CN112811830A - 支撑玻璃基板和层叠体 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及支撑玻璃基板和层叠体。本发明涉及减少破损的发生和破裂时的大量碎片的产生的支撑玻璃基板和层叠体。支撑玻璃基板(10)在表面包含压应力层(12)，所述支撑玻璃基板的50℃～200℃范围内的平均热膨胀系数为7ppm/℃～15ppm/℃，内部拉应力为5MPa～55MPa，并且压应力层的深度为10μm～60μm。
Description
技术领域
本发明涉及支撑玻璃基板和层叠体。
背景技术
随着电子设备的小型化，对以高密度封装在这些电子设备中使用的半导体器件的技术的要求提高。近年来，作为以高密度封装半导体器件的技术，例如提出了扇出型晶圆级封装(FOWLP)、扇出型面板级封装(FOPLP)。以下，将FOWLP和FOPLP统称为FOWLP等。
在FOWLP等中，为了抑制层叠半导体器件的加工基板的挠曲，有时使用支撑加工基板的支撑玻璃基板(例如，参考专利文献1、专利文献2)。
FOWLP等用的支撑玻璃基板等用于支撑构件的支撑玻璃基板有时随着所支撑的构件的加热而被加热。因此，为了抑制支撑玻璃基板与构件之间的剥离等，有时根据构件来设定热膨胀率。例如，在构件的热膨胀率高的情况下，与此相应地也将支撑玻璃基板的热膨胀率设定得高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2018/008358号
专利文献2：国际公开第2016/111158号
发明内容
发明所要解决的问题
但是，支撑玻璃基板有时加热时的温度分布变得不均匀。例如，在基板厚的情况下，在加热面和中央部容易产生温度差。在该情况下，支撑玻璃基板有可能由于温度分布的差异，在每个位置热膨胀量不同而产生翘曲，从而引起破损。特别是，高热膨胀率的支撑玻璃基板由于每个位置的热膨胀量的差异变大，因此由翘曲引起的破损的风险变高。因此，要求在高热膨胀率的支撑玻璃基板中减少破损的发生。
另外，支撑玻璃基板有时被回收并再次使用，在这样的情况下，难以完全防止破裂。而且，在产生玻璃基板的破裂的情况下，产生大量碎片时，在半导体制造工序中防止异物的混入极其重要，因此花费长时间除去飞散到制造设备周边的碎片，大幅影响生产率。因此，对于支撑玻璃基板还要求在产生破裂时不产生大量碎片。
本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供能够减少破损的发生，而且即使发生破裂也能够减少大量碎片的产生的支撑玻璃基板和层叠体。
用于解决问题的手段
为了解决上述问题并实现目的，本公开的支撑玻璃基板为在表面包含压应力层的支撑玻璃基板，其中，所述支撑玻璃基板的50℃～200℃范围内的平均热膨胀系数为7ppm/℃～15ppm/℃，所述支撑玻璃基板的内部拉应力为5MPa～55MPa，并且所述压应力层的深度为10μm～60μm。
为了解决上述问题并实现目的，本公开的层叠体包含所述支撑玻璃基板和树脂层。
发明效果
根据本发明，能够减少破损的发生和破裂时的大量碎片的产生。
附图说明
[图1]图1为本实施方式的层叠体的示意性剖视图。
[图2]图2为表示支撑玻璃基板的厚度方向的应力分布的一例的图。
标号说明
10 支撑玻璃基板
12 压应力层
30 树脂层
CS 表面压应力
CT 内部拉应力
CTE 平均热膨胀系数
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施方式详细地进行说明。需要说明的是，本发明不限于该实施方式，另外，在有多个实施方式的情况下，也包括将各实施方式组合而构成的方式。另外，关于数值，包含四舍五入的范围。
(层叠体的构成)
图1为本实施方式的层叠体的示意性剖视图。如图1所示，本实施方式的层叠体1包含支撑玻璃基板10、吸附层20和树脂层30。层叠体1在支撑玻璃基板10与树脂层30之间形成吸附层20。吸附层20是用于吸附和剥离支撑玻璃基板10和树脂层30的层，例如在支撑玻璃基板10上依次具有剥离层和胶粘层。但是，吸附层20的构成、材料可以是任意的。树脂层30为包含树脂的层，在本实施方式中，在树脂制的密封剂内形成例如硅芯片等半导体芯片。
可见，本实施方式的支撑玻璃基板10是支撑树脂层30的玻璃基板。更详细而言，支撑玻璃基板10作为半导体封装的制造用玻璃基板使用，更具体而言，支撑玻璃基板10为FOWLP等的制造用支撑玻璃基板。但是，支撑玻璃基板10的用途不限于FOWLP等的制造用途，可以是任意的用途，可以是用于支撑构件的玻璃基板。需要说明的是，如上所述，FOWLP等包括FOWLP和FOPLP。
(支撑玻璃基板的厚度)
支撑玻璃基板10的厚度t优选为0.5mm～2.0mm，更优选为0.7mm～1.5mm。厚度t是指从支撑玻璃基板10的树脂层30侧的一个表面10A到与树脂层30相反侧的另一个表面10B为止的长度。通过将厚度t设定在该范围内，能够减少由支撑玻璃基板10过薄而引起的破损。需要说明的是，在此的0.5mm～2.0mm是指0.5mm以上且2.0mm以下，以下的“～”也是指相同的含义。
(支撑玻璃基板的平均热膨胀系数)
支撑玻璃基板10的平均热膨胀系数高。具体而言，支撑玻璃基板10的50℃～200℃范围内的平均热膨胀系数CTE为7ppm/℃～15ppm/℃，更优选为9ppm/℃～13ppm/℃，特别优选为10ppm/℃～12ppm/℃。在CTE处于这些范围的情况下，能够更有效地发挥作为本发明的效果的支撑基板的破损的减少效果等。
(支撑玻璃基板的压应力层)
在支撑玻璃基板10中，在树脂层30侧的一个表面10A和与树脂层30相反侧的另一个表面10B上形成压应力层12。支撑玻璃基板10通过化学强化处理而形成压应力层12。需要说明的是，在支撑玻璃基板10中，可以在一个表面(在此为表面10A)上形成压应力层12，在另一个表面(在此为表面10B)上不形成压应力层12。
图2为表示支撑玻璃基板的厚度方向的应力分布的一例的图。压应力层12是在支撑玻璃基板10内压应力起作用的层。如图2的例子所示，在支撑玻璃基板10中，压应力S作用在表面上，并且随着朝向支撑玻璃基板10的厚度方向的中央，压应力变小。在图2的例子中，压应力层12可以说是在支撑玻璃基板10的整体中从表面起至应力为0为止的深度的部分。需要说明的是，对于支撑玻璃基板10，拉应力作用在比应力为0的深度深的层中。以下，将作用于支撑玻璃基板10的表面、即压应力层12的表面的压应力记载为表面压应力CS。另外，将作用于支撑玻璃基板10的内部的拉应力记载为内部拉应力CT。
(支撑玻璃基板的表面压应力)
支撑玻璃基板10的表面压应力CS优选为500MPa～750MPa，更优选为650MPa～700MPa。表面压应力CS的测定方法是任意的，例如可以通过利用光弹性分析法测定支撑玻璃基板10内的应变来进行测定。在本实施方式中，例如可以使用折原制作所制造的表面应力计FSM-6000LE来测定表面压应力CS。支撑玻璃基板10通过表面压应力CS为500MPa以上，能够适当地减少由热膨胀引起的破损，通过表面压应力CS为700MPa以下，能够抑制内部的拉应力变高，适当地减少破损。
(支撑玻璃基板的压应力层的深度)
支撑玻璃基板10的压应力层12的深度DOL优选为10μm～60μm，更优选为15μm～30μm。深度DOL是指支撑玻璃基板10中的压应力层12的厚度。即，深度DOL是指从支撑玻璃基板10的表面压应力CS所作用的表面起至压应力值为0的深度为止的厚度方向上的距离。深度DOL的测定方法是任意的，例如可以通过利用光弹性分析法测定支撑玻璃基板10内的应变来进行测定。在本实施方式中，例如可以使用折原制作所制造的表面应力计FSM-6000LE来测定深度DOL。支撑玻璃基板10通过深度DOL为10μm以上，能够适当地减少由热膨胀引起的破损，通过深度DOL为15μm以上，能够更适当地减少由热膨胀引起的破损。另外，支撑玻璃基板10通过深度DOL为60μm以下，能够降低内部的拉应力变高，适当地减少破损，通过深度DOL为30μm以下，能够更适当地减少破损。
(支撑玻璃基板的内部拉应力)
支撑玻璃基板10的内部拉应力CT优选为5MPa～55MPa，更优选为15MPa～25MPa。内部拉应力CT通过下式(1)计算出。支撑玻璃基板10通过内部拉应力CT为5MPa以上，能够适当地形成压应力层12而适当地减少由热膨胀引起的破损，通过内部拉应力CT为15MPa以上，能够更适当地减少由热膨胀引起的破损。另外，支撑玻璃基板10通过内部拉应力CT为55MPa以下，能够减少碎片的数量增多等粉碎的破损，通过内部拉应力CT为25MPa以下，能够更适当地减少粉碎的破损。
CT＝(CS×DOL)/(t-2×DOL)…(1)
需要说明的是，在式(1)中，将厚度t换算成单位μm。
(支撑玻璃基板的组成)
接着，对支撑玻璃基板10的组成进行说明。如上所述，支撑玻璃基板10的平均热膨胀系数CTE高。平均热膨胀系数CTE高的玻璃中原子彼此的结合力弱，有时难以通过化学强化形成压应力层12。与此相对，支撑玻璃基板10通过设定为以下说明的组成，能够通过化学强化适当地构成压应力层12。但是，以下说明的组成为一例。另外，以下说明的组成是指实施后述的化学强化之前的支撑玻璃基板10的组成。以下说明的组成也可以说是支撑玻璃基板10的除压应力层12以外的部分中的组成。
在支撑玻璃基板10中，以氧化物基准的摩尔％计，相对于支撑玻璃基板10的总量，Na2O的含量优选为5％～15％，K2O的含量优选为5％～15％。另外，在支撑玻璃基板10中，以氧化物基准的摩尔％计，相对于支撑玻璃基板10的总量，Na2O的含量更优选为8％～12％，K2O的含量更优选为8％～12％。通过使Na2O和K2O的含量在该范围内，能够适当地进行从Na离子向K离子的置换，从而能够适当地应用用于形成压应力层12的化学强化。另外，在支撑玻璃基板10中，以氧化物基准的摩尔％计，相对于支撑玻璃基板10的总量，MgO的含量优选为5％～10％，更优选为6％～9％，进一步优选为7％～8.5％。另外，在支撑玻璃基板10中，以氧化物基准的摩尔％计，相对于支撑玻璃基板10的总量，ZrO2的含量优选为0％～5％，更优选为0％～3％，进一步优选为0.5％～2％。通过MgO和ZrO2的含量在该范围内，能够适当地提高作为基础材料(母材)的玻璃的强度、断裂韧性，能够适当地应用用于形成压应力层12的化学强化。
进一步而言，本实施方式的支撑玻璃基板10优选以氧化物基准的摩尔％计含有以下的化合物。通过将支撑玻璃基板10的组成设定为以下，能够在保持高的平均热膨胀率CTE的同时，适当地应用用于形成压应力层12的化学强化。
SiO2：50％～80％
Al2O3：1％～10％
MgO：5％～10％
CaO：1％～10％
SrO：0％～5％
BaO：0％～5％
Na2O：5％～15％
K2O：5％～15％
ZrO2：0％～5％
支撑玻璃基板10更优选以氧化物基准的摩尔％计含有以下的化合物。通过将支撑玻璃基板10的组成设定为以下，能够在保持更高的平均热膨胀率CTE的同时，更适当地应用用于形成压应力层12的化学强化。
SiO2：60％～65％
Al2O3：3％～8％
MgO：6％～9％
CaO：2％～8％
SrO：0％～3％
BaO：0％～3％
Na2O：7％～13％
K2O：7％～13％
ZrO2：0％～3％
支撑玻璃基板10进一步优选以氧化物基准的摩尔％计含有以下的化合物。通过将支撑玻璃基板10的组成设定为以下，能够在保持更高的平均热膨胀率CTE的同时，更适当地应用用于形成压应力层12的化学强化。
SiO2：62％～64％
Al2O3：4％～6％
MgO：7％～8.5％
CaO：3％～5％
SrO：0％
BaO：0％
Na2O：8％～12％
K2O：8％～12％
ZrO2：0.5％～2％
需要说明的是，在此的0％是指不含有该化合物，但是可以作为不可避免的杂质而含有。
需要说明的是，本实施方式的支撑玻璃基板10为非晶玻璃、即非晶固体。支撑玻璃基板10可以在至少一部分中包含晶化玻璃。但是，支撑玻璃基板10优选不包含将氧化物等的陶瓷烧结而形成的烧结体。
(支撑玻璃基板的制造方法)
接着，对支撑玻璃基板10的制造方法进行说明。在支撑玻璃基板10的制造方法中，首先，制造玻璃基板，通过对该玻璃基板实施化学强化处理而在玻璃基板的表面形成压应力层12，从而制造支撑玻璃基板10。即，在此的玻璃基板可以说是化学强化前的支撑玻璃基板10。
本制造方法中的玻璃基板的制造方法没有特别限制，可以是任意的。例如可以列举下拉法(例如溢流下拉法、流孔下引法和再曳引法等)、浮法、辊压法和压制法等。
在本制造方法中，通过对所制造的玻璃基板实施化学强化处理，形成压应力层12，从而制造支撑玻璃基板10。在本制造方法中，对所制造的玻璃基板实施化学强化处理，以使内部拉应力CT和深度DOL在上述规定的范围内，更优选使内部拉应力CT、表面压应力CS和深度DOL在上述规定的范围内。在本实施方式的化学强化处理中，通过使所制造的玻璃基板与含有碱金属离子的熔融盐接触而形成压应力层12。例如，在本实施方式中，将玻璃基板浸渍在含有离子半径大的碱金属离子的熔融盐的熔融液、在此为含有K离子的硝酸钾盐的熔融液中。由此，玻璃基板中的离子半径小于熔融盐中所含的碱金属离子的金属离子(在此为Na离子)被置换为熔融盐中所含的碱金属离子，利用碱金属离子的占有面积的差异而在玻璃基板的表面产生压应力，从而形成压应力层12。
在本实施方式中，优选将与玻璃基板接触的熔融盐(熔融盐的熔融液)的加热温度设定为370℃～480℃，更优选设定为400℃～450℃。另外，在本实施方式中，优选将玻璃基板与熔融盐的接触时间设定为0.5小时～32小时，更优选设定为3小时～6小时。通过将加热温度和接触时间设定在该范围内，能够使内部拉应力CT、表面压应力CS和深度DOL成为适当的值。
另外，作为与玻璃基板接触的熔融盐，优选使用含钾离子的盐。作为与玻璃基板接触的熔融盐的例子，可以列举硝酸钾盐、硫酸钾盐、碳酸钾盐和氯化钾盐等碱金属硝酸盐(アルカリ硝酸塩)、碱金属硫酸盐(アルカリ硫酸塩)和碱金属氯化物盐(アルカリ塩化物塩)等。这些熔融盐可以单独使用，也可以组合多种。另外，为了调节化学强化特性，也可以混合含有钠(Na离子)、锂(Li离子)的盐。
可见，本实施方式的支撑玻璃基板10通过化学强化处理而形成压应力层12。因此，可以说本实施方式的支撑玻璃基板10的压应力层12为将离子半径小的碱金属元素置换为熔融盐中所含的离子半径大的碱金属元素而得到的层。换言之，当将熔融盐中所含的碱金属元素作为置换元素时，支撑玻璃基板10的压应力层12的单位体积中所含的置换元素的数量比除压应力层12以外的层的单位体积中所含的置换元素的数量多。在此的置换元素例如为钾。
在此，支撑构件的支撑玻璃基板有时在加热时的温度分布不均匀。在该情况下，支撑玻璃基板由于温度分布的差异，热膨胀量在每个位置不同，由此有可能产生翘曲，从而造成破损。特别是，平均热膨胀系数CTE高的支撑玻璃基板由于每个位置的热膨胀量的差异变大，因此由翘曲引起的破损的风险变高。
与此相对，本实施方式的支撑玻璃基板10在表面包含压应力层12，50℃～200℃范围内的平均热膨胀系数CTE为7ppm/℃～15ppm/℃，内部拉应力CT为10MPa～55MPa，压应力层12的深度DOL为10μm～60μm。本实施方式的支撑玻璃基板10通过将平均热膨胀系数CTE设定在该范围内，即使在所支撑的构件的热膨胀系数高的情况下，也可以追随热膨胀，因此能够减少与构件的剥离。此外，本实施方式的支撑玻璃基板10通过将内部拉应力CT和深度DOL设定在该范围内，在表面适当地形成压应力层12，即使在平均热膨胀系数CTE高的情况下，也能够减少由每个位置的热膨胀量的差异引起的破损。此外，通过将内部拉应力CT设定为55MPa以下，即使在万一破损的情况下，也能够减少碎片的数量增多的情况，因此特别适合于对污染要求严格的半导体封装的支撑基板的用途。
支撑玻璃基板10优选为扇出型晶圆级封装和扇出型面板级封装中的至少一者的制造用支撑玻璃基板。支撑玻璃基板10适合于扇出型晶圆级封装和扇出型面板级封装的用途。
(实施例)
接着，对实施例进行说明。需要说明的是，只要能够起到发明的效果，也可以变更实施方式。
在实施例中，以成为下述表1中记载的组成的方式利用浮法制造宽2.0m、厚2.0mm的玻璃基板的坯板(素板)。需要说明的是，表1的组成A在小数点后第2位四舍五入而表示到小数点后第1位为止。实际上，将组成A中的各组成合计时，为100摩尔％。
(表1)
(评价用样品的准备)
对所制造的各个坯板制作样品A、样品B、样品C。
(样品A)
在样品A的准备中，从坯板的中心部切割出纵向为20mm、横向为20mm的正方形的玻璃，使用铈研磨材料对切割出的玻璃的两表面进行镜面研磨，将厚度调节至0.8mm，从而制成了玻璃基板。将对该玻璃基板进行化学强化后的玻璃基板作为样品A。
在样品A的化学强化中，将玻璃基板浸渍在KNO3处理槽中，在后述的表2的实施例1～实施例4和比较例1～比较例3中分别设定熔融液的加热温度和浸渍时间(接触时间)，并进行化学强化。具体而言，设定为以下条件。
实施例1：将熔融液的加热温度设定为400℃，将浸渍时间设定为4小时。
实施例2：将熔融液的加热温度设定为400℃，将浸渍时间设定为32小时。
实施例3：将熔融液的加热温度设定为450℃，将浸渍时间设定为8小时。
实施例4：将熔融液的加热温度设定为400℃，将浸渍时间设定为0.5小时。
比较例1：将熔融液的加热温度设定为450℃，将浸渍时间设定为32小时。
比较例2：将熔融液的加热温度设定为400℃，将浸渍时间设定为0.25小时。
比较例3：无强化。
(样品B)
在样品B的准备中，从坯板的中心部切割出纵向为5mm、横向为70mm的长方形的玻璃，使用铈研磨材料对切割出的玻璃的两表面进行镜面研磨，将厚度调节至0.8mm，从而制成了玻璃基板。将对该玻璃基板进行化学强化后的玻璃基板作为样品B。
在样品B的化学强化中，将玻璃基板浸渍在KNO3处理槽中，在后述的表2的实施例1～实施例4和比较例1～比较例3中分别设定熔融液的加热温度和浸渍时间(接触时间)，并进行化学强化。样品B中的熔融液的加热温度和浸渍时间(接触时间)与样品A相同。
(样品C)
在样品C的准备中，从坯板的中心部切割出纵向为6mm、横向为25mm的长方形的玻璃，使用铈研磨材料对切割出的玻璃的两表面进行镜面研磨，将厚度调节至0.8mm，从而制成了样品C。
(评价用样品的特性)
对于以如上所述的方式准备的样品，以如下所述的方式确认特性。
(平均热膨胀系数CTE的测定)
对于样品C，根据作为热膨胀测定的标准的DIN-51045-1，对50～200℃范围内的平均热膨胀系数CTE进行测定。具体而言，对于样品C，使用NETZSCH公司的膨胀计(dilatometer)(DIL 402Expedis)作为测定装置在30℃～300℃的范围内进行测定，将其中50℃～200℃的范围内的平均热膨胀系数作为平均热膨胀系数CTE。
(表面压应力的测定)
对于样品A，使用表面应力计(折原制作所制造：FSM-6000LE)测定样品A的表面的压应力作为表面压应力CS。
(压应力层的深度的测定)
对于样品A，使用表面应力计(折原制作所制造：FSM-6000LE)测定从样品A的表面起算的压应力深度作为压应力层12的深度DOL。
(内部拉应力的计算)
使用所测定的表面压应力CS、压应力层12的深度DOL以及厚度t的值0.8mm，通过上述式(1)计算出内部拉应力CT。
(样品的评价)
对以如上的方式准备的样品以如下所述的方式进行评价。
(弯曲强度的评价)
对于样品B，根据JIS：R-1601精细陶瓷的室温弯曲强度试验方法求出弯曲强度F。
在弯曲强度F评价中，
将弯曲强度F高于500MPa情况评价为双圈，
以弯曲强度F为300MPa以上且500MPa以下的情况评价为圈，
将弯曲强度F低于300MPa的情况评价为叉。
将双圈和圈评价为合格。
(破裂方式的评价)
使用Future Tech公司制造的ARS-9000作为测定装置，对于样品A，作为压头压入试验，以3.0kgf～15kgf将前端的对面角为90°的四角锥型金刚石压头压入中央部，测定断裂时的碎片的数量N。
将碎片的数量N为3个以下的情况评价为双圈，
将碎片的数量N为4个以上且10个以下的情况评价为圈，
将碎片的数量N为11个以上的情况评价为叉。
将双圈和圈评价为合格。
将实施例1～实施例4和比较例1～比较例3的评价结果示于表2中。
将实施例1～实施例4和比较例1～比较例2进行比较可知，在内部拉应力CT为5MPa～55MPa、压应力层12的深度DOL为10μm～60μm的情况下，满足弯曲强度和破裂方式这两者的评价。需要说明的是，比较例3是在化学强化中玻璃板破裂的例子。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但是实施方式不受该实施方式的内容限制。另外，上述的构成要素包含本领域技术人员能够容易地设想的要素、实质上相同的要素、所谓均等的范围的要素。此外，可以适当组合上述的构成要素。而且，在不脱离上述实施方式的主旨的范围内，可以进行构成要素的各种省略、置换或变更。
Claims (11)
1.一种支撑玻璃基板，其为在表面包含压应力层的支撑玻璃基板，其中，
所述支撑玻璃基板的50℃～200℃范围内的平均热膨胀系数为7ppm/℃～15ppm/℃，
所述支撑玻璃基板的内部拉应力为5MPa～55MPa，并且
所述压应力层的深度为10μm～60μm。
2.如权利要求1所述的支撑玻璃基板，其中，所述支撑玻璃基板的50℃～200℃范围内的平均热膨胀系数为9ppm/℃～13ppm/℃。
3.如权利要求1或如权利要求2所述的支撑玻璃基板，其中，所述支撑玻璃基板的内部拉应力为15MPa～25MPa。
4.如权利要求1～权利要求3中任一项所述的支撑玻璃基板，其中，所述压应力层的深度为15μm～30μm。
5.如权利要求1～权利要求4中任一项所述的支撑玻璃基板，其中，所述支撑玻璃基板的表面压应力为500MPa～700MPa。
6.如权利要求1～权利要求5中任一项所述的支撑玻璃基板，其中，所述支撑玻璃基板的厚度为0.5mm～2.0mm，并且所述压应力层的深度为15μm～30μm。
7.如权利要求1～权利要求6中任一项所述的支撑玻璃基板，其中，以氧化物基准的摩尔％表示，相对于所述支撑玻璃基板的总量，Na2O的含量为5％以上且15％以下，并且K2O的含量为5％以上且15％以下。
8.如权利要求1～权利要求7中任一项所述的支撑玻璃基板，其中，以氧化物基准的摩尔％表示，相对于所述支撑玻璃基板的总量，MgO的含量为6％以上且9％以下，并且ZrO2的含量为0.5％以上且2％以下。
9.如权利要求1～权利要求8中任一项所述的支撑玻璃基板，其中，以氧化物基准的摩尔％表示，所述支撑玻璃基板含有以下化合物：
SiO2：50％～80％、
Al2O3：1％～10％、
MgO：5％～10％、
CaO：1％～10％、
SrO：0％～5％、
BaO：0％～5％、
Na2O：5％～15％、
K2O：5％～15％、
ZrO2：0％～5％。
10.如权利要求1～权利要求9中任一项所述的支撑玻璃基板，其中，所述支撑玻璃基板为扇出型晶圆级封装和扇出型面板级封装中的至少一者的制造用支撑玻璃基板。
11.一种层叠体，其中，所述层叠体包含权利要求1～权利要求10中任一项所述的支撑玻璃基板和树脂层。
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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