CN112921330A - 一种有机碱褪膜液 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机碱褪膜液,涉及褪膜液领域。该一种有机碱褪膜液,包括以下组分:混合碱、醇胺类、促进剂、表面活性剂、渗透剂,所述将上述组分溶解在清水中,各组分的配比为混合碱的含量为1~11mo l/L、醇胺类含量为0.25~5.0mo l/L、促进剂含量为0.05~1.0mo l/L,表面活性剂含量为0.001~0.005mo l/L,渗透剂含量为0.001~0.005mo l/L。可以通过浸泡和喷淋的方式对PCB褪膜处理,操作方便,且褪除曝光能量达300毫焦每平方厘米的50~70μm特厚干膜或湿膜。
Description
技术领域
本发明涉及褪膜液技术领域,具体为一种有机碱褪膜液。
背景技术
褪膜液用于PCB制作中内层干膜、外层干膜和化镍金选化干膜的褪除,特别适用于精细线路干膜的去除,可用于IC载板和MSAP制程去膜。褪膜是利用碱性褪膜液把含酸基的树脂中和,从而被溶解出来,使干膜脱离铜面,在电子产品线路的制作和生产当中经常会使用到褪膜液。
现有的电子产品线路的制作和生产当中使用的褪膜液,褪膜的效果差。通常是延长PCB浸泡的时间,来达到褪膜的效果,但是经过长时间的浸泡,不仅降低电子产品生产效率,还容易对PCB造成损坏。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种有机碱褪膜液,解决了现有褪膜液速度慢,易损坏PCB的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种有机碱褪膜液,包括以下组分:混合碱、醇胺类、促进剂、表面活性剂、渗透剂,所述将上述组分溶解在清水中,各组分的配比为混合碱的含量为1~11mol/L、醇胺类含量为0.25~5.0mol/L、促进剂含量为0.05~1.0mol/L,表面活性剂含量为0.001~0.005mol/L,渗透剂含量为0.001~0.005mol/L。
优选的,所述混合碱有氢氧化钾和氢氧化钠组成,按照摩尔质量配比为氢氧化钾、氢氧化钠为1:1~10。
优选的,所述醇胺类为一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺的一种或几种。
优选的,所述促进剂为三乙胺、叔丁醇钾的一种或两种。
优选的,所述表面活性剂为季铵化物。
优选的,所述渗透剂为脂肪醇聚氧乙烯醚。
优选的,一种有机碱褪膜液的生产工艺,包括以下内容:将氢氧化钠、氢氧化钾加入水中搅拌溶解,并不断搅拌,然后依次醇胺类、促进剂、表面活性剂、渗透剂,待各组分充分混合后便获得有机碱褪膜。
优选的,一种有机碱褪膜液的使用方法,包括以下内容:将有机碱褪膜液加入至容器中,并使用清水进行稀释,控制碱当量的浓度为0.5~3.5mol/L,并对稀释液进行加热处理,保持稀释液的温度为40℃~70℃,将待处理的PCB置于容器中,或者将稀释液采用喷淋的方式喷附在待处理的PCB,处理1~20min,接着使用清水冲洗2~3次。
(三)有益效果
本发明提供了一种有机碱褪膜液。具备以下有益效果:
本发明,可褪除曝光能量达300毫焦每平方厘米的50~70μm特厚干膜或湿膜,同时褪膜处理后,不会对PCB造成伤害
具体实施方式
下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一:
本发明实施例提供一种有机碱褪膜液,包括以下组分:混合碱、醇胺类、促进剂、表面活性剂、渗透剂,所述将上述组分溶解在清水中,优选使用去离子水,各组分的配比为混合碱的含量为3mol/L、醇胺类含量为1mol/L、促进剂含量为0.5mol/L,表面活性剂含量为0.002mol/L,渗透剂含量为0.003mol/L,PCB基板完成绿油工序后,需要选择性镀厚金、化学沉金、防氧化(OSP)等工艺的基板,或者半导体封装基板,浸入或者喷淋本有机碱褪膜液中,使交联固化的干膜或湿膜溶胀、分解而褪除,不会损伤绿油面,绿油不变色。
所述混合碱有氢氧化钾和氢氧化钠组成,按照摩尔质量配比为氢氧化钾、氢氧化钠为1:4,所述醇胺类为一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺的一种或几种,所述促进剂为三乙胺、叔丁醇钾的一种或两种,所述表面活性剂为季铵化物,所述渗透剂为脂肪醇聚氧乙烯醚。
一种有机碱褪膜液的生产工艺,包括以下内容:将氢氧化钠、氢氧化钾加入水中搅拌溶解,优选使用去离子水,并不断搅拌,然后依次醇胺类、促进剂、表面活性剂、渗透剂,待各组分充分混合后便获得有机碱褪膜。
一种有机碱褪膜液的使用方法,包括以下内容:将有机碱褪膜液加入至容器中,并使用清水进行稀释,控制碱当量的浓度为1.5mol/L,并对稀释液进行加热处理,保持稀释液的温度为50℃,将待处理的PCB置于容器中,处理8min,接着使用清水冲洗2~3次,优选使用去离子水。
实施例二:
一种有机碱褪膜液,包括以下组分:混合碱、醇胺类、促进剂、表面活性剂、渗透剂,所述将上述组分溶解在清水中,优选使用去离子水,各组分的配比为混合碱的含量为6mol/L、醇胺类含量为2mol/L、促进剂含量为0.6mol/L,表面活性剂含量为0.004mol/L,渗透剂含量为0.004mol/L,PCB基板完成绿油工序后,需要选择性镀厚金、化学沉金、防氧化(OSP)等工艺的基板,或者半导体封装基板,浸入或者喷淋本有机碱褪膜液中,使交联固化的干膜或湿膜溶胀、分解而褪除,不会损伤绿油面,绿油不变色。
所述混合碱有氢氧化钾和氢氧化钠组成,按照摩尔质量配比为氢氧化钾、氢氧化钠为1:8,所述醇胺类为一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺的一种或几种,所述促进剂为三乙胺、叔丁醇钾的一种或两种,所述表面活性剂为季铵化物,所述渗透剂为脂肪醇聚氧乙烯醚。
一种有机碱褪膜液的生产工艺,包括以下内容:将氢氧化钠、氢氧化钾加入水中搅拌溶解,优选使用去离子水,并不断搅拌,然后依次醇胺类、促进剂、表面活性剂、渗透剂,待各组分充分混合后便获得有机碱褪膜。
一种有机碱褪膜液的使用方法,包括以下内容:将有机碱褪膜液加入至容器中,并使用清水进行稀释,控制碱当量的浓度为2mol/L,并对稀释液进行加热处理,保持稀释液的温度为60℃,将稀释液采用喷淋的方式喷附在待处理的PCB,处理15min,接着使用清水冲洗2~3次,优选使用去离子水。
实施例三:
分别使用实施例一和实施例二配方制备的褪膜液和褪膜方式对不同曝光能量的PCB上的膜进行褪膜处理实验,结果如下表:
280毫焦每平方厘米 | 300毫焦每平方厘米 | 320毫焦每平方厘米 | |
实施例一 | 无膜残留、PCB无伤 | 无膜残留、PCB无伤 | 存在残留膜、PCB无伤 |
实施例二 | 无膜残留、PCB无伤 | 无膜残留、PCB无伤 | 存在残留膜、PCB无伤 |
通过上表得知,本发明制得的褪膜液,可褪除曝光能量达300毫焦每平方厘米的50~70μm特厚干膜或湿膜,同时褪膜处理后,不会对PCB造成伤害。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (8)
1.一种有机碱褪膜液,其特征在于,包括以下组分:混合碱、醇胺类、促进剂、表面活性剂、渗透剂,所述将上述组分溶解在清水中,各组分的配比为混合碱的含量为1~11mol/L、醇胺类含量为0.25~5.0mol/L、促进剂含量为0.05~1.0mol/L,表面活性剂含量为0.001~0.005mol/L,渗透剂含量为0.001~0.005mol/L。
2.根据权利要求1所述的一种有机碱褪膜液,其特征在于:所述混合碱有氢氧化钾和氢氧化钠组成,按照摩尔质量配比为氢氧化钾、氢氧化钠为1:1~10。
3.根据权利要求1所述的一种有机碱褪膜液,其特征在于:所述醇胺类为一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的一种有机碱褪膜液,其特征在于:所述促进剂为三乙胺、叔丁醇钾的一种或两种。
5.根据权利要求1所述的一种有机碱褪膜液,其特征在于:所述表面活性剂为季铵化物。
6.根据权利要求1所述的一种有机碱褪膜液,其特征在于:所述渗透剂为脂肪醇聚氧乙烯醚。
7.一种有机碱褪膜液的生产工艺,其特征在于,包括以下内容:将氢氧化钠、氢氧化钾加入水中搅拌溶解,并不断搅拌,然后依次醇胺类、促进剂、表面活性剂、渗透剂,待各组分充分混合后便获得有机碱褪膜液。
8.一种有机碱褪膜液的使用方法,其特征在于,包括以下内容:将有机碱褪膜液加入至容器中,并使用清水进行稀释,控制碱当量的浓度为0.5~3.5mol/L,并对稀释液进行加热处理,保持稀释液的温度为40℃~70℃,将待处理的PCB置于容器中,或者将稀释液采用喷淋的方式喷附在待处理的PCB,处理1~20min,接着使用清水冲洗2~3次。
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CN115522200A (zh) * | 2022-09-27 | 2022-12-27 | 成都光明南方光学科技有限责任公司 | 一种稀有金属褪镀液及其制备方法 |
Citations (2)
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---|---|---|---|---|
US20140179583A1 (en) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Peeling liquid for a resist |
CN104987765A (zh) * | 2015-07-30 | 2015-10-21 | 三峡大学 | 一种水性脱墨剂及制备方法 |
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