019-12-05 | 2019-12-05 | 存储单元的擦除验证方法、装置、计算机设备及存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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