CN112885882B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

显示面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112885882B
CN112885882B CN202110114016.5A CN202110114016A CN112885882B CN 112885882 B CN112885882 B CN 112885882B CN 202110114016 A CN202110114016 A CN 202110114016A CN 112885882 B CN112885882 B CN 112885882B
Authority
CN
China
Prior art keywords
groove
layer
annular
display panel
transition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110114016.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112885882A (zh
Inventor
金玉
马明冬
丁冬
黄丽丽
张鹏辉
陆蕴雷
李磊
习王锋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd filed Critical Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN202110114016.5A priority Critical patent/CN112885882B/zh
Publication of CN112885882A publication Critical patent/CN112885882A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112885882B publication Critical patent/CN112885882B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请提供了显示面板及其制备方法，解决了现有技术中因开设开孔而导致开孔区周边产生黑斑以及金属残留导致显示异常的技术问题。本申请提供的显示面板，在围绕开孔区的过渡区中依次设置至少一个第一环形隔断槽和至少一个第二环形隔断槽。第一环形隔断槽可以阻挡切割时无机膜层产生的应力延伸至显示区，降低由于切割应力导致开孔区边缘黑斑的概率；相对于现有技术中的隔断槽而言，本申请中第二环形隔断槽的槽深小于第一环形隔断槽的槽深，在后续通过沉积‑刻蚀的方式来制备其他金属膜层时，减少了残留在第二环形隔断槽内的残留金属，因此降低了显示面板异常的概率。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及显示面板及其制备方法。
背景技术
为了提高显示面板屏占比，在显示面板内部会开设开孔，为了防止开孔区边缘黑斑以及封装失效，在开孔区外侧设置侧刻结构来阻挡切割应力和水氧向显示区延伸。但当侧刻结构之间的槽深度太深时，侧刻结构之间会残留其他工艺涉及的金属，而这些残留金属会造成显示异常；另外，当侧刻结构之间的槽的深度太浅时，在通过切割制备开孔时产生的切割应力很容易延伸至显示区，使得开孔区边缘产生黑斑，造成显示异常。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例提供了显示面板及其制备方法，以解决现有技术中因开设开孔而导致开孔区边缘产生黑斑以及金属残留导致显示异常的技术问题。
根据本申请的一个方面，本申请提供了一种显示面板，所述显示面板包括：阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板以及设置在所述衬底基板一侧的驱动电路层；
其中，所述过渡区包括：围绕所述开孔区设置的至少一个第一环形隔断槽以及至少一个第二环形隔断槽，所述至少一个第二环形隔断槽位于所述至少一个第一环形隔断槽远离所述开孔区的一侧
其中，所述第一隔断槽以及所述第二隔断槽均贯穿所述驱动电路层，且在第一方向上，所述第一环形隔断槽的槽深大于所述第二环形隔断槽的槽深，所述第一方向为所述显示面板的膜层叠加方向。
在本申请一实施例中，所述衬底基板包括：衬底层以及设置在所述衬底层一侧的无机层；其中，所述第一环形隔断槽的靠近所述衬底层的底端抵至所述衬底层靠近所述无机层的表面；所述第二环形隔断槽的靠近所述衬底层的底端位于所述无机层内。
在本申请一实施例中，所述无机层包括依次层叠在所述衬底层一侧的第一子无机层、第二子无机层和第三子无机层；所述第二环形隔断槽的靠近所述衬底层的底端位于所述第一子无机层、所述第二子无机层以及所述第三子无机层中的任意一层内。
在本申请一实施例中，所述过渡区包括：多个所述第二环形隔断槽；其中，从靠近所述开孔区到远离所述开孔区的方向上，所述多个第二环形隔断槽的靠近所述衬底层的底端与所述衬底层之间的距离依次变大。
在本申请一实施例中，距离所述开孔区最远的所述第二环形隔断槽的靠近所述衬底层的底端位于所述第三子无机层中。
