CN112740362A - 用于裸晶片检查的***和方法 - Google Patents

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Abstract

一种晶片检查***，包括与电子束检查工具通信的控制器，所述控制器包括电路以：经由光学成像工具采集样品上的缺陷的坐标；将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位缺陷的子集；基于样品的扫描期间电子束检查工具产生的检查数据确定缺陷的子集中每个缺陷的位置；基于缺陷的子集的经确定的位置调整缺陷的坐标；以及将电子束检查工具的FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。

Description

用于裸晶片检查的***和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年7月20日提交的美国申请62/701,466的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明一般涉及半导体晶片量测领域，并且更具体地，涉及用于使用带电粒子(例如电子)扫描工具来动态地检查裸晶片或未图案化晶片的***和方法。
背景技术
在集成电路(IC)的制造过程中，需要对未制成或已制成的电路元件进行检查以确保它们是按照设计而被制造的，并且没有缺陷。此外，在用于制造集成电路之前，还需要对裸晶片或未图案化晶片进行检查，以确保其无缺陷或符合所要求的规格。如此，裸晶片检查过程已被集成到制造过程中。
利用光学显微镜能够看到裸晶片上的大缺陷。然而，随着晶片加工条件变得越来越严格，所关注的缺陷的尺寸低于光学显微镜的衍射极限。例如，当技术节点减小到10nm时，光学工具可能产生大量的妨害缺陷(即误报)。在某些光学检查***中，90％的已识别缺陷可能证明是妨害缺陷。因此，对已识别的缺陷进行复查并且确认它们是否是真正的缺陷是很重要的。
发明内容
本公开的实施例涉及用于检查裸晶片的***和方法。在某些实施例中，提供一种缺陷复查工具。所述工具包括与电子束检查工具通信的控制器。所述控制器包括电路以：经由光学成像工具采集样品上缺陷的坐标；将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位缺陷的子集；基于样品的扫描期间电子束检查工具所产生的检查数据确定缺陷的子集中每个缺陷的位置；基于缺陷的子集的经确定的位置调整缺陷的坐标；以及将电子束检查工具的FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
在一些实施例中，提供一种晶片检查***。所述***包括被配置成利用激光束来照射样品并且检测从样品散射的光的光学成像工具。所述***也包括被配置成利用初级电子束扫描样品以产生检查数据的电子束检查工具。所述***还包括与光学成像工具和电子束检查工具通信的控制器。所述控制器包括电路以：接收由光学成像工具产生的光散射数据；基于光散射数据确定样品上缺陷的坐标；将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位缺陷的子集；基于样品的扫描期间通过电子束检查工具产生的检查数据确定缺陷的子集中每个缺陷的位置；基于缺陷的子集的经确定的位置调整缺陷的坐标；以及将电子束检查工具的FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
在一些实施例中，提供一种控制器。所述控制器与利用初级电子束扫描样品以产生检查数据的电子束检查工具耦合。所述控制器包括存储指令的存储器。所述控制器也包括被配置为执行指令以使控制器进行如下操作的处理器：经由光学成像工具采集样品上缺陷的坐标；将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位缺陷的子集；基于样品的扫描期间电子束检查工具所产生的检查数据确定缺陷的子集中每个缺陷的位置；基于缺陷的子集的经确定的位置调整缺陷的坐标；以及将电子束检查工具的FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
在一些实施例中，提供一种计算机实施的晶片检查的方法。所述方法包括经由光学成像工具采集样品上缺陷的坐标。所述方法也包括将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位缺陷的子集。所述方法也包括基于样品的扫描期间电子束检查工具产生的检查数据确定缺陷的子集中每个缺陷的位置。所述方法也包括基于缺陷的子集的经确定的位置调整缺陷的坐标。所述方法还包括将电子束检查工具的FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
在一些实施例中，提供一种非暂时性计算机可读介质。所述介质存储能够由装置的处理器执行的指令集以使装置执行一种方法，所述方法包括：经由光学成像工具采集样品上缺陷的坐标；将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位缺陷的子集；基于样品的扫描期间通过电子束检查工具产生的检查数据确定缺陷的子集中的每个缺陷的位置；基于缺陷的子集的经确定的位置调整缺陷的坐标；以及设置电子束检查工具的FoV为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
所披露的实施例的额外目的和优点将在下面的描述中部分阐述，并且部分将从描述中显而易见，或者可以通过实施例的实践来得知。所披露的实施例的目的和优点可以通过在权利要求中所阐述的元件和组合来实现和获得。
应当理解，如权利要求所主张，前面的一般描述和下面的详细描述都只是示例性和解释性的，并且不限制所披露的实施例。
附图说明
图1是图示了与本公开的实施例一致的用于检查晶片的示例性电子束检查工具的示意图。
图2是图示了与本公开的实施例一致的用于检查晶片的示例性光学成像工具的示意图。
图3是与本公开的实施例一致的用于检查裸晶片的缺陷检查工具的框图。
图4是与本公开的实施例一致的用于裸晶片检查的方法的流程图。
图5是图示了与本公开的实施例一致的图4的方法的实施方式的示意图。
具体实施方式
现在将详细参考示例性实施例，其示例在附图中被图示。下列说明涉及附图，其中不同附图中的相同数字表示相同或相似的元件，除非另有说明。在示例性实施例的以下描述中所阐述的实施方式并不代表与本发明一致的所有实施方式。相反，它们仅仅是与如所附权利要求中所述的与本发明有关的方面一致的设备和方法的示例。
在用于IC制造之前，需要检查裸晶片(或“未图案化”晶片、“空白”晶片)以确保其无缺陷。例如，需要检查裸晶片的污染(例如，颗粒、金属污染物)和表面品质(例如，凹点或凹坑、划痕、晶体缺陷)，这可能会不利地影响晶片的产率(例如，可由晶片制造多少品质良好的电路单元)或所制造电路的性能(例如，短路、不良接触等等，其可能损害电路的正常工作)。此外，裸晶片检查的结果是制造或量测设备的清洁度的良好指示。如果裸晶片具有高的缺陷密度，则需在开始制造过程之前对制造或量测设备进行清洁。
当前，经常由光学显微镜执行裸晶片的检查。然而，如上所描述，当半导体工业正努力制造较小的电路时，可影响到电路制造和运行并且因而需要被检测的缺陷的尺寸也变得较小(例如，降低至约10nm，其低于典型的光学波长)。因此，由光学显微镜所报告的检查结果可能含有大量的不准确，例如误报。
带电粒子(例如，电子)束显微镜，诸如扫描电子显微镜(SEM)，可用于复查由光学显微镜所识别的缺陷，因为当与光子束相比时，电子束具有较短的波长并且由此可提供优越的空间分辨率。在实践中，可以首先将裸晶片置于光学显微镜下以识别潜在缺陷部位。然后将裸晶片转移到SEM，并且可由SEM进一步检查潜在缺陷部位以确定它们是否对应于真实缺陷。因此，需要光学显微镜将潜在缺陷的部位传达给SEM，或者让SEM“知道”由光学显微镜所识别的潜在缺陷的部位。
因为裸晶片没有图案，所以不能参考晶片本身指示缺陷的部位，而必须以由光学显微镜和SEM所产生的图像上的数学坐标来表示。然而，因为晶片在光学显微镜和SEM上的对准不相同，则同一缺陷在光学图像和SEM图像上可能具有不同的坐标(下文分别称为“光学绘图坐标”和“电子绘图坐标”)。也就是说，在SEM的视场(FoV)中，缺陷可能并非精确地在其光学绘图坐标处。因此，为了定位缺陷，SEM必须在缺陷的光学绘图坐标附近搜索，直到找到缺陷。这非常耗时，特别是因为SEM的扫描速度很低。
本公开提供一种***和方法用于提高检查裸晶片的产出。裸晶片可以首先由光学成像工具成像以识别潜在缺陷，然后由SEM扫描以验证潜在缺陷是否为真实缺陷。SEM分两个阶段执行裸晶片检查：(1)标定阶段和(2)复查阶段。在标定阶段，SEM标定缺陷的光学绘图坐标和电子绘图坐标之间的差值。具体地，选择潜在缺陷的子集。对于每个所选择的潜在缺陷，SEM使用足够大以覆盖晶片对准误差的FoV，在与缺陷的光学绘图坐标对应的部位附近搜索。这样，如果与潜在缺陷的光学绘图坐标对应的部位落在SEM的视场中，则潜在缺陷本身也落在SEM的视场中，使得SEM可以通过仅扫描当前视场(即，在单个图像中扫描)来找到潜在缺陷并且确定缺陷的电子绘图坐标。在SEM定位所有所选择的潜在缺陷并且确定它们的电子绘图坐标之后，基于所选择的潜在缺陷的光学绘图坐标和电子绘图坐标，确定了光学成像工具的坐标系和SEM的坐标系之间的转换关系(例如，变换矩阵)。
在确定转换关系之后，SEM使用较小的视场，在复查阶段定位并且复查剩余的潜在缺陷。具体地，剩余的潜在缺陷的电子绘图坐标可以基于它们的光学绘图坐标和转换关系来确定。然后，SEM在围绕它们的经确定的电子绘图坐标的邻近区域中搜索剩余的潜在缺陷。SEM的视场中剩余的潜在缺陷的真实部位与经确定的电子绘图坐标之间的误差通常足够小到被较小的视场覆盖。这样，尽管FoV尺寸减小，只要与潜在缺陷的经确定的电子绘图坐标相对应的部位落在SEM的视场中，则SEM就可以通过仅扫描当前视场(即，在单个图像中扫描)来找到潜在缺陷。
如上所描述，所披露的方法控制SEM在标定阶段使用大FoV，而在复查阶段使用小FoV。在标定阶段，大视场使SEM能够定位当前视场中的潜在缺陷，而无需在多个图像中搜索。因此，尽管光学绘图坐标与电子绘图坐标之间的转换关系未知，但是可以减少用于搜索潜在缺陷的时间量。在复查阶段，利用在标定阶段所确立的转换关系，则对于使用小视场来扫描所识别出的缺陷花费较少时间，由此进一步加快了缺陷定位过程。可以看出，通过动态地将SEM从大视场切换到小视场，所披露的方法使得SEM能够快速并且准确地定位潜在缺陷。因此，用于检查裸晶片的***产出被显著提高。
如遍及本公开中，除非另有特别说明，否则术语“或”涵盖除不可行之外的所有可能组合。例如，如果声明一装置可以包括A或B，那么，除非另有特别说明或不可行，否则该装置可以包括A、B、或A和B。作为第二个示例，如果声明一装置可以包括A、B或C，那么，除非另有特别说明或不可行，否则该装置可以包括A、或B、或C、或者A和B、或者A和C、或者B和C、或者A和B和C。
图1是图示了与所披露的实施例一致的示例性电子束(e束)工具100的示意图。如图1所示，通过在阳极102与阴极101之间施加电压，从阴极101发射初级电子束125。初级电子束125传递穿过电子枪孔103和束限制孔104，这两个孔都可以确定进入位于束限制孔104下方的聚光透镜105的电子束的电流。聚光透镜105在电子束进入物镜孔108之前聚焦初级电子束125，以在电子束进入复合物镜116之前设置电子束的电流。在一些实施例中，电子束工具100也可以包括像散校正器106或束消隐器模块107，用于调整初级电子束125的束廓形。
复合物镜116被配置成形成磁场和静电场，用于将初级电子束125聚焦到晶片120上并且在晶片120的表面上形成探测斑123。复合物镜116可包括上极靴116a、共用极靴116b、和下极靴116c。上极靴116a和共用极靴116b构成具有激励线圈116d的锥形磁透镜。共用极靴116b和下极靴116c构成浸没磁透镜，其具有激励线圈116e。锥形磁透镜和浸没式磁透镜共用同一共用极靴116b。
当电流被分别施加到激励线圈116d和116e上时，在晶片表面区域上产生轴对称磁场。晶片120的由初级电子束125扫描的一部分可以被浸入于磁场中。在晶片120、上极靴116a、和共用极靴116b上施加不同的电压，以在晶片表面附近产生轴向对称的减速电场。电场在初级电子束125与晶片120入射之前减小了在晶片的表面附近的入射初级电子束的能量。共用极靴116b控制晶片上的轴对称电场，以防止晶片的微弧放电并且确保恰当的束与轴对称磁场一起聚焦于晶片表面处。
电子束工具100也包括X-Y平台126a和Z平台126b，用于将晶片120移动到初级电子束125的轴向区域并且调整晶片120的高度至初级电子束125的聚焦成像平面。
透镜前偏转器110(例如，复合物镜上游的偏转器)和透镜内偏转器112(例如，复合物镜中的偏转器)偏转初级电子束125以扫描晶片120上的探测斑123。例如，在扫描过程中，可以控制偏转器110、112以在不同的时间点将初级电子束125依次偏转到晶片120顶面的不同部位上，以提供用于针对晶片120的不同部分的图像重构的数据。此外，也可以控制偏转器110、112以在不同的时间点在特定部位处将初级电子束125偏转到晶片120的不同侧上，以提供用于在该部位处的晶片结构的立体图像重构的数据。此外，在一些实施例中，阳极102和阴极101可被配置成产生多个初级电子束125，并且电子束工具100可包括多组偏转器110、112以同时将多个初级电子束125投影到晶片120的不同部分/不同侧。
当接收到初级电子束125时，可以从晶片120的部分发射二次电子束111。交叉电磁(ExB)对准单元114将二次电子束111的光轴与初级电子束125的光轴对准。可由电子探测器的传感器表面109a和109b接收二次电子束111。电子检测器109可以产生表示二次电子束111的强度的信号(例如，电压、电流等)，并且将该信号提供给处理***(图1中未示出)。二次电子束111的强度可根据晶片120的外部或内部结构而变化。此外，如上所论述，初级电子束125可投影到晶片120顶面的不同部位、或晶片120在特定位置处的不同侧面上，以产生不同强度的二次电子束111。因此，通过将以晶片120的各个部位与二次电子束111的强度映射，处理***可以重构反映晶片120的内部或外部结构的图像。
与所披露的实施例一致，可以通过改变结构配置或控制复合物镜116的操作来调整电子束工具100的FoV和分辨率。具体地，可以控制由复合物镜116所形成的磁场和静电场，以改变初级电子束125的着陆能量或扫描探测斑123的尺寸。
例如，从共用极靴116b的底面到晶片表面120的距离可以是在1.0至8.0mm范围内的距离。共用极靴116b的孔尺寸可在从1.0至30.0mm的范围内的尺寸。这两尺寸可用于提供晶片表面处的合适的静电和磁场强度以及合适的探测大小。为了获得大FoV(以及因而相对较低的分辨率)，共用极靴116b到晶片表面120之间相对较长的距离以及较大的孔大小是优选的。在这种配置下，由上极靴116a和共用极靴116b所形成的锥形磁透镜充当主聚焦物镜。因此，高着陆能量束和大扫描FoV(以及低分辨率)是可以实现的。相反，为了获得小FoV(以及从而获得相对高的分辨率)，使用共用极靴116b到晶片表面120之间的较短距离以及小孔径尺寸。在这种配置下，由共用极靴116b和下极靴116c所形成的浸没式磁透镜充当主聚焦物镜。因此，低着陆能量束和小扫描FoV(和高分辨率)是可以实现的。
另外或替代地，还可以通过控制锥形磁透镜或浸没式磁透镜的强度来调整初级电子束125的着陆能量或扫描探测斑123的尺寸。如上所描述，可以向晶片120、上极靴116a、和共用极靴116b施加不同的电压，以调整晶片120附近的电场的强度。当锥形磁透镜(即上极靴116a和共用极靴116b)产生的电场较强时，锥形磁透镜充当主聚焦物镜，由此实现大扫描FoV和低分辨率。当由浸没式磁透镜(即共用极靴116b和晶片120)产生的电场较强时，浸没式磁透镜充当主聚焦物镜，由此实现较小的扫描FoV和较高的分辨率。在所披露的实施例中，为了在共用极靴116b上施加各种电压，共用极靴116b与上极靴116a电绝缘。
尽管图1将电子束工具100示出为单束检查工具，但是可以设想，电子束工具100也可以是使用多个初级电子束的多束检查工具。如上所描述，电子束工具100可被配置成产生多个初级电子束125，用于同时探测晶片120的多个区域。相对应地，电子束工具100也可以包括多组复合物镜116(即，多组锥形磁透镜和浸没式磁透镜)，分别用于聚焦多个初级电子束125。多组复合物镜116可被共同地或单独地控制以共同地或单独地调整多个初级电子束125的FoV尺寸。从下面的描述将会明显看出，本公开中所披露的原理可以应用于单束和多束检查工具中。
与所披露的实施例一致，电子束工具100也包括控制器140，控制器140包括存储器142、图像采集器144、和处理器146。处理器146可以包括计算机、服务器、大型主机、终端、个人计算机、任何种类的移动计算这种、基于微处理器的***、微控制器、嵌入式***(例如固件)、或任何其他合适的控制电路或***。处理器146可以被特别配置有硬件或软件模块以用于控制电子束工具100的操作。例如，处理器146可以改变施加到共用极靴116b的电压，以便调整电子束工具100的FoV尺寸。
图像采集器144可以是类似于处理器146的计算机***。图像采集器144可通过诸如电导体、光纤缆线缆、便携式存储介质、IR、蓝牙、因特网、无线网络、无线电、或其组合之类的介质与检测器109连接。图像采集器144可以从检测器109接收信号，并且可以构建晶片120的图像。图像采集器144也可以执行各种后处理功能，诸如生成轮廓、在所采集的图像上叠加指示符，等等。图像采集器144可以被配置为执行所采集图像的亮度和对比度等的调整。
存储器142可以是诸如随机存取存储器(RAM)、硬盘、云存储器、其他类型的计算机可读存储器等的存储介质。存储器142可与图像采集器144和处理器146联接。存储器142存储能够由图像采集器144和处理器146访问和执行的计算机指令或程序，以用于执行与本公开一致的功能。存储器142也可用于将所扫描的原始图像数据保存为原始图像和后处理图像。
如上所描述，光学显微镜可用于检测裸晶片上的潜在缺陷部位。图2是图示出与本公开的实施例一致的用于检查晶片的示例性光学成像工具200的示意图。参考图2，光学成像工具200包括用于将入射激光束211投影到晶片120的激光器210。激光将被晶片120散射，并且散射光221通过光检测器220检测。当入射激光束211击中晶片120上的缺陷121时，散射光221的强度将改变。因而，通过分析散射光221的强度变化，可以检测潜在缺陷。
光学成像工具200也可以包括样品平台(未示出)，样品平台被配置成沿切向232旋转晶片120，并且沿径向234移动晶片120。这样，入射的激光束211可以照射晶片120的整个表面以检测潜在缺陷。基于晶片的旋转角度和激光束的半径位置，计算并且记录了粒子/缺陷的位置坐标。
图3是示出与本公开的实施例一致的用于检测裸晶片上的缺陷的示例性电子束检查(EBI)***30的示意图。如图3所示，EBI***30包括主腔室31、装载/锁定腔室32、光学成像工具200、电子束工具100、和设备前端模块(EFEM)36。光学成像工具200和电子束工具100位于主腔室31内，并且通过样品转移腔室34被连接。
EFEM 36包括第一装载端口36a和第二装载端口36b。EFEM 36可包括额外的装载端口。第一装载端口36a和第二装载端口36b可以接收包含裸晶片(例如，半导体晶片或由其他材料制成的晶片)的晶片前开统一吊舱(FOUP)。EFEM 36中的一个或更多个机器人臂(未示出)可将裸晶片运输到装载/锁定腔室32。例如，机器人臂可包括用于驱动传送带以将裸晶片传送到装载/锁定腔室32的致动器。机器人臂也可以包括被配置成向致动器发送控制信号的电路。
装载/锁定腔室32被连接到装载/锁定真空泵***(未示出)，该***去除装载/锁定腔室32中的气体分子，以达到低于大气压力的第一压力。在达到第一压力之后，一个或更多个机器人臂(未示出)可将裸晶片从装载/锁定腔室32传输到主腔室31。主腔室31连接到主腔室真空泵***(未示出)，该***去除主腔室31中的气体分子以达到低于第一压力的第二压力。在达到第二压力之后，由光学成像工具200对裸晶片进行检查以检测潜在缺陷部位。在光学成像工具200完成对裸晶片的扫描之后，样品转移腔室34中的一个或多个机器人臂(未示出)可将裸晶片传输到电子束工具100以用于验证潜在缺陷是否为真实缺陷。电子束工具100可以是单光束工具或多光束工具。
EBI***30也可以包括计算机***，例如控制器38，其被配置为执行EBI***30的各种控制。与所披露的实施例一致，控制器38可以用电子方式连接到电子束工具100或光学成像工具200。例如，控制器38可以包括电路和存储器(例如，诸如图1的控制器140的电路和存储器)，其被配置成控制电子束工具100或光学成像工具200来扫描裸晶片，从电子束工具100或光学成像工具200接收图像数据，并且对图像数据进行分析以检测裸晶片上的缺陷。作为另一示例，控制器38还可以包括被配置成控制电子束工具100在扫描裸晶片时在不同FoV尺寸之间切换的电路。虽然控制器38被示出为在包括主腔室31、装载/锁定腔室32、和EFEM 36的结构外部，但是可以理解控制器38可以被集成在该结构内部。
图4是与本公开的实施例一致的用于裸晶片检查的方法40的流程图。例如，方法40可由EBI***30执行。参照图4，方法40可以包括以下步骤402至416。
在步骤402中，将裸晶片(例如晶片120)装载到电子束工具(例如电子束工具100)。在一些实施例中，在由电子束工具检查之前，首先通过光学成像工具(例如，光学成像工具200)检查裸晶片以检测潜在缺陷部位。如上所描述，由于光学成像工具的低分辨率，潜在缺陷可能包括误报，并且可能需要由电子束工具检查。因而，在由光学成像工具检查之后，裸晶片被转移到电子束工具的样品平台(例如，平台126)并且被装载到样品平台上。
在步骤404中，电子束工具根据裸晶片上的凹口对准裸晶片。如上所描述，裸晶片不具有可作为用于确定其取向的参考标记的印制图案。在一些实施例中，裸晶片的边缘可设有凹口(例如，图5中的凹口122)以标记其方向。光学成像工具和电子束工具两者都可以基于缺口来对准裸晶片。这样，可以限制晶片对准误差。
在步骤406中，电子束工具(例如，控制器140)选择由光学图像工具所识别的至少两个潜在缺陷。与所披露的实施例一致，电子束工具可以随机地选择至少两个潜在缺陷并且获得它们的光学绘图坐标(即，光学成像工具的坐标系中的坐标)。
在步骤408中，电子束工具通过利用大扫描FoV对所选择的缺陷进行螺旋搜索来定位所选择的潜在缺陷。在所披露的实施例中，尽管可以基于晶片凹口在光学成像工具和电子束工具上对准晶片，但这仅是粗略对准，并且可能存在较大的误差。此外，在光学成像工具和电子束工具中所使用的样品平台和安装结构不相同。因此，光学成像工具和电子束工具可以具有不同的坐标系(即，裸晶片上的相同缺陷具有不同的光学绘图坐标和电子绘图坐标)。因而，需要标定这两个坐标系之间的转换关系。此外，每当裸晶片被重新安装在光学成像工具或电子束工具上时，或者当检查不同的裸晶片时，这种转换关系将会改变。因此，可以不断地执行标定。
因为潜在缺陷的光学绘图坐标不指示其在电子束工具的视场中的真实部位，电子束工具可在光学绘图坐标附近搜索潜在缺陷，直到找到潜在缺陷。如结合图1所描述，电子束工具可在大FoV和小FoV中操作。为了定位所选择的潜在缺陷，可以将电子束工具切换到足够大以覆盖晶片对准误差的FoV，但是具有对检测缺陷敏感的像素尺寸。通过控制样品平台在其径向和切向上移动裸晶片，电子束工具可以使用大FoV对所选择的潜在缺陷执行螺旋搜索。在一些实施例中，利用除螺旋搜索以外的搜索图案来搜索所选择的潜在缺陷。搜索图案可以是能够定位所选择的潜在缺陷的任何搜索图案。
返回参考图4，在步骤410中，在定位所选择的潜在缺陷之后，电子束工具确定在电子束工具的视场中的所选择的潜在缺陷的电子绘图坐标。基于所选择的潜在缺陷的光学绘图坐标和电子绘图坐标，可以确定变换矩阵。
在步骤412中，电子束工具基于变换矩阵来定位额外的潜在缺陷。具体地，将变换矩阵应用于附加的潜在缺陷的光学绘图坐标，以获得经变换的坐标。之后，电子束工具可以使用大FoV在变换坐标附近来搜索额外潜在缺陷。
在步骤414中，检查经变换的缺陷坐标的准确度。与所披露的实施例一致，如果变换矩阵是准确的，则经变换的坐标应接近于电子束工具的视场中的额外潜在缺陷的真实位置(例如，额外潜在缺陷的电子绘图坐标)。在一些实施例中，比较经变换坐标与相对应缺陷的真实位置之间的差值(例如，距离)。如果差值超过预定阈值，则这指示了变换矩阵不准确并且可能需要加以更新。因而，方法40可以返回到步骤410，在该步骤基于额外潜在缺陷的光学绘图坐标和电子绘图坐标来更新变换矩阵。与所披露的实施例一致，可以重复步骤410至414，直到确定变换矩阵是准确的。
在步骤416中，在确定变换矩阵是准确的之后，电子束工具可以切换至小FoV，并且基于剩余潜在缺陷的经变换坐标来定位剩余潜在缺陷。具体地，可以将变换矩阵应用于剩余潜在缺陷的光学绘图坐标以获得经变换的坐标。然后，电子束工具使用小FoV在经变换坐标附近搜索剩余潜在缺陷。因为变换矩阵是准确的，经变换的坐标与相对应缺陷的真实电子绘图坐标之间的误差很小且可以被小FoV覆盖。此外，因为小FoV具有高分辨率，电子束工具可以准确地确定潜在缺陷是否是真正的缺陷。
通过动态地将电子束工具从大FoV切换到小FoV，改善了用于检查裸晶片的***产出。图5是图示了与本公开的一些实施例一致的方法40的实施方式的示意图。如图5所示，在标定阶段51，基于所选择的潜在缺陷的集合的光学绘图坐标和电子绘图坐标之间的差异来标定晶片对准误差。具体地，电子束工具首先使用大FoV对裸晶片上的所选择的潜在缺陷执行螺旋搜索。电子束工具可以在螺旋搜索期间生成多个图像。因为大FoV足以覆盖晶片对准误差，因此所选择的潜在缺陷和与缺陷的光学绘图坐标相对应的位置可以由相同的图像覆盖。因此，电子束工具可以通过仅检查包括与缺陷的光学绘图坐标相对应的位置的单个图像来定位所选择的潜在缺陷，由此避免跨多个图像搜索缺陷的需要。这样，所选择的潜在缺陷可以被快速定位并且用于确定光学成像工具的坐标系与电子束工具的坐标系之间的转换关系。
在标定完成之后，电子束工具可使用小FoV来在复查阶段52检查裸晶片上的剩余潜在缺陷。具体地，经标定的转换关系可用于基于剩余潜在缺陷的光学绘图坐标来估计它们的电子绘图坐标。SEM可以在剩余潜在缺陷的估计坐标附近搜索剩余潜在缺陷。小FoV足以覆盖估计坐标与剩余潜在缺陷的真实位置之间的误差。因为扫描小FoV所花费的时间较少，因此增大了用于定位和检查剩余潜在缺陷的速度。因此，通过分别针对标定阶段和复查阶段将电子束工具从大FoV动态地切换到小FoV，改善了***产出。
与披露的实施例一致，在大FoV和小FoV中，电子束工具的分辨率和其图像聚焦的均匀性被配置为足够高以用于检测缺陷。这样，所披露的方法能够快速地并且准确地检查裸晶片上的缺陷。
应当理解，EBI***30的控制器可以使用软件来控制上述的一些功能。例如，控制器可以生成指令用于控制电子束工具在大FoV与小FoV之间切换。作为另一示例，控制器可以接收从电子束工具100至光学成像工具200的图像数据，并且从图像识别和定位缺陷。例如另一示例，控制器可以计算用于电子束工具和光学成像工具的坐标系的变换矩阵。软件可以被存储在非暂时性的计算机可读介质上。非暂时性介质的常见形式包括，例如软盘、软磁盘、硬盘、固态驱动器、磁带、或任何其他磁性数据存储介质、CD-ROM、任何其他光学数据存储介质、任何具有孔图案的物理介质、RAM、PROM和EPROM、闪速EPROM或任何其他闪速存储器、NVRAM、高速缓存、寄存器、任何其他存储器芯片或卡匣，以及它们的网络化版本。
使用以下编号的条项来进一步描述实施例。
1.一种缺陷复查工具，包括：
与电子束检查工具通信的控制器，所述控制器具有电路以：
经由光学成像工具采集样品上缺陷的坐标；
将所述电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位所述缺陷的子集；
基于所述样品的扫描期间所述电子束检查工具产生的检查数据确定所述缺陷的所述子集中每个缺陷的位置；
基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置调整所述缺陷的所述坐标；以及
将所述电子束检查工具的所述FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
2.根据条项1所述的缺陷复查工具，其中所述第一尺寸大于所述第二尺寸。
3.根据条项1和2中任一项所述的缺陷复查工具，其中所述样品是未图案化晶片。
4.根据条项1至3中任一项所述的缺陷复查工具，其中，所述控制器具有电路以以基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置来调整所述缺陷的所述坐标的电路包括：所述控制器具有电路以：
基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置确定针对所述缺陷的所述坐标的转换关系；
基于所述转换关系，将经由所述光学成像工具所采集的所述坐标映射到新的坐标集合；以及
将所述新的坐标集合设置为所述经调整的坐标。
5.根据条项1至3中任一项所述的缺陷复查工具，其中，所述控制器具有电路以基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置来调整所述缺陷的所述坐标包括：所述控制器具有电路以：
选择一定数目的缺陷；
控制所述电子束检查工具定位所选择的缺陷；
基于所述检查数据确定所选择的缺陷的位置；
基于所选择的缺陷的经确定的位置确定针对所述缺陷的所述坐标的所述转换关系；以及
基于所述转换关系调整所述缺陷的所述坐标。
6.根据条项5所述的缺陷复查工具，其中所述控制器具有用以选择至少两个缺陷作为所述缺陷的所述子集的电路。
7.根据条项5所述的缺陷复查工具，其中所述控制器具有电路以将所述电子束检查工具的所述FoV设置为所述第二尺寸包括：所述控制器具有电路以：
控制所述电子束检查工具定位第一缺陷，所述第一缺陷与所选择缺陷不同；
基于所述检查数据确定所述第一缺陷的位置；
确定所述第一缺陷的经确定的位置与所述第一缺陷的经调整的坐标之间的差值；以及
当所述差值等于或低于预定阈值时，将所述电子束检查工具的所述FoV更改为所述第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
8.根据条项7所述的缺陷复查工具，其中所述控制器电路以：
当所述差值超过所述预定阈值时，基于所述第一缺陷的经确定的位置来更新所述转换关系；以及
基于经更新的转换关系进一步调整所述缺陷的所述坐标。
9.根据条项1至8中任一项所述的缺陷复查工具，其中所述光学成像工具是具有利用激光束来照射所述样品并且检测从所述样品散射的光的电路的激光散射缺陷检查工具。
10.根据条项9所述的缺陷复查工具，其中所述控制器具有电路以：
从所述光学成像工具接收光散射数据；以及
基于所述光散射数据确定所述缺陷的所述坐标。
11.根据条项1至10中任一项所述的缺陷复查工具，其中所述电子检查工具包括：
电子源，配置成产生初级电子束；
至少一个聚光透镜，用于会聚所述初级电子束；
复合物镜，用于将所述初级电子束聚焦至平台***上的所述样品，所述复合物镜包括：
第一磁透镜；
第二磁透镜，其中针对所述第一磁透镜和所述第二磁透镜两者配置共用极靴；和
静电透镜；以及
探测***，用于探测从所述样品发出的带电粒子或X射线。
12.根据条项11所述的缺陷复查工具，其中所述第一磁透镜包括上极靴和第一激励线圈。
13.根据条项12所述的缺陷复查工具，其中所述第二磁透镜包括下极靴和第二激励线圈。
14.根据条项13所述的缺陷复查工具，其中所述共用极靴与所述上极靴隔离。
15.根据条项14所述的缺陷复查工具，其中所述共用极靴与所述下极靴隔离。
16.根据条项15所述的缺陷复查工具，其中所述静电透镜包括所述上极靴、所述共用极靴、和所述样品。
17.根据条项16所述的缺陷复查工具，其中所述第一磁透镜为锥形。
18.根据条项17所述的缺陷复查工具，其中所述第二磁透镜是浸没式透镜。
19.根据条项13所述的缺陷复查工具，其中所述下极靴与所述第二磁透镜隔离。
20.根据条项15所述的缺陷复查工具，其中所述下极靴与所述第二磁透镜隔离。
21.根据条项11所述的缺陷复查工具，其中所述共用极靴与所述第一磁透镜和所述第二磁透镜电隔离。
22.一种***，包括：
光学成像工具，包括利用激光束照射样品并且检测从所述样品散射的光的电路；
电子束检查工具，包括利用初级电子束扫描所述样品以产生检查数据的电路；和
与所述光学成像工具和所述电子束检查工具通信的控制器，所述控制器包括电路以：
接收由所述光学成像工具产生的光散射数据；
基于所述光散射数据确定所述样品上缺陷的坐标；
将所述电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位所述缺陷的子集；
基于所述样品的扫描期间通过所述电子束检查工具产生的检查数据确定所述缺陷的所述子集中每个缺陷的位置；
基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置调整所述缺陷的所述坐标；以及
将所述电子束检查工具的所述FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
23.根据条项22所述的***，其中所述电子束检查工具包括电路以利用所述初级电子束扫描所述样品包括：利用多个电子束扫描所述样品的电路。
24.根据条项22和23中任一项所述的***，还包括：
传输装置，包括电路和致动器，用以将所述样品从所述光学成像工具传输到所述电子束检查工具。
25.根据条项22至24中任一项所述的***，其中所述第一尺寸大于所述第二尺寸。
26.根据条项22至25中任一项所述的***，其中所述样品为未图案化晶片。
27.根据条项22至26中任一项所述的缺陷复查工具，其中，所述控制器包括电路以基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置调整所述缺陷的所述坐标包括：所述控制器包括电路以：
基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置确定针对所述缺陷的坐标的转换关系；
基于所述转换关系，将经由所述光学成像工具所采集的坐标映射到新的坐标集合；以及
将所述新的坐标集合设置为经调整的坐标。
28.根据条项22至26中任一项所述的***，其中所述控制器包括电路以基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置调整所述缺陷的所述坐标包括：所述控制器包括电路以：
选择一定数目的缺陷；
控制所述电子束检查工具定位所选择的缺陷；
基于所述检查数据确定所选择的缺陷的位置；
基于所选择的缺陷的经确定的位置确定针对所述缺陷的所述坐标的转换关系；以及
基于所述转换关系调整所述缺陷的所述坐标。
29.根据条项28所述的***，其中所述控制器具有用以选择至少两个缺陷作为所述缺陷的所述子集的电路。
30.根据条项28所述的***，其中所述控制器包括电路以将所述电子束检查工具的所述FoV设置为第二尺寸包括：所述控制器包括电路以：
控制所述电子束检查工具定位第一缺陷，所述第一缺陷与所选择的缺陷不同；
基于所述检查数据确定所述第一缺陷的位置；
确定所述第一缺陷的经确定的位置和所述第一缺陷的经调整的坐标之间的差值；以及
当所述差值等于或低于预定阈值时，将所述电子束检查工具的所述FoV更改为所述第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
31.根据条项30所述的***，其中所述控制器包括电路以：
当所述差值超过所述预定阈值时，基于所述第一缺陷的经确定的位置来更新所述转换关系；以及
基于经更新的转换关系进一步调整所述缺陷的所述坐标。
32.一种与电子束检查工具耦合的控制器，所述电子束检查工具被配置成利用初级电子束扫描样品以产生检查数据，所述控制器包括：
存储指令的存储器；以及
处理器，被配置为执行所述指令以使所述控制器进行如下操作：
经由光学成像工具采集所述样品上缺陷的坐标；
将所述电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位所述缺陷的子集；
基于所述样品的扫描期间通过所述电子束检查工具所产生的检查数据确定所述缺陷的所述子集中每个缺陷的位置；
基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置调整所述缺陷的所述坐标；以及
将所述电子束检查工具的所述FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
33.根据条项32所述的控制器，其中，所述电子束检查工具被配置成利用所述初级电子束扫描所述样品以产生所述检查数据包括所述电子束检查工具被配置成用多个电子束扫描所述样品以产生所述检查数据。
34.根据条项32和33中任一项所述的控制器，其中所述第一尺寸大于所述第二尺寸。
35.根据条项32至34中任一项所述的控制器，其中所述样品是未图案化晶片。
36.根据条项32至35中任一项所述的控制器，其中所述处理器被配置为执行所述指令以使所述控制器基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置来调整所述缺陷的所述坐标包括所述处理器还被配置为执行所述指令以使所述控制器：
基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置确定针对所述缺陷的所述坐标的转换关系；
基于所述转换关系，将经由所述光学成像工具所采集的坐标映射到新的坐标集合；以及
将所述新的坐标集合设置为经调整的坐标。
37.根据条项32至35中任一项所述的控制器，其中所述处理器被配置为执行所述指令以使所述控制器基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置来调整所述缺陷的所述坐标包括所述处理器还被配置为执行所述指令以使所述控制器：
选择一定数目的缺陷；
控制所述电子束检查工具定位所选择的缺陷；
基于所述检查数据确定所选择的缺陷的位置；
基于所选择的缺陷的经确定的位置确定针对所述缺陷的所述坐标的转换关系；以及
基于所述转换关系调整所述缺陷的所述坐标。
38.根据条项37所述的控制器，其中所述处理器还被配置为执行所述指令以使所述控制器选择至少两个缺陷作为所述缺陷的所述子集。
39.根据条项37所述的控制器，其中所述处理器被配置为执行指令以使所述控制器将所述电子束检查工具的所述FoV设置为第二尺寸包括所述处理器还被配置为执行所述指令以使所述控制器：
控制所述电子束检查工具定位第一缺陷，所述第一缺陷与所选择的缺陷不同；
基于所述检查数据确定所述第一缺陷的位置；
确定所述第一缺陷的经确定的位置与所述第一缺陷的经调整的坐标之间的差值；以及
当所述差值等于或低于预定阈值时，将所述电子束检查工具的所述FoV更改为所述第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
40.根据条项39所述的控制器，其中所述处理器还被配置为执行所述指令以使所述控制器：
当所述差值超过所述预定阈值时，基于所述第一缺陷的经确定的位置来更新所述转换关系；并且
基于经更新的所述转换关系进一步调整所述缺陷的所述坐标。
41.一种计算机实施的方法，包括：
经由光学成像工具采集样品上缺陷的坐标；
将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位所述缺陷的子集；
基于所述样品的扫描期间通过所述电子束检查工具产生的检查数据确定所述缺陷的所述子集中每个缺陷的位置；
基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置调整所述缺陷的所述坐标；以及
将所述电子束检查工具的所述FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
42.根据条项41所述的计算机实现方法，其中所述第一尺寸大于所述第二尺寸。
43.根据条项41和42中任一项所述的计算机实施的方法，其中所述样品是未图案化晶片。
44.根据条项41至43中任一项所述的计算机实施的方法，其中将所述电子束检查工具的FoV设置为所述第一尺寸以定位所述缺陷的所述子集包括：
选择一定数目的缺陷；以及
控制所述电子束检查工具定位所选择的缺陷；
45.根据条项44所述的计算机实施的方法，其中基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置调整所述缺陷的所述坐标包括：
基于所选择的缺陷的经确定的位置确定针对所述缺陷的所述坐标的转换关系；
基于所述转换关系，将经由所述光学成像工具所采集的缺陷的坐标映射到新的坐标集合；以及
将所述新的坐标集设置为经调整的缺陷。
46.根据条项44所述的计算机实施的方法，其中所选择的缺陷的数目是两个或多于两个。
47.根据条项44所述的计算机实施的方法，其中基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置调整所述缺陷的所述坐标还包括：
控制所述电子束检查工具定位第一缺陷，所述第一缺陷与所选择的缺陷不同；
基于所述检查数据确定所述第一缺陷的位置；
确定所述第一缺陷的经确定的位置和所述第一缺陷的经调整的坐标之间的差值；以及
当所述差值等于或低于预定阈值时，将所述电子束检查工具的所述FoV更改为所述第二尺寸并且控制所述电子束检查工具基于经调整的坐标定位额外缺陷。
48.根据条项47所述的计算机实施的方法，其中基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置调整所述缺陷的所述坐标还包括：
当所述差值超过所述预定阈值时，基于所述第一缺陷的经确定的位置来更新所述转换关系；并且
基于经更新的转换关系进一步调整所述缺陷的所述坐标。
49.一种非暂时性计算机可读介质，存储能够由装置的处理器执行的指令集以使一组指令装置执行一种方法，所述方法包括：
经由光学成像工具采集样品上缺陷的坐标；
将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位所述缺陷的子集；
基于所述样品的扫描期间通过所述电子束检查工具产生的检查数据确定所述缺陷的所述子集中的每个缺陷的位置；
基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置调整所述缺陷的所述坐标；以及
设置所述电子束检查工具的所述FoV以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
50.根据条项49所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述第一尺寸大于所述第二尺寸。
51.根据条项49和50中任一项所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述样品是未图案化晶片。
52.根据条项49至51中任一项所述的非暂时性计算机可读介质，其中，将所述电子束检查工具的FoV设置为所述第一尺寸并且控制所述电子束检查工具以定位所述缺陷的所述子集包括：
选择一定数目的缺陷；以及
控制所述电子束检查工具定位所选择的缺陷。
53.根据条项所述的非暂时性计算机可读介质，其中基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置调整所述缺陷的所述坐标包括：
基于限定的缺陷的经确定的位置确定针对所述缺陷的所述坐标的转换关系；
基于所述转换关系，将经由所述光学成像工具采集的缺陷的坐标映射到新的坐标集合；以及
将所述新的坐标集设置为经调整的缺陷。
54.根据条项52所述的非暂时性计算机可读介质，其中所选择的缺陷的数目是两个或多于两个。
55.根据条项52所述的非暂时性计算机可读介质，其中基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置调整所述缺陷的所述坐标还包括：
控制所述电子束检查工具定位第一缺陷，所述第一缺陷与所选择的缺陷不同；
基于的检查数据确定所述第一缺陷的位置；
确定所述第一缺陷的经确定的位置和所述第一缺陷的经调整的坐标之间的差值；以及
当所述差值等于或低于预定阈值时，将所述电子束检查工具的所述FoV更改为所述第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
56.根据条项55所述的非暂时性计算机可读介质，其中基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置调整所述缺陷的所述坐标还包括：
当所述差值超过所述预定阈值时，基于所述第一缺陷的经确定的位置来更新所述转换关系；并且
基于经更新的转换关系进一步调整所述缺陷的所述坐标。
57.根据条项1所述的缺陷复查工具，其中所述样品是裸晶片。
58.根据条项57所述的缺陷复查工具，其中所述裸晶片是未图案化晶片。
将会理解，本公开不限于以上所描述和附图中所图示的确切构造，并且可以在不脱离其范围的情况下进行各种修改和改变。本发明的范围仅限于所附权利要求书。

Claims (15)

1.一种缺陷复查工具，包括：
与电子束检查工具通信的控制器，所述控制器具有电路以：
经由光学成像工具采集裸晶片上的缺陷的坐标；
将所述电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸，以定位所述裸晶片上的所述缺陷的子集；
基于所述裸晶片的扫描期间由所述电子束检查工具产生的检查数据，确定所述缺陷的所述子集中每个缺陷在所述裸晶片上的位置；
基于所述缺陷的子集的经确定的位置，来调整所述缺陷的所述坐标；以及
将所述电子束检查工具的所述FoV设置为第二尺寸，以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
2.根据权利要求1所述的缺陷复查工具，其中所述第一尺寸大于所述第二尺寸。
3.根据权利要求1所述的缺陷复查工具，其中所述裸晶片是未图案化晶片。
4.根据权利要求1所述的缺陷复查工具，其中所述控制器具有电路以基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置来调整所述缺陷的所述坐标包括：所述控制器具有电路以：
基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置，确定针对所述缺陷的所述坐标的转换关系；
基于所述转换关系，将经由光学成像工具所采集的坐标映射到新的坐标集合；以及
将新的坐标集合设置为经调整的坐标。
5.根据权利要求1所述的缺陷复查工具，其中所述控制器具有电路以基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置来调整所述缺陷的所述坐标包括：所述控制器具有电路以：
选择一定数目的缺陷；
控制所述电子束检查工具定位所选择的缺陷；
基于所述检查数据确定所选择的缺陷的位置；
基于所选择的缺陷的经确定的位置，确定针对所述缺陷的所述坐标的转换关系；以及
基于所述转换关系调整所述缺陷的所述坐标。
6.根据权利要求5所述的缺陷复查工具，其中所述控制器具有用以选择至少两个缺陷作为所述缺陷的所述子集的电路。
7.根据权利要求5所述的缺陷复查工具，其中所述控制器具有电路以将所述电子束检查工具的所述FoV设置为所述第二尺寸包括：所述控制器具有电路以：
控制所述电子束检查工具定位第一缺陷，所述第一缺陷与所选择的缺陷不同；
基于所述检查数据确定所述第一缺陷的位置；
确定所述第一缺陷的经确定的位置与所述第一缺陷的经调整的坐标之间的差值；以及
当所述差值等于或低于预定阈值时，将所述电子束检查工具的所述FoV更改为所述第二尺寸，以基于经调整的所述坐标定位额外缺陷。
8.根据权利要求7所述的缺陷复查工具，其中所述控制器具有电路以：
当所述差值超过所述预定阈值时，基于所述第一缺陷的经确定的位置来更新所述转换关系；以及
基于经更新的转换关系进一步调整所述缺陷的所述坐标。
9.根据权利要求1所述的缺陷复查工具，其中所述光学成像工具是激光散射缺陷检查工具，所述激光散射缺陷检查工具具有电路以利用激光束来照射所述裸晶片并且检测从所述裸晶片散射的光。
10.根据权利要求9所述的缺陷复查工具，其中所述控制器具有电路以：
从所述光学成像工具接收光散射数据；以及
基于所述光散射数据确定所述缺陷的所述坐标。
11.根据权利要求1所述的缺陷复查工具，其中所述电子检查工具包括：
电子源，配置成产生初级电子束；
至少一个聚光透镜，用于会聚所述初级电子束；
复合物镜，用于将所述初级电子束聚焦至平台***上的所述裸晶片，所述复合物镜包括：
第一磁透镜；
第二磁透镜，其中针对所述第一磁透镜和所述第二磁透镜两者配置共用极靴；和
静电透镜；以及
探测***，用于探测从所述裸晶片发出的带电粒子或X射线。
12.根据权利要求11所述的缺陷复查工具，其中所述第一磁透镜包括上极靴和第一激励线圈。
13.根据权利要求12所述的缺陷复查工具，其中所述第二磁透镜包括下极靴和第二激励线圈。
14.一种***，包括：
光学成像工具，包括用以利用激光束照射样品并且检测从所述样品散射的光的电路；
电子束检查工具，包括用以利用初级电子束扫描所述样品以产生检查数据的电路；以及
与所述光学成像工具和所述电子束检查工具通信的控制器，所述控制器包括电路以：
接收由所述光学成像工具产生的光散射数据；
基于所述光散射数据，确定所述样品上缺陷的坐标；
将所述电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸，以定位所述缺陷的子集；
基于所述样品的扫描期间所述电子束检查工具所产生的检查数据，确定所述缺陷的所述子集中每个缺陷的位置；
基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置，调整所述缺陷的所述坐标；以及
将所述电子束检查工具的所述FoV设置为第二尺寸，以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
15.一种与电子束检查工具耦合的控制器，所述电子束检查工具被配置成利用初级电子束扫描样品以产生检查数据，所述控制器包括：
存储指令的存储器；以及
处理器，被配置为执行所述指令以使所述控制器进行如下操作：
经由光学成像工具采集所述样品上缺陷的坐标；
将所述电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸，以定位所述缺陷的子集；
基于所述样品的扫描期间由所述电子束检查工具产生的检查数据，确定所述缺陷的所述子集中每个缺陷的位置；
基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置，调整所述缺陷的所述坐标；以及
将所述电子束检查工具的所述FoV设置为第二尺寸，以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
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