CN112689913A - 显示装置 - Google Patents

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CN112689913A
CN112689913A CN202080005124.2A CN202080005124A CN112689913A CN 112689913 A CN112689913 A CN 112689913A CN 202080005124 A CN202080005124 A CN 202080005124A CN 112689913 A CN112689913 A CN 112689913A
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崔锺炫
金泰佑
李承珉
赵承奂
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Abstract

本发明的一个实施方式公开了显示装置，所述显示装置包括位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域，所述显示装置包括：衬底，具有至少对应于所述弯曲区域的第一开口；显示层，布置在所述衬底的第一表面上以位于所述第一区域中；封装构件，布置在所述显示层上；第一有机材料层，布置在所述衬底上以覆盖所述衬底的所述第一开口；以及布线层，布置在所述第一有机材料层上并且包括在一个方向上延伸以穿过所述弯曲区域的的多个布线。

Description

显示装置
技术领域
一个或多个实施方式涉及显示装置。
背景技术
最近，显示装置已用于各种目的。此外，显示装置的厚度已减小并且显示装置具有轻的重量，并且因此扩大了显示装置的用途。由于显示装置用于许多目的，所以显示装置的设计已多样化，例如，以使显示装置的至少一部分弯曲。
发明内容
技术问题
一个或多个实施方式包括不管显示装置的衬底的类型如何，可没有限制地弯曲的显示装置。然而，该目的是示例，并且本公开的范围不限于此。
解决问题的技术方案
一个或多个实施方式包括显示装置，所述显示装置包括位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域，所述显示装置还包括衬底、显示层、封装构件、第一有机材料层和布线层，所述衬底具有第一开口，所述第一开口的至少一部分对应于所述弯曲区域，所述显示层布置在所述衬底的第一表面上以位于所述第一区域中，所述封装构件布置在所述显示层上，所述第一有机材料层布置在所述衬底上以覆盖所述衬底的所述第一开口，所述布线层布置在所述第一有机材料层上并且包括在穿过所述弯曲区域的方向上延伸的多个布线。
所述显示装置还可包括布置在所述衬底上的至少一个无机绝缘层，并且所述至少一个无机绝缘层可具有与所述第一开口重叠的第二开口。
所述第一有机材料层可通过所述第一开口和所述第二开口被暴露。
所述显示装置还可包括布置在所述布线层上并且与所述第一有机材料层重叠的第二有机材料层。
所述第一有机材料层和所述第二有机材料层中的至少一个可包括与所述显示层中包括的有机绝缘层相同的材料。
所述布线层的位于所述第一区域中的一部分可被所述显示层中包括的第一绝缘层覆盖。
所述第一绝缘层的边缘可被所述第二有机材料层覆盖。
所述第一绝缘层可包括无机绝缘材料。
所述封装构件可包括位于所述第一区域中并且面对所述衬底的封装衬底，并且所述显示装置还可包括位于所述衬底与所述封装衬底之间的密封构件。
所述第一有机材料层和所述第二有机材料层可与所述密封构件分开。
所述封装构件可包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。
所述至少一个无机封装层的边缘可位于所述第二有机材料层上。
所述第一有机材料层可包括面对所述布线层的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一有机材料层可相对于弯曲轴弯曲，并且所述第一有机材料层的所述第二表面的一部分可面对所述衬底的第二表面，所述衬底的所述第二表面对应于所述第一区域。
所述第一开口可仅位于所述弯曲区域中，并且所述衬底可包括基于所述第一开口而彼此分开的第一部分和第二部分。
所述第一开口可位于所述弯曲区域和所述第二区域中，并且所述衬底可仅对应于所述第一区域。
一个或多个实施方式包括显示装置，所述显示装置包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域，所述显示装置还包括衬底、显示层、封装构件、下部有机材料层和布线层，所述衬底具有第一开口，所述第一开口的至少一部分对应于所述弯曲区域，所述显示层布置在所述衬底的第一表面上以位于所述第一区域中，所述封装构件布置在所述显示层上，所述下部有机材料层布置在所述衬底上以覆盖所述衬底的所述第一开口，所述布线层布置在所述下部有机材料层上并且包括在穿过所述弯曲区域的方向上延伸的多个布线，其中，所述下部有机材料层具有对应于所述弯曲区域和所述第二区域的区域，所述下部有机材料层相对于弯曲轴弯曲，并且所述下部有机材料层的一部分与对应于所述第一区域的所述衬底重叠。
所述下部有机材料层可包括与所述显示层中包括的有机绝缘层相同的材料。
所述显示装置还可包括至少一个上部有机材料层，所述至少一个上部有机材料层位于所述布线层上并且与所述下部有机材料层重叠。
所述布线层的位于所述第一区域中的一部分可被所述显示层中包括的第一绝缘层覆盖，并且所述第一绝缘层的远端可被所述至少一个上部有机材料层覆盖。
所述第一绝缘层可包括无机绝缘层。
所述封装构件可包括位于所述第一区域中并且面对所述衬底的封装衬底，所述显示装置还可包括位于所述衬底与所述封装衬底之间的密封构件，并且所述下部有机材料层和所述至少一个上部有机材料层与所述密封构件分开。
所述封装构件可包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，并且所述至少一个无机封装层的边缘可位于所述至少一个上部有机材料层上。
所述显示装置还可包括布置在所述衬底上的至少一个无机绝缘层，并且所述至少一个无机绝缘层可具有与所述第一开口重叠的第二开口。
所述第一开口和所述第二开口可仅位于所述弯曲区域中，并且所述衬底可包括基于所述第一开口而彼此分开的第一部分和第二部分。
所述第一开口和所述第二开口可位于所述弯曲区域和所述第二区域中，并且所述衬底可仅对应于所述第一区域。
通过结合附图而作出的以下描述，本公开的某些实施方式的以上和其它方面、特征和优点将更加显而易见。
公开的有益效果
根据一个或多个实施方式，显示装置可通过改善非显示区域的空间使用来相对地减小非显示区域，并且可被实现为具有不管衬底的类型如何，没有限制地弯曲的布线层。然而，本公开的范围不受这些效果的限制。
附图说明
图1是示意性地示出根据实施方式的显示装置的平面图；
图2是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖面图；
图3是示出根据实施方式的显示装置的剖面图；
图4a是用于示意性地示出根据实施方式的制造显示装置的工艺的剖面图；
图4b是示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖面图；
图5是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图；
图6是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图；
图7是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图；
图8是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图；
图9a至图9e分别是示出根据实施方式的被提取的显示装置的弯曲区域的剖面图；
图10是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的剖面图；
图11是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的剖面图；
图12是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的剖面图；
图13是示出根据实施方式的显示装置的平面图；
图14是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的剖面图；
图15是示出根据实施方式的显示装置的剖面图；
图16是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的剖面图；
图17是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的剖面图；
图18是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的剖面图；
图19是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的剖面图；以及
图20是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的剖面图。
具体实施方式
由于本公开允许各种改变以及若干实施方式，所以示例实施方式将在附图中示出并在书面描述中进行详细的描述。当参考参照附图描述的实施方式时，本公开的效果和特性以及实现这些效果和特性的方法将是显而易见的。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的示例实施方式。
在整个公开中，表述“A、B和C中的至少一个”表示仅A、仅B、仅C、A和B两者、A和C两者、B和C两者、A、B和C的全部或者其变体。
在下文中，将参照附图对本公开的实施方式进行详细描述。将通过参考附图来给出描述，在附图中向彼此相同或对应的部件赋予相同的附图标记，并且将不重复它们的描述。
将理解的是，术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种部件，但这些部件不应受这些术语的限制。这些部件仅用于将一个部件与另一部件区分开。
除非上下文中另有明确指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”旨在也包括复数形式。
将进一步理解的是，本文中所使用的术语“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)”指明所述及的特征或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征或部件的存在或添加。
将理解的是，当层、区域或部件被称为“形成在”另一层、区域或部件“上”时，其可直接或间接地形成在另一层、区域或部件上。也即，例如，可存在中间层、区域或部件。
为了便于解释，附图中的元件的尺寸可被放大。换言之，由于附图中的部件的尺寸和厚度为了便于解释而被任意地示出，所以下面的实施方式不限于此。
当特定实施方式可以不同地实现时，具体工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
在下文的实施方式中，将理解的是，当元件、区域或层被称为连接到另一元件、区域或层时，其可直接或间接地连接到另一元件、区域或层。例如，在本说明书中将理解的是，当元件、区域或层被称为与另一元件、区域或层接触或电连接时，其可直接或间接地与另一元件、区域或层接触或电连接。
在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。
显示装置可显示图像，并且可包括液晶显示装置、电泳显示装置、有机发光显示装置、无机发光显示装置、场发射显示装置、表面传导电子发射显示装置、量子点显示装置、等离子体显示装置或阴极射线显示装置等。在下文中，有机发光显示装置被描述为根据实施方式的显示装置的示例。然而，根据本公开的显示装置不限于此，并且可包括以上描述的各种类型的显示装置。
图1是示意性地示出根据实施方式的显示装置10的平面图。
参照图1，显示装置10可具有在x方向(第一方向)上延伸的弯曲区域BA。弯曲区域BA可位于沿与x方向交叉的y方向(第二方向)布置的第一区域1A与第二区域2A之间。
显示装置10可相对于在x方向上延伸的弯曲轴BAX弯曲。相对于弯曲轴BAX弯曲的显示装置10的弯曲部分可基于弯曲轴BAX具有恒定的曲率半径。然而，本公开不限于此。根据另一实施方式，显示装置10可相对于弯曲轴BAX弯曲，而弯曲部分的曲率半径可不是恒定的。
图1可理解为衬底100的形状。例如，可理解的是，衬底100包括第一区域1A、第二区域2A和介于第一区域1A与第二区域2A之间的弯曲区域BA。
衬底100可具有与弯曲区域BA对应的开口100OP。在本说明书中，可理解的是，彼此面对表示彼此重叠。开口100OP的至少一部分可与弯曲区域BA重叠，并且图1示出了开口100OP与弯曲区域BA大致地重叠。
如图1中所示，在平面上，开口100OP在y方向上具有一定宽度，并且在x方向上具有一定长度。开口100OP的长度可基本上与衬底100在x方向上的长度相同。因此，衬底100可包括基于开口100OP而彼此分开的第一部分100A和第二部分100B。衬底100的第一部分100A可对应于第一区域1A，第二部分100B可对应于第二区域2A，并且开口100OP可对应于弯曲区域BA。
衬底100可包括诸如聚合物的有机材料或无机材料。根据实施方式，衬底100可包括玻璃衬底，玻璃衬底主要包括包含元素Si的材料，例如，SiO2。
第一区域1A可包括显示区域DA。如图1中所示，第一区域1A可包括显示区域DA和显示区域DA外部的非显示区域NDA的一部分。第二区域2A和弯曲区域BA可包括非显示区域NDA。显示装置10的显示区域DA可对应于第一区域1A的一部分，并且非显示区域NDA可对应于第一区域1A的其他部分、第二区域2A和弯曲区域BA。
显示区域DA可为布置有像素P的区域。显示区域DA可通过使用从像素P中的每个发射的光来提供图像。像素P可连接到信号线，诸如在x方向上延伸的扫描线SL和在y方向上延伸的数据线DL。尽管在图1中未示出，但是像素P可连接到传输直流信号的电源线，诸如驱动电源线、公共电源线等。显示区域DA可被与衬底100重叠的封装衬底400覆盖。
像素P可包括电连接到上述电源线和信号线的像素电路，以及电连接到像素电路的显示元件，例如，有机发光二极管(OLED)。像素P可通过OLED发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。
非显示区域NDA可包括第一扫描驱动器11、第二扫描驱动器12、端子部20、驱动电压供应线30、公共电压供应线40和布线层50。
第一扫描驱动器11和第二扫描驱动器12可布置在第一区域1A中。第一扫描驱动器11和第二扫描驱动器12可彼此分开，其中显示区域DA位于二者之间。第一扫描驱动器11和/或第二扫描驱动器12可生成扫描信号，并将扫描信号通过扫描线SL发送到每个像素P。图1示出了布置有两个扫描驱动器。然而，本公开不限于此。根据另一实施方式，可在显示区域DA的一侧布置一个扫描驱动器。
端子部20可布置在非显示区域NDA的端部处。例如，端子部20可布置在第二区域2A中，并且可包括端子21、22、23和24。端子部20可不被绝缘层覆盖，并且可被暴露以连接到驱动器集成电路(IC)13。驱动器IC13可包括数据驱动器。
驱动电压供应线30可将驱动电压提供到像素P。驱动电压供应线30可布置在非显示区域NDA中，以与显示区域DA的一侧相邻。
公共电压供应线40可将公共电压提供到像素P。公共电压可为施加到OLED的阴极的电压，并且公共电压供应线40可布置在非显示区域NDA中以部分地围绕显示区域DA。
第一布线51、第二布线52、第三布线53和第四布线54可布置在显示区域DA的端部与端子部20之间，并且可在y方向上延伸。第一布线51可将显示区域DA的信号线电连接到端子部20，并且第二布线52可将驱动电压供应线30电连接到端子部20。第三布线53可将第一扫描驱动器11和第二扫描驱动器12中的每个电连接到端子部20，并且第四布线54可将公共电压供应线40电连接到端子部20。
在图1中，通过使用与第一布线51、第二布线52、第三布线53和第四布线54不同的附图标记来描述端子部20的端子21、22、23和24。但是，端子21、22、23和24可分别是第一布线51、第二布线52、第三布线53和第四布线54的一部分。例如，第一布线51的端部可对应于端子21，第二布线52的端部可对应于端子22，第三布线53的端部可对应于端子23，并且第四布线54的端部可对应于端子24。
第一布线51、第二布线52、第三布线53和第四布线54可例如在与弯曲轴BAX交叉的方向上延伸，以穿过如下面参照图4所描述的弯曲的弯曲区域BA。图1示出了第一布线51、第二布线52、第三布线53和第四布线54垂直于弯曲轴BAX。然而，本公开不限于此。在一些实施方式中，第一布线51、第二布线52、第三布线53和第四布线54可倾斜地延伸以相对于弯曲轴BAX具有一定角度，或者可延伸以具有包括曲线形状、之字形形状和蛇形形状而不是直线形状的各种形状。
包括第一布线51、第二布线52、第三布线53和第四布线54的布线层50可布置在有机材料层60上。有机材料层60可布置成至少覆盖弯曲区域BA。例如，有机材料层60可具有覆盖弯曲区域BA和第二区域2A的区域，同时有机材料层60的一侧可位于第一区域1A中，并且有机材料层60的另一侧可位于第二区域2A中。有机材料层60可包括多个子有机材料层，并且多个子有机材料层中的任一个可具有与端子部20对应的开口60OP。
图2是示意性地示出根据实施方式的显示装置10的剖面图。图2对应于沿图1的线II-II'截取的剖面图。图3是示出根据实施方式的显示装置10的剖面图。为了便于解释，图2示出了在显示装置10弯曲之前的剖面。
参照图2，衬底100可具有与弯曲区域BA对应的开口100OP。在图2的剖面中，开口100OP可从衬底100的顶表面穿过至衬底100的底表面。衬底100可包括开口100OP和位于开口100OP的两侧的第一部分100A和第二部分100B。衬底100的第一部分100A可对应于第一区域1A，第二部分100B可对应于第二区域2A，并且开口100OP可对应于弯曲区域BA。
显示层200可布置在衬底100的第一部分100A上。显示层200可包括多个像素。每个像素可包括显示元件和用于显示元件的操作的像素电路。显示层200可包括多个显示元件和分别连接到多个显示元件的多个像素电路。
显示层200可被封装构件覆盖。关于这方面，图2示出了作为封装构件的封装衬底400。封装衬底400可布置成面对衬底100的第一部分100A。封装衬底400在y方向上的宽度可等于或小于衬底100的第一部分100A的宽度。密封构件350可布置在封装衬底400与衬底100的第一部分100A之间。
密封构件350可围绕显示层200。密封构件350可沿衬底100的第一部分100A和封装衬底400的边缘延伸以围绕显示区域DA。由衬底100、封装衬底400和密封构件350限定的空间可在空间上与外部隔开，从而防止外部水或杂质的渗透。封装衬底400可包括玻璃衬底。可替代地，封装衬底400可包括树脂衬底。密封构件350可包括无机材料，诸如玻璃料。可替代地，密封构件350可包括诸如环氧树脂的材料。
布线层50可从第一区域1A的一端通过弯曲区域BA延伸到第二区域2B。布线层50可布置在包括有机材料的层，例如，有机材料层60上。有机材料层60可包括第一有机材料层62和第二有机材料层64。布线层50可位于第一有机材料层62上方和第二有机材料层64下方。例如，布线层50可接触第一有机材料层62的第一表面。
第一有机材料层62和第二有机材料层64可仅位于非显示区域NDA中。第一有机材料层62和第二有机材料层64中的每个的端部(该端部与显示区域DA相邻)可与密封构件350分开一定距离。
第一有机材料层62和第二有机材料层64可至少覆盖弯曲区域BA。第一有机材料层62和第二有机材料层64中的每个在y方向上的宽度可大于开口100OP在y方向上的宽度。第一有机材料层62和第二有机材料层64可位于第一区域1A的一部分(该部分与弯曲区域BA相邻)、弯曲区域BA和第二区域2A中。衬底100的开口100OP可被有机材料层60，例如第一有机材料层62覆盖。此外，第一有机材料层62的第二表面62B的一部分(该部分面对衬底100的第一表面)可通过开口100OP被暴露，其中衬底100的第一表面包括衬底100的第一部分100A的第一表面101A和第二部分100B的第一表面101B。衬底100的第一部分100A和第二部分100B实际上经由开口100OP彼此隔开。衬底100的第一部分100A和第二部分100B可经由有机材料层600彼此连接。
第一有机材料层62和第二有机材料层64可包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和/或其混合物。第一有机材料层62和第二有机材料层64可包括彼此相同的材料或彼此不同的材料。
第二有机材料层64可具有位于第二区域2A中的开口部分，并且可通过该开口部分暴露布线层50的一部分，例如以上参照图1描述的端子部20。导电材料层70可布置在第二有机材料层64的开口部分中，并且驱动器IC 13和端子部20可彼此电连接。导电材料层70可为端子部20的一部分。
参照图3，有机材料层60，例如，第一有机材料层62和第二有机材料层64，可相对于与衬底100的开口100OP相邻的弯曲轴BAX弯曲。当第一有机材料层62和第二有机材料层64弯曲时，布线层50会一起弯曲。因为衬底100包括开口100OP，所以不管衬底100中包括的材料的类型如何，显示装置10的非显示区域NDA(图2)的一部分可弯曲。例如，即使当衬底100包括玻璃衬底时，与开口100OP重叠的有机材料层60也可弯曲，以使得非显示区域NDA(图2)可弯曲。
在弯曲的显示装置10中，第二区域2A可与第一区域1A重叠。例如，当有机材料层60和布线层50弯曲时，显示装置10的包括在第二区域2A中的部件(即衬底100的第二部分100B和驱动器IC 13)可与显示装置10的包括在第一区域1A中的部件(即衬底100的第一部分100A和显示层200)重叠。
衬底100的第二部分100B的第二表面102B可布置成面对衬底100的第一部分100A的第二表面102A。粘合层80可布置在衬底100的彼此重叠的第一部分100A与第二部分100B之间，例如，布置在彼此面对的第一部分100A的第二表面102A与第二部分100B的第二表面102B之间。
触摸感测构件TSL和光学功能构件OFL可布置在封装构件，例如封装衬底400上。
触摸感测构件TSL可基于外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。触摸感测构件TSL可包括感测电极或触摸电极以及与感测电极或触摸电极连接的迹线。
光学功能构件OFL可降低从外部朝向显示装置10入射的光(外部光)的反射率和/或改善从显示装置10发射的光的色纯度。
根据实施方式，光学功能构件OFL可包括延迟器和偏振器。相位延迟器可为膜型相位延迟器或液晶涂层型相位延迟器，并且可包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器也可为膜型偏振器或液晶涂层型偏振器。膜型偏振器可包括伸长型合成树脂膜，并且液晶涂层型偏振器可包括以特定布置形状布置的液晶。
根据另一实施方式，光学功能构件OFL可包括黑矩阵和滤色器。滤色器可通过考虑从显示装置10中的像素中的每个发射的光的颜色来布置。滤色器中的每个可包括红色、绿色或蓝色颜料或染料。可替代地，除了上述颜料或染料之外，滤色器中的每个还可包括量子点。可替代地，滤色器中的一些可不包括上述颜料或染料，并且可包括散射粒子，诸如氧化钛。
根据另一实施方式，光学功能构件OFL可包括相消干涉结构。相消干涉结构可包括布置在彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。从第一反射层和第二反射层分别反射的第一反射光和第二反射光可发生相消干涉，并因此可降低外部光的反射率。
在形成触摸感测构件TSL的工艺之后，可连续地执行形成光学功能构件OFL的工艺。在这种情况下，在光学功能构件OFL与触摸感测构件TSL之间可不布置诸如光学透明粘合构件的粘合膜。根据另一实施方式，形成光学功能构件OFL的工艺可与形成触摸感测构件TSL的工艺分开执行。在这种情况下，可在光学功能构件OFL与触摸感测构件TSL之间布置诸如光学透明粘合构件的粘合膜。
图4a是用于示意性地示出根据实施方式的制造显示装置的工艺的剖面图，并且图4b是示出根据实施方式的显示装置的一部分的剖面图。
参照图4a，首先，可在衬底100的第一表面101上形成例如显示层200、封装衬底400、密封构件350和有机材料层60的部件。此后，可在衬底100的第二表面102上形成具有开口部分BL-OP的阻挡层BL。阻挡层BL可通过形成包括例如光敏有机材料的光敏材料的层，并且然后曝光和显影该层的区域而具有开口部分BL-OP。接着，可对衬底100的一部分(该部分通过阻挡层BL的开口部分BL-OP被暴露)进行蚀刻以在衬底100中形成开口100OP，如图4b中所示。可通过开口100OP暴露第一有机材料层62的第二表面62B。可通过使用用于蚀刻包括Si的衬底100的气体、蚀刻剂等来执行蚀刻工艺。另外，由于有机材料层60包括与衬底100不同的材料，所以在蚀刻衬底100的工艺期间，第一有机材料层62可不被蚀刻，并且可保留。
参照图4b，衬底100的开口100OP可具有在厚度方向上不恒定的宽度。例如，开口100OP的与第一有机材料层62相邻的上部(近侧部)的第一宽度W1可小于开口100OP的下部(端部)的第二宽度W2。以上描述了第一有机材料层62的第二表面62B可通过开口100OP被暴露。
图5是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图。为了方便起见，图5描述了在显示装置弯曲之前的显示装置的剖面。
参照图5，显示层200可布置在衬底100的第一部分100A上，并且显示层200可包括像素电路PC和连接到像素电路PC的有机发光二极管220。
缓冲层201可布置在衬底100的第一部分100A与像素电路PC之间。缓冲层201可防止异物或湿气通过衬底100渗透。缓冲层201可包括例如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可包括包含上述材料的单层或多层。
像素电路PC可包括晶体管130和存储电容器140。晶体管130可包括半导体层134和栅电极136。例如，半导体层134可包括多晶硅。半导体层134可包括与栅电极136重叠的沟道区域131以及布置在沟道区域131的两侧并包括与沟道区域131中的杂质相比浓度更高的杂质的源极区域132和漏极区域133。这里，杂质可包括N型杂质或P型杂质。源极区域132和漏极区域133以及分别连接到源极区域132和漏极区域133的金属层可分别是晶体管130的源电极和漏电极。根据另一实施方式，半导体层134可包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。
栅电极136可包括低电阻金属材料。栅电极136可包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可包括包含上述导电材料的多层或单层。根据实施方式，栅电极136可包括包含Mo的金属层。
栅极绝缘层203可布置在半导体层134与栅电极136之间。栅极绝缘层203可包括例如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可包括包含上述材料的单层或多层。
存储电容器140可包括彼此重叠的第一电极144和第二电极146。第一层间绝缘层205可布置在第一电极144与第二电极146之间。第一层间绝缘层205可包括例如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可包括包含上述材料的单层或多层。第二电极146可包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可包括包含上述导电材料的多层或单层。根据实施方式，第二电极146可包括包含Mo的金属层。
图5示出了存储电容器140与晶体管130重叠并且第一电极144是晶体管130的栅电极136的情况。然而，本公开不限于此。根据另一实施方式，存储电容器140可不与晶体管130重叠。第一电极144可为与晶体管130的栅电极136不同的单独部件。
存储电容器140可被第二层间绝缘层207覆盖。第二层间绝缘层207可包括例如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可包括包含上述材料的单层或多层。
数据线DL可布置在第二层间绝缘层207上并被第一有机绝缘层211覆盖。数据线DL可包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可包括包含上述导电材料的多层或单层。根据实施方式，数据线DL可包括顺序堆叠Ti层、Al层和Ti层的多层(Ti/Al/Ti)。第一有机绝缘层211可包括有机绝缘材料。例如，第一有机绝缘层211可包括聚酰亚胺。
第三层间绝缘层209可布置在第一有机绝缘层211下方作为钝化层。第三层间绝缘层209可包括例如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可包括包含上述材料的单层或多层。
电连接晶体管130和有机发光二极管220的像素电极221的接触金属层CM可布置在第一有机绝缘层211上。接触金属层CM可包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可包括包含上述导电材料的多层或单层。根据实施方式，接触金属层CM可包括顺序堆叠Ti层、Al层和Ti层的多层(Ti/Al/Ti)。根据实施方式，可省略接触金属层CM。
像素电极221可位于第二有机绝缘层213上。像素电极221可包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr等的反射层。像素电极221还可包括在上述反射层上方和/或下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
像素限定层215可位于像素电极221上，并且可具有暴露像素电极221的中心部分的开口。像素限定层215可增加像素电极221的端部与相对电极(或公共电极)223之间的距离，从而防止在它们之间出现电弧等。像素限定层215可包括有机材料，诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。可替代地，像素限定层215可包括无机材料。
中间层222可包括发射层。中间层222还可包括布置在发射层下方的第一功能层和布置在发射层上方的第二功能层。中间层222可包括低分子量或高分子量材料。第一功能层可包括空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)。第二功能层可包括电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。包括在中间层222中的多个层中的至少任一个可在显示区域DA中形成为单个主体。例如，中间层222的发射层可定位成与每个像素电极重叠，而第一功能层和/或第二功能层可为形成为单个主体以对应于多个像素的(多个)公共层。
相对电极223可布置在中间层222上。相对电极223可形成为单个主体以覆盖多个像素。相对电极223可包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其合金的透射导电层。包括LiF、无机绝缘材料和/或有机绝缘材料的覆盖层可进一步布置在相对电极223上。
封装衬底400可布置成面对衬底100的第一部分100A，并且封装衬底400与第一部分100A之间的密封构件350可位于非显示区域NDA中。
如上所述，布线层50可包括将信号和/或电力施加到显示层200的布线。如图5中所示，布线层50可位于与数据线DL相同的层(第二层间绝缘层207)上，并且可包括与数据线DL相同的材料。
布线层50可朝向非显示区域NDA中的第二区域2A延伸。布线层50的第一部分可与衬底100的第一部分100A上的密封构件350重叠，布线层50的第二部分可穿过弯曲区域BA，并且布线层50的第三部分可位于衬底100的第二部分100B上。布线层50的第一端可在衬底100的第一区域1A或第一部分100A上被第三层间绝缘层209覆盖。因此，布线层50可不直接接触密封构件350。布线层50可位于第一有机材料层62上。
第一有机材料层62可在±y方向上连续地形成，以位于衬底100的第一部分100A和第二部分100B上。第一有机材料层62可相对于其下方的绝缘层，例如第二层间绝缘层207形成台阶差，并且可沿上述布线层50的台阶差形成。例如，布线层50的第一部分可在第一区域1A中直接接触第三层间绝缘层209，并且布线层50的第二部分可在弯曲区域BA中直接接触第一有机材料层62，其中布线层50的第一部分的水平高度(距与衬底的第一表面相同的平面的垂直距离)可不同于布线层50的第二部分的水平高度(距与衬底的第一表面相同的平面的垂直距离)。第一有机材料层62的与显示区域DA相邻的第一端(第一边缘)62E可与衬底100的第一部分100A的端部重叠，并且可与密封构件350的外表面分开一定距离。
布线层50可被第二有机材料层64覆盖。第二有机材料层64可覆盖第三层间绝缘层209的与弯曲区域BA相邻的端部。关于该方面，图5示出了第二有机材料层64的第一端(第一边缘)64E布置得比第三层间绝缘层209的与弯曲区域BA相邻的一端(或边缘)209E更靠近密封构件350。第二有机材料层64的第一端64E可与密封构件350分开一定距离。
第二有机材料层64可在形成显示层200的工艺期间同时形成。例如，第二有机材料层64可在形成第一有机绝缘层211或第二有机绝缘层213的工艺期间同时形成，并且可包括与第一有机绝缘层211或第二有机绝缘层213相同的材料。
第一有机材料层62和第二有机材料层64可支撑或保护布线层50，并且可减轻由于显示装置的弯曲而产生的应力。第一有机材料层62和第二有机材料层64可包括酰亚胺类聚合物、诸如PMMA或PS的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其混合物。第一有机材料层62和第二有机材料层64可包括彼此相同的材料或彼此不同的材料。
如上所述，衬底100可具有位于弯曲区域BA中的开口100OP，至少一个无机绝缘层ILD可设置在衬底100上，并且至少一个无机绝缘层ILD可具有与开口100OP重叠的开口ILD-OP。至少一个无机绝缘层ILD的开口ILD-OP可在形成衬底100的开口100OP的工艺期间同时形成，或者可在与形成衬底100的开口100OP的工艺不同的工艺中形成。至少一个无机绝缘层ILD可包括元素Si，并因此，当去除包括元素Si的衬底100的一部分时，也可在形成开口100OP的工艺(例如，蚀刻工艺)期间去除至少一个无机绝缘层ILD的一部分。例如，衬底100上的至少一个无机绝缘层ILD的开口ILD-OP可在形成衬底100的开口100OP的工艺期间一起形成。
至少一个无机绝缘层ILD可包括来自例如缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中的一个或多个。根据实施方式，图5示出了至少一个无机绝缘层ILD包括缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207。在下文中，为了便于解释，描述了至少一个无机绝缘层ILD包括缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207。
在如图3中所示的使显示装置弯曲的过程中，包括无机材料的(多个)层相对于弯曲过程相对易受影响，并因此可能出现裂纹。然而，根据本实施方式，当无机绝缘层ILD在弯曲区域BA中包括开口ILD-OP时，可防止出现裂纹或水等通过裂纹渗透。
图6是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图。为了方便起见，图6描述了在显示装置弯曲之前的显示装置的剖面。
根据图6中所示的实施方式，布线层50的位置不同于参照图5描述的布线层50的位置，并且显示层200可包括位于第一有机绝缘层211与第二有机绝缘层213之间的第四层间绝缘层212。在下文中，为了便于解释，将通过聚焦差异来给出描述。
参照图6，布线层50可在与接触金属层CM相同的工艺期间一起形成，并且可包括与接触金属层CM相同的材料。布线层50的与有机发光二极管220相邻的第一端部可位于第一有机绝缘层211上。布线层50可被第四层间绝缘层212覆盖。因此，布线层50可不直接接触密封构件350。布线层50可位于第一有机材料层62上。
第一有机材料层62可相对于其下方的绝缘层，例如第二层间绝缘层207形成台阶差，并且可沿上述布线层50的台阶差形成。布线层50的第一部分可在第一区域1A中直接接触第一有机绝缘层211和第三层间绝缘层209，并且布线层50的第二部分可在弯曲区域BA中直接接触第一有机材料层62，其中，布线层50的第一部分的水平高度和布线层50的第二部分的水平高度可彼此不同。
布线层50可被第二有机材料层64覆盖，并且第二有机材料层64的第一端(第一边缘)64E可布置成比第四层间绝缘层212的与弯曲区域BA相邻的一端(边缘)212E更靠近密封构件350。
第一有机材料层62和第二有机材料层64中的每个可在形成显示层200的工艺期间一起形成。例如，第一有机材料层62可在形成第一有机绝缘层211的工艺期间一起形成，并且可包括与第一有机绝缘层211相同的材料。第二有机材料层64可在形成第二有机绝缘层213的工艺期间一起形成，并且可包括与第二有机绝缘层213相同的材料。
图7和图8中的每个是示出根据另一实施方式的显示装置的一部分的剖面图。为了方便起见，图7和图8描述了在显示装置弯曲之前的显示装置的剖面。
除了有机材料层60的堆叠结构之外，图7的实施方式与参照图5描述的实施方式相同。类似地，除了有机材料层60的堆叠结构之外，图8的实施方式与参照图6描述的实施方式相同。因此，在下文中，为了便于解释，将通过聚焦有机材料层60来给出描述，并且关于相同部件的描述将不再重复。
参照图7和图8，有机材料层60可包括位于第二有机材料层64上的第三有机材料层66。第三有机材料层66可包括诸如PMMA或PS的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和其混合物。第一有机材料层62、第二有机材料层64和第三有机材料层66可包括彼此相同的材料或彼此不同的材料。
第三有机材料层66可在与显示层200的第二有机绝缘层213或像素限定层215相同的工艺期间一起形成，并且可包括与第二有机绝缘层213或像素限定层215相同的材料。第三有机材料层66的与显示区域DA相邻的一端(边缘)66E可布置为比第三层间绝缘层209的一端(边缘)209E(图7)或第四层间绝缘层212的一端(边缘)212E(图8)更靠近显示区域DA。第三有机材料层66的一端(边缘)66E可与密封构件350分开。
图7和图8描述了有机材料层60包括三层。然而，本公开不限于此。根据另一实施方式，有机材料层60可包括四层或更多层。当有机材料层60包括三层或更多层时，可更有效地减轻应力。
图9a至图9e是提取并示出根据实施方式的显示装置的弯曲区域BA的剖面图。
根据实施方式，参照图9a，衬底100和无机绝缘层ILD可分别包括位于弯曲区域BA中的开口100OP和开口ILD-OP。如以上参照图4b所描述的，衬底100的开口100OP的近侧部的宽度可小于衬底100的开口100OP的端部的宽度。
例如，衬底100的第一部分100A可包括面对显示层200的第一表面101A和与第一表面101A相对的第二表面102A，并且可包括限定开口100OP的第一侧表面100S1和第二侧表面100S2。第一侧表面100S1可将第一表面101A连接到第二表面102A，并且可包括与第二表面102A形成钝角的倾斜表面。类似于第一侧表面100S1，第二侧表面100S2也可包括倾斜表面。
在无机绝缘层ILD的开口ILD-OP中，在无机绝缘层ILD的厚度方向上与第一有机材料层62相邻的近侧部的宽度可大于远离第一有机材料层62的远侧部的宽度。无机绝缘层ILD可具有面对第一有机材料层62的第一表面ILD-A和与第一表面ILD-A相对的第二表面ILD-B，并且可包括限定开口ILD-OP的第一侧表面ILD-S1和第二侧表面ILD-S2。第一侧表面ILD-S1可将第一表面ILD-A连接到第二表面ILD-B，并且可包括相对于第一表面ILD-A在反方向呈锥形的倾斜表面OS，例如，与第一表面ILD-A形成钝角的倾斜表面OS。类似于第一侧表面ILD-S1，第二侧表面ILD-S2也可包括倾斜表面。
当无机绝缘层ILD的第一侧表面ILD-S1和/或第二侧表面ILD-S2包括上述倾斜表面OS时，例如，在显示装置的弯曲期间，可容易地实现有机材料层60的弯曲，并且可减小被弯曲的有机材料层60的曲率半径。因此，如图3中所示，可进一步减小被弯曲的显示装置中的由弯曲区域BA占据的y方向上的面积或由弯曲区域BA占据的y方向上的宽度。
在图9a中，描述了衬底100的第一侧表面100S1和第二侧表面100S2(第一侧表面100S1和第二侧表面100S2限定开口100OP)中的每个的一部分可包括倾斜表面，以及无机绝缘层ILD的第一侧表面ILD-S1和第二侧表面ILD-S2(第一侧表面ILD-S1和第二侧表面ILD-S2限定开口ILD-OP)中的每个的一部分可包括倾斜表面OS。然而，本公开不限于此。
根据另一实施方式，如图9b中所示，衬底100的第一侧表面100S1和第二侧表面100S2(第一侧表面100S1和第二侧表面100S2限定开口100OP)中的每个可具有整体倾斜表面。类似地，无机绝缘层ILD的第一侧表面ILD-S1和第二侧表面ILD-S2(第一侧表面ILD-S1和第二侧表面ILD-S2限定开口ILD-OP)中的每个可具有整体倾斜表面。
图9b示出了衬底100的倾斜表面和无机绝缘层ILD的倾斜表面在彼此相反的方向上呈锥形。然而，本公开不限于此。根据另一实施方式，如图9c中所示，衬底100的倾斜表面和无机绝缘层ILD的倾斜表面可在相同方向上呈锥形，但是角度(锥角)可彼此不同。例如，衬底100的限定开口100OP的第一侧表面100S1的锥角可具有比无机绝缘层ILD的限定开口ILD-OP的第一侧表面ILD-S1的锥角更大的值。可替代地，衬底100的限定开口100OP的第一侧表面100S1的锥角可具有比无机绝缘层ILD的限定开口ILD-OP的第一侧表面ILD-S1的锥角更小的值或者与无机绝缘层ILD的限定开口ILD-OP的第一侧表面ILD-S1的锥角基本上相同的值。
图9a至图9c中的每个示出了衬底100的第一侧表面100S1和第二侧表面100S2以及无机绝缘层ILD的第一侧表面ILD-S1和第二侧表面ILD-S2包括大致平坦的倾斜表面。然而，本公开不限于此。根据另一实施方式，如图9d中所示，衬底100的第一侧表面100S1和第二侧表面100S2以及无机绝缘层ILD的第一侧表面ILD-S1和第二侧表面ILD-S2可包括弯曲表面。
图9a至图9c示出了无机绝缘层ILD的第一侧表面ILD-S1和第二侧表面ILD-S2包括相对于无机绝缘层ILD的第一表面ILD-A在反方向呈锥形的倾斜表面。然而，本公开不限于此。根据另一实施方式，如图9e中所示，无机绝缘层ILD的第一侧表面ILD-S1和第二侧表面ILD-S2可具有相对于无机绝缘层ILD的第一表面ILD-A在正方向上呈锥形的倾斜表面。可替代地，无机绝缘层ILD的第一侧表面ILD-S1和第二侧表面ILD-S2可包括弯曲表面。在有机材料层60的弯曲方面，无机绝缘层ILD的第一侧表面ILD-S1和第二侧表面ILD-S2包括在反方向呈锥形的倾斜表面的情况可比无机绝缘层ILD的第一侧表面ILD-S1和第二侧表面ILD-S2包括在正方向上呈锥形的倾斜表面的情况更优选。
根据另一实施方式，衬底100的第一侧表面100S1和第二侧表面100S2(第一侧表面100S1和第二侧表面100S2限定开口100OP)以及无机绝缘层ILD的第一侧表面ILD-S1和第二侧表面ILD-S2(第一侧表面ILD-S1和第二侧表面ILD-S2限定开口ILD-OP)均可具有根据参照图9a至图9e所述的实施方式所描述的形状。例如，衬底100的第一侧表面100S1和第二侧表面100S2(第一侧表面100S1和第二侧表面100S2限定开口100OP)可具有参照图9c所述的形状，并且无机绝缘层ILD的第一侧表面ILD-S1和第二侧表面ILD-S2(第一侧表面ILD-S1和第二侧表面ILD-S2限定开口ILD-OP)可具有参照图9e所述的形状。与此类似，参照上述实施方式描述的形状以及从上述实施方式衍生的形状也可对应于实施方式。
图10是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置10的剖面图。
图10的实施方式包括与以上参照图3所描述的实施方式基本上相同的部件。然而，图10的实施方式与图3的实施方式不同之处在于图10的实施方式包括薄膜封装层400'而不是封装衬底400(图3)作为封装构件。以上描述了相同的部件，并因此将不重复描述，并且将通过聚焦差异方面来给出描述。
薄膜封装层400'可包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。至少一个有机封装层和至少一个无机封装层可交替地堆叠。包括薄膜封装层400'的显示装置10可具有比包括封装衬底400的显示装置10更小的厚度。触摸感测构件TSL和光学功能构件OFL可布置在薄膜封装层400'上。
图11是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的剖面图。为了方便起见，图11描述了在显示装置弯曲之前的显示装置的剖面。
参照图11，衬底100可具有与弯曲区域BA对应的开口100OP，并且第一部分100A和第二部分100B基于开口100OP而彼此分开。显示层200可布置在衬底100的第一部分100A上，并且以上参照图5描述了显示层200的详细结构。
有机发光二极管220可被薄膜封装层400'覆盖。根据实施方式，薄膜封装层400'可包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410和第二无机封装层430可包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的一种或多种无机绝缘材料，并且可基于化学气相沉积(CVD)等形成。
有机封装层420可包括聚合物类材料。聚合物类材料可包括硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。有机封装层420的端部可布置成与分隔壁150的面对显示区域DA的第一侧表面相邻。第一无机封装层410和第二无机封装层430可朝向弯曲区域BA延伸超过分隔壁150，同时第一无机封装层410的远端410E和第二无机封装层430的远端430E中的每个可位于衬底100的第一部分100A上。换言之，第一无机封装层410的远端410E和第二无机封装层430的远端430E中的每个可定位成比衬底100的第一部分100A的边缘更靠近显示区域DA。第一无机封装层410和第二无机封装层430可延伸到有机材料层60，例如第二有机材料层64上。
如参照图5所描述的，布线层50可朝向非显示区域NDA中的第二区域2A延伸，并且布线层50可布置在第二层间绝缘层207上。以上参照图5对布线层50的特性以及布置在布线层50上方和下方的第一有机材料层62和第二有机材料层64的特性进行了描述。
分隔壁150可位于非显示区域NDA中，并且可在第一区域A1中与布线层50重叠。覆盖布线层50的一部分的无机绝缘层，例如第三层间绝缘层209，可布置在分隔壁150与布线层50之间。分隔壁150可在形成显示层200的工艺期间形成。例如，分隔壁150可包括在与第一有机绝缘层211、第二有机绝缘层213和/或像素限定层215相同的工艺中形成的(多个)子层。
图12是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的剖面图。为了方便起见，图12描述了在显示装置弯曲之前的显示装置的剖面。
参照图12，与以上图11相同的是，薄膜封装层400'布置在显示层200上并且分隔壁150布置在第一区域1A的非显示区域NDA上。然而，布线层50的位置可不同于参照图11描述的实施方式中的位置。
布线层50可在与接触金属层CM相同的工艺期间一起形成，并且可包括与接触金属层CM相同的材料。布线层50的与有机发光二极管220相邻的第一端可位于第一有机绝缘层211上。布线层50可被第四层间绝缘层212覆盖。
分隔壁150可包括在形成第二有机绝缘层213和/或像素限定层215的工艺期间一起形成的(多个)子层。分隔壁150可与布线层50重叠。覆盖布线层50的一部分的无机绝缘层，例如第四层间绝缘层212，可布置在分隔壁150与布线层50之间。因此，布线层50可不直接接触分隔壁150。布线层50可在弯曲区域BA中位于第一有机材料层62上，并且以上描述了布线层50的特性以及布置在布线层50上方和下方的第一有机材料层62和第二有机材料层64的特性。
图13是示出根据实施方式的显示装置10'的平面图。
参照图13，显示装置10'可包括第一区域1A、第二区域2A以及介于第一区域1A与第二区域2A之间的弯曲区域BA。图13可为衬底100'的形状。例如，衬底100'可包括第一区域1A、第二区域2A以及介于第一区域1A与第二区域2A之间的弯曲区域BA。与以上参照图1描述的衬底100的开口100OP(开口100OP对应于弯曲区域BA)不同，图13示出了衬底100'的开口100'OP的一部分对应于弯曲区域BA。例如，衬底100'的开口100'OP可对应于弯曲区域BA和第二区域2A。因为开口100'OP与弯曲区域BA和第二区域2A重叠，所以衬底100'可具有基本上对应于第一区域1A的面积。
衬底100'可包括有机材料或无机材料。根据实施方式，衬底100'可包括玻璃衬底，其主要包括包含元素Si的材料，例如SiO2。
第一区域1A可包括显示区域DA。如图13中所示，第一区域1A可包括显示区域DA和显示区域DA外部的非显示区域NDA的一部分。第二区域2A和弯曲区域BA可包括非显示区域NDA。显示装置10'的显示区域DA可对应于第一区域1A的一部分，并且非显示区域NDA可对应于第一区域1A的其他部分、第二区域2A和弯曲区域BA。
显示区域DA可为布置有像素P的区域，并且第一扫描驱动器11、第二扫描驱动器12、驱动电压供应线30和公共电压供应线40可位于第一区域1A的非显示区域NDA中。
端子部20和布线层50可布置在非显示区域NDA的第二区域2A中。布线层50可布置在显示区域DA的一端与端子部20之间，并且可包括在y方向上延伸的第一布线51、第二布线52、第三布线53和第四布线54。
端子部20的端子21、22、23和24可分别是第一布线51、第二布线52、第三布线53和第四布线54的一部分。例如，第一布线51的端部可对应端子21，第二布线52的端部可对应于端子22，第三布线53的端部可对应于端子23，并且第四布线54的端部可对应于端子24。
包括第一布线51、第二布线52、第三布线53和第四布线54的布线层50可布置在有机材料层60上。有机材料层60可布置成至少覆盖弯曲区域BA。根据实施方式，有机材料层60可具有覆盖弯曲区域BA和第二区域2A的一定区域，同时有机材料层60的一侧可位于第一区域1A中，并且有机材料层60的另一侧可位于第二区域2A中。有机材料层60可包括多个子有机材料层，并且多个子有机材料层中的任一个可具有与端子部20对应的开口60OP。
通过开口60OP暴露的端子部20可连接到柔性印刷电路板(在下文中称为FPCB)13'。将数据信号提供到像素P的数据驱动器D-DR可被包括在FPCB 13'中。为了便于解释，图13示出了FPCB 13'与端子部20分开。然而，FPCB 13'可位于端子部20上，如下面参照图14所描述的。
图11和图12描述了有机材料层60包括两层。然而，本公开不限于此。根据另一实施方式，有机材料层60可包括三层或更多层，如参照图7和图8所描述的。
图14是示意性地示出根据实施方式的显示装置10'的剖面图。图14是沿图13的线XIV-XIV'截取的剖面图。图15是示出根据实施方式的显示装置10'的剖面图。为了便于解释，图14示出了在显示装置弯曲之前的剖面。
参照图14，衬底100'可具有与弯曲区域BA和第二区域2A对应的开口100'OP。衬底100'的开口100'OP可通过以上参照图4a描述的工艺形成。此外，图14中所示的衬底100'的开口100'OP可通过调整阻挡层BL(图4a)的开口部分BL-OP的面积来形成。开口100'OP可形成为穿过衬底100'的上表面和下表面，并且衬底100'可实际上理解为仅包括位于第一区域1A中的部分。
如上所述，显示层200可布置在衬底100'上，显示层200可被封装衬底400覆盖，并且密封构件350可布置在衬底100'与封装衬底400之间。
布线层50可从第一区域1A的一端通过弯曲区域BA延伸到第二区域2B。布线层50可布置在包括有机材料的层，例如有机材料层60上。有机材料层60可包括第一有机材料层62和第二有机材料层64。布线层50可位于第一有机材料层62上方和第二有机材料层64下方。例如，布线层50可接触第一有机材料层62的第一表面。
第一有机材料层62和第二有机材料层64可仅位于非显示区域NDA中。第一有机材料层62和第二有机材料层64可具有与弯曲区域BA和第二区域2A对应的区域。第一有机材料层62和第二有机材料层64中的每个在y方向上的宽度可大于开口100OP在y方向上的宽度。第一有机材料层62和第二有机材料层64可位于第一区域1A的与弯曲区域BA相邻的一部分、弯曲区域BA和第二区域2A中。衬底100'的开口100'OP可被有机材料层60，例如第一有机材料层62覆盖。第一有机材料层62的第二表面62B的一部分可通过开口100'OP被暴露。第一有机材料层62的第二表面62B的被暴露部分可对应于弯曲区域BA和第二区域2A。
第一有机材料层62和第二有机材料层64可包括有机绝缘材料。第二有机材料层64可具有位于第二区域2A中的开口部分，并且布线层50的一部分，例如，以上参照图13描述的端子部20，可通过该开口部分被暴露。以上参照图1和图2描述的端子部20可位于衬底100，例如第二部分100B上。然而，图13和图14的显示装置10'的端子部20可不位于衬底100'上。端子部20可通过导电材料层70电连接到FPCB 13'。
参照图15，有机材料层60，例如第一有机材料层62和第二有机材料层64，可相对于弯曲轴BAX弯曲。当第一有机材料层62和第二有机材料层64弯曲时，布线层50也会弯曲。如上所述，因为衬底100'包括开口100'OP，所以不管衬底100'中包括的材料的类型如何，显示装置10'的非显示区域NDA(图14)的一部分可被弯曲。
在弯曲的显示装置10'中，第二区域2A可与第一区域1A重叠。例如，与弯曲区域BA对应的有机材料层60和布线层50可弯曲以具有曲率，而对应于第二区域2A的有机材料层60和布线层50可不弯曲并且可与衬底100'平行地布置。例如，显示装置10'的部件(例如，有机材料层60和布线层50的部分(该部分与第二区域2A对应)、导电材料层70和FPCB 13')可与显示装置10的包括在第一区域1A中的部件(例如，衬底100'和显示层200)重叠。
粘合层80可布置在第一有机材料层62的第二表面62B与衬底100'的第二表面102'之间。粘合层80可直接接触第一有机材料层62的第二表面62B和衬底100'的第二表面102'。触摸感测构件TSL和光学功能构件OFL可布置在封装构件，例如封装衬底400上。
图16和图17中的每个是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的剖面图。为了方便起见，图16和图17描述了在显示装置弯曲之前的显示装置的剖面。
根据实施方式，参照图16，衬底100'可仅位于第一区域1A中。显示层200可布置在衬底100'上，并且以上参照图5对显示层200的结构以及密封构件350和封装衬底400的结构进行了描述。
如上所述，布线层50可包括将信号和/或电力施加到显示层200的布线。布线层50可位于与数据线DL相同的层(第二层间绝缘层207)上，并且可包括与数据线DL相同的材料。
布线层50可朝向非显示区域NDA中的第二区域2A延伸。布线层50的一部分可在第一区域1A中或衬底100'上被第三层间绝缘层209覆盖，并且布线层50可不直接接触密封构件350。布线层50可延伸到与第二层间绝缘层207形成台阶差的第一有机材料层62上。
第一有机材料层62可在与衬底100'部分地重叠的同时在±y方向上连续地延伸。第一有机材料层62的与显示区域DA相邻的第一远端62E可与衬底100的第一部分100A的一端重叠，并且可与密封构件350的外表面分开一定距离。
布线层50可被第二有机材料层64覆盖。第二有机材料层64可覆盖第三层间绝缘层209的与弯曲区域BA相邻的一端。关于该方面，图16示出了第二有机材料层64的第一远端64E布置成比第三层间绝缘层209的与弯曲区域BA相邻的远端209E更靠近密封构件350。第二有机材料层64的第一远端64E可与密封构件350分开一定距离。
第二有机材料层64可在形成显示层200的工艺期间一起形成。例如，第二有机材料层64可在形成第一有机绝缘层211或第二有机绝缘层213的工艺期间一起形成，并且可包括与第一有机绝缘层211或第二有机绝缘层213相同的材料。
第一有机材料层62和第二有机材料层64可支撑或保护布线层50，并且可减轻由于显示装置的弯曲而产生的应力。第一有机材料层62和第二有机材料层64可包括有机绝缘材料。
衬底100'可具有如上所述的开口100'OP，并且衬底100'上的无机绝缘层ILD可具有与开口100'OP重叠的开口ILD-OP。无机绝缘层ILD的开口ILD-OP可在形成衬底100'的开口100'OP的工艺期间一起形成。根据实施方式，当无机绝缘层ILD形成在包括Si的衬底100'上时，无机绝缘层ILD也可与衬底100'类似地包括Si，并因此，无机绝缘层ILD也可在形成开口100'OP的工艺(例如，蚀刻工艺)期间被去除。无机绝缘层ILD的开口ILD-OP可与衬底100'的开口100OP'重叠，并且可具有与开口100OP'基本上相同的宽度或面积。
无机绝缘层ILD可包括缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中的一个或多个。根据实施方式，图16示出了无机绝缘层ILD包括缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207。
根据另一实施方式，参照图17，无机绝缘层ILD和衬底100'可分别具有彼此重叠的开口ILD-OP和100OP'，并且以上参照图16对相应的结构进行了描述。
图17的布线层50可在与接触金属层CM相同的工艺期间一起形成，并且可包括与接触金属层CM相同的材料。布线层50的一部分可被第四层间绝缘层212覆盖。因此，布线层50可不直接接触密封构件350。布线层50可位于第一有机材料层62上，并且第二有机材料层64可位于布线层50上。参照图6描述了布线层50的特性和布线层50周围的部件。
图16和图17示出了有机材料层60包括两层。然而，本公开不限于此。根据另一实施方式，有机材料层60可包括三层或更多层，如参照图7和图8所描述的。
图16和图17示出了衬底100'的与弯曲区域BA相邻的侧表面100'S1包括倾斜表面，并且有机绝缘层ILD的第一侧表面ILD-S1不包括倾斜表面。然而，本公开不限于此。衬底100'的第一侧表面100'S1和无机绝缘层ILD的第一侧表面ILD-S1中的每个可具有以上参照图9a至图9e所描述的形状或者从以上参照图9a至图9e所描述的形状衍生的形状。
图16和图17示出了封装构件包括封装衬底400。然而，根据另一实施方式，如图18中所示，可包括薄膜封装层400'而不是封装衬底400。
图18是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置10'的剖面图。
图18的实施方式包括与以上参照图15至图17描述的实施方式基本上相同的部件。然而，图18的实施方式与图15至图17的实施方式的不同之处在于图18的实施方式包括薄膜封装层400'作为封装构件。薄膜封装层400'可包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。薄膜封装层400'可与有机材料层60重叠。
图19和图20中的每个是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的剖面图。为了方便起见，图19和图20描述了在显示装置弯曲之前的显示装置的剖面。
参照图19和图20，开口100'OP可对应于弯曲区域BA和第二区域2A，并因此，衬底100'可仅位于第一区域1A中。显示层200可布置在衬底100'上，并且参照图16和图17对布线层50的位置和特性、有机材料层60的特性和周围部件的结构进行了描述，并因此在下文中将基于差异给出描述。
薄膜封装层400'可包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430，其中第一无机封装层410和第二无机封装层430可延伸到有机材料层60，例如第二有机材料层64上。例如，第一无机封装层410的远端410E和/或第二无机封装层430的远端410E可位于第二有机材料层64上。
虽然已参照附图中所示的实施方式描述了本公开，但是本领域技术人员将理解的是，实施方式仅是示例性的，并且可在实施方式中在形式和细节上进行各种改变。因此，本公开的范围将由所附权利要求的技术思想来限定。

Claims (25)

1.一种显示装置，包括位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域，
所述显示装置包括：
衬底，所述衬底具有第一开口，所述第一开口的至少一部分对应于所述弯曲区域；
显示层，所述显示层布置在所述衬底的第一表面上以位于所述第一区域中；
封装构件，所述封装构件布置在所述显示层上；
第一有机材料层，所述第一有机材料层布置在所述衬底上以覆盖所述衬底的所述第一开口；以及
布线层，所述布线层布置在所述第一有机材料层上并且包括在穿过所述弯曲区域的方向上延伸的多个布线。
2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
至少一个无机绝缘层，所述至少一个无机绝缘层布置在所述衬底上，其中，
所述至少一个无机绝缘层具有与所述第一开口重叠的第二开口。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一有机材料层通过所述第一开口和所述第二开口被暴露。
4.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第二有机材料层，所述第二有机材料层布置在所述布线层上并且与所述第一有机材料层重叠。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述第一有机材料层和所述第二有机材料层中的至少一个包括与所述显示层的有机绝缘层相同的材料。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述布线层的位于所述第一区域中的一部分被所述显示层中包括的第一绝缘层覆盖。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘层的边缘被所述第二有机材料层覆盖。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘层包括无机绝缘材料。
9.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述封装构件包括位于所述第一区域中并且面对所述衬底的封装衬底，
所述显示装置还包括：
密封构件，所述密封构件位于所述衬底与所述封装衬底之间。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述第一有机材料层和所述第二有机材料层与所述密封构件分开。
11.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述封装构件包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
所述至少一个无机封装层的边缘位于所述第二有机材料层上。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一有机材料层包括面对所述布线层的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，以及
所述第一有机材料层相对于弯曲轴弯曲，并且所述第一有机材料层的所述第二表面的一部分面对所述衬底的与所述第一区域对应的第二表面。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一开口仅位于所述弯曲区域中，以及
所述衬底包括基于所述第一开口而彼此分开的第一部分和第二部分。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一开口位于所述弯曲区域和所述第二区域中，以及
所述衬底仅对应于所述第一区域。
16.一种显示装置，具有位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域，
所述显示装置包括：
衬底，所述衬底具有第一开口，所述第一开口的至少一部分对应于所述弯曲区域；
显示层，所述显示层布置在所述衬底的第一表面上以位于所述第一区域中；
封装构件，所述封装构件布置在所述显示层上；
下部有机材料层，所述下部有机材料层布置在所述衬底上以覆盖所述衬底的所述第一开口；以及
布线层，所述布线层布置在所述下部有机材料层上并且包括在穿过所述弯曲区域的方向上延伸的多个布线，
其中，
所述下部有机材料层具有与所述弯曲区域和所述第二区域对应的区域，所述下部有机材料层相对于弯曲轴弯曲，并且所述下部有机材料层的一部分与对应于所述第一区域的所述衬底重叠。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，
所述下部有机材料层包括与所述显示层中包括的有机绝缘层相同的材料。
18.根据权利要求16所述的显示装置，还包括：
至少一个上部有机材料层，所述至少一个上部有机材料层位于所述布线层上并且与所述下部有机材料层重叠。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
所述布线层的位于所述第一区域中的一部分被所述显示层中包括的第一绝缘层覆盖，以及
所述第一绝缘层的边缘被所述至少一个上部有机材料层覆盖。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘层包括无机绝缘层。
21.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
所述封装构件包括位于所述第一区域中并且面对所述衬底的封装衬底，
所述显示装置还包括：
密封构件，所述密封构件位于所述衬底与所述封装衬底之间，其中，
所述下部有机材料层和所述至少一个上部有机材料层与所述密封构件分开。
22.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
所述封装构件包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，以及
所述至少一个无机封装层的边缘位于所述至少一个上部有机材料层上。
23.根据权利要求16所述的显示装置，还包括：
至少一个无机绝缘层，所述至少一个无机绝缘层布置在所述衬底上，其中，
所述至少一个无机绝缘层具有与所述第一开口重叠的第二开口。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，
所述第一开口和所述第二开口仅位于所述弯曲区域中，以及
所述衬底包括基于所述第一开口而彼此分开的第一部分和第二部分。
25.根据权利要求23所述的显示装置，其中，
所述第一开口和所述第二开口位于所述弯曲区域和所述第二区域中，以及
所述衬底仅对应于所述第一区域。
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