CN112885879B - 显示基板及显示装置 - Google Patents

显示基板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112885879B
CN112885879B CN202110074512.2A CN202110074512A CN112885879B CN 112885879 B CN112885879 B CN 112885879B CN 202110074512 A CN202110074512 A CN 202110074512A CN 112885879 B CN112885879 B CN 112885879B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
dam
display
base plate
encapsulation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110074512.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112885879A (zh
Inventor
王涛
孙韬
崔越
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202110074512.2A priority Critical patent/CN112885879B/zh
Publication of CN112885879A publication Critical patent/CN112885879A/zh
Priority to US17/480,055 priority patent/US20220231257A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN112885879B publication Critical patent/CN112885879B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示基板及显示装置，包括：衬底基板，被划分为具有显示区和非显示区；封装坝，在衬底基板的非显示区上环形设置且围绕显示区；溢流检测结构，在衬底基板的非显示区上环形设置且围绕显示区，且位于封装坝所在区域和显示区之间；溢流检测结构包括至少一个凸起部和位于凸起部背离衬底基板的一侧且至少部分覆盖至少一个凸起部的反射部。

Description

显示基板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
有机电致发光(OLED)显示装置是基于有机电致发光二极管的显示屏。其具备自发光、对比度高、厚度薄、视角广、响应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，受到了越来越多的关注，应用前景广阔。
空气中的水汽和氧气等成分对OLED显示装置中OLED器件的寿命影响很大，这是因为：OLED器件工作时需要从阴极注入电子，这就要求阴极功函数越低越好，但阴极通常采用铝、镁、钙等金属材质，化学性质比较活波，极易与渗透进来的水汽和氧气发生反应。另外，水汽和氧气还会与OLED器件的空穴传输层以及电子传输层发生化学反应，这些反应都会引起OLED器件的失效。因此对OLED器件进行有效的封装，使OLED器件的各功能层与大气中的水汽、氧气等成分充分隔开，就可以大大延长OLED器件的寿命，从而延长OLED显示装置的使用寿命。
相关技术中，普遍采用薄膜封装技术(Thin Film Encapsulation，TFE)对OLED器件进行封装。具体地，薄膜封装结构包括两层无机层、以及位于两层无机层之间的有机层。目前，有机层的制作多采用丝网印刷或者是喷墨打印的方法实现。受有机材料特性的影响，上述两种方法都无法避免有机材料在涂布到固化的过程中出现溢流的现象。然而，在薄膜封装结构中，有机层的覆盖区域要小于无机层，即有机层被无机层包裹，如果出现溢流则会影响薄膜封装结构的实际封装信赖性。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种显示基板及显示装置，用以提升有机封装层在出现溢流时的检出效果。
因此，本发明实施例提供的一种显示基板，包括：
衬底基板，被划分为具有显示区和非显示区；
封装坝，在所述衬底基板的非显示区上环形设置且围绕所述显示区；
溢流检测结构，在所述衬底基板的非显示区上环形设置且围绕所述显示区，且位于所述封装坝所在区域和显示区之间；
所述溢流检测结构包括至少一个凸起部和位于所述凸起部背离所述衬底基板的一侧且至少部分覆盖所述至少一个凸起部的反射部。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述溢流检测结构包括至少两个环形设置的所述凸起部，以及至少填充于所述凸起部间隙处的所述反射部。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述凸起部和所述反射部之间还设置有保护部；
所述保护部在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述凸起部在所述衬底基板上的正投影。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述溢流检测结构还包括：在所述反射部之上的折射部；
所述折射部在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述至少一个凸起部在所述衬底基板上的正投影。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述溢流检测结构还包括：在所述折射部之上的挡墙部；
所述挡墙部在所述衬底基板上的正投影位于所述折射部在所述衬底基板上的正投影内。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述封装坝包括第一封装坝和第二封装坝，所述第一封装坝包围所述第二封装坝设置，且所述第一封装坝具有邻近所述第二封装坝的第一侧，所述第二封装坝具有远离所述第一封装坝的第二侧；所述溢流检测结构设置于所述第一侧与所述第二侧之间。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，在所述溢流检测结构包括所述挡墙部时，所述溢流检测结构复用为所述第二封装坝。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述溢流检测结构位于所述第一封装坝与所述第二封装坝之间。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括：位于所述第一封装坝所在层与所述衬底基板之间的源漏金属层，以及位于所述源漏金属层背离所述衬底基板一侧的平坦层、阳极导电层、像素界定层和隔垫物层；
所述第一封装坝包括：位于所述平坦层的第一封装部，位于所述像素界定层的第二封装部，以及位于所述隔垫物层的第三封装部。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述凸起部位于所述平坦层，所述反射部位于所述阳极导电层，所述反射部的一端延伸至所述第一封装部与所述第二封装部之间、另一端向远离所述第一封装坝的一侧延伸；所述折射部位于所述像素界定层，所述挡墙部位于所述隔垫物层。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述第二封装坝包括位于所述像素界定层的第四封装部，以及位于所述隔垫物层的第五封装部。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述源漏金属层包括：位于所述边框区内的低电平信号走线；
所述低电平信号走线的一端被所述第一封装部覆盖，另一端与所述反射部电连接。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括：位于所述隔垫物层背离所述衬底基板一侧的阴极电极线，所述阴极电极线与所述反射部电连接。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括：在所述衬底基板面向所述源漏金属层的一侧依次设置的缓冲层、栅绝缘层和层间介电层；
所述平坦层还包括：环绕所述第一封装坝设置的裂纹阻挡墙，所述裂纹阻挡墙的局部至少内嵌入所述缓冲层、栅绝缘层和层间介电层中之一。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示基板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的显示基板及显示装置，包括：衬底基板，被划分为具有显示区和非显示区；封装坝，在衬底基板的非显示区上环形设置且围绕显示区；溢流检测结构，在衬底基板的非显示区上环形设置且围绕显示区，且位于封装坝所在区域和显示区之间；溢流检测结构包括至少一个凸起部和位于凸起部背离衬底基板的一侧且至少部分覆盖至少一个凸起部的反射部。在本发明提供的技术方案中，在有机封装层未发生溢流时，检测光线经反射部作用后变为相对于检测光线具有第一偏转角度的第一反射线；在有机封装层外流至溢出检测结构处时，基于有机封装层与反射部的折射率差，检测光线经有机封装层折射后、再经反射部反射为相对于检测光线具有第二偏转角度的第二反射线。因此，本发明可以检测出有机封装层是否发生溢流。并且，由于反射部至少部分覆盖至少一个凸起部，使得反射部具有凹凸起伏的形状，有效增大了检测光线的反射面积，检测光线在反射部上发生多次反射，致使第二反射线相较于第一反射线产生极大偏转，由此提升了有机封装层的溢流检出效果。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图；
图2为沿图1中III-IV线的一种截面图；
图3和图4分别为本发明实施例提供的在有机封装层未溢流时的光路图；
图5为本发明实施例提供的在有机封装层溢流时的光路图；
图6为沿图1中III-IV线的又一种截面图；
图7为沿图1中III-IV线的又一种截面图；
图8为沿图1中III-IV线的又一种截面图；
图9为沿图1中III-IV线的又一种截面图；
图10为沿图1中III-IV线的又一种截面图；
图11为沿图1中I-II线的一种截面图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了保持本发明实施例的以下说明清楚且简明，本发明省略了已知功能和已知部件的详细说明。
本发明实施例提供的一种显示基板，如图1和图2所示，可以包括：衬底基板101，被划分为具有显示区AA和非显示区BB；在一些实施例中，衬底基板101可以是柔性衬底基板，也可以是刚性衬底基板；
封装坝102，在衬底基板101的非显示区BB上环形设置且围绕显示区AA；
溢流检测结构103，在衬底基板101的非显示区BB上环形设置且围绕显示区AA，且位于封装坝102所在区域和显示区AA之间；溢流检测结构103包括至少一个凸起部31和位于凸起部31背离衬底基板101的一侧且至少部分覆盖至少一个凸起部31的反射部32。
在本发明提供的上述显示基板中，如图3和图4所示，在后续形成的有机封装层104未发生溢流时，检测光线L1经反射部32作用后变为相对于检测光线L1具有第一偏转角度的第一反射线L2；如图5所示，在有机封装层104外流至溢出检测结构处时，基于有机封装层104与反射部32的折射率差，检测光线L1经有机封装层104折射后、再经反射部32反射为相对于检测光线L1具有第二偏转角度的第二反射线L3。因此，本发明可以检测出有机封装层104是否发生溢流。并且，由于反射部32至少部分覆盖全部凸起部31，使得反射部32具有凹凸起伏的形状，即有效增大了检测光线L1的反射面积，检测光线L1在反射部32上发生多次反射，致使第二反射线L3相较于第一反射线L2产生极大偏转，由此提升了有机封装层104的溢流检出效果。另外，溢流检测结构103可以在一定程度上限制有机封装层104的外流。
在一些实施例中，有机封装层104的材料可以为含有干燥剂的高分子材料或可阻挡水汽的高分子材料等。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图2所示，为了有效提升有机封装层104的溢流检出效果，溢流检测结构103可以包括至少两个环形设置的凸起部31，以及至少填充于凸起部31间隙处的反射部32。在一些实施例中，反射部32共形的设置在凸起部31上，即完全覆盖凸起部31和凸起部31的间隙。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图6所示，为了增大凸起部31和反射部32之间的附着力，在凸起部31和反射部32之间还设置有保护部33；保护部33在衬底基板101上的正投影对应完全覆盖凸起部31在衬底基板101上的正投影。
在一些实施例中，凸起部31的材料可以为聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等有机绝缘材料，保护部33的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介电材料。通过在凸起部31上方覆盖保护部33，利用凸起部31所用有机材料与保护部33所用无机材料的刻蚀选择比不同，在此处凸起部31与保护部33构成了底切结构。当然，在具体实施时，凸起部41与结合部45还可以构成“T”字型结构，在此不做限定。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图2所示，溢流检测结构103还可以包括：在反射部32之上的折射部34；折射部34在衬底基板101上的正投影完全覆盖至少一个凸起部31在衬底基板101上的正投影。
在一些实施例中，折射部34完全覆盖至少两个凸起部31。在一些实施例中，折射部34完全覆盖全部凸起部31。折射部34的包覆，增加了检测光线L1的折射界面，加深了光路偏转，甚至改变方向，进一步提高了有机封装层104溢出的检出效果。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图7所示，溢流检测结构103还可以包括：在折射部34之上的挡墙部35；挡墙部35在衬底基板101上的正投影位于折射部34在衬底基板101上的正投影内。
挡墙部35的设置增大了溢流检测结构103的高度，可以在一定程度上有效限制有机封装层104外流。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图1和图2所示，封装坝102可以包括第一封装坝1021和第二封装坝1022，第一封装坝1021包围第二封装坝1022设置，且第一封装坝1021具有邻近第二封装坝1022的第一侧S1，第二封装坝1022具有远离第一封装坝1021的第二侧S2；
在一些实施例中，所述第一封装坝1021和/或第二封装坝1022可以是闭合的环形，也可以是非闭合的环形，例如可以采用多个分段的方式，且多个分段之间至少具有部分交叉。在一些实施例中，闭合或非闭合的环形可以设置有部分分支。
溢流检测结构103可以设置于第一侧S1与第二侧S2之间。在一些实施例中，如图7和图8所示，在溢流检测结构103包括挡墙部35时，溢流检测结构103可以复用为第二封装坝1022。在另一些实施例中，如图2、图6和图9所示，溢流检测结构103可以位于第一封装坝1021与第二封装坝1022之间。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图10和图11所示，还可以包括：位于第一封装坝1021所在层与衬底基板101之间的源漏金属层105，以及位于源漏金属层105背离衬底基板101一侧的平坦层106、阳极导电层107、像素界定层108、隔垫物层109、以及与阴极导电层111’同层的阴极电极线111；
第一封装坝1021可以包括：位于平坦层106的第一封装部a，位于像素界定层108的第二封装部b，以及位于隔垫物层109的第三封装部c。第二封装坝1022可以包括位于像素界定层108的第四封装部d，以及位于隔垫物层109的第五封装部o。凸起部31位于平坦层106，反射部32位于阳极导电层107，反射部32的一端延伸至第一封装部a与第二封装部b之间、另一端向远离第一封装坝1021的一侧延伸，挡墙部35位于隔垫物层109，折射部34位于像素界定层108。源漏金属层105可以包括低电平信号走线110，该低电平信号走线110的一端被第一封装部a覆盖，另一端与反射部32电连接。阴极电极线111与反射部32电连接。
低电平信号走线110、反射部32和阴极电极线111作为走线结构，用于将周边区域设置的控制芯片提供的电信号传输至在显示区AA内设置的OLED发光器件。采用本发明上述实施例方案，低电平信号走线(VSS)110、反射部32和阴极电极线111无需另外采用构图工艺制作，从而简化了制作工艺，节约了制作成本。
另外，第一封装部a覆盖低电平信号走线110的末端、第二封装部b覆盖反射部32的末端，可以实现对低电平信号走线110和反射部32的保护，避免水汽、氧气等侵蚀低电平信号走线110和反射部32。并且，由于溢流检测结构103位于低电平信号走线110的末端，因此对低电平信号走线110上的信号影响不大。
在一些实施例中，如图2所示，显示基板可以包括在第二封装坝1022内侧(即远离第一封装坝1021的一侧)设置的栅极驱动电路GOA(可以包括晶体管TFT和电容C)，低电平信号走线110的另一端具体可延伸至栅极驱动电路GOA靠近第二封装坝1022一侧的边界处。即低电平信号走线110具体可设置于第一封装坝1021与栅极驱动电路GOA之间的区域。
本公开实施例中，第一封装坝1021和第二封装坝1022均可以限制后续制作的有机封装层104溢流。并且，由于第二封装坝1022比第一封装坝1021少了平坦层106，所以第二封装坝1022相对于衬底基板101的高度比第一封装坝1021相对于衬底基板101的高度低，这样使外部水汽和氧气进入显示区AA的路径变长，增加进入显示区AA的难度。
在一些实施例中，源漏金属层105的材料可以为可由钼、铝、银、铜、钛、铂、钨、钽、氮化钽、其合金及其组合或其它合适的材料；源漏金属层105可以为金属构成的单层或多层，例如为钼金属层/铝金属层/钼金属层或钛金属层/铝金属层/钛金属层。平坦层106的材料可以为聚丙烯酸树脂、聚环氧丙烯酸树脂、感光性聚酰亚胺树脂、聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯树脂、酚醛环氧压克力树脂等有机绝缘材料，在此不做限定。像素界定层108和隔垫物层109的材料可以为有机材料，例如可以包括聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等有机绝缘材料。阳极导电层107的材料可以包括金属及金属氧化物(例如氧化铟锡、氧化铟锌)，示例性地，阳极导电层107的结构为氧化铟锡/银/氧化铟锡，或者为铝/氧化铟锡构成的叠层结构。阴极电极线111的材料可以为镁、银、钙、铝、氧化锰、氧化铟锡等。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图2、图6至图9所示，为了阻挡切割等导致的裂纹延伸至第一封装坝1021而影响封装效果，还可以包括：在衬底基板101面向源漏金属层105的一侧依次设置的缓冲层112、栅绝缘层113和层间介电层114；
平坦层106还包括：环绕第一封装坝1021设置的裂纹阻挡墙115，裂纹阻挡墙115的局部至少内嵌入缓冲层112、栅绝缘层113和层间介电层114中的至少一个。
在一些实施例中，如图2、图6至图9所示，裂纹阻挡墙115具体可以位于第一封装坝1021外侧(即远离第二封装坝1022的一侧)的周边区(Bezel)，并且将裂纹阻挡墙115的局部内嵌入缓冲层112、栅绝缘层113和层间介电层114，可显著增大裂纹阻挡墙115的附着力，有效防止裂纹阻挡墙115脱落。
在一些实施例中，缓冲层112可以防止或减少金属原子和/或杂质从衬底基板101扩散到有源层中。可选地，缓冲层112可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料，并且可以形成为多层或单层。栅绝缘层113可以包括例如硅化合物、金属氧化物；例如，氮氧化硅、氧化硅、氮化硅、碳氧化硅、氮碳化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。栅绝缘层113可以形成为单层或多层。层间介电层114的材料可以为氧化铅、五氧化二钽、二氧化锆、氧化铝、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。另外，如图2所示，层间介电层114具体可以包括第一层间介电层1141和第二层间介电层1142。
一般地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图11所示，还可以包括OLED发光器件、像素驱动电路(包括晶体管TFT和存储电容Cst)和封装层TFE。其中，该OLED发光器件可以包括位于阳极导电层107与阴极导电层111’之间的发光功能层116，可选地，发光功能层116可以包括但不限于空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光材料层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层；其中，发光材料层的材料可以包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料，可以为荧光发光材料或磷光发光材料，可以发红光、绿光、蓝光，或可以发白光。晶体管TFT可以包括有源层Poly、栅极G、源极S和漏极D；存储电容Cst可以包括第一电极C1和第二电极C2。封装层TFE还可以包括第一无机封装层117和第二无机封装层118；可选地，第一无机封装层117和第二无机封装层118的材料可以包括氮氧化硅、氧化硅、氮化硅、高分子树脂等绝缘材料；其中，氮氧化硅、氧化硅、氮化硅等无机材料的致密性高，可以有效防止水汽、氧气等的侵入。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示基板，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、智能手表、健身腕带、个人数字助理等任何具有显示功能的产品或部件。对于显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。另外，由于该显示装置解决问题的原理与上述显示基板解决问题的原理相似，因此，该显示装置的实施可以参见上述显示基板的实施例，重复之处不再赘述。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板，被划分为具有显示区和非显示区；
封装坝，在所述衬底基板的非显示区上环形设置且围绕所述显示区；
溢流检测结构，在所述衬底基板的非显示区上环形设置且围绕所述显示区，且位于所述封装坝所在区域和显示区之间；
所述溢流检测结构包括至少两个环形设置的凸起部和位于所述凸起部背离所述衬底基板的一侧且至少部分覆盖所述至少一个凸起部的反射部；以及至少填充于所述凸起部间隙处的所述反射部。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凸起部和所述反射部之间还设置有保护部；
所述保护部在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述凸起部在所述衬底基板上的正投影。
3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述溢流检测结构还包括：在所述反射部之上的折射部；
所述折射部在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述至少一个凸起部在所述衬底基板上的正投影。
4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述溢流检测结构还包括：在所述折射部之上的挡墙部；
所述挡墙部在所述衬底基板上的正投影位于所述折射部在所述衬底基板上的正投影内。
5.如权利要求1-4任一项所述的显示基板，其特征在于，所述封装坝包括第一封装坝和第二封装坝，所述第一封装坝包围所述第二封装坝设置，且所述第一封装坝具有邻近所述第二封装坝的第一侧，所述第二封装坝具有远离所述第一封装坝的第二侧；所述溢流检测结构设置于所述第一侧与所述第二侧之间。
6.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，在所述溢流检测结构包括挡墙部时，所述溢流检测结构复用为所述第二封装坝。
7.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述溢流检测结构位于所述第一封装坝与所述第二封装坝之间。
8.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述第一封装坝所在层与所述衬底基板之间的源漏金属层，以及位于所述源漏金属层背离所述衬底基板一侧的平坦层、阳极导电层、像素界定层和隔垫物层；
所述第一封装坝包括：位于所述平坦层的第一封装部，位于所述像素界定层的第二封装部，以及位于所述隔垫物层的第三封装部。
9.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述凸起部位于所述平坦层，所述反射部位于所述阳极导电层，所述反射部的一端延伸至所述第一封装部与所述第二封装部之间、另一端向远离所述第一封装坝的一侧延伸；折射部位于所述像素界定层，挡墙部位于所述隔垫物层。
10.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第二封装坝包括位于所述像素界定层的第四封装部，以及位于所述隔垫物层的第五封装部。
11.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述源漏金属层包括：位于边框区内的低电平信号走线；
所述低电平信号走线的一端被所述第一封装部覆盖，另一端与所述反射部电连接。
12.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述隔垫物层背离所述衬底基板一侧的阴极电极线，所述阴极电极线与所述反射部电连接。
13.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，还包括：在所述衬底基板面向所述源漏金属层的一侧依次设置的缓冲层、栅绝缘层和层间介电层；
所述平坦层还包括：环绕所述第一封装坝设置的裂纹阻挡墙，所述裂纹阻挡墙的局部至少内嵌入所述缓冲层、栅绝缘层和层间介电层中之一。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-13任一项所述的显示基板。
CN202110074512.2A 2021-01-20 2021-01-20 显示基板及显示装置 Active CN112885879B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110074512.2A CN112885879B (zh) 2021-01-20 2021-01-20 显示基板及显示装置
US17/480,055 US20220231257A1 (en) 2021-01-20 2021-09-20 Display substrate and display apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110074512.2A CN112885879B (zh) 2021-01-20 2021-01-20 显示基板及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112885879A CN112885879A (zh) 2021-06-01
CN112885879B true CN112885879B (zh) 2022-12-09

Family

ID=76050458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110074512.2A Active CN112885879B (zh) 2021-01-20 2021-01-20 显示基板及显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220231257A1 (zh)
CN (1) CN112885879B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220083006A (ko) * 2020-12-10 2022-06-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
CN113571562B (zh) * 2021-07-23 2024-05-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN114220933B (zh) * 2021-12-13 2023-08-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN114420869B (zh) * 2022-01-17 2024-03-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置
CN114430014B (zh) * 2022-01-28 2024-06-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2023193137A1 (zh) * 2022-04-06 2023-10-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
WO2023240634A1 (zh) * 2022-06-17 2023-12-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、其制作方法及显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002196705A (ja) * 2000-12-25 2002-07-12 Sony Corp 画像表示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102314470B1 (ko) * 2015-03-09 2021-10-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102404577B1 (ko) * 2015-03-27 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102477299B1 (ko) * 2015-06-12 2022-12-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102553910B1 (ko) * 2016-08-31 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 검사방법
KR102671040B1 (ko) * 2016-10-10 2024-06-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN108598282B (zh) * 2018-05-11 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其检测方法、检测装置
CN110165068B (zh) * 2018-05-11 2020-12-18 京东方科技集团股份有限公司 有机膜结构及制备方法、封装结构及制备方法和发光基板
CN209328948U (zh) * 2019-03-07 2019-08-30 昆山国显光电有限公司 一种显示面板

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002196705A (ja) * 2000-12-25 2002-07-12 Sony Corp 画像表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112885879A (zh) 2021-06-01
US20220231257A1 (en) 2022-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112885879B (zh) 显示基板及显示装置
US9263506B2 (en) Organic light emitting diode (OLED) display including curved OLED
CN107104126B (zh) 具有改善的反射性质的有机发光显示装置及其制造方法
US20230200164A1 (en) Display device
US9337444B2 (en) Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
JP2020532043A (ja) 表示基板及びその製造方法、表示装置
US11367757B2 (en) OLED touch display substrate, manufacturing method thereof and touch display device
CN112531003B (zh) 一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置
CN110993675B (zh) Oled显示面板及其制备方法
CN109713017B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
US8786180B2 (en) Display device
US12016198B2 (en) Display panel and manufacture method thereof, and display apparatus
KR20160000980A (ko) 디스플레이 장치
US20220123256A1 (en) Display device
CN109686856B (zh) Oled器件及其制作方法
CN110335959A (zh) 一种显示面板
KR20190073149A (ko) 터치 내장형 표시 장치
JP2024503156A (ja) Ｏｌｅｄ表示パネル及び電子機器
US20210020707A1 (en) Display device
CN113690382A (zh) 显示面板及显示装置
CN114824128B (zh) 显示面板及显示装置
US20230320182A1 (en) Display device
US20240224729A1 (en) Display device
US20240204145A1 (en) Display device
KR20190059079A (ko) 유기발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant