CN202142534U - 阵列基板、液晶面板及显示设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种阵列基板，包括数据线和栅极扫描线，所述数据线与栅极扫描线之间存在交叠区域，所述数据线上覆盖有钝化层，所述数据线在与栅极扫描线交叠的至少一个区域内的宽度，较在与栅极扫描线非交叠的区域内的宽度窄；所述钝化层上在数据线宽窄变化的过渡区域分别设置有至少一个过孔；在数据线变窄区域的上方沉积有像素电极材料，所述像素电极材料通过所述过孔与数据线导通。使用本实用新型提供的阵列基板，可以减小数据线与栅极扫描线之间的寄生电容，提高LCD的显示效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、液晶面板及显示设备。
背景技术
近年来，随着数字化电视的普及，传统的阴极射线管(CRT，Cathode RayTube)显示由于数字化困难以及体积大、重量大、有辐射等缺点，逐渐被新一代显示技术所替代。液晶显示器(LCD，LiLuid Crystal Display)具有重量轻、体积小、功耗低、无辐射、显示分辨率高等优点，逐渐成为主流产品。
LCD的主体结构包括对盒的阵列基板和彩膜基板，阵列基板的具体构成如图1a所示，此外图1b为沿图1a中现有技术中的阵列基板俯视图沿A-A’线提取的截面图。其中阵列基板包括玻璃基板101，通过在玻璃基板101上覆盖栅金属膜，基于覆盖的栅金属膜形成的栅电极102、栅极扫描线103和存储电容电极104，在栅电极102和栅极扫描线103上覆盖有绝缘层105，在绝缘层105上覆盖有源层106和数据线109，在有源层106上分别设置有源电极107和漏电极108，其中源电极107与漏电极108相对设置，且源电极107的一端与数据线109接触；在覆盖有源层106和数据线109的绝缘层105上覆盖有钝化层110，在钝化层110上形成有像素电极111，像素电极111通过钝化层110上设置的数个第一过孔112之一与漏电极108连接。
现有技术中，在LCD阵列基板的制造过程中，由于像素电极111与栅极扫描线103之间、像素电极111与数据线107之间、数据线107与栅极扫描线103之间的交叉交叠从而使阵列基板存在寄生电容。寄生电容是指非设计而产生的电容，因为该寄生电容的存在，便会产生源信号的延迟，进而由于源信号的延迟而使LCD的显示亮度发生改变，同时因为源信号的延迟产生的垂直串扰，使会LCD的显示图像产生闪烁、图像暂留或图像亮度不均匀等问题。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种阵列基板，用以提高LCD的显示效果。
一种阵列基板，包括数据线和栅极扫描线，所述数据线与栅极扫描线之间存在交叠区域，所述数据线上覆盖有钝化层，所述数据线在与栅极扫描线交叠的至少一个区域内的宽度，较在与栅极扫描线非交叠的区域内的宽度窄；所述钝化层上在数据线宽窄变化的过渡区域分别设置有至少一个过孔；数据线变窄区域的上方沉积有像素电极材料，所述像素电极材料通过所述过孔与数据线导通。
一种液晶面板，包括使用本实用新型提供的阵列基板。
一种显示设备，包括使用本实用新型提供的液晶面板。
本实用新型实施例提供的阵列基板，由于数据线在与栅极扫描线交叠的区域内的宽度，较在与栅极扫描线非交叠的区域内的宽度变小，从而避免了现有技术中的阵列基板中由于存在大量寄生电容，会影响LCD显示效果的问题，因此基于本实用新型实施例提供的阵列基板可以提高LCD的显示效果。
附图说明
图1a为现有技术中的LCD阵列基板的俯视结构图；
图1b为沿图1a中现有技术中的LCD阵列基板俯视图沿A-A’线提取的截面图；
图2a为本实用新型实施例中LCD阵列基板的俯视结构图；
图2b为沿图2a中本实用新型实施例中的LCD阵列基板俯视结构图沿A-A’线提取的截面图；
图3为本实用新型实施例提出的阵列基板制造方法流程图；
图4a为本实用新型实施例提出的玻璃基板上形成栅电极、栅极扫描线和存储电容电极后的阵列基板的俯视结构图；
图4b为对图4a中所示的阵列基板的俯视结构图沿A-A’线提取的截面图；
图5a为本实用新型实施例提出的设置绝缘层的阵列基板俯视结构图；
图5b为对图5a中所示的阵列基板俯视结构图沿A-A’线提取的截面图；
图6a为本实用新型实施例提出的覆盖钝化层后的阵列基板俯视结构图；
图6b为对图6a所示的阵列基板俯视结构图沿A-A’线提取的截面图。
具体实施方式
针对现有技术中LCD阵列基板上由于寄生电容产生的源信号延迟，进而由于该源信号延迟而使LCD的显示亮度发生改变，同时因为改源信号延迟产生的垂直串扰，使LCD的显示图像产生闪烁、图像暂留或图像亮度不均匀等问题，从而影响到了LCD的显示效果，本实用新型实施例提供一种阵列基板，通过减小数据线与栅极扫描线之间的交叠面积，进而减小由于数据线与栅极扫描线之间的交叠而产生的寄生电容，从而使得基于本实用新型实施例提供的阵列基板制作的LCD的显示效果可以得到较好的提高。
本实用新型实施例提出的阵列基板组成结构如图2a所示，此外图2b为沿图2a中本实用新型实施例提出的阵列基板俯视图沿A-A’线提取的截面图，其中本实用新型提出的阵列基板包括玻璃基板101，通过在玻璃基板101上覆盖栅金属膜，基于覆盖的栅金属膜形成的栅电极102、栅极扫描线103和存储电容电极104，在栅电极102和栅极扫描线103上覆盖有绝缘层105，在绝缘层105上覆盖有源层106和数据线109，在有源层106上分别设置有源电极107和漏电极108，其中源电极107与漏电极108相对设置，且源电极107的一端与数据线109接触；在覆盖有源层106和数据线109的绝缘层105上覆盖有钝化层110，在钝化层110上形成有像素电极111，像素电极111通过钝化层110上设置的数个第一过孔112之一与漏电极108连接。
其中在现有技术中，在数据线109与栅极扫描线103之间交叠的区域中数据线109的宽度，与在数据线109与栅极扫描线103之间非交叠的区域中数据线109的宽度相同，这样就会导致数据线109与栅极扫描线103之间的交叠区域较大，从而会产生较大的寄生电容。
由于在现有技术中的阵列基板上，设置在绝缘层105上的数据线109和设置在玻璃基板101上的栅极扫描线103之间的交叠区域部分会产生寄生电容，根据寄生电容的计算公式：
Cgd＝ε0εnA/d
其中，Cgd代表寄生电容，ε0示真空介电常数，εn表示介质的介电常数，A表示栅极扫描线103和数据线109的交叠区域面积，d表示栅极扫描线103和数据线109之间的垂直距离；
由上述寄生电容的计算公式可知，要想减小寄生电容可以通过减小绝缘层105上的数据线109和玻璃基板101上的栅极扫描线103之间的交叠区域面积A或者增加栅极扫描线103和数据线109之间的垂直距离d来达到减小寄生电容Cgd的目的，本实用新型实施例这里提出的阵列基板通过减小在绝缘层105上的数据线109与玻璃基板101上的栅极扫描线103之间的交叠区域面积A来实现减小寄生电容Cgd的目的。具体地，本实用新型实施例提出将在数据线109与栅极扫描线103之间交叠的区域中数据线109的宽度，较在数据线109与栅极扫描线103之间非交叠的区域中数据线109的宽度变窄，从而减小数据线109与栅极扫描线103之间的交叠区域面积，进而减小数据线109与栅极扫描线103之间由于交叠区域较大的原因产生的寄生电容，从而提高LCD的显示效果。
更为具体地，数据线109在与栅极扫描线103交叠的区域内的宽度，较在与栅极扫描线103非交叠的区域内的宽度变小，其中在钝化层110中在数据线109中宽度小的部分与宽度大的部分的过渡区域分别设置有第二过孔113，进而在钝化层110上分别设置的第二过孔113上沉积有像素电极材料，从而实现像素电极材料与数据线109的宽度变小区域的导通，这样就可以补偿由于数据线109的宽度减小而使电阻增大的效应，同时覆盖在数据线109宽窄变化的过渡区域上的像素电极材料，并不会与数据线109之间形成寄生电容。
上述实施例中提出的数据线109与栅极扫描线103之间交叠的区域中数据线109的宽度变窄，数据线109变窄的宽度可以但不限于为数据线109与栅极扫描线103之间非交叠的区域中数据线109的宽度的三分之一，数据线109中宽度小的部分与宽度大的部分的过渡区域的形状可以是矩形，也可以是其它形状，如圆角矩形、弧形等。
本实用新型实施例提出的阵列基板，是基于最优实现方式实现的，其中，调整数据线109在与栅极扫描线103之间交叠的区域内的数据线109的宽度，具体可以将数据线109与栅极扫描线103之间所有交叠的区域内的数据线109的宽度变窄，也可以只将其中一个交叠区域或几个交叠区域内的数据线109的宽度变窄。更具体地，可以将阵列基板的数据线109与栅极扫描线103之间所有交叠的区域内的数据线109的宽度变小至相同的宽度，也可以将阵列基板的数据线109与栅极扫描线103之间所有交叠的区域内的数据线109的宽度变小至不同的宽度，此外，在钝化层110中在数据线109中宽度小的部分与宽度大的部分的过渡区域可以分别设置一个或者多个第二过孔113，这样就可以达到不同宽度的数据线对应减小的寄生电容也不相同，技术人员可以根据实际需要做不同的调整，以达到最佳效果。
在上述方案中，可以将数据线109变窄区域的上方沉积的像素电极材料的宽度设置为等于或小于数据线109变窄区域的宽度，优选为将数据线109变窄区域的上方沉积的像素电极材料的宽度设置为等于数据线109变窄区域的宽度，此时可以在数据线109变窄区域宽度一定的情况下，最大限度地减小该区域的电阻，提高显示效果。
相应地，这里还提出了一种阵列基板的制造方法，如图3所示，为制造该阵列基板的方法流程图，具体包括：
步骤31，在玻璃基板101上沉积一层栅金属薄膜，基于构图工艺在沉积的栅金属薄膜上形成栅电极102、栅极扫描线103的图案和存储电容电极104；
如图4a所示，为本实用新型实施例提出的在玻璃基板上形成栅电极102、栅极扫描线103和存储电容电极104后的阵列基板的俯视结构图，图4b为对图4a中所示的阵列基板的俯视结构图沿A-A’线提取的截面图。
其中玻璃基板101上覆盖的栅金属薄膜可以但不限于为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的单层膜，或者为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或任意组合所构成的复合膜。
步骤32，在步骤31处理后的形成有栅电极102、栅极扫描线103的图案和存储电容电极104的玻璃基板101上，沉积绝缘层105和有源层106，基于构图工艺在沉积的绝缘层105薄膜上形成数据线109、源电极107、和漏电极108；
如图5a所示，为本实用新型实施例提出的设置绝缘层的阵列基板俯视结构图，图5b为对图5a所示的阵列基板俯视结构图沿A-A’线提取的截面图。基于步骤31处理后的形成有栅电极102、栅极扫描线103的图案和存储电容电极104的玻璃基板101上，沉积有源层106和绝缘层105，并在绝缘层105上设置源电极107、漏电极108、和数据线109，源电极107的一端位于玻璃基板101上的栅电极102的上方，另一端与数据线109接触，漏电极108的一端位于玻璃基板101上的栅电极102上方，与源电极107相对设置，源电极107与漏电极108之间的沟道露出有源层106。并通过构图工艺在数据线109与栅极扫描线103之间交叠的区域，将数据线109的宽度缩小至数据线109与栅极扫描线103之间非交叠的区域的数据线109宽度的三分之一。
其中，覆盖栅电极102和栅极扫描线103、绝缘层105的金属膜层可以但不限于为SiNx、SiOx或SiOxNy的单层膜，或者为SiNx、SiOx或SiOxNy之一或任意组合所构成的复合膜，绝缘层105上的源电极107和漏电极108的金属膜层可以但不限于为Mo、MoW或Cr的单层膜，或者为Mo、MoW或Cr之一或任意组合所构成复合膜。
步骤33，基于步骤32处理后的阵列基板沉积钝化层110，并在钝化层110上开设多个过孔；
如图6a所示，为本实用新型实施例提出的覆盖钝化层110的阵列基板俯视结构图，图6b为对图6a所示的阵列基板俯视结构图沿A-A’线提取的截面图，在钝化层上设置数个第一过孔，第一过孔的形状可以但不限于为圆形，直径以不超过数据线109的宽度为宜。例如在钝化层110上靠近绝缘层105上的漏电极108一侧设置的第一过孔112。此外上述已经描述，在数据线109与栅极扫描线103之间交叠的区域中数据线109的宽度较非交叠区域中数据线109的宽度变窄，则这里在钝化层110上，处于数据线109宽度由宽变窄或由窄变宽的过渡区域中分别设置第二过孔113。其中，形成钝化层110的金属膜可以但不限于为PVX膜。
步骤34，基于步骤33处理后的阵列基板，沉积一层透明导电薄膜，基于构图工艺在沉积的透明导电薄膜上形成像素电极111；这样像素电极111就可以通过数个第一过孔112与绝缘层上的漏电极108连接，并通过数个第二过孔113实现像素电极材料的沉积导通，并由于像素电极材料覆盖在数据线109上宽窄变化的过渡区域上，这样就可以补偿由于数据线109宽度减小而使电阻增大的效应，同时覆盖在数据线109宽窄变化的过渡区域上的像素电极材料，并不会与数据线109之间形成寄生电容。
所述像素电极材料可以但不限于为ITO、IZO的单层膜，或者为ITO、IZO所构成的复合膜。
具体地，上述所述的构图工艺包括但不限于为光刻胶涂覆、掩膜、曝光、刻蚀等工艺。
相应地，本实用新型实施例还提出了一种使用本实用新型实施例中提出的阵列基板制造的液晶面板，即基于本实用新型上述提出的新的阵列基板制造的液晶面板也在本实用新型的保护范围之内。
本实用新型还提供一种显示设备，使用了上述的液晶面板。所述显示设备可以为液晶电视、笔记本电脑、手机、平板电脑等。
显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种阵列基板，包括数据线和栅极扫描线，所述数据线与栅极扫描线之间存在交叠区域，所述数据线上覆盖有钝化层，其特征在于：
所述数据线在与栅极扫描线交叠的至少一个区域内的宽度，较在与栅极扫描线非交叠的区域内的宽度窄；
所述钝化层上在数据线宽窄变化的过渡区域分别设置有至少一个过孔；数据线变窄区域的上方沉积有像素电极材料，所述像素电极材料通过所述过孔与数据线导通。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线在与栅极扫描线交叠的至少一个区域内的宽度，是在与栅极扫描线非交叠的区域内的宽度的三分之一。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线在与栅极扫描线交叠的每一区域内的宽度，较在与栅极扫描线非交叠的区域内的宽度窄。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线在与栅极扫描线交叠的至少一个区域内的部分的形状为矩形、圆角矩形或弧形。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层上在数据线宽窄变化的过渡区域分别设置有一个过孔。
6.如权利要求1～5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔为圆形、三角形或正方形。
7.如权利要求1～5任一项所述的阵列基板，其特征在于，数据线变窄区域的上方沉积的像素电极材料的宽度等于或小于数据线变窄区域的宽度。
8.如权利要求1～5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极为铟锡金属氧化物ITO或锆锡金属氧化物IZO的单层膜，或者为ITO和IZO所构成的复合膜。
9.一种液晶面板，其特征在于，包括权利要求1～8任一项所述的阵列基板。
10.一种显示设备，其特征在于，包括权利要求9所述的液晶面板。
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| Date | Code | Title | Description |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: JINGDONGFANG SCIENCE AND TECHNOLOGY GROUP CO., LTD Free format text: FORMER OWNER: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20150707 Owner name: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY Effective date: 20150707 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20150707 Address after: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No. Patentee after: BOE Technology Group Co., Ltd. Patentee after: Beijing BOE Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. Address before: 100176 Beijing city in Western Daxing District economic and Technological Development Zone, Road No. 8 Patentee before: Beijing BOE Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. |
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120208 Termination date: 20200810 |