CN112382664A - 一种倒装mosfet器件及其制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 57
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 14
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 5
- 238000012827 research and development Methods 0.000 abstract description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001354791 Baliga Species 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
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- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
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Abstract
本发明公开了一种倒装MOSFET器件及其制作方法，其中，倒装MOSFET器件包括从上至下依次层设的氧化镓衬底、n型掺杂氧化镓层、n型重掺杂氧化镓层、二氧化硅钝化层、氧化铝介质层、键合层和氮化铝导热层；所述n型重掺杂氧化镓层和所述二氧化硅钝化层之间设有源电极和漏电极，所述氧化铝介质层上设有栅电极；所述氧化镓衬底的自由端面上刻蚀有由微纳结构阵列形成的散热结构，所述微纳结构的横截面尺寸为微米级或纳米级。本发明在氧化镓衬底的表面上刻蚀有微纳结构阵列，提高了散热效率。相比于电子器件散热器，本发明在器件的设计阶段预留散热窗口，在保证大功率器件寿命以及可靠性的前提下，缩短了器件的开发时间，降低了器件的研发成本。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种倒装MOSFET器件及其制作方法。
背景技术
氧化镓(Ga2O3)作为第三代宽带隙半导体材料，具有超宽带隙(4.9eV)、超高耐击穿电场强度(8MV/cm)、超高Baliga优值因子(3444)的优势。氧化镓的Baliga优值分别是GaN和SiC的四倍和十倍，为功率器件的发展提供了更广阔的视野。然而氧化镓的热导率极低，它的热导率约为GaN、SiC等材料的1/10，极易导致氧化镓基高温、高频、大功率等电子器件的局部温度过高，从而诱发器件可靠性变差、输出功率下降等问题。因此，散热问题成为制约氧化镓功率器件发展的关键瓶颈。
针对氧化镓基MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)器件的散热问题，现有技术一般通过以下两种方式解决：1、在氧化镓材料上异质外延生长或者键合具有优异热导率的材料，以此提高导热效率；然而，外延和键合需要的高温环境会引入残余应力，导致材料层裂、曲边，严重影响器件性能。2、在后端封装阶段利用散热模组进行散热，如：导热硅脂、导热硅胶片、风扇等；而在后端封装阶段再考虑器件的散热问题，会延长开发时间，提高器件的研发成本。
发明内容
为解决上述现有技术中存在的不足之处，本发明的目的在于提供一种倒装MOSFET器件及其制作方法。
为达到其目的，本发明所采用的技术方案为：
一种倒装MOSFET器件，其包括从上至下依次层设的氧化镓衬底、n型掺杂氧化镓层、n型重掺杂氧化镓层、二氧化硅钝化层、氧化铝介质层、键合层和氮化铝导热层；所述n型重掺杂氧化镓层和所述二氧化硅钝化层之间设有源电极和漏电极，所述氧化铝介质层上设有栅电极；所述氧化镓衬底的自由端面上刻蚀有由微纳结构阵列形成的散热结构，所述微纳结构的横截面尺寸为微米级或纳米级。
作为优选，所述微纳结构的高度为500nm～10μm，长度为1μm～100μm，横截面的底边长度为200nm～5μm，相邻的所述微纳结构之间的间距为200nm～10μm。研究发现，微纳结构尺寸小于辐射波长是保证高效率散热效果的基础。热辐射中的波长范围在8μm～13μm红外波，对大气辐射效率较高，散热效果好。上述微纳结构尺寸小于该波段波长，因此可以保证高效率散热效果。
作为优选，所述微纳结构的横截面为上窄下宽的几何形状，如：梯形、三角形等。
作为优选，所述微纳结构采用干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺制成。
所述干法刻蚀工艺采用的气体包括Cl2、BCl3、SF6、Ar、CF4/O2混合气体中的一种或多种的组合。
在一些实施方式中，所述湿法刻蚀工艺采用的酸为HF酸，酸液的温度为室温～200℃。
作为优选，所述源电极、漏电极和栅电极的材料为Al、Ti、Pd、Pt、Au中的一种。
本发明还提供了一种所述倒装MOSFET器件的制作方法，其包括如下步骤：
(1)制作氧化镓基MOSFET器件：
a：利用化学气相沉积法在氧化镓衬底上依次沉积n型掺杂氧化镓层和n型重掺杂氧化镓层；
b：利用电子束蒸发设置源电极和漏电极；
c：然后利用ICP工艺刻蚀沟道，利用化学气相沉积法沉积二氧化硅钝化层和氧化铝介质层；
d：利用电子束蒸发设置栅电极，制得所述氧化镓基MOSFET器件；
(2)制作散热结构：
利用干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺在氧化镓基MOSFET器件的氧化镓衬底的自由端面上刻蚀微纳结构阵列；
(3)将所述氧化镓基MOSFET器件倒装焊接于氮化铝载体上，制得所述倒装MOSFET器件；氮化铝载体由键合层和氮化铝导热层组成。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：本发明采用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺在氧化镓衬底的表面上刻蚀特定尺寸的微纳结构阵列，且微纳结构的横截面为上窄下宽的几何形状，材料占比从上至下梯度变化，因而可引起材料折射率的梯度变化，从而有效提高辐射带宽，提高散热效率。本发明解决了氧化镓基MOSFET器件的散热问题，在氧化镓基MOSFET器件的设计阶段预留散热窗口，在保证大功率器件寿命以及可靠性的前提下，缩短了器件的开发时间，降低了器件的研发成本。
附图说明
图1为本发明所述倒装MOSFET器件的结构示意图；
图2为本发明所述微纳结构的结构示意图(A-截面为三角形；B-截面为梯形)。
图1中，氧化镓衬底1、微纳结构阵列2、n型掺杂氧化镓层3、n型重掺杂氧化镓层4、二氧化硅钝化层5、氧化铝介质层6、源电极7、栅电极8、漏电极9、键合层10、氮化铝导热层11。
具体实施方式
下面将结合实施例及附图对本发明的技术方案作进一步描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。实施例中使用的原料均可通过商业途径获得，所使用的方法或工艺条件如无特别指明，均为本领域的常规方法或常规工艺条件。
如图1～2所示，本实施例提供了一种倒装MOSFET器件，其包括从上至下依次层设的氧化镓衬底1、n型掺杂氧化镓层3、n型重掺杂氧化镓层4、二氧化硅钝化层5、氧化铝介质层6、键合层10和氮化铝导热层11。其中，n型重掺杂氧化镓层4和二氧化硅钝化层5之间设有源电极7和漏电极9，氧化铝介质层6上设有栅电极8。而氧化镓衬底1的自由端面上刻蚀有微纳结构阵列2，微纳结构阵列2的横截面积为微米级或纳米级。相应地，微纳结构阵列2的高度为500nm～10μm，长度为1μm～100μm，横截面的底边长度为200nm～5μm，相邻的微纳结构阵列2之间的间距为200nm～10μm。并且，微纳结构阵列2的横截面为上窄下宽的几何形状，如：梯形、三角形等。源电极7、栅电极8和漏电极9的材料为Al、Ti、Pd、Pt、Au中的一种。
该倒装MOSFET器件的制作方法，包括如下步骤：
(1)制作氧化镓基MOSFET器件：
a：利用化学气相沉积法在氧化镓衬底1上依次沉积n型掺杂氧化镓层3和n型重掺杂氧化镓层4；
b：利用电子束蒸发设置源电极7和漏电极9；
c：然后利用ICP工艺刻蚀沟道，利用化学气相沉积法沉积二氧化硅钝化层5和氧化铝介质层6；
d：利用电子束蒸发设置栅电极8，制得所述氧化镓基MOSFET器件；
(2)制作散热结构：
利用干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺在氧化镓基MOSFET器件的氧化镓衬底1的自由端面上刻蚀微纳结构阵列2；其中，干法刻蚀工艺采用的气体可以是Cl2、BCl3、SF6、Ar、CF4/O2混合气体中的一种或多种的组合，湿法刻蚀工艺采用的酸可以是HF酸，酸液的温度为室温～200℃；
(3)将氧化镓基MOSFET器件倒装焊接于氮化铝载体上，制得倒装MOSFET器件；氮化铝载体由键合层10和氮化铝导热层11组成。
最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (6)
1.一种倒装MOSFET器件，其特征在于，包括从上至下依次层设的氧化镓衬底、n型掺杂氧化镓层、n型重掺杂氧化镓层、二氧化硅钝化层、氧化铝介质层、键合层和氮化铝导热层；所述n型重掺杂氧化镓层和所述二氧化硅钝化层之间设有源电极和漏电极，所述氧化铝介质层上设有栅电极；所述氧化镓衬底的自由端面上刻蚀有由微纳结构阵列形成的散热结构，所述微纳结构的横截面尺寸为微米级或纳米级。
2.如权利要求1所述的倒装MOSFET器件，其特征在于，所述微纳结构的高度为500nm～10μm，长度为1μm～100μm，横截面的底边长度为200nm～5μm，相邻的所述微纳结构之间的间距为200nm～10μm。
3.如权利要求1所述的倒装MOSFET器件，其特征在于，所述微纳结构的横截面为上窄下宽的几何形状。
4.如权利要求1所述的倒装MOSFET器件，其特征在于，所述微纳结构采用干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺制成。
5.如权利要求1所述的倒装MOSFET器件，其特征在于，所述源电极、漏电极和栅电极的材料为Al、Ti、Pd、Pt、Au中的一种。
6.一种如权利要求1～5任一项所述的倒装MOSFET器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)制作氧化镓基MOSFET器件：
