CN112481698B - 一种提高高温高压合成宝石级金刚石氮含量的方法 - Google Patents

一种提高高温高压合成宝石级金刚石氮含量的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112481698B
CN112481698B CN202011135332.2A CN202011135332A CN112481698B CN 112481698 B CN112481698 B CN 112481698B CN 202011135332 A CN202011135332 A CN 202011135332A CN 112481698 B CN112481698 B CN 112481698B
Authority
CN
China
Prior art keywords
carbon
nitrogen
temperature
nitride powder
carbon nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011135332.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112481698A (zh
Inventor
任瑛
王茜
侯晓多
张贵锋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dalian University of Technology
Henan University of Technology
Original Assignee
Dalian University of Technology
Henan University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dalian University of Technology, Henan University of Technology filed Critical Dalian University of Technology
Priority to CN202011135332.2A priority Critical patent/CN112481698B/zh
Publication of CN112481698A publication Critical patent/CN112481698A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112481698B publication Critical patent/CN112481698B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/04Diamond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/082Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/10Single-crystal growth directly from the solid state by solid state reactions or multi-phase diffusion
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/12Single-crystal growth directly from the solid state by pressure treatment during the growth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明属于先进材料制备的技术领域,提供了一种提高高温高压合成宝石级金刚石氮含量的方法,以碳氮氢化合物为原料,采用熔盐辅助的方法将碳氮氢化合物转变成含C‑N化学键的氮化碳粉末;以氮化碳粉末为原料或作为添加剂,金属合金粉作为触媒,采用传统的六面顶压机,通过温度梯度法合成高氮含量的宝石级金刚石单晶。本发明的高氮含量金刚石材料,采用氮化碳材料作为碳源或添加剂,氮是以化学键的形式存在于碳源或添加剂中,利用高温超高压条件,可获得大量的NV色心;加氮化碳系材料,不仅可以提供氮含量,还可以作为碳源,不会引入其他杂质。

Description

一种提高高温高压合成宝石级金刚石氮含量的方法
技术领域
本发明属于先进材料制备的技术领域,涉及到高温高压法制备宝石级金刚石,特别涉及到以一种碳氮粉末为碳源或碳源添加剂,通过净化处理和预压成型,在高温高压条件下制备高氮含量金刚石。
背景技术
金刚石是自然界中最坚硬的物质,具有高硬度、极高的热导率、高折射率以及优良的化学稳定性等一系列优异性能。人造金刚石主要采用高温高压以及化学气相沉积的方法合成,应用于钻头、拉丝模具、磨料或用做工艺品和装饰品等。
根据含氮量不同可将金刚石分为Ⅰ型和Ⅱ型两类。人工高温高压合成的金刚石为黄色(Ib型),约占天然金刚石总量的98%,其含氮约为300ppm,且氮是以单一替代原子即弥散态的形式存在。而天然金刚石含氮量约为2×103ppm,其中的氮是以聚集态形式存在,多为无色(Ia型)。人造金刚石和天然金刚石的氮浓度及存在形式上有很大差异,导致两种金刚石的诸多性质不同。合成具有完整晶型的高氮含量金刚石能提供一种人工合成类“天然”金刚石和“硼皮氮芯”金刚石的开创性技术,有助于深入理解和探究氮掺杂对天然金刚石生长的影响。同时,也可丰富金刚石种类,拓宽金刚石应用领域。
近几年来高温高压以及化学气相沉积方法制备金刚石单晶引起研究者的关注,其中高温高压法合成金刚石技术相对比较成熟。其基本原理是在高温高压下,以石墨为碳源,合金作为金属触媒合成金刚石。到目前为止,人工高温高压法合成的金刚石含氮量与天然金刚石相比相差甚远,有的研究者所合成的金刚石,氮含量可高达上千ppm,但是对压力要求极高且没有完整的晶型。即使所合成的金刚石含氮量和天然金刚石氮含量相似,其晶体尺寸很小,导致性质难以测量,属于工业级金刚石单晶。为此,有研究者尝试在合金溶剂中添加含氮物质NaN3、Ba(N3)2作为添加剂,目的是合成高氮含量宝石级金刚石单晶。通过添加氮化碳体系材料来试图提高金刚石单晶含氮量,降低金刚石合成之压力和温度,从而拓宽人造金刚石的功能化的研究仍鲜见报道。
发明内容
本发明的目的是提供一种提高高温高压法合成宝石级金刚石氮含量的工艺方法,以氮化碳材料作为原料或作为添加剂加入到原材料中,通过净化处理、预压成型,在高温高压下采用温度梯度法制备高氮含量的金刚石单晶。
本发明的技术方案是:
一种提高高温高压合成宝石级金刚石氮含量的方法,以碳氮氢化合物为原料,采用熔盐辅助的方法将碳氮氢化合物转变成含C-N化学键的氮化碳粉末;以氮化碳粉末为原料或作为添加剂,金属合金粉作为触媒,采用传统的六面顶压机,通过温度梯度法合成高氮含量的宝石级金刚石单晶;具体步骤如下:
(1)氮化碳粉末的合成
采用熔盐辅助的方法合成C-N材料,具体包括如下步骤:
(1.1)以碳氮氢化合物为原料,高纯度卤化物盐ZnCl2-NaCl、LiCl-KCl或KCl-NaCl为熔盐介质;将碳氮氢化合物和熔盐介质按比例在球磨机中混合均匀;其中熔盐介质中低熔点卤化物盐与高熔点卤化物盐的质量比为1:3-3:1,碳氮氢化合物与熔盐介质质量比为5%-50%;
(1.2)将球磨后的混合料于氮气气氛下以5~15℃min-1的速度加热至200~900℃后保持1h;
(1.3)自然冷却至室温,将获得的固体物研磨,用质量分数2%-20%的稀盐酸溶液彻底去除无机盐和反应的残余物;
(1.4)用热去离子水边清洗边搅拌2h,最后过滤;
(1.5)用蒸馏水洗涤至中性数次后,在80℃真空中干燥10-15h,或将其置入水悬浮溶液中,在真空中干燥10-20h,获得氮化碳粉末;
(2)高氮含量宝石级金刚石高温高压合成
在碳源的基础上添加步骤(1)得到的氮化碳粉末,氮化碳粉末与碳源(如石墨)的质量比在20-100%之间,将处理后的原料和触媒合成块装入叶腊石的合成腔体中,控制压力和温度;其中合成压力为4-10GPa,温度为1000-1700℃,合成时间为10-48小时;合成后的样品先在100℃的质量分数为30%-60%稀硝酸中处理20-40min,然后再把合成晶体放入体积比1:10-1:1的浓硫酸与质量分数为96%-98%的浓硝酸的混合液中进行长时间的精细提纯处理,去除晶体表面上附着的杂质;最后在低压下对高氮金刚石进行高温退火处理,使晶体转变为接近无色的Ia型金刚石,其中压力为2-4GPa,温度为1300-2000℃。
本发明的有益效果:本发明的高氮含量金刚石材料,采用氮化碳材料作为碳源或添加剂,氮是以化学键的形式存在于碳源或添加剂中,利用高温超高压条件,可获得大量的NV色心;加氮化碳系材料,不仅可以提供氮含量,还可以作为碳源,不会引入其他杂质。
具体实施方式
以下结合技术方案,进一步说明本发明的具体实施方式。
(1)选1.0g,7.4mmol的碳氮氢化合物腺嘌呤为原料,ZnCl2-NaCl为熔盐,其中低熔点的ZnCl2与高熔点NaCl质量比为1:1,即5.0g,36.68mmol的ZnCl2和5.0g,85.56mmol的NaCl。
(2)将腺嘌呤原料和熔盐在球磨机中混合均匀。
(3)球磨后的混合料置入坩埚中,在管式炉中并在氮气气氛下以5℃min-1的速度加热至800℃后保温1h。
(4)自然冷却后,获得的固体研磨后用稀盐酸溶液彻底去除无机盐和反应的残余物。用去离子水(~80℃)边清洗边搅拌2h,最后过滤。
(5)用蒸馏水洗涤至中性数次后,在80℃真空中干燥12h,获得C-N材料。
(6)将高温高压设备的各组装单元进行清洗。将所制备的氮化碳粉末与石墨按质量比50%混合,将混合物预压成型。
(7)将金属触媒进行冷压成块,然后进行脱氧处理,其中金属触媒与原材料质量比为3:7。将样品组装块放置在干燥箱内(120℃)2h,除去组装材料里吸附空气中的水分。
(8)取出样品组装块,放置在六面顶高压设备上进行金刚石合成。压力约为5.5GPa,温度约为1450℃,时间为12小时。
(9)晶体合成以后,将包裹晶体的触媒部分进行加热酸处理,100℃的热稀硝酸(浓度为50%)中处理30min。然后再把晶体放入浓硫酸与浓硝酸的混合液(体积比1:1)中进行长时间的精煮处理去除晶体表面上附着的杂质。最后获得高氮含量的宝石级金刚石。

Claims (2)

1.一种提高高温高压合成宝石级金刚石氮含量的方法,以碳氮氢化合物为原料,采用熔盐辅助的方法将碳氮氢化合物转变成含C-N化学键的氮化碳粉末;以氮化碳粉末作为添加剂,金属合金粉作为触媒,采用传统的六面顶压机,通过温度梯度法合成高氮含量的宝石级金刚石单晶;其特征在于,具体步骤如下:
(1)氮化碳粉末的合成
采用熔盐辅助的方法合成C-N材料,具体包括如下步骤:
(1.1)以碳氮氢化合物为原料,高纯度卤化物盐ZnCl2-NaCl、LiCl-KCl或KCl-NaCl为熔盐介质;将碳氮氢化合物和熔盐介质按比例在球磨机中混合均匀;其中熔盐介质中低熔点卤化物盐与高熔点卤化物盐的质量比为1:3-3:1,碳氮氢化合物与熔盐介质质量比为5%-50%;
(1.2)将球磨后的混合料于氮气气氛下以5~15℃min-1的速度加热至200~900℃后保持1h;
(1.3)自然冷却至室温,将获得的固体物研磨,用质量分数2%-20%的稀盐酸溶液彻底去除无机盐和反应的残余物;
(1.4)用热去离子水边清洗边搅拌2h,最后过滤;
(1.5)用蒸馏水洗涤至中性数次后,在80℃真空中干燥10-15h,或将其置入水悬浮溶液中,在真空中干燥10-20h,获得氮化碳粉末;
(2)高氮含量宝石级金刚石高温高压合成
在碳源的基础上添加步骤(1)得到的氮化碳粉末,氮化碳粉末与碳源的质量比在20-100%之间,将处理后的原料和触媒合成块装入叶腊石的合成腔体中,控制压力和温度;其中合成压力为4-10GPa,温度为1000-1700℃,合成时间为10-48小时;合成后的样品先在100℃的质量分数为30%-60%稀硝酸中处理20-40min,然后再把合成晶体放入体积比1:10-1:1的浓硫酸与质量分数为96%-98%的浓硝酸的混合液中进行长时间的精细提纯处理,去除晶体表面上附着的杂质;最后在低压下对高氮金刚石进行高温退火处理,使晶体转变为接近无色的Ia型金刚石,其中压力为2-4GPa,温度为1300-2000℃;
所述的碳氮氢化合物为腺嘌呤。
2.根据权利要求1所述的提高高温高压合成宝石级金刚石氮含量的方法,其特征在于,所述的碳源为石墨。
CN202011135332.2A 2020-10-22 2020-10-22 一种提高高温高压合成宝石级金刚石氮含量的方法 Active CN112481698B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011135332.2A CN112481698B (zh) 2020-10-22 2020-10-22 一种提高高温高压合成宝石级金刚石氮含量的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011135332.2A CN112481698B (zh) 2020-10-22 2020-10-22 一种提高高温高压合成宝石级金刚石氮含量的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112481698A CN112481698A (zh) 2021-03-12
CN112481698B true CN112481698B (zh) 2022-04-12

Family

ID=74926952

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011135332.2A Active CN112481698B (zh) 2020-10-22 2020-10-22 一种提高高温高压合成宝石级金刚石氮含量的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112481698B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113441088B (zh) * 2021-08-18 2023-04-11 张相法 一种立方氮化硼-金刚石聚晶烧结体及其制造工艺
CN114950271B (zh) * 2022-05-16 2023-04-14 湖南良诚新材料科技有限公司 一种金刚石单晶的制备方法
CN117026356A (zh) * 2023-08-23 2023-11-10 山东省科学院新材料研究所 一种氮掺杂金刚石单晶的制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109663543B (zh) * 2018-12-19 2023-02-24 郑州中南杰特超硬材料有限公司 一种直接转化合成硼皮氮芯多晶金刚石制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112481698A (zh) 2021-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112481698B (zh) 一种提高高温高压合成宝石级金刚石氮含量的方法
KR101413653B1 (ko) 고순도 탄화규소 분말의 제조방법
CN101308718B (zh) 一种稀土-铁超磁致伸缩材料
CN109252081A (zh) 一种高熵合金粘结相超细碳化钨硬质合金及其制备方法
CN112371148A (zh) 一种用于高温高压合成金刚石的新型触媒的制备方法
CN108557788B (zh) 一种低能耗的黑磷单晶制备方法
CN109053175B (zh) 一种铈掺杂焦硅酸镥闪烁陶瓷及其制备方法
CN111074341A (zh) 一种制备高纯原料的方法
CN105363386A (zh) 生命钻石的高温高压制备工艺
CN100366581C (zh) 单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的制备方法
CN105126853B (zh) 一种合成优质宝石级金刚石大单晶用触媒及其制备方法
CN109663543B (zh) 一种直接转化合成硼皮氮芯多晶金刚石制备方法
CN1887803A (zh) 单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭隔热屏的制备方法
CN107540411B (zh) 一种降低碳纤维增强陶瓷基复合材料中残留硅含量的方法
CN108560053A (zh) 一种镧、镝、铈共掺的硅酸钇镥闪烁材料及其晶体生长方法
CN110670136B (zh) 一种立方氮化硼的合成方法
CN112981533A (zh) 以金属铝和高纯氮气为原料pvt法生长氮化铝晶体的方法
US4045186A (en) Method for producing large soft hexagonal boron nitride particles
CN114538387B (zh) 一种高纯度碲化锡的制备方法
CN112064120B (zh) 一种大尺寸培育金刚石用籽晶及其制备方法
CN115573025A (zh) 一种5n以上高纯石英砂用人造石英晶体原料生长方法
CN112495303B (zh) 一种自锐性金刚石及其制备方法
JPH0535084B2 (zh)
RU2640788C1 (ru) Способ получения легированного монокристалла алмаза
CN110922176A (zh) 一种石英陶瓷坩锅材料的生产工艺

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant