CN112415825B - 一种激光感应阵列基板制备方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种激光感应阵列基板制备方法及显示装置，包括：在衬底基板的表面通过沉积、蚀刻和显影工艺依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、源极、漏极、钝化层和像素电极，得到具有第一表面的第一阵列基板，所述第一阵列基板包括感应薄膜晶体管、时序薄膜晶体管和存储电容；在所述第一阵列基板的第一表面沉积遮光沉积层；采用掩模版对遮光沉积层进行曝光和显影处理，得到具有隔垫物与遮光层的激光感应阵列基板；本申请提供一种显示装置；本申请实施例提供的激光感应阵列基板能够防止玻璃盖板及异物压伤激光感应阵列基板的薄膜晶体管及线路，还能降低激光感应阵列基板和玻璃基板进行粘合时使用胶水厚度，实现激光显示器轻薄化。

Description

一种激光感应阵列基板制备方法及显示装置

技术领域

本申请实施例涉及显示面板领域，尤其涉及一种激光感应阵列基板制备方法及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)因具有轻、薄、小等特点，同时功耗低、无辐射、制造成本相对较低，在目前平板显示行业应用较为广泛。为拓宽液晶显示器商用及家用功能，现将诸多功能集成在显示器中，如色温感测，激光感测，气体感测等，提高了液晶显示器可应用场景。但诸多集成功能均处在新开发阶段，尚有较多工艺制程及相关设计需要完善，以便提高多种集成功能液晶显示器性能；为了实现液晶显示器能够感应外部激光，同时将感应到的激光信号传递给显示器，指示液晶显示器相应位置发生色彩变化，达到液晶显示器在激光扫描位置产生相应信号的功能，目前的一种结构为在液晶显示器外部外挂具体激光感应功能的激光感应阵列基板，通过胶水，将激光感应阵列基板与显示器粘结，该激光感应阵列基板上分布着整面性的具有感光功能的薄膜晶体管，在激光照射时，被激光照射部位的感应薄膜晶体管会产生一定的电流信号，使得显示器固定位置产生颜色变化，实现激光笔照射位置，液晶显示器颜色发生变化的功能。

在对现有技术的研究和实践过程中，本申请实施例的发明人发现，激光感应阵列基板中具有可将激光信号转换为电信号的感应薄膜晶体管，也有控制薄膜晶体管产生的电信号周期性传出的开关薄膜晶体管以及存储电容，还设置有黑色光刻胶，黑色光刻胶是为了防止时序薄膜晶体管在光照射下发生漏电流，无法保持周期性传输感应薄膜晶体管产生的电信号，因此在感应薄膜晶体管设置了进行光遮挡的黑色光刻胶；上述制程完成后，在激光感应阵列基板上覆盖胶水，以便与玻璃盖板进行贴合，防止激光感应阵列基板被刮伤。为确保激光感应阵列基板上的薄膜晶体管不被刮伤，同时防止胶水不平坦时，盖板压伤薄膜晶体管，通常要求胶水厚度较厚，厚度一般为20μm至50μm，将导致整个激光显示器厚度较厚，严重影响产品轻薄效果。

发明内容

本申请实施例提供一种激光感应阵列基板制备方法及显示装置，通过本申请实施例提供的激光感应阵列基板制备方法及显示装置可以降低胶水厚度，实现激光显示器的轻薄化。

第一方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括：显示面板和激光感应阵列基板，所述显示面板的第一表面依次设置所述激光感应阵列基板，所述显示面板与所述激光感应阵列基板设置有第二胶水层，其中，所述激光感应阵列基板包括一具有第一表面的衬底基板以及形成于所述衬底基板的第一表面的感应薄膜晶体管、时序薄膜晶体管、存储电容、第一隔垫物、第二隔垫物、第三隔垫物和遮光层，所述激光感应阵列基板的第一表面覆盖一玻璃盖板，所述激光感应阵列基板与所述玻璃盖板之间设置第一胶水层进行贴合。

在一些实施例中，所述第一隔垫物设置在所述感应薄膜晶体管对应的所述像素电极一侧或所述钝化层一侧。

在一些实施例中，所述第二隔垫物设置在所述遮光层一侧。

在一些实施例中，所述第三隔垫物设置在所述存储电容对应的所述像素电极一侧。

在一些实施例中，所述显示面板包括阵列基板、液晶层和彩膜基板，所述液晶层和彩膜基板依次设置在所述阵列基板的第一表面。

第一方面，本申请实施例提供了一种激光感应阵列基板制备方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板的表面通过沉积、蚀刻和显影工艺依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、源极、漏极、钝化层和像素电极，得到具有第一表面的第一阵列基板，所述第一阵列基板包括感应薄膜晶体管区域、时序薄膜晶体管区域和存储电容区域，所述感应薄膜晶体管区域设置有感应薄膜晶体管，所述时序薄膜晶体管区域设置有时序薄膜晶体管，所述存储电容区域设置有存储电容；

在所述第一阵列基板的第一表面沉积遮光沉积层；

对遮光沉积层进行曝光和显影处理，形成具有隔垫物与遮光层的激光感应阵列基板。

在一些实施例中，对遮光沉积层进行曝光和显影处理，包括：

采用掩膜版对遮光沉积层进行曝光和显影处理；

所述掩模版包括遮光区与透光区，所述遮光区包括第一遮光区、第二遮光区和第三遮光区，所述第一遮光区与所述感应薄膜晶体管区域对应设置，所述第二遮光区与所述时序薄膜晶体管区域对应设置，所述第三遮光区与所述存储电容区域对应设置；所述透光区包括第一透光区、第二透光区和第三透光区，所述第一透光区与所述感应薄膜晶体管区域的像素电极层对应设置，所述第二透光区与所述时序薄膜晶体管区域的所述像素电极层对应设置，所述第三透光区与所述存储电容区域的所述像素电极层对应设置。

在一些实施例中，对遮光沉积层进行曝光和显影处理，包括：

采用掩膜版对遮光沉积层进行曝光和显影处理；

所述掩模版包括遮光区与透光区，所述遮光区包括第一遮光区、第二遮光区和第三遮光区，所述第一遮光区与所述感应薄膜晶体管区域对应设置，所述第二遮光区与所述时序薄膜晶体管区域对应设置，所述第三遮光区与所述存储电容区域对应设置；所述透光区包括第一透光区、第二透光区和第三透光区，所述第一透光区与所述感应薄膜晶体管区域的钝化层对应设置，所述第二透光区与所述时序薄膜晶体管区域的所述钝化层对应设置，所述第三透光区与所述存储电容区域的像素电极层对应设置。

在一些实施例中，所述掩膜版为半色调掩膜版。

在一些实施例中，所述第一遮光区与所述第三遮光区的穿透率为0，所述第二遮光区的穿透率介于0至100％，所述透光区的穿透率为100％。

在一些实施例中，对遮光沉积层进行曝光和显影处理，形成具有隔垫物与遮光层的激光感应阵列基板，包括：

采用所述掩模版对所述遮光沉积层进行曝光、显影处理，在所述遮光沉积层对应所述第一透光区处形成第一隔垫物，在所述遮光沉积层对应所述第二透光区处形成第二隔垫物，在所述遮光沉积层对应所述第三透光区处形成第三隔垫物，在所述遮光沉积层对应所述第二遮光区处形成遮光层。

在一些实施例中，所述遮光沉积层高度范围介于3μm至10μm。

在一些实施例中，形成具有隔垫物与遮光层的激光感应阵列基板之后，包括：

在所述激光感应阵列基板的第一表面覆盖一玻璃盖板，所述激光感应阵列基板与所述玻璃盖板之间设置第一胶水层进行贴合。

在一些实施例中，所述第一胶水层高度范围介于3μm至10μm。

本申请实施例提供一种激光感应阵列基板制备方法及显示装置，通过本申请实施例提供的激光感应阵列基板制备方法，可以在激光感应阵列基板制备具有一定高度的柱状隔垫物，制备的柱状隔垫物可以控制激光感应阵列基板与玻璃盖板之间距离，能够在防止玻璃盖板及异物压伤激光感应阵列基板的薄膜晶体管及金属线路，在防止玻璃盖板及异物压伤激光感应阵列基板的薄膜晶体管及金属线路的同时，本申请实施例还能降低激光感应阵列基板和玻璃基板进行粘合时使用胶水的厚度，实现激光显示器轻薄化。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本申请实施例的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的激光感应阵列基板制备方法的一种流程示意图。

图2为本申请实施例提供的第一阵列基板的一种结构示意图。

图3为本申请实施例提供的激光感应阵列基板的一种结构示意图。

图4为本申请实施例提供的激光感应阵列基板的另一种结构示意图。

图5为本申请实施例提供的激光感应阵列基板的另一种结构示意图。

图6为本申请实施例提供的激光感应阵列基板与玻璃盖板贴合时的一种结构示意图。

图7为本申请实施例提供的显示装置的一种结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多所述特征。在本申请的描述中，“”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

本发明实施例提供一种激光感应阵列基板以及配备该激光感应阵列基板的显示装置，该显示装置可以配合终端使用，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑或个人计算机等。以下对该激光感应阵列基板制备方法以及显示装置进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

下面结合附图和具体实施方式对本发明予以详细描述，请参阅图1至图7。

请参阅图1，本申请实施例提供一种激光感应阵列基板制备方法，所述激光感应阵列基板制备方法包括：

A、提供一衬底基板；

B、在所述衬底基板的表面通过沉积、蚀刻和显影工艺依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、源极、漏极、钝化层和像素电极，得到具有第一表面的第一阵列基板，所述第一阵列基板包括感应薄膜晶体管区域、时序薄膜晶体管区域和存储电容区域；

请参阅图2，具体的，本申请实施例在所述衬底基板121的表面依次形成栅极122、栅极绝缘层123、有源层124、欧姆接触层125、源极1261、漏极1262、钝化层127和像素电极128，所述像素电极为透明金属氧化物制成的像素电极，得到具有第一表面的第一阵列基板，所述第一阵列基板包括感应薄膜晶体管区域a、时序薄膜晶体管区域b和存储电容区域c，应当理解，本申请实施例对栅极122、栅极绝缘层123、有源层124、欧姆接触层125、源极1261、漏极1262、钝化层127和像素电极128的具体制备工艺方法并不做限定。

具体的，在本申请实施例中，所述感应薄膜晶体管区域a设置有感应薄膜晶体管，所述时序薄膜晶体管区域b设置有时序薄膜晶体管，所述存储电容区域c设置有存储电容。

C、在所述第一阵列基板的第一表面沉积遮光沉积层；

请参阅图2，具体的，在本申请实施例中，对制备了感应薄膜晶体管区域a、时序薄膜晶体管区域b和存储电容区域c的第一阵列基板的第一表面沉积或涂布一层遮光沉积层129，该遮光沉积层129的材质可以为黑色光刻胶，应当理解，本申请实施例对黑色光刻胶的类型、工艺条件以及厚度等并不做限定。

具体的，在本申请实施例中，所述遮光沉积层129高度范围介于3μm至10μm。

D、对遮光沉积层进行曝光和显影处理，形成具有隔垫物与遮光层的激光感应阵列基板。

具体的，在本申请实施例中，所述掩模版包括遮光区与透光区，所述遮光区包括第一遮光区、第二遮光区和第三遮光区，所述第一遮光区与所述感应薄膜晶体管区域对应设置，所述第二遮光区与所述时序薄膜晶体管区域对应设置，所述第三遮光区与所述存储电容区域对应设置；所述透光区包括第一透光区、第二透光区和第三透光区，所述第一透光区与所述感应薄膜晶体管区域对应设置，所述第二透光区与所述时序薄膜晶体管区域对应设置，所述第三透光区与所述存储电容区域对应设置。

具体的，本发明实施例隔垫物的设置具体有如下两种可能的实现方式：

可选的，在第一种可能的实现方式中，所述掩模版包括遮光区与透光区，所述遮光区包括第一遮光区、第二遮光区和第三遮光区，所述第一遮光区与所述感应薄膜晶体管对应设置，所述第二遮光区与所述时序薄膜晶体管对应设置，所述第三遮光区与所述存储电容对应设置；所述透光区包括第一透光区、第二透光区和第三透光区，所述第一透光区与所述感应薄膜晶体管的像素电极层对应设置，所述第二透光区与所述时序薄膜晶体管的所述像素电极层对应设置，所述第三透光区与所述存储电容的所述像素电极层对应设置。

可选的，在第二种可能的实现方式中，所述掩模版包括遮光区与透光区，所述遮光区包括第一遮光区、第二遮光区和第三遮光区，所述第一遮光区与所述感应薄膜晶体管对应设置，所述第二遮光区与所述时序薄膜晶体管对应设置，所述第三遮光区与所述存储电容对应设置；所述透光区包括第一透光区、第二透光区和第三透光区，所述第一透光区与所述感应薄膜晶体管的钝化层对应设置，所述第二透光区与所述时序薄膜晶体管的所述钝化层对应设置，所述第三透光区与所述存储电容的像素电极层对应设置。

具体的，本发明实施例所述掩膜版为半色调掩膜版，所述第一遮光区与所述第三遮光区的穿透率为0，所述第二遮光区的穿透率介于0至100％，所述透光区的穿透率为100％。

请参阅图3、图4和图5，具体的，在本申请实施例中，所述掩模版2的所述第一遮光区211与所述感应薄膜晶体管区域a对应设置，所述第二遮光区212与所述时序薄膜晶体管区域b对应设置，所述第三遮光区213与所述存储电容区域c对应设置；所述第一透光区221与所述感应薄膜晶体管区域a的钝化层127对应设置，所述第二透光区222与所述时序薄膜晶体管区域b的所述钝化层127对应设置，所述第三透光区223与所述存储电容区域c的像素电极层128对应设置；采用所述掩模版2对所述遮光沉积层129进行曝光，所述第一遮光区211与所述第三遮光区213的穿透率为0，所述第二遮光区212的穿透率介于0至100％，所述透光区22的穿透率为100％，对经过曝光的遮光沉积层129进行显影、烘烤等黄光制程处理，在所述第一透光区221形成第一隔垫物1291，在所述第二透光区222形成第二隔垫物1292，在所述第三透光区223形成第三隔垫物1293，在所述第二遮光区212形成遮光层1294。

应当理解，本申请实施例对所述隔垫物在所述钝化层和所述像素电极层的具***置并不做限定，所述隔垫物可以在所述钝化层和所述像素电极层区间上方的任意位置；本申请实施例中的遮光层的宽度只需覆盖所述时序薄膜晶体管对应的有源层即可，本申请实施例对所述遮光层的宽度范围等并不做限定。

请参阅图6，具体的，在本申请实施例中，采用掩模版2对遮光沉积层129进行曝光和显影处理，得到具有隔垫物与遮光层1294的激光感应阵列基板12之后，在所述激光感应阵列基板12的第一表面覆盖一玻璃盖板11，所述激光感应阵列基板12与所述玻璃盖板11之间设置第一胶水层14进行贴合。

具体的，在本申请实施例中，所述第一胶水层14高度范围介于3μm至10μm。

综上所述，本申请实施例提供一种激光感应阵列基板制备方法，通过本申请实施例提供的激光感应阵列基板制备方法，可以在激光感应阵列基板制备具有一定高度的柱状隔垫物，制备的柱状隔垫物可以控制激光感应阵列基板与玻璃盖板之间距离，能够在防止玻璃盖板及异物压伤激光感应阵列基板的薄膜晶体管及金属线路，在防止玻璃盖板及异物压伤激光感应阵列基板的薄膜晶体管及金属线路的同时，本申请实施例还能降低激光感应阵列基板和玻璃基板进行粘合时使用胶水的厚度，实现激光显示装置的轻薄化。

以上对本申请实施例中激光感应阵列基板制备方法进行说明，下面从显示装置1的角度对本发明进行描述，请参阅图7，本申请实施例还提供一种显示装置1，所述显示装置1包括显示面板13、激光感应阵列基板12和玻璃盖板11，所述显示面板13的第一表面依次设置所述激光感应阵列基板12和所述玻璃盖板11，所述显示面板13还包括背光模组，所述显示面板13与所述激光感应阵列基板12设置有第二胶水层15，所述激光感应阵列基板12与所述显示面板13之间设置有第一胶水层14，其中，所述激光感应阵列基板12包括一具有第一表面的衬底基板121以及形成于所述衬底基板121的第一表面的感应薄膜晶体管a、时序薄膜晶体管b、存储电容c、第一隔垫物1291、第二隔垫物1292、第三隔垫物1293和遮光层1294，所述显示面板13包括阵列基板131、液晶层132和彩膜基板133，所述液晶层132和彩膜基板133依次设置在所述阵列基板131的第一表面，其中，所述第一胶水层14高度范围介于3μm至10μm。

具体地，在本申请实施例中，所述阵列基板包括衬底层、设于所述衬底层上的缓冲层、设于所述缓冲层上的有源层、设于所述有源层上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的栅极层、设于所述栅极层上的层间介质层、设于所述层间介质层上的源漏极层，设于所述源漏极层上的平坦层、设于所述平坦层上的像素电极层、设于所述像素电极层上的像素定义层，本申请实施例的改进点在于激光感应阵列基板12，因此对于阵列基板和彩膜基板便不再一一赘述。

综上所述，本申请实施例提供一种显示装置，该显示装置包括采用本申请实施例制备的激光感应阵列基板，所述激光感应阵列基板制备具有一定高度的柱状隔垫物，所述柱状隔垫物可以控制激光感应阵列基板与玻璃盖板之间距离，能够在防止玻璃盖板及异物压伤激光感应阵列基板的薄膜晶体管及金属线路，在防止玻璃盖板及异物压伤激光感应阵列基板的薄膜晶体管及金属线路的同时，本申请实施例还能降低激光感应阵列基板和玻璃基板进行粘合时使用胶水的厚度，实现激光显示装置的轻薄化。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。上述所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得所有其他实施例，除本申请实施例提到的与本申请实施例方案一致的此类设计，都属于本申请保护的范围。

以上对本申请实施例所提供的一种激光感应阵列基板制备方法及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (12)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：显示面板和激光感应阵列基板，所述显示面板的第一表面依次设置所述激光感应阵列基板和玻璃盖板，所述显示面板与所述激光感应阵列基板之间设置有第二胶水层，其中，所述激光感应阵列基板包括一具有第一表面的衬底基板以及形成于所述衬底基板的第一表面的感应薄膜晶体管、时序薄膜晶体管、存储电容、第一隔垫物、第二隔垫物、第三隔垫物和遮光层，所述激光感应阵列基板的第一表面覆盖所述玻璃盖板，所述激光感应阵列基板与所述玻璃盖板之间设置第一胶水层进行贴合，所述第一胶水层高度范围介于3μm至10μm；

其中，所述显示面板包括阵列基板、液晶层、彩膜基板和背光模组，所述液晶层和彩膜基板依次设置在所述阵列基板的第一表面。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一隔垫物设置在所述感应薄膜晶体管对应的像素电极一侧或钝化层一侧。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二隔垫物设置在所述遮光层一侧。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第三隔垫物设置在所述存储电容对应的像素电极一侧。

5.一种激光感应阵列基板制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板的表面通过沉积、蚀刻和显影工艺依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、源极、漏极、钝化层和像素电极，得到具有第一表面的第一阵列基板，所述第一阵列基板包括感应薄膜晶体管区域、时序薄膜晶体管区域和存储电容区域，所述感应薄膜晶体管区域设置有感应薄膜晶体管，所述时序薄膜晶体管区域设置有时序薄膜晶体管，所述存储电容区域设置有存储电容；

在所述第一阵列基板的第一表面沉积遮光沉积层；

对遮光沉积层进行曝光和显影处理，形成具有隔垫物与遮光层的激光感应阵列基板。

6.根据权利要求5所述的激光感应阵列基板制备方法，其特征在于，对遮光沉积层进行曝光和显影处理，包括：

采用掩膜版对遮光沉积层进行曝光和显影处理；

所述掩膜版包括遮光区与透光区，所述遮光区包括第一遮光区、第二遮光区和第三遮光区，所述第一遮光区与所述感应薄膜晶体管区域对应设置，所述第二遮光区与所述时序薄膜晶体管区域对应设置，所述第三遮光区与所述存储电容区域对应设置；所述透光区包括第一透光区、第二透光区和第三透光区，所述第一透光区与所述感应薄膜晶体管区域的像素电极层对应设置，所述第二透光区与所述时序薄膜晶体管区域的所述像素电极层对应设置，所述第三透光区与所述存储电容区域的所述像素电极层对应设置。

7.根据权利要求5所述的激光感应阵列基板制备方法，其特征在于，对遮光沉积层进行曝光和显影处理，包括：

采用掩膜版对遮光沉积层进行曝光和显影处理；

所述掩膜版包括遮光区与透光区，所述遮光区包括第一遮光区、第二遮光区和第三遮光区，所述第一遮光区与所述感应薄膜晶体管区域对应设置，所述第二遮光区与所述时序薄膜晶体管区域对应设置，所述第三遮光区与所述存储电容区域对应设置；所述透光区包括第一透光区、第二透光区和第三透光区，所述第一透光区与所述感应薄膜晶体管区域的钝化层对应设置，所述第二透光区与所述时序薄膜晶体管区域的所述钝化层对应设置，所述第三透光区与所述存储电容区域的像素电极层对应设置。

8.根据权利要求6或7所述的任一项激光感应阵列基板制备方法，其特征在于，所述掩膜版为半色调掩膜版。

9.根据权利要求5所述的激光感应阵列基板制备方法，其特征在于，对遮光沉积层进行曝光和显影处理，形成具有隔垫物与遮光层的激光感应阵列基板，包括：

采用掩膜版对所述遮光沉积层进行曝光、显影处理，在所述遮光沉积层对应第一透光区处形成第一隔垫物，在所述遮光沉积层对应第二透光区处形成第二隔垫物，在所述遮光沉积层对应第三透光区处形成第三隔垫物，在所述遮光沉积层对应第二遮光区处形成遮光层。

10.根据权利要求5所述的激光感应阵列基板制备方法，其特征在于，所述遮光沉积层高度范围介于3μm至10μm。

11.根据权利要求5所述的激光感应阵列基板制备方法，其特征在于，形成具有隔垫物与遮光层的激光感应阵列基板之后，包括：

在所述激光感应阵列基板的第一表面覆盖一玻璃盖板，所述激光感应阵列基板与所述玻璃盖板之间设置第一胶水层进行贴合。

12.根据权利要求11所述的激光感应阵列基板制备方法，其特征在于，所述第一胶水层高度范围介于3μm至10μm。

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