CN1127206C - 压电谐振元件 - Google Patents

压电谐振元件 Download PDF

Info

Publication number
CN1127206C
CN1127206C CN00104948.8A CN00104948A CN1127206C CN 1127206 C CN1127206 C CN 1127206C CN 00104948 A CN00104948 A CN 00104948A CN 1127206 C CN1127206 C CN 1127206C
Authority
CN
China
Prior art keywords
capacitor substrates
piezoelectric
internal electrode
capacitor
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN00104948.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1270447A (zh
Inventor
龟田英太郎
马场俊行
井上二郎
川端章一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN1270447A publication Critical patent/CN1270447A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1127206C publication Critical patent/CN1127206C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1007Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/0538Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H03H9/0557Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the other elements being buried in the substrate
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/178Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator of a laminated structure of multiple piezoelectric layers with inner electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本发明提供了一种压电谐振元件,其特征在于包含电容器基片、安装在电容器基片上的压电谐振器,和固定地装配到电容器基片上的外罩件。电容器基片包括介质基片、多个以层设置在介质基片内的内部电极,和多个设置在介质基片的至少一个相对侧表面上的外部电极。多个内部电极包含连接到地电势的内部电极和一对分离内部电极,所述分离内部电极位于公共垂直位置,并且相对于介质基片的中心部分相互分开。

Description

压电谐振元件
技术领域
本发明涉及一种用于例如片型压电振荡器中的压电谐振元件。本发明尤其涉及包含装入含有电容器基片的封装中的压电谐振单元的压电谐振元件。
背景技术
将压电谐振单元装入封装中,以允许压电振动部分自由振动。
例如,在含有压电谐振单元的压电振荡器电路的情况下,电容器电气连接到压电谐振单元。当这种压电振荡器电路以片型元件设置时,将电容器设置在外罩基片中以便达到小型化。
例如,第4-192709号日本专利申请公开公告中揭示了一种片型压电谐振元件50,如图10所示。片型压电谐振元件50包括作为外罩基片的电容器基片51,它由单片陶瓷烧结技术形成。朝下开口的陶瓷盖子52通过焊料53焊接到电容器基片51。为了改善可焊性,在陶瓷盖子52的下表面上用Ag和Pd形成焊接层54,而在电容器基片51的上表面上由NiCr和Au形成焊接层55。
将压电谐振单元56装入由电容器基片51和陶瓷盖子52确定的封装内。压电谐振单元56包含压电基片57和分别设置在压电基片57的上表面和下表面上的激励电极58和59。压电谐振单元56的激励电极58和59相互重叠的部分用作振动部分,它利用能陷型厚度切向振动模式。
将压电谐振单元56分别焊接到设置在外罩基片51的上表面上的电极62和63。
将多个内部电极64到68设置到电容器基片51中。将内部电极64和65电气连接到通过电容器基片51延伸的通孔电极69。将通孔电极70电气连接到内部电极66的下表面。将内部电极67和68电气连接到延伸通过电容器基片51的通孔电极71。如此设置通孔电极69和71,从而上端分别电气连接到电极62和63,而下端分别电气连接到设置在电容器基片51的下表面上的端子电极72和73。通过电极70的下端电气连接到设置在电容器基片51下表面上的端子电极74。
第5-181205号日本实用新型公开公告中揭示了一种压电谐振元件81,如图11所示。电容器基片82和盖子83确定了封装。将内部电极84和85设置在电容器基片82内。将电极86a设置在电容器基片82的上表面上,从而电极86a和内部电极85相互重叠,并且其间设置有介质层。类似地,在电容器基片82的下表面上设置电极86b,从而电极86b和内部电极84相互重叠,其间设置有介质层。电极86a和86b在电容器基片82的未说明的一侧表面上电气连接到一起。
将内部电极84和85分别电气连接到外部电极87a和87b,它们被设置得覆盖电容器基片82相应的端面。外部电极87a和87b延伸得覆盖电容器基片82的上表面和下表面部分。压电谐振器90被焊接到外部电极87a和87b部分,它覆盖电容器基片82的上表面的相应部分。压电谐振器90是能陷型的,它利用厚度切向振动模式。将压电谐振器90封装入由电容器基片82和盖子83确定的空间内。
如图10所示的压电谐振元件50中设置了通孔电极69到71,目的是在压电谐振单元56和用作电容器的电容器基片51之间,和端子电极72到74,电容器和压电谐振单元56之间建立电气连接。另外,压电谐振元件50制造还包含形成通孔电极69到71的步骤。引起制造所需的步骤数量增加,并使加工的难度增加。还导致了电容器基片51的相对较高的成本。
由于通孔电极69到71必须设置在电容器基片51中,故内部电极无法延伸,从而内部电极在通孔电极69到71所在区域相对。换句话说,通孔电极69到71防止了内部电极相对面积的增加,由此防止了尺寸的减小,并且引起安装所需面积的增加。
通孔电极69到71的存在削弱了电容器基片51的对称性,潜在地导致了电容器基片51在制造加工的烧结中变形。例如,通孔电极70的上部和下部相对于通过电容器基片51的中心且平行于电容器基片51的上表面和下表面延伸的虚拟平面不相互对称。这种被削弱的对称性引起电容器基片51变形,由此引起电容器基片51和压电谐振单元56之间不良的焊接,或者在电容器基片51和盖子52之间形成缝隙,结果使密封性能削弱。另外,当将压电谐振单元50安装到印刷电路板上时,可能使安装精确度削弱,或可能导致不良焊接。
相反,图11所示的压电谐振元件81不具有形成在电容器基片82中的通孔电极。由此,不发生上述与通孔电极的存在有关的问题。
当将压电谐振元件81安装到印刷电路板上时,通过外部电极87a和87b和设置在电容器基片82侧表面上的外部电极(图中未示)建立它们之间的电气连接,并电气连接到电极86a和86b。将外部电极87a和87b设置在电容器基片82的端面上,而将连接到电极86a和86b的外部电极设置在电容器基片82的侧表面上。相应地,电容器基片82的两个端面和两个侧表面必须焊接到印刷电路板,由此使安装处理非常复杂。
另外,由于通过内部电极84和85以及分别设置在电容器基片82的上表面和下表面上的电极86a和86b产生电容,故难以获得大的电容。为了提供大的电容,必须增加内部电极84和85的层数,这导致难以减小电容器基片82的厚度。
另外,由于电容器基片82的对称性差,故产生压电谐振元件50中的问题。例如,内部电极部分相对于通过电容器基片82的厚度方向的中心且平行于电容器基片82的上表面和下表面延伸的虚拟平面不对称,或相对于通过电容器基片82的中心并沿电容器基片82的厚度方向延伸的虚拟平面不对称。由此,电容器基片82容易经受烧结导致的弯曲。
发明内容
为了克服上述问题,本发明的较佳实施例提供了一种压电谐振元件,它在电容器基片中达到非常大的电容,容易地减小电容器基片的厚度,并且解决了上述由被削弱的电容器基片的对称性引起的问题。
本发明的一个较佳实施例提供了一种压电谐振元件,它包含电容器基片;安装在所述电容器基片上的压电谐振单元;及固定装配到所述电容器基片上以便包封所述压电谐振单元的外罩件。电容器基片和外罩件构成容纳压电谐振单元的封装。
电容器基片包含具有大致上矩形形状的介质基片,多个以层设置在所述介质基片中的内部电极,所述内部电极之间设置有介质层,和多个电气连接到所述内部电极并设置在所述介质基片相对侧表面中至少一个侧表面上的外部电极。
外部电极的上述结构能够通过将电容器基片的侧表面简单地连接到印刷电路板上,将本发明的较佳实施例的压电谐振元件安装到例如印刷电路板上,这有利于高效的安装处理。
较好地,多个所述内部电极包括连接到地电势的内部电极和一对位于公共垂直位置,并相对于所述介质基片的中心部分相互隔开的分离内部电极。这对分离内部电极和连接到地电势的内部电极相对设置,在该分离内部电极和内部电极之间设置有介质层。
内部电极的上述配置有利于增加得到的电容量,由此能够减小电容器基片的厚度,结果减小了压电谐振元件的尺寸。
由于以层设置连接到地电势的内部电极和一对或多对分离内部电极,所以容易改进结合在电容器基片中的内部电极的对称性。由此,即使通过利用单片陶瓷烧结技术形成电容器基片,电容器基片也不会变形。
由此,将压电谐振单元可靠地安装到电容器基片上,并且外罩件可靠地粘接到电容器基片上,它们之间不形成缝隙。
相应地,不再由于将压电谐振单元安装到电容器基片上并将压电谐振单元安装到印刷电路板上而导致产生不良的电气连接。
分层的内部电极的数量不作具体限定。连接到地电势的内部电极和成对的分离内部电极可以按合适的层数交替设置。
较好地,多个内部电极相对于通过电容器基片的中心并平行于电容器基片的一对相对的侧表面延伸的第一虚拟平面、通过电容器基片的中心并平行于电容器基片的另一对相对的端面延伸的第二虚拟平面、通过电容器基片的中心并平行于电容器基片的上下表面延伸的第三虚拟平面对称地设置。
通过上述独特的安排和结构,防止了电容器基片在制造过程中的变形。
更好地,在多个内部电极中,沿内部电极层叠方向处于最外面的内部电极形成一对分离内部电极。
通过使用上述配置,使压电谐振单元和电容器基片之间的寄生电容最小化,由此提供极好的谐振特性。
较好地,外罩件具有包括其中形成朝下开口的盖子结构。但是,外罩件不限于此。例如,电容器基片和外罩件的结构可以如此修改,从而沿电容器基片的周围边缘设置上突的环状壁,并且外罩件具有平板状形状,并适合于粘接到环状壁的上缘。
可以将具有上述盖子形式的外罩件容易地安装到电容器基片上,同时封装压电谐振单元。盖子和电容器基片确定了一个可靠的密封空间,用于将压电谐振单元容纳在其中。
较好地,导电盖子用作上述盖子,并且将导电盖子通过绝缘材料粘接到电容器基片上。
导电盖子可以电磁屏蔽压电谐振单元。
或者,绝缘盖子确定上述盖子,并且将绝缘盖子通过适当的粘剂粘接到电容器基片上。
使用绝缘盖子防止了由盖子和设置在电容器基片上的电极之间的导电引起的电气连接的缺点。
在本发明的某一应用中,能陷型压电谐振器构成了压电谐振单元,并且该压电谐振单元和装在电容器基片上的电容器构成振荡器电路。
通过使用上述配置,构成了包含负载电容的压电振荡器,以确定片型压电谐振单元。
从下面参照附图对本发明的较佳实施例所作的详细描述,本发明的其它特点、要素、特征和优点是显然的。
附图简述
图1是根据本发明的较佳实施例的压电谐振元件的分解透视图;
图2A和2B是图1所示的较佳实施例中所包含的电容器基片的平面图和侧视图;
图3A和3B是示出设置在图2A和2B所示的电容器基片中包含的介质基片中的内部电极的示图,其中图3A是分离内部电极的平面图,图3B是连接到地电势的内部电极的平面图;
图4A和4B是包含在图2A和2B所示的电容器基片中的介质基片的侧视图和端面图;
图5是图1所示的较佳实施例中所包含的压电谐振单元的纵向截面图;
图6A到6C是图2A和2B所示的电容器基片中包含的介质基片的截面图,其中图6A是沿图2A中的线A-A的截面图,图6B是沿图2A中的线B-B的截面图,图6C是沿图2B中的线C-C的截面图;
图7是示出以层设置在本发明的较佳实施例中包含的电容器基片中的多个内部电极的修改的截面图;
图8A和8B都是示出本发明的较佳实施例中包含的电容器基片的修改的平面图;
图9A和9B是示出图8A所示的电容器基片中使用的内部电极的形状的平面图,其中图9A示出了连接到地电势的内部电极,图9B示出分离内部电极;
图10是传统的压电谐振单元的截面图;
图11是另一个传统的压电谐振单元的截面图。
具体实施方式
下面将参照附图详细描述本发明的较佳实施例。
图1是根据本较佳实施例的压电谐振元件的分解透视图。
压电谐振元件1包括电容器基片2和能陷型压电谐振器3,它确定了压电谐振单元,并安装在电容器基片2上。电容器基片2和导电盖子4构成一个封装。
电容器基片2包括较好地大致上为矩形的介质基片5。图2A和2B分别是电容器基片2的平面图和侧视图。
将外部电极6到8设置在电容器基片2上,以便覆盖介质基片5的至少一部分相对侧表面5a和5b。设置外部电极6和8,以便覆盖侧表面5a和5b的端部。外部电极6和8设置得不但覆盖侧表面5a和5b的部分,还覆盖介质基片5的端面和上下表面部分。外部电极7设置得不但覆盖侧表面5a和5b的部分,还覆盖介质基片5的上表面部分。还有,外部电极7延伸穿过介质基片5的下表面。
介质基片5包括如图3A所示的成对的分离内部电极9和10以及连接到地电势的内部电极11。成对的分离内部电极9和10与内部电极11以层设置。
如图3A所示,成对的分离内部电极9和10位于基片5内公共垂直位置或高度。成对的分离内部电极9和10具有通过将在介质基片5的中心部分介质基片5的端面5c和5d之间且平行于端面5c和5d延伸的虚拟内部电极分开而得到的结构和安排。
分离内部电极9(10)具有引导部分9a和9b(10a和10b),它们分别延伸到介质基片5的侧表面5a和5b。引导部分9a和9b连接到外部电极6,引导部分10a和10b连接到外部电极8。在本较佳实施例中,将引导部分9a和9b设置得达到介质基片5的端面5c,并且将引导部分10a和10b设置得达到介质基片5的端面5d。
要连接到地电势的内部电极11位于和成对的分离内部电极9和10不同的垂直位置或高度。内部电极具有引导部分11a和11b,它们沿介质基片5的中心线平行于端面5c和5d延伸,并分别到达侧表面5a和5b。按照这种方法,引导部分11a和11b电气连接到外部电极7。
图4A示出介质基片5的侧表面5b。图4B示出介质基片5的端面5c。
如从图4A看出,内部电极引导部分11b暴露在侧表面5b相对于介质基片5的厚度方向的大致中心位置。如图4B所示,分离内部电极9暴露在端面5c上。
在本较佳实施例中,内部电极设置为3层,从顶部到底部包括成对的分离内部电极9和10、内部电极11和成对的分离内部电极9和10。换句话说,成对的分离内部电极9和10位于内部电极层叠体的最外层。
分离内部电极11和成对的分离内部电极9和10以层设置,从而在电容器基片2中的电容器。具体地说,外部电极7连接到地电势,由此在外部电极7和外部电极6之间形成电容器,并在外部电极7和外部电极8之间形成另一个电容器。
参照图1,较好地,通过焊接件12和13将压电谐振器3连接到电容器基片2的上表面。压电谐振器3是利用厚度延伸振动模式的谐波的能陷型压电谐振器。
如图5所示,压电谐振器3包括较好地具有细长矩形形状的压电基片14。压电基片14可以由诸如钛酸铅锆陶瓷、晶体或适当的压电单晶之类的压电陶瓷或其它适合的材料制成。
在由压电陶瓷制成的压电基片14的情况下,对压电基片14极化,从而极化轴沿压电基片14的厚度方向延伸。
将第一激励电极15设置在压电基片14的上表面上,并将第二激励电极16设置在压电基片14的下表面上。将内部激励电极17设置在压电基片14中间的垂直位置或高度。激励电极15和16以及内部激励电极17沿压电基片14的厚度方向相互重叠,同时压电层插在它们之间。激励电极15到17的重叠部分确定能陷型振动部分。
通过端子电极18将激励电极15和16连接到一起。端子电极18通过端面14b由压电基片14的上表面延伸到下表面。
将端子电极19设置在与端面14b相对的端面14a上。将端子电极19电气连接到内部激励电极17。
将端子电极19设置得达到压电基片14的上表面和下表面。
在压电谐振器3中,通过在端子电极18和19之间提供交流电压,压电振动部分以厚度延伸振动模式受到激励,由此在压电振动部分中陷获厚度延伸振动模式的谐波,由此获得以谐波为基础的谐振特性。
如上所述,较好地,通过焊接件12和13将压电谐振器3安装到电容器基片2上。即,通过焊接件12将端子电极19电气连接到并机械接合到电容器基片2的外部电极6。
通过焊接件13将压电谐振器3的端子电极18电气连接到并机械接合到电容器基片2的外部电极8。提供焊接件12和13以便达到某一厚度,由此在压电谐振器3的下表面和电容器基片2的上表面之间形成缝隙D。设置缝隙D以便允许压电振动部分完全自由振动。
较好地,盖子4包含诸如铝或不锈钢之类的导电材料,并具有开口4a(如图1所示朝下)。将绝缘粘剂20施加到下表面4b,它围绕开口4a。
导电盖子4通过绝缘粘剂20最好粘接到电容器基片2的上表面。通过使用导电盖子4,电磁屏蔽内部压电谐振器3。
为了可靠地防止导电盖子4和外部电极6和8之间的导电,在电容器基片2上设置绝缘薄膜(图中未示),较好地,该绝缘薄膜大致上为矩形的框形,并且导电盖子4可以通过绝缘粘剂20粘接到绝缘薄膜。
在本较佳实施例的压电谐振元件1中,较好地,电容器基片2包含连接到地电势的内部电极11和成对的分离内部电极9和10。由此,当将内部电极设置成相同层数时,压电谐振元件1可以得到大于图11所示的传统的压电谐振元件81的电容。换句话说,当得到相同的电容时,压电谐振元件1的层叠的内部电极数可以小于传统的压电谐振元件81,由此减小了电容器基片2的厚度。
成对的分离内部电极9和10具有通过将在介质基片5大致中心部分的端面5c和5d之间延伸且平行于端面5c和5d的虚拟内部电极分开而得到的结构和安排。内部电极11的引导部分11a和11b(要连接到地电势)平行于端面5c和5d在介质基片5的大致中心部分延伸,并分别达到侧表面5a和5b。相应地,在电容器基片2中,可以将成对的分离内部电极9和10及内部电极11以层高度对称地设置。当在电容器基片2的制造过程中应用单片陶瓷烧结技术时,得到的电容器基片2不会受弯曲或变形的影响。
具体地说,根据本较佳实施例,在电容器基片2中,多个内部电极9到11相对于通过电容器基片2的大致中心并平行于电容器基片2的相对的一对侧表面5c、5d延伸的第一虚拟平面、通过电容器基片2的大致中心并平行于电容器基片2的相对的另一对侧表面5a与5b延伸的第二虚拟平面、通过电容器基片2的大致中心并平行于电容器基片2的相对的上表面和下表面延伸的第三虚拟平面对称设置,由此更为可靠地防止电容器基片2由烧制引起的变形。下面将参照图6A到6C详细描述这一对称特点。
图6A是沿图2A的线A-A切割介质基片5的截面图;即沿通过电容器基片2的大致中心并平行于侧表面5a和5b延伸的第二虚拟平面切割的截面图。朝图6A的纸平面远侧延伸的内部电极相对于第二虚拟平面与朝着图6A的纸平面侧延伸的内部电极对称。
图6B是沿图2B的线C-C切割的截面图;××××××即沿通过电容器基片2的大致中心并平行于端面5c和5d延伸的第一虚拟平面切割的截面图。内部电极9到11也相对于第一虚拟平面对称设置。
在本较佳实施例的电容器基片2中,相对于第一到第三虚拟平面对称地设置内部电极。结果,在制造电容器基片2的过程中防止了介质基片5的变形。
根据本较佳实施例,将多个内部电极相对于第一到第三虚拟平面对称地设置。但是,本发明不限于此。即,当多个内部电极包括成对的分离内部电极和连接到地电势并通过介质层与分离内部电极相对的内部电极时,成对的分离内部电极设置得位于基片中公共的垂直位置,并在介质基片的大致中心部分处相互分开。由此,大大改善了电容器基片的对称性。
相应地,通过使用分离内部电极和连接到地电势的内部电极,以及这些单元的独特安排,即使当多个内部电极相对于第一到第三虚拟平面对称地设置时,和传统的压电谐振元件相比,电容器基片的对称性大大改进。由此,相应地使电容器基片的变形最小化。
在内部电极9到11中,成对的分离内部电极9和10位于内部电极9到10的层叠体的最外层,由此减小了压电谐振器3和地电势电极之间的寄生电容,并且由此提供了极好的谐振特性。但是,成对的分离内部电极9和10不必一定要位于层叠体的最外层。
图7的剖视图示出在根据本发明的另一个较佳实施例的压电谐振元件中所包含的电容器基片中以层设置的多个内部电极的修改。
在上述较佳实施例中,将成对的分离内部电极9和10设置在连接到地电势的内部电极11的上面和下面。但是,可以适当地改变电容器基片中所包含的内部电极的层数。例如,如图7所示,将成对的分离内部电极9和10与连接到地电势的内部电极11以层交替设置为总共7层内部电极。
还有,在图7中,为了减小压电谐振器3和电容器基片2之间的寄生电容,成对的分离内部电极9和10位于层叠体的最外层。但是,连接到地电势的内部电极11可以位于最外层。
图8A和8B是平面图,示出位于电容器基片2上的外部电极6到8的修改。在图8A所示的电容器基片31中,外部电极37设置得覆盖介质基片32的相对的侧表面32a和32b的中心部分,并延伸到介质基片32的下表面。
将外部电极36(38)设置在介质基片32上其端部附近,以便延伸通过侧表面32a和32b,并穿过介质基片32的上表面和下表面。通过这种方法,可以将外部电极36和38设置得不覆盖介质基片32的端面32c和32d。还有,在这种情况下,可以通过简单地在侧表面32a和32b上完成焊料将得到的压电谐振元件安装到例如印刷电路板上。相应地,在上述较佳实施例的情况下,可以利用焊剂。
图9A和9B是平面图,示出图8A的介质基片32中以层设置的内部电极。如图9A所示,以和上述较佳实施例类似的方法形成内部电极11。如图9B所示,将成对的分离内部电极9A和10A设置得不达到介质基片32的端面32c和32d。引导部分9a、9b、10a和10b仅仅在侧表面32a和32b上暴露。由于成对的分离内部电极9A和10A不在端面32c和32d上暴露,所以和介质基片5相比,介质基片32大大改善了防潮性。
在图8A所示的电容器基片31中,将外部电极37设置得不达到介质基片32的上表面。但是,如图8B所示,连接到地电势的外部电极37可以安排得延伸穿过介质基片32的上表面。在图8B所示的电容器基片39中,将外部电极36到38设置得延伸穿过相对的侧表面32a和32b,并穿过介质基片32的上表面和下表面。由于上表面和下表面具有相同的结构特征,在装配中可以省略为电容器基片39定向的工作。
虽然已经通过本发明多个较佳实施例具体示出和描述了本发明,对于熟悉本领域的人来说,在不背离本发明的主旨的条件下,可以有形式和细节上的其它变化。

Claims (18)

1.一种压电谐振元件,其特征在于包含:
电容器基片;
安装在所述电容器基片上的压电谐振单元;及
固定地装配到所述电容器基片上以便封装所述压电谐振单元的外罩件,其中
所述电容器基片包含介质基片,多个分层设置在所述介质基片中,并在该分层中设置有介质层的内部电极,和多个外部电极,每一个所述外部电极都电连接到至少一个所述内部电极,并设置在所述介质基片一对相对的侧表面中的至少一个表面上;并且
多个所述内部电极包括连接到地电势的一个内部电极和一对在所述电容器基片内位于公共垂直位置并相对于所述介质基片的中心部分相互分离的分离内部电极,所述这对分离内部电极和连接到地电势的内部电极相对设置,在该对分离内部电极和连接到地电势的内部电极之间设置有介质层。
2.如权利要求1所述的压电谐振元件,其特征在于多个内部电极相对于通过电容器基片的中心并平行于电容器基片的一对相对的侧表面延伸的第一虚拟平面、通过电容器基片的中心并平行于电容器基片的另一对相对的端面延伸的第二虚拟平面、通过电容器基片的中心并平行于电容器基片的上表面和下表面延伸的第三虚拟平面对称地设置。
3.如权利要求1所述的压电谐振元件,其特征在于这对分离内部电极形成了位于沿内部电极的层叠方向最外面的内部电极。
4.如权利要求1所述的压电谐振元件,其特征在于外罩件包含具有朝下开口的盖子。
5.如权利要求4所述的压电谐振元件,其特征在于盖子是导电的,并通过绝缘材料粘接到电容器基片上。
6.如权利要求1所述的压电谐振元件,其特征在于压电谐振单元是能陷型的,并且设置在电容器基片中的压电谐振单元和电容器构成振荡器电路。
7.如权利要求1所述的压电谐振元件,其特征在于介质基片具有矩形的形状。
8.如权利要求1所述的压电谐振元件,其特征在于将外部电极设置在电容器基片上,以便覆盖介质基片的至少相对的侧表面部分。
9.如权利要求1所述的压电谐振元件,其特征在于外罩件是导电的,并且将电容器基片和外罩件设置得确定一个封装。
10.如权利要求1所述的压电谐振元件,其特征在于至少一个内部电极具有引导部分,所述引导部分设置得达到介质基片的端面。
11.如权利要求11所述的压电谐振元件,其特征在于将引导部分连接到外部电极。
12.如权利要求1所述的压电谐振元件,其特征在于至少一个内部电极具有引导部分,所述引导部分设置得与介质基片的端面相隔一定的距离。
13.如权利要求1所述的压电谐振元件,其特征在于这对分离内部电极暴露在电容器基片的一个端面上。
14.如权利要求1所述的压电谐振元件,其特征在于还包含焊接件,所述焊接件设置得连接电容器基片上的压电谐振单元,并在压电谐振单元的下表面和电容器基片的上表面之间形成一个允许压电谐振单元自由振动的缝隙。
15.如权利要求1所述的压电谐振元件,其特征在于压电谐振单元包含具有矩形形状的压电基片。
16.如权利要求15所述的压电谐振元件,其特征在于压电基片由压电陶瓷和压电单晶材料中的一种制成。
17.如权利要求1所述的压电谐振元件,其特征在于一个外部电极设置得覆盖电容器相对的侧表面的中心部分,并延伸到电容器基片的下表面。
18.如权利要求1所述的压电谐振元件,其特征在于这对分离内部电极与电容器基片的端面相隔一定的距离。
CN00104948.8A 1999-03-29 2000-03-28 压电谐振元件 Expired - Lifetime CN1127206C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP087163/1999 1999-03-29
JP08716399A JP3334669B2 (ja) 1999-03-29 1999-03-29 圧電共振部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1270447A CN1270447A (zh) 2000-10-18
CN1127206C true CN1127206C (zh) 2003-11-05

Family

ID=13907330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN00104948.8A Expired - Lifetime CN1127206C (zh) 1999-03-29 2000-03-28 压电谐振元件

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6369487B1 (zh)
JP (1) JP3334669B2 (zh)
CN (1) CN1127206C (zh)
DE (1) DE10011381B4 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101253685B (zh) * 2005-06-30 2010-12-15 罗伯特·博世有限公司 Mems谐振器阵列结构及其操作和使用方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7321485B2 (en) 1997-04-08 2008-01-22 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US7301748B2 (en) 1997-04-08 2007-11-27 Anthony Anthony A Universal energy conditioning interposer with circuit architecture
US7336468B2 (en) 1997-04-08 2008-02-26 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US9054094B2 (en) 1997-04-08 2015-06-09 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit
JP2002057544A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Murata Mfg Co Ltd 圧電発振子
JP4691783B2 (ja) * 2001-01-09 2011-06-01 株式会社村田製作所 圧電共振部品の不良検出方法
KR20020075814A (ko) * 2001-03-24 2002-10-07 주식회사 코아텍 콘덴서 내장 표면실장형 압전 부품
JP3743302B2 (ja) * 2001-04-25 2006-02-08 株式会社村田製作所 電子部品及び電子部品の基板電極形成方法
JP3855679B2 (ja) * 2001-05-01 2006-12-13 株式会社村田製作所 表面実装型電子部品
US7429816B2 (en) * 2002-09-27 2008-09-30 Innochips Technology Piezoelectric vibrator and fabricating method thereof
US7000474B2 (en) * 2003-02-28 2006-02-21 Elo Touchsystems, Inc. Acoustic device using higher order harmonic piezoelectric element
US7233099B2 (en) * 2003-12-25 2007-06-19 Tdk Corporation Multilayer piezoelectric element
JP4692722B2 (ja) * 2004-01-29 2011-06-01 セイコーエプソン株式会社 電子部品用パッケージおよび電子部品
KR20070107746A (ko) 2005-03-01 2007-11-07 엑스2와이 어테뉴에이터스, 엘.엘.씨 내부 중첩된 조절기
US7817397B2 (en) 2005-03-01 2010-10-19 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioner with tied through electrodes
JP5032036B2 (ja) * 2006-02-23 2012-09-26 Tdk株式会社 複合電子部品
US8026777B2 (en) * 2006-03-07 2011-09-27 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioner structures
JP2011044932A (ja) * 2009-08-21 2011-03-03 Daishinku Corp 恒温槽型圧電発振器
JP5893900B2 (ja) * 2010-12-28 2016-03-23 日本電波工業株式会社 表面実装水晶振動子及び基板シート
JP6272143B2 (ja) * 2014-05-28 2018-01-31 京セラ株式会社 圧電部品
CN108476015B (zh) * 2016-01-23 2021-10-26 京瓷株式会社 压电部件

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04192709A (ja) * 1990-11-26 1992-07-10 Fujitsu Ltd 振動子応用デバイス
JP2607316Y2 (ja) * 1991-08-13 2001-07-09 ティーディーケイ株式会社 圧電共振部品
JPH07111432A (ja) * 1993-10-08 1995-04-25 Murata Mfg Co Ltd チップ型圧電共振子及びその製造方法
JPH0897668A (ja) * 1994-09-22 1996-04-12 Murata Mfg Co Ltd 負荷容量内蔵型圧電共振子およびその製造方法
JPH08288790A (ja) * 1995-04-10 1996-11-01 Fujitsu Ltd 素子用基板、圧電振動装置及び弾性表面波装置
JP3186510B2 (ja) * 1995-06-09 2001-07-11 株式会社村田製作所 圧電共振部品及びその製造方法
JPH08335846A (ja) * 1995-06-08 1996-12-17 Murata Mfg Co Ltd 圧電部品
JPH10190398A (ja) * 1996-12-26 1998-07-21 Kyocera Corp 圧電部品
JP3262007B2 (ja) * 1997-01-10 2002-03-04 株式会社村田製作所 エネルギー閉じ込め型厚みすべり共振子およびこの共振子を用いた電子部品
US6054797A (en) * 1997-04-14 2000-04-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Energy-trapping piezoelectric resonator
EP0877480A3 (en) * 1997-05-09 2000-03-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Thickness extensional vibration mode piezoelectric resonator and piezoelectric resonator component
JPH114133A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Murata Mfg Co Ltd 厚み縦圧電共振子
JP3695615B2 (ja) * 1997-06-12 2005-09-14 株式会社村田製作所 エネルギー閉じ込め型厚み縦圧電共振子
JP3441349B2 (ja) * 1997-11-28 2003-09-02 京セラ株式会社 容量内蔵型圧電共振子
JPH11186869A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Murata Mfg Co Ltd 積層型厚み縦圧電共振子
JP2000183683A (ja) * 1998-12-17 2000-06-30 Murata Mfg Co Ltd 厚み縦圧電共振子及び圧電共振部品
JP3479467B2 (ja) * 1999-03-16 2003-12-15 日本電波工業株式会社 水晶発振器
JP2001044796A (ja) * 1999-07-27 2001-02-16 Kyocera Corp コンデンサー内蔵型圧電共振器
JP2001044795A (ja) * 1999-07-30 2001-02-16 Kyocera Corp 容量内蔵型圧電共振子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101253685B (zh) * 2005-06-30 2010-12-15 罗伯特·博世有限公司 Mems谐振器阵列结构及其操作和使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE10011381A1 (de) 2000-10-26
DE10011381B4 (de) 2004-07-08
JP2000286665A (ja) 2000-10-13
US6369487B1 (en) 2002-04-09
CN1270447A (zh) 2000-10-18
JP3334669B2 (ja) 2002-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1127206C (zh) 压电谐振元件
CN1144299C (zh) 电子元件位于封装件表面上且二者之间有空隙的装置
CN1906848A (zh) 压电谐振器单元封装和压电谐振器
CN1235336C (zh) 多层lc复合元件及其制造方法
CN1163981C (zh) 压电谐振器和压电振荡器
CN1252646A (zh) 能陷型压电谐振器和能陷型压电谐振器元件
CN1135693C (zh) 压电振动器和压电谐振元件
CN1073305C (zh) 压电谐振器
CN1100353C (zh) 压电元件
CN1118931C (zh) 厚度延伸振动压电谐振器和压电谐振设备
CN1217608A (zh) 电子部件
CN1340914A (zh) 压电振荡器
CN1144300C (zh) 压电谐振器
CN1147939C (zh) 厚度延伸振动模式压电谐振器和压电谐振器组件
CN1142626C (zh) 梯形滤波器
CN1219027A (zh) 利用厚度延伸振动模式的谐波的压电谐振器
CN1156968C (zh) 压电谐振部件
CN1314199C (zh) 包含电容器的压电谐振单元
CN1162966C (zh) 压电谐振器
CN1170364C (zh) 带引线的压电构件
CN1308411A (zh) 电子元件装配的基片和采用该基片的压电谐振元件
CN1169237C (zh) 压电变压器元件及将其装入外壳的方法
CN1257346A (zh) 厚度延伸振动压电谐振器和压电谐振装置
CN1164030C (zh) 片型电子部件及其安装结构
JP2005236892A (ja) 圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20031105

CX01 Expiry of patent term