作为本申请的第二方面，本申请提供了一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括：包括开孔区以及围绕所述开孔区的过渡区；其中，所述显示面板的制备方法包括：提供阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板以及设置在所述衬底基板一侧的驱动电路层；在所述开孔区以及所述过渡区内形成过渡槽；对所述过渡槽的底端进行第一次刻蚀，在所述开孔区内形成初始开孔槽以及在所述过渡区内形成围绕所述初始开孔槽周围的至少一个第一环形过渡槽；对所述第一环形过渡槽的底端以及所述初始开孔槽的底端进行第二次刻蚀，形成开孔槽以及围绕所述开孔槽周围的至少一个第一环形隔断槽；以及对所述过渡槽的底端进行第三次刻蚀，在所述过渡区内形成围绕所述开孔槽的至少一个第二环形隔断槽，所述至少一个第二环形隔断槽位于所述至少一个第一环形隔断槽远离所述开孔槽的一侧；其中，在第一方向上，所述第一环形隔断槽的槽深大于所述第二环形隔断槽的槽深，所述第一方向为所述显示面板的膜层叠加方向。
在本申请一实施例中，所述无机层包括沿着所述第一方向上依次层叠的第一子无机层、第二子无机层和第三子无机层；其中，对所述过渡槽的底端进行第一次刻蚀，在所述开孔区内形成初始开孔槽以及在所述过渡区内形成围绕所述初始开孔槽周围的至少一个第一环形过渡槽，包括：第一次刻蚀所述过渡槽的底端至所述第一子无机层中的预设位置处，形成所述初始开孔槽以及所述至少一个第一环形过渡槽；其中，对所述第一环形过渡槽的底端以及所述初始开孔槽的底端进行第二次刻蚀，形成开孔槽以及围绕所述开孔槽周围的至少一个第一环形隔断槽，包括：第二次刻蚀所述第一环形过渡槽的底端以及所述初始开孔槽的底端，至所述衬底层靠近所述无机层的表面，形成所述开孔槽以及所述第一环形隔断槽；其中，对所述过渡槽的底端进行第三次刻蚀，在所述过渡区内形成围绕所述开孔槽的至少一个第二环形隔断槽，包括：第三次刻蚀所述过渡槽的底端，至所述第一无机层、所述第二无机层或所述第三无机层中的任何一层中，形成第二环形隔断槽。
在本申请一实施例中，所述多个第二环形隔断槽的靠近所述衬底层的底端均位于所述第三无机层内；所述预设位置与所述衬底层的靠近所述第一子无机层的表面之间的垂直距离等于所述第二环形隔断槽的槽深；其中，所述第二次刻蚀与所述第三次刻蚀采用为同一个刻蚀工艺。
在本申请一实施例中，相邻的两个所述第一隔断槽之间、相邻的两个所述第二隔断槽之间、以及相邻的所述第一隔断槽和以及所述第二隔断槽之间均形成隔断环；其中，所述制备方法还包括：在所述隔断环远离所述衬底层的表面上形成金属阻挡层。
本申请实施例提供的一种显示面板，通过在围绕开孔区的过渡区中依次设置至少一个第一环形隔断槽和至少一个第二环形隔断槽，第一环形隔断槽可以阻挡切割无机膜层时产生的应力的延伸至显示区，降低由于切割应力导致开孔区边缘黑斑的概率；另外，相对于现有技术中的隔断槽而言，本申请中第二环形隔断槽的槽深小于第一环形隔断槽的槽深，在后续通过沉积-刻蚀的方式来制备其他金属膜层时，减少了残留在第二环形隔断槽内的残留金属，因此降低了显示面板异常的概率。
附图说明
图1所示为本申请一实施例提供的一种显示面板的俯视图的结构示意图。
图2所示为图1所示的显示面板中的P区域的局部放大示意图。
图3所示为图1所示的显示面板中开孔区以及周边区域沿着B1-B2方向上的剖视图。
图4a所示为本申请另一实施例提供的一种显示面板中P区域的局部放大示意图。
图4b所示为图4a所示的显示面板中开孔区以及周边区域沿着B1-B2方向上的剖视图。
图5a所示为本申请另一实施例提供的一种显示面板中P区域的局部放大示意图。
图5b所示为图5a所示的显示面板中开孔区以及周边区域沿着B1-B2方向上的剖视图。
图6所示为本申请另一实施例提供的一种显示面板中开孔区以及周边区域的剖视图。
图7所示为本申请另一实施例提供的一种显示面板中开孔区以及周边区域的剖视图。
图8所示为本申请另一实施例提供的一种显示面板中开孔区以及周边区域的剖视图。
图9所示为本申请另一实施例提供的一种显示面板中开孔区以及周边区域的剖视图。
图10所示为本申请另一实施例提供的一种显示面板中开孔区以及周边区域的剖视图。
图11所示为本申请另一实施例提供的一种显示面板中开孔区以及周边区域的剖视图。
图12所示为本申请另一实施例提供的一种显示面板中开孔区以及周边区域的剖视图。
图13所示为本申请一实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。
图14所示为本申请另一实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。
图15所示为本申请另一实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。
图16所示为图12所示的显示面板的制备方法的流程图。
图17a-17e所示为采用图16所示的制备方法制备显示面板过程中显示面板结构变化示意图。
具体实施方式
随着显示技术的发展，具有较大的屏占比且超窄的边框的显示面板备受关注。为了提高显示设备的屏占比，在显示面板的显示区开设开孔区，在开孔区内放置前置摄像组件等感光器件，即在显示屏幕中设置一个开孔来容置前置摄像头等感光器件。在制备打孔屏时，无法在制备驱动电路层、发光层以及封装层的同时制备开孔，因此，在驱动电路层、封装层制备完成之后，需要对开孔位置处的无机层进行切割，但是切割无机膜层时产生的应力会向显示区延伸，同时封装层被切割，水氧容易在开孔位置处入侵显示区，导致开孔区边缘黑斑。现有技术中在开孔区边缘设置侧刻结构，使得切割无机膜层产生的应力以及外界水氧在侧刻结构处截止而无法向显示区延伸，从而降低开孔区边缘产生黑斑的概率。但当侧刻结构之间的槽深度太深时，侧刻结构之间会残留其他工艺涉及的金属，另外，当侧刻结构之间的槽的深度太浅时，在通过切割制备开孔时产生的切割应力很容易延伸至显示区，使得开孔区的边缘产生黑斑。
为了解决上述问题，申请人研究发现，通过在围绕开孔区的过渡区中依次设置至少一个第一环形隔断槽和至少一个第二环形隔断槽，且第一环形隔断槽的槽深大于第二环形隔断槽的槽深。第一环形隔断槽可以阻挡切割无机膜层产生的应力的延伸至显示区，降低由于切割应力导致开孔区边缘黑斑的概率；第二环形隔断槽的槽深小于第一环形隔断槽的槽深，在后续通过沉积-刻蚀的方式来制备其他金属膜层时，减少了残留在第二环形隔断槽内的残留金属，因此降低了显示面板异常的概率。
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
图1所示为本申请一实施例提供的一种显示面板的结构示意图。图2所示为图1所示的显示面板中的P区域的局部放大示意图。图3所示为图1所示的显示面板中开孔区以及周边区域沿着B1-B2方向上的剖视图。如图1所示，显示面板包括：显示区2，显示区2包括开孔区11以及围绕开孔区11的过渡区12，开孔区11为前置摄像组件等感光器件所设置的位置。
如图2所示，过渡区12包括：围绕开孔区11设置的至少一个第一环形隔断槽5以及至少一个第二环形隔断槽6，其中至少一个第二环形隔断槽6位于至少一个第一环形隔断槽5远离开孔区11的一侧，即第二环形隔断槽6靠近显示区2；如图3所示，显示面板包括：阵列基板，其中阵列基板包括衬底基板3以及在显示区2内设置在衬底基板3一侧的驱动电路层4。过渡区12包括：围绕开孔区11设置的至少一个第一环形隔断槽5以及至少一个第二环形隔断槽6，其中第一环形隔断槽5以及第二环形隔断槽6的均贯穿驱动电路层4。且在第一方向上(显示面板的膜层叠加方向)，第一环形隔断槽5的槽深大于第二环形隔断槽6的槽深。第一环形隔断槽5可以阻挡切割无机膜层时产生的应力的延伸至显示区，降低由于切割应力导致开孔区边缘黑斑的概率；另外，相对于现有技术中的隔断槽而言，本申请中第二环形隔断槽6的槽深小于第一环形隔断槽5的槽深，在后续通过沉积-刻蚀的方式来制备其他金属膜层时，减少了残留在第二环形隔断槽6内的残留金属，因此降低了显示面板异常的概率。
具体的，如图2所示，过渡区12包括：围绕开孔区11设置的至少一个第一环形隔断槽5以及至少一个第二环形隔断槽6，其中，至少一个第二环形隔断槽6位于至少一个第一环形隔断槽5远离开孔区11的一侧；如图3所示，显示面板包括：阵列基板，阵列基板包括：衬底基板3，衬底基板3包括衬底层31以及设置在衬底层31一侧的无机层32；以及在显示区2内设置在无机层32的远离衬底层31一侧的驱动电路层4。过渡区12包括：围绕开孔区11设置的至少一个第一环形隔断槽5以及至少一个第二环形隔断槽6，至少一个第二环形隔断槽6位于至少一个第一隔断槽5远离开孔区11的一侧。其中，第一环形隔断槽5的靠近衬底层31的底端抵至衬底层31靠近无机层32的表面，即第一环形隔断槽3已经贯穿无机层32至衬底层31；第二环形隔断槽65的靠近衬底层31的底端位于无机层32内，即环形隔断槽65并未完全贯穿无机层32。
本申请实施例中，通过在围绕开孔区11的过渡区12中依次设置至少一个第一环形隔断槽5和至少一个第二环形隔断槽6，第一环形隔断槽5的靠近衬底层31的底端抵至衬底层31靠近无机层32的表面，第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端位于无机层32内。由于靠近开孔区11的第一环形隔断槽5的靠近衬底层31的底端抵至衬底层31靠近无机层32的表面，第一环形隔断槽5可以阻挡切割时无机膜层产生的应力的延伸至显示区2，降低由于切割应力导致开孔区11边缘黑斑的概率；而靠近显示区2的第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端位于无机层32内，相比于第一环形隔断槽5，第二环形隔断槽6的槽深较浅，相对于现有技术中的隔断槽而言，本申请中第二环形隔断槽6的槽深小于第一环形隔断槽5的槽深，在后续通过沉积-刻蚀的方式来制备其他金属膜层时，减少了残留在第二环形隔断槽6内的残留金属，因此降低了显示面板异常的概率。
可选的，第一环形隔断槽5的个数以及第二环形隔断槽6的数量可以包括如下四种情况：
(1)第一环形隔断槽5的个数为1个，第二环形隔断槽6的个数为1个；
(2)第一环形隔断槽5的个数为1个，第二环形隔断槽6的个数为多个，例如，第一环形隔断槽5的个数为1个，第二环形隔断槽6的个数为4个，如图4a和4b所示；
(3)第一环形隔断槽5的个数为多个，第二环形隔断槽6的个数为多个，例如第一环形隔断槽5的个数为2个，第二环形隔断槽6的个数为3个，如图3所示；
(4)第一环形隔断槽5的个数为多个，第二环形隔断槽6的个数为1个，例如，第一环形隔断槽5的个数为4个，第二环形隔断槽6的个数为1个，如图5a和5b所示。
图6所示为本申请另一实施例提供的一种显示面板中开孔区以及周边区域的剖视图。图7所示为本申请另一实施例提供的一种显示面板的开孔区以及周边区域的剖视图。结合图6与图7所示，无机层32包括依次层叠在衬底层31一侧的第一子无机层321、第二子无机层322和第三子无机层323；第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端位于第一子无机层321、第二子无机层322以及第三子无机层323中的任意一层内。
具体的，当第二环形隔断槽6的个数为多个时，多个第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端所处的位置，具体分布方式可以有以下四种情况：
(1)多个第二环形隔断槽6中至少有两个第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端不在同一个膜层中。例如部分第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端位于第一子无机层321内，部分第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端位于第二子无机层322内，其余的靠近衬底层31的底端第二环形隔断槽6位于第三子无机层323内，如图7所示；还例如，部分第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端位于第一子无机层321内，其余第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端位于第三子无机层322内，如图8所示；
(2)多个第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端均位于第一子无机层321内，如图9所示；
(3)多个第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端均位于第二子无机层322内，如图6所示；
(4)多个第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端均位于第三子无机层323内，如图10所示；
第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端位于第一子无机层321、第二子无机层322以及第三子无机层323中的任意一层内，即第二环形隔断槽6并未贯穿无机层32，满足第二环形隔断槽6的槽深小于第一环形隔断槽3的槽深，相对于现有技术中的隔断槽而言，本申请中第二环形隔断槽6的槽深小于第一环形隔断槽5的槽深，在后续通过沉积-刻蚀的方式来制备其他金属膜层时，减少了残留在第二环形隔断槽6内的残留金属，因此降低了显示面板异常的概率。
图11所示为本申请另一实施例提供的一种显示面板的开孔区以及周边区域的剖视图。如图11所示，显示面板包括：多个第二环形隔断槽6，从靠近开孔区11到远离开孔区11的方向上，即图11所示的X方向上，多个第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端距离衬底层31的距离依次变大。多个第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端距离衬底层31的距离依次变大，表明越靠近显示区2的第二环形隔断槽6的槽深越浅，越靠近开孔区11的第二环形隔断槽6的槽深越深。越靠近开孔区11，切割产生的应力越大，水氧入侵的可能性越大，越靠近开孔区11槽深越深，可以更好地阻隔应力与阻隔水氧入侵。越远离开孔区11表明越靠近周围的显示区2，在沉积金属层时金属沉积在第二环形隔断槽6内的概率越大，越靠近显示区2像素电路的第二环形隔断槽6的槽深越浅，进一步降低金属残留概率，因此降低了显示面板异常的概率。
在一个实施例中，距离开孔区11最远的第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端位于第三子无机层323内，如图11所示。距离开孔区11最远的第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端位于第三子无机层323内，尽最大可能保证越靠近显示区2的第二环形隔断槽6的槽深越浅，进一步降低金属残留概率，因此降低了显示面板异常的概率。
在一个实施例中，过渡区12包括围绕开孔区11设置的至少两个第一环形隔断槽5，即第一环形隔断槽5的个数大于或者等于2。第一环形隔断槽5的个数大于或者等于2个，阻挡切割无机膜层产生的应力的延伸以及水氧入侵的能力较强，进一步降低由于切割应力或者水氧入侵而导致的开孔区11边缘黑斑的概率。
图12所示为本申请另一实施例提供的一种显示面板的开孔区以及周边区域的剖视图。相邻的两个第一环形隔断槽5之间、相邻的两个第二环形隔断槽6之间、相邻的第一环形隔断槽5和第二环形隔断槽6之间均形成隔断环。显示面板还包括：位于隔断环上的金属阻挡层7。在隔断环上制备金属阻挡层7，用于进一步阻挡切割时无机膜层产生的应力的延伸至显示区2。
金属阻挡层7的结构可以为钛铝钛即“Ti-Al-Ti”的膜层结构，“Ti-Al-Ti”的膜层可以通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)制备。
可选的，衬底层31可以采用聚酰亚胺制成(Polyimide，PI)。如图12所示，位于显示区的驱动电路层包括多晶硅层100(多晶硅层100包括有源层)、栅极绝缘层81、第一金属层M1(第一金属层M1包括栅极金属和电容的第一电极板)、第一绝缘层82、第二金属层M2(第二金属层M2包括电容的第二电极板)、第二绝缘层83、第三金属层M3(第三金属层M3包括源极和漏极)以及平坦化层9。
可选的，显示面板还包括：设置在平坦化层9远离衬底基板3一侧的像素限定层，像素限定层具有多个像素开口，每个像素开口内设有至少一个有机发光二极管。其中，有机发光二极管包括：沿远离衬底基板3的方向上依次层叠设置的阳极、有机发光功能层和阴极(有机发光二极管的阴极为一整层结构，以使得显示装置的结构简单，驱动方便)。有机发光功能层包括沿远离基板3的方向依次层叠设置的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、有机材料发光层(EML)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)。在有机发光二极管的工作过程中，阴极产生电子，阳极产生空穴，在阴极和阳极之间的电场作用下，空穴经过空穴注入层和空穴传输层向有机材料发光层移动，电子经过电子注入层和电子传输层向有机材料发光层移动，当空穴和电子在有机材料发光层中相遇后，二者复合释放能量，从而使该有机发光二极管发出光线。
图13所示为本申请一实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。显示面板包括：显示区，显示区包括开孔区以及围绕开孔区的过渡区，如图13所示，该显示面板的制备方法包括下列步骤：
步骤1：提供阵列基板，其中，阵列基板包括衬底基板以及设置在衬底基板一侧的驱动电路层；
步骤2：在位于开孔区以及过渡区内形成过渡槽；
步骤3：对过渡槽的底端进行第一次刻蚀，在开孔区内形成初始开孔槽以及在过渡区内形成围绕初始开孔槽周围的至少一个第一环形过渡槽；
步骤4：对第一环形过渡槽的底端以及初始开孔槽的底端进行第二次刻蚀，形成开孔槽以及围绕开孔槽周围的至少一个第一环形隔断槽；以及
步骤5：对过渡槽的底端进行第三次刻蚀，在过渡区内形成围绕开孔槽的至少一个第二环形隔断槽，至少一个第二环形隔断槽位于至少一个第一环形隔断槽远离开孔槽的一侧；
其中，在第一方向上，第一环形隔断槽的槽深大于第二环形隔断槽槽深，其中第一方向为显示面板的膜层叠加方向。
在本申请一实施例中，当阵列基板包括衬底层以及设置在衬底层一侧的无机层，其中，驱动电路层包括：依次叠加设置在无机层的远离衬底层一侧上的多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层、第一绝缘层、电容金属层以及第二绝缘层。如图14所示，该显示面板的制备方法具体包括下列步骤：步骤101：提供衬底基板，衬底基板包括：衬底层以及设置在衬底层一侧的无机层。
具体而言，衬底层的材料可以为PI，无机层可以包括依次叠加的多层子无机层，即无机层具有多层无机结构。
步骤102：在无机层的远离衬底层一侧上，依次形成多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层、第一绝缘层、电容金属层以及第二绝缘层。步骤103：在位于开孔区以及过渡区的第二绝缘层远离衬底层的表面形成过渡槽，过渡槽靠近衬底层的底端抵至无机层远离衬底层的表面。
即，将位于开孔区以及过渡区内的栅极绝缘层、第一绝缘层以及第二绝缘层刻蚀掉，从而形成过渡槽。刻蚀的方法可以采用干法刻蚀，刻蚀气体为：CF4和O2。
步骤104：对过渡槽的底端进行第一次刻蚀，在开孔区内形成初始开孔槽以及在过渡区内形成围绕初始开孔槽周围的至少一个第一环形过渡槽初始开孔槽靠近衬底层的底端，以及第一环形过渡槽靠近衬底层的底端均位于无机层内。
第一环形过渡槽靠近衬底层的底端均位于无机层内，表明刻蚀并没有贯穿无机层，第一环形过渡槽的底端与衬底层之间的无机层还剩余一部分。第一次刻蚀的刻蚀气体可以为：CF4和O2。
步骤105：对第一环形过渡槽的底端以及初始开孔槽的底端进行第二次刻蚀，形成开孔槽以及围绕开孔槽周围的至少一个第一环形隔断槽；开孔槽靠近衬底层的底端抵至衬底层靠近无机层的表面；第一环形隔断槽的靠近衬底层的底端抵至衬底层靠近无机层的表面。
步骤S106：对过渡槽的底端进行第三次刻蚀，在过渡区内形成围绕开孔槽的至少一个第二环形隔断槽，其中至少一个第二环形隔断槽位于至少一个第一环形隔断槽远离开孔槽的一侧；其中，第二环形隔断槽的靠近衬底层的底端位于无机层中。
具体而言，第二次刻蚀以及第三次刻蚀的刻蚀气体也可以为：BCl3与Cl2。
可选的，当无机层包括依次叠加在衬底层一侧的第一子无机层、第二子无机层以及第三子无机层时，第三次刻蚀形成第二环形隔断槽的具体刻蚀工艺可以根据第二环形隔断槽的靠近衬底层的底端在无机层中所处的位置而定。具体的：第三次刻蚀包括但并不限于以下两种情况。
(1)当多个第二环形隔断槽中的至少两个第二环形隔断槽的靠近衬底层的底端，与衬底层的靠近无机层的表面之间的垂直距离不同时，即第二环形隔断槽的槽深不同时，在通过第三次刻蚀形成多个第二环形隔断槽时，可以通过多个第三子刻蚀工艺，从而形成槽深不同的第二环形隔断槽。
(2)当多个第二环形隔断槽的靠近衬底层的底端，与衬底层的靠近无机层的表面之间的垂直距离均相同时，即多个第二环形隔断槽的深度均相等。当第二环形槽隔断槽的深度均相同时，多个第二环形隔断槽可以通过一个第三刻蚀工艺，从而形成槽深相同的第二环形隔断槽。
本申请实施例中，通过第一次和第二次刻蚀，形成开孔区以及在过渡区中围绕开孔区的至少一个第一环形隔断槽，使得第一环形隔断槽的靠近衬底层的底端抵至衬底层靠近无机层的表面；通过第三次刻蚀，形成至少一个第二环形隔断槽，使得第二环形隔断槽的靠近衬底层的底端位于无机层中。由于靠近开孔区的第一环形隔断槽的靠近衬底层的底端抵至衬底层靠近无机层的表面，第一环形隔断槽可以阻挡切割时无机膜层产生的应力的延伸至显示区，降低由于切割应力导致开孔区边缘黑斑的概率；而靠近显示区的第二环形隔断槽的靠近衬底层的底端位于无机层内，相对于现有技术中的隔断槽而言，本申请中第二环形隔断槽的槽深小于第一环形隔断槽的槽深，在后续通过沉积-刻蚀的方式来制备其他金属膜层时，减少了残留在第二环形隔断槽内的残留金属，因此降低了显示面板异常的概率。
图15所示为本申请一实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。如图15所示，无机层包括沿着显示面板的发光方向上依次层叠的第一子无机层、第二子无机层和第三子无机层。
对过渡槽的底端进行第一次刻蚀，在开孔区内形成初始开孔槽以及在过渡区内形成围绕初始开孔槽周围的至少一个第一环形过渡槽，即步骤104具体包括以下步骤。
步骤1041：第一次刻蚀过渡槽的底端至第一子无机层内的预设位置处，形成初始开孔槽以及至少一个第一环形过渡槽。
对第一环形过渡槽的底端以及初始开孔槽的底端进行第二次刻蚀，形成开孔槽以及围绕开孔槽周围的至少一个第一环形隔断槽，即步骤105具体包括：
步骤1051：第二次刻蚀第一环形过渡槽的底端以及初始开孔槽的底端，至衬底层靠近无机层的表面，形成开孔槽以及第一环形隔断槽；
对过渡槽的底端进行第三次刻蚀，在过渡区内形成围绕开孔槽的至少一个第二环形隔断槽；即步骤106具体包括：
步骤1060：第三次刻蚀过渡槽的底端，至第一无机层、第二无机层或第三无机层中的任何一层中，形成第二环形隔断槽。
优选的，当多个第二环形隔断槽的靠近衬底层的底端均位于第三无机层内时，预设位置与衬底层的靠近第一子无机层的表面之间的垂直距离等于第二环形隔断槽的槽深；那么步骤1060中的第三次刻蚀的刻蚀深度与步骤1050中的第二次刻蚀深度相同，那么步骤1050以及步骤1060可以采取同一个刻蚀工艺，即在步骤104后，通过一次刻蚀即可在过渡区内形成第一环形隔断槽和第二环形隔断槽，减少了工艺步骤。
在一个实施例中，相邻的两个第一隔断槽之间、相邻的两个第二隔断槽之间、以及相邻的第一隔断槽和以及第二隔断槽之间均形成隔断环，如图15所示，显示面板的制备方法还包括：在隔断环上制备金属阻挡层。在隔断环上制备金属阻挡层，用于进一步挡切割开孔时驱动衬底的无机膜层产生的应力的延伸至显示区。
优选地，在对过渡槽的底端进行第一次刻蚀之后，在对过渡槽的底端、第一环形过渡槽的底端以及初始开孔槽的底端进行第二次刻蚀之前，显示面案的设备方法还包括：在第二绝缘层远离衬底层的一侧制备第三金属层，当第三金属层制备完成之后，再对第三金属层进行图案化处理即可形成第三金属层，此时，在无机层上已经依次形成了多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层、第一绝缘层、电容金属层、第二绝缘层以及第三金属层，即位于无机层一侧的驱动电路层制备完成；其中，金属阻挡层的制备与第三金属层图案化可以同步进行。
图12所示为本申请另一实施例提供的一种显示面板中开孔区以及周边区域的剖视图。如图12所示，该显示面板包括显示区2，显示区2包括开孔区11以及围绕开孔区11的过渡区12。显示区12包括依次层叠的衬底层31、第一子无机层321、第二子无机层322以及第三子无机层323、多晶硅层100、栅极绝缘层81、栅极金属层M1、第一绝缘层82、电容金属层M2、第二绝缘层83、第三金属层M3以及平坦化层9。过渡区12包括衬底层31、第一子无机层321、第二子无机层322、第三子无机层323、围绕开口区11设置的至少一个第一环形隔断槽5以及至少一个第二环形隔断槽6，第一环形隔断槽5的靠近衬底层31的底端抵至衬底层31靠近第一子无机层321的表面；至少一个第二环形隔断槽6靠近显示区2，且第二环形隔断槽65的靠近衬底层31的底端位于第三子无机层323内。
图16所示为图12所示的显示面板的制备方法的流程图。图17a-17e所示为采用图16所示的制备方法制备显示面板过程中显示面板结构变化示意图。
步骤201：提供衬底基板3，衬底基板3包括：衬底层31以及设置在衬底层一侧的无机层32。
在衬底层31上依次形成第一子无机层321、第二子无机层322以及第三子无机层323，获得衬底基板32。
步骤202：在第三子无机层323的远离衬底层31一侧上，依次形成多晶硅层100、栅极绝缘层81、第一金属层M1(第一金属层M1包括栅极金属和电容的第一电极板)、第一绝缘层82、第二金属层M2(第二金属层M2包括电容的第二电极板)、第二绝缘层83；
步骤203：在位于开孔区11以及过渡区12的第二绝缘层83远离衬底层31的表面形成过渡槽111，过渡槽111靠近衬底层31的底端抵至第三子无机层323远离衬底层31的表面。
具体的，对过渡区12与开孔区11的第二绝缘层83远离衬底层31的表面进行刻蚀，刻蚀掉过渡区12与开孔区11内的第二绝缘层83、第一绝缘层82与栅极绝缘层81，形成过渡槽111，如图17a所示结构。
步骤204：第一次刻蚀过渡槽111的底端至第一子无机层321中预设位置处，形成初始开孔槽90以及至少一个第一环形过渡槽50，预设位置与第一子无机层321中靠近衬底层31的表面之间的垂直距离等于第二环形隔断槽的槽深。
在制备第二绝缘层83之后，对过渡槽111的底端进行刻蚀，也就是从过渡区内的第三子无机层323的远离衬底层31的一侧开始进行刻蚀，至第一无机层321中的预设位置处，形成初始开孔槽90和围绕初始开孔槽90的至少一个第一环形过渡槽50；预设位置与第一子无机层321中靠近衬底层31的表面之间的垂直距离等于第二环形隔断槽的槽深，如图17b所示结构。
在对过渡槽111的底端进行第一次刻蚀之后，在第二绝缘层83远离衬底层31的一侧制备第三金属层M3，第三金属层M3的材料可以采用Ti-Ai-Ti。在第二绝缘层83上沉积Ti-Ai-Ti并进行图形化，形成驱动电路层中的第三金属层M3以及位于过渡区12的Ti-Ai-Ti初始图案，如图17c所示结构。
步骤205：对过渡槽111的底端、第一环形过渡槽50的底端以及初始开孔槽90的底端同步进行刻蚀，刻蚀深度相同，形成第一环形隔断槽5以及第二环形隔断槽6；其中，第一环形隔断槽5的靠近衬底层31的底端抵至衬底层31靠近第一无机层321的表面；第二环形隔断槽6的靠近衬底层31的底端位于第三无机层323内。
具体的，在过渡区的Ti-Ai-Ti图案的间隙处刻蚀无机层32中的第三无机层323，同时继续刻蚀第一环形过渡槽中距离衬底层31预设位置处剩余的第一无机层321，最终形成第一环形隔断槽5与第一环形隔断槽6，形成如图17d所示结构。
步骤S205完成之后，在相邻的两个第一隔断槽之间、相邻的两个第二隔断槽之间、以及相邻的第一隔断槽和以及第二隔断槽之间也均形成隔断环；
步骤206：在隔断环远离衬底层31的一侧形成金属阻挡层7。
具体的，将位于过渡区12的TI-AL-TI初始图案中的AL刻蚀掉一部分，形成金属阻挡层，再制备平坦化层与封装堤坝，形成如图17e所示结构。
作为本申请的第三方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。其中，显示面板的具体结构和原理与上述实施例相同，在此不再赘述。显示装置可以是例如触摸显示屏、手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：开孔区以及围绕所述开孔区的过渡区；其特征在于，
所述显示面板包括：
阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板以及设置在所述衬底基板一侧的驱动电路层；
其中，所述过渡区包括：
围绕所述开孔区设置的至少一个第一环形隔断槽以及至少一个第二环形隔断槽，所述至少一个第二环形隔断槽位于所述至少一个第一环形隔断槽远离所述开孔区的一侧；
其中，所述第一环形隔断槽以及所述第二环形隔断槽均贯穿所述驱动电路层，且在第一方向上，所述第一环形隔断槽的槽深大于所述第二环形隔断槽的槽深，其中所述第一方向为所述显示面板的膜层叠加方向；
其中，相邻的两个所述第一环形隔断槽之间、相邻的两个所述第二环形隔断槽之间、相邻的所述第一环形隔断槽和所述第二环形隔断槽之间均形成隔断环；
其中，所述显示面板还包括：设置在所述隔断环远离所述衬底基板一侧的金属阻挡层，所述第一环形隔断槽和所述第二环形隔断槽中不具有所述金属阻挡层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述衬底基板包括：衬底层以及设置在所述衬底层一侧的无机层；
其中，所述第一环形隔断槽的靠近所述衬底层的底端抵至所述衬底层靠近所述无机层的表面；
所述第二环形隔断槽的靠近所述衬底层的底端位于所述无机层内。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述无机层包括依次层叠在所述衬底层一侧的第一子无机层、第二子无机层和第三子无机层；所述第二环形隔断槽的靠近所述衬底层的底端位于所述第一子无机层、所述第二子无机层以及所述第三子无机层中的任意一层内。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述过渡区包括：多个所述第二环形隔断槽；
其中，从靠近所述开孔区到远离所述开孔区的方向上，所述多个第二环形隔断槽的靠近所述衬底层的底端与所述衬底层之间的距离依次变大。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，距离所述开孔区最远的所述第二环形隔断槽的靠近所述衬底层的底端位于所述第三子无机层中。
6.一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括：包括开孔区以及围绕所述开孔区的过渡区，其特征在于，所述显示面板的制备方法包括：
提供阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板以及设置在所述衬底基板一侧的驱动电路层；
在所述开孔区以及所述过渡区内形成过渡槽；
对所述过渡槽的底端进行第一次刻蚀，在所述开孔区内形成初始开孔槽以及在所述过渡区内形成围绕所述初始开孔槽周围的至少一个第一环形过渡槽；
对所述第一环形过渡槽的底端以及所述初始开孔槽的底端进行第二次刻蚀，形成开孔槽以及围绕所述开孔槽周围的至少一个第一环形隔断槽；以及
对所述过渡槽的底端进行第三次刻蚀，在所述过渡区内形成围绕所述开孔槽的至少一个第二环形隔断槽，所述至少一个第二环形隔断槽位于所述至少一个第一环形隔断槽远离所述开孔槽的一侧；
其中，在第一方向上，所述第一环形隔断槽的槽深大于所述第二环形隔断槽的槽深，所述第一方向为所述显示面板的膜层叠加方向；
其中，相邻的两个所述第一环形隔断槽之间、相邻的两个所述第二环形隔断槽之间、以及相邻的所述第一环形隔断槽和以及所述第二环形隔断槽之间均形成隔断环；
其中，所述制备方法还包括：在所述隔断环远离衬底层的表面上形成金属阻挡层，所述第一环形隔断槽和所述第二环形隔断槽中不具有所述金属阻挡层。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
所述衬底基板包括：衬底层以及设置在所述衬底层一侧的无机层，所述无机层包括沿着所述显示面板的发光方向上依次层叠的第一子无机层、第二子无机层和第三子无机层；
其中，所述对所述过渡槽的底端进行第一次刻蚀，在所述开孔区内形成初始开孔槽以及在所述过渡区内形成围绕所述初始开孔槽周围的至少一个第一环形过渡槽，包括：
第一次刻蚀所述过渡槽的底端至所述第一子无机层中的预设位置处，形成所述初始开孔槽以及所述至少一个第一环形过渡槽；
其中，所述对所述第一环形过渡槽的底端以及所述初始开孔槽的底端进行第二次刻蚀，形成开孔槽以及围绕所述开孔槽周围的至少一个第一环形隔断槽，包括：
第二次刻蚀所述第一环形过渡槽的底端以及所述初始开孔槽的底端，至所述衬底层靠近所述无机层的表面，形成所述开孔槽以及所述第一环形隔断槽；
其中，所述对所述过渡槽的底端进行第三次刻蚀，在所述过渡区内形成围绕所述开孔槽的至少一个第二环形隔断槽，包括：
第三次刻蚀所述过渡槽的底端，至所述第一子无机层、所述第二子无机层或所述第三子无机层中的任何一层中，形成第二环形隔断槽。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
所述至少一个第二环形隔断槽的靠近所述衬底层的底端均位于所述第三子无机层内；
所述预设位置与所述衬底层的靠近所述第一子无机层的表面之间的垂直距离等于所述第二环形隔断槽的槽深；
其中，所述第二次刻蚀与所述第三次刻蚀采用同一个刻蚀工艺。
CN202110114016.5A 2021-01-27 2021-01-27 显示面板及其制备方法 Active CN112885882B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110114016.5A CN112885882B (zh) 2021-01-27 2021-01-27 显示面板及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110114016.5A CN112885882B (zh) 2021-01-27 2021-01-27 显示面板及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112885882A CN112885882A (zh) 2021-06-01
CN112885882B true CN112885882B (zh) 2022-10-28

Family

ID=76052863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110114016.5A Active CN112885882B (zh) 2021-01-27 2021-01-27 显示面板及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112885882B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114446190B (zh) * 2022-02-08 2023-07-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 支撑板及显示装置
CN114613923A (zh) * 2022-03-14 2022-06-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110634928A (zh) * 2019-09-26 2019-12-31 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110993660A (zh) * 2019-11-29 2020-04-10 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110634928A (zh) * 2019-09-26 2019-12-31 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110993660A (zh) * 2019-11-29 2020-04-10 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112885882A (zh) 2021-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110660930B (zh) 显示面板及其制备方法和显示装置
CN112885882B (zh) 显示面板及其制备方法
US20240099053A1 (en) Display substrate and method for manufacturing the same, display device
US20200212370A1 (en) Manufacturing method of a display screen
CN111933822B (zh) 显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置
JP2020531881A (ja) 有機電界発光表示基板、その製造方法及び表示装置
CN110112317B (zh) 显示装置、柔性显示面板及其制造方法
CN112071889B (zh) 一种阵列基板、显示装置及制作方法
US20100013379A1 (en) Organic light emitting display and method of manufacturing the same
CN112117321B (zh) 显示面板及显示面板的制造方法
CN111463242B (zh) 一种显示面板、其制作方法及显示装置
JPH11339958A (ja) 電界発光素子の製造方法
CN109994657B (zh) Oled显示面板制作方法及由该方法制备的显示面板
CN109390359B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
CN110783388A (zh) 一种显示面板及显示装置
CN118076150A (zh) 显示面板
CN111524949A (zh) 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN111564572A (zh) 显示面板及其制作方法
JPH11307270A (ja) 電界発光素子及びその製造方法
CN110581154B (zh) 显示面板及显示面板的制备方法
KR100623338B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법
CN110620191B (zh) 电子设备及其制造方法
WO2021258996A1 (zh) 显示面板及显示装置
CN114122029A (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
CN114203774A (zh) 一种显示面板及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant