CN112768138B - 具有窄沟道图形的制备方法 - Google Patents

具有窄沟道图形的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112768138B
CN112768138B CN202011510456.4A CN202011510456A CN112768138B CN 112768138 B CN112768138 B CN 112768138B CN 202011510456 A CN202011510456 A CN 202011510456A CN 112768138 B CN112768138 B CN 112768138B
Authority
CN
China
Prior art keywords
paste
sintering
flash lamp
pattern
functional
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011510456.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112768138A (zh
Inventor
吴馨洲
朱思猛
潘丽
赵苗芬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Akm Electronics Technology Suzhou Co ltd
Original Assignee
Akm Electronics Technology Suzhou Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Akm Electronics Technology Suzhou Co ltd filed Critical Akm Electronics Technology Suzhou Co ltd
Priority to CN202011510456.4A priority Critical patent/CN112768138B/zh
Publication of CN112768138A publication Critical patent/CN112768138A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112768138B publication Critical patent/CN112768138B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

本发明公开了一种具有窄沟道图形的制备方法,包括以下步骤:在基材上涂覆功能性浆料,根据设计的图形采用遮光物质进行遮光,进行闪灯烧结,移除遮光物质,再次进行闪灯烧结,得到具有窄沟道的图形膜片。本发明的一种具有窄沟道图形的制备方法,其采用闪灯烧结技术,对浆料进行两次烧结,第一次烧结时采用遮光物质进行遮光,使得被遮光的边缘处在烧结时产生收缩,进而得到20‑80μm的窄沟道,且闪灯烧结对基材的影响小。采用该制备方法能够能够快速且方便的在图形上制备得到沟道。

Description

具有窄沟道图形的制备方法
技术领域
本发明属于印刷电子技术领域,具体涉及一种具有窄沟道图形的制备方法。
背景技术
丝网印刷由于具有设备投入小、操作简单的特点,在印刷电子领域有着非常广阔的应用。但是由于丝径、网孔目数以及导电浆料流动状态的限制,印刷沟道为60μm以内的图形会导致成本上升非常多,甚至难以实现,比如需要特制的网版,以及对于印刷性要求非常高的电子浆料。并且对于图形也有要求,不是所有的图形均可以采用丝网印刷的方式得到60μm以内的沟道。
发明内容
有鉴于此,为了克服现有技术的缺陷,本发明的目的是提供一种具有窄沟道图形的制备方法,其能够快速且方便的在图形上制备得到20-80μm的窄沟道。
为了达到上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种具有窄沟道图形的制备方法,包括以下步骤:在基材上涂覆功能性浆料,根据设计的图形采用遮光物质进行遮光,进行闪灯烧结,移除遮光物质,再次进行闪灯烧结,得到具有窄沟道的图形膜片,窄沟道位于遮光物质遮光时对应的边缘处。
根据本发明的一些优选实施方面,所述闪灯烧结中照射的能量为0.1-20J/cm2,所述闪灯烧结的时间为0.1-10ms,所述闪灯烧结中照射采用的为氙灯。两次闪灯烧结的参数可以保持一致,也可以不一致。
氙灯闪灯烧结技术是一种脉冲光技术,它可以在短时间内将大量的电能转化成光能释放出来,被烧结的颗粒(如铜),可以在极短的时间内将光能转化成热能,完成烧结。采用闪灯烧结对于耐热差的基材(如PET等)的破坏极小。
根据本发明的一些优选实施方面,所述功能性浆料为包含铜、银、金、碳材料、锡合金、量子点中的一种、两种或多种的浆料。铜、银、金、碳材料、锡合金、量子点等为粉末颗粒状或片状分散在浆料中,具有吸光性,可以将光能转化为热能。材料为粉末状时,平均粒径为0.1-0.5μm;材料为片状时,平均粒径为5-10μm,以使得在闪灯烧结时,材料能够更好的吸光转化为热能,完成烧结。其中碳材料为石墨烯、碳纳米管等,锡合金为锡铋合金、锡银铜合金等。
根据本发明的一些优选实施方面,所述功能性浆料包括铜浆、银浆、碳浆、金浆中的一种,碳浆即为包含了石墨烯和/或碳纳米管的浆料。功能性浆料也为导电浆料,可以实现导电作用。
根据本发明的一些优选实施方面,所述功能性浆料中包含溶剂,所述闪灯烧结前具有用于将所述溶剂去除的预烘步骤。溶剂去除后,功能性浆料在基材上形成功能性薄膜,其厚度为0.1-30μm。构成膜的物质具有吸光性,可以将光能转化为热能。
在本发明的一些实施例中,溶剂优选为乙二醇、乙二醇丁醚、二乙二醇***醋酸酯等,对应的预烘参数为100 ℃下烘10min。
根据本发明的一些优选实施方面,所述基材包括PET、PEN、PI、PP、PC、玻璃、硅片中的一种。
根据本发明的一些优选实施方面,所述遮光物质的主要作用为遮光,即用于降低光线的透过率,能够降低或者完全阻挡被烧结物吸收光,选用能够完全吸光或者部分吸光材质均可,可优选较薄的片材。
根据本发明的一些优选实施方面,所述遮光物质包括不锈钢片、纸、聚合物膜、布、玻璃中的一种。
根据本发明的一些优选实施方面,所述遮光物质的边缘为直线、曲线、折线或不规则线条。
根据本发明的一些优选实施方面,所述涂覆为采用印刷或涂布的方式将所述功能性浆料覆盖于所述基材上。
根据本发明的一些优选实施方面,所述印刷方式包括丝网印刷、柔版印刷、凹版印刷、转印中的一种。
在本发明的一些实施例中,具有窄沟道图形的制备方法具体包括以下步骤:
1)制备功能性浆料,并将所述功能性浆料涂覆于基材上,预烘,得到功能性薄膜;
2)在所述功能性薄膜的上方,根据设计的图形,盖上遮光物质;
3)采用氙灯进行闪灯烧结;
4)移除遮光物质,采用氙灯再次进行闪灯烧结,将未烧结的区域完成烧结,得到具有窄沟道的功能性薄膜图形。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明的一种具有窄沟道图形的制备方法,其采用闪灯烧结技术,对浆料进行两次烧结,第一次烧结时采用遮光物质进行遮光,使得被遮光的边缘处在烧结时产生收缩,进而得到20-80μm的窄沟道,且闪灯烧结对基材的影响小。采用该制备方法能够能够快速且方便的在图形上制备得到沟道。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明优选实施例中步骤3)的示意图一;
图2为本发明优选实施例中步骤3)的示意图二;
图3为本发明优选实施例中步骤4)的示意图一;
图4为本发明优选实施例中步骤4)的示意图二;
图5为本发明优选实施例中1中制备得到的窄沟道的放大图;
附图中:基材-1,功能性薄膜-2,遮光物质-3,氙灯-4,沟道-5。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明的技术方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。
实施例1
如图1-5所示,本实施例中的具有窄沟道图形的制备方法,包括以下步骤:
1)制备功能性浆料
本实施例中的功能性浆料为铜浆,铜浆的成分以及具体的制备过程可以参照专利201810186271.9、名称为:一种适用于氙灯烧结的铜导电浆料及其制备方法中所公开的内容。
2)形成功能性薄膜
在PET基材上采用丝网印刷工艺印刷步骤1)中制备得到的铜浆。
预烘去除铜浆中的溶剂,使得铜浆在PET基材表面形成铜膜,本实施例中铜膜的厚度为5μm。铜膜具有吸光性,可以将光能转化为热能。
3)闪灯烧结
本实施例中选取的遮光物质为不锈钢片,尺寸为长10 cm、宽1 cm、厚度30μm。不锈钢片的边缘为直线,即不锈钢片为一矩形。
如图1所示,根据设计的图形,将不锈钢片对应放置在铜膜上,不锈钢片贴在铜膜上,避免不锈钢片与铜膜之间的间隙过大,使得闪灯烧结时光线进入,造成形成的沟道边缘粗糙。
如图2所示,之后采用氙灯进行闪灯烧结,氙灯可在短时间内可以放出大量的光能。烧结时能量控制为1.5J/cm2,时间为1ms。
4)再次闪灯烧结
如图3和4所示,移除不锈钢板,再次采用氙灯进行闪灯烧结,将未烧结的区域完成烧结,得到具有窄沟道的功能性薄膜图形的膜片。烧结的能量和时间与步骤3)中保持一致。
本实施例中最终得到的窄沟道的图片如图5所示,图中的沟道的宽度为35-40μm。
实施例2
如图1-4所示,本实施例中的具有窄沟道图形的制备方法,包括以下步骤:
1)制备功能性浆料
本实施例中的功能性浆料为银浆,银浆的成分以及具体的制备过程可以参照专利201810180178.7、名称为:一种印刷导电银浆及其制备方法中所公开的内容。
2)形成功能性薄膜
在PI基材上采用凹版印刷工艺印刷步骤1)中制备得到的银浆。
预烘去除银浆中的溶剂,使得银浆在PI基材表面形成银膜,本实施例中银膜的厚度为10μm。银膜具有吸光性,可以将光能转化为热能。
3)闪灯烧结
本实施例中选取的遮光物质为PET膜片,尺寸为长10 cm、宽1 cm、厚度50μm。PET膜片的边缘为曲线。
如图1所示,根据设计的图形,将PET膜片对应放置在银膜上,PET膜片贴在银膜上,避免PET膜片与银膜之间的间隙过大,使得闪灯烧结时光线进入,造成形成的沟道边缘粗糙。
如图2所示,之后采用氙灯进行闪灯烧结,氙灯可在短时间内可以放出大量的光能。烧结时能量控制为5J/cm2,时间为2ms。
4)再次闪灯烧结
如图3和4所示,移除PET膜片,再次采用氙灯进行闪灯烧结,将未烧结的区域完成烧结,得到具有窄沟道的功能性薄膜图形的膜片。烧结的能量和时间与步骤3)中保持一致。
实施例3
如图1-4所示,本实施例中的具有窄沟道图形的制备方法,包括以下步骤:
1)制备功能性浆料
本实施例中的功能性浆料为碳浆。
2)形成功能性薄膜
在PEN基材上采用柔板印刷工艺印刷步骤1)中制备得到的碳浆。
预烘去除碳浆中的溶剂,使得碳浆在PEN基材表面形成碳膜,本实施例中碳膜的厚度为15μm。碳膜具有吸光性,可以将光能转化为热能。
3)闪灯烧结
本实施例中选取的遮光物质为玻璃,尺寸为长10 cm、宽1 cm、厚度100μm。玻璃的边缘为折线。
如图1所示,根据设计的图形,将玻璃对应放置在碳膜上,玻璃贴在碳膜上,避免玻璃与碳膜之间的间隙过大,使得闪灯烧结时光线进入,造成形成的沟道边缘粗糙。
如图2所示,之后采用氙灯进行闪灯烧结,氙灯可在短时间内可以放出大量的光能。烧结时能量控制为10J/cm2,时间为4ms。
4)再次闪灯烧结
如图3和4所示,移除玻璃,再次采用氙灯进行闪灯烧结,将未烧结的区域完成烧结,得到具有窄沟道的功能性薄膜图形的膜片。烧结的能量和时间与步骤3)中保持一致。
实施例4
如图1-4所示,本实施例中的具有窄沟道图形的制备方法,包括以下步骤:
1)制备功能性浆料
本实施例中的功能性浆料为金浆。
2)形成功能性薄膜
在PP基材上采用柔板印刷工艺印刷步骤1)中制备得到的金浆。
预烘去除金浆中的溶剂,使得金浆在PP基材表面形成金膜,本实施例中金膜的厚度为25μm。金膜具有吸光性,可以将光能转化为热能。
3)闪灯烧结
本实施例中选取的遮光物质为木块,尺寸为长10 cm、宽1 cm、厚度500μm。木块的边缘为不规则线条。
如图1所示,根据设计的图形,将木块对应放置在金膜上,木块贴在金膜上,避免木块与金膜之间的间隙过大,使得闪灯烧结时光线进入,造成形成的沟道边缘粗糙。
如图2所示,之后采用氙灯进行闪灯烧结,氙灯可在短时间内可以放出大量的光能。烧结时能量控制为20J/cm2,时间为6ms。
4)再次闪灯烧结
如图3和4所示,移除木块,再次采用氙灯进行闪灯烧结,将未烧结的区域完成烧结,得到具有窄沟道的功能性薄膜图形的膜片。烧结的能量和时间与步骤3)中保持一致。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施,并不能以此限制本发明的保护范围,凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种具有窄沟道图形的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在基材上涂覆功能性浆料,根据设计的图形采用遮光物质进行遮光,进行闪灯烧结,移除遮光物质,再次进行闪灯烧结,得到具有窄沟道的图形膜片,所述窄沟道的宽度为20-80μm。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述闪灯烧结中照射的能量为0.1-20J/cm2,照射的时间为0.1-10ms,照射采用的为氙灯。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述功能性浆料为包含铜、银、金、碳材料、锡合金中的一种、两种或多种的浆料。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述功能性浆料包括铜浆、银浆、碳浆、金浆中的一种。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述功能性浆料中包含溶剂,所述闪灯烧结前具有用于将所述溶剂去除的预烘步骤。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述基材包括PET、PEN、PI、PP、PC、玻璃、硅片中的一种。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述遮光物质用于降低光线的透过率。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述遮光物质包括不锈钢片、纸、聚合物膜、布、玻璃中的一种。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述涂覆为采用印刷或涂布的方式将所述功能性浆料覆盖于所述基材上。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述印刷方式包括丝网印刷、柔版印刷、凹版印刷、转印中的一种。
CN202011510456.4A 2020-12-18 2020-12-18 具有窄沟道图形的制备方法 Active CN112768138B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011510456.4A CN112768138B (zh) 2020-12-18 2020-12-18 具有窄沟道图形的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011510456.4A CN112768138B (zh) 2020-12-18 2020-12-18 具有窄沟道图形的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112768138A CN112768138A (zh) 2021-05-07
CN112768138B true CN112768138B (zh) 2022-04-22

Family

ID=75694181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011510456.4A Active CN112768138B (zh) 2020-12-18 2020-12-18 具有窄沟道图形的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112768138B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101157023A (zh) * 2007-10-25 2008-04-09 北京师范大学 一种多沟道二氧化钛光催化膜及其制备方法
CN103108492A (zh) * 2013-01-17 2013-05-15 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 柔性印刷电路的制造方法及制造装置
CN105448715A (zh) * 2014-06-19 2016-03-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的制造方法
TW201624501A (zh) * 2014-06-25 2016-07-01 柯尼卡美能達股份有限公司 導電性圖案、附導電性圖案基材、附導電性圖案基材之製造方法、於表面具有導電性圖案之構造體、及該構造體之製造方法
CN107001030A (zh) * 2014-11-19 2017-08-01 荷兰应用自然科学研究组织Tno 用于制造微柱阵列的***和方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101157023A (zh) * 2007-10-25 2008-04-09 北京师范大学 一种多沟道二氧化钛光催化膜及其制备方法
CN103108492A (zh) * 2013-01-17 2013-05-15 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 柔性印刷电路的制造方法及制造装置
CN105448715A (zh) * 2014-06-19 2016-03-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的制造方法
TW201624501A (zh) * 2014-06-25 2016-07-01 柯尼卡美能達股份有限公司 導電性圖案、附導電性圖案基材、附導電性圖案基材之製造方法、於表面具有導電性圖案之構造體、及該構造體之製造方法
CN107001030A (zh) * 2014-11-19 2017-08-01 荷兰应用自然科学研究组织Tno 用于制造微柱阵列的***和方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112768138A (zh) 2021-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101570398B1 (ko) 투명 도전성 잉크 및 투명 도전 패턴형성방법
KR101729840B1 (ko) 전도성 하이브리드 구리잉크 및 이를 이용한 광소결 방법
KR20120132424A (ko) 전도성 구리 나노잉크의 광소결 방법
KR20120110554A (ko) 전도성 잉크 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전도성 박막 제조 방법
US20160024317A1 (en) Composition for forming conductive film, and conductive film manufacturing method using same
KR20120022217A (ko) 전도성 페이스트 및 그 제조방법
KR20120132111A (ko) 전도성 은 나노잉크의 광소결 방법
WO2013145953A1 (ja) 液状組成物、金属膜、及び導体配線、並びに金属膜の製造方法
JP2019512151A (ja) シリコーンオイルを含んでいる導電性ペースト
EP3494184B1 (en) Formulations and processes for producing highly conductive copper patterns
CN112768138B (zh) 具有窄沟道图形的制备方法
KR101679144B1 (ko) 탄소나노구조체를 포함하는 광소결에 의한 전도성 구리 패턴 형성용 조성물, 광소결에 의한 전도성 구리 패턴의 제조방법 및 이로부터 제조된 전도성 구리 패턴을 포함하는 전자소자
JPWO2019189251A1 (ja) 導電膜形成用組成物及び導電膜の製造方法
KR20090088030A (ko) 도전성 미세 메쉬가 형성된 필름
KR20160116076A (ko) 구리 인쇄회로기판 제조방법
KR20150045605A (ko) 구리 잉크 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법
CN112768137B (zh) 一种具有窄沟道的电极的制备方法
KR101729758B1 (ko) 저온 소결용 구리 나노 잉크를 이용한 적층형 디지타이저 및 이의 제조방법
TWI582040B (zh) 奈米碳管漿料,其製備方法以及採用該奈米碳管漿料製備陰極發射體的方法
Dziedzic et al. Thick‐film Fine‐line Fabrication Techniques—Application to Front Metallisation of Solar Cells
JP2008235846A (ja) 太陽電池の電極形成用組成物及び該電極の形成方法並びに該形成方法により得られた電極を用いた太陽電池
WO2013042241A1 (ja) 光起電力装置の製造方法
CN111261316B (zh) 一种导电粒子和包含此导电粒子的紫外光固化导电银浆
JP2019096799A (ja) 電磁波シールドシートの製造方法及び電磁波シールドシート
JP2019186206A (ja) 導電性ペーストおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant