CN112788824A - 静电去除装置、蒸镀装置及静电去除方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种静电去除装置、蒸镀装置及静电去除方法，该静电去除装置包括：升降架，包括底板，及设置在底板上表面且相互间隔的多个基板分离件，多个基板分离件围合形成有多个间隔设置的悬空区域，多个悬空区域之间形成有间隔区域；电极组件，包括支撑在底板上表面且与底板的上表面相对的多个板状电极，多个板状电极与多个悬空区域一一对应设置，多个板状电极相互间隔设置，板状电极与悬空区域形状适配。本申请提供的静电去除装置，将电极的形状和位置与基板分离件围合形成的悬空区域对应设置，既不会损伤玻璃基板正面的有机材料，也能够对玻璃基板背面与间隔区域对应的非显示区进行活化和静电消除，降低玻璃基板与升降架分离时的破片率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种静电去除装置、蒸镀装置及静电去除方法。
背景技术
随着液晶行业的发展，半导体制造工艺和结构越来越精细，电路的集成密度不断提高，以至于电子器件对静电释放(Electro-Static discharge，ESD)的敏感度不断提高，静电问题日益突出。
目前大尺寸有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)制造工艺有两种方式：纯蒸镀和打印+蒸镀两种方式。纯蒸镀采用托盘式传送***，在蒸镀之前有一道等离子(plasma)处理玻璃基板的工序，目的有两个：一是提高阳极载流子注入，提高发光效率；二是消除玻璃背面静电，活化玻璃，可以改善玻璃与粘结部(gluon)贴合特性，在蒸镀完成后玻璃与托盘机械分离时更容易分离而不发生破片。但打印+蒸镀方式因为在蒸镀之前，玻璃上已经打印有有机膜层，如果在蒸镀之前依然采用传统的等离子消除背面静电，等离子气体会对玻璃正面的有机膜层产生损伤，从而影响OLED性能。
发明内容
本申请提供一种静电去除装置，旨在解决现有技术下的静电去除装置会对玻璃基板正面的有机膜层造成损伤的问题。
第一方面，本申请提供一种静电去除装置，其特征在于，所述静电去除装置包括：
升降架，所述升降架包括底板，及设置在所述底板上表面且相互间隔的多个基板分离件，所述多个基板分离件围合形成有多个间隔设置的悬空区域，所述多个悬空区域之间形成有间隔区域；
电极组件，包括支撑在所述底板上表面且与所述底板的上表面相对的多个板状电极，所述多个板状电极与所述多个悬空区域一一对应设置，所述多个板状电极相互间隔设置，所述板状电极与所述悬空区域形状适配。
进一步的，所述基板分离件与所述底板滑动连接，所述基板分离件的滑动方向，与所述底板的上表面呈夹角。
进一步的，所述基板分离件在所述滑动方向上具有支撑位置和避让位置，在所述支撑位置时，所述基板分离件的高度大于所述多个板状电极的高度；所述基板分离件的高度与所述多个板状电极高度的高度差值为1-2mm。
进一步的，所述升降架还包括粘结部，所述粘结部设置在所述间隔区域内，所述基板分离件在所述避让位置时，所述基板分离件的高度小于所述粘结部的高度。
进一步的，所述静电去除装置还包括气体喷射单元，所述气体喷射单元用于喷射气体至所述多个板状电极之间的缝隙内。
进一步的，所述静电去除装置还包括交流电源，所述交流电源与所述多个板状电极电连接。
进一步的，所述交流电源为多个，所述电极组件包括至少一个板状电极组，所述板状电极组包括多个所述板状电极，所述板状电极组中的多个所述板状电极包括第一板状电极以及与所述第一板状电极相邻的至少一个第二板状电极；所述第一板状电极与所述交流电源的一端连接，所述至少一个第二板状电极与所述交流电源的另一端连接。
进一步的，所述电极组件中任意相对设置的两个所述板状电极上具有彼此相对的侧边面，所述侧边面上还设置有绝缘介质层。
第二方面，本申请还提供一种蒸镀装置，所述蒸镀装置包括如上任一项所述的静电去除装置。
第三方面，本申请还提供一种静电去除方法，所述静电去除方法利用如上任一项所述的静电去除装置，所述方法包括：
提供一侧面形成有有机层的玻璃基板，所述玻璃基板具有与所述悬空区域对应的显示区，以及与所述间隔区域对应的非显示区；
对所述静电去除装置上的所述电极组件的多个板状电极施加电压，以去除所述玻璃基板非显示区上的静电；
通过所述静电去除装置的多个基板分离件对静电去除后的所述玻璃基板进行分离。
本申请实施例提供的静电去除装置，通过将电极的形状和位置与基板分离件围合形成的间隔设置的悬空区域对应设置，使得电极通电后电离产生的等离子体大部分在电极之间运动，少数等离子体扩散到多个悬空区域之间的间隔区域以中和静电，从而消除位于悬空区域的玻璃基板非显示区的静电。这样既不会损伤玻璃基板正面的有机材料，也能够对玻璃基板背面与间隔区域对应的非显示区进行活化和静电消除，降低玻璃基板与升降架分离时的破片率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的升降架一实施例结构示意图；
图2为本申请实施例提供的玻璃基板一实施例示意图；
图3为本申请实施例提供的静电去除装置一实施例简易示意图；
图4为本申请实施例提供的电极组件连接关系一实施例示意图；
图5为本申请实施例提供的静电去除装置一实施例剖视图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例提供一种静电去除装置、蒸镀装置及静电去除方法，以下分别进行说明。
本申请实施例提供一种静电去除装置，该装置可以包括：
升降架10，升降架10包括底板101，及设置在所述底板101上表面且相互间隔的多个基板分离件102，多个基板分离件102围合形成有多个间隔设置的悬空区域103，多个悬空区域103之间形成有间隔区域104；
电极组件20，包括支撑在底板101上表面且与底板101的上表面相对的多个板状电极201，多个板状电极201与多个悬空区域103一一对应设置，多个板状电极201相互间隔设置，板状电极201与悬空区域103形状适配。
本申请实施例提供的静电去除装置，通过将电极的形状和位置与基板分离件围合形成的间隔设置的悬空区域对应设置，使得电极通电后电离产生的等离子体大部分在电极之间运动，少数等离子体扩散到多个悬空区域之间的间隔区域以中和静电，从而消除位于悬空区域的玻璃基板非显示区的静电。这样既不会损伤玻璃基板正面的有机材料，也能够对玻璃基板背面与间隔区域对应的非显示区进行活化和静电消除，降低玻璃基板与升降架分离时的破片率。
具体的，在本申请的实施例中，静电去除装置可以包括有升降架10，而升降架10包括有底板101，底板101可以放置玻璃基板，以便对玻璃基板进行打印、蒸镀等显示显示面板制程。
如图1所示，为本申请实施例提供的升降架一实施例结构示意图。在上述实施例中，在底板101上形成有多个基板分离件102，基板分离件102设置在底板101的上表面，且多个基板分离件102相互间隔设置，多个基板分离件102围合形成有多个间隔设置的悬空区域103。而在本申请的实施例中，基板分离件102可以与底板101滑动连接，即基板分离件102可以为可滑动分离件。
在上述实施例中，基板分离件102的滑动方向可以与底板101的上表面呈夹角。即基板分离件102可以沿着与底板101垂直的方向进行上下滑动；基板分离件102也可以与底板101之间存在锐角，而基板分离件102沿夹角方向进行上下滑动，即基板分离件102的滑动方向相对于底板101的垂直方向倾斜一定角度。
在上述实施例中，当玻璃基板完成静电去除后，玻璃基板需要与底板101分离，由于基板分离件102设置在玻璃基板与底板101之间，因此可以利用基板分离件102将玻璃基板与底板101分离。
如图2所示，为本申请实施例提供的玻璃基板一实施例示意图。请参考图1和图2，在本申请的实施例中，玻璃基板在进行喷墨打印得到有机层后，可以放置在悬空区域103内。同时，由于一个玻璃基板上可以形成多个不同尺寸的显示面板，因此玻璃基板上可以形成多个不同尺寸的有机层；而形成有多个不同尺寸的玻璃基板可以放置在悬空区域103内，悬空区域103的形状位置可以与玻璃基板上的有机层的形状位置对应设置。如图2中所示，多个不同尺寸的有机层之间也形成有间隔区域，多个有机层之间的间隔区域和多个悬空区域103之间的间隔区域104对应。而玻璃基板放置在悬空区域103内，多个基板分离件102支撑玻璃基板。
本申请实施例提供的静电去除装置还包括电极组件20，电极组件20可以包括支撑在底板101上表面且与底板101的上表面相对的多个板状电极201；即电极组件20位于底板101的上表面，电极组件20设置在底板101和玻璃基板之间，且电极组件20包括多个板状电极201。且多个板状电极201与悬空区域103一一对应设置，即多个板状电极201相互间隔设置，多个板状电极201之间也存在间隔区域，且多个板状电极201之间的间隔区域与多个悬空区域103之间的间隔区域104对应设置。
且在本申请的实施例中，板状电极201的形状可以与悬空区域103适配。具体的，板状电极201的边缘区域与悬空区域103的边缘区域之间的误差可以在预设误差范围内。优选的，板状电极201的边缘区域与悬空区域103的边缘区域可以完全重叠，即板状电极201的形状与悬空区域103的形状一致。
如图3所示，为本申请实施例提供的静电去除装置一实施例简易示意图，其中，该静电去除装置包括相对设置的电极，当向电极施加电压，电极之间的存在的气体可以被电离而产生等离子体，等离子体会发生扩散到物体表面以中和物体表面的静电。图3中的虚线代表等离子体的扩散方向，即当等离子体产生后，会有部分等离子体朝向物体表面扩散。
其中，等离子体是继固体、气体和液体三态后的物质的第四态，由正离子、负离子、电子和中性离子组成，因体系中正负电荷总数相等，被称为“等离子体”。等离子体的产生途径很多，在本申请的实施例中，可以采用介质阻挡放电(Dielectric Barrier Discharge，DBD)技术产生等离子体。介质阻挡放电是有绝缘介质***放电空间内的一种气体放电，绝缘介质可以覆盖在电极上或悬挂在放电空间内。这样当在放电电极上施加足够高的交流电压时，电极间的气体会被电离而形成介质阻挡放电。
在图3中，在介质阻挡放电时，需要将绝缘介质(图中未画出)***放电空间内，优选的可以将绝缘介质覆盖在电极上，且需要在电极两端施加交流电压。电极之间的空气在交流电压的作用下被击穿产生介质阻挡放电，而绝缘介质的存在由阻断了击穿通道的形成，使得绝缘介质放电不会产生火花或电弧。
介质阻挡放电可以在较大的气压范围内进行，例如在0.1atm-10atm的压强中进行；其中标准大气压为101.325kPa,是压强的单位,记作atm。同时，介质阻挡放电时，电极两端的电压需要为交流电压，交流电压的频率可以为50Hz-1MHZ。
如图4所示，为本申请实施例提供的电极组件连接关系一实施例示意图，由于本申请实施例中的多个悬空区域103之间间隔设置，因此电极组件20中包括的多个板状电极201也间隔设置，且多个板状电极201与悬空区域103的形状适配。且为了进行后续的电离过程，还需要将多个板状电极201与电源之间电性连接。当电极两端没有电压时，多个板状电极201之间为绝缘状态；当给板状电极201通电后，板状电极201之间会存在电场，而板状电极201之间的气体在电场作用下会发生电离产生等离子体。如图4，图4中的虚线代表当电源通电后，板状电极201之间产生的电场。
在本申请的实施例中，由于基板分离件102与底板101滑动连接，即基板分离件102可以进行滑动，因此基板分离件102在滑动方向上会具有支撑位置和避让位置。当基板分离件101位于支撑位置时，基板分离件102会支撑玻璃基板；而当基板分离件101位于避让位置时，基板分离件102会远离玻璃基板。
在本申请的一个具体实施例中，基板分离件102可以为顶针，而底板101上设置有通孔，当完成静电去除后，顶针可以穿过通孔进而顶起玻璃基板，实现对玻璃基板的分离和支撑。
在上述实施例中，当基板分离件102到达支撑位置时，基板分离件102支撑玻璃基板，此时基板分离件102的高度大于多个板状电极201的高度。在本申请的一些实施例中，当基板分离件102位于支撑位置时，多个板状电极201的位置保持不变，基板分离件102的高度与多个板状电极201的高度差值可以为1-2mm。
这样设置使得电极组件20发生介质放电时，产生的大部分等离子体会在电极之间运动，而玻璃基板下表面与电极组件20之间的距离很近，只有1-2mm，部分等离子体会垂直于电极方向扩散，到达显示面板表面的显示区，进而中和显示区的静电。
同时，在本申请的实施例中，电极组件20中任意相对设置的两个板状电极201上具有彼此相对的侧边面，而侧边面上设置有绝缘介质层，绝缘介质层用于阻断板状电极201放电时形成击穿通道，产生火花电弧等不利影响，进而影响玻璃基板上利用喷墨打印制备的有机层。
需要说明的是，在本申请的实施例中，电极组件20两端的电压为交流电压，即本申请实施例提供的静电去除装置还包括交流电源，且交流电源与多个板状电极201电性连接，交流电源用于给电极组件20提供电压进而产生电离现象。
在上述实施例中，当交流电源为多个时，电极组件20包括至少一个板状电极组，其中板状电极组可以包括多个板状电极201。且板状电极组中的多个板状电极201可以包括第一板状电极以及与第一板状电极相邻的至少一个第二板状电极；而第一板状电极可以与多个交流电源中的一个交流电源的一端连接，而至少一个第二板状电极与前述一个交流电源的另一端连接；即同一个板状电极组中的第一板状电极以及与至少一个与第一板状电极相邻的至少一个第二板状电极分别连接在同一个交流电源的两端。
在本申请的另一些实施例中，当交流电源为多个时，位于不同区域的多个板状电极201可以分别与不同的交流电源连接，以分别对需要去除静电的区域进行单独控制。不同的交流电源之间的电压可以不同。
在本申请的实施例中，升降架10还可以包括粘结部105，请参考图1，粘结部105设置在底板101上的间隔区域内，玻璃基板可以通过粘结部105与底座101连接。但当玻璃基板完成静电去除后，玻璃基板还需要与底座101分离，以便进行后续制程；由于本申请实施例中对玻璃基板上的非显示区进行了静电去除，因此减弱了粘结部105与玻璃基板的之间的连接力，相较于现有技术粘结部105与玻璃基板的分离更加简单且节省人力物力。
在本申请的一些实施例中，粘结部105可以设置在任意两个悬空区域103之间的间隔区域104内；在本申请的另一些实施例中，粘结部105可仅设置在底座101的边缘区域。而当基板分离件102位于避让位置时，粘结部105与玻璃基板连接，且基板分离件102的高度小于粘结部105的高度。
在本申请的实施例中，粘结部105用于粘结玻璃基板与底板101，粘结部105可以是具有粘结作用的材料或装置。在本申请的一个具体实施例中，粘结部105可以为胶子，即玻璃基板通过胶子与底板101连接。
在本申请的实施例中，静电去除装置还可以包括气体喷射单元，气体喷射单元可以喷射气体至多个板状电极201之间的缝隙内。由于多个板状电极201之间形成有间隔区域，因此气体喷射单元可以喷射气体至多个板状电极201之间的间隔区域内，而板状电极201在通电之后，可以对喷射出的气体电离产生等离子体，进而消除玻璃基板上非显示区的静电。
如图5所示，为本申请实施例提供的静电去除装置一实施例剖视图。在图5中，底座101上设置有电极组件20，而电极组件20包括多个板状电极201，板状电极201与多个分离件102围合形成的悬空区域103对应设置，而在悬空区域103又与玻璃基板上的有机层对应设置。多个板状电极201间隔设置，板状电极201在进行介质放电时，板状电极201之间的气体会发生电离产生等离子体，而部分等离子体会扩散到玻璃基板的背面，即扩散到玻璃基板上靠近板状电极201的一侧，以消除玻璃基板背面的静电。
本申请还提供一种蒸镀装置，该蒸镀装置包括如上任一项所述的静电去除装置。形成有有机层的玻璃基板在进行了静电去除后，还会在蒸镀装置内仅蒸镀以制备完成的显示面板。
本申请实施例提供的蒸镀装置，通过设置静电去除装置，且静电去除装置中电极的形状和位置与基板分离件围合形成的间隔设置的悬空区域对应设置，使得电极通电后电离产生的等离子体大部分在电极之间运动，少数等离子体扩散到多个悬空区域之间的间隔区域以中和静电，从而消除位于悬空区域的玻璃基板非显示区的静电。这样既不会损伤玻璃基板正面的有机材料，也能够对玻璃基板背面与间隔区域对应的非显示区进行活化和静电消除，降低玻璃基板与升降架分离时的破片率。
本申请还提供一种静电去除方法，该静电去除方法利用如上任一项所述的静电去除装置来去除静电，该方法可以包括：
提供一侧面形成有有机层的玻璃基板，玻璃基板具有与悬空区域对应的显示区，及与间隔区域对应的非显示区；通过静电去除装置的多个基板分离件对玻璃基板背离有机层一侧的非显示区进行支撑；对电极组件的多个板状电极施加电压，以去除玻璃基板非显示区上的静电。
具体的，利用喷墨打印可以在玻璃基板上制备得到有机层，即制备得到了玻璃基板上的显示区，而除有机层外玻璃基板上还包括非显示区；且玻璃基板上的显示区与前述静电装置中的悬空区域103对应，而玻璃基板上的非显示区与前述静电装置中的间隔区域对应。
前述的静电去除装置还包括有多个基板分离件102，而多个基板分离件102可以对玻璃基板背离有机层一侧的非显示区进行支撑，以便进行后续去除静电的制程。前述静电去除装置上还包括有电极组件20，而电极组件20还包括多个板状电极201；多个板状电极201与玻璃基板上的显示区对应设置，当对电极组件20中的多个板状电极201施加电压时，多个板状电极之间的气体会发生电离产生等离子体，而等离子体会扩散到玻璃基板的非显示区以去除非显示区上的静电。
具体的，利用如上任一项所述的静电去除装置去除玻璃基板非显示区的静电，由于静电去除装置中电极的形状和位置与基板分离件围合形成的间隔设置的悬空区域对应设置，使得电极通电后电离产生的等离子体大部分在电极之间运动，少数等离子体扩散到多个悬空区域之间的间隔区域以中和静电，从而消除位于悬空区域的玻璃基板非显示区的静电。这样既不会损伤玻璃基板正面的有机材料，也能够对玻璃基板背面与间隔区域对应的非显示区进行活化和静电消除，降低玻璃基板与升降架分离时的破片率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种静电去除装置、蒸镀装置及静电去除方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种静电去除装置，其特征在于，所述静电去除装置包括：
升降架，所述升降架包括底板，及设置在所述底板上表面且相互间隔的多个基板分离件，所述多个基板分离件围合形成有多个间隔设置的悬空区域，所述多个悬空区域之间形成有间隔区域；
电极组件，包括支撑在所述底板上表面且与所述底板的上表面相对的多个板状电极，所述多个板状电极与所述多个悬空区域一一对应设置，所述多个板状电极相互间隔设置，所述板状电极与所述悬空区域形状适配。
2.根据权利要求1所述的静电去除装置，其特征在于，所述基板分离件与所述底板滑动连接，所述基板分离件的滑动方向与所述底板的上表面呈夹角。
3.根据权利要求2所述的静电去除装置，其特征在于，所述基板分离件在所述滑动方向上具有支撑位置和避让位置，在所述支撑位置时，所述基板分离件的高度大于所述多个板状电极的高度；所述基板分离件的高度与所述多个板状电极的高度差值为1-2mm。
4.根据权利要求3所述的静电去除装置，其特征在于，所述升降架还包括粘结部，所述粘结部设置在所述间隔区域内，所述基板分离件在所述避让位置时，所述基板分离件的高度小于所述粘结部的高度。
5.根据权利要求1所述的静电去除装置，其特征在于，所述静电去除装置还包括气体喷射单元，所述气体喷射单元用于喷射气体至所述多个板状电极之间的缝隙内。
6.根据权利要求1所述的静电去除装置，其特征在于，所述静电去除装置还包括交流电源，所述交流电源与所述多个板状电极电连接。
7.根据权利要求6所述的静电去除装置，其特征在于，所述交流电源为多个，所述电极组件包括至少一个板状电极组，所述板状电极组包括多个所述板状电极，所述板状电极组中的多个所述板状电极包括第一板状电极以及与所述第一板状电极相邻的至少一个第二板状电极；所述第一板状电极与所述交流电源的一端连接，所述至少一个第二板状电极与所述交流电源的另一端连接。
8.根据权利要求1所述的静电去除装置，其特征在于，所述电极组件中任意相对设置的两个所述板状电极上具有彼此相对的侧边面，所述侧边面上设置有绝缘介质层。
9.一种蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀装置包括如权利要求1-8任一项所述的静电去除装置。
10.一种静电去除方法，其特征在于，所述静电去除方法利用如权利要求1-8任一项所述的静电去除装置，所述方法包括：
提供一侧面形成有有机层的玻璃基板，所述玻璃基板具有与所述悬空区域对应的显示区，及与所述间隔区域对应的非显示区；
对所述静电去除装置上的所述电极组件的多个板状电极施加电压，以去除所述玻璃基板非显示区上的静电；
通过所述静电去除装置的多个基板分离件对静电去除后的所述玻璃基板进行分离。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN115369358A (zh) * | 2021-09-08 | 2022-11-22 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 蒸镀装置以及蒸镀基板分离方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000025948A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-25 | Yaskawa Electric Corp | 静電浮上搬送装置 |
| KR20060062936A (ko) * | 2004-12-06 | 2006-06-12 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 발생 장치 |
| TW200717812A (en) * | 2005-10-24 | 2007-05-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Electrostatic discharge protection structure and thin film transistor substrate including the same |
| CN103913865A (zh) * | 2012-12-28 | 2014-07-09 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
| JP2016129107A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 株式会社伸興 | 静電気除去装置及び静電気除去方法 |
| CN108633155A (zh) * | 2018-06-19 | 2018-10-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 除静电支撑结构、基板运载设备 |
| CN109031715A (zh) * | 2018-08-03 | 2018-12-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种剥离cvd机台内玻璃基板的方法 |
| CN109509720A (zh) * | 2017-09-15 | 2019-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板支撑装置、显示面板制造设备和基板支撑方法 |
-
2020
- 2020-12-24 CN CN202011545337.2A patent/CN112788824B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000025948A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-25 | Yaskawa Electric Corp | 静電浮上搬送装置 |
| KR20060062936A (ko) * | 2004-12-06 | 2006-06-12 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 발생 장치 |
| TW200717812A (en) * | 2005-10-24 | 2007-05-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Electrostatic discharge protection structure and thin film transistor substrate including the same |
| CN103913865A (zh) * | 2012-12-28 | 2014-07-09 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
| JP2016129107A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 株式会社伸興 | 静電気除去装置及び静電気除去方法 |
| CN109509720A (zh) * | 2017-09-15 | 2019-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板支撑装置、显示面板制造设备和基板支撑方法 |
| CN108633155A (zh) * | 2018-06-19 | 2018-10-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 除静电支撑结构、基板运载设备 |
| CN109031715A (zh) * | 2018-08-03 | 2018-12-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种剥离cvd机台内玻璃基板的方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115369358A (zh) * | 2021-09-08 | 2022-11-22 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 蒸镀装置以及蒸镀基板分离方法 |
| CN115369358B (zh) * | 2021-09-08 | 2023-12-05 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 蒸镀装置以及蒸镀基板分离方法 |
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