a：利用化学气相沉积法在氧化镓衬底上依次沉积n型掺杂氧化镓层和n型重掺杂氧化镓层；
b：利用电子束蒸发设置源电极和漏电极；
c：然后利用ICP工艺刻蚀沟道，利用化学气相沉积法沉积二氧化硅钝化层和氧化铝介质层；
d：利用电子束蒸发设置栅电极，制得所述氧化镓基MOSFET器件；
(2)制作散热结构：
利用干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺在氧化镓基MOSFET器件的氧化镓衬底的自由端面上刻蚀微纳结构阵列；
(3)将所述氧化镓基MOSFET器件倒装焊接于氮化铝载体上，制得所述倒装MOSFET器件；氮化铝载体由键合层和氮化铝导热层组成。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114446904A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-05-06 | 光梓信息科技(深圳)有限公司 | 基于纳米级散热器的晶圆封装结构及方法 |
| CN116631847A (zh) * | 2023-05-04 | 2023-08-22 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 氧化镓异质集成结构及制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103578985A (zh) * | 2013-11-01 | 2014-02-12 | 中航（重庆）微电子有限公司 | 半导体器件及其制作方法 |
| JP2015002293A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | 株式会社タムラ製作所 | Ｇａ２Ｏ３系半導体素子 |
| US20180114693A1 (en) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | QROMIS, Inc. | Method and system for integration of elemental and compound semiconductors on a ceramic substrate |
| CN109103091A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-12-28 | 西安电子科技大学 | Ga2O3基MOSFET器件的外延层转移方法 |
| CN109923678A (zh) * | 2016-11-09 | 2019-06-21 | Tdk株式会社 | 肖特基势垒二极管和具备其的电子电路 |
-
2020
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015002293A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | 株式会社タムラ製作所 | Ｇａ２Ｏ３系半導体素子 |
| CN103578985A (zh) * | 2013-11-01 | 2014-02-12 | 中航（重庆）微电子有限公司 | 半导体器件及其制作方法 |
| US20180114693A1 (en) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | QROMIS, Inc. | Method and system for integration of elemental and compound semiconductors on a ceramic substrate |
| CN109923678A (zh) * | 2016-11-09 | 2019-06-21 | Tdk株式会社 | 肖特基势垒二极管和具备其的电子电路 |
| CN109103091A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-12-28 | 西安电子科技大学 | Ga2O3基MOSFET器件的外延层转移方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114446904A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-05-06 | 光梓信息科技(深圳)有限公司 | 基于纳米级散热器的晶圆封装结构及方法 |
| CN116631847A (zh) * | 2023-05-04 | 2023-08-22 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 氧化镓异质集成结构及制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210219 |
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |