CN112752867A - 蚀刻组合物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 139
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 101
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 72
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 claims description 42
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 19
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 13
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 12
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 12
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 8
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 59
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 30
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- -1 TiN and W Chemical class 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 8
- 241001449342 Chlorocrambe hastata Species 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 1H-tetrazole Substances C=1N=NNN=1 KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 2
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDDNTTHUKVNJRA-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-3,3-difluoroprop-1-ene Chemical compound FC(F)(Br)C=C GDDNTTHUKVNJRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1H-benzotriazole Chemical compound C1=C(C)C=CC2=NNN=C21 LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940123973 Oxygen scavenger Drugs 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical class C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- KHPLPBHMTCTCHA-UHFFFAOYSA-N ammonium chlorate Chemical compound N.OCl(=O)=O KHPLPBHMTCTCHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- ZRDJERPXCFOFCP-UHFFFAOYSA-N azane;iodic acid Chemical compound [NH4+].[O-]I(=O)=O ZRDJERPXCFOFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUUVAZCKXDQEIS-UHFFFAOYSA-N azanium;chlorite Chemical compound [NH4+].[O-]Cl=O YUUVAZCKXDQEIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URGYLQKORWLZAQ-UHFFFAOYSA-N azanium;periodate Chemical compound [NH4+].[O-]I(=O)(=O)=O URGYLQKORWLZAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 1
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical class OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical class C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYELZBGXAIXKHU-UHFFFAOYSA-N dodecyldimethylamine N-oxide Chemical group CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)[O-] SYELZBGXAIXKHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N monothioglycerol Chemical compound OCC(O)CS PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- JLKDVMWYMMLWTI-UHFFFAOYSA-M potassium iodate Chemical compound [K+].[O-]I(=O)=O JLKDVMWYMMLWTI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001230 potassium iodate Substances 0.000 description 1
- 229940093930 potassium iodate Drugs 0.000 description 1
- 235000006666 potassium iodate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUVHDTDFZLTVFM-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O.C[N+](C)(C)C LUVHDTDFZLTVFM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FDXKBUSUNHRUIZ-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;chlorite Chemical compound [O-]Cl=O.C[N+](C)(C)C FDXKBUSUNHRUIZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZRVXFJFFJZFRLQ-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;iodate Chemical compound [O-]I(=O)=O.C[N+](C)(C)C ZRVXFJFFJZFRLQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;perchlorate Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]Cl(=O)(=O)=O ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HLQAWDQQEJSALG-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;periodate Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]I(=O)(=O)=O HLQAWDQQEJSALG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940035024 thioglycerol Drugs 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N urea hydrogen peroxide Chemical compound OO.NC(N)=O AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- H01L21/31105—Etching inorganic layers
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- H01L21/321—After treatment
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- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
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Abstract
本公开涉及用于作为多步半导体制造工艺中的中间步骤的从半导体衬基板选择性去除钨(W)和/或氮化钛(TiN)的蚀刻组合物。
Description
相关申请的交叉引用
本申请主张2018年9月12日申请的美国临时申请第62/730,043号的优先权,其内容特此以全文引用的方式并入。
技术领域
本发明涉及在其他暴露的或底层材料诸如金属导体、阻挡层材料、绝缘体材料(例如,高k介电材料)存在下选择性地蚀刻铝氧化物(AlOx,诸如Al2O3)、钨(W)和/或氮化钛(TiN)的组合物及方法。
背景技术
半导体工业正在快速减小微电子装置、硅芯片、液晶显示器、微型机电***(MicroElectro Mechanical System,MEMS)、印刷线路板、NAND闪存及其类似物中的电子电路及电子组件的尺寸并增加其密度。它们中的集成电路被分层或被堆叠,其中每个电路层之间绝缘层的厚度不断减小且特征尺寸尺寸愈来愈小。由于特征尺寸收缩,故图案变得更小,且装置效能参数较紧密且更稳固。因此,先前可忍受的因较小特征尺寸而引起的各种问题不再能忍受或更成问题。
在高级集成电路的生产中,为了使与较高密度相关联的问题最小化且为了使效能最佳化,已采用高k及低k绝缘体以及混合阻挡层材料。
铝氧化物(AlOx,诸如Al2O3)、钨(W)及氮化钛(TiN)用于半导体装置、液晶显示器、NAND闪存、微型机电***(MEMS)、印刷线路板及其类似物,且作为基底层及顶盖层用于贵金属。在半导体装置中,W及TiN可用作阻挡层金属、硬掩膜或栅极材料,且AlOx可用作介电材料。
在构造用于这些这些应用的装置中,时常需要在同一蚀刻步骤中蚀刻AlOx、及TiN。在AlOx、W及TiN的各种类型的用途及装置环境中,与这些材料接触或以其他方式同时暴露的其他层被蚀刻。需要在这些其他材料(例如金属导体、电介质及硬掩膜)存在下对AlOx、W及TiN进行高选择性蚀刻以获得装置产率及长使用寿命。用于AlOx、W及TiN的蚀刻过程可为等离子蚀刻过程。然而,对AlOx、W及TiN使用等离子蚀刻过程可能引起对栅极绝缘层及半导体基板中的任一者或两者的损伤。另外,蚀刻过程可能通过蚀刻由栅电极所暴露的栅极绝缘层而移除半导体基板的一部分。晶体管的电学特征可能受到不利影响。为了避免此类蚀刻损伤,可采用额外保护装置制造步骤,但成本较高。
用于AlOx、W及TiN的湿式蚀刻方法为已知的。此类方法可包括使用蚀刻剂与其他试剂的组合。然而,使用硅基电介质及其他高k介电材料(HfOx)的选择性不足,且在装置中暴露的其他金属也可能经历腐蚀或蚀刻。
因此,需要具有较高AlOx、W或TiN蚀刻速率但对在蚀刻过程期间暴露或与AlOx、W或TiN接触的其他半导体材料具有较低蚀刻及腐蚀速率的蚀刻解决方案。
发明内容
本发明涉及相对于存在于半导体装置中的金属导体层、硬掩膜层及低k介电层选择性地蚀刻AlOx、W和/或TiN的组合物及方法。更具体言的,本发明涉及相对于W和/或TiN选择性地蚀刻AlOx的组合物及方法,和/或相对于某些高k和/或低k介电层选择性地蚀刻W和/或TiN的组合物及方法。
在一个方面中,本发明的特征在于一种蚀刻组合物,其包括a)所述组合物的约65wt%至约90wt%的量的磷酸;b)所述组合物的约0.01wt%至约4wt%的量的乙酸;c)所述组合物的约0.01wt%至约5wt%的量的硝酸;及d)水。
在另一方面中,本发明的特征在于一种方法,其包括使含有AlOx、W和/或TiN的半导体基板与本文所描述的蚀刻组合物接触以移除所述AlOx、W和/或TiN。
在再一方面中,本发明的特征在于一种通过上文所描述的方法形成的制品,其中所述制品为半导体装置(例如,集成电路)。
具体实施方式
如本文所定义,除非另外指出,否则所表述的所有百分比应理解为相对于组合物的总重量的重量百分比。除非另外指出,否则环境温度定义为约16至约27摄氏度(℃)。
一般而言,本发明的特征在于蚀刻组合物(例如,用于选择性地移除钨和/或氮化钛的蚀刻组合物),其包括以下(例如,包含以下,基本上由以下组成或由以下组成):(a)所述组合物的约65wt%至约90wt%的量的磷酸;(b)所述组合物的约0.01wt%至约4wt%的量的乙酸;(c)所述组合物的约0.01wt%至约5wt%的量的硝酸;及(d)水。在一些实施例中,蚀刻组合物可由磷酸、乙酸、硝酸组成,或由磷酸、乙酸、硝酸及水组成。
在一些实施例中,磷酸的量为本发明的蚀刻组合物的至少约65wt%(例如,至少约66wt%、至少约67wt%、至少约68wt%、至少约69wt%、至少约70wt%、至少约71wt%、至少约72wt%、至少约73wt%、至少约74wt%、至少约75wt%、至少约80wt%或至少约85wt%)至至多约90wt%(例如,至多约89wt%、至多约88wt%、至多约87wt%、至多约86wt%、至多约85wt%、至多约84wt%、至多约83wt%、至多约82wt%、至多约81wt%、至多约80wt%、至多约79wt%、至多约78wt%、至多约77wt%、至多约76wt%或至多约75wt%)。在不希望受理论束缚的情况下,相信磷酸可促进及增强在蚀刻过程期间半导体基板上的AlOx、W和/或TiN的移除。
在一些实施例中,乙酸的量为本发明的蚀刻组合物的至少约0.01wt%(例如,至少约0.05wt%、至少约0.1wt%、至少约0.2wt%、至少约0.3wt%、至少约0.4wt%、至少约0.5wt%、至少约1wt%、至少约1.5wt%、至少约2wt%、至少约2.2wt%、至少约2.4wt%、至少约2.5wt%、至少约2.6wt%、至少约2.8wt%、至少约3wt%、至少约3.2wt%)至至多约4wt%(例如,至多约3.8wt%、至多约3.6wt%、至多约3.5wt%、至多约3.4wt%、至多约3.2wt%、至多约3wt%、至多约2.8wt%、至多约2.6wt%、至多约2.5wt%、至多约2wt%、至多约1.5wt%、至多约1wt%、至多约0.9wt%、至多约0.8wt%、至多约0.7wt%、至多约0.6wt%或至多约0.5wt%)。在不希望受理论束缚的情况下,相信乙酸可控制AlOx、TiN及W相对于蚀刻过程期间暴露的其他材料(例如,高k或低k介电材料)的蚀刻选择性。
在一些实施例中,硝酸的量为本发明的蚀刻组合物的至少约0.01wt%(例如,至少约0.02wt%、至少约0.04wt%、至少约0.05wt%、至少约0.06wt%、至少约0.08wt%、至少约0.1wt%、至少约0.2wt%、至少约0.3wt%、至少约0.4wt%、至少约0.5wt%、至少约1wt%、至少约1.5wt%、至少约2wt%、至少约2.5wt%或至少约3wt%)至至多约5wt%(例如,至多约4.5wt%、至多约4wt%、至多约3.5wt%、至多约3wt%、至多约2.5wt%、至多约2wt%、至多约1.6wt%、至多约1.5wt%、至多约1wt%、至多约0.9wt%、至多约0.8wt%、至多约0.7wt%、至多约0.6wt%、至多约0.5wt%或至多约0.1wt%)。在不希望受理论束缚的情况下,相信硝酸可充当诸如TiN及W的金属的氧化剂,且可控制TiN及W相对于蚀刻过程期间暴露的其他材料(例如,高k或低k介电材料)的蚀刻选择性。另外,在不希望受理论束缚的情况下,相信控制蚀刻组合物中乙酸及硝酸的量达到某一比率(例如,约1.5:1至1:1.5,诸如1:1)可调整W蚀刻速率相对于TiN蚀刻速率的比达到某一比率(例如,约3:1至约4:1)。此类蚀刻组合物可适用于与包括厚度相对较大的W层及厚度相对较小的TiN层的半导体基板相关的用途。
在一些实施例中,水的量为本发明的蚀刻组合物的至少约10wt%(例如,至少约12wt%、至少约14wt%、至少约15wt%、至少约16wt%、至少约18wt%、至少约20wt%、至少约21wt%、至少约22wt%、至少约23wt%或至少约24wt%)至至多约30wt%(例如,至多约29wt%、至多约28wt%、至多约27wt%、至多约26wt%、至多约25wt%、至多约23wt%、至多约21wt%、至多约20wt%、至多约19wt%、至多约17wt%、至多约15wt%、至多约13wt%或至多约11wt%)。
本发明的蚀刻组合物可任选地包含一种或多种任选的金属元素。金属元素在蚀刻组合物中可呈离子形式(例如,金属离子)或非离子形式(例如,金属,诸如Sb)。适合的金属元素的实例包括但不限于Sb、Cu、K、Ca、Na、Fe、Pb、Sr、As、Ni、Mn、Mg及Li。在一些实施例中,每种金属元素的量可为蚀刻组合物的至少约0.1ppb(例如,至少约0.5ppb、至少约1ppb、至少约2ppb、至少约4ppb、至少约5ppb、至少约6ppb、至少约8ppb、至少约10ppb、至少约15ppb、至少约20ppb、至少约25ppb或至少约30ppb)至至多约100ppb(例如,至多约95ppb、至多约90ppb、至多约80ppb、至多约70ppb、至多约60ppb、至多约50ppb、至多约40ppb或至多约30ppb)。在一些实施例中,Sb元素的量大于Cu、K、Ca、Na、Fe、Pb、Sr、As、Ni、Mn、Mg及Li元素中的每个的量。蚀刻组合物中的金属元素的量可一般通过使用电感藕合等离子体质谱来进行测量。在一些实施例中,金属元素为与用以制备蚀刻组合物的起始材料相关联的杂质。在不希望受理论束缚的情况下,相信金属元素可充当金属蚀刻抑制剂,其可减少蚀刻过程期间暴露的且不意欲被蚀刻的某些金属的蚀刻。
在一些实施例中,本发明的蚀刻组合物可任选地包含至少一种(例如,二种、三种或四种)金属腐蚀抑制剂。适合的金属腐蚀抑制剂的实例包括式(A)化合物、式(B)化合物、式(C)化合物或经取代的四唑:
在式(A)中,R1A至R5A各自独立地可为氢原子、经取代或未经取代的烃基(例如,C1-C10烷基)、羟基、硫醇基、羧基或经取代或未经取代的氨基,其限制条件为,在式(A)中含有选自羟基、羧基及经取代或未经取代的氨基的至少一个基团。在式(B)中,R1B至R4B各自独立地可为氢原子、羟基或经取代或未经取代的烃基(例如,C1-C10烷基)。在式(C)中,R1C、R2C及RN各自独立地可为氢原子或经取代或未经取代的烃基(例如,C1-C10烷基),或R1C及R2C与其所连接的碳原子一起形成环(例如,5员、6员或7员环)。环可为芳族或非芳族(例如,含有0-2个双键),且可含有1-3个任选的杂原子,诸如O、N或S。环可任选地经至少一个(例如,二个、三个或四个)取代基诸如羟基或经取代或未经取代的烃基(例如,C1-C10烷基)取代。适合的金属腐蚀抑制剂的实例包括硫代甘油、儿茶酚(catechol)、焦棓酸(pyrogallol)、苯并***及5-甲基苯并***。
在一些实施例中,金属腐蚀抑制剂的量为蚀刻组合物的至少约0.0001wt%(例如,至少约0.0002重量%、至少约0.0005重量%、至少约0.001重量%、至少约0.002重量%、至少约0.005重量%、至少约0.01重量%、至少约0.02重量、至少约0.05重量%、至少约0.1重量%、至少约0.2重量%或至少约0.5重量%)至至多约1wt%(例如,至多约0.9wt%、至多约0.8wt%、至多约0.7wt%、至多约0.6wt%、至多约0.5wt%、至多约0.4wt%、至多约0.3wt%、至多约0.2wt%、至多约0.1wt%、至多约0.05wt%或至多约0.01wt%)。在不希望受理论束缚的情况下,相信上文所描述的金属腐蚀抑制剂可提高AlOx、W和/或TiN相对于蚀刻过程期间暴露的半导体基板上的其他金属(例如,Cu)的移除选择性。
在一些实施例中,本发明的蚀刻组合物可任选地包含至少一种(例如,二种、三种或四种)铝蚀刻表面活性剂。适合的铝蚀刻表面活性剂的实例包括式(D)化合物:R-N(CH3)2-O(D),其中R为C8-C24(例如,C12-C18)烷基。适合的铝蚀刻表面活性剂的一个实例为正十二基-N,N-二甲胺-N-氧化物:
在一些实施例中,铝蚀刻表面活性剂的量为蚀刻组合物的至少约0.0001wt%(例如,至少约0.0002重量%、至少约0.0005重量%、至少约0.001重量%、至少约0.002重量%、至少约0.005重量%、至少约0.01重量%、至少约0.02重量、至少约0.05重量%、至少约0.1重量%、至少约0.2重量%或至少约0.5重量%)至至多约1wt%(例如,至多约0.9wt%、至多约0.8wt%、至多约0.7wt%、至多约0.6wt%、至多约0.5wt%、至多约0.4wt%、至多约0.3wt%、至多约0.2wt%、至多约0.1wt%、至多约0.05wt%或至多约0.01wt%)。在不希望受理论束缚的情况下,相信铝蚀刻表面活性剂可提高半导体表面的均匀性(例如,通过提高蚀刻组合物的表面张力)。
在一些实施例中,本发明蚀刻组合物蚀刻组合物可任选地包含多个平均尺寸(例如,平均直径)为至少约0.1μm(例如,至少约0.2μm、至少约0.3μm、至少约0.4μm、至少约0.5μm、至少约0.6μm或至少约0.8μm)至至多约1μm(例如,至多约0.9μm、至多约0.8μm、至多约0.7μm、至多约0.6μm、至多约0.5μm、至多约0.4μm、至多约0.2μm)的粒子。在一些实施例中,多个粒子的量为蚀刻组合物的至多约150计数值/毫升(例如,至多约125计数值/毫升、至多约100计数值/毫升、至多约90计数值/毫升、至多约80计数值/毫升、至多约70计数值/毫升、至多约60计数值/毫升、至多约50计数值/毫升、至多约40计数值/毫升、至多约30计数值/毫升、至多约20计数值/毫升或至多约10计数值/毫升)和/或0计数值/毫升(例如,至少约5计数值/毫升)。一般而言,粒子大小及粒子计数可通过使用粒子计数器,诸如Rion KS-42B进行测量。在一些实施例中,粒子为与用以制备蚀刻组合物的起始材料相关联的杂质。在不希望受理论束缚的情况下,相信在本文所描述的蚀刻组合物中包括适合量(例如,10-100计数值/毫升)的粒子可抑制异常蚀刻,诸如点状腐蚀(pitting)或矛头蚀刻。另一方面,在不希望受理论束缚的情况下,相信在蚀刻组合物中包括超过100计数值/毫升的粒子可能在半导体基板的表面上产生缺陷。
在一些实施例中,本发明的蚀刻组合物的pH值可为至多约1(例如,至多约0.9、至多约0.8、至多约0.7、至多约0.6或至多约0.5)和/或至少约0(例如,至少约0.1、至少约0.2、至少约0.3、至少约0.4或至少约0.5)。在不希望受理论束缚的情况下,相信pH值高于1的蚀刻组合物将不具有足够AlOx、W和/或TiN蚀刻速率,由于移除这些材料需要足够高的酸性,而pH值低于0的蚀刻组合物可能因强酸性而分解组合物中的某些组分。
另外,在一些实施例中,本发明的蚀刻组合物可任选地含有添加剂,诸如pH值调节剂、额外腐蚀抑制剂、额外表面活性剂、有机溶剂、杀生物剂及消泡剂。适合的消泡剂的实例包括聚硅氧烷消泡剂(例如,聚二甲基硅氧烷)、聚乙二醇甲醚聚合物、环氧乙烷/环氧丙烷共聚物及缩水甘油醚封端的炔二醇乙氧基化物(诸如美国专利第6,717,019号中所描述的彼等消泡剂,所述专利以引用的方式并入本文中)。适合的表面活性剂的实例可为阳离子型、阴离子型、非离子型或两性表面活性剂。
一般而言,本发明的蚀刻组合物可具有相对较高的W/介电材料和/或TiN/介电材料蚀刻选择性(也即,较高的W蚀刻速率相对于介电材料蚀刻速率的比率和/或较高的TiN蚀刻速率相对于介电材料蚀刻速率的比率)。介电材料的实例包括SiO2、AlOx、高k介电材料及低k介电材料。在一些实施例中,蚀刻组合物的W/介电材料和/或TiN/介电材料蚀刻选择性可为至少约2(例如,至少约3、至少约4、至少约5、至少约6、至少约7、至少约8、至少约9、至少约10、至少约15、至少约20、至少约30、至少约40或至少约50)和/或至多约500(例如,至多约100)。
在一些实施例中,本发明的蚀刻组合物可具有相对较高的AlOx/W和/或AlOx/TiN蚀刻选择性(也即,较高的AlOx蚀刻速率相对于W蚀刻速率的比率和/或较高的AlOx蚀刻速率相对于TiN蚀刻速率的比率)。在一些实施例中,蚀刻组合物的AlOx/W和/或AlOx/TiN蚀刻选择性可为至少约2(例如,至少约3、至少约4、至少约5、至少约6、至少约7、至少约8、至少约9、至少约10、至少约15、至少约20、至少约30、至少约40或至少约50)和/或至多约500(例如,至多约200或至多约100)。此类蚀刻组合物可适用于与包括厚度相对较大的AlOx层及厚度相对较小的W或TiN层的半导体联有关的用途。
在一些实施例中,本发明的蚀刻组合物可特别地排除(或实质上不含)添加剂组分中的一或多种,若超过一种,任何组合。如本文所用,术语「实质上不含」指组分的重量%为蚀刻组合物的至多约0.1%(例如,至多约0.05%、至多约0.01%、至多约0.005%、至多约0.001%或约0%)。所排除的此类组分选自由以下组成的组:聚合物、氧清除剂、季铵盐(包括季铵氢氧化物)、胺、碱性碱(诸如NaOH、KOH及LiOH)、除消泡剂以外的表面活性剂、消泡剂、含氟离子的化合物、氧化剂(例如,过氧化物、过氧化氢、硝酸铁、碘酸钾、高锰酸钾、硝酸、亚氯酸铵、氯酸铵、碘酸铵、过硼酸铵、过氯酸铵、过碘酸铵、过硫酸铵、亚氯酸四甲基铵、氯酸四甲基铵、碘酸四甲基铵、过硼酸四甲基铵、过氯酸四甲基铵、高碘酸四甲基铵、过硫酸四甲基铵、过氧化脲及过氧乙酸)、磨料(例如,二氧化硅或氧化铝磨料)、硅酸盐、含有超过二个羟基的羟基羧酸、羧酸及聚羧酸(例如,不具有氨基的羧酸及聚羧酸)、磺酸、硅烷(例如,烷氧基硅烷)、环状化合物(例如,含有至少二个环的环状化合物,诸如经取代或未经取代的萘或经取代或未经取代的二苯醚)、螯合剂、缓冲剂、非唑类腐蚀抑制剂、唑类(例如,二唑、***或四唑)及盐(例如,硫酸盐、磺酸盐、氯化物盐、硝酸盐、乙酸盐、磷酸盐及金属盐(诸如金属卤化物)、钾盐(例如,硝酸钾)、钠盐及银盐)。
本发明的蚀刻组合物可通过将组分简单混合在一起来制备,或可通过在试剂盒中掺合二种组合物来制备。试剂盒中的第一组合物可为硝酸的水溶液。试剂盒中的第二组合物可含有本发明的蚀刻组合物的浓缩形式的预定比率的剩余组分,以使得掺合二种组合物将得到所需的本发明的蚀刻组合物。
在一些实施例中,本发明的特征在于一种蚀刻含有AlOx、W和/或TiN的半导体基板(例如,含有AlOx、W和/或TiN的特征)的方法。所述方法包括使含有AlOx、W和/或TiN的半导体基板与本发明的蚀刻组合物接触以移除AlOx、W和/或TiN。接触可在至少约20℃(例如,至少约25℃、至少约30℃、至少约40℃、至少约50℃或至少约60℃)和/或至多约95℃(例如,至多约90℃、至多约80℃或至多约70℃)的温度下执行。所述方法可进一步包括在接触步骤之后用冲洗溶剂冲洗半导体基板和/或在冲洗步骤之后使所述半导体基板干燥。在一些实施例中,所述方法实质上不移除半导体基板中的Cu或介电材料(例如,SiO2)。举例而言,所述方法不移除超过约5重量%(例如,超过约3重量%或超过约1重量%)的半导体基板中的Cu或介电材料。
在一些实施例中,蚀刻方法包括以下步骤:
(A)提供含有AlOx、W和/或TiN的半导体基板;
(B)使所述半导体基板与本文所描述的蚀刻组合物接触;
(C)用一种或多种适合的冲洗溶剂冲洗所述半导体基板;及
(D)任选地,使所述半导体基板干燥(例如,通过任何适合的移除冲洗溶剂而不损害半导体基板的完整性的手段)。
在此方法中待蚀刻的含有AlOx、W和/或TiN的半导体基板可含有有机残余物及有机金属残余物,和另外也可在蚀刻过程期间移除的一系列金属氧化物。
半导体基板通常由硅、硅锗、III-V族化合物(诸如GaAs)或其任何组合构造成。半导体基板可另外含有暴露的集成电路结构,诸如互连件特征(例如,金属线及介电材料)。用于互连件特征的金属及金属合金包括但不限于铝、掺合有铜的铝、铜、钛、钽、钴、硅、氮化钛、氮化钽及钨。半导体基板也可含有夹层电介质层、氧化硅层、氮化硅层、碳化硅层、氧化钛层及经碳掺杂的氧化硅层。
可通过任何适合的方法,诸如将蚀刻组合物置放至贮槽中且将半导体基板浸入和/或浸没至所述蚀刻组合物中、将蚀刻组合物喷涂至半导体基板上、使蚀刻组合物流动至半导体基板上或其任何组合,使半导体基板与本文所描述的蚀刻组合物接触。
本发明的蚀刻组合物可在室温(例如,约20-25℃)至约95℃(例如,约55℃至约95℃、约60℃至约90℃、约60℃至约80℃、或约70℃)的温度下有效地用完。AlOx、W和/或TiN的蚀刻速率一般随着温度在此范围中升高而增加,因此使用较高温度的过程可运行较短时间。相反,较低蚀刻温度通常需要较长蚀刻时间。在一些实施例中,本发明人出乎意料地发现,本发明中所描述的蚀刻组合物在高温下(例如,在70℃下)的AlOx蚀刻速率的增加与W或TiN蚀刻速率的增加相比明显较高,从而在所述温度下产生相对较高的AlOx/W或Alox/TiN蚀刻选择性。
取决于所采用的特定蚀刻方法、厚度及温度,蚀刻时间可在广泛范围内变化。当在浸入式批处理型过程中蚀刻时,适合的时间范围为例如至多约10分钟(例如,约1分钟至约7分钟、约1分钟至约5分钟或约2分钟至约4分钟)。单晶圆过程的蚀刻时间可在约30秒至约5分钟(例如,约30秒至约4分钟、约1分钟至约3分钟或约1分钟至约2分钟)范围内变化。
为了进一步促进本发明的蚀刻组合物的蚀刻能力,可采用机械搅动手段。适合的搅动手段的实例包括在蚀刻过程期间使蚀刻组合物在基板上方循环,使蚀刻组合物在基板上方流动或将蚀刻组合物喷涂在基板上方,及超音波或超高频音波搅动。半导体基板相对于基底的取向可处于任何角度。水平或竖直取向为较佳的。
在蚀刻之后,可在使用或不使用搅动手段的情况下用适合的冲洗溶剂冲洗半导体基板持续约5秒至约5分钟。可采用使用不同冲洗溶剂的多个冲洗步骤。适合的冲洗溶剂的实例包括但不限于去离子(DI)水、甲醇、乙醇、异丙醇、N-甲基吡咯啶酮、γ-丁内酯、二甲亚砜、乳酸乙酯及丙二醇单甲醚乙酸酯。替代性地或另外,可采用pH>8的水性冲洗液(诸如稀氢氧化铵水溶液)。冲洗溶剂的实例包括但不限于稀氢氧化铵水溶液、去离子水、甲醇、乙醇及异丙醇。冲洗溶剂可使用与在本文所描述的蚀刻组合物时所用类似的手段来加以施用。蚀刻组合物可在冲洗步骤开始之前已自半导体基板移除,或蚀刻组合物可在冲洗步骤开始时仍与半导体基板接触。在一些实施例中,在冲洗步骤中所采用的温度为16℃与27℃。
任选地,在冲洗步骤之后使半导体基板干燥。可采用现有技术中已知的任何适合的干燥手段。适合的干燥手段的实例包括旋转干燥、使干燥气他在整个半导体基板上流动或用诸如加热板或红外灯的加热装置加热半导体基板、马兰戈尼干燥(Maragoni drying)、旋转干燥(rotagoni drying)、IPA干燥或其任何组合。干燥时间取决于所采用的具体方法,但通常为大约30秒至若干分钟。
在一些实施例中,本文所描述的蚀刻方法进一步包括由通过上文所描述的方法所获得的半导体基板形成半导体装置(例如,集成电路装置,诸如半导体芯片)。
本发明将参考以下实例更详细地加以说明,所述实例用于说明的目的且不应解释为限制本发明的范畴。
实例
除非另外指定,否则所列的任何百分比均以重量(wt%)计。除非另外指出,否则在测试期间的受控搅拌使用1寸搅拌棒以300rpm进行。
通用程序1
制剂掺合
蚀刻组合物的样品通过以下制备:在搅拌的同时向计算量的水中添加制剂的剩余组分。在得到均匀溶液之后,添加任选的添加剂(若使用)。
通用程序2
材料及方法
使用可商购的未经图案化的300mm直径晶圆进行膜上的覆盖层膜蚀刻速率测量,所述晶圆被分割为0.5”×0.5”测试试片以用于评估。用于测试的主要覆盖层膜材料包括1)沉积在硅基板上的约厚度的W膜;2)沉积在硅基板上的约厚度的TiN膜;3)沉积在硅基板上的SiO2上的约厚度的HfOx膜;4)沉积在硅基板上的SiO2上的约的AlOx膜。
测量覆盖层膜测试试片的处理前及处理后厚度以确定覆盖层膜蚀刻速率。对于W及TiN金属覆盖层膜,膜厚度通过薄层电阻使用CDE Resimap273 4点探针来进行测量。对于HfOx及AlOx膜,膜厚度在处理前及处理后通过椭圆对称法(Ellipsometry)使用Woollam M-2000X来进行测量。
通用程序3
使用烧杯测试的蚀刻评估
所有覆盖层膜蚀刻测试均在室温(除非下文另外指定,否则21℃-23℃)下,在含有200g样品溶液的600mL玻璃烧杯中,在以250rpm连续搅拌下,在始终在适当位置覆盖以使蒸发损失最小化的情况下进行。将在一侧有覆盖层金属或介电膜暴露于样品溶液中的所有覆盖层测试试片通过金刚石划线而分割为用于烧杯规模测试的0.5”×0.5”正方形测试试片大小。使用单个4”长的塑料锁定式镊夹将每个单个测试试片固持至适当位置中。将在一个边缘由锁定式镊夹固持的测试试片悬挂至600mL玻璃烧杯中,且浸入至200g测试溶液中,同时在室温下以250rpm连续搅拌所述溶液。紧接在将每个样品试片置放于搅拌溶液中之后,用覆盖且再密封600mL玻璃烧杯的顶部。将测试试片在搅拌溶液中保持静态,直至处理时间(如通用程序3A中所描述)已过去为止。在于测试溶液中处理的时间已过去之后,立即自600mL玻璃烧杯移出样品试片,且根据通用程序3A进行冲洗。在最终DI冲洗步骤之后,使用手持式氮气风机对所有测试试片进行过滤氮气吹洗步骤,所述步骤强有力地移除所有痕量去离子水以产生用于测试测量的最终干燥样品。
通用程序3A(覆盖层测试试片)
紧接在根据通用程序3处理10分钟的时间之后,将试片在20℃下浸入1000mL体积的以约1升/分钟溢流率溢出的超高纯度去离子(DI)水中持续30秒,且随后再在温和搅动下持续30秒。加工根据通用程序3完成。
实例1
根据通用程序1制备制剂实例1-4(FE-1至FE-4)制备,且根据通用程序2及3进行评估。制剂及测试结果概述于表1中。
表1
如表1中所示,由于水的量从FE-1至FE-2增加,故与FE-1相比,FE-2显示出提高的TiN及W蚀刻速率。另外,由于硝酸的量从FE-2至FE-4增加,故TiN及W蚀刻速率也增加。
实例2
根据通用程序1制备制剂实例5-8(FE-5至FE-8),且根据通用程序2及3进行评估。制剂及测试结果概述于表2中。
表2
如表2中所示,由于水的量从FE-5至FE-8增加,故TiN及W蚀刻速率也增加。
实例3
根据通用程序1制备制剂实例9-12(FE-9至FE-12),且根据通用程序2及3进行评估。制剂及测试结果概述于表3中。
表3
如表3中所示,当不存在硝酸时,FE-9显示出极低的TiN及W蚀刻速率。另外,由于硝酸的量从FE-10至FE-11增加,故TiN及W蚀刻速率也增加。此外,由于水的量从FE-11至FE-12减少,故TiN及W蚀刻速率降低。
虽然本发明已参照其某些实施例进行详细描述,但应理解,修改及变化处于所描述及主张的内容的精神及范畴内。
实例4
根据通用程序1制备制剂实例13-19(FE-13至FE-19),且根据通用程序2及3进行评估。制剂及测试结果概述于表4中。
表4
如表4中所示,当FE-13至FE16中的Sb的量增加时,HfOx蚀刻速率降低。另外,当Sb的量高于100ppb(在FE-17中)或低于1ppb(在FE-18中)时,制剂显示出相对较高的HfOx蚀刻速率。在不希望受理论束缚的情况下,相信Sb可以在HfOx表面上形成不溶性钝化层,从而降低其在蚀刻过程期间的蚀刻速率。
实例5
根据通用程序1制备制剂实例20-27(FE-20至FE-27),且根据通用程序2及3进行评估。制剂及测试结果概述于表5中。在表5中也包括FE-2的制剂及测试结果作为比较。
表5
如表5中所示,当添加某些添加剂(例如,金属腐蚀抑制剂及铝蚀刻表面活性剂)时,TiN/W蚀刻速率的比率升高且变得接近1。
实例6
根据通用程序1制备制剂实例28-32(FE-28至FE-32),且根据通用程序2及3进行评估。制剂及测试结果概述于表6中。
表6
异常蚀刻(矛头)的评级:
1.无矛头(<1%)
2.几乎无矛头(<3%)
3.一些矛头(<5%)
4.不良矛头(超过10%)
如表6中所示,当存在0.5微米大小粒子且其量增加时,制剂显示出诸如矛头的异常蚀刻减少。
实例7
根据通用程序1制备制剂实例33-39(FE-33至FE-39),且根据通用程序2及3进行评估。制剂及测试结果概述于表7中。在表7中也包括FE-2的制剂及测试结果作为比较。
表7
如表7中所示,H3PO4、HNO3及HAc的重量百分比对于控制矛头至关重要。
比较实例
根据通用程序1制备比较制剂实例CFE-1至CFE-6,且根据通用程序2及3进行评估。制剂及测试结果概述于表8中。在表8中也包括FE-2的制剂及测试结果作为比较。
表8
如表8中所示,当(1)H3PO4的重量百分比高于90%或低于65%(分别参见CFE-1及CFE-2),(2)HNO3的重量百分比低于0.01%及高于5%(分别参见CFE-3及CFE-4),及(3)HAc的重量百分比低于0.01%及高于4%(分别参见CFE-5及CFE-6)时,异常蚀刻速率较差。
实例8
根据通用程序1制备制剂实例40-57(FE-40至FE-57),且根据通用程序2及3进行评估。蚀刻测试在70℃下执行。制剂及测试结果概述于表9中。
表9
如表9中所示,在70℃的蚀刻温度下,FE-40至FE-57显示出高Al2O3蚀刻速率以及高Al2O3/W及Al2O3/TiN蚀刻选择性。
实例9
根据通用程序1制备制剂实例58(FE-58),在老化某一时间段(也即,1小时、4小时、8小时或24小时)之后根据通用程序2及3在不同蚀刻温度(也即,25℃、50℃及70℃)下进行评估。FE-58含有74wt%磷酸、0.5wt%乙酸、0.5wt%硝酸及25wt%水。测试结果概述于表10中。
表10
浴液老化时间 | 1小时浴液老化 | 4小时浴液老化 | 8小时浴液老化 | 24小时浴液老化 |
蚀刻速率(25℃) | A/分钟 | A/分钟 | A/分钟 | A/分钟 |
W | 0.3 | 0.3 | 0 | 0 |
Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> | 5 | 11.4 | 14 | 10.4 |
TiN | 0.3 | 0.3 | 0.4 | 0.4 |
蚀刻速率(50℃) | A/分钟 | A/分钟 | A/分钟 | A/分钟 |
W | 3.4 | 3.8 | 3.2 | 5.3 |
Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> | 190.6 | 180.2 | 190.4 | 234.2 |
TiN | 2.3 | 2.5 | 2.6 | 2.4 |
蚀刻速率(70℃) | A/分钟 | A/分钟 | A/分钟 | A/分钟 |
W | 30.7 | 32.5 | 32.7 | 30.5 |
Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> | 838.2 | 839.8 | 816.4 | 1000.2 |
TiN | 11 | 13.1 | 11.4 | 11.7 |
如表10中所示,蚀刻温度从25℃升高至70℃提高了所有三种测试材料(也即,W、Al2O3及TiN)的蚀刻速率。另外,蚀刻温度从25℃升高至70℃导致Al2O3蚀刻速率比W及TiN蚀刻速率更大提高,随后导致更高的Al2O3/W及Al2O3/TiN蚀刻选择性。
Claims (29)
1.一种蚀刻组合物,包含:
所述组合物的约65wt%至约90wt%的量的磷酸;
所述组合物的约0.01wt%至约4wt%的量的乙酸;
所述组合物的约0.01wt%至约5wt%的量的硝酸;和
水。
2.如权利要求1所述的组合物,其中,所述磷酸的量为所述组合物的约70wt%至约85wt%。
3.如权利要求1所述的组合物,其中,所述磷酸的量为所述组合物的约72wt%至约76wt%。
4.如权利要求1所述的组合物,其中,所述乙酸的量为所述组合物的约0.1wt%至约3.5wt%。
5.如权利要求1所述的组合物,其中,所述乙酸的量为所述组合物的约0.3wt%至约0.7wt%。
6.如权利要求1所述的组合物,其中,所述硝酸的量为所述组合物的约0.05wt%至约4wt%。
7.如权利要求1所述的组合物,其中,所述硝酸的量为所述组合物的约0.3wt%至约0.7wt%。
8.如权利要求1所述的组合物,其中,所述水的量为所述组合物的约10wt%至约30wt%。
9.如权利要求1所述的组合物,还包含Sb。
10.如权利要求9所述的组合物,其中,所述Sb的量为所述组合物的约1ppb至约100ppb。
11.如权利要求9所述的组合物,还包含选自由以下组成的组的一种或多种金属元素:Cu、K、Ca、Na、Fe、Pb、Sr、As、Ni、Mn、Mg及Li。
12.如权利要求9所述的组合物,其中,所述Sb的量大于Cu、K、Ca、Pb、Sr、As、Ni、Mn、Mg及Li中的每个的量。
13.如权利要求9所述的组合物,其中,所述Sb的量大于Na及Fe中的每个的量。
14.如权利要求1所述的组合物,还包含至少一种金属腐蚀抑制剂。
16.如权利要求14所述的组合物,其中,所述至少一种金属腐蚀抑制剂的量为所述组合物的约0.0001wt%至约1wt%。
17.如权利要求1所述的组合物,还包含多个平均尺寸为约0.1μm至约1μm的粒子。
18.如权利要求17所述的组合物,其中,所述多个粒子的量为所述组合物的至多约150计数值/毫升。
19.如权利要求1所述的组合物,还包含至少一种铝蚀刻表面活性剂。
20.如权利要求19所述的组合物,其中,所述至少一种铝蚀刻表面活性剂包含式(D)化合物:R-N(CH3)2-O(D),其中R为C8-C24烷基。
21.如权利要求19所述的组合物,其中,所述至少一种铝蚀刻表面活性剂的量为所述组合物的约0.0001wt%至约1wt%。
22.如权利要求1所述的组合物,其中,所述组合物由所述磷酸、乙酸、硝酸及水组成。
23.一种方法,包含:
使含有AlOx、W或TiN的半导体基板与如权利要求1至22中任一项的组合物接触以移除所述AlOx、W或TiN。
24.如权利要求23所述的方法,还包含在所述接触步骤之后用冲洗溶剂冲洗所述半导体基板。
25.如权利要求24所述的方法,还包含在所述冲洗步骤之后使所述半导体基板干燥。
26.如权利要求23所述的方法,其中,所述方法实质上不移除所述半导体基板上的Cu或介电材料。
27.如权利要求23所述的方法,其中,所述方法相对于W或TiN选择性地蚀刻AlOx。
28.一种通过如权利要求23所述的方法形成的制品,其中,所述制品为半导体装置。
29.如权利要求28所述的制品,其中,所述半导体装置为集成电路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862730043P | 2018-09-12 | 2018-09-12 | |
US62/730,043 | 2018-09-12 | ||
PCT/US2019/045631 WO2020055529A1 (en) | 2018-09-12 | 2019-08-08 | Etching compositions |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112752867A true CN112752867A (zh) | 2021-05-04 |
CN112752867B CN112752867B (zh) | 2024-05-24 |
Family
ID=69719108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201980062902.9A Active CN112752867B (zh) | 2018-09-12 | 2019-08-08 | 蚀刻组合物 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10961453B2 (zh) |
EP (1) | EP3850123B1 (zh) |
JP (1) | JP7504081B2 (zh) |
KR (1) | KR20210061368A (zh) |
CN (1) | CN112752867B (zh) |
IL (2) | IL308906A (zh) |
SG (1) | SG10201907729PA (zh) |
TW (1) | TWI823984B (zh) |
WO (1) | WO2020055529A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2019-08-08 JP JP2021513969A patent/JP7504081B2/ja active Active
- 2019-08-08 CN CN201980062902.9A patent/CN112752867B/zh active Active
- 2019-08-08 IL IL308906A patent/IL308906A/en unknown
- 2019-08-08 IL IL281436A patent/IL281436B2/en unknown
- 2019-08-08 WO PCT/US2019/045631 patent/WO2020055529A1/en unknown
- 2019-08-08 KR KR1020217010692A patent/KR20210061368A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-08-08 EP EP19860312.8A patent/EP3850123B1/en active Active
- 2019-08-14 TW TW108128947A patent/TWI823984B/zh active
- 2019-08-15 US US16/541,787 patent/US10961453B2/en active Active
- 2019-08-21 SG SG10201907729PA patent/SG10201907729PA/en unknown
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- 2020-11-24 US US17/102,961 patent/US20210102121A1/en active Pending
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CN112752867B (zh) | 2024-05-24 |
EP3850123A4 (en) | 2021-11-10 |
TWI823984B (zh) | 2023-12-01 |
KR20210061368A (ko) | 2021-05-27 |
US10961453B2 (en) | 2021-03-30 |
WO2020055529A1 (en) | 2020-03-19 |
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EP3850123A1 (en) | 2021-07-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |