CN112566749B - 切割膜的制造方法、切割膜及切割膜用膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种切割膜的制造方法，其包括使用波长为400nm以上且850nm以下的激光切断包含树脂层的切割前膜来得到切割膜，上述切割前膜在上述激光的波长处的吸光度为0.10以下。

Description

切割膜的制造方法、切割膜及切割膜用膜
技术领域
本发明涉及一种切割膜(cut film)的制造方法、切割膜及切割膜用膜。
背景技术
包含树脂层的膜(以下也称为树脂膜)可用作图像显示装置等具有的光学膜等。近年来，越来越需要根据例如最终产品的形状来对树脂膜进行精密加工。作为树脂膜的加工方法，由于与利用刀等的机械切断相比能够进行精密加工，所以采用利用激光的加工方法(专利文献1～3)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-052082号公报；
专利文献2：日本特开2006-108165号公报；
专利文献3：日本特开2016-057403号公报。
发明内容
发明要解决的问题
当利用激光切断树脂膜时，通常在其切断面的周围会形成激光处理影响部。在此，激光处理影响部是指被激光切断的树脂膜所包含的树脂层因切断时产生的热而变形的部分，上述的树脂层的变形包含树脂层的厚度变大和树脂层的厚度变小这两者。此外，切断还包含穿孔。当这样的激光处理影响部的宽度大时，会导致树脂膜的端部凸起、尺寸变化以及产生褶皱。因此，作为使用激光的膜的切断方法，需要开发能够减小激光处理影响部的宽度并切断膜的方法。
即，需要以下方法和产品：使用激光将包含树脂层的切割前膜切断来制造激光处理影响部的宽度小的切割膜的方法；激光处理影响部的宽度小的切割膜；以及用于得到激光处理影响部的宽度小的切割膜的切割膜用膜。
用于解决问题的方案
本发明人为了解决上述问题而进行了深入研究。结果发现通过使用规定波长范围的激光对具有规定范围的吸光度的膜进行切断，可解决上述问题，完成了本发明。
即，本发明提供以下内容。
[1]一种切割膜的制造方法，其包括使用波长为400nm以上且850nm以下的激光切断包含树脂层的切割前膜来得到切割膜，上述切割前膜在上述激光的波长处的吸光度为0.10以下。
[2]根据[1]所述的切割膜的制造方法，其中，所述激光为YAG激光装置的二次谐波。
[3]根据[1]或[2]所述的切割膜的制造方法，其中，所述激光为脉冲宽度小于1μs的脉冲光。
[4]根据[1]～[3]中任一项所述的切割膜的制造方法，其中，上述树脂层为含脂环式结构树脂的层。
[5]根据[1]～[4]中任一项所述的切割膜的制造方法，其中，上述切割前膜的厚度为200μm以下。
[6]根据[1]～[5]中任一项所述的切割膜的制造方法，其中，上述切割前膜还包含起偏器层。
[7]一种切割膜，其为使用激光切断的切割膜，
上述切割膜包含树脂层，
上述激光的波长为400nm以上且850nm以下，
上述切割膜在上述激光的波长处的吸光度为0.10以下。
[8]根据[7]所述的切割膜，其还包含起偏器层。
[9]一种切割膜用膜，其用于使用波长为400nm以上且850nm以下的激光来切断由此得到切割膜，
上述切割膜用膜包含树脂层，
上述切割膜用膜在上述激光的波长处的吸光度为0.10以下。
发明效果
根据本发明，可提供：使用激光将包含树脂层的切割前膜切断来制造激光处理影响部的宽度小的切割膜的方法；激光处理影响部的宽度小的切割膜；以及用于得到激光处理影响部的宽度小的切割膜的切割膜用膜。
附图说明
图1为示意性地示出由包含树脂层的切割前膜制造的切割膜的剖面图。
图2为示意性地示出由包含树脂层和起偏器层的切割前膜制造的切割膜的剖面图。
具体实施方式
以下，示出实施方式和例示物对本发明进行详细地说明。但是，本发明并不限定于以下示出的实施方式及例示物，在不脱离本发明的请求的范围及与其同等的范围的范围内可以任意地变更实施。
在以下的说明中，“长条状”的膜是指相对于宽度具有5倍以上的长度的膜，优选具有10倍或其以上的长度，具体而言是指具有可卷绕成卷状而保管或运送的程度的长度的膜。膜的长度的上限没有特别限制，例如相对于宽度可以为10万倍以下。
在下述内容中，参照将切割前膜水平地设置、沿垂直方向对其照射激光的例子进行说明。因此，只要没有另外说明，“水平方向”是指与切割前膜的面平行的方向。
[1.切割膜的制造方法的概要]
本实施方式的切割膜的制造方法包括使用波长为400nm以上且850nm以下的激光切断包含树脂层的切割前膜来得到切割膜。根据本实施方式的切割膜的制造方法，能够减小切割膜中的激光处理影响部的宽度。
[1.1.用于切断的激光]
用于切断的激光的波长通常为400nm以上且850nm以下。激光的波长优选为450nm以上，更优选为500nm以上，优选为800nm以下，更优选为600nm以下。
通过将激光的波长控制在上述范围，即使在切割前膜的吸光度低的情况下，也可减小切割膜中的激光处理影响部的宽度。
激光的波长特别优选为钇铝石榴石(Yttrium Aluminum Garnet，YAG)激光装置的二次谐波具有的波长。YAG激光装置的二次谐波通常为532nm左右，优选为532nm。
此外，上述激光的波长范围在可见光区域，因此在切断加工时，装置操作者能够确认激光的轨迹。因此，可以准确地进行切断加工。
进而，为了阻断从激光装置射出的激光，有时在激光装置中设置覆盖物(cover)。此外，为了保护不是切断对象的物体不受激光损害，有时会设置覆盖物。作为此时的覆盖物，能够使用吸收可见光区域的光的广泛使用的有色的材料，因此可以便宜地制造切割膜。
激光优选为脉冲宽度小于1μs的脉冲光。这样的脉冲光具有高峰值功率，因此与连续波激光和具有1μs以上的脉冲宽度的激光相比，易产生消融(ablation)现象，可相对地减少切断面的热影响。结果可以有效地减小切割膜中的激光处理影响部的宽度。
激光的脉冲宽度更优选为100ns以下，进一步优选为50ns以下，特别优选为1ns以下，通常大于0s。
激光的平均功率(强度)优选为0.01W以上，更优选为0.1W以上，进一步优选为1W以上，优选为1kW以下，更优选为100W以下，进一步优选为50W以下。通过使激光的平均功率(强度)为上述范围的下限值以上，能够迅速地切断切割前膜。此外，通过使激光的平均功率(强度)为上述范围的上限值以下，能够有效地减小切割膜中的激光处理影响部的宽度。
[1.2.切割前膜]
切割前膜为通过本实施方式的制造方法被切断的对象。切割前膜包含树脂层。
(切割前膜)
切割前膜在切断切割前膜的激光的波长处的吸光度为0.10以下。
一直以来，认为在将进行切断的激光的波长处的吸光度低的膜进行切断的情况下，需要激光的强度非常大，因此切断面会受到强烈的热产生的影响，所以难以以高精度切断膜。
在本实施方式中，通过使用规定的波长范围的激光来切断激光的波长处的吸光度为0.10以下的切割前膜，意外地可以减小切割膜中的激光处理影响部的宽度。
切割前膜在所使用的激光的波长处的吸光度优选为0.08以下，更优选为0.06以下，通常为0以上，可以大于0，可以为0.01以上。通过将切割前膜的吸光度控制在上述范围，可有效地减小切割膜中的激光处理影响部的宽度。
切割前膜的吸光度表示从切割前膜的一个面向另一个面透过的光的吸收。
激光的波长处的吸光度能够使用现有公知的方法进行测定，可通过例如紫外可见分光光度计(例如株式会社岛津制作所制“UV-1800”)进行测定。
切割前膜可以为长条状的膜，也可以为单张的膜，优选为长条状的膜。
此外，切割前膜可以为仅具有一层的单层结构的膜，也可以为具有两以上的层的多层结构的膜。
例如，切割前膜可以为在树脂层中还包含起偏器层作为任意的层的膜。
作为起偏器层，可举出例如以适当的顺序和方式对聚乙烯醇、部分甲缩醛化聚乙烯醇等适当的乙烯醇系聚合物的膜实施利用碘和二向色性染料等二向色性物质的染色处理、拉伸处理、交联处理等适当的处理的膜。其中，优选由包含聚乙烯醇的聚乙烯醇树脂膜形成的起偏器层。这样的起偏器层是可以使自然光入射和线偏振光透过的起偏器层，特别优选透光率和偏光度优异的起偏器层。起偏器层的厚度一般为5μm～80μm，但并不限定于此。
切割前膜除具有起偏器层以外，还可以具有粘接剂层等任意的层。
在切割前膜为多层结构的情况下，优选在最外侧设置树脂层。此外，优选以树脂层朝向激光源侧的方式设置切割前膜，利用激光进行切断。由此，能够有效地减小切割膜的激光处理影响部的宽度。
切割前膜的厚度优选为1μm以上，更优选为3μm以上，特别优选为5μm以上，此外，优选为200μm以下，更优选为150μm以下，特别优选为100μm以下。通过使切割前膜的厚度为上述范围的下限值以上，切割前膜和切割膜的操作变得容易。此外，通过使切割前膜的厚度为上述范围的上限值以下，使用激光的切断变得容易。
(树脂层)
树脂层为由树脂形成的层。树脂通常包含聚合物。树脂中可以包含的聚合物可以为单独一种，也可以为任意比率的两种以上的组合。
作为形成树脂层的树脂中可以包含的聚合物，可举出例如下述的含脂环式结构聚合物、三乙酸纤维素、聚对苯二甲酸乙二醇酯及聚碳酸酯。关于形成树脂层的树脂中可包含的聚合物，优选在制成厚度为50μm的膜的情况下，其在使用的激光的波长处的吸光度优选为0.10以下，更优选为0.08以下，进一步优选为0.06以下，通常为0以上，可以为0.01以上。
此外，树脂除包含聚合物以外，还可以包含任意的成分。作为任意的成分，可举出：颜料、染料等着色剂；荧光增白剂；分散剂；增塑剂；热稳定剂；光稳定剂；紫外线吸收剂；防静电剂；抗氧化剂；微粒；表面活性剂等添加剂。
此外，在不损害本实施方式的制造方法的效果的范围，形成树脂层的树脂也可以包含可吸收所使用的激光的光吸收剂。
树脂中可包含的光吸收剂的含有率优选为20重量％以下，更优选为15重量％以下，进一步优选为10重量％以下，通常为0重量％以上，可以为0.01重量％以上。
树脂层优选为由含脂环式结构树脂形成的层。含脂环式结构树脂通常包含含脂环式结构聚合物。含脂环式结构聚合物是指聚合物的结构单元具有脂环式结构的聚合物。
包含含脂环式结构聚合物的树脂通常透明度、尺寸稳定性、相位差显现性及低温下的拉伸性等特性优异。
含脂环式结构聚合物可以为主链具有脂环式结构的聚合物、侧链具有脂环式结构的聚合物、主链和侧链具有脂环式结构的聚合物、以及它们的两个以上的任意比率的混合物。其中，从机械强度和耐热性的观点出发，优选主链具有脂环式结构的聚合物。
作为脂环式结构的例子，可举出饱和脂环式烃(环烷烃)结构和不饱和脂环式烃(环烯烃、环炔烃)结构。其中，从机械强度和耐热性的观点出发，优选环烷烃结构和环烯烃结构，其中特别优选环烷烃结构。
关于构成脂环式结构的碳原子数，在每一个脂环式结构中，优选为4个以上，更优选为5个以上，优选为30个以下，更优选为20个以下，特别优选为15个以下。当构成脂环式结构的碳原子数为在该范围时，含脂环式结构树脂的机械强度、耐热性及成型性高度地平衡。
在含脂环式结构聚合物中，具有脂环式结构的结构单位的比例可以根据切割膜的使用目的进行选择。含脂环式结构聚合物中的具有脂环式结构的结构单元的比例优选为55重量％以上，进一步优选为70重量％以上，特别优选为90重量％以上。当含脂环式结构聚合物中的具有脂环式结构的结构单元的比例在该范围时，含脂环式结构树脂的透明性和耐热性良好。
在含脂环式结构聚合物中，优选环烯烃聚合物。环烯烃聚合物是指具有将环烯烃单体聚合而得到的结构的聚合物。此外，环烯烃单体为具有由碳原子形成的环结构、且该环结构中具有聚合性的碳-碳双键的化合物。作为聚合性的碳-碳双键的例子，可举出能够进行开环聚合等聚合的碳-碳双键。此外，作为环烯烃单体的环结构的例子，可举出单环、多环、稠合多环、桥环及将这些组合的多环等。其中，从使得到的聚合物的介电特性和耐热性等特性高度地平衡的观点出发，优选多环的环烯烃单体。
作为上述的环烯烃聚合物中优选的聚合物，可举出降冰片烯系聚合物、单环的环状烯烃系聚合物、环状共轭二烯系聚合物及它们的氢化物等。在它们之中，降冰片烯系聚合物的成型性良好，因此特别优选。
作为降冰片烯系聚合物的例子，可举出：具有降冰片烯结构的单体的开环聚合物及其氢化物；具有降冰片烯结构的单体加成聚合物及其氢化物。此外，作为具有降冰片烯结构的单体的开环聚合物的例子，可举出一种具有降冰片烯结构的单体的开环均聚物、两种以上的具有降冰片烯结构的单体的开环共聚物、以及具有降冰片烯结构的单体和可与其共聚的其它单体的开环共聚物。进而，作为具有降冰片烯结构的单体的加成聚合物的例子，可举出一种具有降冰片烯结构的单体的加成均聚物、两种以上的具有降冰片烯结构的单体的加成共聚物、以及具有降冰片烯结构的单体和可与其共聚的其它单体的加成共聚物。在这些之中，从成型性、耐热性、低吸湿性、尺寸稳定性、轻质性等观点出发，特别优选具有降冰片烯结构的单体的开环聚合物的氢化物。
含脂环式结构树脂除包含含脂环式结构聚合物以外，还可以包含除含脂环式结构聚合物以外的任意的聚合物。除含脂环式结构聚合物以外的任意的聚合物可以单独使用一种，也可以将两种以上以任意的比率组合使用。
含脂环式结构树脂中的含脂环式结构聚合物的比例理想地为100重量％，优选为80重量％以上，更优选为90重量％以上，特别优选为99重量％以上。通过使含脂环式结构聚合物的比例为上述范围的下限值以上，能够得到雾度小的含脂环式结构树脂。
树脂层优选在用于切断的激光的波长处的吸光度优选为0.10以下，更优选为0.08以下，进一步优选为0.06以下，通常为0以上，优选为大于0，可以为0.01以上。通过将树脂层的吸光度控制在上述范围，可以有效地减小切割膜中的激光处理影响部的宽度。
树脂层的厚度优选为1μm以上，更优选为3μm以上，特别优选为5μm以上，此外，优选为200μm以下，更优选为150μm以下，特别优选为100μm以下。通过使树脂层的厚度为上述范围的下限值以上，切割前膜和切割膜的操作变得容易。此外，通过树脂层的厚度为上述范围的上限值以下，使用激光的切断变得容易。
[2.切割膜]
根据本实施方式的制造方法，能够制造被激光切断的切割膜，上述切割膜包含树脂层，上述激光的波长为400nm以上且850nm以下，上述切割膜在上述激光的波长处的吸光度为0.10以下。
通过本实施方式的制造方法制造的切割膜由于是将切割前膜切断而得到的膜，所以切割膜包含的树脂层的例子和优选例、以及切割膜的物性的优选范围与切割前膜包含的树脂层的例子和优选例、以及切割前膜的物性的优选范围相同。此外，在切割前膜除树脂层以外还包含粘接层、起偏器层等任意的层的情况下，切割膜还包含除树脂层以外的任意的层。
根据本实施方式的制造方法制造的切割膜的树脂层中的激光处理影响部的宽度小。切割膜的树脂层中的激光处理影响部的宽度优选为60μm以下，更优选为50μm以下，进一步优选为40μm以下，理想地为0μm，可以为1μm以上。
激光处理影响部的宽度可以通过下述方法进行测定。
使用切片机(microtome)切断切割膜。此时，使用切片机的切断以得到下述剖面的方式进行，上述剖面与激光扫描切割前膜的表面的线垂直。然后，使用光学显微镜观察被切片机切断的剖面，由此测定激光处理影响部的宽度L。
关于切割膜中的激光处理影响部的宽度L，使用图进行更详细地说明。图1为示意性地示出由包含树脂层的切割前膜制造的切割膜的剖面图。
在切割膜100包含的树脂层110中，形成有作为因切断时产生的热而变形的部分的激光处理影响部111。通常，树脂层110的激光处理影响部111包含树脂层110的切断面112、以及与树脂层110的切断面112相邻的区域中的树脂层110的厚度比切断前厚的部分113。在树脂层110中，该树脂层110的厚度比切断前厚的部分113大多作为相对除激光处理影响部111以外的部分114***的部分被观察到。
激光处理影响部的宽度L为切割膜100中的树脂层110中受到激光处理影响的部分的水平方向的宽度，其为从离切断处的中心X最近的部分的位置起、至离切断处的中心X最远的受到激光处理的影响的部分的位置的距离。具体而言，激光处理影响部111的宽度L为从树脂层110的切断面112的离切断处的中心X最近的部分的位置起、至树脂层110的厚度D比切断前厚的部分113的与切断面112相反侧的端的长度。
图2为示意性地示出由包含树脂层和起偏器层的切割前膜制造的切割膜的剖面图。
在包含树脂层210和起偏器层220的切割膜200中，也可以与图1所示的切割膜100同样地确定激光处理影响部211的宽度L。
具体而言，激光处理影响部211的宽度L为从切割膜200的切断面212的离切断处的中心X最近的部分的位置起、至切割膜200的厚度D比切断前厚的部分213的与切断面212相反侧的端的长度。
对于这样得到的切割膜，可以根据需要实施任意的处理。作为这样的任意的处理，可举出例如拉伸处理、表面处理、与其它膜贴合的处理等。
上述的切割膜可以用于任意的用途。例如，可以将切割膜用作光学膜。此外，切割膜可以单独使用，也可以与其它任意的构件组合使用。例如，也可以安装在液晶显示装置、有机电致发光显示装置、等离子体显示装置、FED(场致发射)显示装置、SED(表面传导电子发射)显示装置等显示装置中使用。进而，切割膜也可以用作起偏器的保护膜。
[3.切割膜用膜]
上述的切割前膜可有效地用于使用波长为400nm以上且850nm以下的激光来切断由此得到激光处理影响部的宽度小的切割膜。因此，通过本发明可提供一种用于使用波长为400nm以上且850nm以下的激光来切断由此得到切割膜的切割膜用膜。上述切割膜用膜包含树脂层，上述切割膜用膜被波长为400nm以上且850nm以下的激光切断而得到切割膜，上述切割膜用膜在上述激光的波长处的吸光度为0.10以下。
切割膜用膜中的树脂层的例子和优选例、以及切割膜用膜的物性的优选范围与上述切割前膜中的树脂层的例子和优选例、以及切割前膜的物性的优选范围相同。
实施例
以下示出实施例对本发明进行具体地说明。但是，本发明并不限定于以下所示的实施例，在不脱离本发明的请求的范围及其同等的范围的范围内可以任意地变更实施。
只要没有另外说明，以下说明的操作在常温和常压的条件进行。
[评价方法]
(吸光度)
除比较例2以外，在实施例和比较例中通过下述的方法测定吸光度。
将切割前膜切断为20×20mm的尺寸。使用紫外可见分光光度计(株式会社岛津制作所制“UV-1800”)，在波长200nm～800nm的范围测定膜的厚度方向的吸光度。然后，读取在加工中使用的激光的波长处的吸光度。
在比较例2中通过下述的方法测定吸光度。
将切割前膜切断为20×20mm的尺寸，使用傅里叶变换红外分光分析装置(PerkinElmer Inc.制“Spectrum Two(商标)”)，在波数800cm-1～2000cm-1的范围测定厚度方向的吸光度。
然后，读取波数1065cm-1(波长9.4×103nm)处的吸光度。
(激光处理影响部的宽度的测定方法)
使用切片机切断具有切断面的试样膜。此时，使用切片机的切断以得到下述剖面的方式进行，上述剖面与激光扫描的线垂直。使用光学显微镜观察该剖面，测定激光处理影响部的宽度L。
[实施例1]
(准备包含树脂层的切割前膜的工序)
准备包含降冰片烯系聚合物的含脂环式结构树脂(日本瑞翁株式会社制“ZEONOR”)。使用T模头式的膜溶融挤出成型机将该含脂环式结构树脂成型为膜状，得到仅由含脂环式结构树脂的层(L1)形成的切割前膜。成型时的条件为模唇800μm、T模的宽度300mm、熔融树脂温度260℃、铸辊温度115℃。切割前膜即树脂层的厚度为50μm。
通过上述的方法测定切割前膜的吸光度。
(切断工序)
作为激光振荡器，准备可照射二次谐波的激光的、YAG(Yttrium AluminumGarnet)激光装置(Spectronix Corporation制“LVE-G1000”)。从该激光振荡器向上述切割前膜照射波长532nm、平均功率(强度)10W、脉冲宽度15ns的脉冲激光。此时，上述激光以直线状扫描切割前膜的表面的方式进行照射。在切割前膜中，被照射的激光扫描的部分被切断。由此，得到具有切断面的切割膜。
通过上述的方法测定切割膜包含的树脂层的激光处理影响部的宽度L。
[实施例2]
除变更下述事项以外，与实施例1同样地进行，切断切割前膜。
·将激光振荡器变更为可照射二次谐波的激光的YAG激光装置(SpectronixCorporation制“LDH-1000”)。
·将激光的脉冲宽度变更为50ps。
[实施例3]
除变更下述事项以外，与实施例1同样地进行，切断切割前膜。
·作为切割前膜(树脂层)，使用厚度为50μm的三乙酸纤维素膜。
[实施例4]
除变更下述事项以外，与实施例1同样地进行，切断切割前膜。
·将实施例的切割前膜变更为通过下述工序得到的切割前膜。
准备起偏器层(P1)。起偏器层(P1)为碘吸附并取向在聚乙烯醇的厚度为15μm的膜。在起偏器层(P1)的一个面上使用粘接剂贴合实施例1准备的作为树脂层的含脂环式结构树脂的层(L1)。作为粘接剂，使用包含聚乙烯醇和水溶性环氧树脂的水溶液。由此，得到依次具有含脂环式结构树脂的层(L1)、粘接剂的层及起偏器层(P1)的切割前膜。
·以切割前膜的含脂环式结构树脂的层(L1)朝向激光源侧的方式设置在激光装置中，切断切割前膜。将激光的平均功率(强度)变更为15W。
[比较例1]
除变更下述事项以外，与实施例1同样地进行，切断切割前膜。
·作为切割前膜(树脂层)，使用厚度为50μm的聚酰亚胺膜。
[比较例2]
除变更下述事项以外，与实施例1同样地进行，切断切割前膜。
·将激光振荡器变更为COHERENT Inc.制“DIAMOND E-250i”。
·将激光的波长变更为9400nm、平均功率(强度)变更为70W、脉冲宽度变更为100ns。
[比较例3]
除变更下述事项以外，与实施例1同样地进行，切断切割前膜。
·将激光振荡器变更为COHERENT Inc.“AVIA 266-3”。
·将激光的波长变更为266nm、平均功率(强度)变更为3W。
[比较例4]
除变更下述事项以外，与实施例1同样地进行，切断切割前膜。
·将实施例1的切割前膜变更为通过下述工序得到的切割前膜。
在实施例4准备的起偏器层(P1)的一个面上使用粘接剂贴合厚度50μm的作为树脂层的聚酰亚胺膜。作为粘接剂，使用包含聚乙烯醇和水溶性环氧树脂的水溶液。由此，得到依次具有聚酰亚胺的层、粘接剂的层及起偏器层(P1)的切割前膜。
·以切割前膜的聚酰亚胺的层朝向激光源侧的方式设置在激光装置中，切断切割前膜。将激光的平均功率(强度)变更为15W。
实施例和比较例的结果示于下述表。
表中的简写表示下述的意思。
COP：含脂环式结构树脂的层
TAC：三乙酸纤维素膜
COP/PVA：包含含脂环式结构树脂的层(L1)和起偏器层(P1)的层叠膜
PI：聚酰亚胺膜
PI/PVA：包含聚酰亚胺膜和起偏器层(P1)的层叠膜
此外，在表中的膜厚的项中，在膜为包含树脂层和起偏器层(P1)的层叠膜的情况下，以“树脂层的厚度/起偏器层(P1)的厚度”示出。
[表1]
表1
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4
膜组成 COP COP TAC COP/PVA
膜厚(μm) 50 50 50 50/15
激光波长处的膜吸光度 0.04 0.04 0.05 0.06
激光
波长(nm) 532 532 532 532
强度(W) 10 10 10 15
脉冲宽度 15ns 50ps 15ns 15ns
激光处理影响部的宽度L(μm) 43 37 46 52
[表2]
表2
比较例1 比较例2 比较例3 比较例4
膜组成 PI COP COP PI/PVA
膜厚(μm) 50 50 50 50/15
激光波长处的膜吸光度 0.12 0.10 0.21 0.15
激光
波长(nm) 532 9400 266 532
强度(W) 10 70 3 15
脉冲宽度 15ns 100ns 15ns 15ns
激光处理影响部的宽度L(μm) 70 105 58 83
根据以上结果，可知以下内容。
在实施例1～4的制造方法中，得到的切割膜的激光处理影响部的宽度L为较小的55μm以下。
另一方面，在激光波长处的切割前膜的吸光度大于0.10的比较例1、比较例3及比较例4的制造方法中，得到的切割膜的激光处理影响部的宽度L大。
进而，在使用的激光的波长小于400nm的比较例3和波长超过850nm的比较例2的制造方法中，得到的切割膜的激光处理部的宽度L大。
附图标记说明
100：切割膜
110：树脂层
111：激光处理影响部
112：切断面
113：部分
200：切割膜
210：树脂层
211：激光处理影响部
212：切断面
213：部分
220：起偏器层
L：激光处理影响部的宽度
X：切断处的中心

Claims (9)

1.一种切割膜的制造方法，其包括使用波长为400nm以上且850nm以下的激光切断包含树脂层的切割前膜来得到切割膜的工序，所述切割前膜在所述激光的波长处的吸光度为0.10以下。
2.根据权利要求1所述的切割膜的制造方法，其中，所述激光为YAG激光装置的二次谐波。
3.根据权利要求1或2所述的切割膜的制造方法，其中，所述激光为脉冲宽度小于1μs的脉冲光。
4.根据权利要求1或2所述的切割膜的制造方法，其中，所述树脂层为含脂环式结构树脂的层。
5.根据权利要求1或2所述的切割膜的制造方法，其中，所述切割前膜的厚度为200μm以下。
6.根据权利要求1或2所述的切割膜的制造方法，其中，所述切割前膜还包含起偏器层。
7.一种切割膜，其为使用激光切断的切割膜，
所述切割膜包含树脂层，
所述激光的波长为400nm以上且850nm以下，
所述切割膜在所述激光的波长处的吸光度为0.10以下。
8.根据权利要求7所述的切割膜，其还包含起偏器层。
9.一种切割膜用膜，其用于使用波长为400nm以上且850nm以下的激光来切断由此得到切割膜，
所述切割膜用膜包含树脂层，
所述切割膜用膜在所述激光的波长处的吸光度为0.10以下。
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